KR970077745A - 염소가 함유된 비정질 실리콘/비정질 실리콘 다층을 활성층으로 이용한 박막 트랜지스터의 구조 및 제조 방법 - Google Patents

염소가 함유된 비정질 실리콘/비정질 실리콘 다층을 활성층으로 이용한 박막 트랜지스터의 구조 및 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970077745A
KR970077745A KR1019960018083A KR19960018083A KR970077745A KR 970077745 A KR970077745 A KR 970077745A KR 1019960018083 A KR1019960018083 A KR 1019960018083A KR 19960018083 A KR19960018083 A KR 19960018083A KR 970077745 A KR970077745 A KR 970077745A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
amorphous silicon
tft
active layer
thin film
film transistor
Prior art date
Application number
KR1019960018083A
Other languages
English (en)
Inventor
장진
이근수
최종현
Original Assignee
장진
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 장진 filed Critical 장진
Priority to KR1019960018083A priority Critical patent/KR970077745A/ko
Priority to US08/858,974 priority patent/US5970325A/en
Priority to JP9136768A priority patent/JPH1051009A/ja
Publication of KR970077745A publication Critical patent/KR970077745A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
    • H01L29/6675—Amorphous silicon or polysilicon transistors
    • H01L29/66765—Lateral single gate single channel transistors with inverted structure, i.e. the channel layer is formed after the gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02441—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/0245—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78651—Silicon transistors
    • H01L29/7866—Non-monocrystalline silicon transistors
    • H01L29/78663—Amorphous silicon transistors
    • H01L29/78669—Amorphous silicon transistors with inverted-type structure, e.g. with bottom gate

Abstract

TFT-LCD의 스위칭 소자로서 유용한 비정질 실리콘(amorphous silicon) TFT에 있어서, 활성층을 2층 이상의 다층으로 형성하여 소자의 특성을 향상시킨 비정질 실리콘 TFT 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 Cl이 포함된 수소화된 비정질 실리콘과 수소화된 비정질 실리콘을 다층의 활성층으로 이용한 TFT를 제작하여 광 조사시의 오프 전류를 기존 TFT의 약 1/100 정도로 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 백 라이트 조명시의 누설전류를 대폭감소시킬 수 있으며, 또한 질화막과 비정질 실리콘의 활성층을 같은 온도에서 제작함으로써 생산 효율을 증가시킬 수 있다. 그리고 전계효과 이동도와 문턱전압을 향상시킬 수 있다. 따라서, 다층의 구조의 비정질 실리콘 활성층을 이용한 TFT가 고품위 TFT-LCD의 생산에 유용하게 적용될 수 있다.

Description

염소가 함유된 비정질 실리콘/비정질 실리콘 다층을 활성층으로 이용한 박막 트랜지스터의 구조 및 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 실시예에 따라 다층으로 제작된 역 스테거드형 a-Si 박막 트랜지스터의 단면도이다.

Claims (10)

  1. 절연기판 : 상기 절연기판 상에 형성된 게이트 전극 : 상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연층 : 상기 게이트 절연층 상에 형성된 수소화된 비정질 실리콘을 Cl이 포함된 층(a-Si : H( : Cl))과 포함시키지 않은 층 (a-Si : H)으로 이루어진 2층 이상의 다층구조로 제작한 활성층 : 상기 게이트 전극의 양측면과 일부 오버랩 되어 상기 활성층 상에 형성된 소오스/드레인 전극 : 및 상기 활성층을 구비함을 특징으로 하는 비정질 실리콘 박막 트랜지스터.
  2. 박막 트랜지스터액정표시장치(TFT-LCD)에 사용되는 비정질 실리콘 박막 트랜지스터(a-Si TFT)에 있어서, 상기 비정질 실리콘 TFT의 채널이 되는 비정질 실리콘 활성층을 염소 농도를 변하시켜 2층 이상의 다층구조로 구성된 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 박막 트랜지스터.
  3. 박막 트랜지스터 액정표시장치(TFT-LCD)에 사용되는 비정질 트랜지스터(a-Si-TFT)에 있어서, 상기 비정질 실리콘 TFT의 채널이 되는 활성층을 Cl이 포함된 혼합가스를 사용하여 플라즈마 화학기상증착법(PECVD)으로 Cl이 포함된 수소화된 비정질 실리콘과 Cl이 포함 안된 비정질 실리콘을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법.
  4. 박막 트랜지스터 액정표시장치(TFT-LCD)에 사용되는 비정질 트랜지스터(a-Si TFT)에 있어서, 상기 비정질 실리콘 TFT의 채널이 되는 활성층을 Cl이 포함된 혼합가스를 사용하여 플라즈마 화학기상증착법(PECVD)으로 Cl이 포함된 수소화된 비정질 실리콘층과 Cl의 함유량이 다른 a-Si : H( Cl)층을 적층으로 2층 이상을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 Cl이 포함된 혼합가스로 SiH2CI2/SiH4를 사용하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 Cl이 포함된 혼합가스로 SiHCl3/SiH4를 사용하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법.
  7. 제4항에 있어서, 상기 Cl이 포함된 혼합가스로 SiCl4/SiH4를 사용하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법.
  8. 제4항에 있어서, 질화막과 비정질 실리콘을 같은온도에서 제작하는 방법.
  9. 비정질 실리콘/염소가 포함된 비정질 실리콘의 다층 구조를 갖는 전자소자의 구조 및 제조 방법.
  10. 9항에 있어서, 염소의 농도를 변화시켜 제작한 전자소자의 구조 및 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019960018083A 1996-05-28 1996-05-28 염소가 함유된 비정질 실리콘/비정질 실리콘 다층을 활성층으로 이용한 박막 트랜지스터의 구조 및 제조 방법 KR970077745A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960018083A KR970077745A (ko) 1996-05-28 1996-05-28 염소가 함유된 비정질 실리콘/비정질 실리콘 다층을 활성층으로 이용한 박막 트랜지스터의 구조 및 제조 방법
US08/858,974 US5970325A (en) 1996-05-28 1997-05-20 Thin-film switching device having chlorine-containing active region and methods of fabrication therefor
JP9136768A JPH1051009A (ja) 1996-05-28 1997-05-27 多層活性膜を含む薄膜スイッチング素子及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960018083A KR970077745A (ko) 1996-05-28 1996-05-28 염소가 함유된 비정질 실리콘/비정질 실리콘 다층을 활성층으로 이용한 박막 트랜지스터의 구조 및 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR970077745A true KR970077745A (ko) 1997-12-12

