KR960029836A - 액티브 매트릭스 기판 및 그 기판에 사용되는 스위칭 소자 - Google Patents

액티브 매트릭스 기판 및 그 기판에 사용되는 스위칭 소자 Download PDF

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Abstract

액티브 매트릭스 기판은 절연성 기판, 상기 절연성 기판상에 매트릭스상으로 배치된 다수의 화소전극들, 상기 화소전극들 각각에 대해 제공된 스위칭 소자, 상기 스위칭 소자의 전기적 도통상태 및 비도통 상태를 제어하기 위한 신호를 스위칭 소자들에 공급하는 게이트 신호선, 및 대응하는 스위칭 소자들을 통해 화소전극들에 데이타 신호를 공급하는 소스 신호선을 포함한다. 박막 트랜즈스터(TFT)로 된 각 스위칭 소자는 게이트 전극, 상기 게이트 전극을 피복하도록 절연기판상에 형성된 절연층, 게이트 전극과 대향하는 상기 절연층상에 형성된 반도체층, 상기 반도체층의 일단에 형성되어 소스 신호선과 중첩되는 소스전극, 및 상기 반도체층의 타단에 형성되어 게이트 신호선과 중첩되는 드레인 전극을 포함한다. 소스 및 드레인 전극들이 상부 비정질 실리콘층과 하부 미결정 실리콘층의 2층 구조를 갖는다. 소스 신호선들은 상부 도전층과 하부 보호층의 2층 구조를 가진다.

Description

액티브 매트릭스 기판 및 그 기판에 사용되는 스위칭 소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 일 실시예에 따른 액티브 매트릭스 기판의 TFT 부분의 단면도, 제5A도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액티브 매트릭스 기판의 게이트 신호선과 소스 신호선의 교차부의 평면도, 제5B도는 제5A도의 5b－5b선을 따라 취해진 단면도, 제5C도는 5A도의 5c－5c선을 따라 취해진 단면도.

Claims (20)

