JPH11249169A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH11249169A JPH11249169A JP5256698A JP5256698A JPH11249169A JP H11249169 A JPH11249169 A JP H11249169A JP 5256698 A JP5256698 A JP 5256698A JP 5256698 A JP5256698 A JP 5256698A JP H11249169 A JPH11249169 A JP H11249169A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transmitted light
- liquid crystal
- display device
- crystal display
- pixel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造誤差による画素の透過光強度の変化が視
認されにくく、良好な表示特性をもち、低コストかつ簡
単な液晶表示装置及びその製造方法、特に分割露光方式
を用いた液晶表示装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 分割露光方式により製造され、基板と、
前記基板上に分散して配置された透過光の強度が異なる
二種類以上の画素とを備える。
認されにくく、良好な表示特性をもち、低コストかつ簡
単な液晶表示装置及びその製造方法、特に分割露光方式
を用いた液晶表示装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 分割露光方式により製造され、基板と、
前記基板上に分散して配置された透過光の強度が異なる
二種類以上の画素とを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、液晶表示装置及
びその製造方法、特にアクティブマトリクス型の液晶表
示装置及びその製造方法に関するものである。
びその製造方法、特にアクティブマトリクス型の液晶表
示装置及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】アクティブマトリクス型の液晶表示装置
に用いられる薄膜トランジスタ集積装置（以下ＴＦＴ−
ＬＣＤと略す）の製造工程において、各レイヤーのパタ
ーンを形成する際、フォトレジストを露光する方法とし
て大型ミラープロジェクター型露光機を用いてＴＦＴ−
ＬＣＤパネル全体を一括して露光する一括露光方式、あ
るいは、分割露光装置を用いてＴＦＴ−ＬＣＤパネルを
いくつかの領域に分けて露光する分割露光方式が用いら
れている。
に用いられる薄膜トランジスタ集積装置（以下ＴＦＴ−
ＬＣＤと略す）の製造工程において、各レイヤーのパタ
ーンを形成する際、フォトレジストを露光する方法とし
て大型ミラープロジェクター型露光機を用いてＴＦＴ−
ＬＣＤパネル全体を一括して露光する一括露光方式、あ
るいは、分割露光装置を用いてＴＦＴ−ＬＣＤパネルを
いくつかの領域に分けて露光する分割露光方式が用いら
れている。
【０００３】一括露光方式では露光が一度で済むために
露光時間が短いという利点を持つが、フォトマスクのサ
イズが大きいために各レイヤー間の重ね合せが難しいう
え、パネルサイズが大きくなるにつれ、精度よく所望の
パターンを形成することが困難になる。一方、分割露光
方式においてはフォトマスクにレチクルを用いることに
より、微細なパターンを比較的精度よく得ることができ
る。
露光時間が短いという利点を持つが、フォトマスクのサ
イズが大きいために各レイヤー間の重ね合せが難しいう
え、パネルサイズが大きくなるにつれ、精度よく所望の
パターンを形成することが困難になる。一方、分割露光
方式においてはフォトマスクにレチクルを用いることに
より、微細なパターンを比較的精度よく得ることができ
る。
【０００４】図１４に従来のＴＦＴ−ＬＣＤ、特に逆ス
タガ型の構造を持つＴＦＴ−ＬＣＤの一画素の平面図を
示す。図１５は図１４のＡ−Ａ線の断面図である。図１
４及び図１５を通じて同一符号は同一または相当部分を
示すものとする。図１４及び図１５において、１４はガ
ラス基板、１５はゲート電極、１６はゲート絶縁膜、１
７はｉ型アモルファスシリコン膜、１８はｎ型アモルフ
ァスシリコン膜、１９は透明電極よりなる画素電極、２
０はゲート絶縁膜１６に穿たれたコンタクトホール、２
１および２２はソース電極およびドレイン電極であり、
ゲート電極１５とともにＴＦＴを構成している。２３は
保持容量電極、２４はＴＦＴ保護膜、２５はＴＦＴ保護
膜２４に設けられたコンタクトホール、２６は配向膜、
３０は対向基板、２８は対向電極、２９はブラックマス
ク、３１はカラーフィルター、２７は液晶層である。
タガ型の構造を持つＴＦＴ−ＬＣＤの一画素の平面図を
示す。図１５は図１４のＡ−Ａ線の断面図である。図１
４及び図１５を通じて同一符号は同一または相当部分を
示すものとする。図１４及び図１５において、１４はガ
ラス基板、１５はゲート電極、１６はゲート絶縁膜、１
７はｉ型アモルファスシリコン膜、１８はｎ型アモルフ
ァスシリコン膜、１９は透明電極よりなる画素電極、２
０はゲート絶縁膜１６に穿たれたコンタクトホール、２
１および２２はソース電極およびドレイン電極であり、
ゲート電極１５とともにＴＦＴを構成している。２３は
保持容量電極、２４はＴＦＴ保護膜、２５はＴＦＴ保護
膜２４に設けられたコンタクトホール、２６は配向膜、
３０は対向基板、２８は対向電極、２９はブラックマス
ク、３１はカラーフィルター、２７は液晶層である。
【０００５】図１６は、ＴＦＴ基板の製造工程を示した
ものである。なお、図１４乃至図１６を通じて同一符号
は同一または相当部分を示すものとする。ガラス基板１
４上にゲート電極１５および保持容量電極２３を形成し
（図１６（ａ））、ゲート絶縁膜１６、ｉ型アモルファ
スシリコン膜１７およびｎ型アモルファスシリコン膜１
８からなる多層半導体膜を連続成膜し（図１６
（ｂ））、該多層半導体膜をゲート電極１５上に島状に
残すように選択的にエッチングするとともに画素電極１
９を形成し（図１６（ｃ））、コンタクトホール２０を
形成し（図１６（ｄ））、ソース電極２１およびドレイ
ン電極２２を形成し（図１６（ｅ））、ＴＦＴ保護膜２
４およびコンタクトホール２５を形成する（図１６
（ｆ））。
ものである。なお、図１４乃至図１６を通じて同一符号
は同一または相当部分を示すものとする。ガラス基板１
４上にゲート電極１５および保持容量電極２３を形成し
（図１６（ａ））、ゲート絶縁膜１６、ｉ型アモルファ
スシリコン膜１７およびｎ型アモルファスシリコン膜１
８からなる多層半導体膜を連続成膜し（図１６
（ｂ））、該多層半導体膜をゲート電極１５上に島状に
残すように選択的にエッチングするとともに画素電極１
９を形成し（図１６（ｃ））、コンタクトホール２０を
形成し（図１６（ｄ））、ソース電極２１およびドレイ
ン電極２２を形成し（図１６（ｅ））、ＴＦＴ保護膜２
４およびコンタクトホール２５を形成する（図１６
（ｆ））。
【０００６】図１７は図１４乃至図１６に示したＴＦＴ
−ＬＣＤの一画素の等価回路を示したものである。図１
４乃至図１７を通じて同一符号は同一または相当部分を
示すものとする。１５はゲート配線、２１はソース配
線、２３は保持容量電極たる共通配線、３２はソース配
線２１およびゲート配線１５に接続されたＴＦＴ、３６
はＴＦＴ３２と共通配線２３の間の保持容量（以下Ｃｓ
ｔと略す）、３８は液晶容量、３７はＴＦＴ保護膜の容
量、２８は対向電極、３３、３４はＴＦＴ３２のゲート
電極とドレイン電極又はソース電極の重なりで発生する
寄生容量（以下Ｃｇｄ、Ｃｇｓと略す）、３５はＴＦＴ
３２のチャネル容量（以下Ｃｃｈと略す）である。
−ＬＣＤの一画素の等価回路を示したものである。図１
４乃至図１７を通じて同一符号は同一または相当部分を
示すものとする。１５はゲート配線、２１はソース配
線、２３は保持容量電極たる共通配線、３２はソース配
線２１およびゲート配線１５に接続されたＴＦＴ、３６
はＴＦＴ３２と共通配線２３の間の保持容量（以下Ｃｓ
ｔと略す）、３８は液晶容量、３７はＴＦＴ保護膜の容
量、２８は対向電極、３３、３４はＴＦＴ３２のゲート
電極とドレイン電極又はソース電極の重なりで発生する
寄生容量（以下Ｃｇｄ、Ｃｇｓと略す）、３５はＴＦＴ
３２のチャネル容量（以下Ｃｃｈと略す）である。
【０００７】つぎに、図１７を用いてＴＦＴ−ＬＣＤ動
作原理について説明する。ゲート信号がＯＮとなったと
き、ソース信号の電位が液晶容量３８および保持容量
（Ｃｓｔ）３６に書込まれ、次にゲート信号がＯＮにな
るまで保持される。液晶に印加された電位により、液晶
の透過率が変化して表示を行う。ところが、ゲート信号
がＯＮ状態からＯＦＦ状態に変化する際に、寄生容量
（Ｃｇｄ）３３とチャネル容量（Ｃｃｈ）３５を介して
電荷の流れ込みが発生し、液晶に加わる電圧が変化す
る。この電圧の変化ΔＶｇｄによって、液晶にＤＣバイ
アスが加わる。液晶は交流駆動する必要があり、ＤＣバ
イアスを印加し続けるとフリッカや残像などの表示特性
劣化の原因となる。これを防止するために、寄生容量
（Ｃｇｄ）３３やチャネル容量（Ｃｃｈ）３５を小さく
したり、あるいは保持容量（Ｃｓｔ）３６を大きくして
寄生容量（Ｃｇｄ）３３やチャネル容量（Ｃｃｈ）３５
の影響を小さくするなどしている。また、対向電極に与
えられる電位を電圧の変化ΔＶｇｄを考慮した画素電位
低下後の値で最適化するなど、駆動方法を工夫してい
る。
作原理について説明する。ゲート信号がＯＮとなったと
き、ソース信号の電位が液晶容量３８および保持容量
（Ｃｓｔ）３６に書込まれ、次にゲート信号がＯＮにな
るまで保持される。液晶に印加された電位により、液晶
の透過率が変化して表示を行う。ところが、ゲート信号
がＯＮ状態からＯＦＦ状態に変化する際に、寄生容量
（Ｃｇｄ）３３とチャネル容量（Ｃｃｈ）３５を介して
電荷の流れ込みが発生し、液晶に加わる電圧が変化す
る。この電圧の変化ΔＶｇｄによって、液晶にＤＣバイ
アスが加わる。液晶は交流駆動する必要があり、ＤＣバ
イアスを印加し続けるとフリッカや残像などの表示特性
劣化の原因となる。これを防止するために、寄生容量
（Ｃｇｄ）３３やチャネル容量（Ｃｃｈ）３５を小さく
したり、あるいは保持容量（Ｃｓｔ）３６を大きくして
寄生容量（Ｃｇｄ）３３やチャネル容量（Ｃｃｈ）３５
の影響を小さくするなどしている。また、対向電極に与
えられる電位を電圧の変化ΔＶｇｄを考慮した画素電位
低下後の値で最適化するなど、駆動方法を工夫してい
る。
【０００８】以下では、従来の液晶表示装置のパターン
形成に分割露光装置を用いた際に生じるショットムラと
よばれる表示品質低下について説明する。図１８（ａ）
乃至図１８（ｃ）は分割露光時のショットむらを模式的
に示したものである。図１８（ａ）乃至（ｃ）を通じて
同一符号は同一または相当部分を示すものとする。図に
おいて、１、２は隣り合う分割露光領域、３は分割露光
領域の境界である。このように分割露光方式によってパ
ターンを形成する際には、液晶画面をいくつかの領域に
分解して（例えば、図１８（ａ）の分割露光領域１及び
２等）露光する。このようにすると、フォトマスクのサ
イズが小さいために各レイヤー間の重ね合せ（例えば、
図１６（ａ）乃至（ｆ）の作業）が簡単になると同時
に、精度よく所望のパターンを形成することができる。
一方、分割露光方式を用いる際には、分割露光領域の中
心座標の位置決め精度は高いが、周辺部は回転や歪みの
影響を受け、比較的パターン精度が劣るという特徴を持
つ（図１８−ａ）。この周辺部のパターンのつなぎ精度
は１μｍ程度と大きく、製造ばらつきにより分割露光境
界でのパターンのずれや、パターンの重ね合せ（例え
ば、図１６（ａ）乃至（ｆ）の作業）のずれが発生し
た。
形成に分割露光装置を用いた際に生じるショットムラと
よばれる表示品質低下について説明する。図１８（ａ）
乃至図１８（ｃ）は分割露光時のショットむらを模式的
に示したものである。図１８（ａ）乃至（ｃ）を通じて
同一符号は同一または相当部分を示すものとする。図に
