JP2005019627A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】薄膜トランジスタのオフ特性に優れ、表示性能の向上した液晶表示装置を提供する。
【解決手段】基板上には薄膜トランジスタ13が形成され、この薄膜トランジスタは、ゲート配線12と、絶縁膜と、半導体層24と、互いに隙間を置いて配設された第1配線26、および第2配線27とを有している。半導体層24は、第1半導体層31、第2半導体層32、および第3半導体層33を有しており、ゲート配線の延出方向において、第1半導体層の幅w1は第1配線26の幅w3以上であり、第2半導体層の幅w2は第2配線27の幅w4以上である。第3半導体層33は少なくとも第2半導体層32と接続されている。第2半導体層32は、ゲート配線12の外側に位置し、第2配線から外れた非重畳領域r4を有している。非重畳領域r4と第3半導体層33は第2配線27で区切られている。
【選択図】 図6
【解決手段】基板上には薄膜トランジスタ13が形成され、この薄膜トランジスタは、ゲート配線12と、絶縁膜と、半導体層24と、互いに隙間を置いて配設された第1配線26、および第2配線27とを有している。半導体層24は、第1半導体層31、第2半導体層32、および第3半導体層33を有しており、ゲート配線の延出方向において、第1半導体層の幅w1は第1配線26の幅w3以上であり、第2半導体層の幅w2は第2配線27の幅w4以上である。第3半導体層33は少なくとも第2半導体層32と接続されている。第2半導体層32は、ゲート配線12の外側に位置し、第2配線から外れた非重畳領域r4を有している。非重畳領域r4と第3半導体層33は第2配線27で区切られている。
【選択図】 図6
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は液晶表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、画像表示装置として液晶表示装置が広く用いられている。このような液晶表示装置は、ガラス基板を有したアレイ基板を備えている。ガラス基板上には、複数の信号配線およびゲート配線が交差して配設され、信号配線およびゲート配線で囲まれた領域には画素が形成されている。この画素は、スイッチング素子としてゲート配線および半導体層等からなるTFT(薄膜トランジスタ)を有している。
【0003】
TFTについて詳細に述べると、ガラス基板上にはゲート配線が形成され、このゲート配線およびガラス基板上には、ゲート絶縁膜が形成されている。ゲート絶縁膜上には、チャネルを形成した半導体層が形成されている。その他、ゲート絶縁膜上には、ゲート配線の一方のエッジを跨ぐ領域と、このゲート配線の他方のエッジを跨ぐ領域に、絶縁用の半導体層がそれぞれ形成されている。ゲート絶縁膜、半導体層、および絶縁用の半導体層上には、ソース配線およびドレイン配線が互いに隙間を置いて形成されている。
【0004】
半導体層は、ガラス基板の裏側に配置されたバックライトから光の照射を受けると、特にオフ状態におけるトランジスタ特性が著しく悪化するという課題がある。そのため、ゲート配線の幅は半導体層の幅より広く形成され、半導体層のエッジからゲート配線のエッジまでの距離は数μm、例えば6μmに形成されている。これにより、半導体層へ照射されるバックライト光の回り込みは、ゲート配線により遮光される。
【0005】
絶縁用の半導体層は、ゲート配線およびソース配線の間と、ゲート配線およびドレイン配線の間に、それぞれ配置されている。絶縁用の半導体層は、ゲート絶縁膜に加えて、ゲート配線とソース配線またはドレイン配線との間のショート率を低減し、絶縁強化を図っている。
【0006】
絶縁用の半導体層は、製造上の制約からある一定以上の面積を必要とし、小さく形成しすぎると、製造時にパターン剥がれを起し製品歩留まりを低下させる。そこで、絶縁用の半導体層は、ゲート配線と、ソース配線およびドレイン配線との絶縁強化用のため、ゲート配線のエッジから数μm程度はみ出して配置されている。この場合、絶縁用の半導体層にバックライト光が照射されるため、絶縁用の半導体層には、電流キャリアが発生する。
【0007】
この電流キャリアは半導体層へ流れ込みTFTのオフ特性を悪化させる。そのため、絶縁用の半導体層は、半導体層と切り離して形成されている。同一層を切り離して形成する場合、切り離された部分の間のスペースは、製造上、一定以上必要である。そのため、絶縁用の半導体層と半導体層は、例えば5μm程度間隔を開けて配置されている。
【0008】
半導体層と絶縁用の半導体層が並んでいる軸方向において、半導体層および絶縁用の半導体層は、これら半導体層間を間隔を置いて設けられている。そして、半導体層のエッジからゲート配線パターンのエッジまでの距離は、半導体層へのバックライト光の回り込みを遮光するために必要な数μmの距離よりも大きな距離をとっている。
【0009】
ゲート配線パターンとドレイン配線パターンによって形成される寄生容量は画素の設計において重要な要素であり、表示特性を向上させるにはできるだけ小さくすることが望ましい。上述した構成では、半導体層からゲート配線パターンエッジまでの距離を必要以上に大きく取っているため、寄生容量は大きな値となっている。
TFTは、一般に、半導体層としてアモルファスシリコン(a−Si)を有している(例えば、特許文献1参照)。
【0010】
【特許文献1】
特開8−55997号公報
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
TFTを備えた液晶表示装置の表示特性を向上させる場合、開口率を高めることが考えられる。そのためには、TFTの半導体層を形成する部分の周辺のパターンを小さくすることが考えられる。
【0012】
その場合、上述したように、必要以上に大きくとっている半導体層のエッジからゲート配線パターンのエッジまでの距離を低減させること、他の半導体層を半導体層と接続して、これら半導体層が形成される面積を低減させることが挙げられる。
【0013】
しかしながら、この場合、バックライト光が直接あるいは間接的にTFTの半導体層へ照射され、半導体層に電流キャリアが発生することになる。そのため、TFTの良好なオフ特性が得られず、表示性能の低下を招く。
【0014】
