JP2000122071A - 液晶表示素子及び液晶表示素子の製造方法 - Google Patents

液晶表示素子及び液晶表示素子の製造方法

Info

Publication number
JP2000122071A
JP2000122071A JP29073298A JP29073298A JP2000122071A JP 2000122071 A JP2000122071 A JP 2000122071A JP 29073298 A JP29073298 A JP 29073298A JP 29073298 A JP29073298 A JP 29073298A JP 2000122071 A JP2000122071 A JP 2000122071A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
columnar spacer
liquid crystal
crystal display
spacer
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP29073298A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuka Yamada
由夏 山田
Takeshi Yamamoto
武志 山本
Kisako Ninomiya
希佐子 二ノ宮
Shoichi Kurauchi
昭一 倉内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP29073298A priority Critical patent/JP2000122071A/ja
Publication of JP2000122071A publication Critical patent/JP2000122071A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 柱状スペーサが形成された上から基板に被膜
を塗布した時に、柱状スペーサ表面の被膜がその裾野に
流れ柱状スペーサ周辺で膜厚むらを生るのを防止する。 【解決手段】 アレイ基板30のカラーフィルタ層52
に形成されるコンタクトホール56の上方に、黒色樹脂
にてコンタクトホール56より径の大きい柱状スペーサ
70をパターン形成し、その頂上70aに窪みを形成す
る。これにより柱状スペーサ70頂上70aに塗布され
たポリイミド溶剤71は柱状スペーサ70周辺に流れる
事無く窪みに溜りそこにとどまるので、柱状スペーサ7
0周辺の膜厚むらを解消出来、良好な表示の液晶表示素
子を得られる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板間に液晶組成
物を保持して成る液晶表示素子において、柱状スペーサ
を用いて基板間の間隙を一定に保持する液晶表示素子及
び液晶表示素子の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、コンピューター等情報機器分野及
びテレビ等の映像機器分野において、薄型軽量且つ高精
細な液晶表示素子が開発されている。現在、一般に用い
られている液晶表示素子の多くは、電極を有する2枚の
ガラス基板と、その間隙に封入された液晶組成物から構
成されている。具体的には例えばカラー型アクティブマ
トリクス型液晶表示素子においては、第1の基板である
アレイ基板上にアモルフアスシリコン等を半導体層とし
た薄膜トランジスタとそれに接続された画素電極と信号
線電極、ゲート電極、三原色の着色層からなるカラーフ
ィルタ等が形成されている。一方第2の基板である対向
基板上には対向電極が形成されている。そしてアレイ基
板と対向基板とを、スペーサにより一定の間隙を保持し
て対向配置し、接着剤に囲繞される両基板の間隙に液晶
組成物を封入して成っている。
【0003】この両基板の間隙を一定に保持するスペー
サとしては、基板に均一に散布して用いる粒径の均一な
プラスチックビーズに代わり、近年では基板上に直接パ
ターン形成して成るスペーサが開発され、代表的な例と
しては、カラーフィルタや遮光層形成時に、これらと同
一材料で同一タイミングにてパターン形成してなる柱状
スペーサが多用されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記基板に形成される
柱状スペーサにより、2枚の基板間の間隙を均一に保持
して成る液晶表示素子は、その製造工程において、基板
形成後に、柱状スペーサの上から、ポリイミド溶液から
なる配向膜材料を塗布して配向膜を得ている。しかしな
がら図17(a)に示すように柱状スペーサ10を有す
る基板11表面にポリイミド溶液12を均一に塗布して
も、基板11表面に段差があることから、乾燥する間の
時間の経過に従いポリイミド溶液12は全体を平坦化し
ようとする表面張力によって柱状スペーサ10の表面部
分に塗布されたものが下に引っ張られ、図17(b)に
示すように柱状スペーサ10の裾野に流れてしまう。こ
のため乾燥後に焼成しても、図17(c)に示すように
配向膜13は、柱状スペーサ10の麓から周辺にかけて
緩やかな膜厚ムラを生じてしまっていた。そして配向膜
に膜厚ムラを生じた基板を用い液晶表示素子を形成した
場合、柱状スペーサ周辺に干渉縞等の表示ムラを生じ、
表示不良を起こすという問題を有していた。
【0005】更に、基板にカラーフィルタや遮光層のよ
うな感光性樹脂からなる柱状スペーサを形成後その上に
直接配向膜を塗布した場合、感光性樹脂中に含まれる不
純物成分が配向膜上に吸着してしまい、表示むらや焼き
付きによる表示不良を発生することが懸念されことか
ら、感光性樹脂により柱状スペーサを形成する場合に
は、柱状スペーサ表面に保護膜を被膜後配向膜を被膜す
るものも開発されている。しかしながらこのように柱状
スペーサ形成後に基板表面に保護膜であるオーバーコー
ト層を介し配向膜を塗布すると、柱状スペーサの裾野に
はオーバーコート剤とポリイミド溶液とが流れ落ち、焼
成後オーバーコート層と配向膜とが共に柱状スペーサ周
辺で膜厚ムラを生じ表示ムラによる表示不良を起こすと
いう問題を有していた。
【0006】そこで本発明は上記課題を除去するもの
で、柱状スペーサ形成後の基板表面への被膜溶剤塗布時
に、被膜溶剤が柱状スペーサの裾野に流れ出すのを防止
し、焼成後膜厚ムラを生じる事無く良好な表示を得る事
が出来る液晶表示素子及び液晶表示素子の製造方法を提
供する事を目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
する為の手段として、2枚の基板間の間隙に液晶組成物
を封入して成る液晶表示素子において、前記基板の少な
くとも何れか一方に設けられ頂上に窪みを有し前記間隙
を一定に保持する柱状スペーサと、この柱状スペーサ形
成後前記基板に塗布される被膜とを設けるものである。
【0008】これにより本発明は、柱状スペーサ頂上に
塗布された被膜を柱状スペーサ頂上の窪みに溜めて柱状
スペーサの裾野に被膜が流れるのを防止し、被膜の膜厚
の均一かを図り表示品位を向上するものである。
【0009】又本発明は上記課題を解決する為の手段と
して、2枚の基板間の間隙に液晶組成物を封入して成る
液晶表示素子において、前記基板の少なくとも何れか一
方に設けられ前記間隙を一定に保持する柱状スペーサ
と、前記基板の前記柱状スペーサ周囲に設けられる溝
と、前記柱状スペーサ上から前記基板に塗布される被膜
とを設けるものである。
【0010】これにより本発明は、柱状スペーサ頂上に
塗布後柱状スペーサ表面から液垂れした被膜を柱状スペ
ーサ周囲の溝に溜めて柱状スペーサの裾野に被膜が流れ
るのを防止し、被膜の膜厚の均一かを図り表示品位を向
上するものである。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第1の実施の形態
を図1及び図2を参照して説明する。図1は本発明によ
るカラー液晶表示素子20の主要部を表す概略断面図で
ある。同図に示したカラー液晶表示素子20は、いわゆ
る透過型の液晶表示素子であり、アレイ基板30とそれ
に対向して配置された対向基板60とこれらの間に封入
された液晶組成物50とを備える。アレイ基板30に
は、複数のスイッチング素子31が形成され、その表面
には被膜であるポリイミドからなる配向膜57が塗布さ
れている。また対向基板60は、ガラス基板61の主面
上に共通電極62と配向膜63が形成された構成を有す
る。対向基板60とアレイ基板30は黒色樹脂からなる
柱状スペーサ70によって基板間の距離を一定に保持さ
れている。
【0012】アレイ基板30は、ガラス基板32上にア
ンダー・コート層34を介して、チャネル層を挟みソー
ス領域・ドレイン領域が形成されるポリシリコン(以下
p−Siと称する。)からなる半導体層36が設けられ
ている。半導体層36上にはゲート絶縁層38を介しゲ
ー卜電極40と補助容量線42がパターン形成され、薄
膜トランジスタ(Thin Film Transis
tor;TFT)からなるスイッチング素子31とコン
デンサ43とを構成している。更に絶縁層44を介し、
ドレイン領域に接続される信号線46、ソース領域に接
続されるコンタクト電極48が設けられている。
【0013】これらの上方には層間絶縁層47が設けら
れ、更に有機樹脂絶縁膜からなる赤(R)、緑(G)、
青(B)の3原色の着色層52a、52bがストライプ
状にパターン形成されて成るカラーフィルタ層52が設
けられ、着色層52a、52b上にはインジウム錫酸化
物(以下ITOと略称する。)からなる画素電極54が
形成され、凹部であるコンタクトホール56を介してコ
ンタクト電極48に接続されている。コンタクトホール
56上にはアレイ基板30及び対向基板60間の間隙を
一定に保持する柱状スペーサ70が設けられるが、この
柱状スペーサ70の頂上70aには窪みが形成されてい
る。
【0014】次に液晶表示素子の製造方法について述べ
る。まずガラス基板32上にアンダー・コート層34を
堆積し、プラズマCVD法によりアモルファス・シリコ
ン(a−Si)膜を堆積する。続いてレーザ・アニール
法によりアモルファス・シリコン膜を結晶化させてp−
Si膜36を形成する。このp−Si膜36を所定の形
状にパターン形成しゲート絶縁層38を堆積後、スパッ
タリングにより膜厚約0.3μmのモリブデン(Mo)
からなる金属膜を成膜し、パターン形成してゲー卜電極
40及び補助容量電極42を形成する。次にこれらの電
極40、42をマスクにしてイオン注入法によりポリシ
リコン膜36に不純物を注入する。
【0015】更に絶縁層44を堆積しコンタクト・ホー
ルを形成後、アルミニウム(Al)とモリブデン(M
o)との積層膜を堆積し、パターン形成により信号線4
6及びコンタクト電極48を形成する。以上に説明した
一連のプロセスは、当業者の間で「トップゲート構造」
と称されるポリシリコンTFTの形成条件に準ずること
ができる。
【0016】この後プラズマCVD法により窒化シリコ
ン(SiNx)を500nm堆積し層間絶縁層47を形
成する。次にフォトレジストマスク(図示せず)をパタ
ーン形成し、CDE法により層間絶縁層47をエッチン
グして直径5μmのコンタクトホール56を形成する。
続いて赤色の顔料を分散させた感光性レジストCR−2
000(富士ハントテクノロジ(株)製)をスピンナー
にて全面塗布し、90℃、10分の乾燥後、赤色の着色
層を形成する部分のみに紫外線を照射し、コンタクトホ
ール56エリアを遮光するフォトマスクを介し、露光量
が200mJ/cm2 となるように露光を行う。次に水
酸化カリウム(KOH)lwt%水溶液で20秒間現像
を行い、200℃で60分焼成して直径6μmのコンタ
クトホール56を有する赤色の着色層52aを形成す
る。
【0017】同様にフォトリソグラフィ技術により緑色
(G)の顔料を分散させた感光性レジストCG−200
0(富士ハントテクノロジ(株)製)及び青色(B)の
顔料を分散させた感光性レジストCB−2000(富士
ハントテクノロジ(株)製)を必要部分に配置し、赤、
緑、青の着色層52a、52bを設け、直径6μmのコ
ンタクトホール56を有するカラーフィルタ層52を形
成する。その後カラーフィルタ層52上にスパッタリン
グによりITOを膜厚約0.1μm成膜し、フォトリソ
グラフィにより所定の形状にパターン形成してコンタク
トホール56を介しコンタクト電極48と接続する画素
電極54を形成する。
【0018】更に、感光性の黒色樹脂をスピンナーを用
いて塗布し、90℃、10分の乾燥後、コンタクトホー
ル56上の柱状スペーサ70を形成するスペーサエリア
と、表示エリアの外周部を幅3mmで囲繞するエリアで
は紫外線が遮光されるようなフォトマスクを介して露光
量が300mJ/cm2 となるように露光を行う。その
後、pH=11.5のアルカリ性水溶液で現像し、20
0℃、60分焼成して、アレイ基板30上の表示エリア
外周部の額縁状の遮光層(図示せず)と、表示エリア内
のコンタクトホール56上に直径10μmの柱状スペー
サ70を形成する。この時柱状スペーサ70は、下地の
コンタクトホール56の影響を受け、その頂上70aが
窪んだ形状となる。
【0019】このようにして出来上がったアレイ基板3
0と、共通電極62を形成した対向基板60に、それぞ
れ配向膜57、63を形成するためのポリイミド溶剤で
あるAL−1051(日本合成ゴム(株)製)を均一に
塗布する。この時、柱状スペーサ70により表面に凹凸
が形成されるアレイ基板30にあっては、ポリイミド溶
剤塗布直後は図2(a)に示すように柱状スペーサ70
の凹凸に沿ってポリイミド溶剤71が均一に塗布されて
いるが、時間の経過に伴い全体を平坦化するよう柱状ス
ペーサ70側面のポリイミド溶剤71が下に引っ張られ
る。但し、柱状スペーサ70頂上70aに塗布されたポ
リイミド溶剤71は、図2(b)に示すように頂上70
aに形成された窪みに溜りそこにとどまる。従って柱状
スペーサ70の麓に落ちるポリイミド溶剤71が少なく
なり、図2(c)に示すように焼成後アレイ基板30表
面の表示領域にあっては、配向膜57の膜厚はほぼ均一
に形成される。
【0020】この後アレイ基板30及び対向基板60を
ラビング処理し、エポキシ系の熱硬化樹脂から成る接着
剤XN−215(三井東圧化学(株)製)を用いて貼合
わせ、柱状スペーサ70にて均一に保持される両基板3
0、60間の間隙に液晶組成物50であるZLI−47
92(E.メルク社製)を注入し、注入口を紫外線硬化
樹脂で封止してカラー液晶表示素子20を完成する。
【0021】このカラー液晶表示素子20の両面に偏光
板(図示せず)としてLLC2−9218S((株)サ
ンリッツ社製)を貼り付け、駆動を行ったところ、柱状
スペーサ周辺に表示むらを発生すること無く高品位の表
示を得られた。
【0022】このように構成すれば、アレイ基板30に
形成される凹凸状の柱状スペーサ70の上からポリイミ
ド溶剤71を塗布しても、柱状スペーサ70頂上70a
に塗布されたポリイミド溶剤71は裾野に流れる事無
く、頂上70aに形成される窪みにとどまるので、配向
膜57は柱状スペーサ70の裾野にて膜厚ムラを生じる
事無くほぼ均一の膜厚を得られ、ひいては膜厚むらによ
る表示むらを生じる事無くカラー液晶表示素子の表示品
位を向上出来る。しかも柱状スペーサ70頂上の窪み
は、柱状スペーサ70を、アレイ基板30のコンタクト
ホール56上にてコンタクトホール56より径が大きく
成るようパターン形成するのみで、きわめて容易に形成
出来る。
【0023】次に本発明の第2の実施の形態を図3及び
図4を参照して説明する。本実施の形態は、アレイ基板
に形成されるコンタクトホールの直径に比し柱状スペー
サの直径が小さく、コンタクトホール内に柱状スペーサ
を形成したものであり、他は第1の実施の形態と同一で
ある事から同一部分については同一符号を付しその説明
を省略する。
【0024】即ち本実施の形態のカラー液晶表示素子2
1では、層間絶縁層47上のカラーフィルタ層72に直
径が6μmのコンタクトホール73をパターン形成し、
更にカラーフィルタ層72上にITOからなる画素電極
74を形成後、コンタクトホール73内に直径5μmの
黒色樹脂からなる柱状スペーサ76を形成するものであ
る。これによりコンタクトホール73内で柱状スペーサ
76の麓には溝77が形成される。
【0025】このように周囲に溝77が形成される柱状
スペーサ76を有するアレイ基板78にポリイミド溶剤
71を均一に塗布すと、塗布直後は図4(a)に示すよ
うに柱状スペーサ76の凹凸に沿ってポリイミド溶剤7
1が均一に塗布されているが、時間と共に全体を平坦化
するよう柱状スペーサ76表面のポリイミド溶剤71は
下に引っ張られる。但し、柱状スペーサ76表面から下
に垂れたポリイミド溶剤71は、図4(b)に示すよう
柱状スペーサ76周囲の溝77に溜り周辺に流れ出す事
無くそこにとどまる。従って図4(c)に示すように焼
成後アレイ基板78表面の表示領域にあっては、配向膜
57の膜厚はほぼ均一に形成される。
【0026】このように均一な配向膜57を有するアレ
イ基板78をラビング処理し、対向基板60と貼合わ
せ、液晶組成物50を注入してカラー液晶表示素子21
を完成し、駆動を行ったところ、柱状スペーサ76周辺
に表示むらを発生する無く高品位の表示を得られた。
【0027】このように構成すれば、アレイ基板78に
形成される凹凸状の柱状スペーサ76の上からポリイミ
ド溶剤71を塗布しても、柱状スペーサ76表面から落
ちたポリイミド溶剤71は柱状スペーサ76周囲の溝7
7に溜りその周辺に流れ出す事が無いので、配向膜57
は柱状スペーサ76の周辺にて膜厚ムラを生じる事無く
ほぼ均一の膜厚を得られ、ひいては膜厚むらによる表示
むらを生じる事無くカラー液晶表示素子21の表示品位
を向上出来る。しかも柱状スペーサ76周囲の溝77
は、アレイ基板78のコンタクトホール73より径の小
さい柱状スペーサ76をコンタクトホール73内に形成
するのみで、きわめて容易に形成出来る。
【0028】次に本発明の第3の実施の形態を図5乃至
図7を参照して説明する。本実施の形態は、感光性樹脂
中に含まれる不純物成分が配向膜に吸着するのを防止す
るため、柱状スペーサ形成後オーバーコート層を介し配
向膜を塗布するものである。尚、第1の実施の形態と同
一部分については同一符号を付しその説明を省略する。
【0029】即ち本実施の形態のカラー液晶表示素子2
2を構成するアレイ基板80は、層間絶縁層47上のカ
ラーフィルタ層82に、上方に成膜される画素電極83
をコンタクト電極に接続するためコンタクトホール84
及び柱状スペーサ86が形成されるスペーサエリアとそ
の周囲を幅10μmづつ確保した凹状エリア87が形成
され、凹状エリア87内には柱状スペーサ86が形成さ
れ、凹状エリア87内で柱状スペーサ86の麓の周囲に
は溝88が形成されている。カラーフィルタ層82上に
はオーバーコート層99を介し画素電極83が形成さ
れ、その表面に配向膜90が塗布されている。
【0030】次にアレイ基板80の製造方法について述
べる。層間絶縁層47形成後、続いてカラーフィルタ層
82を形成する際、赤色の顔料を分散させた感光性レジ
ストCR−2000(富士ハントテクノロジ(株)製)
をスピンナーにて全面塗布し、90℃、10分の乾燥
後、赤色の着色層を形成する部分のみに紫外線を照射
し、(7μm×15μm)のスペーサエリアとその外周
部(幅10μm)をカバーする凹状エリア87、及び
(15μm×15μm)のコンタクトホール84エリア
を遮光するフォトマスクを介し、露光量が200mJ/
cm2 となるように露光を行う。
【0031】次に、水酸化カリウム(KOH)lwt%
水溶液で20秒間現像を行い、200℃で60分焼成し
て赤色の着色層82aを形成する。同様にフォトリソグ
ラフィ技術により緑色(G)の顔料を分散させた感光性
レジストCG−2000(富士ハントテクノロジ(株)
製)及び青色(B)の顔料を分散させた感光性レジスト
CB−2000(富士ハントテクノロジ(株)製)を必
要部分に配置し、緑、青の着色層82bを設け、凹状エ
リア87及びコンタクトホール84を有するカラーフィ
ルタ層82を形成する。
【0032】更に、感光性の黒色樹脂をスピンナーを用
いて塗布し、90℃、10分の乾燥後、(7μm×15
μm)のスペーサエリアと、表示エリアの外周部を幅3
mmで囲繞するエリアでは紫外線が遮光されるようなフ
ォトマスクを介して露光量が300mJ/cm2 となる
ように露光を行う。次いでpH=11.5のアルカリ性
水溶液で現像し、200℃、60分焼成して、アレイ基
板80上の表示エリア外周部の額縁状の遮光層(図示せ
ず)と、表示エリア内の柱状スペーサ86とを同時に黒
色樹脂にて形成する。この時凹状エリア87内で柱状ス
ペーサ86の麓の周囲には溝88が形成される。
【0033】さらに、感光性の透明樹脂をスピンナーを
用いて均一に塗布し、90℃、10分の乾燥後、(25
μm×25μm)のコンタクトホール84エリアが紫外
線が遮光されるようなフォトマスクを介して、露光量が
300mJ/cm2 となるように露光を行いオーバーコ
ート層99を形成する。この均一に塗布された透明樹脂
は、時間の経過に従い柱状スペーサ86表面から液垂れ
し柱状スペーサ86周囲に落ちるが、柱状スペーサ86
周囲には溝88が形成されており、図6に示すように透
明樹脂はこの溝88に溜り周辺に流れ出す事無くそこに
とどまりアレイ基板80表面の表示領域にあっては、オ
ーバーコート層99の膜厚はほぼ均一に形成される。そ
の後、スパッタリングによりITOを膜厚約0.1μm
成膜し、フォトリソグラフィにより所定の形状にパター
ン形成してコンタクトホール84を介しコンタクト電極
48と接続する画素電極83を形成する。
【0034】このようにして出来上がったアレイ基板8
0と対向基板60に、それぞれ配向膜90、63を形成
するためのポリイミド溶剤であるAL−1051(日本
合成ゴム(株)製)を均一に塗布する。この時アレイ基
板80にあっては、時間の経過に従いポリイミド溶剤が
柱状スペーサ86表面から下に落ちるが、図7に示すよ
うに柱状スペーサ86周囲の溝88の残された部分に溜
り周辺に流れ出す事無くそこにとどまる。従って焼成後
アレイ基板80表面の表示領域にあっては、配向膜90
の膜厚はほぼ均一に形成される。
【0035】このように均一なオーバーコート層99及
び配向膜90を有するアレイ基板80をラビング処理
し、対向基板60と貼合わせ、液晶組成物50を注入し
てカラー液晶表示素子22を完成し、駆動を行ったとこ
ろ、柱状スペーサ86周辺に表示むらを発生する無く高
品位の表示を得られた。
【0036】このように構成すれば、配向膜90は、オ
ーバーコート層99を介し柱状スペーサ86上に成膜さ
れており、黒色樹脂からなる柱状スペーサ86の不純物
成分が配向膜90に吸着する事が無く、これが原因の表
示ムラや焼き付きを防止出来表示品位の向上を図れる。
又、柱状スペーサ86が形成されるアレイ基板80に透
明樹脂及びポリイミド溶剤を塗布しても、柱状スペーサ
86表面から落ちた透明樹脂及びポリイミド溶剤は柱状
スペーサ86周囲の溝88に溜りその周辺に流れ出す事
が無いので、オーバーコート層99及び配向膜90は柱
状スペーサ86の周辺にて膜厚ムラを生じる事無くほぼ
均一の膜厚を得られ、ひいては膜厚むらによる表示むら
を生じる事無くカラー液晶表示素子22の表示品位を向
上出来る。
【0037】次に本発明の第4の実施の形態を図8乃至
図10を参照して説明する。本実施の形態は、カラーフ
ィルタ層に用いる着色層を積層して柱状スペーサを形成
したものであり、他は第3の実施の形態と同一であるこ
とから同一部分については同一符号を付しその説明を省
略する。
【0038】即ち本実施の形態のカラー液晶表示素子2
3では、アレイ基板100に有機樹脂絶縁膜からなる赤
(R)、緑(G)、青(B)の3原色の着色層101
a、101b、101cにてカラーフィルタ層101を
形成する際、凹状エリア102内のスペーサエリアに順
次各着色層を積層して柱状スペーサ103を形成するも
のである。
【0039】具体的には、先ず赤(R)の顔料を分散さ
せた感光性レジストを、全面塗布し乾燥後、スペーサエ
リアの外周部(幅10μm)104及び(15μm×1
5μm)のコンタクトホール106エリアを遮光するフ
ォトマスクを介し、赤(R)の着色層を残そうとするエ
リア及び(7μm×15μm)のスペーサエリアに露光
量が200mJ/cm2 となるように紫外線の露光を行
う。これにより、赤色の着色層101aと同時にスペー
サエリアに柱状スペーサ103の赤色層101aが形成
される。同様にフォトリソグラフィ技術により緑
(G)、青(B)の顔料を分散させた感光性レジストに
て、緑、青の着色層101bを形成すると同時にスペー
サエリアに柱状スペーサ103の緑色層101b、青色
層101cを順次形成する。これにより凹状エリア10
2内で柱状スペーサ103の麓の周囲には溝107が形
成される。尚、アレイ基板100上の表示エリア外周部
の額縁状の遮光層(図示せず)は、黒色樹脂にて形成す
る。
【0040】この後赤色層、緑色層、青色層が積層され
て成る柱状スペーサ103を有する上にオーバーコート
層108を形成するために感光性の透明樹脂を塗布する
と、時間の経過に従い透明樹脂は柱状スペーサ103表
面から液垂れし周囲に落ちるが、図9に示すように周辺
に流れ出す事無く柱状スペーサ103周囲に設けられる
溝107に溜りそこにとどまる。更に画素電極105を
形成後ポリイミド溶剤を塗布する際も、時間の経過に従
い柱状スペーサ103表面から下に落ちたポリイミド溶
剤は、図10に示すように周辺に流れ出す事無く柱状ス
ペーサ103周囲の溝107の残された部分に溜りそこ
にとどまる。従ってアレイ基板100に成膜されるオー
バーコート層108及び配向膜110の膜厚は、表示領
域にてほぼ均一とされる。
【0041】このように均一なオーバーコート層108
及び配向膜110を有するアレイ基板100をラビング
処理し、対向基板60と貼合わせ、液晶組成物50を注
入してカラー液晶表示素子23を完成し、駆動を行った
ところ、第3の実施の形態と同様柱状スペーサ103周
辺に表示むらを発生する無く高品位の表示を得られた。
【0042】このように構成すれば、配向膜110は、
オーバーコート層108を介し赤、緑、青の顔料を分散
させた感光性レジストを積層して成る柱状スペーサ10
3上に成膜されており、柱状スペーサ103の不純物成
分が配向膜110に吸着する事により生じる表示ムラや
焼き付きを防止出来表示品位の向上を図れる。又柱状ス
ペーサ103が形成されるアレイ基板100に透明樹脂
及びポリイミド溶剤を塗布しても、柱状スペーサ103
表面から落ちた透明樹脂及びポリイミド溶剤は柱状スペ
ーサ103周囲の溝107に溜りその周辺に流れ出す事
が無いので、オーバーコート層108及び配向膜110
は柱状スペーサ103の周辺にて膜厚ムラを生じる事無
くほぼ均一の膜厚を得られ、ひいては膜厚むらによる表
示むらを生じる事無くカラー液晶表示素子23の表示品
位を向上出来る。
【0043】次に本発明の第5の実施の形態を図11乃
至図13を参照して説明する。本実施の形態は、カラー
フィルタ層形成時に凹状エリアを形成する事無く、カラ
ーフィルタ層上に柱状スペーサを形成し、更にオーバー
コート層形成後に柱状スペーサ外周にてオーバーコート
層に窪みをパーターン形成するものであり、他は第3の
実施の形態と同一であることから同一部分については同
一符号を付しその説明を省略する。
【0044】本実施の形態のカラー液晶表示素子24で
は、アレイ基板112に有機樹脂絶縁膜からなる赤
(R)、緑(G)、青(B)の3原色からなるカラーフ
ィルタ層113上に柱状スペーサ114が形成され、そ
の上に柱状スペーサ114周囲に溝116を有するオー
バーコート層117が設けられる。オーバーコート層1
17上には画素電極118が形成され、その表面に配向
膜120が塗布されている。
【0045】具体的には、赤(R)、緑(G)、青
(B)の顔料を分散させた感光性レジストを、(15μ
m×15μm)のコンタクトホール121エリアを遮光
するフォトマスクを用いてフォトリソグラフィにより順
次ストライプ状にパターン形成し、カラーフィルタ層1
13を形成する。次いでフォトリソグラフィ技術により
(7μm×15μm)のスペーサエリアに黒色樹脂から
なる(7μm×15μm)の柱状スペーサ114を形成
後、オーバーコート層117を形成する感光性の透明樹
脂を塗布し乾燥する。この時透明樹脂が塗布後時間の経
過に従い柱状スペーサ114表面から液垂れし周囲に落
ちることから乾燥時オーバーコート層117は図12に
点線で示すようになだらかな山形となっている。
【0046】この後スペーサエリアの外周部(幅10μ
m)122及びコンタクトホール121エリアを遮光す
るフォトマスクを用いフォトリソグラフィ技術により、
図12に示すようにオーバーコート層117にコンタク
トホール121を形成すると同時に柱状スペーサ114
周囲に溝116をパターン形成する。更に画素電極11
8を形成後ポリイミド溶剤を塗布するが、この時、時間
の経過に従い柱状スペーサ114表面から下に落ちたポ
リイミド溶剤は、図13に示すように周辺に流れ出す事
無く柱状スペーサ114周囲の溝116に溜りそこにと
どまる。従ってオーバーコート層117はそのパターン
端部で、やや膜厚がムラに成るものの、配向膜120
は、アレイ基板112の表示領域にてほぼ均一とされ
る。
【0047】このようなオーバーコート層117及び配
向膜120を有するアレイ基板112をラビング処理
し、対向基板60と貼合わせ、液晶組成物50を注入し
てカラー液晶表示素子24を完成し、駆動を行ったとこ
ろ、第3の実施の形態と同様柱状スペーサ114周辺に
表示むらを発生する無く高品位の表示を得られた。
【0048】このように構成すれば、配向膜120は、
オーバーコート層117を介し柱状スペーサ114上に
成膜されており、柱状スペーサ114の不純物成分が配
向膜120に吸着する事により生じる表示ムラや焼き付
きを防止出来表示品位の向上を図れる。又柱状スペーサ
114が形成されるアレイ基板112にオーバーコート
層117形成後にポリイミド溶剤を塗布しても、柱状ス
ペーサ114表面から落ちたポリイミド溶剤は柱状スペ
ーサ114周囲にパターン形成される溝116に溜りそ
の周辺に流れ出す事が無いので、配向膜120は柱状ス
ペーサ114の周辺にて膜厚ムラを生じる事無くほぼ均
一の膜厚を得られ、ひいては膜厚むらによる表示むらを
生じる事無くカラー液晶表示素子24の表示品位を向上
出来る。
【0049】次に本発明の第6の実施の形態を図14乃
至図16を参照して説明する。本実施の形態は、カラー
フィルタ層に用いる着色層を積層して柱状スペーサを形
成したものであり、他は第5の実施の形態と同一である
ことから同一部分については同一符号を付しその説明を
省略する。
【0050】本実施の形態のカラー液晶表示素子27で
は、アレイ基板124に有機樹脂絶縁膜からなる赤
(R)、緑(G)、青(B)の3原色からなるカラーフ
ィルタ層126を形成する際、スペーサエリアに順次各
着色層126a、126b、126cを積層して柱状ス
ペーサ127を形成する。その上に柱状スペーサ127
周囲に溝128を有するオーバーコート層130を設
け、オーバーコート層130上に画素電極131を形成
し、その表面に配向膜132が塗布されている。
【0051】具体的には、赤(R)、緑(G)、青
(B)の顔料を分散させた感光性レジストを、(15μ
m×15μm)のコンタクトホール133エリア及び
(7μm×15μm)のスペーサエリアを遮光するフォ
トマスクを用いてフォトリソグラフィにより順次パター
ン形成し、ストライプ状のカラーフィルタ層126及び
赤色層、緑色層、青色層が積層されて成る柱状スペーサ
127を形成する。オーバーコート層130を形成する
感光性の透明樹脂を塗布し乾燥する。この時透明樹脂が
塗布後時間の経過に従い柱状スペーサ127表面から液
垂れし周囲に落ちることから乾燥時オーバーコート層1
30は図15に点線で示すようになだらかな山形となっ
ている。
【0052】この後スペーサエリアの外周部(幅10μ
m)136及びコンタクトホール133エリアを遮光す
るフォトマスクを用いフォトリソグラフィ技術により、
図15に示すようにオーバーコート層130にコンタク
トホール133を形成すると同時に柱状スペーサ127
周囲に溝128をパターン形成する。更に画素電極13
1を形成後ポリイミド溶剤を塗布するが、この時、時間
の経過に従い柱状スペーサ127表面から下に落ちたポ
リイミド溶剤は、図16に示すように周辺に流れ出す事
無く柱状スペーサ127周囲の溝128に溜りそこにと
どまる。従ってオーバーコート層130はそのパターン
端部で、やや膜厚がムラに成るものの、配向膜132
は、アレイ基板124の表示領域にてほぼ均一とされ
る。
【0053】このようなオーバーコート層130及び配
向膜132を有するアレイ基板124をラビング処理
し、対向基板60と貼合わせ、液晶組成物50を注入し
てカラー液晶表示素子27を完成し、駆動を行ったとこ
ろ、第5の実施の形態と同様柱状スペーサ127周辺に
表示むらを発生する無く高品位の表示を得られた。
【0054】このように構成すれば、配向膜132は、
オーバーコート層130を介し柱状スペーサ127上に
成膜されており、柱状スペーサ127の不純物成分が配
向膜132に吸着する事により生じる表示ムラや焼き付
きを防止出来表示品位の向上を図れる。又柱状スペーサ
127が形成されるアレイ基板124にオーバーコート
層130形成後にポリイミド溶剤を塗布しても、柱状ス
ペーサ127表面から落ちたポリイミド溶剤は柱状スペ
ーサ127周囲にパターン形成される溝128に溜りそ
の周辺に流れ出す事が無いので、配向膜132は柱状ス
ペーサ127の周辺にて膜厚ムラを生じる事無くほぼ均
一の膜厚を得られ、ひいては膜厚むらによる表示むらを
生じる事無くカラー液晶表示素子27の表示品位を向上
出来る。
【0055】尚本発明は上記実施の形態に限られるもの
ではなく、その趣旨を変えない範囲での変更は可能であ
って、例えば柱状スペーサの材質や構造、配向膜やオー
バーコート層等の被膜の種類や材質は任意である。また
柱状スペーサや、溝の形成方法等も限定されず、例えば
第1の実施の形態において、柱状スペーサの下地が平坦
で有ることから、頂上が平坦な柱状スペーサを形成後、
頂上部分を再度露光したりあるいはエッチング等により
頂上を削成して、頂上に窪みを形成する等しても良い。
【0056】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、基
板に柱状スペーサを形成し、その頂上に溶液を溜める窪
みを設けあるいは柱状スペーサの周囲に溝を設けている
ので、柱状スペーサ上から基板に配向膜やオーバーコー
ト層等の被膜の塗布時、溶剤が柱状スペーサの周辺に流
れ出す事無く、柱状スペーサ頂上の窪みや周囲の溝にと
どめることが出来、柱状スペーサ周囲において被膜の膜
厚ムラを防止出来、膜厚ムラを原因とする表示ムラを解
消し高品位な液晶表示素子を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態の液晶表示素子を示
す一部概略断面図である。
【図2】本発明の第1の実施の形態の配向膜の製造工程
を示し(a)はそのポリイミド溶剤塗布時、(b)はそ
のポリイミド溶剤塗布から時間経過後、(c)はそのポ
リイミド溶剤焼成後を示す概略説明図である。
【図3】本発明の第2の実施の形態の液晶表示素子を示
す一部概略断面図である。
【図4】本発明の第2の実施の形態の配向膜の製造工程
を示し(a)はそのポリイミド溶剤塗布時、(b)はそ
のポリイミド溶剤塗布から時間経過後、(c)はそのポ
リイミド溶剤焼成後を示す概略説明図である。
【図5】本発明の第3の実施の形態の液晶表示素子を示
す一部概略断面図である。
【図6】本発明の第3の実施の形態オーバーコート層塗
布時を示す概略説明図である。
【図7】本発明の第3の実施の配向膜塗布時を示す概略
説明図である。
【図8】本発明の第4の実施の形態の液晶表示素子を示
す一部概略断面図である。
【図9】本発明の第4の実施の形態オーバーコート層塗
布時を示す概略説明図である。
【図10】本発明の第4の実施の配向膜塗布時を示す概
略説明図である。
【図11】本発明の第5の実施の形態の液晶表示素子を
示す一部概略断面図である。
【図12】本発明の第5の実施の形態オーバーコート層
塗布時を示す概略説明図である。
【図13】本発明の第5の実施の配向膜塗布時を示す概
略説明図である。
【図14】本発明の第6の実施の形態の液晶表示素子を
示す一部概略断面図である。
【図15】本発明の第6の実施の形態オーバーコート層
塗布時を示す概略説明図である。
【図16】本発明の第6の実施の配向膜塗布時を示す概