Family

ID=19459858

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960018083A KR970077745A (ko) 1996-05-28 1996-05-28 염소가 함유된 비정질 실리콘/비정질 실리콘 다층을 활성층으로 이용한 박막 트랜지스터의 구조 및 제조 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5970325A (ko)
JP (1) JPH1051009A (ko)
KR (1) KR970077745A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100731430B1 (ko) * 2005-10-20 2007-06-21 삼성에스디아이 주식회사 이중 활성층을 갖는 박막트랜지스터 및 그 제조방법과,상기 박막트랜지스터를 사용한 평판표시장치,유기전계발광표시장치 및 액정표시장치

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101576813B1 (ko) * 2007-08-17 2015-12-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
JP2009105390A (ja) * 2007-10-05 2009-05-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US9391099B2 (en) * 2008-02-15 2016-07-12 Lg Display Co., Ltd. Array substrate and liquid crystal display module including TFT having improved mobility and method of fabricating the same
KR101836067B1 (ko) * 2009-12-21 2018-03-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박막 트랜지스터와 그 제작 방법
KR101588355B1 (ko) 2009-12-23 2016-02-15 삼성디스플레이 주식회사 터치스크린 기판, 이의 제조 방법 및 표시 패널
KR20130021607A (ko) * 2011-08-23 2013-03-06 삼성디스플레이 주식회사 저저항 배선, 박막 트랜지스터, 및 박막 트랜지스터 표시판과 이들을 제조하는 방법
KR101976212B1 (ko) * 2011-10-24 2019-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4196438A (en) * 1976-09-29 1980-04-01 Rca Corporation Article and device having an amorphous silicon containing a halogen and method of fabrication
JPH0740101B2 (ja) * 1985-04-23 1995-05-01 旭硝子株式会社 薄膜トランジスタ
US4994866A (en) * 1988-01-07 1991-02-19 Fujitsu Limited Complementary semiconductor device
US5655691A (en) * 1992-02-24 1997-08-12 Homax Products, Inc. Spray texturing device
JP3073327B2 (ja) * 1992-06-30 2000-08-07 キヤノン株式会社 堆積膜形成方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100731430B1 (ko) * 2005-10-20 2007-06-21 삼성에스디아이 주식회사 이중 활성층을 갖는 박막트랜지스터 및 그 제조방법과,상기 박막트랜지스터를 사용한 평판표시장치,유기전계발광표시장치 및 액정표시장치

Also Published As

Publication number Publication date
JPH1051009A (ja) 1998-02-20
US5970325A (en) 1999-10-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100257158B1 (ko) 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법
KR930020197A (ko) 전자 장치 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 전자장치
KR930017218A (ko) 박막전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법
KR900005613A (ko) 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 전기 광학 표시 장치
KR970077745A (ko) 염소가 함유된 비정질 실리콘/비정질 실리콘 다층을 활성층으로 이용한 박막 트랜지스터의 구조 및 제조 방법
US5923050A (en) Amorphous silicon TFT
JPS61244068A (ja) 薄膜トランジスタ
KR950004600A (ko) 다결정 실리콘 박막 트랜지스터
JPS644070A (en) Thin film transistor and manufacture thereof
KR960019779A (ko) 액정표시장치용 박막트랜지스터 및 그 제조방법
KR970010689B1 (ko) 액정표시소자용 박막트랜지스터
KR20010003759A (ko) 박막 트랜지스터의 제조방법
KR970008653A (ko) 염소가 포함된 미세결정질 실리콘을 이용한 자기정렬 구조의 비정질 실리콘 박막트랜지스터 및 그 제조방법
KR100790934B1 (ko) 박막트랜지스터 및 그 제조방법
KR960019796A (ko) 액정표시장치용 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
KR0133864B1 (ko) 액티브 매트릭스 패널용 박막트랜지터
KR950006517A (ko) 회로내장 티에프티-엘씨디(tft-lcd) 제조방법
JPS60224278A (ja) Ｎ型トランジスタ
KR950009976A (ko) 폴리실리콘 박막트랜지스터 제조방법
KR100878272B1 (ko) 다결정 규소 박막 트랜지스터의 제조 방법
KR950033613A (ko) 티에프티-엘씨디(tft-lcd) 및 그 제조방법
KR960032763A (ko) C1이 함유된 비정질 실리콘을 이용한 박막트랜지스터 및 그 제조방법
KR950007148A (ko) 다결정 실리콘 박막트랜지스터
KR960043292A (ko) 액정표시소자용 박막트랜지스터 패널 제조방법
KR950028164A (ko) 상압 화학 기상 증착에 의한 수소화된 비정질 규소와 그 제조방법 및 그를 이용한 액정표시장치의 박막트랜지스터

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid