KR960015020A - 표시장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 표시장치에 관한 것으로서, 구동기판과 대향기판은 소정의 간극을 두고 서로 접합되어 양자의 사이에 액정이 보유된다. 구동기판은 매트릭스형으로 배치한 화소전극을 가지는 한편, 대향기판은 전면성막된 대향전극을 가진다. 구동기판은 화소전극을 개개로 스위칭구동하는 복수의 박막트랜지스터와, 이 박막트랜지스터를 피복하는 제1층간절연막과, 이 제1층간절연막의 위에 패터닝형성되고 또한 박막트랜지스터에 접속되는 배선전극과, 배선전극을 피복하는 제2층간절연막과, 이 제2층간절연막의 위에 패터닝형성되어 아래 쪽의 박막트랜지스터를 차광하는 블랙매트릭스를 가지고 있다. 이 블랙매트릭스는 평탄화막에 의하여 피복되어 있고, 화소전극은 평탄화막의 위에 패터닝형성되어 있다. 화소전극은 금속막으로 이루어지는 블랙매트릭스를 통하여 배선전극에 접속되어 있다. 이로써 액티브매트릭스형 표시장치에 차광층으로서 블랙매트릭스를 구동기판측에 배설함으로써 온칩블랙구조가 얻어진다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 관한 표시장치의 제1실시예를 나타낸 요부단면도,
제2도는 본 발명에 관한 표시장치의 제2실시예를 나타낸 요부단면도,
제3A도 및 제3B도는 본 발명에 관한 표시장치의 제3실시예를 나타낸 요부단면도 및 부분평면도.
Claims (8)
- 매트릭스형으로 배치한 화소전극을 가지고, 이 화소전극에 각각 결합된 복수의 박막트랜지스터를 가지는 제1기판과, 이 박막트랜지스터를 피복하는 제1층간절연막과, 이 제1층간절연막의 위에 형성되고 또한 이 박막 트랜지스터에 접속되는 배선전극과, 이 배선전극을 피복하는 제2층간절연막과, 이 제2층간절연막의 위에 형성되어 아래쪽의 박막트랜지스터를 차광하기 위한 제1차광층과, 대향전극을 가지고 소정의 간극을 두고 이 제1기판에 접합된 제2기판으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 표시장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1차광층은 평탄화막에 의하여 피복되어 있고, 상기 화소전극은 이 평탄화막의 위에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 표시장치.
- 제2항에 있어서, 상기 제l차광층은 금속막으로 이루어지고, 상기 화소전극은 이 금속막을 통하여 아래쪽의 배선전극에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 표시장치.
- 제2형에 있어서, 상기 제1차광층은 부유(浮遊)전위의 금속막으로 이루어지고, 상기 화소전극은 이 제1차광층을 통하지 않고 직접 상기 배선전극에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 표시장치.
- 제1항에 있어서, 상기 배선전극은 부분적으로 위쪽의 화소전극 끝부와 중복되어 있어서, 이 화소전극을 연취(緣取)하는 차광층으로서 가능하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1기판은 상기 화소전극 및 이 화소전극의 스위칭구동용의 박막트랜지스터를 포함하는 화소어레이부와, 이 화소어레이부를 동작시키는 구동회로를 포함하는 주변부로 구분되어 있고, 상기 제2기판은 이 주변부에 정합하는 제2차광층을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 표시장치.
- 제6항에 있어서, 상기 제1차광층은 상기 화소어레이부에 포함되는 박막트랜지스터의 영역을 피복하고, 상기 구동회로를 제외한 주변부의 영역에도 연재하는 한편, 상기 제2차광층은 상기 구동회로의 영역만을 선택적으로 차광하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
- 제6항에 있어서, 상기 화소어레이부는 상기 화소전극과 이것을 스위칭구동하는 박막트랜지스터로 이루어지는 유효화소와, 화소전극이 결여된 박막트랜지스터로 이루어지는 더미화소를 가지고 있으며, 상기 더미화소는 상기 제1차광층에 의하여 전면적으로 피복되어 있는 것을 특징으로 하는 표시장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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---|---|---|---|
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---|---|---|---|
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19980039626A (ko) * | 1996-11-28 | 1998-08-17 | 김영환 | 액정 표시소자 및 그 제조방법 |
KR100381122B1 (ko) * | 1999-08-30 | 2003-04-23 | 샤프 가부시키가이샤 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR100439784B1 (ko) * | 1998-01-06 | 2004-07-12 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 반도체 장치, 전기 광학 장치용 기판, 전기 광학 장치 및전자기기 및 투사형 표시 장치 |
KR100502091B1 (ko) * | 1998-04-10 | 2005-11-23 | 삼성전자주식회사 | 유기 절연막을 이용한 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR100565736B1 (ko) * | 1998-12-10 | 2006-05-25 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사형 액정표시장치의 반사판 |
KR100925455B1 (ko) * | 2002-08-19 | 2009-11-06 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 |
US8605016B2 (en) | 2002-12-27 | 2013-12-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device substrate and liquid crystal display device having the same |
Families Citing this family (57)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5673127A (en) * | 1993-12-01 | 1997-09-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Display panel and display device using a display panel |
JPH0926603A (ja) * | 1995-05-08 | 1997-01-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
US5978056A (en) * | 1995-10-15 | 1999-11-02 | Victor Company Of Japan, Ltd | Reflection-type display apparatus having antireflection films |
TW374196B (en) * | 1996-02-23 | 1999-11-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor thin film and method for manufacturing the same and semiconductor device and method for manufacturing the same |
US6157428A (en) * | 1997-05-07 | 2000-12-05 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Liquid crystal display |
KR100386203B1 (ko) * | 1996-02-29 | 2003-12-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 전기광학장치및그제조방법 |
KR100244450B1 (ko) * | 1996-08-30 | 2000-02-01 | 구본준 | 액정표시장치의 기판의 제조방법 및 그 제조방법에 의하여 제조 되는 기판의 구조 |