略説明図である。
【図17】従来の配向膜の製造工程を示し(a)はその
ポリイミド溶剤塗布時、(b)はそのポリイミド溶剤塗
布から時間経過後、(c)はそのポリイミド溶剤焼成後
を示す概略説明図である。
【符号の説明】
20…カラー液晶表示素子 30…アレイ基板 31…スイッチング素子 36…半導体層 47…層間絶縁膜 48…コンタクト電極 50…液晶組成物 52…カラーフィルタ層 54…画素電極 56…コンタクトホール 57…配向膜 60…対向基板 63…配向膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 二ノ宮 希佐子 埼玉県深谷市幡羅町一丁目9番2号 株式 会社東芝深谷電子工場内 (72)発明者 倉内 昭一 埼玉県深谷市幡羅町一丁目9番2号 株式 会社東芝深谷電子工場内 Fターム(参考) 2H089 HA15 JA11 LA09 LA14 LA16 LA19 LA20 MA04X NA05 NA14 NA24 NA25 NA40 NA45 NA48 NA56 NA60 PA02 QA12 QA13 QA14 SA01 TA02 TA04 TA12 5C094 AA03 AA42 AA43 AA47 AA48 BA03 BA43 CA19 CA24 DA07 DA13 EA04 EA07 EC03 EC04 ED03 ED15 FA01 FA02 FA10 GB01 GB10

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 2枚の基板間の間隙に液晶組成物を封入
    して成る液晶表示素子において、前記基板の少なくとも
    何れか一方に設けられ頂上に窪みを有し前記間隙を一定
    に保持する柱状スペーサと、この柱状スペーサ形成後前
    記基板に塗布される被膜とを具備することを特徴とする
    液晶表示素子。
  2. 【請求項2】 2枚の基板間の間隙に液晶組成物を封入
    してなる液晶表示素子の製造方法において、前記基板の
    少なくとも何れか一方の表面に凹部を形成する工程と、
    前記凹部上に前記凹部を覆うよう前記凹部の面積より広
    い断面積を有し前記間隙を一定に保持する柱状スペーサ
    を形成することにより前記柱状スペーサ頂上に窪みを形
    成する工程と、前記柱状スペーサ形成後前記基板に被膜
    を塗布する工程とを具備することを特徴とする液晶表示
    素子の製造方法。
  3. 【請求項3】 2枚の基板間の間隙に液晶組成物を封入
    してなる液晶表示素子の製造方法において、前記基板の
    少なくとも何れか一方に前記間隙を一定に保持する柱状
    スペーサを形成する工程と、前記柱状スペーサ頂上を削
    ることにより前記柱状スペーサ頂上に窪みを形成する工
    程と、前記窪み形成後前記基板に被膜を塗布する工程と
    を具備することを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
  4. 【請求項4】 2枚の基板間の間隙に液晶組成物を封入
    して成る液晶表示素子において、前記基板の少なくとも
    何れか一方に設けられ前記間隙を一定に保持する柱状ス
    ペーサと、前記基板の前記柱状スペーサ周囲に設けられ
    る溝と、前記柱状スペーサ上から前記基板に塗布される
    被膜とを具備することを特徴とする液晶表示素子。
  5. 【請求項5】 2枚の基板間の間隙に液晶組成物を封入
    してなる液晶表示素子の製造方法において、前記基板の
    少なくとも何れか一方の表面に凹部を形成する工程と、
    前記凹部内に前記凹部の面積より狭い断面積を有し前記
    間隙を一定に保持する柱状スペーサを形成することによ
    り前記柱状スペーサ周囲に溝を形成する工程と、前記柱
    状スペーサ形成後前記基板に被膜を塗布する工程とを具
    備することを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
  6. 【請求項6】 2枚の基板間の間隙に液晶組成物を封入
    してなる液晶表示素子の製造方法において、前記基板の
    少なくとも何れか一方に前記間隙を一定に保持する柱状
    スペーサを形成する工程と、前記柱状スペーサより上層
    の構成層を前記柱状スペーサ周囲に溝を形成するようパ
    ターン形成する工程と、前記上層の構成層をパターン形
    成後前記基板に被膜を塗布する工程とを具備することを
    特徴とする液晶表示素子の製造方法。
JP29073298A 1998-10-13 1998-10-13 液晶表示素子及び液晶表示素子の製造方法 Pending JP2000122071A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29073298A JP2000122071A (ja) 1998-10-13 1998-10-13 液晶表示素子及び液晶表示素子の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29073298A JP2000122071A (ja) 1998-10-13 1998-10-13 液晶表示素子及び液晶表示素子の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000122071A true JP2000122071A (ja) 2000-04-28

Family

ID=17759815

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP29073298A Pending JP2000122071A (ja) 1998-10-13 1998-10-13 液晶表示素子及び液晶表示素子の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000122071A (ja)

Cited By (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001144302A (ja) * 1999-08-31 2001-05-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法並びに電子装置
JP2002148657A (ja) * 2000-11-14 2002-05-22 Toshiba Corp 液晶表示装置
JP2002169166A (ja) * 2000-12-05 2002-06-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置およびその製造方法ならびに画像表示応用機器
WO2002063382A1 (fr) * 2001-02-02 2002-08-15 Citizen Watch Co., Ltd. Obturateur a cristaux liquides pour systeme d'exposition
JP2003035909A (ja) * 2001-07-24 2003-02-07 Toshiba Corp 平面表示素子および平面表示素子の製造方法
JP2003084266A (ja) * 2001-06-29 2003-03-19 Fujitsu Display Technologies Corp 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法
JP2003222880A (ja) * 2002-01-31 2003-08-08 Toshiba Corp 液晶表示装置
US6630977B1 (en) * 1999-05-20 2003-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with capacitor formed around contact hole
KR20040026375A (ko) * 2002-09-24 2004-03-31 일진다이아몬드(주) 액정 디스플레이 및 그 제조방법
WO2004029921A2 (en) * 2002-09-24 2004-04-08 Iljin Diamond Co., Ltd Liquid crystal display and manufacturing method thereof
JP2004145084A (ja) * 2002-10-25 2004-05-20 Fujitsu Ltd 液晶パネル及びその製造方法
JP2005025205A (ja) * 2003-07-02 2005-01-27 Samsung Electronics Co Ltd 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法
JP2005099278A (ja) * 2003-09-24 2005-04-14 Hitachi Chem Co Ltd 液晶表示装置用スペーサー及びこれの製造方法、並びにこれを製造するための感光性樹脂組成物及び感光性エレメント