おいて、１、２は隣り合う分割露光領域、３は分割露光
領域の境界である。このように分割露光方式によってパ
ターンを形成する際には、液晶画面をいくつかの領域に
分解して（例えば、図１８（ａ）の分割露光領域１及び
２等）露光する。このようにすると、フォトマスクのサ
イズが小さいために各レイヤー間の重ね合せ（例えば、
図１６（ａ）乃至（ｆ）の作業）が簡単になると同時
に、精度よく所望のパターンを形成することができる。
一方、分割露光方式を用いる際には、分割露光領域の中
心座標の位置決め精度は高いが、周辺部は回転や歪みの
影響を受け、比較的パターン精度が劣るという特徴を持
つ（図１８−ａ）。この周辺部のパターンのつなぎ精度
は１μｍ程度と大きく、製造ばらつきにより分割露光境
界でのパターンのずれや、パターンの重ね合せ（例え
ば、図１６（ａ）乃至（ｆ）の作業）のずれが発生し
た。
【０００９】例えば、図１７に示した等価回路の構造を
持つ液晶表示装置において、分割露光領域の境界付近で
薄膜トランジスタの寄生容量を決めるソース又はドレイ
ン領域が異なる方向に１μｍのずれを生じたとする。こ
れにより、図１７の寄生容量（Ｃｇｄ）３３が変化し、
液晶に加わる電圧が変化する。そして、液晶に印加され
る実効電圧が変化し、分割境界で実効的な画素の光の透
過率が変化する（図１８−ｂ）。この透過率の変化がわ
ずかであっても、分割境界に沿って一様に生じるため、
境界が視認されてしまう（図１８−ｃ）。これがショッ
トむらとよばれる現象であり、画面表示とは関係のない
線として見えるため、程度によっては不良品となり、液
晶表示装置の歩留りを落とす原因となった。
持つ液晶表示装置において、分割露光領域の境界付近で
薄膜トランジスタの寄生容量を決めるソース又はドレイ
ン領域が異なる方向に１μｍのずれを生じたとする。こ
れにより、図１７の寄生容量（Ｃｇｄ）３３が変化し、
液晶に加わる電圧が変化する。そして、液晶に印加され
る実効電圧が変化し、分割境界で実効的な画素の光の透
過率が変化する（図１８−ｂ）。この透過率の変化がわ
ずかであっても、分割境界に沿って一様に生じるため、
境界が視認されてしまう（図１８−ｃ）。これがショッ
トむらとよばれる現象であり、画面表示とは関係のない
線として見えるため、程度によっては不良品となり、液
晶表示装置の歩留りを落とす原因となった。
【００１０】また、分割露光境界における同層間のパタ
ーンのずれが画素の開口率を決めるレイヤーで発生した
場合、分割露光境界で開口率が変動する。この透過率変
化により分割境界が視認されるという問題が発生した。
これも、ショットむらの一形態であり、程度によっては
不良品となり、液晶表示装置の歩留りを落とす原因とな
った。
ーンのずれが画素の開口率を決めるレイヤーで発生した
場合、分割露光境界で開口率が変動する。この透過率変
化により分割境界が視認されるという問題が発生した。
これも、ショットむらの一形態であり、程度によっては
不良品となり、液晶表示装置の歩留りを落とす原因とな
った。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、分割露
光によりパターンを形成する際、製造ばらつきにより、
分割露光領域の境界（縁部）においてパターンずれや、
重ね合わせのずれが発生し、薄膜トランジスタの寄生容
量や保持容量などが変化する。これは画素の透過光強度
の変化として現れ、分割露光部の境界が視認されるとい
う問題が発生した。これがショットむらとよばれる現象
であり、画面表示とは関係のない線として見えるため、
程度によっては不良品となり、液晶表示装置の歩留りを
落とす原因となった。
光によりパターンを形成する際、製造ばらつきにより、
分割露光領域の境界（縁部）においてパターンずれや、
重ね合わせのずれが発生し、薄膜トランジスタの寄生容
量や保持容量などが変化する。これは画素の透過光強度
の変化として現れ、分割露光部の境界が視認されるとい
う問題が発生した。これがショットむらとよばれる現象
であり、画面表示とは関係のない線として見えるため、
程度によっては不良品となり、液晶表示装置の歩留りを
落とす原因となった。
【００１２】また、分割露光境界におけるパターンのず
れが画素の開口率を決めるレイヤーで発生した場合、分
割露光境界で開口率が変動する。この透過率変化により
画素の透過光強度が変化し、分割境界が視認されるとい
う問題が発生した。これも、ショットむらの一形態であ
り、程度によっては不良品となり、液晶表示装置の歩留
りを落とす原因となった。
れが画素の開口率を決めるレイヤーで発生した場合、分
割露光境界で開口率が変動する。この透過率変化により
画素の透過光強度が変化し、分割境界が視認されるとい
う問題が発生した。これも、ショットむらの一形態であ
り、程度によっては不良品となり、液晶表示装置の歩留
りを落とす原因となった。
【００１３】本発明は、このような製造誤差による画素
の透過光強度の変化が視認されにくく、良好な表示特性
をもち、低コストかつ簡単な液晶表示装置及びその製造
方法、特に分割露光方式を用いた液晶表示装置及びその
製造方法を提供することを目的とする。
の透過光強度の変化が視認されにくく、良好な表示特性
をもち、低コストかつ簡単な液晶表示装置及びその製造
方法、特に分割露光方式を用いた液晶表示装置及びその
製造方法を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】この発明に係る液晶表示
装置においては、基板と、前記基板上に分散して配置さ
れた透過光の強度が異なる二種類以上の画素とを備えた
ものである。
装置においては、基板と、前記基板上に分散して配置さ
れた透過光の強度が異なる二種類以上の画素とを備えた
ものである。
【００１５】また、この発明に係る液晶表示装置におい
ては、画素は分割露光方式により製造されたものであ
る。
ては、画素は分割露光方式により製造されたものであ
る。
【００１６】また、この発明に係る液晶表示装置におい
ては、透過光の強度が異なる二種類以上の画素はランダ
ムに配置されたものである。
ては、透過光の強度が異なる二種類以上の画素はランダ
ムに配置されたものである。
【００１７】また、この発明に係る液晶表示装置におい
ては、互いに隣接する分割露光領域の透過光の強度の平
均が、略等しいものである。
ては、互いに隣接する分割露光領域の透過光の強度の平
均が、略等しいものである。
【００１８】また、この発明に係る液晶表示装置におい
ては、分割露光領域の透過光の強度の平均と、該分割露
光領域内の所定の大きさの領域における透過光の強度の
平均が、略等しいものである。
ては、分割露光領域の透過光の強度の平均と、該分割露
光領域内の所定の大きさの領域における透過光の強度の
平均が、略等しいものである。
【００１９】また、この発明に係る液晶表示装置におい
ては、分割露光領域の画素の透過光の強度のばらつきの
幅が、製造誤差によって生じる透過光の強度のばらつき
の幅と略等しいものである。
ては、分割露光領域の画素の透過光の強度のばらつきの
幅が、製造誤差によって生じる透過光の強度のばらつき
の幅と略等しいものである。
【００２０】また、この発明に係る液晶表示装置におい
ては、透過光の強度が異なる二種類以上の画素は分割露
光領域の縁部近傍に配置されたものである。
ては、透過光の強度が異なる二種類以上の画素は分割露
光領域の縁部近傍に配置されたものである。
【００２１】また、この発明に係る液晶表示装置におい
ては、透過光の強度が異なる二種類以上の画素は分割露
光領域の略全体に配置されたものである。
ては、透過光の強度が異なる二種類以上の画素は分割露
光領域の略全体に配置されたものである。
【００２２】また、この発明に係る液晶表示装置におい
ては、分割露光領域の縁部近傍の画素の透過光の強度の
ばらつきの幅が、分割露光領域の中央近傍の画素の透過
光の強度のばらつきの幅より、大きいものである。
ては、分割露光領域の縁部近傍の画素の透過光の強度の
ばらつきの幅が、分割露光領域の中央近傍の画素の透過
光の強度のばらつきの幅より、大きいものである。
【００２３】また、この発明に係る液晶表示装置におい
ては、分割露光領域の縁部近傍から分割露光領域の中央
近傍に近づくにつれて、画素の透過光の強度のばらつき
の幅が小さくなるものである。
ては、分割露光領域の縁部近傍から分割露光領域の中央
近傍に近づくにつれて、画素の透過光の強度のばらつき
の幅が小さくなるものである。
【００２４】また、この発明に係る液晶表示装置におい
ては、分割露光領域の中央近傍には、該分割露光領域の
透過光の強度の平均と略等しい透過光の強度を有する画
素を配置したものである。
ては、分割露光領域の中央近傍には、該分割露光領域の
透過光の強度の平均と略等しい透過光の強度を有する画
素を配置したものである。
【００２５】また、この発明に係る液晶表示装置におい
ては、分割露光領域境界に接する一画素列及び／又は一
画素行には、透過光の強度が異なる二種類以上の画素を
配置するとともに、前記画素以外は、該分割露光領域の
透過光の強度の平均と略等しい透過光の強度を有する画
素を配置したものである。
ては、分割露光領域境界に接する一画素列及び／又は一
画素行には、透過光の強度が異なる二種類以上の画素を
配置するとともに、前記画素以外は、該分割露光領域の
透過光の強度の平均と略等しい透過光の強度を有する画
素を配置したものである。
【００２６】また、この発明に係る液晶表示装置におい
ては、画素は、画素電極と、該画素電極の電圧を各別に
制御する薄膜トランジスタとを有し、前記薄膜トランジ
スタのゲート電極と前記薄膜トランジスタのソース電極
又はドレイン電極の間の電気的容量を変化させることに
よって透過光の強度が変えられるものである。
ては、画素は、画素電極と、該画素電極の電圧を各別に
制御する薄膜トランジスタとを有し、前記薄膜トランジ
スタのゲート電極と前記薄膜トランジスタのソース電極
又はドレイン電極の間の電気的容量を変化させることに
よって透過光の強度が変えられるものである。
【００２７】また、この発明に係る液晶表示装置におい
ては、画素は、画素電極と、該画素電極との間に絶縁膜
をはさんで形成された共通配線を有し、前記画素電極と
前記共通配線の間の電気的容量を変化させることによっ
て透過光の強度が変えられるものである。
ては、画素は、画素電極と、該画素電極との間に絶縁膜
をはさんで形成された共通配線を有し、前記画素電極と
前記共通配線の間の電気的容量を変化させることによっ
て透過光の強度が変えられるものである。
【００２８】また、この発明に係る液晶表示装置におい
ては、画素は、画素電極と、該画素電極との間に絶縁膜
をはさんで形成された共通配線と、前記画素電極と一部
重合して形成されたドレイン電極とを有し、前記画素電
極と前記共通配線又は前記ドレイン電極が重なる面積を
変化させることによって透過光の強度が変えられるもの
である。
ては、画素は、画素電極と、該画素電極との間に絶縁膜
をはさんで形成された共通配線と、前記画素電極と一部
重合して形成されたドレイン電極とを有し、前記画素電
極と前記共通配線又は前記ドレイン電極が重なる面積を
変化させることによって透過光の強度が変えられるもの
である。
【００２９】また、この発明に係る液晶表示装置におい
ては、画素は、画素電極と、該画素電極と一部が重なる
ように形成されたブラックマスクとを有し、前記画素電
極と前記ブラックマスクが重なる面積を変化させること
によって透過光の強度が変えられるものである。
ては、画素は、画素電極と、該画素電極と一部が重なる
ように形成されたブラックマスクとを有し、前記画素電
極と前記ブラックマスクが重なる面積を変化させること
によって透過光の強度が変えられるものである。
【００３０】また、この発明に係る液晶表示装置におい
ては、画素は、略同じ透過光の強度を有する複数の画素
からなる絵素であるものである。
ては、画素は、略同じ透過光の強度を有する複数の画素
からなる絵素であるものである。
【００３１】さらにまた、この発明に係る液晶表示装置
の製造方法においては、基板と、前記基板上に形成さ
れ、画素電極と、該画素電極との間に絶縁膜をはさんで
形成された共通配線と、前記画素電極と一部重合して形
成されたドレイン電極と、前記画素電極と一部が重なる