US6211928B1 (en) * | 1996-03-26 | 2001-04-03 | Lg Electronics Inc. | Liquid crystal display and method for manufacturing the same |
JPH09281508A (ja) * | 1996-04-12 | 1997-10-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置およびその作製方法 |
EP0855614A4 (en) * | 1996-05-15 | 2001-12-19 | Seiko Epson Corp | THIN FILM COMPONENT HAVING A COATING LAYER, LIQUID CRYSTAL PANEL, ELECTRONIC APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE THIN FILM COMPONENT |
JP2853656B2 (ja) * | 1996-05-22 | 1999-02-03 | 日本電気株式会社 | 液晶パネル |
US7298447B1 (en) | 1996-06-25 | 2007-11-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display panel |
JP3640224B2 (ja) * | 1996-06-25 | 2005-04-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示パネル |
JPH1048610A (ja) * | 1996-07-31 | 1998-02-20 | Furontetsuku:Kk | 液晶表示素子 |
TW373114B (en) * | 1996-08-05 | 1999-11-01 | Sharp Kk | Liquid crystal display device |
JP3634089B2 (ja) | 1996-09-04 | 2005-03-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP3475421B2 (ja) * | 1996-09-18 | 2003-12-08 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置 |
KR100524284B1 (ko) | 1996-09-19 | 2005-10-28 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 광학 장치의 제조 방법 |
US20020075422A1 (en) * | 1996-09-19 | 2002-06-20 | Seiko Epson Corporation | Matrix type display device and manufacturing method thereof |
US7872728B1 (en) | 1996-10-22 | 2011-01-18 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal panel substrate, liquid crystal panel, and electronic device and projection display device using the same |
JP3728755B2 (ja) * | 1996-10-22 | 2005-12-21 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリックス型液晶パネル |
CN1150424C (zh) | 1996-10-22 | 2004-05-19 | 精工爱普生株式会社 | 液晶面板用基板、液晶面板及其电子装置和投影显示装置 |
US6262438B1 (en) | 1996-11-04 | 2001-07-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix type display circuit and method of manufacturing the same |
JP3899566B2 (ja) * | 1996-11-25 | 2007-03-28 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el表示装置の製造方法 |
JPH10198292A (ja) | 1996-12-30 | 1998-07-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
US6465268B2 (en) | 1997-05-22 | 2002-10-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing an electro-optical device |
JP3723336B2 (ja) | 1997-11-18 | 2005-12-07 | 三洋電機株式会社 | 液晶表示装置 |
US6686623B2 (en) | 1997-11-18 | 2004-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Nonvolatile memory and electronic apparatus |
JP4307582B2 (ja) | 1997-11-18 | 2009-08-05 | 三洋電機株式会社 | 液晶表示装置 |
JP4049422B2 (ja) | 1997-11-18 | 2008-02-20 | 三洋電機株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JPH11274509A (ja) * | 1998-03-26 | 1999-10-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜トランジスタ及び液晶表示装置 |
JP3433101B2 (ja) | 1998-06-03 | 2003-08-04 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
JP2000012864A (ja) * | 1998-06-22 | 2000-01-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
KR20000004422A (ko) * | 1998-06-30 | 2000-01-25 | 김영환 | 고개구율 액정표시소자의 화소전극 형성방법 |
US6271101B1 (en) | 1998-07-29 | 2001-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for production of SOI substrate and process for production of semiconductor device |
JP4476390B2 (ja) | 1998-09-04 | 2010-06-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2000180894A (ja) | 1998-12-18 | 2000-06-30 | Advanced Display Inc | 液晶表示装置およびその製造方法 |
US6850292B1 (en) * | 1998-12-28 | 2005-02-01 | Seiko Epson Corporation | Electric-optic device, method of fabricating the same, and electronic apparatus |
EP1031873A3 (en) * | 1999-02-23 | 2005-02-23 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and fabrication method thereof |
US6961029B1 (en) * | 2000-11-08 | 2005-11-01 | Palm, Inc. | Pixel border for improved viewability of a display device |
US7425970B1 (en) | 2000-11-08 | 2008-09-16 | Palm, Inc. | Controllable pixel border for a negative mode passive matrix display device |
US7724270B1 (en) | 2000-11-08 | 2010-05-25 | Palm, Inc. | Apparatus and methods to achieve a variable color pixel border on a negative mode screen with a passive matrix drive |
JP4544809B2 (ja) * | 2001-07-18 | 2010-09-15 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置 |
JP2003167534A (ja) * | 2001-09-21 | 2003-06-13 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
