JP2000180894A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置およびその製造方法Info
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 分割露光方式で製作される液晶表示装置にお
いて、分割領域の境界に生じる表示ムラを目立たなくす
る。 【解決手段】 透明の絶縁性基板上に金属膜で形成され
た複数本の走査線と、走査線の上または下に絶縁膜で電
気的に分離され走査線と交差して形成される複数本のデ
ータ線と、上記走査線とデータ線の各交点に半導体層で
形成されるスイッチング素子と、スイッチング素子と電
気的に接続される透明導電性膜で形成された画素電極か
らなるＴＦＴアレイ基板と、対向する基板との間に液晶
を挟持してなる液晶表示装置において、ＴＦＴアレイ基
板上のパターニング方法として分割露光方式を用い、液
晶表示装置の表示領域内の隣接する露光領域の一部が互
いに重なり合い、上下左右の四重に重なった露光領域内
でのショット配置は、上下左右の２次元方向において、
特定のショットの領域に近い部分ほど当該ショットが多
数分布するように配置する。
いて、分割領域の境界に生じる表示ムラを目立たなくす
る。 【解決手段】 透明の絶縁性基板上に金属膜で形成され
た複数本の走査線と、走査線の上または下に絶縁膜で電
気的に分離され走査線と交差して形成される複数本のデ
ータ線と、上記走査線とデータ線の各交点に半導体層で
形成されるスイッチング素子と、スイッチング素子と電
気的に接続される透明導電性膜で形成された画素電極か
らなるＴＦＴアレイ基板と、対向する基板との間に液晶
を挟持してなる液晶表示装置において、ＴＦＴアレイ基
板上のパターニング方法として分割露光方式を用い、液
晶表示装置の表示領域内の隣接する露光領域の一部が互
いに重なり合い、上下左右の四重に重なった露光領域内
でのショット配置は、上下左右の２次元方向において、
特定のショットの領域に近い部分ほど当該ショットが多
数分布するように配置する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
を画素電極とともに多数配列したアクティブマトリクス
方式液晶表示装置およびその製造方法に関するものであ
る。
を画素電極とともに多数配列したアクティブマトリクス
方式液晶表示装置およびその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置
のＴＦＴアレイ基板のパターニング方法としては、従来
から大型マスクを用い、液晶表示装置を構成する表示領
域部分、および外部回路から表示領域に走査信号・デー
タ信号を伝える配線部分または対向基板に電位を与える
トランスファーパッドなどを含むパネル周辺部分を一度
に露光する一括露光方式、または表示領域およびパネル
周辺部分を複数の小型マスクに分割し、アレイ基板上を
繰り返し移動しながら露光する分割露光方式といった２
つの手法が主に用いられている。
のＴＦＴアレイ基板のパターニング方法としては、従来
から大型マスクを用い、液晶表示装置を構成する表示領
域部分、および外部回路から表示領域に走査信号・デー
タ信号を伝える配線部分または対向基板に電位を与える
トランスファーパッドなどを含むパネル周辺部分を一度
に露光する一括露光方式、または表示領域およびパネル
周辺部分を複数の小型マスクに分割し、アレイ基板上を
繰り返し移動しながら露光する分割露光方式といった２
つの手法が主に用いられている。
【０００３】一括露光方式はその特徴として、大型マス
ク作製時の描画方式として電子ビームまたはレーザーで
の直接描画を用いることから、アレイ基板上のパターン
に境界線を生じないことがあげられるが、その反面マス
クが非常に高価であること、パターン変更が容易に行な
えないことなどのデメリットがあった。一方、分割露光
方式では一括露光方式に比べマスクが安価であること、
パターン変更が容易であることから広く一般的に用いら
れているが、複数のマスクに分割することから表示領域
に複数の境界線を生じるというデメリットがあった。
ク作製時の描画方式として電子ビームまたはレーザーで
の直接描画を用いることから、アレイ基板上のパターン
に境界線を生じないことがあげられるが、その反面マス
クが非常に高価であること、パターン変更が容易に行な
えないことなどのデメリットがあった。一方、分割露光
方式では一括露光方式に比べマスクが安価であること、
パターン変更が容易であることから広く一般的に用いら
れているが、複数のマスクに分割することから表示領域
に複数の境界線を生じるというデメリットがあった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】以上のように分割露光
方式では、表示領域に複数の境界線を生じることから、
この境界線の両側のパターン仕上がり精度の微妙な差が
表示特性に影響を与え、境界部の輝度差を顕著なものと
していわゆるショットムラとして視認される結果を招い
ていた。さらに、最近は液晶表示装置の高品質化・高精
度化に伴い、従来問題にならなかったような微妙なプロ
セスのばらつきによる開口率変動・ドメインの発生、お
よびパネルをモジュールに組み込んだ後の階調設定ばら
つきなどがショットムラを強調するようになってきた。
ただし、人間の目の視認性は規則的なパターン配置・輝
度差に対しては非常に敏感であるものの、広範囲に徐々
に変化するものに対する感度はあいまいであることはよ
く知られている。そこで、本発明はこうした人間の目の
視認性のあいまいさを利用して、表示ムラに対する液晶
表示装置の高品質化を図るとともに、その特徴として、
プロセス要因の歩留まり低下をひき起こすことなく、プ
ロセスのばらつきを吸収し、プロセスマージンを広げる
ことを目的とする。
方式では、表示領域に複数の境界線を生じることから、
この境界線の両側のパターン仕上がり精度の微妙な差が
表示特性に影響を与え、境界部の輝度差を顕著なものと
していわゆるショットムラとして視認される結果を招い
ていた。さらに、最近は液晶表示装置の高品質化・高精
度化に伴い、従来問題にならなかったような微妙なプロ
セスのばらつきによる開口率変動・ドメインの発生、お
よびパネルをモジュールに組み込んだ後の階調設定ばら
つきなどがショットムラを強調するようになってきた。
ただし、人間の目の視認性は規則的なパターン配置・輝
度差に対しては非常に敏感であるものの、広範囲に徐々
に変化するものに対する感度はあいまいであることはよ
く知られている。そこで、本発明はこうした人間の目の
視認性のあいまいさを利用して、表示ムラに対する液晶
表示装置の高品質化を図るとともに、その特徴として、
プロセス要因の歩留まり低下をひき起こすことなく、プ
ロセスのばらつきを吸収し、プロセスマージンを広げる
ことを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１にかか
わる液晶表示装置の製造方法は、透明の絶縁性基板上に
金属膜で形成された複数本の走査線と、走査線の上また
は下に絶縁膜で電気的に分離され走査線と交差して形成
される複数本のデータ線と、上記走査線とデータ線の各
交点に半導体層で形成されるスイッチング素子と、スイ
ッチング素子と電気的に接続される透明導電性膜で形成
された画素電極からなるＴＦＴアレイ基板と、対向する
基板との間に液晶を挟持してなる液晶表示装置におい
て、ＴＦＴアレイ基板上のパターニング方法として分割
露光方式を用い、液晶表示装置の表示領域内の隣接する
露光領域の一部が互いに重なり合い、重なった露光領域
内でのショット配置は、特定のショットの領域に近い部
分ほど当該ショットが多数分布するように配置するよう
にしたものである。
わる液晶表示装置の製造方法は、透明の絶縁性基板上に
金属膜で形成された複数本の走査線と、走査線の上また
は下に絶縁膜で電気的に分離され走査線と交差して形成
される複数本のデータ線と、上記走査線とデータ線の各
交点に半導体層で形成されるスイッチング素子と、スイ
ッチング素子と電気的に接続される透明導電性膜で形成
された画素電極からなるＴＦＴアレイ基板と、対向する
基板との間に液晶を挟持してなる液晶表示装置におい
て、ＴＦＴアレイ基板上のパターニング方法として分割
露光方式を用い、液晶表示装置の表示領域内の隣接する
露光領域の一部が互いに重なり合い、重なった露光領域
内でのショット配置は、特定のショットの領域に近い部
分ほど当該ショットが多数分布するように配置するよう
にしたものである。
【０００６】本発明の請求項２にかかわる液晶表示装置
の製造方法は、透明の絶縁性基板上に金属膜で形成され
た複数本の走査線と、走査線の上または下に絶縁膜で電
気的に分離され走査線と交差して形成される複数本のデ
ータ線と、上記走査線とデータ線の各交点に半導体層で
形成されるスイッチング素子と、スイッチング素子と電
気的に接続される透明導電性膜で形成された画素電極か
らなるＴＦＴアレイ基板と、対向する基板との間に液晶
を挟持してなる液晶表示装置において、ＴＦＴアレイ基
板上のパターニング方法として分割露光方式を用い、液
晶表示装置の表示領域内の隣接する露光領域の一部が互
いに重なり合い、上下左右の四重に重なった露光領域内
でのショット配置は、上下左右の２次元方向において、
特定のショットの領域に近い部分ほど当該ショットが多
数分布するように配置するようにしたものである。
の製造方法は、透明の絶縁性基板上に金属膜で形成され
た複数本の走査線と、走査線の上または下に絶縁膜で電
気的に分離され走査線と交差して形成される複数本のデ
ータ線と、上記走査線とデータ線の各交点に半導体層で
