KR900005613A - 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 전기 광학 표시 장치 - Google Patents

박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 전기 광학 표시 장치

Info

Publication number
KR900005613A
KR900005613A KR1019890013873A KR890013873A KR900005613A KR 900005613 A KR900005613 A KR 900005613A KR 1019890013873 A KR1019890013873 A KR 1019890013873A KR 890013873 A KR890013873 A KR 890013873A KR 900005613 A KR900005613 A KR 900005613A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor layer
layer
thin film
film transistor
intrinsic
Prior art date
Application number
KR1019890013873A
Other languages
English (en)
Inventor
할로우 니콜라스 케이쓰
Original Assignee
에프.제이.스미트
엔.브이.필립스 글로아이람펜파브리켄
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에프.제이.스미트, 엔.브이.필립스 글로아이람펜파브리켄 filed Critical 에프.제이.스미트
Publication of KR900005613A publication Critical patent/KR900005613A/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70Bipolar devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66742Thin film unipolar transistors
    • H01L29/6675Amorphous silicon or polysilicon transistors
    • H01L29/66765Lateral single gate single channel transistors with inverted structure, i.e. the channel layer is formed after the gate
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772Field effect transistors
    • H01L29/78Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78651Silicon transistors
    • H01L29/7866Non-monocrystalline silicon transistors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772Field effect transistors
    • H01L29/78Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78651Silicon transistors
    • H01L29/7866Non-monocrystalline silicon transistors
    • H01L29/78663Amorphous silicon transistors
    • H01L29/78669Amorphous silicon transistors with inverted-type structure, e.g. with bottom gate
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2202/00Materials and properties
    • G02F2202/10Materials and properties semiconductor
    • G02F2202/103Materials and properties semiconductor a-Si
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2202/00Materials and properties
    • G02F2202/10Materials and properties semiconductor
    • G02F2202/104Materials and properties semiconductor poly-Si
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00Metal treatment
    • Y10S148/018Compensation doping
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00Metal treatment
    • Y10S148/105Masks, metal
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/914Doping
    • Y10S438/919Compensation doping

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 전기 광학 표시 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a 및 1b도는 TFT의 제1실시예에 따른 제조상의 상이한 스테이지를 단위 표시없이 도시한 단면도.
제3도는 공지된 TFT와 비교하여 본 발명에 따라 제조된 TFT에 대한 조명하에서의 게이트 전압과 누수 및“온” 전류사이의 관계를 도식적으로 도시한 도면.
제4도는 본 발명에 따른 액티브 매트릭스가 어드레스된 액정 표시 장치의 대표적인 표시 소자와 관련 TFT 및 어드레스 도선을 도시한 평면도.

Claims (17)