この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、薄膜トランジスタのオフ特性に優れ、表示性能の向上した液晶表示装置を提供することにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、この発明に係る液晶表示装置は、基板上に交差して配設された複数の信号配線および所定の幅を有した複数のゲート配線と、前記信号配線およびゲート配線の各交差部に設けられ、前記ゲート配線に重ねて形成された絶縁膜、前記ゲート配線に重なって前記絶縁膜上に配設された半導体層、前記絶縁膜および半導体層上に前記ゲート配線の一方の端縁を跨いで配設された第1配線、並びに前記第1配線に所定の隙間を置いて設けられ、前記ゲート配線の他方の端縁を跨いで配設された第2配線を有した薄膜トランジスタと、を備え、前記半導体層は、前記ゲート配線の一方の端縁を跨いで配設され、前記第1配線と絶縁膜との間に位置しているとともに、前記ゲート配線の延出方向において、前記第1配線以上の幅を有し、この第1配線の両側に延出した第1半導体層と、前記ゲート配線の他方の端縁を跨いで配設され、前記第2配線と絶縁膜との間に位置しているとともに、前記ゲート配線の延出方向において、前記第2配線以上の幅を有し、この第2配線の両側に延出した第2半導体層と、前記第1半導体層および第2半導体層の間で前記ゲート配線と重なった領域内に設けられ、チャネルを形成した第3半導体層と、を有し、前記第3半導体層は少なくとも前記第2半導体層と接続され、この第2半導体層は、前記ゲート配線の外側に位置しているとともに前記第2配線から外れた非重畳領域を有し、前記非重畳領域と前記第3半導体層とは前記第2配線で区切られていることを特徴としている。
【0016】
上記のように構成された液晶表示装置によれば、少なくとも第2半導体層および第3半導体層は一体に形成されているため、ゲート配線の幅を狭く形成でき、画素の開口率の向上を図ることができる。上記のように、ゲート配線を形成する場合であっても、従来半導体層の有する絶縁強化用の機能を無くさずにゲート配線と、第1配線および第2配線間の寄生容量を低く抑えることが可能であり、液晶表示装置の表示特性を向上させることができる。第2半導体層の非重畳領域に光が照射され、電流キャリアが発生する場合でも、この非重畳領域と第3半導体層は第2配線で区切られているため、電流キャリアは第3半導体層に流れ込むことはない。このため、薄膜トランジスタのオフ特性に与える影響を抑制することができる。上記のことから、薄膜トランジスタのオフ特性に優れ、表示性能の向上した液晶表示装置を提供できる。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながらこの発明の実施の形態に係る液晶表示装置について詳細に説明する。
図1に示すように、液晶表示装置は、アレイ基板1と、このアレイ基板に所定の隙間を保持して対向配置された対向基板2と、アレイ基板および対向基板の間に狭持された液晶層3と、を備えている。アレイ基板1および対向基板2は、これら両基板の周縁部に配置されたシール材4により互いに接合されている。アレイ基板1の外面側には、バックライト5が配置されている。このバックライト5は、アレイ基板1に対向配置された導光板6と、この導光板の一側縁に対向配置された光源7および反射板8とを有している。
【0018】
図2に示すように、アレイ基板はガラス基板を備え、このガラス基板上には、列方向に延びた複数の信号配線11と、行方向に延びた複数のゲート配線12とがマトリクス状に配設されている。信号配線11およびゲート配線12の各交差部にはスイッチング素子としてTFT13が設けられている。
【0019】
次にTFT13の一層詳しい構成を説明する。図2、図3、および図4に示すように、絶縁性を示す透明基板としてガラス基板20上には、所定の幅を有したゲート配線12が形成され、ゲート配線およびガラス基板上にはゲート絶縁膜23が成膜されている。ゲート絶縁膜23上には、ゲート配線12と重なった半導体層24が形成されている。
【0020】
ゲート絶縁膜23および半導体層24上には、第1配線として列方向に延びたドレイン配線26が配設されている。また、ゲート絶縁膜23および半導体層24上には、信号配線11の一部を延在し、列方向に延びた第2配線としてソース配線27が配設されている。これらドレイン配線26およびソース配線27は、所定の隙間を置いて設けられ、ゲート配線12の端縁21と、他の端縁22とをそれぞれ跨いで配設されている。本実施の形態において、ドレイン配線26およびソース配線27は、同一の導電材料により形成されている。
【0021】
半導体層24は、第1半導体層31、第2半導体層32、および第3半導体層33を有している。第1半導体層31は、ゲート配線12の端縁21を跨いで配設され、ドレイン配線26とゲート絶縁膜23との間に位置している。第1半導体層31は、一部はゲート配線に重なっているとともに、他の部はこの端縁からゲート配線の外側まで延出している。また、第1半導体層31は端縁21に沿って延び、所定の幅w1を有している。
【0022】
第2半導体層32は、ゲート配線12の他方の端縁22を跨いで配設され、ソース配線27と、ゲート絶縁膜23との間に位置している。第2半導体層32は、一部はゲート配線に重なっているとともに、他の部はこの端縁からゲート配線の外側まで延出している。また、第2半導体層32は端縁22に沿って延び、所定の幅w2を有している。
【0023】
第3半導体層33は、TFT13のチャネルとして機能し、第1、第2半導体層31、32間に位置し、ゲート配線12と重なった領域内に設けられている。これら第1半導体層31、第2半導体層32、および第3半導体層33は、同一の半導体層により一体に連続して形成されている。
【0024】
次に、ドレイン配線26およびソース配線27について説明する。ドレイン配線26およびソース配線27はチャネルを形成した第3半導体層33と、それぞれ対応する絶縁強化用の第1、第2半導体層31、32と、に接続されている。
【0025】
ゲート配線12と重なった領域内において、ドレイン配線26およびソース配線27は、半導体層24の周縁から外れて位置した非重畳領域r1、r2をそれぞれ有している。これら非重畳領域r1、r2は、半導体層24と重なって位置しておらず、この半導体層に直接接続されないように位置している。そして、非重畳領域r1、r2は、ドレイン配線26およびソース配線27が半導体層24と交差した個所に位置している。この実施の形態において、非重畳領域r1、r2は、半導体層24から外れて、この半導体層両側の2個所にそれぞれ設けられている。
【0026】
ゲート配線12の延出方向において、ドレイン配線26およびソース配線27は所定の幅w3、w4をそれぞれ有している。そして、ゲート配線12の延出方向において、第1半導体層31はドレイン配線26以上の幅を有し(w1≧w3)、このドレイン配線の両側に延出している。また、ゲート配線12の延出方向において、第2半導体層32はソース配線27以上の幅を有し(w2≧w4)、このソース配線の両側に延出している。
【0027】
ゲート配線12の外側において、第1半導体層31は、ドレイン配線26から外れて位置した非重畳領域r3を有している。ゲート配線12の外側において、第2半導体層32は、ソース配線27から外れて位置した非重畳領域r4を有している。この実施の形態において、非重畳領域r3は、ドレイン配線26両側の2個所に設けられ、非重畳領域r4は、ソース配線27両側の2個所に設けられている。
【0028】
なお、ドレイン配線26は、このドレイン配線およびソース配線27と重ならずに位置した第3半導体層33と、非重畳領域r3とを区切っている。ソース配線27は、このソース配線およびドレイン配線26と重ならずに位置した第3半導体層33と非重畳領域r4とを区切っている。
