JPWO2007113941A1 - 表示パネル用の基板、この基板を備える表示パネル、表示パネル用の基板の製造方法および表示パネルの製造方法 - Google Patents

表示パネル用の基板、この基板を備える表示パネル、表示パネル用の基板の製造方法および表示パネルの製造方法 Download PDF

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Abstract

分割露光により形成される各要素の分割露光領域の境界位置を識別でき、工程管理や評価を容易に行うことができる表示パネル用の基板、この基板を備える表示パネル、表示パネル用の基板の製造方法および表示パネルの製造方法を提供すること。表示パネル用の基板11に、被露光領域が複数の分割露光領域ごとに露光される分割露光によって形成されるとともに前記分割露光領域の境界位置が互いに異なる二以上の薄膜パターンと、この分割露光領域の境界位置が互いに異なる二以上の薄膜パターンの少なくとも一の薄膜パターンの分割露光領域の境界位置を示すマーキング3aとを設ける。

Description

本発明は、表示パネル用の基板、この基板を備える表示パネル、表示パネル用の基板の製造方法および表示パネルの製造方法に関するものであり、特に好適には、分割露光を用いてフォトレジストパターンを所定の形状に形成する工程を含む製造方法により製造される表示パネル用の基板、この基板を備える表示パネル、表示パネル用の基板の製造方法および表示パネルの製造方法に関するものである。
一般的な液晶表示パネルは、微小な間隔をおいて対向して配設される二枚の基板を備え、これらの基板の間に液晶が充填される構成を有する。これらの基板のうちの一方の表面には、絵素電極がマトリックス状に形成されるとともに、この絵素電極に電圧を印加するための薄膜トランジスタ、データ信号線(ソース信号線)、走査信号線(ゲート信号線)などといった所定の要素が形成される。また、他方の基板の表面には、ブラックマトリックスや、赤色、青色、緑色の各色の着色層などの要素がマトリックス状に形成されるとともに、それらの表面には透明電極(共通電極)などの要素が形成される。
前記各要素には、フォトリソグラフィ法を用いて形成されるものがある。たとえば薄膜トランジスタ、ブラックマトリックス、各色の着色層は、基板の表面にフォトレジスト材料を塗布する工程、塗布したフォトレジスト材料にフォトマスクを通じて露光する工程、フォトレジスト材料の不要な部分を除去する工程、などの工程を経て形成される。
前記塗布したフォトレジスト材料にフォトマスクを通じて露光する工程において、分割露光が用いられることがある。分割露光には、フォトマスク上に形成されるパターンから特定のパターンまたは範囲を任意選択し、基板の製品パターンを画面合成しながらいくつかの領域に分割して露光する方法がある。このような分割露光によれば、小面積のフォトマスクを用いて大面積の露光対象領域を露光できるため、フォトマスクのコストの低廉化を図ることができる。
ただし、このような分割露光において、一枚のフォトマスク内に表示パネルが収まらないような場合には、前記いくつかの領域(以下、この領域を「分割露光領域」と称する)の境界を、表示パネルの表示領域内に設定せざるを得ないことがある。そして、何らかの理由により、分割露光領域ごとの露光位置にずれが生じると、本来であれば表示パネルの表示領域の全域にわたって連続して形成されるべきパターンが、分割露光領域の境界において不連続となることがある。
この位置ずれが大きくなると、次のような問題が生じうる。表示領域内に形成される要素のパターンが分割露光領域の境界で不連続となると、二枚の基板を対向して貼り合わせた際に、一方の基板の表面に形成される要素と他方の基板の表面に形成される要素との位置関係が、分割露光領域ごとに相違する。このため、液晶の表示特性が分割露光領域ごとに相違するおそれがある。また、基板の表面に形成される各要素の特性が、分割露光領域ごとに相違するおそれもある。そしてこれらの相違が、分割露光領域の境界において、筋状の輝度差や色ムラなどとして視認可能に現れることがある。
このため、表示品位の優れた液晶表示パネルを製造するためには、液晶表示パネルの製造後において、露光の位置ずれに起因する輝度差や色ムラなどの検査を行う必要がある。そして、露光位置のずれが検出された場合には、発生の傾向を把握して、工程の管理や評価を行う必要がある。
なお、本発明に関連する先行技術文献として、特開2000−231184号公報が挙げられる。
ところで、分割露光を用いて形成される要素は複数ある。このため、工程の管理や評価を行うためには、検査などにおいて検出された輝度差や色ムラなどが、いずれの要素の分割露光領域の境界において発生したものであるかを特定する必要がある。
しかしながら、ある特定の要素の分割露光領域の境界の位置と、他の特定の要素の分割露光領域の境界の位置とが一致していると、検出された筋状の輝度差や色ムラなどが、どの要素の分割露光領域の境界において発生しているのかを特定することが困難となる。このため、工程の管理や評価も困難となる。
また、ある特定の要素の分割露光領域の境界の位置と、他の特定の要素の分割露光領域の境界の位置とが一致していない場合であっても、まず、各要素の分割露光領域の境界が、基板表面のどの位置にあるかを把握する必要がある。すなわち、製造工程の検査などにおいて筋状の輝度差や色ムラなどが検出された場合には、表示パネルにメジャーをあてるなどして発生位置を確認し、設計図面と照合してどの要素の分割露光領域の境界で発生したものであるかを特定する必要がある。このため、検査に手間を要している。
また、製造された表示パネルの品位確認の際に、各要素の分割露光領域の境界に筋状の輝度差や色ムラなどが生じていないかを確認する場合がある。このような場合、各要素の分割露光領域の境界位置がどこにあるのかを把握するため、表示パネルにメジャーをあてるなどの必要がある。このため、品位確認の作業に手間を要している。
上記実情に鑑み、本発明が解決しようとする課題は、分割露光を用いて所定のパターンを形成する際に、工程の管理や評価が容易となる表示パネル用の基板、この基板を備える表示パネル、表示パネル用の基板の製造方法および表示パネルの製造方法を提供すること、複数のパターンを分割露光を用いて形成する際に、各パターンの分割露光領域の境界位置を容易に識別することができる表示パネル用の基板、この基板を備える表示パネル、表示パネル用の基板の製造方法および表示パネルの製造方法を提供すること、または、表示パネルの品位確認を容易に行うことができる表示パネル用の基板、この基板を備える表示パネル、表示パネル用の基板の製造方法および表示パネルの製造方法を提供することである。
このような課題を解決するため、本発明は、被露光領域が複数の分割露光領域ごとに露光される分割露光によって形成される薄膜パターンと、前記分割露光領域の境界位置を示すマーキングとを備えることを要旨とする。
また、被露光領域が複数の分割露光領域ごとに露光される分割露光によって形成されるとともに前記分割露光領域の境界位置が互いに異なる二以上の薄膜パターンと、該分割露光領域の境界位置が互いに異なる二以上の薄膜パターンの少なくとも一の薄膜パターンの分割露光領域の境界位置を示すマーキングとを備えることを要旨とする。
ここで、前記マーキングは、分割露光領域の境界線上および/またはその近傍に設けられることが好ましい。
