JP2007240932A - 表示パネル用の基板および表示パネル - Google Patents

Abstract

【課題】入射した光の有効利用を図ることができる表示パネルを提供すること、または傷や変形等が生じにくい集光手段を備える表示パネルを提供すること、または集光手段が偏光板の貼り付け作業などの他の作業の支障とならない表示パネルを提供すること。
【解決手段】透明基板と絵素電極との間に設けられる第一の保護膜３３と、この第一の保護膜３３の表面に設けられる平坦化膜との間に、互いに屈折率が異なる第一の集光手段２１と第二の集光手段２２とを積層状に形成する。
【選択図】図１

Description

本発明は、表示パネル用の基板および表示パネルに関するものであり、詳しくは、内部に集光手段を有する表示パネル用の基板および表示パネルに関するものである。

透過型の液晶表示パネルには、ＴＦＴアレイ基板とカラーフィルタ基板とを備え、これらの基板の間に液晶が充填されるという構成を有するものがある。一般的にＴＦＴアレイ基板の片側表面には、絵素電極がマトリックス状に配列されるとともに、複数の走査線（ゲート配線とも称する）と複数の信号線（ソース配線とも称する）とが互いに略直交するように設けられる。そして、走査線と信号線との交差部近傍には、絵素電極を駆動するための薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）が設けられる。また、カラーフィルタ基板の片側表面には、ブラックマトリックスが形成され、このブラックマトリックスにより画成される領域には、所定の色の着色層が形成される。

このような構成の液晶表示パネルの片側表面に光を照射すると、照射した光は各着色層および液晶層を通過する。そして液晶表示パネルの反対側表面には画像が可視状態に表示される。

走査線、信号線およびブラックマトリックスは、遮光性を有する要素であるため、液晶表示パネルの片側表面に照射した光のうちの一部は、これらの要素に遮られて液晶表示パネルを通過できない。すなわち、照射した光のうちの一部は、画像の表示には寄与せずに無駄になっている。特に、液晶表示パネルの表面に対して斜め方向から入射した光は、液晶表示パネルを通過できずに無駄になる割合が大きい。無駄になる光が多くなると、液晶表示パネルの輝度が低くなる。

照射した光の無駄を少なくし、液晶表示パネルの輝度の向上を図る構成としては、液晶表示パネルの表面にマイクロレンズを形成する構成が提案されている（特許文献１参照）。このような構成によれば、走査線、信号線、ブラックマトリックスなどの遮光性の要素に遮蔽されていた光が、液晶表示パネルを通過できるようになる。このため、液晶表示パネルを通過できる光量が増加し、輝度が向上する。

しかしながら、前記特許文献１に開示される構成では、次のような問題点を有する。液晶表示パネルの外側表面に樹脂などからなるマイクロレンズを形成する構成では、このマイクロレンズの表面にキズなどがつきやすい。また、他の部材などとの接触により、マイクロレンズの曲率が変化することがある。この結果、マイクロレンズが集光作用を充分に発揮できなくなり、輝度の向上を図ることができなくなる場合がある。また、マイクロレンズの外側表面は平坦ではないため、偏光板の貼り付けに支障をきたすおそれがある。

特公平７−５６５４７号公報

上記実情に鑑み本発明が解決しようとする課題は、入射した光の有効利用を図ることができる表示パネルを提供すること、またはキズや変形等が生じにくい集光手段を備える表示パネルを提供すること、または集光手段が偏光板の貼り付け作業などの他の作業の支障とならない表示パネルを提供することである。

前記課題を解決するため、本発明は、透明基板と絵素電極との間に、第一の透明材料の層と、前記第一の透明基板の層に積層して第二の透明材料の層とを設け、これらの第一の透明材料の層と第二の透明材料の層との間に集光手段を設けることを要旨とするものである。

前記集光手段の屈折率は、前記第一の透明材料の層および前記第二の透明材料の層の屈折率より大きくすることが好ましい。

また、本発明は、透明基板と絵素電極との間に、第一の透明材料の層と、前記第一の透明基板の層に積層して第二の透明材料の層とを設け、これらの第一の透明材料の層と第二の透明材料の層との間に、互いに屈折率が異なる第一の集光手段と第二の集光手段とを積層状に設けることを要旨とするものである。