  1. 게이트 절연층과, 채널이 제공되는 진성 반도체층과, 소스 및 드레인 접촉부 영역이 형성되는 도프된 반도체층과, 표면 안정층을 겹쳐진 관계로 구비하는 다층 구조를 게이트 전극을 수반하는 기판상에 형성시키는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터(TFT) 제조 방법에 있어서, 도프된 반도체층이 진성 반도체층의 채널 영역위에 펼쳐진 층으로서 다층 구조에 제공되며, 상기 영역위에 놓인 도프된 반도체층의 일부분은 추후에 고저항성 부분으로 전환되어 상기 층의 영역을 형성하는 소스 및 드레인 접촉부를 분리시키는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 진성 및 도프된 반도체층으로 사용되는 반도체 재질은 비결정질 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 진성 및 도프된 반도체층으로 사용되는 반도체 재질은 폴리 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법.
  4. 선행항중 어느 한 항에 있어서, 상기 도프된 반도체층의 영역은 보상 도핑 주입에 의해 고저항성 영역으로 전환되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서, 윈도우가 표면 안정층에 형성되어서, 접촉부 재질이 소스 및 드레인 접촉부를 형성하도록 용착되는 도프된 반도체층의 아래에 놓인 영역을 노출시키는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서, 보상 도핑 주입은 소스 및 드레인 접촉부를 용착한 다음 상기 접촉부를 마스크로 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법.
  7. 선행항중 어느 한 항에 있어서, 진성 반도체층과 도프된 반도체층은 분리된 층으로서 순차적으로 용착되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법.
  8. 제1항 내지 6항중 어느 한 항에 있어서, 도프된 반도체층은 진성 반도체층의 한 두께를 도핑하여 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법.
  9. 기판상의 게이트 전극과 절연되어 그위에 펼쳐지며 채널 영역을 제공하는 진성 반도체층과, 진성 반도체층 위에 놓이며 채널 영역의 각 단부에 인접한 분산 소스 및 드레인 접촉부 영역을 한정하는 도프된 반도체 재질을 구비하는 박막 트랜지스터에 있어서, 소스 및 드레인 접촉부 영역을 제공하는 반도체 재질은 채널 영역위에 층으로서 펼쳐지며 그 일부분은 상기 층에서 접촉부 영역사이의 전도를 금지시키도록 저항성으로 되어 도프된 접촉부 영역을 분리시키도록 구성된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
  10. 제9항에 있어서, 표면 안정층이 윈도우가 제공된 반도체 재질층위에 펼쳐지고 윈도우를 통하여 소스 및 드레인 접촉부가 도프된 소스 및 드레인 접촉부 영역으로 뻗쳐지도록 구성된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
  11. 제9항 또는 10항에 있어서, 진성 반도체층과 반도체 재질층으로 이루어진 반도체는 비결정질 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
  12. 제9항 또는 10항에 있어서, 진성 반도체층과 반도체 재질층으로 이루어진 반도체는 폴리 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
  13. 스위칭 소자를 거쳐서 각각 제어되는 표시 소자의 어레이를 구비하는 전기 광학 표시 장치에 있어서, 스위칭 소자는 청구범위 제9항 내지 12항중 어느 한 항에 따른 박막 트랜지스터 또는 제1항 내지 8항중 어느 한 항에 따라 제조된 박막 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 표시 장치.
  14. 제13항에 있어서, 표시 소자는 액정 표시 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 표시 장치.
  15. 첨부 도면을 참고로 하여 설명되고 도시된 바와같은 박막 트랜지스터 제조 방법.
  16. 첨부 도면을 참고로 하여 설명되고 도시된 바와같은 박막 트랜지스터.
  17. 첨부 도면을 참고로 하여 설명되고 도시된 바와같은 전기 광학 표시 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890013873A 1988-09-30 1989-09-27 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 전기 광학 표시 장치 KR900005613A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB8822960A GB2223353A (en) 1988-09-30 1988-09-30 Thin-film transistor
GB8822960.4 1988-09-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR900005613A true KR900005613A (ko) 1990-04-14

Family

ID=10644511

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019890013873A KR900005613A (ko) 1988-09-30 1989-09-27 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 전기 광학 표시 장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5047360A (ko)
EP (1) EP0361609B1 (ko)
JP (1) JPH0744278B2 (ko)
KR (1) KR900005613A (ko)
DE (1) DE68912482T2 (ko)
GB (1) GB2223353A (ko)