また、前記マーキングは、前記分割露光によって形成される薄膜パターンの外周近傍に設けられる遮光性の薄膜パターンに設けられることが好ましい。
また、前記マーキングは、前記分割露光によって形成される二以上の薄膜パターンのいずれかと同種の材料により形成されることが好ましい。ここで、前記薄膜パターンとしては、薄膜トランジスタ、ブラックマトリックス、カラーフィルタのいずれか一以上の薄膜パターンが適用できる。
そしてこのような表示パネル用の基板を用いた表示パネルとする。
被露光領域が複数の分割露光領域ごとに露光される分割露光によって形成される薄膜パターンの分割露光領域の境界位置を示すマーキングを形成する工程と、このマーキングに基づいて分割露光領域の境界位置を判別する工程とを含むことを要旨とする。
また、被露光領域が複数の分割露光領域ごとに露光される分割露光によって形成されるとともに前記分割露光領域の境界位置が互いに異なる二以上の薄膜パターンの少なくとも一の薄膜パターンに分割露光領域の境界位置を示すマーキングを形成する工程と、このマーキングに基づいて前記二以上の薄膜パターンの境界位置を判別する工程とを含むことを要旨とする。
本発明によれば、マーキングを用いることにより表示パネル用の基板に形成される薄膜パターンの分割露光領域の境界位置を容易に判別することができる。そしてこのため、工程の管理や評価、または表示パネルの品位確認が容易となる。
また、分割露光領域の境界位置が互いに異なる二以上の薄膜パターンの少なくとも一の薄膜パターンの分割露光領域の境界位置を示すマーキングが設けられると、各薄膜パターンの分割露光領域の境界位置を互いに区別することが容易となる。このため、工程の管理や評価、または表示パネルの品位確認が容易となる。
ここで、前記マーキングが分割露光領域の境界線上および/またはその近傍に設けられると、薄膜パターンの分割露光領域の境界位置の判別がより容易となる。
なお、前記マーキングが薄膜パターンの外周近傍に設けられる遮光性のパターンに設けられると、表示パネルの機能に影響を与えることがない。
また、前記マーキングは、前記分割露光によって形成される二以上の薄膜パターンのいずれかと同種の材料により形成されると、表示パネル用の基板の製造工程を増やすことなくマーキングを設けることができる。
本発明の実施形態にかかる表示パネルの構成を示した模式図であり、(a)は表示パネルの全体構造を示した部分断面図、(b)は(a)のA−A線の断面構造の一部を示した断面図である。 第一の分割露光の概念を示した平面模式図である。 第二の分割露光の概念を示した平面模式図である。 第一の分割露光のうち、分割露光領域の境界領域への光エネルギの照射量を調整することによって、露光量の均一化を図る構成を模式的に示した断面図であり、(a)は、一方の分割露光領域へ光エネルギを照射する際の照射量を、(b)は、他方の分割露光領域へ光エネルギを照射する際の照射量を示し、(c)は、(a)と(b)とを重ね合わせた状態を示す。 配向制御構造物の分割露光に用いるフォトマスクの構造を示した平面模式図であり、(a)はフォトマスクの全体を示した平面模式図、(b)は(a)のA部の拡大図、(c)は(a)のB部の拡大図である。 本実施形態にかかる表示パネルのマーキングの構成を示した平面模式図である。 本実施形態にかかる表示パネル用のTFTアレイ基板の構成を示した模式図であり、(a)は基板の周縁部および表示領域に形成される絵素の平面構造を示した平面模式図、(b)は基板の断面構造を示した断面模式図である。 本実施形態にかかる表示パネルのカラーフィルタ基板の構成を示した模式図であり、(a)はカラーフィルタ基板の周縁部および絵素の平面構造を示した平面模式図、(b)は断面構造を示した断面模式図である。 本実施形態にかかる表示パネルに設けられるマーキングの変形例を示した平面模式図であり、(a)はマーキングが浮島状に設けられる構成を、(b)はマーキングが切り欠き状に形成される構成を示す。 マーキングが設けられるカラーフィルタ基板の構成を示した模式図であり、(a)はカラーフィルタ基板の全体を示した外観斜視図、(b)はマーキングが設けられる領域の近傍を拡大して示した図である。
以下に、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。
本実施形態においては、薄膜トランジスタが形成されるTFTアレイ基板と、ブラックマトリックスおよび着色層が形成される対向基板すなわちカラーフィルタ基板とを備え、各基板に形成される各要素の分割露光領域の境界位置を示すマーキングがTFTアレイ基板に設けられる構成を示す。図1は、本実施形態にかかる液晶表示パネルの構成を示した模式図である。それぞれ、図1(a)は液晶表示パネルの全体構造を示した部分断面図、図1(b)は図1(a)のA−A線断面の一部を示した断面図であり、液晶表示パネルの周縁部近傍の断面構造を示す。
本実施形態にかかる液晶表示パネル1は、TFTアレイ基板11とカラーフィルタ基板12とを備える。TFTアレイ基板11は、薄膜トランジスタ111や絵素電極112などの要素がマトリックス状に形成される領域13を有する。以下、この領域13を「表示領域」と称する。また、この表示領域13の外側には、光漏れを防止するための遮光層113が形成される。
カラーフィルタ基板12には、その表面に、ブラックマトリックス121および赤色、青色、緑色の各色の着色層122が、マトリックス状に形成される領域を有する。以下この領域13を、TFTアレイ基板11と同様に「表示領域」と称する。そして、ブラックマトリックス121および各色の着色層122の表面には、透明電極(共通電極)123および液晶の配向を制御する配向膜124や配向制御構造物125などが形成される。
この液晶表示パネル1は、TFTアレイ基板11とカラーフィルタ基板12とが微小な所定の間隔をおいて対向して配置され、表示領域13を取り囲むようにシール14が形成される。このシール14に囲まれる領域には液晶が封入される。
前記TFTアレイ基板11の薄膜トランジスタ111、絵素電極112、カラーフィルタ基板12のブラックマトリックス121、各色の着色層122、配向制御構造物125の形成には、フォトリソグラフィ法が用いられる。
薄膜トランジスタ111、絵素電極112の形成に用いるフォトリソグラフィ法には、次の工程が含まれる。1.所定のパターンに形成する対象となる薄膜、すなわち薄膜トランジスタ111や絵素電極112となる材料の薄膜の表面にフォトレジスト材料を塗布する工程。2.フォトマスクを所定の位置に載置するマスク合わせ工程。3.塗布したフォトレジスト材料にフォトマスクを通じて光エネルギを照射する露光工程。4.フォトレジスト材料の不要な部分を除去する現像工程。5.薄膜の不要な部分を除去するエッチング工程。
また、カラーフィルタ基板12のブラックマトリックス121、各色の着色層122、配向制御構造物125の形成に用いるフォトリソグラフィ法には、次の工程が含まれる。1.所定のパターンに形成する対象となるフォトレジスト材料、すなわちブラックマトリックス121などになるフォトレジスト材料の薄膜を形成する工程。2.フォトマスクを所定の位置に載置するマスク合わせ工程。3.フォトマスクを通じてフォトレジスト材料の所定の領域に光エネルギを照射する露光工程。4.フォトレジスト材料の不要な部分を除去する現像工程。
そしてフォトリソグラフィ法を繰り返して用いることによって、基板上に所定の要素が積層状に形成され、これによりTFTアレイ基板11やカラーフィルタ基板12が得られる。