【0029】
2本の信号配線11および2本のゲート配線12で囲まれた領域内には、画素電極14が形成されている。ソース配線27および画素電極14は、コンタクト29により接続され、導通状態に維持されている。信号配線11とゲート配線12の間に位置し、信号配線がゲート配線を跨ぐ部分には、半導体層24と同一材料により他の半導体層25が設けられている。この他の半導体層25は、信号配線11およびゲート配線12間の絶縁強化のために用いられている。本実施の形態において、半導体層24および他の半導体層25はアモルファスシリコンで形成されている。
【0030】
このように構成された、第1の実施の形態に係る液晶表示装置によれば、半導体層24を構成する第1ないし第3半導体層31〜33は一体に連続して形成されている。このように、各半導体層間のスペースを開けずに形成することにより、半導体層24の幅は短縮される。そのため、必要以上にとっていた第1半導体層31のエッジからゲート配線12の端縁21までの距離、または第2半導体層32のエッジからゲート配線の他の端縁22までの距離を最適な距離まで短縮できる。また、第1ないし第3半導体層31〜33を一体に形成することにより、ゲート配線12の幅を狭くすることができる。そして、上記のように、省スペース化されたゲート配線12および半導体層24により、画素の開口率を向上させることができる。
【0031】
ゲート配線12の幅を狭く形成する場合であっても、従来半導体層の有する層間絶縁強化の機能を無くすことなく、ゲート配線を形成することができる。このため、ゲート配線12と、ドレイン配線26およびソース配線27間の寄生容量を低く抑えることが可能であり、液晶表示装置の表示特性を向上させることができる。
【0032】
ドレイン配線26およびソース配線27は、それぞれ非重畳領域r1、r2を有している。ゲート配線12から外れて位置した第1半導体層31および第2半導体層32にバックライト5の光が照射され、電流キャリアが発生する場合、非重畳領域r1、r2により、第3半導体層33への電流キャリアの流れ込みを抑制することができる。このため、ゲート配線12から外れて位置した第1半導体層31に発生する電流キャリアはドレイン配線26に流れ込み、ゲート配線12から外れて位置した第2半導体層32に発生する電流キャリアはソース配線27に流れ込む。これにより、TFT13のオフ特性に与える影響を抑制することができる。上記のことから、TFT13のオフ特性に優れ、表示性能の向上した液晶表示装置を得ることができる。
【0033】
次に、この発明の第2の実施の形態に係る液晶表示装置について説明する。 図5に示すように、アレイ基板はガラス基板を備え、このガラス基板上には、ゲート配線12と、ゲート絶縁膜と、第1半導体層31、第2半導体層32、および第3半導体層33を有した半導体層24とが形成されている。ゲート絶縁膜、第1半導体層31および第3半導体層33上には、ゲート配線12の一方の端縁21を跨いで第1配線としてドレイン配線26が配設されている。
【0034】
ゲート絶縁膜、第2半導体層32、および第3半導体層33上には、ゲート配線12の他方の端縁22を跨いで第2配線としてソース配線27が配設されている。ドレイン配線26は、第1半導体層31および第3半導体層33と接続され、ソース配線27は、第2半導体層32および第3半導体層と接続されている。
【0035】
第1半導体層31は、ゲート配線12の一方の端縁21を跨いで配設され、ドレイン配線26とゲート絶縁膜23との間に位置している。第1半導体層31は、一部はゲート配線12に重なっているとともに、他の部はこの端縁からゲート配線の外側まで延出している。第2半導体層32は、ゲート配線12の他方の端縁22を跨いで配設され、ソース配線27とゲート絶縁膜23との間に位置している。第2半導体層32は、一部はゲート配線12に重なっているとともに、他の部はこの端縁からゲート配線の外側まで延出している。第3半導体層33は、TFT13のチャネルとして機能し、第1、第2半導体層31、32間に位置し、ゲート配線12と重なった領域内に設けられている。
【0036】
第1ないし第3半導体層31〜33は、同一の半導体層により形成され、第2半導体層32および第3半導体層33は、一体に形成されている。第1半導体層31と第3半導体層33は所定の隙間を置いて配設されている。
【0037】
次いで、ドレイン配線26、およびソース配線27について説明する。ゲート配線12と重なった領域において、ドレイン配線26は、第1半導体層31および第3半導体層33の周縁から外れて位置した非重畳領域r1を有している。そして、非重畳領域r1は、ドレイン配線26が第1半導体層31、および第3半導体層33と交差した個所に位置している。上記のように、ドレイン配線26およびソース配線27はチャネルを形成した第3半導体層33と、それぞれ対応する絶縁強化用の第1、第2半導体層31、32と、に接続されている。
【0038】
ゲート配線12と重なった領域において、ソース配線27は、2又に分岐してU字形に形成され、第1分岐部27a、およびこの第1分岐部に所定の隙間を置いて配置された第2分岐部27bを有している。ここで、ドレイン配線26は、第1分岐部27aおよび第2分岐部27bの間に設けられている。第1分岐部27aおよび第2分岐部27bは、第3半導体層33の周縁から外れて位置した非重畳領域r2を有している。この非重畳領域r2は、ソース配線27が第3半導体層33と交差した個所に位置している。この実施の形態において、非重畳領域r2は、第1分岐部27aおよび第2分岐部27bが第3半導体層33と交差した2個所に位置している。
【0039】
ゲート配線12の延出方向において、第1半導体層31は、ドレイン配線26以上の幅を有し(w1≧w3)、このドレイン配線の両側に延出している。また、ゲート配線12の延出方向において、第2半導体層32は、ソース配線27以上の幅を有し(w2≧w4)、このソース配線の両側に延出している。第1半導体層31および第2半導体層32は、非重畳領域r3および非重畳領域r4をそれぞれ有している。この実施の形態において、非重畳領域r3は、ドレイン配線26両側の2個所に設けられ、非重畳領域r4は、ソース配線27両側の2個所に設けられている。なお、ソース配線27は、このソース配線と重ならずに位置した第3半導体層33と非重畳領域r4とを区切っている。
【0040】
このように構成された、第2の実施の形態に係る液晶表示装置によれば、第2半導体層32および第3半導体層33は一体に形成されるため、ゲート配線12および半導体層24を省スペース化することができ、画素の開口率の向上を図ることができる。第1半導体層31は、第3半導体層33に隙間を置いて配置され、従来の技術を踏襲しているが、第3半導体層がある一定のチャネル幅を超える場合、ゲート配線12およびドレイン配線26間の寄生容量の値を、上述した実施の形態のそれよりも低く抑えることができる。このため、液晶表示装置の表示特性を向上させることができる。上記のように構成された場合でも、ゲート配線12と、ドレイン配線26およびソース配線27間の寄生容量を低く抑えることが可能であり、液晶表示装置の表示特性を向上させることができる。