形成されるスイッチング素子と、スイッチング素子と電
気的に接続される透明導電性膜で形成された画素電極か
らなるＴＦＴアレイ基板と、対向する基板との間に液晶
を挟持してなる液晶表示装置において、ＴＦＴアレイ基
板上のパターニング方法として分割露光方式を用い、液
晶表示装置の表示領域内の隣接する露光領域の一部が互
いに重なり合い、上下左右の四重に重なった露光領域内
でのショット配置は、上下左右の２次元方向において、
特定のショットの領域に近い部分ほど当該ショットが多
数分布するように配置するようにしたものである。
【０００７】本発明の請求項３にかかわる液晶表示装置
の製造方法は、前記重なった露光領域内でのショットが
画素サイズを１単位にして選択されるようにしたもので
ある。
の製造方法は、前記重なった露光領域内でのショットが
画素サイズを１単位にして選択されるようにしたもので
ある。
【０００８】本発明の請求項４にかかわる液晶表示装置
の製造方法は、前記重なった露光領域内でのショットが
乱数的に選択されるようにしたものである。
の製造方法は、前記重なった露光領域内でのショットが
乱数的に選択されるようにしたものである。
【０００９】本発明の請求項５にかかわる液晶表示装置
の製造方法は、前記重なった露光領域内での特定のショ
ットの占める割合が、自身と異なるショットの領域との
境界からの距離に比例して選択されるようにしたもので
ある。
の製造方法は、前記重なった露光領域内での特定のショ
ットの占める割合が、自身と異なるショットの領域との
境界からの距離に比例して選択されるようにしたもので
ある。
【００１０】本発明の請求項６にかかわる液晶表示装置
の製造方法は、前記重なった露光領域の幅が４ｍｍより
大きくしたものである。
の製造方法は、前記重なった露光領域の幅が４ｍｍより
大きくしたものである。
【００１１】本発明の請求項７にかかわる液晶表示装置
の製造方法は、前記重なった露光領域内での異なるショ
ットと隣接するショットが、１〜５μｍの多重露光領域
をもつようにしたものである。
の製造方法は、前記重なった露光領域内での異なるショ
ットと隣接するショットが、１〜５μｍの多重露光領域
をもつようにしたものである。
【００１２】本発明の請求項８にかかわる液晶表示装置
の製造方法は、前記走査線形成工程、半導体層形成工
程、データ線形成工程、画素電極形成工程のいずれか１
工程のパターニング手法として適用されるようにしたも
のである。
の製造方法は、前記走査線形成工程、半導体層形成工
程、データ線形成工程、画素電極形成工程のいずれか１
工程のパターニング手法として適用されるようにしたも
のである。
【００１３】本発明の請求項９にかかわる液晶表示装置
の製造方法は、前記走査線形成工程、半導体層形成工
程、データ線形成工程、画素電極形成工程のうちの複数
工程に用いられ、重なり領域内でのショット配置が前記
複数の適用工程で同じであるようにしたものである。
の製造方法は、前記走査線形成工程、半導体層形成工
程、データ線形成工程、画素電極形成工程のうちの複数
工程に用いられ、重なり領域内でのショット配置が前記
複数の適用工程で同じであるようにしたものである。
【００１４】本発明の請求項１０にかかわる液晶表示装
置の製造方法は、前記走査線形成工程、半導体形成工
程、データ線形成工程、画素電極形成工程のうちの複数
工程に用いられ、重なり領域内でのショット配置が適用
工程各々で独立した配置となるようにしたものである。
置の製造方法は、前記走査線形成工程、半導体形成工
程、データ線形成工程、画素電極形成工程のうちの複数
工程に用いられ、重なり領域内でのショット配置が適用
工程各々で独立した配置となるようにしたものである。
【００１５】本発明の請求項１１にかかわる液晶表示装
置は、請求項１〜９のいずれかの製法を用いて製造され
たものである。
置は、請求項１〜９のいずれかの製法を用いて製造され
たものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】すなわち、本発明では分割露光方
式を用いつつ、表示領域内に明確な境界線をもたないよ
うにして輝度差に対する視認性をあいまいにしている。
すなわち、隣接する複数のショットがお互いにある一定
幅以上の重なりあう領域をもち、重なりあった領域内は
隣接する複数のショットのいずれかで露光され、選択さ
れた前記ショット以外はマスク上の遮光パターンにより
遮光され、ショットの重複を防止する。また、境界部に
対する人間の視認性をさらにあいまいなものとするため
に、重なりあった領域内でのショットの選択を乱数的に
行なうことが有効である。
式を用いつつ、表示領域内に明確な境界線をもたないよ
うにして輝度差に対する視認性をあいまいにしている。
すなわち、隣接する複数のショットがお互いにある一定
幅以上の重なりあう領域をもち、重なりあった領域内は
隣接する複数のショットのいずれかで露光され、選択さ
れた前記ショット以外はマスク上の遮光パターンにより
遮光され、ショットの重複を防止する。また、境界部に
対する人間の視認性をさらにあいまいなものとするため
に、重なりあった領域内でのショットの選択を乱数的に
行なうことが有効である。
【００１７】本発明と同様のアイデアが大型マスク作製
方法として大日本印刷株式会社から提案されている（特
開平２−１４３５１３、特開平２−１４３５１４、特開
平２−１４４５３５）。これは、従来電子ビーム・レー
ザーなどの直接描画方式が大型マスクの大面積に対応す
ることができなかった時代に、複数の小型マスクを組み
合わせて大型マスク基板上に露光するパターニング手法
として用いられていたものである。ただし、大型マスク
作製パターンとしてこの手法を用いた場合、大型マスク
上の仕上がり形状の差による境界線をあいまいにするこ
とは可能であるものの大型マスク上のパターン同士の位
置関係は常に同じである。したがって、この手法を用い
た大型マスクにより作製されたアレイパターンは大型マ
スク作製時のプロセス状態の誤差を常時含んであり、こ
の誤差が電気的特性に対し望ましくないものであっても
その関係を変えることはできない。これに対し、分割露
光方式でこの手法を用いた場合、ショット毎に補正をか
けることが可能であるため、隣接ショット間の微妙な位
置関係による電気的特性の改善が可能である。本発明は
このアイデアをＴＦＴアレイ基板の製造方法として展開
し、実際にＴＦＴアレイ基板の製造方法として適用する
場合の問題点を解決するためのものである。
方法として大日本印刷株式会社から提案されている（特
開平２−１４３５１３、特開平２−１４３５１４、特開
平２−１４４５３５）。これは、従来電子ビーム・レー
ザーなどの直接描画方式が大型マスクの大面積に対応す
ることができなかった時代に、複数の小型マスクを組み
合わせて大型マスク基板上に露光するパターニング手法
として用いられていたものである。ただし、大型マスク
作製パターンとしてこの手法を用いた場合、大型マスク
上の仕上がり形状の差による境界線をあいまいにするこ
とは可能であるものの大型マスク上のパターン同士の位
置関係は常に同じである。したがって、この手法を用い
た大型マスクにより作製されたアレイパターンは大型マ
スク作製時のプロセス状態の誤差を常時含んであり、こ
の誤差が電気的特性に対し望ましくないものであっても
その関係を変えることはできない。これに対し、分割露
光方式でこの手法を用いた場合、ショット毎に補正をか
けることが可能であるため、隣接ショット間の微妙な位
置関係による電気的特性の改善が可能である。本発明は
このアイデアをＴＦＴアレイ基板の製造方法として展開
し、実際にＴＦＴアレイ基板の製造方法として適用する
場合の問題点を解決するためのものである。
【００１８】本発明の特徴として、本発明の適用工程を
自由に選択できることがあげられる。すなわち、本発明
を用いる液晶表示装置のアレイ構造・駆動方式などによ
りショットムラを引きおこす要因となる工程を予測し、
その工程のみに本発明を適用し、それ以外の工程は従来
通りの明確な境界線をもつように形成してもよい。逆
に、複数工程に本発明を適用することで、ショットムラ
に対するパラメータを複数化し、輝度差をさらにあいま
いにすることも可能である。また、異なるショットが隣
接する場合にその境界に多重露光領域を設けることによ
り、露光装置およびマスクの位置精度のばらつきによる
不要なパターンの形成および必要なパターンの欠落を防
止している。本発明の作用について、以下に説明する。
説明の簡略化のために、本発明を１工程のみに適用した
場合について述べる。図１は従来の分割露光方式を用い
たショット境界部の平面模式図である。
自由に選択できることがあげられる。すなわち、本発明
を用いる液晶表示装置のアレイ構造・駆動方式などによ
りショットムラを引きおこす要因となる工程を予測し、
その工程のみに本発明を適用し、それ以外の工程は従来
通りの明確な境界線をもつように形成してもよい。逆
に、複数工程に本発明を適用することで、ショットムラ
に対するパラメータを複数化し、輝度差をさらにあいま
いにすることも可能である。また、異なるショットが隣
接する場合にその境界に多重露光領域を設けることによ
り、露光装置およびマスクの位置精度のばらつきによる
不要なパターンの形成および必要なパターンの欠落を防
止している。本発明の作用について、以下に説明する。
説明の簡略化のために、本発明を１工程のみに適用した
場合について述べる。図１は従来の分割露光方式を用い
たショット境界部の平面模式図である。
【００１９】図１において、１は左右に隣接するショッ
ト１、２は同じく左右に隣接するショット２、３は隣接
ショット１とショット２の境界線を示す。１、２は重な
りあう領域をもたないため、３で示すような明確な境界