ように形成されたブラックマスクとを有する画素を備え
た液晶表示装置の製造方法において、前記画素電極と前
記共通配線又は前記ドレイン電極が重なる面積、又は、
前記画素電極と前記ブラックマスクが重なる面積が二種
類以上となるようなマスクを用いることにより、前記基
板上に透過光の強度が異なる二種類以上の画素を形成す
るようにしたものである。
の製造方法においては、基板と、前記基板上に形成さ
れ、画素電極と、該画素電極との間に絶縁膜をはさんで
形成された共通配線と、前記画素電極と一部重合して形
成されたドレイン電極と、前記画素電極と一部が重なる
ように形成されたブラックマスクとを有する画素を備え
た液晶表示装置の製造方法において、前記画素電極と前
記共通配線又は前記ドレイン電極が重なる面積、又は、
前記画素電極と前記ブラックマスクが重なる面積が二種
類以上となるようなマスクを用いることにより、前記基
板上に透過光の強度が異なる二種類以上の画素を形成す
るようにしたものである。
【００３２】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１は、この発明
による実施の形態１の液晶表示装置の画素部、特に画素
部を露光する際のパターンを説明する図である。図１に
おいて、１、２は隣り合う分割露光領域（以下、分割領
域と称す）、３は分割露光領域の境界（以下、分割境界
と称す）、４は分割境界付近の拡大図、Ａ乃至Ｆはそれ
ぞれ透過光強度ＴＡ乃至ＴＦを有する画素である。ここ
で、透過光強度ＴＡ乃至ＴＦはＴＡ＜ＴＢ＜ＴＣ＜ＴＤ
＜ＴＥ＜ＴＦの関係を有している。尚、透過光強度ＴＡ
乃至ＴＦは設計上の透過光強度であり、製造された製品
自体の透過光強度においては、多少のばらつきが存在す
る。また、上述のような透過光強度が異なる画素の構造
の詳細については、実施の形態７において改めて説明す
る。
による実施の形態１の液晶表示装置の画素部、特に画素
部を露光する際のパターンを説明する図である。図１に
おいて、１、２は隣り合う分割露光領域（以下、分割領
域と称す）、３は分割露光領域の境界（以下、分割境界
と称す）、４は分割境界付近の拡大図、Ａ乃至Ｆはそれ
ぞれ透過光強度ＴＡ乃至ＴＦを有する画素である。ここ
で、透過光強度ＴＡ乃至ＴＦはＴＡ＜ＴＢ＜ＴＣ＜ＴＤ
＜ＴＥ＜ＴＦの関係を有している。尚、透過光強度ＴＡ
乃至ＴＦは設計上の透過光強度であり、製造された製品
自体の透過光強度においては、多少のばらつきが存在す
る。また、上述のような透過光強度が異なる画素の構造
の詳細については、実施の形態７において改めて説明す
る。
【００３３】図１に示した液晶表示装置の画素Ａ乃至Ｆ
の配置は、以下の四つの特徴を略満たすように配置され
ている。以下、これら四つの特徴を説明する。第一の特
徴として、図１に示すように、分割境界３付近におい
て、透過光強度の異なる画素Ａ乃至Ｆをランダムまたは
分散させて配置している。ここで、分散とは、なるべく
同一の透過光強度を持つ画素が隣り合わないようにする
と同時に、それら画素の配置によって透過光強度のむら
が人の目に認識されない程度に配置することをいう。
の配置は、以下の四つの特徴を略満たすように配置され
ている。以下、これら四つの特徴を説明する。第一の特
徴として、図１に示すように、分割境界３付近におい
て、透過光強度の異なる画素Ａ乃至Ｆをランダムまたは
分散させて配置している。ここで、分散とは、なるべく
同一の透過光強度を持つ画素が隣り合わないようにする
と同時に、それら画素の配置によって透過光強度のむら
が人の目に認識されない程度に配置することをいう。
【００３４】第二の特徴として、図１の分割領域１にお
ける透過光強度の平均値Ｔ１と、図１の分割領域２にお
ける透過光強度の平均値Ｔ２が略等しくなるように画素
を配置してある。図２はこの第二の特徴を説明するため
の図であり、図１及び図２を通じて同一符号は同一また
は相当部分を示す。図２に示すように、斜線部で示した
分割領域１における透過光強度の平均値Ｔ１と横線部で
示した分割領域２における透過光強度の平均値Ｔ２がほ
ぼ等しくなっている。
ける透過光強度の平均値Ｔ１と、図１の分割領域２にお
ける透過光強度の平均値Ｔ２が略等しくなるように画素
を配置してある。図２はこの第二の特徴を説明するため
の図であり、図１及び図２を通じて同一符号は同一また
は相当部分を示す。図２に示すように、斜線部で示した
分割領域１における透過光強度の平均値Ｔ１と横線部で
示した分割領域２における透過光強度の平均値Ｔ２がほ
ぼ等しくなっている。
【００３５】第三の特徴として、図１の分割境界３付近
（例えば、分割境界付近の拡大図４）の所定の大きさの
領域（例えば、図１の４×４画素の領域５）について、
その領域における透過光強度の平均値が、分割領域１、
２における透過光強度の平均値Ｔ１、Ｔ２と略等しくな
るようになっている。図３（ａ）乃至（ｇ）はこの第三
の特徴を説明するための図であり、図１及び図３（ａ）
乃至（ｇ）を通じて同一符号は同一または相当部分を示
す。図３（ａ）において、６は分割領域の縁部近傍、特
に分割境界付近領域の一例である。図３（ｂ）におい
て、７乃至８は分割境界付近領域（分割領域の縁部近
傍）６に含まれる所定の大きさの領域の一例である。こ
れら所定の大きさの領域７乃至８の透過光強度の平均値
Ｔ７乃至Ｔ８夫々が、分割領域１、２における透過光強
度の平均値Ｔ１、Ｔ２と略等しくなるようになってい
る。図３（ｃ）に示すように分割境界３を含む領域４、
９のように、所定の大きさの領域をとってもよい。尚、
ここで示したのは所定の大きさの領域の一例であり、領
域の形状、大きさ、数などは任意に決定すればよい。
尚、図３（ｂ）、図３（ｃ）に示した複数の黒点１０
は、図３（ｂ）に示した領域７、８、または、図３
（ｃ）に示した領域４、９のような領域を簡略的に示し
たものであり、適宜、任意に領域を設定すればよいこと
を示す。また、図３（ｄ）に斜線部で示した分割領域の
縁部近傍の領域１１における透過光強度Ｔ１１を分割領
域１における透過光強度の平均値Ｔ１と略等しくなるよ
うにしておけば、これらを組み合わせることによって、
図３（ｅ）に示すように良好な表示特性をもった液晶表
示装置を所望の大きさでつくることができる。また、図
３（ｅ）又は図３（ｆ）に斜線部で示したような分割領
域の縁部近傍の領域について同様にしてもよい。
（例えば、分割境界付近の拡大図４）の所定の大きさの
領域（例えば、図１の４×４画素の領域５）について、
その領域における透過光強度の平均値が、分割領域１、
２における透過光強度の平均値Ｔ１、Ｔ２と略等しくな
るようになっている。図３（ａ）乃至（ｇ）はこの第三
の特徴を説明するための図であり、図１及び図３（ａ）
乃至（ｇ）を通じて同一符号は同一または相当部分を示
す。図３（ａ）において、６は分割領域の縁部近傍、特
に分割境界付近領域の一例である。図３（ｂ）におい
て、７乃至８は分割境界付近領域（分割領域の縁部近
傍）６に含まれる所定の大きさの領域の一例である。こ
れら所定の大きさの領域７乃至８の透過光強度の平均値
Ｔ７乃至Ｔ８夫々が、分割領域１、２における透過光強
度の平均値Ｔ１、Ｔ２と略等しくなるようになってい
る。図３（ｃ）に示すように分割境界３を含む領域４、
９のように、所定の大きさの領域をとってもよい。尚、
ここで示したのは所定の大きさの領域の一例であり、領
域の形状、大きさ、数などは任意に決定すればよい。
尚、図３（ｂ）、図３（ｃ）に示した複数の黒点１０
は、図３（ｂ）に示した領域７、８、または、図３
（ｃ）に示した領域４、９のような領域を簡略的に示し
たものであり、適宜、任意に領域を設定すればよいこと
を示す。また、図３（ｄ）に斜線部で示した分割領域の
縁部近傍の領域１１における透過光強度Ｔ１１を分割領
域１における透過光強度の平均値Ｔ１と略等しくなるよ
うにしておけば、これらを組み合わせることによって、
図３（ｅ）に示すように良好な表示特性をもった液晶表
示装置を所望の大きさでつくることができる。また、図
３（ｅ）又は図３（ｆ）に斜線部で示したような分割領
域の縁部近傍の領域について同様にしてもよい。
【００３６】さらに、第四の特徴として、図１の透過光
強度ＴＦと透過光強度ＴＡの幅（即ち、ＴＦ−ＴＡ）
を、製造時のばらつきなどにより生じる可能性のある分
割境界付近における透過光強度のばらつき幅ΔＴの最大
値（以下、製造時最大ばらつき幅と称す）ΔＴｍａｘと
略同程度にしてある。
強度ＴＦと透過光強度ＴＡの幅（即ち、ＴＦ−ＴＡ）
を、製造時のばらつきなどにより生じる可能性のある分
割境界付近における透過光強度のばらつき幅ΔＴの最大
値（以下、製造時最大ばらつき幅と称す）ΔＴｍａｘと
略同程度にしてある。
【００３７】図４は図１に示したα−β間における透過
光強度の分布を示した図である。なお、図１及び図４を
通じて同一符号は同一または相当部分を示すものとす
る。
光強度の分布を示した図である。なお、図１及び図４を
通じて同一符号は同一または相当部分を示すものとす
る。
【００３８】このように、この発明による実施の形態１
の液晶表示装置においては、製造時のばらつきにより分
割境界（例えば、図１の分割境界３）に沿って透過光強
度の変化ΔＴが生じても、図４のように分割境界付近の
全体において、画素の透過光強度がランダム又は分散し
て配置しているので、ΔＴは相対的に目立たなくなる。
この結果、分割境界に沿った透過光強度の変化が視認さ
れにくく、良好な表示特性が得られる。また、この発明
による実施の形態１によれば、ショットムラによる不良
品の発生がなくなるため、液晶表示装置の製造歩留りを
向上することができる。
の液晶表示装置においては、製造時のばらつきにより分
割境界（例えば、図１の分割境界３）に沿って透過光強
度の変化ΔＴが生じても、図４のように分割境界付近の
全体において、画素の透過光強度がランダム又は分散し
て配置しているので、ΔＴは相対的に目立たなくなる。
この結果、分割境界に沿った透過光強度の変化が視認さ
れにくく、良好な表示特性が得られる。また、この発明
による実施の形態１によれば、ショットムラによる不良
品の発生がなくなるため、液晶表示装置の製造歩留りを
向上することができる。
【００３９】なお、ここでは透過光強度ＴＦと透過光強
度ＴＡの幅（以下、透過光強度ばらつき幅と称す）を、
製造時最大ばらつき幅ΔＴｍａｘと同程度に設定してい
るが、大きくしても構わない。ただし、大きくしすぎる
と、表示画面がざらついたり、色調再現性が悪くなるな
ど表示特性が低下する可能性があるので、製造時最大ば
らつき幅ΔＴｍａｘの３倍以下にするのが望ましい。ま
た、透過光強度ばらつき幅（ＴＦ−ＴＡ）が製造時最大
ばらつき幅ΔＴｍａｘより小さい場合においても、同様
の効果を得ることができる。さらにまた、ここでは透過
光強度が異なる画素を６種類（ＴＡ乃至ＴＦ）用いてい
るが、何種類用いても構わない。但し、マスク作製作業
が煩雑になることや、マスク分解能の制約等から３０種
類程度までにすることが望ましい。
度ＴＡの幅（以下、透過光強度ばらつき幅と称す）を、
製造時最大ばらつき幅ΔＴｍａｘと同程度に設定してい
るが、大きくしても構わない。ただし、大きくしすぎる
と、表示画面がざらついたり、色調再現性が悪くなるな
ど表示特性が低下する可能性があるので、製造時最大ば
らつき幅ΔＴｍａｘの３倍以下にするのが望ましい。ま
た、透過光強度ばらつき幅（ＴＦ−ＴＡ）が製造時最大
ばらつき幅ΔＴｍａｘより小さい場合においても、同様
の効果を得ることができる。さらにまた、ここでは透過
光強度が異なる画素を６種類（ＴＡ乃至ＴＦ）用いてい
るが、何種類用いても構わない。但し、マスク作製作業
が煩雑になることや、マスク分解能の制約等から３０種
類程度までにすることが望ましい。
【００４０】異なる透過光強度を有する画素の構造につ
いては、実施の形態７にて別途説明する。
いては、実施の形態７にて別途説明する。
【００４１】実施の形態２．図５（ａ）は、この発明に
よる実施の形態２の液晶表示装置における画素配置を説
明する図である。図５（ａ）及び図１を通じて同一符号
は同一または相当部分を示すものとする。図５（ａ）に
おいて、１２は分割領域中央近傍の拡大図である。この
発明による実施の形態１においては、上述したように、
分割境界３付近において透過光強度の異なる画素Ａ乃至