【0041】
ドレイン配線26およびソース配線27は、それぞれ非重畳領域r1、r2を有している。ゲート配線12から外れて位置した第2半導体層32にバックライト5の光が照射され、電流キャリアが発生する場合、非重畳領域r2により、第2半導体層32と一体に形成された第3半導体層33への電流キャリアの流れ込みを抑制することができる。このため、電流キャリアは、第3半導体層33に流れ込むことなくソース配線27に流れ込む。これにより、TFT13のオフ特性に与える影響を抑制することができる。上記のことから、TFT13のオフ特性に優れ、表示性能の向上した液晶表示装置を得ることができる。
【0042】
次に、この発明の第3および第4の実施の形態に係る液晶表示装置について説明する。
図6に示すように、ドレイン配線26およびソース配線27は、上述した非重畳領域を設けていない。ゲート配線12と重なった領域内において、ドレイン配線26およびソース配線27は半導体層24から外れて位置しておらず、第3半導体層33の両側の端縁に重なってそれぞれ設けられている。ゲート配線12の外側において、第1、第2半導体層31、32は、ドレイン配線26およびソース配線27から外れて位置した非重畳領域r3、r4を有している。そして、ドレイン配線26およびソース配線27は、これら配線と重ならずに位置した第3半導体層33の所定領域と、非重畳領域r3、r4とを区切っている。
【0043】
図7に示すように、ソース配線27は、非重畳領域を設けていない。ゲート配線12と重なった領域内において、ソース配線27は半導体層24から外れて位置しておらず、第3半導体層33の両側の端縁に重なって設けられている。ゲート配線12の外側において、第2半導体層32は、ソース配線27と重ならずに位置した非重畳領域r4を有している。そして、ソース配線27は、このソース配線と重ならずに位置した第3半導体層33の所定領域と、非重畳領域r4とを区切っている。
【0044】
このように構成された、第3および第4の実施の形態に係る液晶表示装置によれば、第3半導体層33と接続された第1半導体層31および第2半導体層32の非重畳領域r3、r4と、ドレイン配線26およびソース配線27と重ならずに位置した第3半導体層33の所定領域とは、ドレイン配線およびソース配線で区切られている。上記のように構成することにより、ドレイン配線26およびソース配線27が非重畳領域を設けていない場合であってもチャネルを形成した第3半導体層33への電流キャリアの流れ込みを抑制することができる。これにより、TFT13のオフ特性に与える影響を抑制することができ、表示性能の向上した液晶表示装置を得ることができる。
【0045】
第3および第4の実施の形態において、画素の開口率の向上を図ることができ、ゲート配線12と、ドレイン配線26およびソース配線27との間の寄生容量を低く抑えられることはいうまでもない。
第2ないし第4の実施の形態において、他の構成は上述した実施の形態と同一であり、同一の部分には同一の符号を付してその詳細な説明を省略した。なお、第1および第2の実施の形態において、ドレイン配線26およびソース配線27が非重畳領域r3および非重畳領域r4と、第3半導体層33とを区切った効果は、上述した第3および第4の実施の形態と同様である。
【0046】
その他、この発明は、上述した実施の形態に限定されることなく、この発明の範囲内で種々変形可能である。例えば、半導体層24と、ドレイン配線26およびソース配線27とは、それぞれ接続されているが、これらはn+a−Si膜を介して接続される。上述した説明ではn+a−Si膜の記載を省略したが、a−Siからなる半導体層で構成されたTFT13において、このn+a−Si膜は必須の層である。上述した実施の形態において、ドレイン配線26を第1配線、ソース配線27を第2配線としたが、第1配線および第2配線のいずれか一方がドレイン配線、他方がソース配線であればよい。
【0047】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、薄膜トランジスタのオフ特性に優れ、表示性能の向上した液晶表示装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態に係る液晶表示装置の断面図。
【図2】図1に示したアレイ基板の一部を拡大して示す平面図。
【図3】図2に示した薄膜トランジスタを拡大して示す平面図。
【図4】図3に示した薄膜トランジスタのA1−A2断面図。
【図5】本発明の第2の実施の形態に係る薄膜トランジスタの断面図。
【図6】本発明の第3の実施の形態に係る薄膜トランジスタの断面図。
【図7】本発明の第4の実施の形態に係る薄膜トランジスタの断面図。
【符号の説明】
1…アレイ基板,2…対向基板,3…液晶層,5…バックライト,11…信号配線,12…ゲート配線,13…薄膜トランジスタ,14…画素電極,20…基板,21、22…端縁,23…ゲート絶縁膜,24、25…半導体層,26…ドレイン配線,27…ソース配線,27a…第1分岐部,27b…第2分岐部,31…第1半導体層,32…第2半導体層,33…第3半導体層,w1〜w4…幅,r1〜r4…非重畳領域
【発明の属する技術分野】
この発明は液晶表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、画像表示装置として液晶表示装置が広く用いられている。このような液晶表示装置は、ガラス基板を有したアレイ基板を備えている。ガラス基板上には、複数の信号配線およびゲート配線が交差して配設され、信号配線およびゲート配線で囲まれた領域には画素が形成されている。この画素は、スイッチング素子としてゲート配線および半導体層等からなるTFT(薄膜トランジスタ)を有している。
【0003】
TFTについて詳細に述べると、ガラス基板上にはゲート配線が形成され、このゲート配線およびガラス基板上には、ゲート絶縁膜が形成されている。ゲート絶縁膜上には、チャネルを形成した半導体層が形成されている。その他、ゲート絶縁膜上には、ゲート配線の一方のエッジを跨ぐ領域と、このゲート配線の他方のエッジを跨ぐ領域に、絶縁用の半導体層がそれぞれ形成されている。ゲート絶縁膜、半導体層、および絶縁用の半導体層上には、ソース配線およびドレイン配線が互いに隙間を置いて形成されている。
【0004】
半導体層は、ガラス基板の裏側に配置されたバックライトから光の照射を受けると、特にオフ状態におけるトランジスタ特性が著しく悪化するという課題がある。そのため、ゲート配線の幅は半導体層の幅より広く形成され、半導体層のエッジからゲート配線のエッジまでの距離は数μm、例えば6μmに形成されている。これにより、半導体層へ照射されるバックライト光の回り込みは、ゲート配線により遮光される。
【0005】
絶縁用の半導体層は、ゲート配線およびソース配線の間と、ゲート配線およびドレイン配線の間に、それぞれ配置されている。絶縁用の半導体層は、ゲート絶縁膜に加えて、ゲート配線とソース配線またはドレイン配線との間のショート率を低減し、絶縁強化を図っている。
【0006】