これらの各要素を形成するためのフォトリソグラフィ法の露光工程においては、分割露光が適用される。本実施形態において適用される分割露光は、フォトマスク上に形成されるパターンから特定の範囲を選択し、基板の製品パターンを画面合成しながら、分割露光領域ごとに露光する方法とする。そして前記TFTアレイ基板11の遮光層113には、分割露光の実施の際における分割露光領域の境界位置を示すマーキング3a(31a,311a,32a,321a,33a,331a,34a)が設けられる。
ここで、本実施形態にかかる液晶表示パネル1の製造に適用される分割露光について説明する。ここでは、形成される要素によって、以下に示す第一の分割露光と第二の分割露光が使い分けられる。図2は、第一の分割露光の概念を示した平面模式図、図3は、第二の分割露光の概念を示した平面模式図である。また、本実施形態においては、基板表面の露光対象領域を二つの分割露光領域に分けて露光を行う方法を示す。
図2に示す第一の分割露光は、各分割露光領域の境界近傍を互いに重複させる方法である。基板11,12の一方の分割露光領域(たとえば分割露光領域C)は、フォトマスク21のある所定の領域(この場合には領域A)を通じて露光される。また、基板11,12の他方の露光領域(この場合には分割露光領域D)は、フォトマスク21の他の所定の領域(この場合には領域B)を通じて露光される。
フォトマスク21のある所定の領域Aと、他の所定の領域Bとは、少なくとも一部が重複しており、フォトマスク21の所定の範囲fを共有している。このように、互いに重複する領域を有する領域A,Bのそれぞれを通じて、基板11,12の各分割露光領域のそれぞれに対して露光を行うことにより、基板11,12上に、製品パターンが合成される。このような構成によれば、小面積のフォトマスクで大面積の基板を露光することができる。
第一の分割露光においては、基板11,12の各分割露光領域C,Dの境界が互いに重複する領域Eが設けられる。この領域を「境界領域」と称する。すなわちこの境界領域Eは、フォトマスク21の領域A内の端部近傍の領域aと、領域B内の端部近傍の領域bの両方を通じて露光される。そして、この境界領域Eの被露光量は、フォトマスク21の各端部近傍の領域a,bのそれぞれを通じて一回ずつ光エネルギの照射を受けた場合に、他の領域(たとえば、フォトマスクの領域fを通じて光エネルギの照射を受けた領域)の被露光量とほぼ等しくなるように構成される。
境界領域Eの被露光量を、他の領域の被露光量と等しくするための構成としては、各回の露光における境界領域Eへの光エネルギの照射量を調整し、最終的な被露光量を等しくできるような露光方法を用いる構成と、各回の露光において、境界領域E内に光エネルギを照射する微小部分としない微小部分とをモザイク状に混在させ、最終的に境界領域Eのすべての範囲が光エネルギの照射を受けるようにする構成とがある。これらについては後述する。
このような第一の分割露光における分割露光領域の境界位置を示すマーキング3は、境界領域Eの中心線L上、境界領域Eの両端Lの少なくとも一箇所に設けられる。以下、分割露光領域の境界領域の中心および/または境界領域の両端を、単に「分割露光領域の境界位置」と称することがある。図2は、境界領域Eの中心線L上および両端Lの全ての位置にマーキング3が設けられる構成を示す。このようなマーキング3を設けることにより、基板11,12または液晶表示パネル1の製造後においても、形成された各要素の分割露光領域の境界位置L,Lを把握することができる。また、要素ごとにマーキング3の形状を異ならせることにより、各要素の分割露光領域の境界位置を互いに区別することができる。
図3に示す第二の分割露光は、各分割露光領域の境界が重複しない方法である。TFTアレイ基板11またはカラーフィルタ基板12の一方の分割露光領域(たとえば分割露光領域C)は、フォトマスク22の所定の領域(この場合には領域A)を通じて露光される。また、基板11,12の他方の分割露光領域(この場合には分割露光領域D)は、フォトマスク22の所定の領域(この場合には領域B)を通じて露光される。
フォトマスク22の所定の領域Aと、他の所定の領域Bとは、少なくとも一部が重複しており、フォトマスク21の所定の範囲fを共有している。このように互いに重複する範囲を有する領域A,Bのそれぞれを通じて基板11,12の分割露光領域C,Dのそれぞれに対して露光を行うことにより、基板11,12上に製品パターンが合成される。このような構成によれば、小面積のフォトマスクで大面積の基板を露光することができる。
そしてTFTアレイ基板11の遮光層113には、この分割露光領域の境界位置Lを示すマーキング3が設けられる。このマーキング3は、分割露光領域の境界線L上、またはその近傍において、遮光層113の輪郭が所定の形状に突起する構成を有する。このようなマーキング3は、前記第一の分割露光で示したマーキングと同様の機能を有し、効果を奏することができる。
本実施形態にかかる液晶表示パネル1においては、TFTアレイ基板11の薄膜トランジスタ111を構成する各要素、絵素電極112およびカラーフィルタ基板12のブラックマトリックス121のパターニングには、第一の分割露光が適用される。そして、境界領域の被露光量の均一化は、境界領域への光エネルギの照射量の調整により行われる。カラーフィルタ基板12の配向制御構造物125のパターニングには、第一の分割露光が適用される。そして、境界領域の被露光量の均一化は、各回の露光において、境界領域E内に光エネルギを照射する微小部分としない微小部分とをモザイク状に混在させる方法を用いる。カラーフィルタ基板12の各色の着色層122のパターニングには、前記第二の分割露光が適用される。
次に、第一の分割露光において、境界領域に対する光エネルギの照射量の均一化を図る構成について説明する。まず、境界領域への光エネルギの照射量の調整による方法について説明する。図4は、境界領域への光エネルギの照射量を模式的に示した断面図である。詳しくは、図4(a)は、一方の分割露光領域Cを露光する際における光エネルギの照射量を示した図、図4(b)は、他方の分割露光領域Dを露光する際における光エネルギの照射量を示した図、図4(c)は、図4(a)と(b)を重ね合わせた図である。
一方の分割露光領域Cに対して光エネルギを照射する際に、同時に境界領域Eに対しても光エネルギを照射する。この際、図4(a)に示すように、境界領域Eに対する光エネルギの照射量は、前記一方の分割露光領域Cから離れるにしたがって、次第に少なくなるように設定される。
同様に、他方の分割露光領域Dに対して光エネルギを照射する際には、図4(b)に示すように、境界領域Eに対する光エネルギの照射量が、前記他方の分割露光領域Dから離れるにしたがって、次第に少なくなるように設定される。
そして、境界領域Eへの前記二回の光エネルギの照射量の合計が、図4(c)に示すように、各分割露光領域C,Dが受けた光エネルギの照射量と等しくなるように設定される。このような構成によれば、基板11,12の被照射領域は、全域にわたって光エネルギの照射量が等しくなる。
次に、各回の露光において、境界領域E内に光エネルギを照射する微小部分としない微小部分とをモザイク状に混在させる方法ついて説明する。ここでは、配向制御構造物125の分割露光を例に用いて説明する。なお、この説明では、ポジ露光を適用するものとする。図5は、配向制御構造物の分割露光に用いられるフォトマスクの構成を模式的に示した平面図である。それぞれ図5(a)は、フォトマスクの全体構造を示した平面模式図、図5(b)は図5(a)のA部拡大図、図5(c)は図5(a)のB部拡大図である。