を形成し、マスク精度およびプロセスの仕上がりばらつ
きにより、境界３の左右で表示特性に対するパラメータ
が異なる場合がある。
ト１、２は同じく左右に隣接するショット２、３は隣接
ショット１とショット２の境界線を示す。１、２は重な
りあう領域をもたないため、３で示すような明確な境界
を形成し、マスク精度およびプロセスの仕上がりばらつ
きにより、境界３の左右で表示特性に対するパラメータ
が異なる場合がある。
【００２０】図２（ａ）は、本発明を説明する平面模式
図である。図２（ａ）において１は隣接ショット１、２
は隣接ショット２、３１はショット１、ショット２の重
なり領域を示す。３１として示されるように、ショット
１とショット２はある一定幅以上の重なり領域をもち、
明確な境界をもたない。３２は適用工程以外の工程（以
下、その他の工程と記す）がショット１に属する領域で
あり、３３はその他の工程がショット２に属する領域で
ある。さらに、本発明の作用を詳細に説明するために重
なり領域部分３１を図２（ｂ）に拡大して示す。図２
（ｂ）において、４１はその他の工程がショット１であ
り適用工程がショット１である領域を示し、４２はその
他の工程がショット１であり適用工程がショット２であ
る領域を示す。同様に、４３はその他の工程がショット
２であり適用工程がショット１である領域を示し、４４
はその他の工程がショット２であり適用工程がショット
２である領域を示す。上記のように、本発明の適用工程
を１工程に限定した場合でも重なり領域内で適用工程と
その他の工程のショットの組み合わせが４通り発生し、
図２（ｂ）に示すように表示特性に影響を与えるパラメ
ータが４通り明確な境界をなさずに乱数配置され、輝度
差をあいまいなものにしている。
図である。図２（ａ）において１は隣接ショット１、２
は隣接ショット２、３１はショット１、ショット２の重
なり領域を示す。３１として示されるように、ショット
１とショット２はある一定幅以上の重なり領域をもち、
明確な境界をもたない。３２は適用工程以外の工程（以
下、その他の工程と記す）がショット１に属する領域で
あり、３３はその他の工程がショット２に属する領域で
ある。さらに、本発明の作用を詳細に説明するために重
なり領域部分３１を図２（ｂ）に拡大して示す。図２
（ｂ）において、４１はその他の工程がショット１であ
り適用工程がショット１である領域を示し、４２はその
他の工程がショット１であり適用工程がショット２であ
る領域を示す。同様に、４３はその他の工程がショット
２であり適用工程がショット１である領域を示し、４４
はその他の工程がショット２であり適用工程がショット
２である領域を示す。上記のように、本発明の適用工程
を１工程に限定した場合でも重なり領域内で適用工程と
その他の工程のショットの組み合わせが４通り発生し、
図２（ｂ）に示すように表示特性に影響を与えるパラメ
ータが４通り明確な境界をなさずに乱数配置され、輝度
差をあいまいなものにしている。
【００２１】以下、実施の形態にもとづいてさらに具体
的に説明する。
的に説明する。
【００２２】実施の形態１ 図３は本発明の実施の形態によるある１工程のＴＦＴア
レイ基板ショット配置の平面模式図であり、図４、図
５、は図３を構成するのに必要なマスクの平面模式図で
ある。左右に隣接するショット１、ショット２の間に重
なり領域を画素サイズを１単位として、ｍ行ｎ列で構成
する。重なり領域の幅（ｎ列）は４ｍｍより大きい方
が、視認性をあいまいなものとする上でより効果的であ
る。
レイ基板ショット配置の平面模式図であり、図４、図
５、は図３を構成するのに必要なマスクの平面模式図で
ある。左右に隣接するショット１、ショット２の間に重
なり領域を画素サイズを１単位として、ｍ行ｎ列で構成
する。重なり領域の幅（ｎ列）は４ｍｍより大きい方
が、視認性をあいまいなものとする上でより効果的であ
る。
【００２３】図３において、１はショット１のみで露光
される領域であり、２はショット２のみで露光される領
域である。４５は重なり領域内でショット１により露光
される領域であり、４６は重なり領域内でショット２に
より露光される領域である。ｍ行ｎ列の重なり領域内の
ショット配置は、ショット１のみで露光される領域１に
近づくにつれてショット１により露光される画素４５が
多く選択されるとともに、乱数配置されるものとする。
例えば、重なり領域内でショット１のみで露光される領
域１に隣接する列では、ｍ×ｎ／（ｎ＋１）に最も近い
整数個（Ｍｎ）の画素が、ショット１により露光される
画素４５として選択される。その隣の列では、ｍ×（ｎ
−１）／（ｎ＋１）に最も近い整数（Ｍｎ−１）、…、
と順次ショット１により露光される画素４５の数が減っ
ていき、ショット２のみで露光される領域２に隣接する
列ではｍ×１／（ｎ＋１）に最も近い整数個（Ｍ１）の
画素がショット１として選択されるものとする。その裏
返しとして、重なり領域内のショット１のみで露光され
る領域１に最も近い列でショット２により露光される画
素４６の数は、ｍ−Ｍｎで表わされ、ショット２のみで
露光される領域２に近づくにつれて増加し、ショット２
のみで露光される領域２に最も近い列ではｍ−Ｍ１で表
わされる。
される領域であり、２はショット２のみで露光される領
域である。４５は重なり領域内でショット１により露光
される領域であり、４６は重なり領域内でショット２に
より露光される領域である。ｍ行ｎ列の重なり領域内の
ショット配置は、ショット１のみで露光される領域１に
近づくにつれてショット１により露光される画素４５が
多く選択されるとともに、乱数配置されるものとする。
例えば、重なり領域内でショット１のみで露光される領
域１に隣接する列では、ｍ×ｎ／（ｎ＋１）に最も近い
整数個（Ｍｎ）の画素が、ショット１により露光される
画素４５として選択される。その隣の列では、ｍ×（ｎ
−１）／（ｎ＋１）に最も近い整数（Ｍｎ−１）、…、
と順次ショット１により露光される画素４５の数が減っ
ていき、ショット２のみで露光される領域２に隣接する
列ではｍ×１／（ｎ＋１）に最も近い整数個（Ｍ１）の
画素がショット１として選択されるものとする。その裏
返しとして、重なり領域内のショット１のみで露光され
る領域１に最も近い列でショット２により露光される画
素４６の数は、ｍ−Ｍｎで表わされ、ショット２のみで
露光される領域２に近づくにつれて増加し、ショット２
のみで露光される領域２に最も近い列ではｍ−Ｍ１で表
わされる。
【００２４】言いかえれば、重なり領域内でのショット
１の割合は、ショット２のみで露光される領域２との境
界からの距離に比例して増加し、逆にショット２の割合
はショット１のみで露光される領域１との境界からの距
離に比例して増加し、列内での個々の画素のショットの
選択は、前記の割合により乱数的に決定される。このよ
うにすることにより、ショット１とショット２が人間の
目で視認される程度の輝度差をそのショット固有のパラ
メータとしてもっていたとしても明確な境界として認識
されず、選択された画素の占める割合に応じて徐々に輝
度が変化するため、境界をあいまいなものとして視認さ
れにくくする効果がある。
１の割合は、ショット２のみで露光される領域２との境
界からの距離に比例して増加し、逆にショット２の割合
はショット１のみで露光される領域１との境界からの距
離に比例して増加し、列内での個々の画素のショットの
選択は、前記の割合により乱数的に決定される。このよ
うにすることにより、ショット１とショット２が人間の
目で視認される程度の輝度差をそのショット固有のパラ
メータとしてもっていたとしても明確な境界として認識
されず、選択された画素の占める割合に応じて徐々に輝
度が変化するため、境界をあいまいなものとして視認さ
れにくくする効果がある。
【００２５】図４はショット１を露光する時に用いるマ
スク１の本発明の関わる部分を示す平面模式図である。
図４において、１はショット１のみで露光される領域で
あり、４５は重なり領域内でショット１により露光され
る領域を示す。４７は重なり領域および隣接領域でのシ
ョット１に対するマスク１の遮光パターンを示す。同様
に、図５はショット２を露光する時に用いるマスク２の
本発明に関わる部分を示す平面模式図である。図５にお
いて、２はショット２のみで露光される領域であり、４
６は重なり領域内でショット２により露光される領域を
示す。４８は重なり領域および隣接領域でのショット２
に対するマスク２の遮光パターンを示す。
スク１の本発明の関わる部分を示す平面模式図である。
図４において、１はショット１のみで露光される領域で
あり、４５は重なり領域内でショット１により露光され
る領域を示す。４７は重なり領域および隣接領域でのシ
ョット１に対するマスク１の遮光パターンを示す。同様
に、図５はショット２を露光する時に用いるマスク２の
本発明に関わる部分を示す平面模式図である。図５にお
いて、２はショット２のみで露光される領域であり、４
６は重なり領域内でショット２により露光される領域を
示す。４８は重なり領域および隣接領域でのショット２
に対するマスク２の遮光パターンを示す。
【００２６】重なり領域内でショット１を露光ショット
として選択した画素に対応するマスク２上の位置は当然
のことながら遮光パターンが形成され露光されない。同
様に、重なり領域内でショット２を露光ショットとして
選択した画素に対応するマスク１上の位置は遮光パター
ンが形成され露光されない。しかしながら、重なり領域
内はショット１とショット２の乱数配置であることか
ら、ショット１の選択画素４５の周囲にショット２の選
択画素４６が配置される場合、または、ショット１の選
択画素４５の周囲をショット２の選択画素４６が囲むこ
ともあり得る。