絶縁用の半導体層は、製造上の制約からある一定以上の面積を必要とし、小さく形成しすぎると、製造時にパターン剥がれを起し製品歩留まりを低下させる。そこで、絶縁用の半導体層は、ゲート配線と、ソース配線およびドレイン配線との絶縁強化用のため、ゲート配線のエッジから数μm程度はみ出して配置されている。この場合、絶縁用の半導体層にバックライト光が照射されるため、絶縁用の半導体層には、電流キャリアが発生する。
【0007】
この電流キャリアは半導体層へ流れ込みTFTのオフ特性を悪化させる。そのため、絶縁用の半導体層は、半導体層と切り離して形成されている。同一層を切り離して形成する場合、切り離された部分の間のスペースは、製造上、一定以上必要である。そのため、絶縁用の半導体層と半導体層は、例えば5μm程度間隔を開けて配置されている。
【0008】
半導体層と絶縁用の半導体層が並んでいる軸方向において、半導体層および絶縁用の半導体層は、これら半導体層間を間隔を置いて設けられている。そして、半導体層のエッジからゲート配線パターンのエッジまでの距離は、半導体層へのバックライト光の回り込みを遮光するために必要な数μmの距離よりも大きな距離をとっている。
【0009】
ゲート配線パターンとドレイン配線パターンによって形成される寄生容量は画素の設計において重要な要素であり、表示特性を向上させるにはできるだけ小さくすることが望ましい。上述した構成では、半導体層からゲート配線パターンエッジまでの距離を必要以上に大きく取っているため、寄生容量は大きな値となっている。
TFTは、一般に、半導体層としてアモルファスシリコン(a−Si)を有している(例えば、特許文献1参照)。
【0010】
【特許文献1】
特開8−55997号公報
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
TFTを備えた液晶表示装置の表示特性を向上させる場合、開口率を高めることが考えられる。そのためには、TFTの半導体層を形成する部分の周辺のパターンを小さくすることが考えられる。
【0012】
その場合、上述したように、必要以上に大きくとっている半導体層のエッジからゲート配線パターンのエッジまでの距離を低減させること、他の半導体層を半導体層と接続して、これら半導体層が形成される面積を低減させることが挙げられる。
【0013】
しかしながら、この場合、バックライト光が直接あるいは間接的にTFTの半導体層へ照射され、半導体層に電流キャリアが発生することになる。そのため、TFTの良好なオフ特性が得られず、表示性能の低下を招く。
【0014】
この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、薄膜トランジスタのオフ特性に優れ、表示性能の向上した液晶表示装置を提供することにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、この発明に係る液晶表示装置は、基板上に交差して配設された複数の信号配線および所定の幅を有した複数のゲート配線と、前記信号配線およびゲート配線の各交差部に設けられ、前記ゲート配線に重ねて形成された絶縁膜、前記ゲート配線に重なって前記絶縁膜上に配設された半導体層、前記絶縁膜および半導体層上に前記ゲート配線の一方の端縁を跨いで配設された第1配線、並びに前記第1配線に所定の隙間を置いて設けられ、前記ゲート配線の他方の端縁を跨いで配設された第2配線を有した薄膜トランジスタと、を備え、前記半導体層は、前記ゲート配線の一方の端縁を跨いで配設され、前記第1配線と絶縁膜との間に位置しているとともに、前記ゲート配線の延出方向において、前記第1配線以上の幅を有し、この第1配線の両側に延出した第1半導体層と、前記ゲート配線の他方の端縁を跨いで配設され、前記第2配線と絶縁膜との間に位置しているとともに、前記ゲート配線の延出方向において、前記第2配線以上の幅を有し、この第2配線の両側に延出した第2半導体層と、前記第1半導体層および第2半導体層の間で前記ゲート配線と重なった領域内に設けられ、チャネルを形成した第3半導体層と、を有し、前記第3半導体層は少なくとも前記第2半導体層と接続され、この第2半導体層は、前記ゲート配線の外側に位置しているとともに前記第2配線から外れた非重畳領域を有し、前記非重畳領域と前記第3半導体層とは前記第2配線で区切られていることを特徴としている。
【0016】
上記のように構成された液晶表示装置によれば、少なくとも第2半導体層および第3半導体層は一体に形成されているため、ゲート配線の幅を狭く形成でき、画素の開口率の向上を図ることができる。上記のように、ゲート配線を形成する場合であっても、従来半導体層の有する絶縁強化用の機能を無くさずにゲート配線と、第1配線および第2配線間の寄生容量を低く抑えることが可能であり、液晶表示装置の表示特性を向上させることができる。第2半導体層の非重畳領域に光が照射され、電流キャリアが発生する場合でも、この非重畳領域と第3半導体層は第2配線で区切られているため、電流キャリアは第3半導体層に流れ込むことはない。このため、薄膜トランジスタのオフ特性に与える影響を抑制することができる。上記のことから、薄膜トランジスタのオフ特性に優れ、表示性能の向上した液晶表示装置を提供できる。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながらこの発明の実施の形態に係る液晶表示装置について詳細に説明する。
図1に示すように、液晶表示装置は、アレイ基板1と、このアレイ基板に所定の隙間を保持して対向配置された対向基板2と、アレイ基板および対向基板の間に狭持された液晶層3と、を備えている。アレイ基板1および対向基板2は、これら両基板の周縁部に配置されたシール材4により互いに接合されている。アレイ基板1の外面側には、バックライト5が配置されている。このバックライト5は、アレイ基板1に対向配置された導光板6と、この導光板の一側縁に対向配置された光源7および反射板8とを有している。
【0018】
図2に示すように、アレイ基板はガラス基板を備え、このガラス基板上には、列方向に延びた複数の信号配線11と、行方向に延びた複数のゲート配線12とがマトリクス状に配設されている。信号配線11およびゲート配線12の各交差部にはスイッチング素子としてTFT13が設けられている。
【0019】
次にTFT13の一層詳しい構成を説明する。図2、図3、および図4に示すように、絶縁性を示す透明基板としてガラス基板20上には、所定の幅を有したゲート配線12が形成され、ゲート配線およびガラス基板上にはゲート絶縁膜23が成膜されている。ゲート絶縁膜23上には、ゲート配線12と重なった半導体層24が形成されている。
【0020】
ゲート絶縁膜23および半導体層24上には、第1配線として列方向に延びたドレイン配線26が配設されている。また、ゲート絶縁膜23および半導体層24上には、信号配線11の一部を延在し、列方向に延びた第2配線としてソース配線27が配設されている。これらドレイン配線26およびソース配線27は、所定の隙間を置いて設けられ、ゲート配線12の端縁21と、他の端縁22とをそれぞれ跨いで配設されている。本実施の形態において、ドレイン配線26およびソース配線27は、同一の導電材料により形成されている。