JP2005099277A (ja) * 2003-09-24 2005-04-14 Hitachi Chem Co Ltd 液晶表示装置用スペーサー及びこれの製造方法、並びにこれを製造するための感光性樹脂組成物及び感光性エレメント
JP2005107494A (ja) * 2003-09-08 2005-04-21 Sharp Corp 液晶表示装置
KR100489763B1 (ko) * 2000-12-08 2005-05-16 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 액정표시장치
JP2006208728A (ja) * 2005-01-27 2006-08-10 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
JP2006317955A (ja) * 2006-05-24 2006-11-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
KR100672652B1 (ko) 2004-04-30 2007-01-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR100710175B1 (ko) 2004-10-11 2007-04-20 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR100749458B1 (ko) * 2000-11-13 2007-08-14 삼성에스디아이 주식회사 티에프티 어레이 상에 칼라 필터가 형성된 엘시디 및 그 제조방법
JP2008026587A (ja) * 2006-07-21 2008-02-07 Dainippon Printing Co Ltd カラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ、およびこれを用いた液晶表示装置
US7391055B1 (en) * 1999-05-14 2008-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Capacitor, semiconductor device and manufacturing method thereof
EP2012175A1 (en) * 2007-07-05 2009-01-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Display substrate, method of manufacturing the same and display device having the same
JP2010096809A (ja) * 2008-10-14 2010-04-30 Mitsubishi Electric Corp 液晶表示装置、及びその製造方法
US7719655B2 (en) * 2003-03-28 2010-05-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Spacers for maintaining cell gaps in display devices
JP2010164750A (ja) * 2009-01-15 2010-07-29 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
US7851797B2 (en) 1999-12-14 2010-12-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including a color filter or color filters over a pixel portion and a driving circuit for driving the pixel portion
JP2011197600A (ja) * 2010-03-24 2011-10-06 Dainippon Printing Co Ltd カラーフィルタ、カラーフィルタの製造方法およびそれを備える液晶表示装置
US8040484B2 (en) 2005-06-01 2011-10-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display panel having a constant cell gap and method of making the same
JP2011242506A (ja) * 2010-05-17 2011-12-01 Sony Corp 表示装置の製造方法、および表示装置
JP2012032844A (ja) * 1999-07-06 2012-02-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
JP2012208294A (ja) * 2011-03-29 2012-10-25 Seiko Epson Corp 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、投射型表示装置および電子機器
JP2013195609A (ja) * 2012-03-19 2013-09-30 Dainippon Printing Co Ltd カラーフィルタ形成基板および液晶表示装置
JP2014150262A (ja) * 2000-09-29 2014-08-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
CN104656315A (zh) * 2015-03-17 2015-05-27 合肥鑫晟光电科技有限公司 液晶显示基板及其制备方法
JP2015158649A (ja) * 2014-02-25 2015-09-03 大日本印刷株式会社 液晶レンズ用基板
US9250479B2 (en) 2011-12-19 2016-02-02 Japan Display Inc. Liquid crystal display device
WO2022227134A1 (zh) * 2021-04-28 2022-11-03 Tcl华星光电技术有限公司 阵列基板及液晶显示面板
US11506946B1 (en) 2021-04-28 2022-11-22 Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate and liquid crystal display panel

Cited By (71)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7391055B1 (en) * 1999-05-14 2008-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Capacitor, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7126661B2 (en) 1999-05-20 2006-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd In-plane switching display device having common electrode overlapping channel forming region, and double gate TFT
US7701541B2 (en) 1999-05-20 2010-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. In-plane switching display device having electrode and pixel electrode in contact with an upper surface of an organic resin film
US6950168B2 (en) 1999-05-20 2005-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with capacitor formed around contact hole
US6630977B1 (en) * 1999-05-20 2003-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with capacitor formed around contact hole
JP2019133180A (ja) * 1999-07-06 2019-08-08 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US9395584B2 (en) 1999-07-06 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
US9052551B2 (en) 1999-07-06 2015-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