として選択した画素に対応するマスク２上の位置は当然
のことながら遮光パターンが形成され露光されない。同
様に、重なり領域内でショット２を露光ショットとして
選択した画素に対応するマスク１上の位置は遮光パター
ンが形成され露光されない。しかしながら、重なり領域
内はショット１とショット２の乱数配置であることか
ら、ショット１の選択画素４５の周囲にショット２の選
択画素４６が配置される場合、または、ショット１の選
択画素４５の周囲をショット２の選択画素４６が囲むこ
ともあり得る。
【００２７】そうした場合、マスク１の遮光パターンと
マスク２の遮光パターンの間に多重露光領域が設けられ
ていなければ、マスク１・マスク２の仕上がり精度が異
なったり、ショット１とショット２の位置がアレイ基板
上で微妙にずれて露光されると、マスク１で露光される
ショット１とマスク２で露光されるショット２の間に不
要なパターンが形成されたり、本来必要なパターンが欠
落することがある。そこで、マスク１の遮光パターン４
７とマスク２の遮光パターン４８が隣接する領域は１〜
５μｍのお互いにオーバーラップして多重露光する領域
をもつものとし、不要なパターンの形成または必要パタ
ーンの欠落を防ぐ。
マスク２の遮光パターンの間に多重露光領域が設けられ
ていなければ、マスク１・マスク２の仕上がり精度が異
なったり、ショット１とショット２の位置がアレイ基板
上で微妙にずれて露光されると、マスク１で露光される
ショット１とマスク２で露光されるショット２の間に不
要なパターンが形成されたり、本来必要なパターンが欠
落することがある。そこで、マスク１の遮光パターン４
７とマスク２の遮光パターン４８が隣接する領域は１〜
５μｍのお互いにオーバーラップして多重露光する領域
をもつものとし、不要なパターンの形成または必要パタ
ーンの欠落を防ぐ。
【００２８】マスク１とマスク２による多重露光領域を
図６に太線４９で示す。太線で示される多重露光領域４
９はショット１とショット２が重なって露光されるた
め、当然のことながら、マスク１においてもマスク２に
おいても露光されるべき同じパターンが用意されてい
る。
図６に太線４９で示す。太線で示される多重露光領域４
９はショット１とショット２が重なって露光されるた
め、当然のことながら、マスク１においてもマスク２に
おいても露光されるべき同じパターンが用意されてい
る。
【００２９】実施の形態２ 実施の形態１では、左右の隣接ショットでの重なり領域
の設定について述べたが、平面上の上下に隣接する重な
り領域の設定についても実施の形態１と同じことがいえ
る。
の設定について述べたが、平面上の上下に隣接する重な
り領域の設定についても実施の形態１と同じことがいえ
る。
【００３０】上下に隣接するショット１、２の間に重な
り領域を画素サイズを１単位として、ｍ行ｎ列で構成す
る。重なり領域は４ｍｍより大きい方が、視認性をあい
まいなものとする上でより効果的である。
り領域を画素サイズを１単位として、ｍ行ｎ列で構成す
る。重なり領域は４ｍｍより大きい方が、視認性をあい
まいなものとする上でより効果的である。
【００３１】図７に実施の形態２によるある１工程のア
レイ基板ショット配置の模式図を示す。図７において、
１はショット１のみで露光される領域であり、２はショ
ット２のみで露光される領域である。４５は重なり領域
内でショット１により露光される領域であり、４６は重
なり領域内でショット２により露光される領域である。
ｍ行ｎ列の重なり領域内のショット配置は、ショット１
のみで露光される領域１に近づくにつれてショット１に
より露光される画素４５が多く選択されると共に乱数配
置されるものとする。例えば、重なり領域内でショット
１のみで露光される領域１に隣接する行では、ｎ×ｍ／
（ｍ＋１）に最も近い整数個（Ｎｍ）の画素が、ショッ
ト１により露光される画素４５として選択される。その
隣の行では、ｎ×（ｍ−１）／（ｍ＋１）に最も近い整
数（Ｎｍ−１）、…、と順次ショット１により露光され
る画素４５の数が減っていき、ショット２のみで露光さ
れる領域２に隣接する行ではｎ×１／（ｍ＋１）に最も
近い整数個（Ｎ１）の画素がショット１として選択され
るものとする。その裏返しとして、重なり領域内のショ
ット１のみで露光される領域１に最も近い行でショット
２により露光される画素４６の数は、ｎ−Ｎｍで表わさ
れ、ショット２のみで露光される領域２に近づくにつれ
て増加し、ショット２のみで露光される領域２に最も近
い行ではｎ−Ｎ１で表わされる。（以下同文のため省
略） 実施の形態３ 液晶表示装置の大型化に伴い、表示領域を分割露光方式
で形成する場合、左右または上下の繰り返しのみで露光
されることはほとんどなく、上下左右の２次元の組み合
わせにより露光されることが多い。このような組み合わ
せは、実施例１と２の組み合わせにより実現可能である
が、上下左右の四重に重なる領域に対する考慮も必要と
なる。
レイ基板ショット配置の模式図を示す。図７において、
１はショット１のみで露光される領域であり、２はショ
ット２のみで露光される領域である。４５は重なり領域
内でショット１により露光される領域であり、４６は重
なり領域内でショット２により露光される領域である。
ｍ行ｎ列の重なり領域内のショット配置は、ショット１
のみで露光される領域１に近づくにつれてショット１に
より露光される画素４５が多く選択されると共に乱数配
置されるものとする。例えば、重なり領域内でショット
１のみで露光される領域１に隣接する行では、ｎ×ｍ／
（ｍ＋１）に最も近い整数個（Ｎｍ）の画素が、ショッ
ト１により露光される画素４５として選択される。その
隣の行では、ｎ×（ｍ−１）／（ｍ＋１）に最も近い整
数（Ｎｍ−１）、…、と順次ショット１により露光され
る画素４５の数が減っていき、ショット２のみで露光さ
れる領域２に隣接する行ではｎ×１／（ｍ＋１）に最も
近い整数個（Ｎ１）の画素がショット１として選択され
るものとする。その裏返しとして、重なり領域内のショ
ット１のみで露光される領域１に最も近い行でショット
２により露光される画素４６の数は、ｎ−Ｎｍで表わさ
れ、ショット２のみで露光される領域２に近づくにつれ
て増加し、ショット２のみで露光される領域２に最も近
い行ではｎ−Ｎ１で表わされる。（以下同文のため省
略） 実施の形態３ 液晶表示装置の大型化に伴い、表示領域を分割露光方式
で形成する場合、左右または上下の繰り返しのみで露光
されることはほとんどなく、上下左右の２次元の組み合
わせにより露光されることが多い。このような組み合わ
せは、実施例１と２の組み合わせにより実現可能である
が、上下左右の四重に重なる領域に対する考慮も必要と
なる。
【００３２】図８に表示領域のショットが上下左右に隣
接する場合の平面模式図を示す。図８において、１はシ
ョット１のみで露光される領域、２はショット２のみで
露光される領域、５はショット３のみで露光される領
域、６はショット４のみで露光される領域、７はショッ
ト１とショット２による重なり領域であり、１０はショ
ット３とショット４による重なり領域である。７、１０
の領域には、実施の形態１が適用される。同様に、８は
ショット１とショット３による重なり領域であり、９は
ショット２とショット４による重なり領域である。８、
９の領域には、実施の形態２が適用される。ここで１１
はショット１、ショット２、ショット３、ショット４の
四重に重なりあう領域であり、この領域は実施の形態１
または実施の形態２のいずれかを適用することも可能で
あるが、実施の形態１と実施の形態２を組み合わせて、
上下左右の四重に重なりあい、各々のショットからの距
離に応じて選択される画素の数が変化するように乱数配
置することも可能である。この領域に実施の形態１また
は実施の形態２のいずれかを適用した場合よりも実施の
形態１と実施の形態２を組み合わせて用いた方が、表示
特性に対するパラメータが隣接する４ショットの情報を
反映し複雑化するため視認性を更にあいまいなものにす
ることができ、より効果的である。
接する場合の平面模式図を示す。図８において、１はシ
ョット１のみで露光される領域、２はショット２のみで
露光される領域、５はショット３のみで露光される領
域、６はショット４のみで露光される領域、７はショッ
ト１とショット２による重なり領域であり、１０はショ
ット３とショット４による重なり領域である。７、１０
の領域には、実施の形態１が適用される。同様に、８は
ショット１とショット３による重なり領域であり、９は
ショット２とショット４による重なり領域である。８、
９の領域には、実施の形態２が適用される。ここで１１
はショット１、ショット２、ショット３、ショット４の
四重に重なりあう領域であり、この領域は実施の形態１
または実施の形態２のいずれかを適用することも可能で
あるが、実施の形態１と実施の形態２を組み合わせて、
上下左右の四重に重なりあい、各々のショットからの距
離に応じて選択される画素の数が変化するように乱数配
置することも可能である。この領域に実施の形態１また
は実施の形態２のいずれかを適用した場合よりも実施の
形態１と実施の形態２を組み合わせて用いた方が、表示
特性に対するパラメータが隣接する４ショットの情報を
反映し複雑化するため視認性を更にあいまいなものにす
ることができ、より効果的である。
【００３３】この方式を実施の形態３として図９に示
す。四重に重なった領域内のショット選択方法について
以下に示す。始めに、重なり領域内の画素に対して実施
の形態１および実施の形態２を別々に順次適用して左右
・上下それぞれに属するものを選択する。すなわち、重
なり領域内の画素を左ショットに属するものまたは右シ
ョットに属するもの、および上ショットに属するものま