【0021】
半導体層24は、第1半導体層31、第2半導体層32、および第3半導体層33を有している。第1半導体層31は、ゲート配線12の端縁21を跨いで配設され、ドレイン配線26とゲート絶縁膜23との間に位置している。第1半導体層31は、一部はゲート配線に重なっているとともに、他の部はこの端縁からゲート配線の外側まで延出している。また、第1半導体層31は端縁21に沿って延び、所定の幅w1を有している。
【0022】
第2半導体層32は、ゲート配線12の他方の端縁22を跨いで配設され、ソース配線27と、ゲート絶縁膜23との間に位置している。第2半導体層32は、一部はゲート配線に重なっているとともに、他の部はこの端縁からゲート配線の外側まで延出している。また、第2半導体層32は端縁22に沿って延び、所定の幅w2を有している。
【0023】
第3半導体層33は、TFT13のチャネルとして機能し、第1、第2半導体層31、32間に位置し、ゲート配線12と重なった領域内に設けられている。これら第1半導体層31、第2半導体層32、および第3半導体層33は、同一の半導体層により一体に連続して形成されている。
【0024】
次に、ドレイン配線26およびソース配線27について説明する。ドレイン配線26およびソース配線27はチャネルを形成した第3半導体層33と、それぞれ対応する絶縁強化用の第1、第2半導体層31、32と、に接続されている。
【0025】
ゲート配線12と重なった領域内において、ドレイン配線26およびソース配線27は、半導体層24の周縁から外れて位置した非重畳領域r1、r2をそれぞれ有している。これら非重畳領域r1、r2は、半導体層24と重なって位置しておらず、この半導体層に直接接続されないように位置している。そして、非重畳領域r1、r2は、ドレイン配線26およびソース配線27が半導体層24と交差した個所に位置している。この実施の形態において、非重畳領域r1、r2は、半導体層24から外れて、この半導体層両側の2個所にそれぞれ設けられている。
【0026】
ゲート配線12の延出方向において、ドレイン配線26およびソース配線27は所定の幅w3、w4をそれぞれ有している。そして、ゲート配線12の延出方向において、第1半導体層31はドレイン配線26以上の幅を有し(w1≧w3)、このドレイン配線の両側に延出している。また、ゲート配線12の延出方向において、第2半導体層32はソース配線27以上の幅を有し(w2≧w4)、このソース配線の両側に延出している。
【0027】
ゲート配線12の外側において、第1半導体層31は、ドレイン配線26から外れて位置した非重畳領域r3を有している。ゲート配線12の外側において、第2半導体層32は、ソース配線27から外れて位置した非重畳領域r4を有している。この実施の形態において、非重畳領域r3は、ドレイン配線26両側の2個所に設けられ、非重畳領域r4は、ソース配線27両側の2個所に設けられている。
【0028】
なお、ドレイン配線26は、このドレイン配線およびソース配線27と重ならずに位置した第3半導体層33と、非重畳領域r3とを区切っている。ソース配線27は、このソース配線およびドレイン配線26と重ならずに位置した第3半導体層33と非重畳領域r4とを区切っている。
【0029】
2本の信号配線11および2本のゲート配線12で囲まれた領域内には、画素電極14が形成されている。ソース配線27および画素電極14は、コンタクト29により接続され、導通状態に維持されている。信号配線11とゲート配線12の間に位置し、信号配線がゲート配線を跨ぐ部分には、半導体層24と同一材料により他の半導体層25が設けられている。この他の半導体層25は、信号配線11およびゲート配線12間の絶縁強化のために用いられている。本実施の形態において、半導体層24および他の半導体層25はアモルファスシリコンで形成されている。
【0030】
このように構成された、第1の実施の形態に係る液晶表示装置によれば、半導体層24を構成する第1ないし第3半導体層31〜33は一体に連続して形成されている。このように、各半導体層間のスペースを開けずに形成することにより、半導体層24の幅は短縮される。そのため、必要以上にとっていた第1半導体層31のエッジからゲート配線12の端縁21までの距離、または第2半導体層32のエッジからゲート配線の他の端縁22までの距離を最適な距離まで短縮できる。また、第1ないし第3半導体層31〜33を一体に形成することにより、ゲート配線12の幅を狭くすることができる。そして、上記のように、省スペース化されたゲート配線12および半導体層24により、画素の開口率を向上させることができる。
【0031】
ゲート配線12の幅を狭く形成する場合であっても、従来半導体層の有する層間絶縁強化の機能を無くすことなく、ゲート配線を形成することができる。このため、ゲート配線12と、ドレイン配線26およびソース配線27間の寄生容量を低く抑えることが可能であり、液晶表示装置の表示特性を向上させることができる。
【0032】
ドレイン配線26およびソース配線27は、それぞれ非重畳領域r1、r2を有している。ゲート配線12から外れて位置した第1半導体層31および第2半導体層32にバックライト5の光が照射され、電流キャリアが発生する場合、非重畳領域r1、r2により、第3半導体層33への電流キャリアの流れ込みを抑制することができる。このため、ゲート配線12から外れて位置した第1半導体層31に発生する電流キャリアはドレイン配線26に流れ込み、ゲート配線12から外れて位置した第2半導体層32に発生する電流キャリアはソース配線27に流れ込む。これにより、TFT13のオフ特性に与える影響を抑制することができる。上記のことから、TFT13のオフ特性に優れ、表示性能の向上した液晶表示装置を得ることができる。
【0033】
次に、この発明の第2の実施の形態に係る液晶表示装置について説明する。 図5に示すように、アレイ基板はガラス基板を備え、このガラス基板上には、ゲート配線12と、ゲート絶縁膜と、第1半導体層31、第2半導体層32、および第3半導体層33を有した半導体層24とが形成されている。ゲート絶縁膜、第1半導体層31および第3半導体層33上には、ゲート配線12の一方の端縁21を跨いで第1配線としてドレイン配線26が配設されている。
【0034】
ゲート絶縁膜、第2半導体層32、および第3半導体層33上には、ゲート配線12の他方の端縁22を跨いで第2配線としてソース配線27が配設されている。ドレイン配線26は、第1半導体層31および第3半導体層33と接続され、ソース配線27は、第2半導体層32および第3半導体層と接続されている。
【0035】
第1半導体層31は、ゲート配線12の一方の端縁21を跨いで配設され、ドレイン配線26とゲート絶縁膜23との間に位置している。第1半導体層31は、一部はゲート配線12に重なっているとともに、他の部はこの端縁からゲート配線の外側まで延出している。第2半導体層32は、ゲート配線12の他方の端縁22を跨いで配設され、ソース配線27とゲート絶縁膜23との間に位置している。第2半導体層32は、一部はゲート配線12に重なっているとともに、他の部はこの端縁からゲート配線の外側まで延出している。第3半導体層33は、TFT13のチャネルとして機能し、第1、第2半導体層31、32間に位置し、ゲート配線12と重なった領域内に設けられている。
