KR970016722A - 반도체장치 및 이것을 사용한 액정표시장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 간략한 공정에 의해 제조 가능하고, 또한 저소비전력의 반도체장치 및 액정표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한 것이며, 그 구성에 있어서, 기판(10)에 표시영역(40)과, 이 표시영역(40)을 구동하기 위하여 그 주변에 형성된 주변 회로영역을 가지고, 주변 회로영역에는 단극성(T2), (T4) 및 양극성(T1), (T3)의 박막 반도체 소자가 형성되고, 표시영역(40)에는 단극성(T2), (T4) 또는 양극성(T1), (T3)의 박막 반도체 소자가 형성된 액정표시장치로서, 상기 단극성(T2), (T4) 및 양극성(T1), (T3)의 박막 반도체 소자의 반도체막 속에는 n형의 불순물을 고농도로 함유한 n+영역(135)와, P형의 불순물을 고농도로 함유한 P+영역(136)의 양쪽의 형성되는 것을 특징으로 한 것이다.

Description

반도체 장치 및 이것을 사용한 액정표시장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1도는 본 발명의 실시예인 양극성 및 단극성의 박막 트랜지스터의 단면 구조를 표시한 도면,
제 11도는 주변회로내장형 액정표시장치의 평면도.

Claims (25)

  1. 적어도 한쪽이 투명한 1쌍의 기판과, 상기 1쌍의 기판 사이에 액정 조성물이 봉입된 액정층을 가지고, 상기 1쌍의 기판의 한쪽의 기판에는, 매트릭스 상에 배치되어 복수의 제 1반도체 소자를 가진 표시 영역과, 상기 표시 영역의 주변에 배치되어 복수의 제 2반도체 소자를 가지고 상기 복수의 제 1반도체 소자를 구동하기 위한 주변회로 영역이 형성되고, 상기 주변회로 영역 내의 복수의 제 2반도체 소자는, 단극성 및 양극성의 반도체 소자를 가진 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 단극성 및 양극성의 반도체 소자는 인버터를 구성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 인버터는 시프트레지스터를 구성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 표시 영역에 형성되는 제 1반도체 소자의 반도체층은 비정질실리콘으로 구성되고, 상기 주변회로영역에 형성되는 제 2반도체 소자의 반도체층은 다결정실리콘에 의해 구성을 이루는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2반도체 소자는 박막 반도체 소자인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 제 2반도체 소자를 구성하는 단극성 및 양극성의 박막 반도체 소자는 상기 기판 위에 형성된 게이트 전극과, 이 게이트 전극 위에 절연막을 개재해서 형성된 반도체층을 가지고, 이 반도체층의 양쪽의 각각에는 P+영역 및 n+영역이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 양극성의 박막 반도체 소자의 반도체층의 상기 P+영역 및 n+영역은 상기 기판의 수직 방향에서 본 게미트 전극의 영역의 범위 내에 위치하고 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 양극성의 박막 반도체 소자의 P영역 상에 상기 n+영역이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 양극성의 박막 반도체 소자의 상기 n+영역은 상기 반도체층의 채널영역 상에 오버랩 하고 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  10. 제 6항에 있어서, 상기 단극성의 박막 반도체 소자의 반도체층의 P+영역 및 n+영역의 어느 것이든 한쪽은 상기 기판의 수직 방향에서 본 게이트 전극의 영역의 범위 외에 위치하고 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  11. 제 10항에 있어서, 상기 단극성의 박막 반도체소자의 반도체층의 P+영역 및 n+영역의 어느 것이든 한쪽은 상기 반도체층의 채널영역 상에 오버랩 하고 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 단극성의 박막 반도체 소자의 p+영역은 상기 기판의 수직 쪽에서 본 게이트 전극의 영역의 범위 외에 위치하고, 상기 n+영역은 상기 반도체층의 채널영역 상에 오버랩하고 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  13. 제 4항에 있어서, 상기 표시영역에 형성되는 박막 반도체 소자의 반도체층은 비정질실리콘으로 구성되고, 상기 주변회로 영역에 형성되는 박막 반도체층은 다결정 실리콘으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  14. 