前記第一の集光手段および第二の集光手段の屈折率は、前記第一の透明材料の層および前記第二の透明材料の層の屈折率より大きくすることが好ましい。また、前記第一の集光手段と第二の集光手段の少なくとも一方は、レジスト材料により形成されることが好ましい。

前記第一の透明材料の層は、前記透明基板の表面に形成される要素を保護および／または電気的に絶縁する層であることが好ましく、前記第二の透明材料の層は平坦化膜であることが好ましい

本発明によれば、表示パネル用の基板に集光手段が設けられるから、表示パネルに入射した光の有効利用を図ることができ、表示パネルの輝度の向上を図ることができる。また、集光手段が表示パネル用の基板の表面に露出しないから、集光手段にキズや変形が生じにくい。このため、集光手段の集光作用が発揮できなくなることを防止できる。また、集光手段を表示パネル用の基板の表面に設ける必要がないから、表示パネル用の基板に偏光板などを貼り付ける作業の障碍とならない。

以下に、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。

図１は、本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板に形成される絵素の構成を模式的に示した図である。それぞれ、図１（ａ）は絵素の平面構造を示し、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線断面図であって絵素の断面構造を示す。

図１（ａ）に示すように、本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板１には、所定の間隔をおいて略平行に設けられる複数の走査線１１（ゲート配線とも称する）と、複数の補助容量線１３とを有する。走査線１１および補助容量線１３と略直交する方向には、複数の信号線１２（ソース配線とも称する）が設けられる。

そして、各走査線１１と各信号線１２との交差部近傍には、薄膜トランジスタ１４（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）が設けられる。この薄膜トランジスタ１４は、ゲート電極１４１、ソース電極１４２およびドレイン電極１４３を有する。また、この表示パネル用の基板１には、略方形の透明電極１５（絵素電極とも称する）が、マトリックス状に配列される。この透明電極１５は、ドレイン線１６によって薄膜トランジスタ１４のドレイン電極１４３に電気的に接続される。

そして図１（ｂ）に示すように、前記各要素およびその他の所定の要素は、ガラスなどからなる透明基板３１の片側表面に積層状に形成される。本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板１は、具体的には次のような積層構造を有する。なお、説明の便宜上、図１（ｂ）の上側を表示パネル用の基板１の「上側」または「上層側」と称し、下方を「下側」または「下層側」と称する。

透明基板３１の上側表面の同じ層に、走査線１１と補助容量線１３とが形成される。また、薄膜トランジスタ１４のゲート電極１４１が走査線１１と一体に形成される。走査線１１と補助容量線１３の上側には、ゲート絶縁膜３２が形成される。ゲート絶縁膜３２の上側の所定の位置には、半導体膜、絶縁膜およびコンタクト層が形成される。このコンタクト層は、信号線やドレイン線とのオーミックコンタクトを良好にするためのものである。そしてそれらの上側の所定の位置に、信号線１２およびドレイン線１６が形成される。また、薄膜トランジスタ１４のソース電極１４２が信号線１２に一体に形成され、ドレイン電極１４３がドレイン線１６に一体に形成される。

前記各要素の上層側には、第一の保護膜３３が形成される。この第一の保護膜３３は、たとえばアクリル系の樹脂やフッ素系の樹脂により形成される。信号線１２に重畳する部分およびその近傍は上側に向かって張り出しており、信号線１２どうしの間の部分は下側に向かって略円弧状になだらかに凹んでいる。換言するとこの第一の保護膜３３には、略円弧状の断面形状の溝が、信号線１２どうしの間に当該信号線１２の延伸方向に沿って形成される。以下、この凹み（換言すると溝）を、「第一の保護膜３３の凹部」と称する。

第一の保護膜３３の凹部の上側には、第一の集光手段２１が形成される。この第一の集光手段２１の上側表面は略平面状に形成される。すなわち第一の集光手段２１は、信号線１２の延伸方向に沿った長細い形状を有し、信号線１２の延伸方向に直角方向の断面は、略直線状の上辺と、下側に向かって張り出した略円弧状の下辺とからなる。

第一の集光手段２１の上側には、第二の集光手段２２が形成される。この第二の集光手段２２の上側表面は、上側に向かって張り出した略円弧状の曲面に形成される。すなわち第二の集光手段２２は、信号線１２の延伸方向に沿った長細い形状を有し、信号線１２の延伸方向に直角方向の断面は、略直線状の下辺と、上側に向かって張り出した略円弧状の上辺とからなる。

第一の保護膜３３、第一の集光手段２１および第二の集光手段２２の上層側には、平坦化膜３４が形成される。この平坦化膜３４の上側表面は略平面に形成される。平坦化膜３４の上側には透明電極１５が形成される。透明電極１５は、たとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などにより形成される。透明電極１５は、平坦化膜３４および第一の保護膜３３に形成されるコンタクトホール（図示せず）を介して、ドレイン線１６と電気的に接続する。平坦化膜３４および透明電極１５の上側には、第二の保護膜３５が形成される。第二の保護膜３５は、たとえば窒化シリコンなどからなる。

第一の集光手段２１の屈折率は第一の保護膜３３よりも大きく、第二の集光手段２２の屈折率は平坦化膜３４よりも大きい。たとえば第一の保護膜３３や平坦化膜３４がアクリル系の樹脂（屈折率は約１．５）やフッ素系の樹脂（屈折率は約１．４）からなる場合、第一の集光手段２１や第二の集光手段２２には、ポリイミド樹脂（屈折率は約１．７）やエポキシ樹脂（屈折率は約１．５５〜１．６１）などが適用できる。なお、第二の集光手段２２は、感光性樹脂材料により形成される。

第一の集光手段２１と第二の集光手段２２は、同じ屈折率を有してもよく、互いに異なる屈折率を有してもよい。

第一の集光手段２１と第二の集光手段２２が同じ屈折率を有する構成においては、第一の集光手段２１と第二の集光手段２２とが、一体的に上側と下側の両側に張り出した凸レンズ状のマイクロレンズを構成する。したがって、光の通過経路は、第一の集光手段２１の下側表面の曲率半径、第二の集光手段２２の上側表面の曲率半径、第一の集光手段２１および第二の集光手段２２の屈折率と第一の保護膜３３の屈折率との比、第一の集光手段２１および第二の集光手段２２の屈折率と平坦化膜３４の屈折率との比により規定される。

第一の集光手段２１と第二の集光手段２２とが異なる屈折率を有する場合、第一の集光手段２１と第二の集光手段２２との境界においても光が屈折する。したがって、光の通過経路は、前記第一の集光手段２１と第二の集光手段２２とが同じ屈折率を有する構成に加え、第一の集光手段２１の屈折率と第二の集光手段２２の屈折率の比の影響を受けることになる。

このように、第一の集光手段２１の屈折率と第二の集光手段２２の屈折率を適宜設定することにより、第一の集光手段２１と第二の集光手段２２の形状を変更しなくても、光の通過経路を調整することができる。特に、第一の集光手段２１と第二の集光手段２２とが異なる屈折率を有する構成とすると、光の通過経路の調整の自由度が向上する。

このような構成によれば、表示パネル用の基板１の内部に第一の集光手段２１と第二の集光手段２２が設けられるから、これらの集光手段２１，２２の表面に傷がつくことがない。また、これらの集光手段２１，２２が他の部材などと接触することがなくなるから、各集光手段２１，２２の表面の曲率が変化することもない。したがって各集光手段２１，２２が充分に集光手段を発揮でき、表示パネルの輝度の向上を図ることができる。また、表示パネル用の基板１の下側表面（すなわち、表示パネルを形成した際に外側表面となる面）に集光手段を設けないため、偏光板の貼り付けに支障をきたすおそれもない。

次に、本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板の製造方法について説明する。

まず、図１を参照して説明する。透明基板３１の表面に、走査線１１、ゲート電極１４１および補助容量線１３を形成する。これらの形成方法は次のとおりである。透明基板３１の表面に、タングステン、チタン、アルミニウム、クロムなどからなる単層または多層の導体膜を形成する。この導体膜の形成方法には、公知の各種スパッタリング法などが適用できる。そしてこの導体膜の表面にフォトレジスト材料を塗布し、塗布したフォトレジスト材料にフォトマスクを通じて所定のパターンに露光する。そして現像工程において、フォトレジスト材料の不要な部分を除去する。その後エッチング工程において導体膜の不要な部分、すなわち現像工程によって露出した部分を除去する。このような工程を経て、所定の形状の走査線１１、補助容量線１３および薄膜トランジスタ１４のゲート電極１４１を得る。

次にゲート絶縁膜３２を形成する。このゲート絶縁膜３２は、たとえば窒化シリコンなどからなり、プラズマＣＶＤ法などを用いて形成する。

ゲート絶縁膜３２の表面に半導体膜を形成する。この半導体膜は、たとえばｎ^＋型のアモルファスシリコンなどからなり、プラズマＣＶＤ法などを用いて形成する。

次に絶縁膜を形成する。まず、プラズマＣＶＤ法などを用いて窒化シリコンなどの膜を形成し、しかる後にフォトリソグラフィ法などを用いて、窒化シリコンなどの膜を所定のパターンに形成する。これにより、所定のパターンの絶縁膜を得る。

次にコンタクト層を形成する。このコンタクト層は、たとえばｎ^＋型のアモルファスシリコンなどからなり、プラズマＣＶＤ法などを用いて形成する。

次に、信号線１２、ドレイン線１６、薄膜トランジスタ１４のソース電極１４２およびドレイン電極１４３を形成する。信号線１２は、前記走査線１１および補助容量線１３に略直交する方向に延設される。この信号線１２、ドレイン線１６およびドレイン電極１４３は、チタン、アルミニウム、クロム、モリブデンなどの導体からなり、フォトリソグラフィ法などを用いて形成する。

以上のような工程を経て、透明基板３１の表面に各種バスライン１１，１２，１３および薄膜トランジスタ１４などが形成される。

次に、前記工程を経た透明基板３１の表面に、第一の保護膜３３を形成する。この第一の保護膜３３は、アクリル系の樹脂やフッ素系の樹脂からなる。まず保護膜の材料を前記工程を経た透明基板３１の表面に塗布し、その後保護膜の材料を焼成する。このような方法を用いて形成された第一の保護膜３３は、その上側表面に、下地の凹凸パターン（すなわち、各種バスライン１１，１２，１３や薄膜トランジスタ１４などの凹凸パターン）に応じたなだらかな凹凸が現れる。したがって、第一の保護膜３３は、信号線１２に重畳する部分およびその近傍が上側に向かって張り出し、信号線１２どうしの間の部分が下側に向かって円弧状になだらかに凹む。その結果、信号線１２どうしの間には当該信号線１２の延伸方向に沿って略円弧状の断面形状の溝（すなわち第一の保護膜３３の凹部）が形成される。

次に、第一の集光手段２１を形成する。第一の保護膜３３の凹部にポリイミドまたはエポキシ樹脂などを滴下または塗布するなどし、その後加熱して焼成する。これにより第一の集光手段２１を得る。

次に、第二の集光手段２２を形成する。図２は、第二の集光手段２２の形成工程を模式的に示した断面図である。この第二の集光手段２２はフォトリソグラフィ法を用いて形成される。

まず、第一の保護膜３３および第一の集光手段２１が形成された透明基板３１の表面に、フォトレジスト材料を塗布する。図２（ａ）は、透明基板３１の表面にフォトレジスト材料２２１を塗布した状態を示す。そして、露光工程および現像工程を経て、塗布したフォトレジスト材料２２１のうち不要な部分を除去する。具体的にはたとえば、第一の集光手段２１の上側表面に重畳する部分に塗布したフォトレジスト材料２２１が残るようにし、それ以外の部分を除去する。図２（ｂ）は、現像工程を経て不要な部分が除去された後の状態を示す。

そして、第一の集光手段２１の上側表面に残るフォトレジスト材料２２１にリフロー処理を施す。フォトレジスト材料２２１はリフロー処理によって軟化し、表面張力によってその上側表面が略円弧状の曲面に変形する。これによって、上側に向かって円弧状に張り出す形状の第二の集光手段２２が形成される。第二の集光手段２２の上側表面の曲率半径は、塗布するフォトレジスト材料２２１の厚さ、リフロー処理の温度および時間、リフロー処理におけるフォトレジスト材料２２１の粘度などを調整することによって適宜設定できる。

図１に戻って説明すると、第二の集光手段２２を形成した後、平坦化膜３４を形成する。平坦化膜３４の形成には、たとえばスピンコータなどを用いることができる。そして平坦化膜３４および第一の保護膜３３の所定の位置にコンタクトホール（図示せず）を形成する。このコンタクトホールは、フォトリソグラフィ法などを用いて形成する。

平坦化膜３４の表面に、透明電極１５（絵素電極）を形成する。まず透明な導電性物質の膜、一般的にはたとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の膜を、スパッタリング法などを用いて形成する。その後、形成したＩＴＯの膜を、フォトリソグラフィ法などを用いて所定のパターンに形成する。これにより所定のパターンの透明電極１５を得る。そして形成した透明電極１５の表面に、たとえば窒化シリコンなどからなる第二の保護膜３５を形成する。

以上のような工程を経て、本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板１を得る。

次に、本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板１を備える表示パネルの製造方法について説明する。図３は、本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板１を備える表示パネルの断面構造を模式的に示した図である。以下、「本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板を備える表示パネル」を、「本表示パネル」と略して記すことがある。

本表示パネルの製造方法は、ＴＦＴアレイ基板製造工程（すなわち、前記本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板１を製造する工程）と、カラーフィルタ基板製造工程（すなわち、対向基板を製造する工程）と、パネル製造工程（セル製造工程とも称する）とを含む。

対向基板４１、すなわちカラーフィルタ基板４１の構成および製造方法は、次のとおりである。

カラーフィルタ基板４１は、ガラスなどからなる透明基板４１１の表面に、ブラックマトリックス４１２が形成され、ブラックマトリックス４１２により画成される格子の内側には、赤色、緑色、青色のいずれかの色の着色感材からなる着色層４１３が形成される。ブラックマトリックス４１２および各色の着色層４１３の表面には保護膜４１４が形成され、保護膜４１４の表面には薄膜状の透明電極４１５（共通電極とも称する）が形成される。

カラーフィルタ基板製造工程は、ブラックマトリックス形成工程と、着色層形成工程と、保護膜形成工程と、透明電極（共通電極）形成工程とを含む。

ブラックマトリックス形成工程の内容は、次のとおりである。たとえば樹脂ＢＭ法であれば、まず透明基板４１１の表面にＢＭレジスト（黒色着色剤を含有する感光性樹脂組成物）などを塗布する。次いで塗布したＢＭレジストをフォトリソグラフィ法などを用いてパターニングする。これにより、所定のパターンのブラックマトリックス４１２を得る。

着色層形成工程においては、カラー表示用の赤色、緑色、青色の各色の着色層４１３を形成する。その内容は次のとおりである。まず、ブラックマトリックス４１２を形成した透明基板４１１の表面に、着色感材（感光性樹脂材料に所定の色の顔料を分散させた溶液をいう）を塗布する。次いで塗布した着色感材を、フォトリソグラフィ法などを用いて所定のパターンに形成する。そしてこの工程を、赤色、緑色、青色の各色について繰り返して行う。これにより各色の着色層４１３を得る。

保護膜形成工程では、ブラックマトリックス４１２および各色の着色層４１３の表面に、保護膜４１４を形成する。たとえば、スピンコータを用いて前記工程を経た透明基板４１１の表面に保護膜４１４の材料を塗布する方法（すなわち前面塗布法）や、印刷またはフォトリソグラフィ法によって所定のパターンの保護膜４１４を形成する方法（すなわちパターニング法）などが適用できる。保護膜４１４の材料には、たとえばアクリル樹脂やエポキシ樹脂などが適用できる。

透明電極形成工程では、保護膜の表面に透明電極４１５（共通電極）を形成する。たとえばマスキング法であれば、前記工程を経た透明基板４１１の表面にマスクを配置し、スパッタリングなどによってＩＴＯなどを蒸着させて透明電極４１５を形成する。

前記工程を経て、カラーフィルタ基板を得る。

パネル製造工程（セル製造工程とも称する）においては、まず、前記工程を経て得られた本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板１（ここではＴＦＴカラーフィルタ基板）と、対向基板４１（ここではカラーフィルタ基板）の表面に、配向膜３６，４１６を形成する。その後、ＴＦＴアレイ基板１とカラーフィルタ基板４１とを貼り合わせるとともに、これらの基板１，４１の間に液晶を充填する。

ＴＦＴアレイ基板１およびカラーフィルタ基板４１の表面に配向膜３６，４１６を形成する方法は、次のとおりである。まず配向材塗布装置などを用いて配向材（配向膜を形成する物質を含む溶液）を塗布する。配向材塗布装置には、たとえば円圧式印刷装置など、従来一般の装置が適用できる。塗布した配向材を配向膜焼成装置などを用いて加熱し、焼成する。そして、焼成した配向膜に配向処理を施す。この配向処理としては、ラビングロールなどを用い、配向膜の表面にミクロな傷を付ける方法や、配向膜の表面に光エネルギを照射し、表面性状を調整する光配向処理などが適用できる。

その後、シールパターニング装置などを用いて、ＴＦＴアレイ基板１またはカラーフィルタ基板４１の表面に紫外線硬化型のシール材とコモン転移材とを塗布する。なお、電気的な伝導性を有するシール材を用いることによって、シール材にコモン転移材の機能を持たせ、コモン転移材の塗布を行わない構成であってもよい。

そしてスペーサ散布装置などを用いて、セルギャップを均一に保つためのスペーサ４１７を、ＴＦＴアレイ基板１またはカラーフィルタ基板４１の表面に散布する。

そして、液晶滴下装置などを用いて、ＴＦＴアレイ基板１またはカラーフィルタ基板４１の表示領域（絵素がマトリックス状に配列される領域をいう）に液晶を滴下する。その後、減圧雰囲気下でＴＦＴアレイ基板１とカラーフィルタ基板４１とを貼り合わせ、シール材に紫外線を照射して硬化させる。

このような工程を経て、液晶表示パネルが得られる。

以上、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明したが、本発明は前記実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の改変が可能であることはいうまでもない。

たとえば、対向基板の構成や製造方法、表示パネルの構成や製造方法は、前記実施形態に限定されるものではなく、各種構成や製造方法が適用できる。

本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板に形成される絵素の構成を示した模式図であり、（ａ）は絵素の平面構造を示し、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図であって絵素の断面構造を示す。 第二の集光手段の形成工程を模式的に示した断面図であり、（ａ）は透明基板の上側表面にフォトレジスト材料を塗布した状態を示し、（ｂ）は現像処理を施した後の状態を示し、（ｃ）はリフロー処理を施した後の状態を示す。 本表示パネルの断面構造を模式的に示した図である。

符号の説明

１ 表示パネル用の基板
１１ 走査線
１２ 信号線
１３ 補助容量線
１４ 薄膜トランジスタ
１４１ ゲート電極
１４２ ソース電極
１４３ ドレイン電極
１５ 透明電極（絵素電極）
１６ ドレイン線
２１ 第一の集光手段
２２ 第二の集光手段
３１ 透明基板
３２ ゲート絶縁膜
３３ 第一の保護膜
３４ 平坦化膜
３５ 第二の保護膜
３６ 配向膜
４ 表示パネル
４１ 対向基板
４１１ 透明基板
４１２ ブラックマトリックス
４１３ 着色層
４１４ 保護膜
４１５ 透明電極（共通電極）
４１６ 配向膜

Claims (7)

1. 透明基板と絵素電極との間に設けられる第一の透明材料の層と、前記第一の透明基板の層に積層して設けられる第二の透明材料の層と、前記第一の透明材料の層と前記第二の透明材料の層との間に設けられる集光手段と、を備えることを特徴とする表示パネル用の基板。
2. 前記集光手段の屈折率は、前記第一の透明材料の層および前記第二の透明材料の層の屈折率より大きいことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル用の基板。
3. 透明基板と絵素電極との間に設けられる第一の透明材料の層と、前記第一の透明基板の層に積層して設けられる第二の透明材料の層と、前記第一の透明材料の層と前記第二の透明材料の層との間に設けられる第一の集光手段と、前記第一の集光手段と異なる屈折率を有し前記第一の集光手段に積層して設けられる第二の集光手段と、を備えることを特徴とする表示パネル用の基板。
4. 前記第一の集光手段および第二の集光手段の屈折率は、前記第一の透明材料の層および前記第二の透明材料の層の屈折率より大きいことを特徴とする請求項３に記載の表示パネル用の基板。
5. 前記第一の集光手段と第二の集光手段の少なくとも一方は、レジスト材料により形成されることを特徴とする請求項３または請求項４に記載の表示パネル用の基板。
6. 前記第一の透明材料の層は前記透明基板の表面に形成される要素を保護および／または電気的に絶縁する層であり、前記第二の透明材料の層は平坦化膜であることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載の表示パネル用の基板。
7. 請求項１から請求項６のいずれかに記載の表示パネル用の基板を備えることを特徴とする表示パネル。
   

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