【0036】
第1ないし第3半導体層31〜33は、同一の半導体層により形成され、第2半導体層32および第3半導体層33は、一体に形成されている。第1半導体層31と第3半導体層33は所定の隙間を置いて配設されている。
【0037】
次いで、ドレイン配線26、およびソース配線27について説明する。ゲート配線12と重なった領域において、ドレイン配線26は、第1半導体層31および第3半導体層33の周縁から外れて位置した非重畳領域r1を有している。そして、非重畳領域r1は、ドレイン配線26が第1半導体層31、および第3半導体層33と交差した個所に位置している。上記のように、ドレイン配線26およびソース配線27はチャネルを形成した第3半導体層33と、それぞれ対応する絶縁強化用の第1、第2半導体層31、32と、に接続されている。
【0038】
ゲート配線12と重なった領域において、ソース配線27は、2又に分岐してU字形に形成され、第1分岐部27a、およびこの第1分岐部に所定の隙間を置いて配置された第2分岐部27bを有している。ここで、ドレイン配線26は、第1分岐部27aおよび第2分岐部27bの間に設けられている。第1分岐部27aおよび第2分岐部27bは、第3半導体層33の周縁から外れて位置した非重畳領域r2を有している。この非重畳領域r2は、ソース配線27が第3半導体層33と交差した個所に位置している。この実施の形態において、非重畳領域r2は、第1分岐部27aおよび第2分岐部27bが第3半導体層33と交差した2個所に位置している。
【0039】
ゲート配線12の延出方向において、第1半導体層31は、ドレイン配線26以上の幅を有し(w1≧w3)、このドレイン配線の両側に延出している。また、ゲート配線12の延出方向において、第2半導体層32は、ソース配線27以上の幅を有し(w2≧w4)、このソース配線の両側に延出している。第1半導体層31および第2半導体層32は、非重畳領域r3および非重畳領域r4をそれぞれ有している。この実施の形態において、非重畳領域r3は、ドレイン配線26両側の2個所に設けられ、非重畳領域r4は、ソース配線27両側の2個所に設けられている。なお、ソース配線27は、このソース配線と重ならずに位置した第3半導体層33と非重畳領域r4とを区切っている。
【0040】
このように構成された、第2の実施の形態に係る液晶表示装置によれば、第2半導体層32および第3半導体層33は一体に形成されるため、ゲート配線12および半導体層24を省スペース化することができ、画素の開口率の向上を図ることができる。第1半導体層31は、第3半導体層33に隙間を置いて配置され、従来の技術を踏襲しているが、第3半導体層がある一定のチャネル幅を超える場合、ゲート配線12およびドレイン配線26間の寄生容量の値を、上述した実施の形態のそれよりも低く抑えることができる。このため、液晶表示装置の表示特性を向上させることができる。上記のように構成された場合でも、ゲート配線12と、ドレイン配線26およびソース配線27間の寄生容量を低く抑えることが可能であり、液晶表示装置の表示特性を向上させることができる。
【0041】
ドレイン配線26およびソース配線27は、それぞれ非重畳領域r1、r2を有している。ゲート配線12から外れて位置した第2半導体層32にバックライト5の光が照射され、電流キャリアが発生する場合、非重畳領域r2により、第2半導体層32と一体に形成された第3半導体層33への電流キャリアの流れ込みを抑制することができる。このため、電流キャリアは、第3半導体層33に流れ込むことなくソース配線27に流れ込む。これにより、TFT13のオフ特性に与える影響を抑制することができる。上記のことから、TFT13のオフ特性に優れ、表示性能の向上した液晶表示装置を得ることができる。
【0042】
次に、この発明の第3および第4の実施の形態に係る液晶表示装置について説明する。
図6に示すように、ドレイン配線26およびソース配線27は、上述した非重畳領域を設けていない。ゲート配線12と重なった領域内において、ドレイン配線26およびソース配線27は半導体層24から外れて位置しておらず、第3半導体層33の両側の端縁に重なってそれぞれ設けられている。ゲート配線12の外側において、第1、第2半導体層31、32は、ドレイン配線26およびソース配線27から外れて位置した非重畳領域r3、r4を有している。そして、ドレイン配線26およびソース配線27は、これら配線と重ならずに位置した第3半導体層33の所定領域と、非重畳領域r3、r4とを区切っている。
【0043】
図7に示すように、ソース配線27は、非重畳領域を設けていない。ゲート配線12と重なった領域内において、ソース配線27は半導体層24から外れて位置しておらず、第3半導体層33の両側の端縁に重なって設けられている。ゲート配線12の外側において、第2半導体層32は、ソース配線27と重ならずに位置した非重畳領域r4を有している。そして、ソース配線27は、このソース配線と重ならずに位置した第3半導体層33の所定領域と、非重畳領域r4とを区切っている。
【0044】
このように構成された、第3および第4の実施の形態に係る液晶表示装置によれば、第3半導体層33と接続された第1半導体層31および第2半導体層32の非重畳領域r3、r4と、ドレイン配線26およびソース配線27と重ならずに位置した第3半導体層33の所定領域とは、ドレイン配線およびソース配線で区切られている。上記のように構成することにより、ドレイン配線26およびソース配線27が非重畳領域を設けていない場合であってもチャネルを形成した第3半導体層33への電流キャリアの流れ込みを抑制することができる。これにより、TFT13のオフ特性に与える影響を抑制することができ、表示性能の向上した液晶表示装置を得ることができる。
【0045】
第3および第4の実施の形態において、画素の開口率の向上を図ることができ、ゲート配線12と、ドレイン配線26およびソース配線27との間の寄生容量を低く抑えられることはいうまでもない。
第2ないし第4の実施の形態において、他の構成は上述した実施の形態と同一であり、同一の部分には同一の符号を付してその詳細な説明を省略した。なお、第1および第2の実施の形態において、ドレイン配線26およびソース配線27が非重畳領域r3および非重畳領域r4と、第3半導体層33とを区切った効果は、上述した第3および第4の実施の形態と同様である。
【0046】
その他、この発明は、上述した実施の形態に限定されることなく、この発明の範囲内で種々変形可能である。例えば、半導体層24と、ドレイン配線26およびソース配線27とは、それぞれ接続されているが、これらはn+a−Si膜を介して接続される。上述した説明ではn+a−Si膜の記載を省略したが、a−Siからなる半導体層で構成されたTFT13において、このn+a−Si膜は必須の層である。上述した実施の形態において、ドレイン配線26を第1配線、ソース配線27を第2配線としたが、第1配線および第2配線のいずれか一方がドレイン配線、他方がソース配線であればよい。