Ｆをランダムに配置した。一方、この発明による実施の
形態２においては、分割領域１及び２全体について、透
過光強度の異なる画素Ａ乃至Ｆをランダムまたは分散し
て配置する。
よる実施の形態２の液晶表示装置における画素配置を説
明する図である。図５（ａ）及び図１を通じて同一符号
は同一または相当部分を示すものとする。図５（ａ）に
おいて、１２は分割領域中央近傍の拡大図である。この
発明による実施の形態１においては、上述したように、
分割境界３付近において透過光強度の異なる画素Ａ乃至
Ｆをランダムに配置した。一方、この発明による実施の
形態２においては、分割領域１及び２全体について、透
過光強度の異なる画素Ａ乃至Ｆをランダムまたは分散し
て配置する。
【００４２】図５（ｂ）は図５（ａ）に示したα−β間
における透過光強度の分布を示した図である。なお、図
１、図５（ａ）、図５（ｂ）を通じて同一符号は同一ま
たは相当部分を示すものとする。
における透過光強度の分布を示した図である。なお、図
１、図５（ａ）、図５（ｂ）を通じて同一符号は同一ま
たは相当部分を示すものとする。
【００４３】このように、この発明による実施の形態２
の液晶表示装置においては、製造時のばらつきにより分
割境界（例えば、図５の分割境界３）に沿って透過光強
度の変化ΔＴが生じても、図５（ｂ）のように分割境界
付近のみならず、分割領域１及び２の全体においても透
過光強度が変動しているために、ΔＴはさらに目立たな
くなる。この結果、分割境界に沿った透過光強度の変化
が視認されにくく、良好な表示特性が得られる。
の液晶表示装置においては、製造時のばらつきにより分
割境界（例えば、図５の分割境界３）に沿って透過光強
度の変化ΔＴが生じても、図５（ｂ）のように分割境界
付近のみならず、分割領域１及び２の全体においても透
過光強度が変動しているために、ΔＴはさらに目立たな
くなる。この結果、分割境界に沿った透過光強度の変化
が視認されにくく、良好な表示特性が得られる。
【００４４】実施の形態３．図６（ａ）は、この発明に
よる実施の形態３の液晶表示装置における画素配置を説
明する図である。図５（ａ）及び図６（ａ）を通じて同
一符号は同一または相当部分を示すものとする。この発
明による実施の形態２においては、上述したように、分
割境界３付近のみならず、分割領域１及び２の全体にお
いても透過光強度の異なる画素Ａ乃至Ｈをランダムに配
置した。一方、この発明による実施の形態３において
は、分割領域中央近傍の透過光強度の変動幅を小さくし
ている。例えば、図６（ａ）の分割境界付近４において
は透過光強度ＴＡ乃至ＴＨを有する画素Ａ乃至Ｈをラン
ダム又は非均一に配置し、分割領域中央近傍１２におい
ては透過光強度ＴＣ乃至ＴＦを有する画素Ｃ乃至Ｆをラ
ンダム又は非均一に配置する。尚、透過光強度ＴＡ乃至
ＴＨはＴＡ＜ＴＢ＜ＴＣ＜ＴＤ＜ＴＥ＜ＴＦ＜ＴＧ＜Ｔ
Ｈの関係を有する。また、分割領域内の所定の大きさの
領域について（例えば、図６（ａ）の３×３画素の領域
１３）、その領域における透過光強度の平均値が、分割
領域１、２における透過光強度の平均値Ｔ１、Ｔ２と略
等しくなるようになっている。
よる実施の形態３の液晶表示装置における画素配置を説
明する図である。図５（ａ）及び図６（ａ）を通じて同
一符号は同一または相当部分を示すものとする。この発
明による実施の形態２においては、上述したように、分
割境界３付近のみならず、分割領域１及び２の全体にお
いても透過光強度の異なる画素Ａ乃至Ｈをランダムに配
置した。一方、この発明による実施の形態３において
は、分割領域中央近傍の透過光強度の変動幅を小さくし
ている。例えば、図６（ａ）の分割境界付近４において
は透過光強度ＴＡ乃至ＴＨを有する画素Ａ乃至Ｈをラン
ダム又は非均一に配置し、分割領域中央近傍１２におい
ては透過光強度ＴＣ乃至ＴＦを有する画素Ｃ乃至Ｆをラ
ンダム又は非均一に配置する。尚、透過光強度ＴＡ乃至
ＴＨはＴＡ＜ＴＢ＜ＴＣ＜ＴＤ＜ＴＥ＜ＴＦ＜ＴＧ＜Ｔ
Ｈの関係を有する。また、分割領域内の所定の大きさの
領域について（例えば、図６（ａ）の３×３画素の領域
１３）、その領域における透過光強度の平均値が、分割
領域１、２における透過光強度の平均値Ｔ１、Ｔ２と略
等しくなるようになっている。
【００４５】図６（ｂ）は図６（ａ）に示したα−β間
における透過光強度の分布を示した図である。なお、図
１、図６（ａ）、図６（ｂ）を通じて同一符号は同一ま
たは相当部分を示すものとする。
における透過光強度の分布を示した図である。なお、図
１、図６（ａ）、図６（ｂ）を通じて同一符号は同一ま
たは相当部分を示すものとする。
【００４６】このように、この発明による実施の形態３
の液晶表示装置においては、製造時のばらつきにより分
割境界（例えば、図６の分割境界３）に沿って透過光強
度の変化ΔＴが生じても、分割領域１及び２の全体にお
いて透過光強度が変動しているために、ΔＴは目立たな
い。一方、分割境界の視認にあまり関与しない分割領域
中央近傍の透過光強度の変動幅を小さくできるので、表
示画面がざらついたり、色調再現性が悪くなるなど表示
特性の低下を防ぐことができる。
の液晶表示装置においては、製造時のばらつきにより分
割境界（例えば、図６の分割境界３）に沿って透過光強
度の変化ΔＴが生じても、分割領域１及び２の全体にお
いて透過光強度が変動しているために、ΔＴは目立たな
い。一方、分割境界の視認にあまり関与しない分割領域
中央近傍の透過光強度の変動幅を小さくできるので、表
示画面がざらついたり、色調再現性が悪くなるなど表示
特性の低下を防ぐことができる。
【００４７】なお、本実施の形態３では分割領域中央近
傍と分割露光境界付近で透過光強度の変動幅が異なって
いるが、これらの間で変動幅が急激に変化する場合、そ
れが境界として視認される可能性がある。このため、透
過光強度の変動幅は徐々に変化させることが望ましく、
例えば、平均の透過光強度との差が小さな画素から外側
に向かって段階的に配置していくとよい。また、分割境
界から１００画素以下の範囲で変化させるのが望まし
い。
傍と分割露光境界付近で透過光強度の変動幅が異なって
いるが、これらの間で変動幅が急激に変化する場合、そ
れが境界として視認される可能性がある。このため、透
過光強度の変動幅は徐々に変化させることが望ましく、
例えば、平均の透過光強度との差が小さな画素から外側
に向かって段階的に配置していくとよい。また、分割境
界から１００画素以下の範囲で変化させるのが望まし
い。
【００４８】実施の形態４．図７（ａ）は、この発明に
よる実施の形態４の液晶表示装置における画素配置を説
明する図である。図６（ａ）及び図７（ａ）を通じて同
一符号は同一または相当部分を示すものとする。図７に
おいて、画素Ｓは透過光強度ＴＳを有し、ＴＳはＴ１及
び／又はＴ２と略等しいとともに、ＴＡ＜ＴＢ＜ＴＣ＜
ＴＳ＜ＴＤ＜ＴＥ＜ＴＦの関係があるとする。また、分
割領域の大部分に透過光強度が画素全体の平均的値（例
えば、分割領域１の大部分に透過光強度の平均値Ｔ１）
である標準画素Ｓを配置し、分割境界付近に、透過光強
度の異なる複数の画素Ａ乃至Ｆを配置している。
よる実施の形態４の液晶表示装置における画素配置を説
明する図である。図６（ａ）及び図７（ａ）を通じて同
一符号は同一または相当部分を示すものとする。図７に
おいて、画素Ｓは透過光強度ＴＳを有し、ＴＳはＴ１及
び／又はＴ２と略等しいとともに、ＴＡ＜ＴＢ＜ＴＣ＜
ＴＳ＜ＴＤ＜ＴＥ＜ＴＦの関係があるとする。また、分
割領域の大部分に透過光強度が画素全体の平均的値（例
えば、分割領域１の大部分に透過光強度の平均値Ｔ１）
である標準画素Ｓを配置し、分割境界付近に、透過光強
度の異なる複数の画素Ａ乃至Ｆを配置している。
【００４９】図７（ｂ）は図７（ａ）に示したα−β間
における透過光強度の分布を示した図である。なお、図
１、図７（ａ）、図７（ｂ）を通じて同一符号は同一ま
たは相当部分を示すものとする。
における透過光強度の分布を示した図である。なお、図
１、図７（ａ）、図７（ｂ）を通じて同一符号は同一ま
たは相当部分を示すものとする。
【００５０】このように、この発明による実施の形態４
の液晶表示装置においては、分割境界の視認にあまり関
与しない分割領域中央近傍の透過光強度の変動幅をなる
べく小さくできるので、表示画面がざらついたり、色調
再現性が悪くなるなど表示特性の低下を防ぐ効果が大き
い。
の液晶表示装置においては、分割境界の視認にあまり関
与しない分割領域中央近傍の透過光強度の変動幅をなる
べく小さくできるので、表示画面がざらついたり、色調
再現性が悪くなるなど表示特性の低下を防ぐ効果が大き
い。
【００５１】実施の形態５．図８は、この発明による実
施の形態５の液晶表示装置における画素配置を説明する
図である。図７（ａ）及び図８を通じて同一符号は同一
または相当部分を示すものとする。図８においては、分
割境界と隣接する画素列又は画素行にのみ、透過光強度
が異なる複数の画素を配置している。その他の画素には
標準画素Ｓを配置する。なお、図８において、画素Ａ乃
至Ｄ及びＳの透過光強度は、ＴＡ＜ＴＢ＜ＴＳ＜ＴＣ＜
ＴＤの関係を有する。ここで、透過光強度ばらつき幅
（ＴＤ−ＴＡ）は、製造時最大ばらつき幅ΔＴｍａｘと
同等またはそれ以上に設計するとよい。また、本実施の
形態５では標準画素と透過光強度の異なる画素４種類を
用いているが、何種類用いても構わない。さらにまた、
分割露光境界に沿って並べる画素に、標準画素があって
も構わない。
施の形態５の液晶表示装置における画素配置を説明する
図である。図７（ａ）及び図８を通じて同一符号は同一
または相当部分を示すものとする。図８においては、分
割境界と隣接する画素列又は画素行にのみ、透過光強度
が異なる複数の画素を配置している。その他の画素には
標準画素Ｓを配置する。なお、図８において、画素Ａ乃
至Ｄ及びＳの透過光強度は、ＴＡ＜ＴＢ＜ＴＳ＜ＴＣ＜
ＴＤの関係を有する。ここで、透過光強度ばらつき幅
（ＴＤ−ＴＡ）は、製造時最大ばらつき幅ΔＴｍａｘと
同等またはそれ以上に設計するとよい。また、本実施の
形態５では標準画素と透過光強度の異なる画素４種類を
用いているが、何種類用いても構わない。さらにまた、
分割露光境界に沿って並べる画素に、標準画素があって
も構わない。
【００５２】このように、この発明による実施の形態５
の液晶表示装置においては、透過光強度の異なる画素を
配置するのは分割露光領域の最も縁部の画素行および画
素列のみであるため、マスク設計が容易であるという利
点を持つ。また、分割露光境界を挟んで隣合う画素の平
均の透過光強度が標準画素の透過光強度と等しくなるよ
うに設定することにより、容易に分割境界での透過光強
度の変化を目立ちにくくできる。
の液晶表示装置においては、透過光強度の異なる画素を
配置するのは分割露光領域の最も縁部の画素行および画
素列のみであるため、マスク設計が容易であるという利
点を持つ。また、分割露光境界を挟んで隣合う画素の平
均の透過光強度が標準画素の透過光強度と等しくなるよ
うに設定することにより、容易に分割境界での透過光強
度の変化を目立ちにくくできる。
【００５３】実施の形態６．以上、実施の形態１乃至５
においては、一画素単位の透過光強度を考えた。図９
は、この発明による実施の形態６の液晶表示装置の一例
を説明する図である。図８及び図９を通じて同一符号は
同一または相当部分を示すものとする。図９において
は、ＲＧＢ等の三画素からなる一絵素単位で透過光強度
を変化させるようにしている。ここでは、分割境界と隣
接する画素列又は画素行にのみ、透過光強度が異なる画
素を絵素単位で配置している。その他には標準画素Ｓを
配置している。図８において、画素Ａ乃至Ｄ及びＳの透
過光強度は、ＴＡ＜ＴＢ＜ＴＳ＜ＴＣ＜ＴＤの関係を有
する。
においては、一画素単位の透過光強度を考えた。図９
は、この発明による実施の形態６の液晶表示装置の一例
を説明する図である。図８及び図９を通じて同一符号は
同一または相当部分を示すものとする。図９において
は、ＲＧＢ等の三画素からなる一絵素単位で透過光強度
を変化させるようにしている。ここでは、分割境界と隣
接する画素列又は画素行にのみ、透過光強度が異なる画
素を絵素単位で配置している。その他には標準画素Ｓを
配置している。図８において、画素Ａ乃至Ｄ及びＳの透