たは下ショットに属するものに重複して選択する。次
に、それぞれの画素を上下左右の選択に基づき、分類す
る。すなわち、左ショットに属し、上ショットに属する
画素はショット１で露光され、左ショットに属し、下シ
ョットに属する画素はショット３で露光される。同様
に、右ショットであり上ショットである画素はショット
２で、右ショットであり下ショットである画素はショッ
ト４で露光される。異なるショットの遮光パターンが隣
接する領域での多重露光領域の設定についても実施の形
態１、実施の形態２と同じである。したがって、ショッ
ト１、２、３、４がそれぞれ隣接する場合を考えると、
最大四重に重なる多重露光領域が設定されることにな
る。
す。四重に重なった領域内のショット選択方法について
以下に示す。始めに、重なり領域内の画素に対して実施
の形態１および実施の形態２を別々に順次適用して左右
・上下それぞれに属するものを選択する。すなわち、重
なり領域内の画素を左ショットに属するものまたは右シ
ョットに属するもの、および上ショットに属するものま
たは下ショットに属するものに重複して選択する。次
に、それぞれの画素を上下左右の選択に基づき、分類す
る。すなわち、左ショットに属し、上ショットに属する
画素はショット１で露光され、左ショットに属し、下シ
ョットに属する画素はショット３で露光される。同様
に、右ショットであり上ショットである画素はショット
２で、右ショットであり下ショットである画素はショッ
ト４で露光される。異なるショットの遮光パターンが隣
接する領域での多重露光領域の設定についても実施の形
態１、実施の形態２と同じである。したがって、ショッ
ト１、２、３、４がそれぞれ隣接する場合を考えると、
最大四重に重なる多重露光領域が設定されることにな
る。
【００３４】また、４重領域１１の中での４種類のショ
ットの割合を決める次のような方法もある。例えば、シ
ョット２の割合は、４重領域とショット５の領域との境
界（左下対角）からショット２の領域へ向かう対角線方
向の距離に比例して、０から０．５までの値を設定す
る。他のすべてのショット１、３、４についても同様な
設定を行なうと、重なり領域上のどの点においても４種
類のショットの割合の合計は１となり、対応するショッ
トの領域に近づくほど当該ショットの確率が直線的に増
加する結果が得られる。具体例を示すと、ここで４重領
域を左下頂点を原点として１辺が１の正方形に規格化
し、その中で座標（０．７５，０．７５）の点でのショ
ット１、２、３、４の確率Ｐ１〜Ｐ４を求めると、Ｐ１
＝２／８、Ｐ２＝３／８、Ｐ３＝１／８、Ｐ４＝２／８
となる。この確率値の組合わせに基づいて乱数処理を行
ない、実際に選択するショットを決定することができ
る。
ットの割合を決める次のような方法もある。例えば、シ
ョット２の割合は、４重領域とショット５の領域との境
界（左下対角）からショット２の領域へ向かう対角線方
向の距離に比例して、０から０．５までの値を設定す
る。他のすべてのショット１、３、４についても同様な
設定を行なうと、重なり領域上のどの点においても４種
類のショットの割合の合計は１となり、対応するショッ
トの領域に近づくほど当該ショットの確率が直線的に増
加する結果が得られる。具体例を示すと、ここで４重領
域を左下頂点を原点として１辺が１の正方形に規格化
し、その中で座標（０．７５，０．７５）の点でのショ
ット１、２、３、４の確率Ｐ１〜Ｐ４を求めると、Ｐ１
＝２／８、Ｐ２＝３／８、Ｐ３＝１／８、Ｐ４＝２／８
となる。この確率値の組合わせに基づいて乱数処理を行
ない、実際に選択するショットを決定することができ
る。
【００３５】実施の形態４ 実施の形態４として、実施の形態１、実施の形態２、実
施の形態３を画素電極形成工程に適用する。画素電極工
程に本発明を適用した場合、ドレイン電極／ソース電極
間の寄生容量Ｃｄｓによる電気特性のショット間差、お
よび液晶の配向状態によるドメイン発生のショット間差
を抑える効果がある。また、画素電極形成工程と走査線
形成工程など他工程との間で補助容量を形成している場
合、補助容量のばらつきをあいまいにする効果がある。
施の形態３を画素電極形成工程に適用する。画素電極工
程に本発明を適用した場合、ドレイン電極／ソース電極
間の寄生容量Ｃｄｓによる電気特性のショット間差、お
よび液晶の配向状態によるドメイン発生のショット間差
を抑える効果がある。また、画素電極形成工程と走査線
形成工程など他工程との間で補助容量を形成している場
合、補助容量のばらつきをあいまいにする効果がある。
【００３６】実施の形態５ 第５の実施例として、実施の形態１、実施の形態２、実
施の形態３を走査線形成工程に適用する。走査線形成工
程に本発明を適用した場合、ゲート電極／ドレイン電極
間の寄生容量Ｃｇｄによる電気特性のショット間差を抑
える効果がある。また、走査線形成工程と画素電極形成
工程など他工程との間で補助容量を形成している場合、
補助容量のばらつきをあいまいにする効果がある。さら
に、補助容量の形成方法として共通配線方式を適用する
場合、共通補助容量配線とソース配線との間の寄生容量
による電気特性のショット間差を抑える効果がある。ま
た、走査線形成工程で電気的に浮遊状態のブラックマト
リクスパターンを形成する場合に、ドレイン電極とソー
ス配線間の寄生容量Ｃｄｓによる電気特性のショット間
差を抑える効果がある。
施の形態３を走査線形成工程に適用する。走査線形成工
程に本発明を適用した場合、ゲート電極／ドレイン電極
間の寄生容量Ｃｇｄによる電気特性のショット間差を抑
える効果がある。また、走査線形成工程と画素電極形成
工程など他工程との間で補助容量を形成している場合、
補助容量のばらつきをあいまいにする効果がある。さら
に、補助容量の形成方法として共通配線方式を適用する
場合、共通補助容量配線とソース配線との間の寄生容量
による電気特性のショット間差を抑える効果がある。ま
た、走査線形成工程で電気的に浮遊状態のブラックマト
リクスパターンを形成する場合に、ドレイン電極とソー
ス配線間の寄生容量Ｃｄｓによる電気特性のショット間
差を抑える効果がある。
【００３７】また、走査線形成工程がアレイ基板上での
ブラックマトリクスパターン形成工程を兼ねる場合、開
口率変動を抑える効果がある。
ブラックマトリクスパターン形成工程を兼ねる場合、開
口率変動を抑える効果がある。
【００３８】実施の形態６ 第６の実施例として、実施の形態１、実施の形態２、実
施の形態３をデータ線形成工程に適用する。データ線形
成工程に本発明を適用した場合、ゲート電極／ドレイン
電極間の寄生容量Ｃｇｄによる電気特性のショット間差
を抑える効果がある。また、ソース配線／ドレイン電極
間の寄生容量Ｃｄｓによる電気特性のショット間差を抑
える効果がある。
施の形態３をデータ線形成工程に適用する。データ線形
成工程に本発明を適用した場合、ゲート電極／ドレイン
電極間の寄生容量Ｃｇｄによる電気特性のショット間差
を抑える効果がある。また、ソース配線／ドレイン電極
間の寄生容量Ｃｄｓによる電気特性のショット間差を抑
える効果がある。
【００３９】実施の形態７ 実施の形態７として、実施の形態１、実施の形態２、実
施の形態３を走査線形成工程・データ線形成工程・チャ
ネル形成工程・画素電極形成工程のうちから２工程を選
択し、組み合わせて適用し、重なり領域内のショットの
選択方法として、２工程ともショット配置を同じ乱数配
置にする。適用工程が１工程の場合にくらべ、パラメー
タの複雑化が増し、境界視認性をよりあいまいなものと
できる。
施の形態３を走査線形成工程・データ線形成工程・チャ
ネル形成工程・画素電極形成工程のうちから２工程を選
択し、組み合わせて適用し、重なり領域内のショットの
選択方法として、２工程ともショット配置を同じ乱数配
置にする。適用工程が１工程の場合にくらべ、パラメー
タの複雑化が増し、境界視認性をよりあいまいなものと
できる。
【００４０】実施の形態７によるアレイ基板ショット配
置の模式図を図１０に示す。
置の模式図を図１０に示す。
【００４１】図１０において、１は全工程がショット１
のみで露光される領域、２は全工程がショット２のみで
露光される領域、５は全工程がショット３のみで露光さ
れる領域、６は全工程がショット４のみで露光される領
域、１２はその他の工程がショット１で本発明を適用す
る２工程がショット１またはショット２のいずれかで露
光され、その選択されるショットは適用する２工程で同
じ乱数配置である領域、１３はその他の工程がショット
２で本発明を適用する２工程がショット１またはショッ
ト２のいずれかで露光され、その選択されるショットは
適用する２工程で同じ乱数配置である領域、１４はその
他の工程がショット１で本発明を適用する２工程がショ
ット１またはショット３のいずれかで露光され、その選
択されるショットは適用する２工程で同じ乱数配置であ
る領域、１５はその他の工程がショット２で本発明を適
用する２工程がショット２またはショット４のいずれか
で露光され、その選択されるショットは適用する２工程
で同じ乱数配置である領域、１６はその他の工程がショ
ット３で本発明を適用する２工程がショット１またはシ
ョット３のいずれかで露光され、その選択されるショッ
トは適用する２工程で同じ乱数配置である領域、１７は
その他の工程がショット４で本発明を適用する２工程が
ショット２またはショット４のいずれかで露光され、そ
の選択されるショットは適用する２工程で同じ乱数配置
である領域、１８はその他の工程がショット３で本発明
を適用する２工程がショット３またはショット４のいず
れかで露光され、その選択されるショットは適用する２
工程で同じ乱数配置である領域、１９はその他の工程が
ショット４で本発明を適用する２工程がショット３また