제 1항에 있어서, 상기 표시영역의 제 1반도체 소자는 단극성의 반도체 소자인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  15. 제 14항에 있어서, 상기 단극성의 반도체 소자는 박막 반도체 소자이고, 이 박막 반도체 소자는, 상기 기판 위에 형성된 게이트 전극과, 이 게이트 전극 위에 절연막을 개재해서 형성된 반도체층을 가지고, 상기 반도체층의 양쪽의 각각에는 P+영역 및 n+영역이 형성되고, 상기 반도체층의 P+영역 및 n+영역의 어느 것이든 한쪽은, 상기 기판의 수직 방향에서 본 게이트 영역의 범위외에 위치하고 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  16. 제 1항에 있어서, 상기 표시영역의 제 1반도체 소자는 양극성의 반도체 소자인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  17. 제 16항에 있어서, 상기 양극성의 반도체 소자는 박막 반도체 소자이고, 이 박막 반도체 소자는 상기 기판 위에 형성된 게이트 전극과, 이 게이트 전극 위에 절연막을 개재해서 형성된 반도체층을 가지고, 상기 반도체층의 양쪽의 각각에는 P+영역 및 N+영역이 형성되고, 상기 반도체층의 P+영역 및 n+영역은 상기 기판의 수직 바양에서 본 게이트 전극의 영역의 범위 내에 위치하고 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  18. 특허청구의 범위 제 1항에 규정된 액정표시장치와, 이 액정표시장치의 주변회로 영역에 제어신호를 공급하기 위한 제어부와, 이 제어부에 외부로부터의 신호를 공급하기 위한 통신부를 가진 것을 특징으로 하는 정보처리장치.
  19. 기판과 이 기판 위에 형성된 단극성 및 양극성의 박막 반도체 소자를 가진 반도체 장치로서, 상기 단극성과 양극성의 박막 반도체 소자는 각각 상기 기판상에 형성된 게이트 전극과, 이 게이트 전극 위에 절연막을 개재해서 형성된 반도체층을 가지고, 이 반도체층의 양쪽의 각각에는 P+영역 및 n+영역이 형성되고, 상기 단극성의 박막 반도체 소자의 반도체층의 P+영역 및 n+영역의 어느 쪽이든 한쪽은, 상기 기판의 수직 방향에서 본 게이트 전극의 영역의 범위 외에 위치하고, 상기 양극성의 박막 반도체 소자의 반도체층의 상기 P+영역 및 n+영역은 상기 기판의 수직 방향에서 본 게이트 전극의 영역의 범위 내에 위치하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  20. 제 19항에 있어서, 상기 단극성의 박막 반도체 소자의 반도체층의 P+영역 및 n+영역의 어느 쪽이든 한쪽은, 상기 반도체층의 채널 영역상에 오버랩하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  21. 제 20항에 있어서, 상기 단극성의 박막 반도체 소자의 P+영역은 상기 기판의 수직 쪽에서 본 게이트 전극의 영역의 범위 외에 위치하고, 상기 n+영역은 상기 반도체층의 채널영역 상에 오버랩하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  22. 제 19항에 있어서, 상기 양극성의 박막 반도체 소자의 반도체층의 P+영역상에 상기 n+영역이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  23. 제 22항에 있어서, 상기 양극성의 박막 반도체 소자의 반도체층의 상기 n+영역은 상기 반도체층의 채널 영역상에 오버랩하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  24. 복수의 박막 반도체 소자를 가진 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 게이트 전극형성 공정과, 표면에 제 1형의 고불순물농도 영역을 가진 반도체막을 형성하는 공정과, 상기 반도체막을 섬 형상으로 가공하는 공정과, 섬 형상으로 가공한 상기 반도체막의 측면의 벽에 상기 제 1고불순물농도영역과 다른 형의 제 2고불순물농도영역을 형성하는 공정과, 상기 제 1 및 제 2고농도불순물영역에 접하도록 소스 드레인 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  25. 제 24항에 있어서, 적어도 1개의 박막 반도체 소자의 제 2고불순물농도영역이 평면도 있어서 게이트 전극과 떨어진 위치에 형성하고, 적어도 1개의 박막 트랜지스터에 있어서는, 제 2고불순물농도영역의 적어도 일부가 게이트 전극과 겹치도록 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960041010A 1995-09-20 1996-09-20 반도체장치 및 이것을 사용한 액정표시장치 KR970016722A (ko)

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