このフォトマスク221には、配向制御構造物を形成するためのパターンが、カラーフィルタ基板上の各絵素に対応する位置にマトリックス状に配列される領域fが設けられる。たとえば配向制御構造物が、露光工程において光の照射を受けた部分が現像工程において除去されるタイプのフォトレジスト材料からなるものであれば、この領域fには、配向制御構造物と略同じ形状の遮光パターンがマトリックス状に設けられる。
そして、この領域fの相対向する両辺の近傍には、基板上の絵素に配向制御構造物を形成するためのパターンと、基板上の絵素に対して露光しないパターン(すなわち、基板上の一絵素に対応する領域を全て遮光するパターン)とが混合して設けられる領域とが設けられる。以下、この領域を混合領域223a,223bと称する。図5(b),(c)においては、無着色で示される格子が配向制御構造物を形成するためのパターンが形成される領域を示し、べた塗りで示される格子が基板上の絵素に対して露光しないパターンが形成される領域を示す。
図5(b),(c)に示すように、両辺の混合領域223a,223bどうしを互いに重ね合わせた場合に、一方の混合領域223aの配向制御構造物を形成するための格子と、他方の混合領域223bの遮光する格子とが互いに重なるように配置される。また、各混合領域223a,223bは、フォトマスク221の外周縁に向かうにしたがって、配向制御構造物を形成するための格子が、グラデーション状に減少していく構成を有する。
このため、基板の分割露光領域の境界領域は、フォトマスク221の相対向する両辺近傍にある混合領域223a,223bのそれぞれを通じて一回ずつ露光されると、境界領域内に存在する各絵素は、いずれかの混合領域223a,223bを通じて、それぞれ一回ずつ露光される。このような分割露光によれば、分割露光領域の境界が明確に現れなくなるから、筋状の輝度差や色ムラなどの発生を防止できる。
次に、本実施形態にかかる液晶表示パネルのマーキングの構成について説明する。図6は、第一実施形態にかかる液晶表示パネル1のマーキング3aの構成を示した平面模式図である。図6に示すように、TFTアレイ基板11の遮光層113に設けられるマーキングは次のとおりである。
1.TFTアレイ基板11の薄膜トランジスタ111を構成する各要素の分割露光領域の境界領域の中心L1Cを示すマーキング31a、2.TFTアレイ基板11の薄膜トランジスタ111を構成する各要素の分割露光領域の境界領域の両端L1Bを示すマーキング311a、3.カラーフィルタ基板12のブラックマトリックス121(図示せず)の分割露光領域の境界領域の中心L2Cを示すマーキング32a、4.カラーフィルタ基板12のブラックマトリックス121(図示せず)の分割露光領域の境界領域の両端L2Bを示すマーキング321a、5.配向制御構造物125(図示せず)の分割露光領域の境界領域の中心L3Cを示すマーキング33a、6.配向制御構造物125(図示せず)の分割露光領域の境界領域の両端位置L3Bを示すマーキング331a、7.各色の着色層122(図示せず)の分割露光領域の境界位置L4Dを示すマーキング34a。
図6に示すように、薄膜トランジスタ111の分割露光領域の境界領域(図においては左右のL1B間の領域)と、ブラックマトリックス121の分割露光領域の境界領域(図においては左右のL2B間の領域)とは、少なくとも一致しない(すなわち互いにずれた)位置に設定される。そしてより好ましくは、それらの境界領域どうしが重なり合わない位置に設定される。表示パネルに筋状の輝度差などが生じた場合、その原因がTFTアレイ基板11の側にあるのか、カラーフィルタ基板12の側にあるのかを判定するためには、薄膜トランジスタ111の分割露光領域の境界領域と、ブラックマトリックス121の分割露光領域の境界領域とを、一致していない位置に設定する必要があるためである。
ブラックマトリックス121と薄膜トランジスタ111とは、前記のとおり、第一の分割露光のうち、境界領域への光エネルギの照射量を調整して露光量の均一化を図る方法が適用される。また、ブラックマトリックス121と薄膜トランジスタ111とには、同じ露光機を用いて露光を施すことがある。したがって、これらの分割露光領域の境界を、互いに大幅にずらすことができない場合がある。
このような場合、たとえば表示パネルに筋状の輝度差や色ムラが生じた場合には、当該筋状の輝度差や色ムラが発生した位置を測定しなければ、これらがどちらの要素の分割露光領域の境界で発生しているものであるかを判別することが困難となる。したがって、ブラックマトリックス121の境界領域を示すマーキングと、薄膜トランジスタ111の分割露光領域の境界領域を示すマーキングとをそれぞれ設けると、分割露光領域の境界の確認の手間や表示品位の確認の手間が大幅に減少する。
配向制御構造物は、機種によって分割露光領域の境界領域の寸法が異なる場合がある。したがって、このような場合には、分割露光領域の境界位置L3C,L3Bを示すマーキングが設けられると、確認の手間が大幅に省略できる。なお、図においては、ブラックマトリックス121と薄膜トランジスタ111の分割露光領域の境界領域が、配向制御構造物の分割露光領域の境界領域内に位置する構成を示しているが、ブラックマトリックス121または薄膜トランジスタ111の分割露光領域の境界領域と、配向制御構造物の分割露光領域の境界領域との位置関係は、特に限定されるものではない。各着色層122の分割露光領域の境界も同様に、その他の要素の分割露光領域の境界領域との位置関係が限定されるものではない。
このように、各要素の分割露光領域の境界位置L1C,L1B,L2C,L2B,L3C,L3B,L4Dが異なると、製造後の検査などにおいて筋状の輝度差や色ムラなどが検出された場合、当該筋状の輝度差や色ムラなどが、いずれの要素の分割露光領域の境界位置で発生したものであるかを特定できる。換言すれば、筋状の輝度差や色ムラなどの発生位置を特定することによって、この筋状の輝度差や色ムラなどがいずれの要素の形成工程に起因して発生したものであるかを特定できる。そして検査結果を製造工程の管理や評価に用いることができる。
また、各要素の分割露光領域の境界位置L1C,L1B,L2C,L2B,L3C,L3B,L4Dを示すマーキング3aは、要素ごとに形状を異ならせることが好ましい。マーキングの形状が要素ごとに異なると、前記特定が容易となる。すなわち、当該筋状の輝度差や色ムラなどの延長線上にあるマーキング3aの形状を確認することによって、当該筋状の輝度差や色ムラなどがいずれの要素の分割露光領域の境界において発生しているのかを直ちに特定することができる。
このため、筋状の輝度差や色ムラが発生した位置をメジャーなどを用いて測定する、などといった作業を行う必要がなくなり、検査作業の内容が単純化して検査効率向上を図ることができる。
また、マーキング3aから表示領域をたどることによって、分割露光領域の境界において、筋状の輝度差や色ムラなどが生じているか否かを確認することができる。このため、液晶表示パネルの品位確認を容易に行うことができる。
次に、本発明の実施形態にかかる液晶表示パネルの構成と製造方法の全体的な流れについて説明する。本発明の実施形態にかかる表示パネルの製造方法は、TFTアレイ基板製造工程と、カラーフィルタ基板製造工程と、パネル(セル)製造工程と、を含む。