はショット４のいずれかで露光され、その選択されるシ
ョットは適用する２工程で同じ乱数配置である領域、２
０はその他の工程がショット１で本発明を適用する２工
程がショット１、ショット２、ショット３、ショット４
のいずれかで露光され、その選択されるショットは適用
する２工程で同じ乱数配置である領域、２１はその他の
工程がショット２で本発明を適用する２工程がショット
１、ショット２、ショット３、ショット４のいずれかで
露光され、その選択されるショットは適用する２工程で
同じ乱数配置である領域、２２はその他の工程がショッ
ト３で本発明を適用する２工程がショット１、ショット
２、ショット３、ショット４のいずれかで露光され、そ
の選択されるショットは適用する２工程で同じ乱数配置
である領域、２３はその他の工程がショット４で本発明
を適用する２工程がショット１、ショット２、ショット
３、ショット４のいずれかで露光され、その選択される
ショットは適用する２工程で同じ乱数配置である領域を
示す。
のみで露光される領域、２は全工程がショット２のみで
露光される領域、５は全工程がショット３のみで露光さ
れる領域、６は全工程がショット４のみで露光される領
域、１２はその他の工程がショット１で本発明を適用す
る２工程がショット１またはショット２のいずれかで露
光され、その選択されるショットは適用する２工程で同
じ乱数配置である領域、１３はその他の工程がショット
２で本発明を適用する２工程がショット１またはショッ
ト２のいずれかで露光され、その選択されるショットは
適用する２工程で同じ乱数配置である領域、１４はその
他の工程がショット１で本発明を適用する２工程がショ
ット１またはショット３のいずれかで露光され、その選
択されるショットは適用する２工程で同じ乱数配置であ
る領域、１５はその他の工程がショット２で本発明を適
用する２工程がショット２またはショット４のいずれか
で露光され、その選択されるショットは適用する２工程
で同じ乱数配置である領域、１６はその他の工程がショ
ット３で本発明を適用する２工程がショット１またはシ
ョット３のいずれかで露光され、その選択されるショッ
トは適用する２工程で同じ乱数配置である領域、１７は
その他の工程がショット４で本発明を適用する２工程が
ショット２またはショット４のいずれかで露光され、そ
の選択されるショットは適用する２工程で同じ乱数配置
である領域、１８はその他の工程がショット３で本発明
を適用する２工程がショット３またはショット４のいず
れかで露光され、その選択されるショットは適用する２
工程で同じ乱数配置である領域、１９はその他の工程が
ショット４で本発明を適用する２工程がショット３また
はショット４のいずれかで露光され、その選択されるシ
ョットは適用する２工程で同じ乱数配置である領域、２
０はその他の工程がショット１で本発明を適用する２工
程がショット１、ショット２、ショット３、ショット４
のいずれかで露光され、その選択されるショットは適用
する２工程で同じ乱数配置である領域、２１はその他の
工程がショット２で本発明を適用する２工程がショット
１、ショット２、ショット３、ショット４のいずれかで
露光され、その選択されるショットは適用する２工程で
同じ乱数配置である領域、２２はその他の工程がショッ
ト３で本発明を適用する２工程がショット１、ショット
２、ショット３、ショット４のいずれかで露光され、そ
の選択されるショットは適用する２工程で同じ乱数配置
である領域、２３はその他の工程がショット４で本発明
を適用する２工程がショット１、ショット２、ショット
３、ショット４のいずれかで露光され、その選択される
ショットは適用する２工程で同じ乱数配置である領域を
示す。
【００４２】組み合わせる工程のもつ効果は実施の形態
５、実施の形態６、実施の形態７に示した効果の組み合
わせといえる。
５、実施の形態６、実施の形態７に示した効果の組み合
わせといえる。
【００４３】実施の形態８ 実施の形態８として、実施の形態１、実施の形態２、実
施の形態３を走査線形成工程・データ線形成工程・チャ
ネル形成工程・画素電極形成工程のうちから２工程を選
択し、組み合わせて適用し、重なり領域内のショットの
選択方法として、２工程のショット配置を各々独立に乱
数配置とする。選択した２工程のショット配置が同じ場
合にくらべ、重なり領域内のショットの組み合わせが更
に増し、より一層パラメータの複雑化を促進し、境界視
認性をよりあいまいなものとできる。
施の形態３を走査線形成工程・データ線形成工程・チャ
ネル形成工程・画素電極形成工程のうちから２工程を選
択し、組み合わせて適用し、重なり領域内のショットの
選択方法として、２工程のショット配置を各々独立に乱
数配置とする。選択した２工程のショット配置が同じ場
合にくらべ、重なり領域内のショットの組み合わせが更
に増し、より一層パラメータの複雑化を促進し、境界視
認性をよりあいまいなものとできる。
【００４４】実施の形態８によるアレイ基板ショット配
置の模式図は図６と同じであるが、図６において、１は
全工程がショット１のみで露光される領域、２は全工程
がショット２のみで露光される領域、５は全工程がショ
ット３のみで露光される領域、６は全工程がショット４
のみで露光される領域、１２はその他の工程がショット
１で本発明を適用する２工程がショット１またはショッ
ト２のいずれかで露光され、その選択されるショットが
適用する２工程で各々独立に乱数設定されている領域、
１３はその他の工程がショット２で本発明を適用する２
工程がショット１またはショット２のいずれかで露光さ
れ、その選択されるショットは適用する２工程で各々独
立に乱数設定されている領域、１４はその他の工程がシ
ョット１で本発明を適用する２工程がショット１または
ショット３のいずれかで露光され、その選択されるショ
ットは適用する２工程で各々独立に乱数設定されている
領域、１５はその他の工程がショット２で本発明を適用
する２工程がショット２またはショット４のいずれかで
露光され、その選択されるショットは適用する２工程で
各々独立に乱数設定されている領域、１６はその他の工
程がショット３で本発明を適用する２工程がショット１
またはショット３のいずれかで露光され、その選択され
るショットは適用する２工程で各々独立に乱数設定され
ている領域、１７はその他の工程がショット４で本発明
を適用する２工程がショット２またはショット４のいず
れかで露光され、その選択されるショットは適用する２
工程で各々独立に乱数設定されている領域、１８はその
他の工程がショット３で本発明をを適用する２工程がシ
ョット３またはショット４のいずれかで露光され、その
選択されるショットは適用する２工程で各々独立に乱数
設定されている領域、１９はその他の工程がショット４
で本発明を適用する２工程がショット３またはショット
４のいずれかで露光され、その選択されるショットは適
用する２工程で各々独立に乱数設定されている領域、２
０はその他の工程がショット１で本発明を適用する２工
程がショット１、ショット２、ショット３、ショット４
のいずれかで露光され、その選択されるショットは適用
する２工程で各々独立に乱数設定されている領域、２１
はその他の工程がショット２で本発明を適用する２工程
がショット１、ショット２、ショット３、ショット４の
いずれかで露光され、その選択されるショットは適用す
る２工程で各々独立に乱数設定されている領域、２２は
その他の工程がショット３で本発明を適用する２工程が
ショット１、ショット２、ショット３、ショット４のい
ずれかで露光され、その選択されるショットは適用する
２工程で各々独立に乱数設定されている領域、２３はそ
の他の工程がショット４で本発明を適用する２工程がシ
ョット１、ショット２、ショット３、ショット４のいず
れかで露光され、その選択されるショットは適用する２
工程で各々独立に乱数設定されている領域を示す。組み
合わせる工程のもつ効果は第５の実施例、第６の実施
例、第７の実施例に示した効果の組み合わせといえる。
置の模式図は図６と同じであるが、図６において、１は
全工程がショット１のみで露光される領域、２は全工程
がショット２のみで露光される領域、５は全工程がショ
ット３のみで露光される領域、６は全工程がショット４
のみで露光される領域、１２はその他の工程がショット
１で本発明を適用する２工程がショット１またはショッ
ト２のいずれかで露光され、その選択されるショットが
適用する２工程で各々独立に乱数設定されている領域、
１３はその他の工程がショット２で本発明を適用する２
工程がショット１またはショット２のいずれかで露光さ
れ、その選択されるショットは適用する２工程で各々独
立に乱数設定されている領域、１４はその他の工程がシ
ョット１で本発明を適用する２工程がショット１または
ショット３のいずれかで露光され、その選択されるショ
ットは適用する２工程で各々独立に乱数設定されている
領域、１５はその他の工程がショット２で本発明を適用
する２工程がショット２またはショット４のいずれかで
露光され、その選択されるショットは適用する２工程で
各々独立に乱数設定されている領域、１６はその他の工
程がショット３で本発明を適用する２工程がショット１
またはショット３のいずれかで露光され、その選択され
るショットは適用する２工程で各々独立に乱数設定され
ている領域、１７はその他の工程がショット４で本発明
を適用する２工程がショット２またはショット４のいず
れかで露光され、その選択されるショットは適用する２
工程で各々独立に乱数設定されている領域、１８はその
他の工程がショット３で本発明をを適用する２工程がシ
ョット３またはショット４のいずれかで露光され、その
選択されるショットは適用する２工程で各々独立に乱数
設定されている領域、１９はその他の工程がショット４
で本発明を適用する２工程がショット３またはショット
４のいずれかで露光され、その選択されるショットは適
用する２工程で各々独立に乱数設定されている領域、２
０はその他の工程がショット１で本発明を適用する２工
程がショット１、ショット２、ショット３、ショット４
のいずれかで露光され、その選択されるショットは適用
する２工程で各々独立に乱数設定されている領域、２１
はその他の工程がショット２で本発明を適用する２工程
がショット１、ショット２、ショット３、ショット４の
いずれかで露光され、その選択されるショットは適用す
る２工程で各々独立に乱数設定されている領域、２２は
その他の工程がショット３で本発明を適用する２工程が
ショット１、ショット２、ショット３、ショット４のい
ずれかで露光され、その選択されるショットは適用する
２工程で各々独立に乱数設定されている領域、２３はそ
の他の工程がショット４で本発明を適用する２工程がシ
ョット１、ショット２、ショット３、ショット４のいず
れかで露光され、その選択されるショットは適用する２
工程で各々独立に乱数設定されている領域を示す。組み
合わせる工程のもつ効果は第５の実施例、第６の実施
例、第７の実施例に示した効果の組み合わせといえる。
【００４５】実施の形態９ 実施の形態９として、実施の形態１、実施の形態２、実
施の形態３を走査線形成工程・データ線形成工程・チャ
ネル形成工程・画素電極形成工程のうちから３工程以上
を選択し、組み合わせて適用し、重なり領域内のショッ
トの選択方法として、適用工程すべてでショット配置を
同じ乱数配置にする。
施の形態３を走査線形成工程・データ線形成工程・チャ
ネル形成工程・画素電極形成工程のうちから３工程以上
を選択し、組み合わせて適用し、重なり領域内のショッ
トの選択方法として、適用工程すべてでショット配置を
同じ乱数配置にする。
【００４６】適用工程数の増加につれてパラメータの複
雑化が増し、境界視認性をよりあいまいなものとでき
る。また、組み合わせる工程のもつ効果は実施の形態
５、実施の形態６、実施の形態７に示した効果の組み合
わせといえる。
雑化が増し、境界視認性をよりあいまいなものとでき
る。また、組み合わせる工程のもつ効果は実施の形態
５、実施の形態６、実施の形態７に示した効果の組み合
わせといえる。
【００４７】実施の形態１０ 実施の形態１０として、実施の形態１、実施の形態２、
実施の形態３を走査線形成工程・データ線形成工程・チ
ャネル形成工程・画素電極形成工程のうちから３工程以
上を選択し、組み合わせて適用し、重なり領域内のショ
ットの選択方法として、選択した工程のショット配置を
各々独立に乱数配置とする。選択した３工程のショット
配置が同じ場合にくらべ、重なり領域内のショットの組
み合わせが更に増し、より一層パラメータの複雑化を促
進し、境界視認性をよりあいまいなものとできる。ま
た、組み合わせる工程のもつ効果は実施の形態５、実施
の形態６、実施の形態７に示した効果の組み合わせとい
える。
実施の形態３を走査線形成工程・データ線形成工程・チ
ャネル形成工程・画素電極形成工程のうちから３工程以
上を選択し、組み合わせて適用し、重なり領域内のショ
ットの選択方法として、選択した工程のショット配置を
各々独立に乱数配置とする。選択した３工程のショット
配置が同じ場合にくらべ、重なり領域内のショットの組
み合わせが更に増し、より一層パラメータの複雑化を促
進し、境界視認性をよりあいまいなものとできる。ま
た、組み合わせる工程のもつ効果は実施の形態５、実施
の形態６、実施の形態７に示した効果の組み合わせとい
える。
【００４８】なお、前記実施の形態はＴＦＴアレイ基板
の露光工程を例にあげて説明したが、対向基板側の輝度
不均一の要因に対しても適用可能であり、同様の効果を
あげることができる。
の露光工程を例にあげて説明したが、対向基板側の輝度
不均一の要因に対しても適用可能であり、同様の効果を
あげることができる。
【００４９】
【発明の効果】本発明の請求項１〜１０にかかわる液晶
表示装置の製造方法によれば、透明の絶縁性基板上に金
属膜で形成された複数本の走査線と、走査線の上または
下に絶縁膜で電気的に分離され走査線と交差して形成さ
れる複数本のデータ線と、上記走査線とデータ線の各交
点に半導体層で形成されるスイッチング素子と、スイッ
チング素子と電気的に接続される透明導電性膜で形成さ
れた画素電極からなるＴＦＴアレイ基板と、対向する基
板との間に液晶を挟持してなる液晶表示装置において、
ＴＦＴアレイ基板上のパターニング方法として分割露光
方式を用い、液晶表示装置の表示領域内の隣接する露光
領域の一部が互いに重なり合い、重なった露光領域内で
のショット配置は、特定のショットの領域に近い部分ほ
ど当該ショットが多数分布するように配置するので、分
割露光方式を用いても、分割領域の境界近傍での輝度ム
ラが目立たない液晶表示装置を提供することができる。
表示装置の製造方法によれば、透明の絶縁性基板上に金
属膜で形成された複数本の走査線と、走査線の上または
下に絶縁膜で電気的に分離され走査線と交差して形成さ
れる複数本のデータ線と、上記走査線とデータ線の各交
点に半導体層で形成されるスイッチング素子と、スイッ
チング素子と電気的に接続される透明導電性膜で形成さ
れた画素電極からなるＴＦＴアレイ基板と、対向する基
板との間に液晶を挟持してなる液晶表示装置において、
ＴＦＴアレイ基板上のパターニング方法として分割露光
方式を用い、液晶表示装置の表示領域内の隣接する露光
領域の一部が互いに重なり合い、重なった露光領域内で
のショット配置は、特定のショットの領域に近い部分ほ
ど当該ショットが多数分布するように配置するので、分
割露光方式を用いても、分割領域の境界近傍での輝度ム
ラが目立たない液晶表示装置を提供することができる。
【００５０】本発明の請求項７にかかわる液晶表示装置
の製造方法によれば、前記重なった領域内での異なるシ
ョット間の境界に不要パターンが形成されたり、必要な
パターンが欠落したりしない液晶表示装置を提供するこ
とができる。
の製造方法によれば、前記重なった領域内での異なるシ
ョット間の境界に不要パターンが形成されたり、必要な
パターンが欠落したりしない液晶表示装置を提供するこ
とができる。
【００５１】本発明の請求項１１にかかわる液晶表示装
置は、透明の絶縁性基板上に金属膜で形成された複数本
の走査線と、走査線の上または下に絶縁膜で電気的に分
離され走査線と交差して形成される複数本のデータ線
と、上記走査線とデータ線の各交点に半導体層で形成さ
れるスイッチング素子と、スイッチング素子と電気的に
接続される透明導電性膜で形成された画素電極からなる
ＴＦＴアレイ基板と、対向する基板との間に液晶を挟持
してなる液晶表示装置において、ＴＦＴアレイ基板上の
パターニング方法として分割露光方式を用い、液晶表示
装置の表示領域内の隣接する露光領域の一部が互いに重
なり合い、上下左右の四重に重なった露光領域内でのシ
ョット配置は、上下左右の２次元方向において、特定の
ショットの領域に近い部分ほど当該ショットが多数分布
するように配置するので、分割露光方式を用いても、分
割領域の境界近傍での輝度ムラが目立たない。
置は、透明の絶縁性基板上に金属膜で形成された複数本
の走査線と、走査線の上または下に絶縁膜で電気的に分
離され走査線と交差して形成される複数本のデータ線
と、上記走査線とデータ線の各交点に半導体層で形成さ
れるスイッチング素子と、スイッチング素子と電気的に
接続される透明導電性膜で形成された画素電極からなる
ＴＦＴアレイ基板と、対向する基板との間に液晶を挟持
してなる液晶表示装置において、ＴＦＴアレイ基板上の
パターニング方法として分割露光方式を用い、液晶表示
装置の表示領域内の隣接する露光領域の一部が互いに重
なり合い、上下左右の四重に重なった露光領域内でのシ
ョット配置は、上下左右の２次元方向において、特定の
ショットの領域に近い部分ほど当該ショットが多数分布
するように配置するので、分割露光方式を用いても、分
割領域の境界近傍での輝度ムラが目立たない。
【図１】従来の分割露光方式による左右隣接ショットの
関係を示す平面模式図である。
関係を示す平面模式図である。
【図２】（ａ）は本発明による分割露光方式の左右隣接
ショットの関係を示す平面模式図、（ｂ）は図２（ａ）
におけるショット１、ショット２の重なり領域の詳細を
示す平面模式図である。
ショットの関係を示す平面模式図、（ｂ）は図２（ａ）
におけるショット１、ショット２の重なり領域の詳細を
示す平面模式図である。
【図３】実施の形態１による、ある１工程のＴＦＴアレ
イ基板のショット配置を示す平面模式図である。
イ基板のショット配置を示す平面模式図である。
【図４】図３を構成するのに必要なマスクの本発明に関
わる部分を示す平面模式図である。
わる部分を示す平面模式図である。
【図５】図３を構成するのに必要なマスクの本発明に関
わる部分を示す平面模式図である。
わる部分を示す平面模式図である。
【図６】図３における多重露光領域を示す平面模式図で
ある。
ある。
【図７】実施の形態２による、ある１工程のＴＦＴアレ
イ基板のショット配置を示す平面模式図である。
イ基板のショット配置を示す平面模式図である。
【図８】表示領域のショットが上下左右に隣接する場合
のある１工程のＴＦＴアレイ基板のショット配置を示す
平面模式図である。
のある１工程のＴＦＴアレイ基板のショット配置を示す
平面模式図である。
【図９】実施の形態３による、ある１工程のＴＦＴアレ
イ基板のショット配置を示す平面模式図である。
イ基板のショット配置を示す平面模式図である。
【図１０】実施の形態７による、ある１工程のＴＦＴア
レイ基板のショット配置を示す平面模式図である。
レイ基板のショット配置を示す平面模式図である。
１ ショット１、またはショット１のみで露光される領
域 ２ ショット２、またはショット２のみで露光される領
域 ３ ショット１、２の境界線 ５ ショット３のみで露光される領域 ６ ショット４のみで露光される領域 ７ ショット１とショット２による重なり領域 ８ ショット１とショット３による重なり領域 ９ ショット２とショット４による重なり領域 １０ ショット３とショット４による重なり領域 １１ ショット１、２、３、４による重なり領域 １２ その他の工程がショット１で、適用工程がショッ
ト１またはショット２により露光される領域 １３ その他の工程がショット２で、適用工程がショッ
ト１またはショット２により露光される領域 １４ その他の工程がショット１で、適用工程がショッ
ト１またはショット３により露光される領域 １５ その他の工程がショット２で、適用工程がショッ
ト２またはショット４により露光される領域 １６ その他の工程がショット３で、適用工程がショッ
ト１またはショット３により露光される領域 １７ その他の工程がショット４で、適用工程がショッ
ト２またはショット４により露光される領域 １８ その他の工程がショット３で、適用工程がショッ
ト３またはショット４により露光される領域 １９ その他の工程がショット４で、適用工程がショッ
ト３またはショット４により露光される領域 ２０ その他の工程がショット１で、適用工程がショッ
ト１、ショット２、ショット３、ショット４のいずれか
で露光される領域 ２１ その他の工程がショット２で、適用工程がショッ
ト１、ショット２、ショット３、ショット４のいずれか
で露光される領域 ２２ その他の工程がショット３で、適用工程がショッ
ト１、ショット２、ショット３、ショット４のいずれか
で露光される領域 ２３ その他の工程がショット４で、適用工程がショッ
ト１、ショット２、ショット３、ショット４のいずれか
で露光される領域 ３１ ショット１、ショット２の重なり領域 ３２ その他の工程がショット１の領域 ３３ その他の工程がショット２の領域 ４１ その他の工程がショット１、適用工程がショット
１の領域 ４２ その他の工程がショット１、適用工程がショット
２の領域 ４３ その他の工程がショット２、適用工程がショット
１の領域 ４４ その他の工程がショット２、適用工程がショット
２の領域 ４５ 重なり領域内でショット１により露光される領域 ４６ 重なり領域内でショット２により露光される領域 ４７ 重なり領域及び隣接領域でショット１に対する遮
光パターン ４８ 重なり領域及び隣接領域でショット２に対する遮
光パターン ４９ ショット１とショット２が隣接多重露光される領
域
域 ２ ショット２、またはショット２のみで露光される領
域 ３ ショット１、２の境界線 ５ ショット３のみで露光される領域 ６ ショット４のみで露光される領域 ７ ショット１とショット２による重なり領域 ８ ショット１とショット３による重なり領域 ９ ショット２とショット４による重なり領域 １０ ショット３とショット４による重なり領域 １１ ショット１、２、３、４による重なり領域 １２ その他の工程がショット１で、適用工程がショッ
ト１またはショット２により露光される領域 １３ その他の工程がショット２で、適用工程がショッ
ト１またはショット２により露光される領域 １４ その他の工程がショット１で、適用工程がショッ
ト１またはショット３により露光される領域 １５ その他の工程がショット２で、適用工程がショッ
ト２またはショット４により露光される領域 １６ その他の工程がショット３で、適用工程がショッ
ト１またはショット３により露光される領域 １７ その他の工程がショット４で、適用工程がショッ
ト２またはショット４により露光される領域 １８ その他の工程がショット３で、適用工程がショッ
ト３またはショット４により露光される領域 １９ その他の工程がショット４で、適用工程がショッ
ト３またはショット４により露光される領域 ２０ その他の工程がショット１で、適用工程がショッ
ト１、ショット２、ショット３、ショット４のいずれか
で露光される領域 ２１ その他の工程がショット２で、適用工程がショッ
ト１、ショット２、ショット３、ショット４のいずれか
で露光される領域 ２２ その他の工程がショット３で、適用工程がショッ
ト１、ショット２、ショット３、ショット４のいずれか
で露光される領域 ２３ その他の工程がショット４で、適用工程がショッ
ト１、ショット２、ショット３、ショット４のいずれか
で露光される領域 ３１ ショット１、ショット２の重なり領域 ３２ その他の工程がショット１の領域 ３３ その他の工程がショット２の領域 ４１ その他の工程がショット１、適用工程がショット
１の領域 ４２ その他の工程がショット１、適用工程がショット
２の領域 ４３ その他の工程がショット２、適用工程がショット
１の領域 ４４ その他の工程がショット２、適用工程がショット
２の領域 ４５ 重なり領域内でショット１により露光される領域 ４６ 重なり領域内でショット２により露光される領域 ４７ 重なり領域及び隣接領域でショット１に対する遮
光パターン ４８ 重なり領域及び隣接領域でショット２に対する遮
光パターン ４９ ショット１とショット２が隣接多重露光される領
域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 青木 宏憲 熊本県菊池郡西合志町御代志997番地 株 式会社アドバンスト・ディスプレイ内 Ｆターム(参考） 2H088 HA04 HA08 HA14 MA04 2H092 GA05 JA24 JB56 KB25 NA01 PA09
Claims (11)
- 【請求項１】 透明の絶縁性基板上に金属膜で形成され
た複数本の走査線と、走査線の上または下に絶縁膜で電
気的に分離され走査線と交差して形成される複数本のデ
ータ線と、上記走査線とデータ線の各交点に半導体層で
形成されるスイッチング素子と、スイッチング素子と電
気的に接続される透明導電性膜で形成された画素電極か
らなるＴＦＴアレイ基板と、対向する基板との間に液晶
を挟持してなる液晶表示装置において、ＴＦＴアレイ基
板上のパターニング方法として分割露光方式を用い、液
晶表示装置の表示領域内の隣接する露光領域の一部が互
いに重なり合い、重なった露光領域内でのショット配置
は、特定のショットの領域に近い部分ほど当該ショット
が多数分布するように配置する液晶表示装置の製造方
法。 - 【請求項２】 透明の絶縁性基板上に金属膜で形成され
た複数本の走査線と、走査線の上または下に絶縁膜で電
気的に分離され走査線と交差して形成される複数本のデ
ータ線と、上記走査線とデータ線の各交点に半導体層で
形成されるスイッチング素子と、スイッチング素子と電
気的に接続される透明導電性膜で形成された画素電極か
らなるＴＦＴアレイ基板と、対向する基板との間に液晶
を挟持してなる液晶表示装置において、ＴＦＴアレイ基
板上のパターニング方法として分割露光方式を用い、液
晶表示装置の表示領域内の隣接する露光領域の一部が互
いに重なり合い、上下左右に四重に重なった露光領域内
でのショット配置は、上下左右の２次元方向において、
特定のショットの領域に近い部分ほど当該ショットが多
数分布するように配置する請求項１記載の液晶表示装置
の製造方法。 - 【請求項３】 前記重なった露光領域内でのショットが
画素サイズを１単位にして選択されることを特徴とする
請求項１または２記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記重なった露光領域内でのショットが
乱数的に選択されることを特徴とする請求項１〜３記載
の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記重なった露光領域内での特定のショ
ットの占める割合が、自身と異なるショットの領域との
境界からの距離に比例して選択されることを特徴とする
請求項１〜４記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記重なった露光領域の幅が４ｍｍより
大きいことを特徴とする請求項１〜５記載の液晶表示装
置の製造方法。 - 【請求項７】 前記重なった露光領域内での異なるショ
ットと隣接するショットの境界が、１〜５μｍの多重露
光領域をもつことを特徴とする請求項１〜６記載の液晶
表示装置の製造方法。 - 【請求項８】 前記走査線形成工程、半導体層形成工
程、データ線形成工程、画素電極形成工程のいずれか１
工程のパターニング手法として適用されることを特徴と
する請求項１〜７記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項９】 前記走査線形成工程、半導体層形成工
程、データ線形成工程、画素電極形成工程のうちの複数
工程に用いられ、重なり領域内でのショット配置が前記
複数の適用工程で同じであることを特徴とする請求項１
〜７記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１０】 前記走査線形成工程、半導体形成工
程、データ線形成工程、画素電極形成工程のうちの複数
工程に用いられ、重なり領域内でのショット配置が適用
工程各々で独立した配置となることを特徴とする請求項
１〜７記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１１】 請求項１〜１０のいずれかの製法を用
いて製造された液晶表示装置。
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