過光強度は、ＴＡ＜ＴＢ＜ＴＳ＜ＴＣ＜ＴＤの関係を有
する。
【００５４】本実施の形態６によれば、透過光強度が一
絵素単位で変化するため、表示に用いられる色調に変化
がなく、かつ、分割露光境界の視認されない表示装置が
得られる。なお、２〜１００個の絵素をまとめたブロッ
ク単位で透過光強度を変化させても同様の効果が得ら
れ、かつ、設計が容易になるという利点がある。
絵素単位で変化するため、表示に用いられる色調に変化
がなく、かつ、分割露光境界の視認されない表示装置が
得られる。なお、２〜１００個の絵素をまとめたブロッ
ク単位で透過光強度を変化させても同様の効果が得ら
れ、かつ、設計が容易になるという利点がある。
【００５５】実施の形態７．以上、実施の形態１乃至６
においては、異なる透過光強度の画素又は絵素の配置に
ついて示した。以下、異なる透過光強度を有する画素の
構造の一例を示す。図１０は、たとえば実施の形態７の
液晶表示装置の画素を示す平面図であり、１５はゲート
電極、２１はソース電極、２２はドレイン電極、２３は
保持容量電極、１７はｉ型アモルファスシリコン膜、１
９は画素電極、２０はゲート電極１５とソース電極２１
およびドレイン電極２２の接続に用いるコンタクトホー
ル（以下、ドレインコンタクト部と称す）である。この
ドレインコンタクト部の幅Ｗｄｃを変化させることによ
って、異なる透過光強度の画素を実現できる。例えば図
６（ａ）の画素Ａ乃至Ｆにおいては、夫々の画素の図１
０のドレインコンタクト部２０の幅をＷｄｃＡ乃至Ｗｄ
ｃＦを、ＷｄｃＡ＜ＷｄｃＢ＜ＷｄｃＣ＜ＷｄｃＤ＜Ｗ
ｄｃＥ＜ＷｄｃＦとすることにより、透過光強度ＴＡ＜
ＴＢ＜ＴＣ＜ＴＤ＜ＴＥ＜ＴＦが実現できる。
においては、異なる透過光強度の画素又は絵素の配置に
ついて示した。以下、異なる透過光強度を有する画素の
構造の一例を示す。図１０は、たとえば実施の形態７の
液晶表示装置の画素を示す平面図であり、１５はゲート
電極、２１はソース電極、２２はドレイン電極、２３は
保持容量電極、１７はｉ型アモルファスシリコン膜、１
９は画素電極、２０はゲート電極１５とソース電極２１
およびドレイン電極２２の接続に用いるコンタクトホー
ル（以下、ドレインコンタクト部と称す）である。この
ドレインコンタクト部の幅Ｗｄｃを変化させることによ
って、異なる透過光強度の画素を実現できる。例えば図
６（ａ）の画素Ａ乃至Ｆにおいては、夫々の画素の図１
０のドレインコンタクト部２０の幅をＷｄｃＡ乃至Ｗｄ
ｃＦを、ＷｄｃＡ＜ＷｄｃＢ＜ＷｄｃＣ＜ＷｄｃＤ＜Ｗ
ｄｃＥ＜ＷｄｃＦとすることにより、透過光強度ＴＡ＜
ＴＢ＜ＴＣ＜ＴＤ＜ＴＥ＜ＴＦが実現できる。
【００５６】さらに詳しくは、ドレインコンタクト部２
０の幅Ｗｄｃが変化することにより図１７の寄生容量
（Ｃｇｄ）３３が変化する。画素ごとに寄生容量（Ｃｇ
ｄ）のみが異なるので、液晶に加わる電圧が変化し、従
来の技術で既に説明したように、実効的な透過光強度が
変化する。これらの画素を実施の形態３に適用すること
により、分割露光境界が視認されない液晶表示装置を構
成することができる。また、本実施の形態７ではドレイ
ンコンタクト幅Ｗｄｃのみを変化させているため、１レ
イヤーのマスク変更のみで実施できるのでマスク設計が
容易であり、かつ、従来の製造方法のまま又は少しの変
更のみで該液晶表示装置を簡単に製造できるという利点
を持つ。なお、本実施の形態７では、図１７の寄生容量
（Ｃｇｄ）を変化させるためにドレインコンタクト幅Ｗ
ｄｃを変化させているが、図１０のドレインコンタクト
長Ｌｄｃを変化させる、あるいはドレインコンタクト幅
Ｗｄｃ、ドレインコンタクト長Ｌｄｃの両方を変化させ
ても同様の効果が得られる。
０の幅Ｗｄｃが変化することにより図１７の寄生容量
（Ｃｇｄ）３３が変化する。画素ごとに寄生容量（Ｃｇ
ｄ）のみが異なるので、液晶に加わる電圧が変化し、従
来の技術で既に説明したように、実効的な透過光強度が
変化する。これらの画素を実施の形態３に適用すること
により、分割露光境界が視認されない液晶表示装置を構
成することができる。また、本実施の形態７ではドレイ
ンコンタクト幅Ｗｄｃのみを変化させているため、１レ
イヤーのマスク変更のみで実施できるのでマスク設計が
容易であり、かつ、従来の製造方法のまま又は少しの変
更のみで該液晶表示装置を簡単に製造できるという利点
を持つ。なお、本実施の形態７では、図１７の寄生容量
（Ｃｇｄ）を変化させるためにドレインコンタクト幅Ｗ
ｄｃを変化させているが、図１０のドレインコンタクト
長Ｌｄｃを変化させる、あるいはドレインコンタクト幅
Ｗｄｃ、ドレインコンタクト長Ｌｄｃの両方を変化させ
ても同様の効果が得られる。
【００５７】実施の形態８．実施の形態７では透過光強
度を変化させるため、図１７の寄生容量（Ｃｇｄ）を変
化させたが、本実施の形態７では図１７の保持容量（Ｃ
ｓｔ）を変化させている。図１１は、例えば実施の形態
８に用いられる画素Ａ乃至Ｆの構造を説明するための平
面図であり、１９は画素電極、２１はソース配線、２３
は保持容量電極を兼ねた共通配線、３９は共通配線２３
と画素電極１９が重なる部分であり保持容量（Ｃｓｔ）
部である。画素Ａ乃至Ｆの保持容量部の幅Ｗ１を、Ｗ１
Ａ＜Ｗ１Ｂ＜Ｗ１Ｃ＜Ｗ１Ｄ＜Ｗ１Ｅ＜Ｗ１Ｆとするこ
とにより、透過光強度ＴＡ乃至ＴＦをＴＡ＜ＴＢ＜ＴＣ
＜ＴＤ＜ＴＥ＜ＴＦとすることができる。
度を変化させるため、図１７の寄生容量（Ｃｇｄ）を変
化させたが、本実施の形態７では図１７の保持容量（Ｃ
ｓｔ）を変化させている。図１１は、例えば実施の形態
８に用いられる画素Ａ乃至Ｆの構造を説明するための平
面図であり、１９は画素電極、２１はソース配線、２３
は保持容量電極を兼ねた共通配線、３９は共通配線２３
と画素電極１９が重なる部分であり保持容量（Ｃｓｔ）
部である。画素Ａ乃至Ｆの保持容量部の幅Ｗ１を、Ｗ１
Ａ＜Ｗ１Ｂ＜Ｗ１Ｃ＜Ｗ１Ｄ＜Ｗ１Ｅ＜Ｗ１Ｆとするこ
とにより、透過光強度ＴＡ乃至ＴＦをＴＡ＜ＴＢ＜ＴＣ
＜ＴＤ＜ＴＥ＜ＴＦとすることができる。
【００５８】本実施の形態８によれば、画素Ａ乃至Ｆに
おいて図１７の保持容量（Ｃｓｔ）のみが変化すること
により、液晶に加わる電圧が変化し、従来の技術で既に
説明したように、実効的な透過光強度が変化する。これ
らの画素を実施の形態３に適用することにより、分割露
光境界が視認されない液晶表示装置を構成することがで
きる。また、本実施の形態８では保持容量部の幅Ｗ１の
みを変化させているため、１レイヤーのマスク変更のみ
で実施できるのでマスク設計が容易であり、かつ、従来
の製造方法で上記液晶表示装置を作製できるという利点
を持つ。なお、本実施の形態８では、保持容量（Ｃｓ
ｔ）を変化させるために保持容量部の幅Ｗ１のみを変化
させているが、保持容量部の幅Ｗ２を変化させたり、保
持容量部の幅Ｗ１、保持容量部の幅Ｗ２の両方を変化さ
せても同様の効果が得られる。また、実施の形態７で示
した寄生容量（Ｃｇｄ）を変化させる手段と組み合わせ
てもよい。
おいて図１７の保持容量（Ｃｓｔ）のみが変化すること
により、液晶に加わる電圧が変化し、従来の技術で既に
説明したように、実効的な透過光強度が変化する。これ
らの画素を実施の形態３に適用することにより、分割露
光境界が視認されない液晶表示装置を構成することがで
きる。また、本実施の形態８では保持容量部の幅Ｗ１の
みを変化させているため、１レイヤーのマスク変更のみ
で実施できるのでマスク設計が容易であり、かつ、従来
の製造方法で上記液晶表示装置を作製できるという利点
を持つ。なお、本実施の形態８では、保持容量（Ｃｓ
ｔ）を変化させるために保持容量部の幅Ｗ１のみを変化
させているが、保持容量部の幅Ｗ２を変化させたり、保
持容量部の幅Ｗ１、保持容量部の幅Ｗ２の両方を変化さ
せても同様の効果が得られる。また、実施の形態７で示
した寄生容量（Ｃｇｄ）を変化させる手段と組み合わせ
てもよい。
【００５９】実施の形態９．実施の形態７、８では透過
光強度を変化させるため、寄生容量（Ｃｇｄ）や保持容
量（Ｃｓｔ）を変化させたが、本実施の形態では画素の
透過率を変化させる。図１２は、例えば実施の形態３に
用いられる画素Ａ乃至Ｆの構造を説明するための平面図
であり、１５はゲート電極、１７はｉ型アモルファスシ
リコン膜、２１はソース電極、１９は画素電極、２２は
ドレイン電極、２３は保持容量電極を兼ねた共通配線で
ある。画素Ａ乃至Ｆの画素電極１９と共通配線２３とソ
ース配線２２の関係における開口部の面積ＷＷ（Ｗ１×
Ｗ２）は、Ｗ１やＷ２などを変化させることにより、Ｗ
ＷＡ＜ＷＷＢ＜ＷＷＣ＜ＷＷＤ＜ＷＷＥ＜ＷＷＦとなっ
ている。
光強度を変化させるため、寄生容量（Ｃｇｄ）や保持容
量（Ｃｓｔ）を変化させたが、本実施の形態では画素の
透過率を変化させる。図１２は、例えば実施の形態３に
用いられる画素Ａ乃至Ｆの構造を説明するための平面図
であり、１５はゲート電極、１７はｉ型アモルファスシ
リコン膜、２１はソース電極、１９は画素電極、２２は
ドレイン電極、２３は保持容量電極を兼ねた共通配線で
ある。画素Ａ乃至Ｆの画素電極１９と共通配線２３とソ
ース配線２２の関係における開口部の面積ＷＷ（Ｗ１×
Ｗ２）は、Ｗ１やＷ２などを変化させることにより、Ｗ
ＷＡ＜ＷＷＢ＜ＷＷＣ＜ＷＷＤ＜ＷＷＥ＜ＷＷＦとなっ
ている。
【００６０】本実施の形態９によれば、画素Ａ乃至Ｆの
透過率が変化することにより透過光強度が変化する。こ
れらの画素を実施の形態９に適用することにより、分割
露光境界が視認されない液晶表示装置を容易に構成する
ことができる。また、本実施の形態では画素の透過光強
度を変化させる方法として、画素の透過率を変化させて
いるが、実施の形態７又は８で用いた保持容量（Ｃｓ
ｔ）又は寄生容量（Ｃｇｄ）を変化させる手段と組み合
わせてもよい。
透過率が変化することにより透過光強度が変化する。こ
れらの画素を実施の形態９に適用することにより、分割
露光境界が視認されない液晶表示装置を容易に構成する
ことができる。また、本実施の形態では画素の透過光強
度を変化させる方法として、画素の透過率を変化させて
いるが、実施の形態７又は８で用いた保持容量（Ｃｓ
ｔ）又は寄生容量（Ｃｇｄ）を変化させる手段と組み合
わせてもよい。
【００６１】実施の形態１０．実施の形態９では透過光
強度を変化させるため、図１２の画素電極１９と共通配
線２３とドレイン電極２２の関係から得られる開口部の
面積ＷＷを変化させたが、本実施の形態ではブラックマ
スクの開口率を変化させる。図１３は、例えば実施の形
態１０に用いられる画素Ａ乃至Ｆの構造を説明するため
の平面図であり、１５はゲート電極、２１はソース電
極、１９は画素電極、２２はドレイン電極、２３は保持
容量電極を兼ねた共通配線、２９は対向基板上に作成さ
れたブラックマスクである。画素Ａ乃至Ｆのブラックマ
スクの開口部の面積ＢＷは、図１３のＷ１やＷ２などを
変化させることにより、ＢＷＡ＜ＢＷＢ＜ＢＷＣ＜ＢＷ
Ｄ＜ＢＷＥ＜ＢＷＦとなっている。
強度を変化させるため、図１２の画素電極１９と共通配
線２３とドレイン電極２２の関係から得られる開口部の
面積ＷＷを変化させたが、本実施の形態ではブラックマ
スクの開口率を変化させる。図１３は、例えば実施の形
態１０に用いられる画素Ａ乃至Ｆの構造を説明するため
の平面図であり、１５はゲート電極、２１はソース電
極、１９は画素電極、２２はドレイン電極、２３は保持
容量電極を兼ねた共通配線、２９は対向基板上に作成さ
れたブラックマスクである。画素Ａ乃至Ｆのブラックマ
スクの開口部の面積ＢＷは、図１３のＷ１やＷ２などを
変化させることにより、ＢＷＡ＜ＢＷＢ＜ＢＷＣ＜ＢＷ
Ｄ＜ＢＷＥ＜ＢＷＦとなっている。
【００６２】本実施の形態１０によれば、画素Ａ乃至Ｆ
のブラックマスクの開口率が変化することにより透過光
強度が変化する。これらの画素を実施の形態３に適用す
ることにより、分割露光境界が視認されない液晶表示装
置を容易に構成することができる。
のブラックマスクの開口率が変化することにより透過光
強度が変化する。これらの画素を実施の形態３に適用す
ることにより、分割露光境界が視認されない液晶表示装
置を容易に構成することができる。
【００６３】
【発明の効果】この発明は、以上説明したように構成さ
れているので、以下に示すような効果を奏する。この発
明に係る液晶表示装置においては、基板と、前記基板上