図7は、第一実施形態にかかる液晶表示パネルのTFTアレイ基板の構造を示した模式図である。それぞれ図7(a)は、TFTアレイ基板の周縁部およびTFTアレイ基板に形成される絵素の構成を抜き出して示した平面模式図、図7(b)はTFTアレイ基板の断面構造を示した模式図である。なお、図7(b)は、TFTアレイ基板の構造の説明のための模式図であり、特定の切断線に沿って切断した断面を示したものではない。
TFTアレイ基板11は、ガラスなどの透明基板7の表面に、走査信号線(ゲート信号線)71、補助容量線72、遮光層113、ゲート絶縁膜73、半導体膜74、絶縁膜75、データ信号線(ソース信号線)76、ドレイン線77、第一の保護膜78、絵素電極112、第二の保護膜91、配向膜92などの要素が、積層状に形成される構成を備える。
走査信号線(ゲート信号線)71は、表示領域13内に所定の間隔をおいて略平行に形成される。補助容量線72は、走査信号線(ゲート信号線)71の両側に、走査信号線(ゲート信号線)71から所定の間隔をおいて略平行に形成される。
遮光層113は、表示領域13の外に、透明基板7の周縁部に沿って略帯状に形成される。この遮光層113には、TFTアレイ基板11の薄膜トランジスタ111の分割露光領域の境界領域の中心L1Cを示すマーキング31a、その両端L1Bを示すマーキング311a、カラーフィルタ基板12のブラックマトリックスの分割露光領域の境界領域の中心L2Cを示すマーキング32a、その両端L2Bを示すマーキング321a、配向制御構造物の分割露光領域の境界領域の中心L3Cを示すマーキング33a、その両端L3Bを示すマーキング331a、着色層122の分割露光領域の境界L4Dを示すマーキング34aが設けられる。
図7に示すようにこれらのマーキング31a,311a,32a,321a,33a,331a,34aは、遮光層113の輪郭が透明基板7の外周縁側に向かって突起する構成を備える。そして各マーキング31a,311a,32a,321a,33a,331a,34aは、それぞれいずれの要素の分割露光領域の境界位置L1C,L1B,L2C,L2B,L3C,L3B,L4Dを示すものであるかを特定できるように、それぞれ異なる形状に形成される。
たとえば、薄膜トランジスタの分割露光領域の境界位置L1C,L1Bを示すマーキング31a,311aは半円形状に突起する構成を有する。ブラックマトリックスの分割露光領域の境界位置L2C,L2Bを示すマーキング32a,321aは、四角形状に突起する構成を有する。配向制御構造物の分割露光領域の境界位置L3C,L3Bを示すマーキング33a,331aは、略三角形状に突起する構成を有する。各色の着色層の分割露光領域の境界位置L4Dを示すマーキング34aは略M字形状に突起する構成を有する。
TFTアレイ基板製造工程の内容は、次のとおりである。
まず、透明基板7の表面に、走査信号線(ゲート信号線)71、補助容量線72および遮光層113を形成する。透明基板7の表面に、タングステン、チタン、アルミニウム、クロムなどからなる単層または多層の導体膜を形成する。この導体膜の形成方法には、公知の各種スパッタリング法などが適用できる。そしてこの導体膜の表面にフォトレジスト材料を塗布し、塗布したフォトレジスト材料にフォトマスクを通じて所定のパターンに露光する。
この露光には、前記第一の分割露光が適用される。そして、分割露光領域の境界領域の露光量の均一化には、境界領域に対する光エネルギの照射量を調整する構成が適用される。この分割露光においては、走査信号線(ゲート信号線)71、補助容量線72およびマーキング31a,32a,33aが設けられる遮光層113を形成するためのパターンを有するフォトマスクが用いられる。このようなフォトマスクによれば、工程数を増やすことなくTFTアレイ基板11にマーキング3aを設けることができる。
全ての分割露光領域に対する露光が完了した後、現像工程においてフォトレジスト材料の不要な部分を除去する。その後エッチング工程において導体膜の不要な部分、すなわち現像工程によって露出した部分を除去する。このような工程を経て、所定の形状の走査信号線(ゲート信号線)71、補助容量線72およびマーキング3aが設けられた遮光層113が得られる。
次にゲート絶縁膜73を形成する。このゲート絶縁膜73は、たとえば窒化シリコンなどからなり、プラズマCVD法などを用いて形成する。
ゲート絶縁膜73の表面に半導体膜74を形成する。この半導体膜74は、たとえばn型のアモルファスシリコンなどからなり、プラズマCVD法などを用いて形成する。
次に絶縁膜75を形成する。この絶縁膜75は、たとえば窒化シリコンなどからなる。まず、プラズマCVD法などを用いて窒化シリコン膜を形成し、しかる後にフォトリソグラフィ法などを用いて、窒化シリコン膜を所定のパターンに形成する。これにより、所定のパターンの絶縁膜75を得る。フォトリソグラフィ法にける分割露光には、第一の露光方法が適用される。そして、境界領域の露光量の均一化には、境界領域に対する光エネルギの照射量を調整する構成が適用される。また、分割露光領域の境界位置は、前記走査信号線(ゲート信号線)71などの形成における分割露光領域の境界位置と同じ位置に設定される。
次にコンタクト層79を形成する。このコンタクト層79は、たとえばn型のアモルファスシリコンなどからなり、プラズマCVD法などを用いて形成する。このコンタクト層は、後に形成するデータ信号線(ソース信号線)76やドレイン線77とのオーミックコンタクトを良好にするためのものである。
次に、データ信号線(ソース信号線)76およびドレイン線77を形成する。データ信号線(ソース信号線)76は、前記走査信号線(ゲート信号線)71および補助容量線72に略直交する方向に延設される。そしてTFTアレイ基板11の表示領域13内に、所定の間隔をおいて略平行に形成される。
このデータ信号線(ソース信号線)76およびドレイン線77は、チタン、アルミニウム、クロム、モリブデンなどの導体からなり、フォトリソグラフィ法などを用いて形成する。ここでの分割露光には、第一の露光方法が適用される。そして、分割露光領域の境界領域の露光量の均一化には、境界領域に対する光エネルギの照射量を調整する構成が適用される。また、分割露光領域の境界位置は、前記走査信号線(ゲート信号線)71などの形成における分割露光領域の境界位置と同じ位置に設定される。
以上のような工程を経て、透明基板7の表面に薄膜トランジスタ111が形成される。
次に、第一の保護膜78を形成する。そして、形成した第一の保護膜78にコンタクト孔781を形成する。このコンタクト孔781は、フォトリソグラフィ法を用いて形成する。
第一の保護膜78の表面に、透明電極(絵素電極)112を形成する。まず透明な導電性物質の膜、一般的にはたとえばITO(Indium Tin Oxide)の膜を、スパッタリング法などを用いて形成する。その後、形成したITOの膜を、フォトリソグラフィ法などを用いて所定のパターンに形成する。これにより所定のパターンの透明電極(絵素電極)112を得る。また、フォトリソグラフィ法の露光工程においては、第一の分割露光を適用する。分割露光領域の境界領域の露光量の均一化には、境界領域に対する光エネルギの照射量を調整する構成を適用する。
そして形成した絵素電極112の表面に、たとえば窒化シリコンなどからなる第二の保護膜91を形成する。