【0047】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、薄膜トランジスタのオフ特性に優れ、表示性能の向上した液晶表示装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態に係る液晶表示装置の断面図。
【図2】図1に示したアレイ基板の一部を拡大して示す平面図。
【図3】図2に示した薄膜トランジスタを拡大して示す平面図。
【図4】図3に示した薄膜トランジスタのA1−A2断面図。
【図5】本発明の第2の実施の形態に係る薄膜トランジスタの断面図。
【図6】本発明の第3の実施の形態に係る薄膜トランジスタの断面図。
【図7】本発明の第4の実施の形態に係る薄膜トランジスタの断面図。
【符号の説明】
1…アレイ基板,2…対向基板,3…液晶層,5…バックライト,11…信号配線,12…ゲート配線,13…薄膜トランジスタ,14…画素電極,20…基板,21、22…端縁,23…ゲート絶縁膜,24、25…半導体層,26…ドレイン配線,27…ソース配線,27a…第1分岐部,27b…第2分岐部,31…第1半導体層,32…第2半導体層,33…第3半導体層,w1〜w4…幅,r1〜r4…非重畳領域
Claims (6)
- 基板上に交差して配設された複数の信号配線および所定の幅を有した複数のゲート配線と、前記信号配線およびゲート配線の各交差部に設けられ、前記ゲート配線に重ねて形成された絶縁膜、前記ゲート配線に重なって前記絶縁膜上に配設された半導体層、前記絶縁膜および半導体層上に前記ゲート配線の一方の端縁を跨いで配設された第1配線、並びに前記第1配線に所定の隙間を置いて設けられ、前記ゲート配線の他方の端縁を跨いで配設された第2配線を有した薄膜トランジスタと、を備え、
前記半導体層は、前記ゲート配線の一方の端縁を跨いで配設され、前記第1配線と絶縁膜との間に位置しているとともに、前記ゲート配線の延出方向において、前記第1配線以上の幅を有し、この第1配線の両側に延出した第1半導体層と、前記ゲート配線の他方の端縁を跨いで配設され、前記第2配線と絶縁膜との間に位置しているとともに、前記ゲート配線の延出方向において、前記第2配線以上の幅を有し、この第2配線の両側に延出した第2半導体層と、前記第1半導体層および第2半導体層の間で前記ゲート配線と重なった領域内に設けられ、チャネルを形成した第3半導体層と、を有し、
前記第3半導体層は少なくとも前記第2半導体層と接続され、この第2半導体層は、前記ゲート配線の外側に位置しているとともに前記第2配線から外れた非重畳領域を有し、前記非重畳領域と前記第3半導体層とは前記第2配線で区切られていることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記第2半導体層の非重畳領域は、前記第2配線両側の2個所に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 基板上に交差して配設された複数の信号配線および所定の幅を有した複数のゲート配線と、前記信号配線およびゲート配線の各交差部に設けられ、前記ゲート配線に重ねて形成された絶縁膜、前記ゲート配線に重なって前記絶縁膜上に配設された半導体層、前記絶縁膜および半導体層上に前記ゲート配線の一方の端縁を跨いで配設された第1配線、並びに前記第1配線に所定の隙間を置いて設けられ、前記ゲート配線の他方の端縁を跨いで配設された第2配線を有した薄膜トランジスタと、を備え、
前記半導体層は、前記ゲート配線の一方の端縁を跨いで配設され、前記第1配線と絶縁膜との間に位置しているとともに、前記ゲート配線の延出方向において、前記第1配線以上の幅を有し、この第1配線の両側に延出した第1半導体層と、前記ゲート配線の他方の端縁を跨いで配設され、前記第2配線と絶縁膜との間に位置しているとともに、前記ゲート配線の延出方向において、前記第2配線以上の幅を有し、この第2配線の両側に延出した第2半導体層と、前記第1半導体層および第2半導体層の間で前記ゲート配線と重なった領域内に設けられ、チャネルを形成した第3半導体層と、を有し、前記第1半導体層、第2半導体層、および第3半導体層は一体に連続して形成され、
前記第1半導体層および第2半導体層は、前記ゲート配線の外側に位置しているとともに前記第1配線および第2配線から外れた非重畳領域をそれぞれ有し、前記第1半導体層の非重畳領域は前記第1配線両側の2個所に設けられ、前記第2半導体層の非重畳領域は前記第2配線両側の2個所に設けられ、
前記ゲート配線と重なった領域内において、前記第1配線および第2配線は、前記半導体層から外れて位置した他の非重畳領域をそれぞれ有していることを特徴とする液晶表示装置。 - 基板上に交差して配設された複数の信号配線および所定の幅を有した複数のゲート配線と、前記信号配線およびゲート配線の各交差部に設けられ、前記ゲート配線に重ねて形成された絶縁膜、前記ゲート配線に重なって前記絶縁膜上に配設された半導体層、前記絶縁膜および半導体層上に前記ゲート配線の一方の端縁を跨いで配設された第1配線、並びに前記第1配線に所定の隙間を置いて設けられ、前記ゲート配線の他方の端縁を跨いで配設された第2配線を有した薄膜トランジスタと、を備え、
前記半導体層は、前記ゲート配線の一方の端縁を跨いで配設され、前記第1配線と絶縁膜との間に位置しているとともに、前記ゲート配線の延出方向において、前記第1配線以上の幅を有し、この第1配線の両側に延出した第1半導体層と、前記ゲート配線の他方の端縁を跨いで配設され、前記第2配線と絶縁膜との間に位置しているとともに、前記ゲート配線の延出方向において、前記第2配線以上の幅を有し、この第2配線の両側に延出した第2半導体層と、前記第1半導体層および第2半導体層の間で前記ゲート配線と重なった領域内に設けられ、チャネルを形成した第3半導体層と、を有し、前記第2半導体層および第3半導体層は一体に形成され、
前記第2半導体層は、前記ゲート配線の外側に位置しているとともに前記第2配線から外れた非重畳領域を有し、前記非重畳領域は前記第2配線両側の2個所に設けられ、
前記ゲート配線と重なった領域内において、前記第2配線は、前記半導体層から外れて位置した他の非重畳領域を有していることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記第2配線は、前記ゲート配線と重なった領域内において2又に分岐され所定の隙間を置いて配置された第1分岐部および第2分岐部を有し、
前記第1配線は、前記第1分岐部および第2分岐部の間に設けられていることを特徴とする請求項1、2、および4のいずれか1項に記載の液晶表示装置。 - 前記他の非重畳領域は、前記半導体層から外れて2個所に設けられていることを特徴とする請求項3または4に記載の液晶表示装置。
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