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5629218A (en) * 1989-12-19 1997-05-13 Texas Instruments Incorporated Method for forming a field-effect transistor including a mask body and source/drain contacts
US5198379A (en) * 1990-04-27 1993-03-30 Sharp Kabushiki Kaisha Method of making a MOS thin film transistor with self-aligned asymmetrical structure
JPH04133313A (ja) * 1990-09-25 1992-05-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体作製方法
TW237562B (ko) 1990-11-09 1995-01-01 Semiconductor Energy Res Co Ltd
US5166084A (en) * 1991-09-03 1992-11-24 Motorola, Inc. Process for fabricating a silicon on insulator field effect transistor
US5334859A (en) * 1991-09-05 1994-08-02 Casio Computer Co., Ltd. Thin-film transistor having source and drain electrodes insulated by an anodically oxidized film
DE69215608T2 (de) * 1991-09-05 1997-03-27 Casio Computer Co Ltd Dünnschichttransistor und dessen Herstellungsmethode
US6979840B1 (en) * 1991-09-25 2005-12-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistors having anodized metal film between the gate wiring and drain wiring
EP0544069B1 (en) * 1991-11-26 1997-11-12 Casio Computer Company Limited Thin-film transistor panel and method of manufacturing the same
US5559344A (en) * 1992-01-31 1996-09-24 Hitachi, Ltd. Thin-film semiconductor element, thin-film semiconductor device and methods of fabricating the same
EP0566838A3 (en) * 1992-02-21 1996-07-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacturing method of thin film transistor
US5248626A (en) * 1992-08-28 1993-09-28 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method for fabricating self-aligned gate diffused junction field effect transistor
US5281546A (en) * 1992-09-02 1994-01-25 General Electric Company Method of fabricating a thin film transistor using hydrogen plasma treatment of the intrinsic silicon/doped layer interface
KR950005484B1 (ko) * 1992-09-29 1995-05-24 현대전자산업주식회사 플라즈마 산화 처리를 이용한 폴리실리콘 박막트랜지스터 제조방법
US5858821A (en) * 1993-05-12 1999-01-12 Micron Technology, Inc. Method of making thin film transistors
DE4435461C2 (de) * 1993-10-06 2001-09-20 Micron Technology Inc N D Ges Dünnfilmtransistor und dessen Herstellverfahren
KR950012702A (ko) * 1993-10-21 1995-05-16 이헌조 박막트랜지스터 제조방법
JP3897826B2 (ja) * 1994-08-19 2007-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス型の表示装置
US5550066A (en) * 1994-12-14 1996-08-27 Eastman Kodak Company Method of fabricating a TFT-EL pixel
US5627103A (en) * 1995-03-02 1997-05-06 Sony Corporation Method of thin film transistor formation with split polysilicon deposition
KR100362191B1 (ko) * 1995-12-07 2003-03-06 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의박막트랜지스터및그제조방법
JP3082679B2 (ja) 1996-08-29 2000-08-28 日本電気株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US6043507A (en) * 1997-09-24 2000-03-28 Micron Technology, Inc. Thin film transistors and methods of making
GB9812739D0 (en) * 1998-06-12 1998-08-12 Koninkl Philips Electronics Nv Active matrix electroluminescent display devices
US6656779B1 (en) * 1998-10-06 2003-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor apparatus having semiconductor circuits made of semiconductor devices, and method of manufacture thereof
JP4638115B2 (ja) 2002-07-05 2011-02-23 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ装置の製造方法
US6995053B2 (en) * 2004-04-23 2006-02-07 Sharp Laboratories Of America, Inc. Vertical thin film transistor
TW595028B (en) * 2003-08-20 2004-06-21 Au Optronics Corp Display unit of the active matrix organic light emitting diode
KR100977223B1 (ko) * 2003-09-25 2010-08-23 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치의 제조방법