US6949883B2 (en) | 2001-12-06 | 2005-09-27 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and an electronic apparatus |
JP5029132B2 (ja) * | 2001-12-06 | 2012-09-19 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
JP2004045576A (ja) * | 2002-07-09 | 2004-02-12 | Sharp Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
KR101003829B1 (ko) * | 2004-04-30 | 2010-12-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 씨오티 구조 액정표시장치 및 그 제조 방법 |
JP2005310779A (ja) * | 2005-04-18 | 2005-11-04 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
US8139174B2 (en) * | 2006-01-10 | 2012-03-20 | Chimei Innolux Corporation | Display device for displaying images involving display pixels and non-display pixels |
WO2007118332A1 (en) * | 2006-04-19 | 2007-10-25 | Ignis Innovation Inc. | Stable driving scheme for active matrix displays |
US20090073099A1 (en) * | 2007-09-14 | 2009-03-19 | Tpo Displays Corp. | Display comprising a plurality of pixels and a device comprising such a display |
KR101298547B1 (ko) * | 2008-08-07 | 2013-08-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계형 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법 |
JP4798186B2 (ja) * | 2008-08-21 | 2011-10-19 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
TWI469360B (zh) * | 2012-09-06 | 2015-01-11 | Innocom Tech Shenzhen Co Ltd | 顯示面板及顯示裝置 |
CN104393003A (zh) * | 2014-10-31 | 2015-03-04 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种tft基板及其制造方法 |
CN105679768B (zh) * | 2016-01-25 | 2019-07-12 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板、液晶显示面板及液晶显示装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61147232A (ja) * | 1984-12-20 | 1986-07-04 | Canon Inc | 液晶素子 |
US5327001A (en) * | 1987-09-09 | 1994-07-05 | Casio Computer Co., Ltd. | Thin film transistor array having single light shield layer over transistors and gate and drain lines |
US5032883A (en) * | 1987-09-09 | 1991-07-16 | Casio Computer Co., Ltd. | Thin film transistor and method of manufacturing the same |
US5148301A (en) * | 1990-02-27 | 1992-09-15 | Casio Computer Co., Ltd. | Liquid crystal display device having a driving circuit inside the seal boundary |
JPH0465111A (ja) * | 1990-07-05 | 1992-03-02 | Fujitsu Ltd | X線マスク |
KR960014823B1 (ko) * | 1991-03-15 | 1996-10-21 | 가부시기가이샤 히다찌세이사구쇼 | 액정표시장치 |
DE4137549C2 (de) * | 1991-11-12 | 1993-11-04 | Christian Koch | Planengestell |
US5414547A (en) * | 1991-11-29 | 1995-05-09 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal display device and manufacturing method therefor |
EP0554060A3 (en) * | 1992-01-31 | 1993-12-01 | Canon Kk | Liquid crystal display apparatus |
DE69332142T2 (de) * | 1992-12-25 | 2003-03-06 | Sony Corp., Tokio/Tokyo | Substrat mit aktiver Matrix |
KR0173692B1 (ko) * | 1993-10-06 | 1999-03-20 | 모리시타 요이찌 | 박막트랜지스터의 제조방법 |
-
1994
- 1994-10-19 JP JP28009594A patent/JPH08122768A/ja active Pending
-
1995
- 1995-10-16 DE DE69531330T patent/DE69531330T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-10-16 EP EP95116287A patent/EP0708355B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-10-17 KR KR1019950035734A patent/KR100377460B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-06-16 US US08/877,484 patent/US5784132A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19980039626A (ko) * | 1996-11-28 | 1998-08-17 | 김영환 | 액정 표시소자 및 그 제조방법 |
KR100439784B1 (ko) * | 1998-01-06 | 2004-07-12 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 반도체 장치, 전기 광학 장치용 기판, 전기 광학 장치 및전자기기 및 투사형 표시 장치 |
KR100502091B1 (ko) * | 1998-04-10 | 2005-11-23 | 삼성전자주식회사 | 유기 절연막을 이용한 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR100565736B1 (ko) * | 1998-12-10 | 2006-05-25 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사형 액정표시장치의 반사판 |
KR100381122B1 (ko) * | 1999-08-30 | 2003-04-23 | 샤프 가부시키가이샤 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR100925455B1 (ko) * | 2002-08-19 | 2009-11-06 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 |
US8605016B2 (en) | 2002-12-27 | 2013-12-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device substrate and liquid crystal display device having the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5784132A (en) | 1998-07-21 |
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