に分散して配置された透過光の強度が異なる二種類以上
の画素とを備えたので、製造誤差による透過光強度の変
化が視認されにくく、良好な表示特性をもつ液晶表示装
置を得ることができる。
れているので、以下に示すような効果を奏する。この発
明に係る液晶表示装置においては、基板と、前記基板上
に分散して配置された透過光の強度が異なる二種類以上
の画素とを備えたので、製造誤差による透過光強度の変
化が視認されにくく、良好な表示特性をもつ液晶表示装
置を得ることができる。
【００６４】また、この発明に係る液晶表示装置におい
ては、分割露光方式により製造されるとともに、基板
と、前記基板上に分散して配置された透過光の強度が異
なる二種類以上の画素とを備えたので、分割境界に沿っ
た透過光強度の変化が視認されにくく、良好な表示特性
をもつ液晶表示装置を得ることができる。
ては、分割露光方式により製造されるとともに、基板
と、前記基板上に分散して配置された透過光の強度が異
なる二種類以上の画素とを備えたので、分割境界に沿っ
た透過光強度の変化が視認されにくく、良好な表示特性
をもつ液晶表示装置を得ることができる。
【００６５】また、この発明に係る液晶表示装置におい
ては、透過光の強度が異なる二種類以上の画素はランダ
ムに配置されるので、製造誤差による透過光強度の変化
がとくに視認されにくく、良好な表示特性をもつ液晶表
示装置を得ることができる。
ては、透過光の強度が異なる二種類以上の画素はランダ
ムに配置されるので、製造誤差による透過光強度の変化
がとくに視認されにくく、良好な表示特性をもつ液晶表
示装置を得ることができる。
【００６６】また、この発明に係る液晶表示装置におい
ては、互いに隣接する分割露光領域の透過光の強度の平
均が略等しいので、分割境界に沿った透過光強度の変化
が視認されにくく、全体的に良好な表示特性をもつ液晶
表示装置を得ることができる。
ては、互いに隣接する分割露光領域の透過光の強度の平
均が略等しいので、分割境界に沿った透過光強度の変化
が視認されにくく、全体的に良好な表示特性をもつ液晶
表示装置を得ることができる。
【００６７】また、この発明に係る液晶表示装置におい
ては、分割露光領域の透過光の強度の平均と、該分割露
光領域内の所定の大きさの領域における透過光の強度の
平均が略等しいので、製造誤差による透過光強度の変化
がとくに視認されにくく、また全体的に良好な表示特性
をもつ液晶表示装置を得ることができる。
ては、分割露光領域の透過光の強度の平均と、該分割露
光領域内の所定の大きさの領域における透過光の強度の
平均が略等しいので、製造誤差による透過光強度の変化
がとくに視認されにくく、また全体的に良好な表示特性
をもつ液晶表示装置を得ることができる。
【００６８】また、この発明に係る液晶表示装置におい
ては、分割露光領域の画素の透過光の強度のばらつきの
幅が、製造誤差によって生じる透過光の強度のばらつき
の幅と略等しいので、全体的な画面の見やすさをあまり
悪化させることなく、製造誤差による透過光強度の変化
が視認されにくい液晶表示装置を得ることができる。
ては、分割露光領域の画素の透過光の強度のばらつきの
幅が、製造誤差によって生じる透過光の強度のばらつき
の幅と略等しいので、全体的な画面の見やすさをあまり
悪化させることなく、製造誤差による透過光強度の変化
が視認されにくい液晶表示装置を得ることができる。
【００６９】また、この発明に係る液晶表示装置におい
ては、透過光の強度が異なる二種類以上の画素は分割露
光領域の縁部近傍に配置されたので、製造誤差による透
過光強度の変化が視認されにくい液晶表示装置を得るこ
とができる。
ては、透過光の強度が異なる二種類以上の画素は分割露
光領域の縁部近傍に配置されたので、製造誤差による透
過光強度の変化が視認されにくい液晶表示装置を得るこ
とができる。
【００７０】また、この発明に係る液晶表示装置におい
ては、透過光の強度が異なる二種類以上の画素は分割露
光領域の略全体に配置されたので、製造誤差による透過
光強度の変化が視認されにくい効果が大きい液晶表示装
置を得ることができる。
ては、透過光の強度が異なる二種類以上の画素は分割露
光領域の略全体に配置されたので、製造誤差による透過
光強度の変化が視認されにくい効果が大きい液晶表示装
置を得ることができる。
【００７１】また、この発明に係る液晶表示装置におい
ては、分割露光領域の縁部近傍の画素の透過光の強度の
ばらつきの幅が、分割露光領域の中央近傍の画素の透過
光の強度のばらつきの幅より大きいので、製造誤差によ
る透過光強度の変化が視認されにくいと同時に、分割境
界の視認にあまり関与しない分割領域中央近傍の透過光
強度の変動幅を小さくできるので、表示画面がざらつい
たり、色調再現性が悪くなるなど表示特性の低下を防ぐ
ことができる液晶表示装置を得ることができる。
ては、分割露光領域の縁部近傍の画素の透過光の強度の
ばらつきの幅が、分割露光領域の中央近傍の画素の透過
光の強度のばらつきの幅より大きいので、製造誤差によ
る透過光強度の変化が視認されにくいと同時に、分割境
界の視認にあまり関与しない分割領域中央近傍の透過光
強度の変動幅を小さくできるので、表示画面がざらつい
たり、色調再現性が悪くなるなど表示特性の低下を防ぐ
ことができる液晶表示装置を得ることができる。
【００７２】また、この発明に係る液晶表示装置におい
ては、分割露光領域の縁部近傍から分割露光領域の中央
近傍に近づくにつれて、画素の透過光の強度のばらつき
の幅が小さくなるので、製造誤差による透過光強度の変
化が視認されにくいと同時に、分割境界の視認にあまり
関与しない分割領域中央近傍の透過光強度の変動幅を小
さくできるので、表示画面がざらついたり、色調再現性
が悪くなるなど表示特性の低下を防ぐことができ、ま
た、分割領域中央近傍と分割領域縁部近傍の間の透過光
の強度の変化が視認されにくい液晶表示装置を得ること
ができる。
ては、分割露光領域の縁部近傍から分割露光領域の中央
近傍に近づくにつれて、画素の透過光の強度のばらつき
の幅が小さくなるので、製造誤差による透過光強度の変
化が視認されにくいと同時に、分割境界の視認にあまり
関与しない分割領域中央近傍の透過光強度の変動幅を小
さくできるので、表示画面がざらついたり、色調再現性
が悪くなるなど表示特性の低下を防ぐことができ、ま
た、分割領域中央近傍と分割領域縁部近傍の間の透過光
の強度の変化が視認されにくい液晶表示装置を得ること
ができる。
【００７３】また、この発明に係る液晶表示装置におい
ては、分割露光領域の中央近傍には、該分割露光領域の
透過光の強度の平均と略等しい透過光の強度を有する画
素を配置したので、分割境界の視認にあまり関与しない
分割領域中央近傍の透過光強度の変動幅を小さくできる
ので、表示画面がざらついたり、色調再現性が悪くなる
など表示特性の低下を防ぐことができ、さらに、設計が
簡単である液晶表示装置を得ることができる。
ては、分割露光領域の中央近傍には、該分割露光領域の
透過光の強度の平均と略等しい透過光の強度を有する画
素を配置したので、分割境界の視認にあまり関与しない
分割領域中央近傍の透過光強度の変動幅を小さくできる
ので、表示画面がざらついたり、色調再現性が悪くなる
など表示特性の低下を防ぐことができ、さらに、設計が
簡単である液晶表示装置を得ることができる。
【００７４】また、この発明に係る液晶表示装置におい
ては、分割露光領域境界に接する一画素列及び／又は一
画素行には、透過光の強度が異なる二種類以上の画素を
配置するとともに、前記画素以外は、該分割露光領域の
透過光の強度の平均と略等しい透過光の強度を有する画
素を配置するので、分割境界の視認にあまり関与しない
分割領域中央近傍の透過光強度の変動幅を小さくできる
ので、表示画面がざらついたり、色調再現性が悪くなる
など表示特性の低下を防ぐことができる液晶表示装置を
得ることができ、さらに、とくに設計が簡単である液晶
表示装置を得ることができる。
ては、分割露光領域境界に接する一画素列及び／又は一
画素行には、透過光の強度が異なる二種類以上の画素を
配置するとともに、前記画素以外は、該分割露光領域の
透過光の強度の平均と略等しい透過光の強度を有する画
素を配置するので、分割境界の視認にあまり関与しない
分割領域中央近傍の透過光強度の変動幅を小さくできる
ので、表示画面がざらついたり、色調再現性が悪くなる
など表示特性の低下を防ぐことができる液晶表示装置を
得ることができ、さらに、とくに設計が簡単である液晶
表示装置を得ることができる。
【００７５】また、この発明に係る液晶表示装置におい
ては、画素は、画素電極と、該画素電極の電圧を各別に
制御する薄膜トランジスタとを有し、前記薄膜トランジ
スタのゲート電極と前記薄膜トランジスタのソース電極
又はドレイン電極の間の電気的容量を変化させることに
よって透過光の強度が変えられるので、簡単に透過光の
強度が異なる画素をもつ液晶表示装置を得ることができ
る。
ては、画素は、画素電極と、該画素電極の電圧を各別に
制御する薄膜トランジスタとを有し、前記薄膜トランジ
スタのゲート電極と前記薄膜トランジスタのソース電極
又はドレイン電極の間の電気的容量を変化させることに
よって透過光の強度が変えられるので、簡単に透過光の
強度が異なる画素をもつ液晶表示装置を得ることができ
る。
【００７６】また、この発明に係る液晶表示装置におい
ては、画素は、画素電極と、該画素電極との間に絶縁膜
をはさんで形成された共通配線を有し、前記画素電極と
前記共通配線の間の電気的容量を変化させることによっ
て透過光の強度が変えられるので、簡単に透過光の強度
が異なる画素をもつ液晶表示装置を得ることができる。
ては、画素は、画素電極と、該画素電極との間に絶縁膜
をはさんで形成された共通配線を有し、前記画素電極と
前記共通配線の間の電気的容量を変化させることによっ
て透過光の強度が変えられるので、簡単に透過光の強度
が異なる画素をもつ液晶表示装置を得ることができる。
【００７７】また、この発明に係る液晶表示装置におい
ては、画素は、画素電極と、該画素電極との間に絶縁膜
をはさんで形成された共通配線と、前記画素電極と一部
重合して形成されたドレイン電極とを有し、前記画素電
極と前記共通配線又は前記ドレイン電極が重なる面積を
変化させることによって透過光の強度が変えられるの
で、簡単に透過光の強度が異なる画素をもつ液晶表示装
置を得ることができる。
ては、画素は、画素電極と、該画素電極との間に絶縁膜
をはさんで形成された共通配線と、前記画素電極と一部
重合して形成されたドレイン電極とを有し、前記画素電
極と前記共通配線又は前記ドレイン電極が重なる面積を
変化させることによって透過光の強度が変えられるの
で、簡単に透過光の強度が異なる画素をもつ液晶表示装
置を得ることができる。
【００７８】また、この発明に係る液晶表示装置におい
ては、画素は、画素電極と、該画素電極と一部が重なる
ように形成されたブラックマスクとを有し、前記画素電
極と前記ブラックマスクが重なる面積を変化させること
によって透過光の強度が変えられるので、簡単に透過光
の強度が異なる画素をもつ液晶表示装置を得ることがで
きる。
ては、画素は、画素電極と、該画素電極と一部が重なる
ように形成されたブラックマスクとを有し、前記画素電
極と前記ブラックマスクが重なる面積を変化させること
によって透過光の強度が変えられるので、簡単に透過光
の強度が異なる画素をもつ液晶表示装置を得ることがで
きる。
【００７９】また、この発明に係る液晶表示装置におい
ては、画素は、略同じ透過光の強度を有する複数の画素
からなる絵素であるので、透過光強度が一絵素単位で変
化するため、表示に用いられる色調に変化がなく、か
つ、分割露光境界の視認されない液晶表示装置を得るこ
とができる。
ては、画素は、略同じ透過光の強度を有する複数の画素
からなる絵素であるので、透過光強度が一絵素単位で変
化するため、表示に用いられる色調に変化がなく、か
つ、分割露光境界の視認されない液晶表示装置を得るこ
とができる。
【００８０】さらにまた、この発明に係る液晶表示装置
の製造方法においては、基板と、前記基板上に形成さ
れ、画素電極と、該画素電極との間に絶縁膜をはさんで
形成された共通配線と、前記画素電極と一部重合して形
成されたドレイン電極と、前記画素電極と一部が重なる