SG115733A1 (en) * 2004-03-12 2005-10-28 Semiconductor Energy Lab Thin film transistor, semiconductor device, and method for manufacturing the same
KR101251998B1 (ko) * 2006-02-20 2013-04-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP5099121B2 (ja) * 2007-02-19 2012-12-12 富士通株式会社 Memsデバイスおよび光スイッチ
KR100759086B1 (ko) * 2007-02-23 2007-09-19 실리콘 디스플레이 (주) 국부 산화를 이용한 박막 트랜지스터 제조 방법 및 투명박막 트랜지스터
CN103824779A (zh) * 2014-02-18 2014-05-28 北京京东方显示技术有限公司 一种薄膜晶体管及其制作方法、tft阵列基板、显示装置
WO2021189445A1 (zh) * 2020-03-27 2021-09-30 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4276095A (en) * 1977-08-31 1981-06-30 International Business Machines Corporation Method of making a MOSFET device with reduced sensitivity of threshold voltage to source to substrate voltage variations
US4459739A (en) * 1981-05-26 1984-07-17 Northern Telecom Limited Thin film transistors
DE3279239D1 (en) * 1981-07-27 1988-12-29 Toshiba Kk Thin-film transistor and method of manufacture therefor
JPS5833872A (ja) * 1981-08-24 1983-02-28 Toshiba Corp 薄膜電界効果トランジスタの製造方法
GB8406330D0 (en) * 1984-03-10 1984-04-11 Lucas Ind Plc Amorphous silicon field effect transistors
JPH0682839B2 (ja) * 1984-08-21 1994-10-19 セイコー電子工業株式会社 表示用パネルの製造方法
JPS61164267A (ja) * 1985-01-17 1986-07-24 Nec Corp 薄膜トランジスタの製造方法
DE3680806D1 (de) * 1985-03-29 1991-09-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd Duennschicht-transistorenanordnung und methode zu deren herstellung.
US4882295A (en) * 1985-07-26 1989-11-21 Energy Conversion Devices, Inc. Method of making a double injection field effect transistor
FR2593631B1 (fr) * 1986-01-27 1989-02-17 Maurice Francois Ecran d'affichage a matrice active a resistance de grille et procedes de fabrication de cet ecran
US4704783A (en) * 1986-05-05 1987-11-10 General Electric Company Method for passivating the back channel of amorphous silicon field effect transistors
JPH0712709B2 (ja) * 1986-12-26 1995-02-15 株式会社東芝 画像形成装置
JPH01302769A (ja) * 1988-05-30 1989-12-06 Seikosha Co Ltd 逆スタガー型シリコン薄膜トランジスタの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
GB2223353A (en) 1990-04-04
EP0361609A3 (en) 1990-05-23
JPH0744278B2 (ja) 1995-05-15
DE68912482D1 (de) 1994-03-03
EP0361609B1 (en) 1994-01-19
EP0361609A2 (en) 1990-04-04
US5047360A (en) 1991-09-10
DE68912482T2 (de) 1994-07-28
JPH02168630A (ja) 1990-06-28
GB8822960D0 (en) 1988-11-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR900005613A (ko) 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 전기 광학 표시 장치
US6316790B1 (en) Active matrix assembly with light blocking layer over channel region
US6037608A (en) Liquid crystal display device with crossover insulation
KR950002075A (ko) 반도체 장치 및 그 제조방법
KR970030914A (ko) 반도체 장치
KR970062778A (ko) 전기 광학 장치 및 그 제조 방법
KR920010957A (ko) 박막 반도체 장치
JPH0990405A (ja) 薄膜トランジスタ
KR970022459A (ko) 액정표시장치
KR930018301A (ko) 액티브매트릭스 액정표시장치
KR890015441A (ko) 박막반도체 장치 및 그 제조방법
KR960029836A (ko) 액티브 매트릭스 기판 및 그 기판에 사용되는 스위칭 소자
KR970016712A (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR970059803A (ko) 액정표시장치용 박막트랜지스터 및 액정표시장치
US4885616A (en) Thin film display device with thin amorphous channel
KR970048830A (ko) 박막트랜지스터 액정표시소자 및 그의 제조방법
KR940001457A (ko) 박막트랜지스터 및 능동 매트릭스 액정표시장치
JPH1048610A (ja) 液晶表示素子
JPH1126768A (ja) 液晶表示装置用薄膜トランジスタ
KR980006437A (ko) 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
KR970076021A (ko) 박막 트랜지스터 소자 어레이
KR970022464A (ko) Cmos박막반도체장치 및 그 제조방법
KR930001502A (ko) 박막 트랜지스터와 이것을 제조하기위한 방법
KR960030429A (ko) 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자 및 그 제조방법
KR100552286B1 (ko) 박막 트랜지스터 액정 표시 장치 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
NORF Unpaid initial registration fee