KR930006482A - 액정표시장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 액정표시장치는 1쌍의 대향하는 절연기판과 그 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 절연기판중 하나에는 내부에 박막트랜지스터를 형성하기 위한 제1트랜치와 내부에 캐패시터소자를 형성하기 위한 제2트랜치가 형성된다. 박막트랜지스터는 제1트렌치의 내면에 따라 형성되는 반도체층과, 이 반도체층상에 형성되는 게이트 절연층과, 이 게이트절연층상에 형성되는 게이트전극으로 구성된다. 캐패시터소자는 제2트렌치의 내면에 따라 형성되는 제1전극과, 이 제1전극상에 형성되는 유전층과 이 유전층상에 형성되는 제2전극으로 구성된다. 이 제1전극은 반도체층과 일체로 형성되므로, 개구율이 증대된다. 제1트랜치는 테이피처리된 측면을 가지며, 따라서 반도체층의 균일한 이온주입이 확보된다. 기판이 절연기판 및 절연층의 적층구조는 갖는 경우에, 전체적으로 기판의 에칭속도가 향상될 수 있다.

Description

액정표시장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1바람직한 실시예에 따른 액정표시장치의 박막트랜지스터(TFT)와 캐패시터소자의 단면도,
제2도는 제1도에 도시된 액정표시장치의 패널부의 단면도,
제3도는 제1바람직한 실시예에 따른 트렌치형사의 일예를 나타낸 사시도.

Claims (23)

  1. 트랜치를 갖는 기판과, 상기 기판상에 매트릭스형태로 배열되고, 각각 화소전극과, 이 화소전극에 결합된 스위칭트랜지스터와, 상기 트렌채내에 형성되어 상기 화소전극과 결합되는 캐패시터소자로 구성된 복수의 표시소자로 구성되고, 상기 매패시너소자는 상기 스위칭트랜지스터의 반도체층과 일체로 형성되고, 상기 트렌치의 내면에 따라 형성되는 제1전극과, 상기 제1전극상에 형성되는 유전층과, 상기 유전층을 통해 상기 제1전극과 대향하는 제2전극으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유전층은 상기 스위칭트랜지스터의 게이트절연층과 동일한 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  3. 제2항에 있어서, 기 제2전극은 상기 스위칭트랜지스터의 게이트전극과 동일한 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 기판은 절연기판과 이 절연기판상에 형성되는 절연층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 트렌치는 데이퍼처리된 측별을 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 트렌치는 데이퍼처리된 측별을 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  7. 제1트렌치를 갖는 기판과, 매트릭스형태로 배열되고, 각각 화소전극과, 상기 제1트랜치내에 형성되어 이 화소전극과 결합되는 박막트랜지스터와, 상기 화소전극과 결합되는 캐패시터소자로 구성된 복수의 표시소자로 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1트랜치는 테이퍼처리된 측벽을 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 박막트랜지스터는 상기 제1 트렌치의 내면에 따라 형성되는 반도체층과, 이 반도체층상에 형성되는 게이트절연층과, 상기 제1트렌치를 메우도록 상기 게이트절연층상에 형성되는 게이트전극으로 구성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  10. 제7항에 있어서, 상기 제1트렌치는 0<tanθ≤a/2b의 관계(식중, a는 상기 제1트렌치의 폭, b는 상기 제1트렌치의 깊이, θ는 상기 제1트렌치의 데이퍼각)을 만족하는 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  11. 제7항에 있어서, 상기 기판은 제2트렌치를 가지고, 상기 캐패시터소자는 상기 제2트렌치에 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  12. 제9항에 있어서, 상기 기판은 상기 제1트렌치와 동시에 형성되는 제2트렌치를 갖고, 상기 캐패시터소자는 상기 제2트렌치에 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 캐패시터소자는 상기 제2트렌치의 내면에 따라 형성되는 제1전극과, 상기 게이트절연층과 동일한 재료로 형성되는 유전층과, 이 유전층을 통해 상기 제1전극과 대향하는 제2전극으로 구성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 제1전극은 상기 반도체층과 동일한 재료로 형성되고, 상기 제2전극은 상기 게이트전극과 동일한 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  15. 제7항에 있어서, 상기 기판은 절연기판과, 이 절연기판상에 형성되는 절연층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 제1 트렌치는 테이퍼처리된 측벽을 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기 기판은 제2 트렌치를 갖고, 상기 캐패시터소자는 상기 제2 트렌치에 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 캐패시터소자는 상기 제2 트렌치의 내면에 따라 형성되는 제1 전극과, 상기 박막트랜지스터의 게이트절연층과 동일한 재료로 형성되는 유전층과, 상기 유전층을 통해 상기 제1전극과 대향하는 제2 전극으로 구성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  19. 제11항에 있어서, 상기 제2 트렌치는 테이퍼처리된 측벽을 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  20. 제17항에 있어서, 상기 제2 트렌치는 테이퍼처리된 측벽을 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  21. 제9항에 있어서, 상기 반도체층은 도우프된 다결정실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  22. 제13항에 있어서, 상기 제1 전극은 도우프된 다결정실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  23. 제21항에 있어서, 상기 다결정실리콘은 Si+, B+, As+, P+의 군에서 선택되는 양이온으로 도우프되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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