  1. 절연성 기판; 상기 절연성 기판상에 매트릭스상으로 배치된 다수의 화소전극들; 상기 화소전극들 각각에 대해 제공된 스위칭 소자; 상기 스위칭 소자의 전기적 도통상태 및 비도통 상태를 제어하기 위한 신호를 스위칭 소자들에 공급하는 게이트 신호선; 및 대응하는 스위칭 소자들을 통해 화소전극들에 데이타 신호를 공급하는 소스 신호선을 포함하는 액티브 매트릭스 기판으로서 : 박막 트랜지스터(TFT)로 된 상기 각 스위칭 소자는: 상기 절연성 기판상에 형성된 게이트 전극: 상기 게이트 전극을 피복하도록 절연성 기판상에 형성된 절연층: 상기 게이트 전극들 중 하나에 대향하는 부분의 상기 절연층상에 형성되어 채널영역을 포함하는 반도체층: 상기 반도체층의 일단에 형성되어 상기 소스 신호선들 중의 하나와 중첩되는 소스전극; 및 상기 반도체층의 타단에 형성되어 상기 화소전극들 중의 하나와 중첩되는 드레인 전극을 포함하며, 상기 소스 및 드레인 전극들이 상부 비정질 반도체층과 하부 미결절 반도체층의 2층 구조를 가지는, 액티브 매트릭스 기판.
  2. 제1항에 있어서, 상기 소스 및 드레인 적극들이 n형 실리콘으로 형성되며 상부 비정질 n형 실리콘층과 하부 미결정 n형 실리콘층의 2층 구조를 갖는, 액티브 매트릭스 기판.
  3. 제1항에 있어서, 상기 TFT가 채널 에치형인, 액티브 매트릭스 기판.
  4. 제1항에 있어서, 상기 TFT가 상기 채널영역을 보호하도록 반도체층의 채널영역상에 형성된 제2절연층을 더 포함하는 역 스태거형인, 액티브 매트릭스 기판.
  5. 제1항에 있어서, 상기 소스 신호선들이 각각 상부 도전층 및 절연체로 형성된 하부 보호층의 2층 구조를 갖는, 액티브 매트릭스 기판.
  6. 제4항에 있어서, 상기 소스 신호선들이 각각 상부 도전층 및 상기 제2절연층과 동일한 절연층으로 패터닝된 하부 보호층의 2층 구조를 갖는, 액티브 매트릭스 기판.
  7. 제1항에 있어서, 상기 소스 신호선들이 각각 상부 도전층과 반도체로 형성된 하부 보호층의 2층 구조를 갖는, 액티브 매트릭스 기판.
  8. 제7항에 있어서, 상기 하부 보호층이 상기 게이트 전극상의 절연층상에 형성된 반도체층과 동일한 층으로 패터닝되는, 액티브 매트릭스 기판.
  9. 제7항에 있어서, 상기 하부 보호층이 비정질 반도체층인, 액티브 매트릭스 기판.
  10. 제7항에 있어서, 상기 하부 보호층이 상부 미결정 반도체층과 하부 비정질 반도체층의 2층 구조를 갖는, 액티브 매트릭스 기판.
  11. 제7항에 있어서, 상기 하부 보호층이 상부 비정질 반도체층, 중간 미결정 반도체층, 및 하부 비정질 반도체층의 3층 구조를 갖는, 액티브 매트릭스 기판.
  12. 제10항에 있어서, 상기 하부 보호층의 하부 비정질 반도체층이 상기 게이트 전극의 절연층상에 형성된 반도체층과 동일한 반도체층으로 패터닝되며, 상기 하부 보호층의 상부 미결정 반도체층이 상기 소스 및 드레인 전극의 하부 미결정층과 동일한 미결정 반도체층으로 패터닝되는, 액티브 매트릭스 기판.
  13. 제11항에 있어서, 상기 하부 보호층의 하부 비정질 반도체층이 상기 게이트 전극상의 절연층상에 형성된 반도체층과 동일한 반도체층으로 패터닝되며, 상기 하부 보호층의 중간의 미결정 반도체층이 상기 소스 및 드레인 전극의 하부 미결정층과 동일한 미결정 반도체층으로 패터닝되며, 상기 하부 보호층의 상부 비정질 반도체층이 상기 소스 및 드레인 전극의 상부 비정질 반도체층과 동일한 비정질 반도체증으로 패터닝되는, 액티브 매트릭스 기판.
  14. 제1항에 있어서, 상기 소스 신호선과 화소전극이 동일한 도전박막으로 패터닝되는, 액티브 매트릭스 기판.
  15. 제1항에 있어서, 상기 소스 신호선들이 각각 상부 도전층 및 상기 소스 신호선과 게이트 신호선의 교차부에 제공된 하부 보호층을 갖는, 액티브 매트릭스 기판.
  16. 제15항에 있어서, 상기 하부 보호층이 비정질 반도체로 형성되는, 액티브 매트릭스 기판.
  17. 제15항에 있어서, 상기 하부 보호층이 상부 미결정 반도체층과 하부 비정질 반도체층의 2층 구조를 갖는, 액티브 매트릭스 기판.
  18. 제15항에 있어서, 상기 하부 보호층이 상부 비정질 반도체층, 중간 미결정 반도체층, 및 하부 비정질 반도체층의 3층 구조를 갖는, 액티브 매트릭스 기판.
  19. 절연성 기판상에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극상에 형성된 절연층; 상기 절연층상에 형성되어 채널영역을 포함하는 반도체층; 상기 반도체층의 일단에 형성되어 제1도전층과 중첩되는 소스 전극; 및 상기 반도체층의 타단에 형성되어 제2도전층과 중첩되는 드레인 전극을 포함하며, 상기 소스 및 드레인 전극들이 상부 비정질 반도체층과 하부 미결정 반도체층의 2층 구조를 가지는, 액티브 매트릭스 기판의 스위칭 소자로서 사용되는 박막 트랜지스터(TFT).
  20. 제19항에 있어서, 상기 소스 및 드레인 전극들이 n형 실리콘으로 형성되며 상부 비정질 n형 실리콘층과 하부 미결정 n형 실리콘층의 2층 구조를 갖는, 박막 트랜지스터(TFT).
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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