US9069215B2 (en) 1999-07-06 2015-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
JP2013214087A (ja) * 1999-07-06 2013-10-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
JP2013190825A (ja) * 1999-07-06 2013-09-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2012032844A (ja) * 1999-07-06 2012-02-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
JP2014067055A (ja) * 1999-07-06 2014-04-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP4646368B2 (ja) * 1999-08-31 2011-03-09 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
JP2001144302A (ja) * 1999-08-31 2001-05-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法並びに電子装置
US7851797B2 (en) 1999-12-14 2010-12-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including a color filter or color filters over a pixel portion and a driving circuit for driving the pixel portion
JP2017161924A (ja) * 2000-09-29 2017-09-14 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP2014150262A (ja) * 2000-09-29 2014-08-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2014157357A (ja) * 2000-09-29 2014-08-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
KR100749458B1 (ko) * 2000-11-13 2007-08-14 삼성에스디아이 주식회사 티에프티 어레이 상에 칼라 필터가 형성된 엘시디 및 그 제조방법
JP2002148657A (ja) * 2000-11-14 2002-05-22 Toshiba Corp 液晶表示装置
JP2002169166A (ja) * 2000-12-05 2002-06-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置およびその製造方法ならびに画像表示応用機器
US7456926B2 (en) 2000-12-08 2008-11-25 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display device
US7826028B2 (en) 2000-12-08 2010-11-02 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display device
US7133108B2 (en) * 2000-12-08 2006-11-07 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display device
KR100489763B1 (ko) * 2000-12-08 2005-05-16 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 액정표시장치
WO2002063382A1 (fr) * 2001-02-02 2002-08-15 Citizen Watch Co., Ltd. Obturateur a cristaux liquides pour systeme d'exposition
JP2003084266A (ja) * 2001-06-29 2003-03-19 Fujitsu Display Technologies Corp 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法
JP2003035909A (ja) * 2001-07-24 2003-02-07 Toshiba Corp 平面表示素子および平面表示素子の製造方法
JP2003222880A (ja) * 2002-01-31 2003-08-08 Toshiba Corp 液晶表示装置
KR20040026375A (ko) * 2002-09-24 2004-03-31 일진다이아몬드(주) 액정 디스플레이 및 그 제조방법
WO2004029921A2 (en) * 2002-09-24 2004-04-08 Iljin Diamond Co., Ltd Liquid crystal display and manufacturing method thereof
WO2004029921A3 (en) * 2002-09-24 2004-06-24 Iljin Diamond Co Ltd Liquid crystal display and manufacturing method thereof
JP2004145084A (ja) * 2002-10-25 2004-05-20 Fujitsu Ltd 液晶パネル及びその製造方法
US7719655B2 (en) * 2003-03-28 2010-05-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Spacers for maintaining cell gaps in display devices
TWI386734B (zh) * 2003-03-28 2013-02-21 Samsung Electronics Co Ltd 供顯示裝置用之分隔件
US7960732B2 (en) 2003-07-02 2011-06-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof
JP4675588B2 (ja) * 2003-07-02 2011-04-27 三星電子株式会社 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法
JP2005025205A (ja) * 2003-07-02 2005-01-27 Samsung Electronics Co Ltd 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法
US7295277B2 (en) 2003-09-08 2007-11-13 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display apparatus with spacer positioned over contact hole
CN100356239C (zh) * 2003-09-08 2007-12-19 夏普株式会社 液晶显示装置
JP2005107494A (ja) * 2003-09-08 2005-04-21 Sharp Corp 液晶表示装置
JP4555938B2 (ja) * 2003-09-24 2010-10-06 日立化成工業株式会社 液晶表示装置用スペーサー及びこれの製造方法、並びにこれを製造するための感光性エレメント
JP4555939B2 (ja) * 2003-09-24 2010-10-06 日立化成工業株式会社 液晶表示装置用スペーサー及びこれの製造方法、並びにこれを製造するための感光性エレメント
JP2005099277A (ja) * 2003-09-24 2005-04-14 Hitachi Chem Co Ltd 液晶表示装置用スペーサー及びこれの製造方法、並びにこれを製造するための感光性樹脂組成物及び感光性エレメント
JP2005099278A (ja) * 2003-09-24 2005-04-14 Hitachi Chem Co Ltd 液晶表示装置用スペーサー及びこれの製造方法、並びにこれを製造するための感光性樹脂組成物及び感光性エレメント
KR100672652B1 (ko) 2004-04-30 2007-01-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR100710175B1 (ko) 2004-10-11 2007-04-20 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP2006208728A (ja) * 2005-01-27 2006-08-10 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