以上のような工程を経て、TFTアレイ基板11が得られる。
次にカラーフィルタ基板の構成と製造工程について説明する。
図8は、カラーフィルタ基板12の構造を模式的に示した図であり、図8(a)はカラーフィルタ基板12の周縁部近傍を示した図および一絵素の構成を抜き出して示した平面図、図8(b)はカラーフィルタ基板12の断面構造を示した図である。
この図8に示すようにカラーフィルタ基板12は、ガラスなどからなる透明基板8の表面にブラックマトリックス121および遮光層126が形成され、ブラックマトリックス121の各格子の内側には、赤色、青色、緑色のいずれかの色の着色感材からなる着色層122が形成される。ブラックマトリックス121および各色の着色層122の表面には保護膜81が形成され、保護膜81の表面には透明電極(共通電極)123の膜が形成される。そして透明電極(共通電極)123の表面には液晶の配向を制御する配向制御構造物125が形成される。透明電極(共通電極)123および配向制御構造物125の表面には配向膜124が形成される。
カラーフィルタ基板製造工程には、ブラックマトリックス形成工程と、着色層形成工程と、保護膜形成工程と、透明電極(共通電極)膜形成工程とが含まれる。
ブラックマトリックス形成工程においては、たとえば樹脂BM法であれば、まず、透明基板の表面にBMレジスト(黒色着色剤を含有する感光性樹脂組成物)などを塗布する。次いで、塗布したBMレジストをフォトリソグラフィ法などにより所定のパターンに形成する。これにより、所定のパターンのブラックマトリックス121および遮光層126を得る。遮光層126は、不要な光が透過することを防止する要素であり、表示領域13の外側の所定の位置に設けられる。
ブラックマトリックス121の分割露光には、第一の露光方法が適用される。そして、分割露光領域の境界領域の露光量の均一化には、境界領域への光エネルギの照射量を調整する構成が適用される。
また、ブラックマトリックスの分割露光領域の境界領域は、前記TFTアレイ基板11の薄膜トランジスタ111を構成する各要素の分割露光領域の境界領域と異なる位置に設定されることが好ましい。この場合、ブラックマトリックスの分割露光領域の境界領域と、前記TFTアレイ基板11の薄膜トランジスタ111を構成する各要素の分割露光領域の境界領域とが隣接していてもよい。
着色層形成工程では、カラー表示用の赤色、緑色、青色の各色の着色層122を形成する。たとえば着色感材法であれば、まず、ブラックマトリックス121を形成した透明基板8の表面に、着色感材(感光性樹脂に所定の色の顔料を分散させた溶液)を塗布する。次いで、塗布した着色感材を、フォトリソグラフィ法などにより所定のパターンに形成する。そしてこの工程を、赤色、緑色、青色の各色について繰り返す。これにより各色の着色層122を得る。
保護膜形成工程では、ブラックマトリックス121および着色層122の表面に、保護膜81を形成する。たとえば、スピンコータを用いて基板の表面に保護膜材料を塗布する方法(全面塗布法)や、印刷またはフォトリソグラフィ法によって所定のパターンの保護膜を形成する方法(パターニング法)などが適用できる。保護膜材料には、たとえばアクリル樹脂やエポキシ樹脂などが適用できる。
透明電極(共通電極)膜形成工程においては、保護膜の表面に透明電極(共通電極)123を形成する。たとえばマスキング法であれば、基板の表面にマスクを配置し、スパッタリングなどによってITO(Indium Tin Oxide)などを蒸着させて透明電極(共通電極)123を形成する。
次いで配向制御構造物125を形成する。透明電極123の表面にフォトレジスト材料を塗布し、塗布したフォトレジスト材料にフォトマスクを通じて図8(a)に示すような所定のパターンに露光する。そして現像工程において不要な部分を除去し、所定のパターンの配向制御構造物125を得る。
このような工程を経て、カラーフィルタ基板12を得る。
パネル(セル)製造工程においては、まず、前記工程を経て得たTFTアレイ基板11とカラーフィルタ基板12のそれぞれの表面に、配向膜92,124を形成する。そして、形成した配向膜92,124に配向処理を施す。その後、TFTアレイ基板11とカラーフィルタ基板12とを貼り合わせるとともに、これらの基板11,12の間に液晶を充填する。
TFTアレイ基板11およびカラーフィルタ基板12の表面に、配向膜92,124を形成する方法は、次のとおりである。まず配向材塗布装置などを用いて配向材(配向膜を形成する物質を含む溶液)を塗布する。配向材塗布装置には、たとえば円圧式印刷装置など、従来一般の装置が適用できる。塗布した配向材を配向膜焼成装置などを用いて加熱し、焼成する。そして、焼成した配向膜に配向処理を施す。この配向処理としては、ラビングロールなどを用い、配向膜の表面にミクロな傷を付ける方法や、配向膜の表面に光エネルギを照射し、表面性状を調整する光配向処理などが適用できる。
その後、シールパターニング装置などを用いて、TFTアレイ基板11、カラーフィルタ基板12の一方に紫外線硬化型のシール材と、コモン転移材を塗布する。そしてスペーサ散布装置などを用いて、セルギャップを均一に保つためのスペーサを、TFTアレイ基板11、カラーフィルタ基板12の一方の表面に散布する。そして、液晶滴下装置などを用いて、TFTアレイ基板11、カラーフィルタ基板12の一方の表示領域に液晶を滴下する。その後、減圧雰囲気下でTFTアレイ基板11とカラーフィルタ基板12とを貼り合わせ、シール材に紫外線を照射して硬化させる。
このような工程を経て、液晶表示パネル1が得られる。その後、得られた液晶表示パネル1の点灯検査などを行う。
このような構成によれば、前記のとおり製造後の検査などにおいて筋状の輝度差や色ムラなどが検出された場合、この筋状の輝度差や色ムラなどがいずれの要素の形成工程に起因して発生したものであるかを特定することが容易となる。そして検査結果を製造工程の管理や評価に用いることができる。
たとえば、液晶表示パネルの表面に筋状の輝度差や色ムラが生じた場合、TFTアレイ基板11側に原因があるのか、またはカラーフィルタ基板12側に原因があるのかを判断が容易となる。また、マーキングから表示領域をたどることによって、分割露光領域の境界において、筋状の輝度差や色ムラなどが生じているか否かを確認することができる。このため、液晶表示パネルの品位確認を容易に行うことができる。
なお、各マーキングの構成は、前記実施形態に示した構成に限定されるものではない。要は、マーキングが、いずれの要素の分割露光領域の境界を示すものであるかを区別できる構成を有するものであればよい。したがって、マーキングの構成、たとえば寸法形状、材質、形成方法は適宜変更できる。以下に、マーキングの変形例について説明する。
図9(a)は、マーキングの第一の変形例を示した図であり、TFTアレイ基板11のマーキング31b,311b,32b,321b,33b,331b,34bが設けられる近傍を抜き出して示した平面模式図である。この図9(a)は、前記実施形態と同様に、TFTアレイ基板の薄膜トランジスタの分割露光領域の境界位置L1C,L1Bを示すマーキング31b,311b、カラーフィルタ基板のブラックマトリックスの分割露光領域の境界位置L2C,L2Bを示すマーキング32b,321b、配向制御構造物の分割露光領域の境界位置L3C,L3Bを示すマーキング33b,331b、各色の着色層の分割露光領域の境界位置L4Dを示すマーキング34bが設けられる。
これらの各マーキング31b,311a,32b,321b,33b,331b,34bは、TFTアレイ基板11に形成される遮光層113の輪郭が各要素の分割露光領域の境界位置L1C,L1B,L2C,L2B,L3C,L3B,L4Dにおいて局所的に内側に窪んだ構成を有する。また、これらのマーキング31b,311a,32b,321b,33b,331b,34bの形状は、前記実施形態と同様に、それぞれ互いに異なる形状を有する。
たとえば図9(a)に示すように、TFTアレイ基板の薄膜トランジスタの分割露光領域の境界位置L1C,L1Bを示すマーキング31b,311bは、略半円形状に形成される。カラーフィルタ基板のブラックマトリックスの分割露光領域の境界領域の位置L2C,L2Bを示すマーキング32b,321bは、略四角形状に形成される。配向制御構造物の分割露光領域の境界位置L3C,L3Bを示すマーキング33b,331bは、略三角形状(またはV字形状)に形成される。各色の着色層の分割露光領域の境界位置L4Dを示すマーキング34bは、略M字形状に形成される。
このような構成のマーキング31b,311a,32b,321b,33b,331b,34bは、露光工程において使用するフォトマスクについて、遮光層113を形成するためのパターンを変更するのみで形成することができる。そしてこのようなマーキング31b,311a,32b,321b,33b,331b,34bによれば、前記実施形態と同様な作用効果を奏することができる。
図9(b)は、第二の変形例を示した図である。この変形例は、各マーキングが浮島状に形成される構成を有する。液晶表示パネルまたはTFTアレイ基板の構造によっては、各要素の分割露光領域の境界位置に遮光層が存在しない場合がある。また、前記実施形態に示したような遮光層が形成されない液晶表示パネルもある。そこでこのような液晶表示パネルまたはTFTアレイ基板であっても各要素の分割露光領域の境界位置を判別できる構成として、マーキングを浮島状に設ける構成が適用できる。
すなわち図9(b)に示すように、TFTアレイ基板の薄膜トランジスタの分割露光領域の境界位置L1C,L1Bを示すマーキング31c,311c、カラーフィルタ基板のブラックマトリックスの分割露光領域の境界位置L2C,L2Bを示すマーキング32c,321c、配向制御構造物の分割露光領域の境界位置L3C,L3Bを示すマーキング33c,331c、各色の着色層の分割露光領域の境界位置L4Dを示すマーキング34cが、TFTアレイ基板11の周縁部にそれぞれ浮島状に形成される。
これらのマーキング31c,311c,32c,321c,33c,331c,34cは、たとえば走査信号線(ゲート信号線)などの形成に用いるフォトマスクに、これらのマーキングを設けるためのパターンを形成しておけばよい。このようなフォトマスクを用いることにより、走査信号線(ゲート信号線)などの形成工程において同時に設けられる。
なお、これらのマーキングは、走査信号線(ゲート信号線)などを形成する工程において併せて形成される構成に限定されるものではなく、その他の遮光性のパターンまたは視認可能なパターンをフォトリソグラフィ法を用いて形成する際に同時に形成することができる。たとえば、データ信号線(ソース信号線)およびドレイン線と同じ材料により同時に設ける方法であってもよい。
このような構成のマーキング31c,311c,32c,321c,33c,331c,34cも、前記実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
なお、浮島状のマーキングを設ける構成は、各要素の分割露光領域の境界位置に遮光層が形成される基板であっても適用することができる。すなわち、遮光層にはマーキングを形成せず、遮光層から離れた位置に浮島状のマーキングを設ける構成であってもよい。このような構成のマーキングであれば、たとえば遮光層が外部から視認しがたい位置にあっても、マーキングのみを視認しやすい場所に形成することができる。たとえば、遮光層がシールなど他の要素と重なって外部から視認しがたい場合には、マーキングを他の要素と重ならない位置に設ける、という構成が挙げられる。
また、前記実施形態においては、マーキングをTFTアレイ基板に設ける構成を示したが、カラーフィルタ基板に設ける構成であってもよい。そこで次に、マーキングをカラーフィルタ基板に設ける構成について説明する。
図10は、マーキングが設けられるカラーフィルタ基板の構成を示した模式図であり、図10(a)はカラーフィルタ基板の全体を示した外観斜視図、図10(b)は、図10(a)のA部、すなわちマーキングが設けられる領域を抜き出して拡大して示した平面図である。
このカラーフィルタ基板12’は、前記カラーフィルタ基板12とは主にマーキングの有無が相違し、他の部分は同じ構造が適用できる。すなわち、このカラーフィルタ基板12’も、ブラックマトリックス、赤色、青色、緑色の各色の着色層などの所定の要素がマトリックス状に形成される表示領域13を有する。そして表示領域13の外側には、各要素の分割露光領域の境界位置を示すマーキング31’,311’,32’,321’,33’,331’,34’が設けられる。なおマーキング31’,311’,32’,321’,33’,331’,34’以外の説明は省略する。
図10(a),(b)に示すように、カラーフィルタ基板12’には、TFTアレイ基板の薄膜トランジスタの分割露光領域の境界位置L1C,L1Bを示すマーキング31’,311’、カラーフィルタ基板のブラックマトリックスの分割露光領域の境界位置L2C,L2Bを示すマーキング32’,321’、配向制御構造物の分割露光領域の境界位置L3C,L3Bを示すマーキング33’,331’、各色の着色層の分割露光領域の境界位置L4Dを示すマーキング34’が設けられる。これらのマーキング31’,311’,32’,321’,33’,331’,34’は、表示領域13の外側の透明基板8の外周縁近傍に設けられる。特に、液晶を封入するためのシールと重ならない位置に設けられることが好ましい。
これらのマーキング31’,311’,32’,321’,33’,331’,34’は、ブラックマトリックス121と同じ材料からなり、ブラックマトリックス121を形成する工程において同時に設けられる。すなわち、ブラックマトリックス121の形成に用いるフォトマスクに、マーキングを設けるためのパターンを形成しておく。このようなフォトマスクを用いれば、ブラックマトリックス121の形成工程において同時に設けられる。
そしてこれらのマーキング31’,311’,32’,321’,33’,331’,34’は、それぞれがいずれの要素の分割露光領域の境界位置L1C,L1B,L2C,L2B,L3C,L3B,L4Dを示すものであるかを区別できるように、互いに異なる形状に形成される。図10に示す各マーキング31’,311’,32’,321’,33’,331’,34’の形状は、前記実施形態の第二の変形例で示したものと同じである。よって説明は省略する。
このようなカラーフィルタ基板12’とTFTアレイ基板とが貼り合わされ、表示領域を取り囲むようにシールが形成され、シールに囲まれた領域に液晶が封入される。これにより第二実施形態にかかる液晶表示パネルが得られる。なお、本実施形態にかかる液晶表示パネルのTFTアレイ基板には、前記第一実施形態にかかる液晶表示パネルのTFTアレイ基板にマーキングが設けられない構造のものが適用できる。したがってTFTアレイ基板の説明は省略する。
なおこれらのマーキング31’,311’,32’,321’,33’,331’,34’は、ブラックマトリックスを形成する工程において併せて設けられる構成に限定されるものではない。たとえば、各色の着色層または配向制御構造物を形成する工程において、それらと同じ材料により併せて設ける構成であってもよい。
このような構成によれば、前記実施形態にかかる液晶表示パネルと同様の作用効果を奏することができる。
以上、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明したが、本発明は前記各実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において種々の改変が可能であることはいうまでもない。
たとえば、各マーキングの形状は前記実施形態に限定されるものではない。要は、各要素の分割露光領域の境界位置を区別できればよい。たとえば、文字や記号からなるマーキングや、文字や記号が含まれるマーキングであってもよい。
また、前記各実施形態においては、基板の露光対象領域を二つの分割露光領域に分けて露光を施す分割露光を示したが、分割露光領域の数は限定されるものではない。さらに、各要素の分割露光領域の境界の位置関係も、前記実施形態に限定されるものではない。また、マーキングを設ける対象となる要素も、前記実施形態に示す要素に限られるものではない。要は、識別したい要素に対してマーキングを設けるものであればよい。
このほか、前記実施形態においては、薄膜トランジスタと着色層がそれぞれ異なる基板に形成される構成の液晶表示パネルを示したが、これらが同じ基板に形成される構成の液晶表示パネルにも適用できる。要は、液晶表示パネルの各基板の表面に形成される所定の要素のパターンについて、それらの分割露光領域の境界位置が容易に認識および/または識別できる構成であればよい。
また、前記TFTアレイ基板やカラーフィルタ基板の構成や製造方法は一例であり、前記光性または製造方法に限定されるものではない。

Claims (11)

  1. 被露光領域が複数の分割露光領域ごとに露光される分割露光によって形成される薄膜パターンと、前記分割露光領域の境界位置を示すマーキングと、を備えることを特徴とする表示パネル用の基板。
  2. 被露光領域が複数の分割露光領域ごとに露光される分割露光によって形成されるとともに前記分割露光領域の境界位置が互いに異なる二以上の薄膜パターンと、該分割露光領域の境界位置が互いに異なる二以上の薄膜パターンの少なくとも一の薄膜パターンの分割露光領域の境界位置を示すマーキングと、を備えることを特徴とする表示パネル用の基板。
  3. 前記マーキングは、前記分割露光領域の境界線上および/またはその近傍に設けられることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の表示パネル用の基板。
  4. 前記マーキングは、前記分割露光によって形成される薄膜パターンの外周近傍に設けられる遮光性の薄膜パターンに設けられることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の表示パネル用の基板。
  5. 前記マーキングは、前記分割露光によって形成される二以上の薄膜パターンのいずれかと同種の材料により形成されることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の表示パネル用の基板。
  6. 前記薄膜パターンは、薄膜トランジスタ、ブラックマトリックス、カラーフィルタのいずれか一または複数であることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載の表示パネル用の基板。
  7. 請求項1から請求項6のいずれかに記載の表示パネル用の基板を備えることを特徴とする表示パネル。
  8. 被露光領域が複数の分割露光領域ごとに露光される分割露光によって形成される薄膜パターンの分割露光領域の境界位置を示すマーキングを形成する工程と、このマーキングに基づいて分割露光領域の境界位置を判別する工程とを含むことを特徴とする表示パネル用の基板の製造方法。
  9. 被露光領域が複数の分割露光領域ごとに露光される分割露光によって形成されるとともに前記分割露光領域の境界位置が互いに異なる二以上の薄膜パターンの少なくとも一の薄膜パターンに分割露光領域の境界位置を示すマーキングを形成する工程と、このマーキングに基づいて前記二以上の薄膜パターンの境界位置を判別する工程とを含むことを特徴とする表示パネル用の基板の製造方法。
  10. 被露光領域が複数の分割露光領域ごとに露光される分割露光によって形成される薄膜パターンの分割露光領域の境界位置を示すマーキングを形成する工程と、このマーキングに基づいて分割露光領域の境界位置を判別する工程とを含むことを特徴とする表示パネルの製造方法。
  11. 被露光領域が複数の分割露光領域ごとに露光される分割露光によって形成されるとともに前記分割露光領域の境界位置が互いに異なる二以上の薄膜パターンの少なくとも一の薄膜パターンに分割露光領域の境界位置を示すマーキングを形成する工程と、このマーキングに基づいて前記二以上の薄膜パターンの境界位置を判別する工程とを含むことを特徴とする表示パネルの製造方法。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120022908A (ko) * 2009-04-30 2012-03-12 도판 인사츠 가부시키가이샤 액정 표시 장치
WO2012172711A1 (ja) * 2011-06-15 2012-12-20 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法
CN111079281B (zh) * 2019-12-11 2022-05-24 北京华大九天科技股份有限公司 一种分割版图并生成随机图形的方法
WO2021166633A1 (ja) * 2020-02-18 2021-08-26 富士フイルム株式会社 画像露光装置、画像露光方法、及びプログラム

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1031230A (ja) * 1996-07-18 1998-02-03 Toshiba Corp 表示装置用アレイ基板の製造方法
JPH10214770A (ja) 1997-01-30 1998-08-11 Sony Corp 分割露光におけるパターン転写の際の繋ぎ部の検証方法及び同装置
JP2000180894A (ja) * 1998-12-18 2000-06-30 Advanced Display Inc 液晶表示装置およびその製造方法
JP2000231184A (ja) 1999-02-12 2000-08-22 Toshiba Corp アレイ基板とその製造方法
JP2003043939A (ja) * 2001-08-01 2003-02-14 Sanyo Electric Co Ltd 画像表示装置
JP2003344872A (ja) 2003-07-03 2003-12-03 Seiko Epson Corp 液晶パネルの製造方法

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