ように形成されたブラックマスクとを有する画素を備え
た液晶表示装置の製造方法において、前記画素電極と前
記共通配線又は前記ドレイン電極が重なる面積、又は、
前記画素電極と前記ブラックマスクが重なる面積が二種
類以上となるようなマスクを用いることにより、前記基
板上に透過光の強度が異なる二種類以上の画素を形成す
るようにしたので、製造誤差による透過光強度の変化が
視認されにくい液晶表示装置の製造方法を得ることがで
きる。
の製造方法においては、基板と、前記基板上に形成さ
れ、画素電極と、該画素電極との間に絶縁膜をはさんで
形成された共通配線と、前記画素電極と一部重合して形
成されたドレイン電極と、前記画素電極と一部が重なる
ように形成されたブラックマスクとを有する画素を備え
た液晶表示装置の製造方法において、前記画素電極と前
記共通配線又は前記ドレイン電極が重なる面積、又は、
前記画素電極と前記ブラックマスクが重なる面積が二種
類以上となるようなマスクを用いることにより、前記基
板上に透過光の強度が異なる二種類以上の画素を形成す
るようにしたので、製造誤差による透過光強度の変化が
視認されにくい液晶表示装置の製造方法を得ることがで
きる。
【図１】 この発明による実施の形態１の液晶表示装置
又はＴＦＴ−ＬＣＤの画素部を説明する図である。
又はＴＦＴ−ＬＣＤの画素部を説明する図である。
【図２】 この発明による実施の形態１の液晶表示装置
又はＴＦＴ−ＬＣＤの特徴を説明するための図である。
又はＴＦＴ−ＬＣＤの特徴を説明するための図である。
【図３】 この発明による実施の形態１の液晶表示装置
又はＴＦＴ−ＬＣＤの特徴を説明するための図である。
又はＴＦＴ−ＬＣＤの特徴を説明するための図である。
【図４】 この発明による実施の形態１の液晶表示装置
又はＴＦＴ−ＬＣＤの画素の透過光強度の分布を示した
図である。
又はＴＦＴ−ＬＣＤの画素の透過光強度の分布を示した
図である。
【図５】 この発明による実施の形態２の液晶表示装置
又はＴＦＴ−ＬＣＤの画素部を説明する図である。
又はＴＦＴ−ＬＣＤの画素部を説明する図である。
【図６】 この発明による実施の形態３の液晶表示装置
又はＴＦＴ−ＬＣＤの画素部を説明する図である。
又はＴＦＴ−ＬＣＤの画素部を説明する図である。
【図７】 この発明による実施の形態４の液晶表示装置
又はＴＦＴ−ＬＣＤの画素部を説明する図である。
又はＴＦＴ−ＬＣＤの画素部を説明する図である。
【図８】 この発明による実施の形態５の液晶表示装置
又はＴＦＴ−ＬＣＤの画素部を説明する図である。
又はＴＦＴ−ＬＣＤの画素部を説明する図である。
【図９】 この発明による実施の形態６の液晶表示装置
又はＴＦＴ−ＬＣＤの画素部又は絵素部を説明する図で
ある。
又はＴＦＴ−ＬＣＤの画素部又は絵素部を説明する図で
ある。
【図１０】 この発明による実施の形態７の液晶表示装
置又はＴＦＴ−ＬＣＤの画素部の構造の一例を説明する
図である。
置又はＴＦＴ−ＬＣＤの画素部の構造の一例を説明する
図である。
【図１１】 この発明による実施の形態８の液晶表示装
置又はＴＦＴ−ＬＣＤの画素部の構造の一例を説明する
図である。
置又はＴＦＴ−ＬＣＤの画素部の構造の一例を説明する
図である。
【図１２】 この発明による実施の形態９の液晶表示装
置又はＴＦＴ−ＬＣＤの画素部の構造の一例を説明する
図である。
置又はＴＦＴ−ＬＣＤの画素部の構造の一例を説明する
図である。
【図１３】 この発明による実施の形態１０の液晶表示
装置又はＴＦＴ−ＬＣＤの画素部の構造の一例を説明す
る図である。
装置又はＴＦＴ−ＬＣＤの画素部の構造の一例を説明す
る図である。
【図１４】 従来のＴＦＴ−ＬＣＤの一画素の平面図で
ある。
ある。
【図１５】 従来のＴＦＴ−ＬＣＤの一画素の断面図で
ある。
ある。
【図１６】 液晶表示装置又はＴＦＴ−ＬＣＤの製造工
程を示した図である。
程を示した図である。
【図１７】 ＴＦＴ−ＬＣＤの一画素の等価回路を示し
た図である。
た図である。
【図１８】 分割露光時のショットむらを模式的に示し
た図である。
た図である。
Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆ，Ｓ 画素、１，２ 分割露光
領域（分割領域）、３ 分割露光領域の境界（分割境
界）、４ 分割境界付近の拡大図、５，６，７，８，
９，１１，１３ 領域、１０ 黒点、１２ 拡大図、１
４ ガラス基板、１５ ゲート電極（ゲート配線）、１
６ ゲート絶縁膜、１７ ｉ型アモルファスシリコン
膜、１８ ｎ型アモルファスシリコン膜、１９ 透明電
極よりなる画素電極、２０ コンタクトホール（ドレイ
ンコンタクト部）、２１ ソース電極（ソース配線）、
２２ ドレイン電極、２３ 保持容量電極（共通配
線）、２４ ＴＦＴ保護膜、２５ コンタクトホール、
２６ 配向膜、２７ 液晶層、２８ 対向電極、２９
ブラックマスク、３０ 対向基板、３１ カラーフィル
ター、３２ ＴＦＴ、３３ 寄生容量（Ｃｇｄ）、３４
寄生容量（Ｃｇｓ）、３５ チャネル容量（Ｃｃ
ｈ）、３６ 保持容量（Ｃｓｔ）、３７ ＴＦＴ保護膜
２４の容量、３８ 液晶容量、３９ 保持容量（Ｃｓ
ｔ）部。
領域（分割領域）、３ 分割露光領域の境界（分割境
界）、４ 分割境界付近の拡大図、５，６，７，８，
９，１１，１３ 領域、１０ 黒点、１２ 拡大図、１
４ ガラス基板、１５ ゲート電極（ゲート配線）、１
６ ゲート絶縁膜、１７ ｉ型アモルファスシリコン
膜、１８ ｎ型アモルファスシリコン膜、１９ 透明電
極よりなる画素電極、２０ コンタクトホール（ドレイ
ンコンタクト部）、２１ ソース電極（ソース配線）、
２２ ドレイン電極、２３ 保持容量電極（共通配
線）、２４ ＴＦＴ保護膜、２５ コンタクトホール、
２６ 配向膜、２７ 液晶層、２８ 対向電極、２９
ブラックマスク、３０ 対向基板、３１ カラーフィル
ター、３２ ＴＦＴ、３３ 寄生容量（Ｃｇｄ）、３４
寄生容量（Ｃｇｓ）、３５ チャネル容量（Ｃｃ
ｈ）、３６ 保持容量（Ｃｓｔ）、３７ ＴＦＴ保護膜
２４の容量、３８ 液晶容量、３９ 保持容量（Ｃｓ
ｔ）部。
Claims (18)
- 【請求項１】 基板と、前記基板上に分散して配置され
た透過光の強度が異なる二種類以上の画素とを備えたこ
とを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 画素は分割露光方式により製造されたこ
とを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 透過光の強度が異なる二種類以上の画素
はランダムに配置されたことを特徴とする請求項１又は
請求項２に記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 互いに隣接する分割露光領域の透過光の
強度の平均が、略等しいことを特徴とする請求項２に記
載の液晶表示装置。 - 【請求項５】 分割露光領域の透過光の強度の平均と、
該分割露光領域内の所定の大きさの領域における透過光
の強度の平均が、略等しいことを特徴とする請求項２に
記載の液晶表示装置。 - 【請求項６】 分割露光領域の画素の透過光の強度のば
らつきの幅が、製造誤差によって生じる透過光の強度の
ばらつきの幅と略等しいことを特徴とする請求項２に記
載の液晶表示装置。 - 【請求項７】 透過光の強度が異なる二種類以上の画素
は分割露光領域の縁部近傍に配置されたことを特徴とす
る請求項２に記載の液晶表示装置。 - 【請求項８】 透過光の強度が異なる二種類以上の画素
は分割露光領域の略全体に配置されたことを特徴とする
請求項２に記載の液晶表示装置。 - 【請求項９】 分割露光領域の縁部近傍の画素の透過光
の強度のばらつきの幅が、分割露光領域の中央近傍の画
素の透過光の強度のばらつきの幅より、大きいことを特
徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。 - 【請求項１０】 分割露光領域の縁部近傍から分割露光
領域の中央近傍に近づくにつれて、画素の透過光の強度
のばらつきの幅が小さくなることを特徴とする請求項２
に記載の液晶表示装置。 - 【請求項１１】 分割露光領域の中央近傍には、該分割
露光領域の透過光の強度の平均と略等しい透過光の強度
を有する画素を配置したことを特徴とする請求項２に記
載の液晶表示装置。 - 【請求項１２】 分割露光領域境界に接する一画素列及
び／又は一画素行には、透過光の強度が異なる二種類以
上の画素を配置するとともに、前記画素以外は、該分割
露光領域の透過光の強度の平均と略等しい透過光の強度
を有する画素を配置することを特徴とする請求項２に記
載の液晶表示装置。 - 【請求項１３】 画素は、画素電極と、該画素電極の電
圧を各別に制御する薄膜トランジスタとを有し、前記薄
膜トランジスタのゲート電極と前記薄膜トランジスタの
ソース電極又はドレイン電極の間の電気的容量を変化さ
せることによって透過光の強度が変えられることを特徴
とする請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の
液晶表示装置。 - 【請求項１４】 画素は、画素電極と、該画素電極との
間に絶縁膜をはさんで形成された共通配線を有し、前記
画素電極と前記共通配線の間の電気的容量を変化させる
ことによって透過光の強度が変えられることを特徴とす
る請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の液晶
表示装置。 - 【請求項１５】 画素は、画素電極と、該画素電極との
間に絶縁膜をはさんで形成された共通配線と、前記画素
電極と一部重合して形成されたドレイン電極とを有し、
前記画素電極と前記共通配線又は前記ドレイン電極が重
なる面積を変化させることによって透過光の強度が変え
られることを特徴とする請求項１から請求項１２のいず
れか１項に記載の液晶表示装置。 - 【請求項１６】 画素は、画素電極と、該画素電極と一
部が重なるように形成されたブラックマスクとを有し、
前記画素電極と前記ブラックマスクが重なる面積を変化
させることによって透過光の強度が変えられることを特
徴とする請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載
の液晶表示装置。 - 【請求項１７】 請求項１から請求項１２のいずれか１
項に記載の画素は、略同じ透過光の強度を有する複数の
画素からなる絵素であることを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項１８】 基板と、前記基板上に形成され、画素
電極と、該画素電極との間に絶縁膜をはさんで形成され
た共通配線と、前記画素電極と一部重合して形成された
ドレイン電極と、前記画素電極と一部が重なるように形
成されたブラックマスクとを有する画素を備えた液晶表
示装置の製造方法において、前記画素電極と前記共通配
線又は前記ドレイン電極が重なる面積、又は、前記画素
電極と前記ブラックマスクが重なる面積が二種類以上と
なるようなマスクを用いることにより、前記基板上に透
過光の強度が異なる二種類以上の画素を形成するように
したことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5256698A JP4221074B2 (ja) | 1998-03-04 | 1998-03-04 | 液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5256698A JP4221074B2 (ja) | 1998-03-04 | 1998-03-04 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11249169A true JPH11249169A (ja) | 1999-09-17 |
| JP4221074B2 JP4221074B2 (ja) | 2009-02-12 |
Family