US8040484B2 (en) 2005-06-01 2011-10-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display panel having a constant cell gap and method of making the same
JP4494369B2 (ja) * 2006-05-24 2010-06-30 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP2006317955A (ja) * 2006-05-24 2006-11-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
JP2008026587A (ja) * 2006-07-21 2008-02-07 Dainippon Printing Co Ltd カラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ、およびこれを用いた液晶表示装置
EP2012175A1 (en) * 2007-07-05 2009-01-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Display substrate, method of manufacturing the same and display device having the same
US8587740B2 (en) 2007-07-05 2013-11-19 Samsung Display Co., Ltd. Display substrate, method of manufacturing the same, and display device having the same
JP2010096809A (ja) * 2008-10-14 2010-04-30 Mitsubishi Electric Corp 液晶表示装置、及びその製造方法
JP2010164750A (ja) * 2009-01-15 2010-07-29 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
JP2011197600A (ja) * 2010-03-24 2011-10-06 Dainippon Printing Co Ltd カラーフィルタ、カラーフィルタの製造方法およびそれを備える液晶表示装置
JP2011242506A (ja) * 2010-05-17 2011-12-01 Sony Corp 表示装置の製造方法、および表示装置
JP2012208294A (ja) * 2011-03-29 2012-10-25 Seiko Epson Corp 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、投射型表示装置および電子機器
US10185184B2 (en) 2011-12-19 2019-01-22 Japan Display Inc. Liquid crystal display device
US9250479B2 (en) 2011-12-19 2016-02-02 Japan Display Inc. Liquid crystal display device
US9746718B2 (en) 2011-12-19 2017-08-29 Japan Display Inc. Liquid crystal display device
US10473986B2 (en) 2011-12-19 2019-11-12 Japan Display Inc. Liquid crystal display device
JP2013195609A (ja) * 2012-03-19 2013-09-30 Dainippon Printing Co Ltd カラーフィルタ形成基板および液晶表示装置
JP2015158649A (ja) * 2014-02-25 2015-09-03 大日本印刷株式会社 液晶レンズ用基板
CN104656315B (zh) * 2015-03-17 2017-08-25 合肥鑫晟光电科技有限公司 液晶显示基板及其制备方法
US9874783B2 (en) 2015-03-17 2018-01-23 Boe Technology Group Co., Ltd. Liquid crystal display substrate and preparation method thereof
CN104656315A (zh) * 2015-03-17 2015-05-27 合肥鑫晟光电科技有限公司 液晶显示基板及其制备方法
WO2022227134A1 (zh) * 2021-04-28 2022-11-03 Tcl华星光电技术有限公司 阵列基板及液晶显示面板
US11506946B1 (en) 2021-04-28 2022-11-22 Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate and liquid crystal display panel

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2000122071A (ja) 液晶表示素子及び液晶表示素子の製造方法
US7742130B2 (en) Color filter plate and thin film transistor plate for liquid crystal display, and methods for fabricating the plates
US7961288B2 (en) Liquid crystal display panel and method of manufacturing the same
US6362865B2 (en) Liquid crystal display apparatus and method for manufacturing liquid crystal display apparatus
US20070109469A1 (en) Liquid crystal display device and method of fabricating the same
WO2017117835A1 (zh) 液晶显示面板、阵列基板及其制造方法
JPH10268321A (ja) 電極基板の製造方法
US20030053016A1 (en) Formed body, reflecting plate, reflection display device, and method for fabricating reflecting plate
JP2003186022A (ja) 液晶表示装置及びその製造方法
KR100892357B1 (ko) 액정표시장치용 컬러필터 기판 및 그 제조방법
KR20030025871A (ko) 전기 광학 장치 및 그 제조 방법 및 전자 기기
US8421970B2 (en) Liquid crystal display device having a pixel electrode pattern formed by using an alignment layer pattern as the mask and method for manufacturing the same
TW200422723A (en) Liquid crystal displays with post spacers, and their manufacture
US7696027B2 (en) Method of fabricating display substrate and method of fabricating display panel using the same
US7760307B2 (en) Mother glass for a liquid crystal display with passivation layer and barrier layer and method of fabricating liquid crystal display using the same
WO2010047307A1 (ja) 表示パネル用の基板、表示パネル、表示パネル用の基板の製造方法
US20080149933A1 (en) Display panel
JP2000187223A (ja) 液晶表示素子
JP2001133790A (ja) 液晶表示装置
KR100749458B1 (ko) 티에프티 어레이 상에 칼라 필터가 형성된 엘시디 및 그 제조방법
JPH08171099A (ja) 液晶表示装置およびその製造方法
KR20030057208A (ko) 액정표시장치용 컬러필터 기판 및 그 제조방법
JPH1195202A (ja) アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP2001255555A (ja) 液晶表示装置およびアレイ基板
JP2001004991A (ja) アクティブマトリクス型液晶表示装置