ID=12918363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5256698A Expired - Fee Related JP4221074B2 (ja) | 1998-03-04 | 1998-03-04 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4221074B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100438520B1 (ko) * | 2001-05-23 | 2004-07-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 얼룩보상을 위한 화소 배치방법 및 이를 이용한액정표시소자 |
| WO2006098176A1 (ja) * | 2005-03-15 | 2006-09-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | アクティブマトリクス基板およびそれを備えた表示装置 |
| US7136120B2 (en) | 2002-11-19 | 2006-11-14 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Liquid crystal display device and method of fabricating the same |
| WO2009066402A1 (ja) | 2007-11-22 | 2009-05-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2013152466A (ja) * | 2013-02-04 | 2013-08-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| KR20170058538A (ko) * | 2015-11-19 | 2017-05-29 | 한화테크윈 주식회사 | 배치 패턴 제공 장치 및 방법 |
| CN111477598A (zh) * | 2019-01-23 | 2020-07-31 | 株式会社村田制作所 | 半导体装置 |
-
1998
- 1998-03-04 JP JP5256698A patent/JP4221074B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100438520B1 (ko) * | 2001-05-23 | 2004-07-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 얼룩보상을 위한 화소 배치방법 및 이를 이용한액정표시소자 |
| US7136120B2 (en) | 2002-11-19 | 2006-11-14 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Liquid crystal display device and method of fabricating the same |
| US7151587B2 (en) | 2002-11-19 | 2006-12-19 | Nec Lcd Technologies Ltd. | Liquid crystal display device and method of fabricating the same |
| US7388644B2 (en) | 2002-11-19 | 2008-06-17 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Liquid crystal display device and method of fabricating the same |
| US7405782B2 (en) | 2002-11-19 | 2008-07-29 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Liquid crystal display device and method fabricating the same |
| US7612839B2 (en) | 2005-03-15 | 2009-11-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substance and display device including the same |
| WO2006098176A1 (ja) * | 2005-03-15 | 2006-09-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | アクティブマトリクス基板およびそれを備えた表示装置 |
| WO2009066402A1 (ja) | 2007-11-22 | 2009-05-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| US8416229B2 (en) | 2007-11-22 | 2013-04-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
| JP2013152466A (ja) * | 2013-02-04 | 2013-08-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| KR20170058538A (ko) * | 2015-11-19 | 2017-05-29 | 한화테크윈 주식회사 | 배치 패턴 제공 장치 및 방법 |
| CN111477598A (zh) * | 2019-01-23 | 2020-07-31 | 株式会社村田制作所 | 半导体装置 |
| CN111477598B (zh) * | 2019-01-23 | 2024-03-22 | 株式会社村田制作所 | 半导体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4221074B2 (ja) | 2009-02-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6249325B1 (en) | Having a pattern for improving voltage difference between different pixel electrodes in which semiconductive or signal line portion is larger for a more remote pixel | |
| US8049829B2 (en) | Strucuture of LCD panel and method of manufacturing the same | |
| JP4401551B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法、表示装置の製造方法、及び液晶表示装置 | |
| JP2000002889A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH09113931A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH1039336A (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
| JPH1091085A (ja) | 液晶表示素子及びその製造方法 | |
| US6927807B2 (en) | Liquid crystal display device | |
| US10598993B2 (en) | Liquid crystal display device | |
| JPH09179141A (ja) | 液晶表示パネル | |
| JPH11249169A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| US9897866B2 (en) | Liquid crystal display and method for manufacturing the same | |
| JP2950737B2 (ja) | アクティブマトリクス基板及びその製造方法 | |
| JPH02245740A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2916456B2 (ja) | 液晶表示装置の端子の形成方法 | |
| JPH10161154A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JPH02234133A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH08240816A (ja) | アクティブマトリクス表示装置 | |
| JPH02245738A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH10161150A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH07191337A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JPH03209223A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH0351819A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH03269521A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH02244122A (ja) | 液晶表示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050128 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20050128 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070518 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070529 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070725 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071023 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071217 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080401 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080526 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20080609 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081104 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081117 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111121 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111121 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121121 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121121 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131121 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |