JP2000187223A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JP2000187223A JP2000187223A JP36413098A JP36413098A JP2000187223A JP 2000187223 A JP2000187223 A JP 2000187223A JP 36413098 A JP36413098 A JP 36413098A JP 36413098 A JP36413098 A JP 36413098A JP 2000187223 A JP2000187223 A JP 2000187223A
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- crystal display
- columnar spacer
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 柱状スペーサ近傍の液晶の配向乱れを少なく
して表示性能が良く、歩留りが高いカラー表示型液晶表
示素子を安価に提供することを目的とする。 【解決手段】 マトリクス状にスイッチング素子１３を
配置し、その上面にカラーフィルタ層２０と画素電極１
２を形成したアクティブマトリクス基板１０側に柱状ス
ペーサ２１を配置する構造において、この柱状スペーサ
２１を逆テーパー形状にする。
して表示性能が良く、歩留りが高いカラー表示型液晶表
示素子を安価に提供することを目的とする。 【解決手段】 マトリクス状にスイッチング素子１３を
配置し、その上面にカラーフィルタ層２０と画素電極１
２を形成したアクティブマトリクス基板１０側に柱状ス
ペーサ２１を配置する構造において、この柱状スペーサ
２１を逆テーパー形状にする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は液晶表示素子に関
し、表示性能が良く、歩留りの高い、液晶表示素子を提
供することに関する。
し、表示性能が良く、歩留りの高い、液晶表示素子を提
供することに関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、一般的に用いられている液晶表示
素子は、電極を有する２枚のガラス基板の間に液晶を挟
持し、２枚の基板の周囲が液晶封入口を除いて接着剤で
固定されていて液晶封入口が封止剤で封止された構成と
なっている。この２枚の基板間の距離を一定に保つため
のスペーサとして代表的に粒径の均一なプラスチックビ
ーズ等を基板間に散在させたものがある。
素子は、電極を有する２枚のガラス基板の間に液晶を挟
持し、２枚の基板の周囲が液晶封入口を除いて接着剤で
固定されていて液晶封入口が封止剤で封止された構成と
なっている。この２枚の基板間の距離を一定に保つため
のスペーサとして代表的に粒径の均一なプラスチックビ
ーズ等を基板間に散在させたものがある。
【０００３】しかし、２枚の基板間の間隔を一定に保つ
ために散在させるビーズ状のスペーサ周辺では、液晶の
配向が乱れ、スペーサ周辺部から光が漏れ、コントラス
トが低下してしまう。スペーサを基板上に散在させる工
程で、スペーサが不均一に配置され表示不良となり歩留
まりの低下を招いていた。
ために散在させるビーズ状のスペーサ周辺では、液晶の
配向が乱れ、スペーサ周辺部から光が漏れ、コントラス
トが低下してしまう。スペーサを基板上に散在させる工
程で、スペーサが不均一に配置され表示不良となり歩留
まりの低下を招いていた。
【０００４】その対策として対向基板側にカラーフィル
タを配置する構造では、対向基板の表示領域以外の位置
にスペーサをカラーフィルタの着色層を重ねることで形
成したり、対向基板にフォトレジスト等で柱状のスペー
サを形成することが提案されている。
タを配置する構造では、対向基板の表示領域以外の位置
にスペーサをカラーフィルタの着色層を重ねることで形
成したり、対向基板にフォトレジスト等で柱状のスペー
サを形成することが提案されている。
【０００５】この場合は、共通電極である導電性のＩＴ
Ｏ膜が柱状スペーサの頂部や側壁部にも被膜されるため
に、このスペーサが表示電極、信号線電極、ゲート電極
に当たると、不必要な電気的容量が発生したり、電気的
短絡が起こり表示不良となる。
Ｏ膜が柱状スペーサの頂部や側壁部にも被膜されるため
に、このスペーサが表示電極、信号線電極、ゲート電極
に当たると、不必要な電気的容量が発生したり、電気的
短絡が起こり表示不良となる。
【０００６】そこで、柱状スペーサの側面にはＩＴＯが
被膜されないような手法も提案されているが、逆に被膜
されてないため、柱状スペーサからの不純成分の溶出が
あり、信頼性に問題が出る。
被膜されないような手法も提案されているが、逆に被膜
されてないため、柱状スペーサからの不純成分の溶出が
あり、信頼性に問題が出る。
【０００７】また、図３に示すように、アクティブマト
リクス基板側にカラーフィルタ層１を配置し、柱状スペ
ーサ２を配置する画素上置き構造では、カラーフィルタ
層の上に画素ごとの画素電極を作るため、このような構
造は画素電極間の境界のフィルタ層が電極で覆われず、
信頼性に問題が出る。そこで、カラーフィルタ層に保護
層を付けるか、配向膜を保護層に利用して付けるが、柱
状スペーサは機械的に強固に形成するため、基板基部を
太くしており、ここに保護層を設けると、柱状スペーサ
の周辺で保護層３が厚く盛り上がり画素領域に及ぶため
に、柱状スペーサ２付近に表示不良を発生しやすい。ま
た画素電極がきれいにエッチングできず、点欠陥等の不
良も発生させる。
リクス基板側にカラーフィルタ層１を配置し、柱状スペ
ーサ２を配置する画素上置き構造では、カラーフィルタ
層の上に画素ごとの画素電極を作るため、このような構
造は画素電極間の境界のフィルタ層が電極で覆われず、
信頼性に問題が出る。そこで、カラーフィルタ層に保護
層を付けるか、配向膜を保護層に利用して付けるが、柱
状スペーサは機械的に強固に形成するため、基板基部を
太くしており、ここに保護層を設けると、柱状スペーサ
の周辺で保護層３が厚く盛り上がり画素領域に及ぶため
に、柱状スペーサ２付近に表示不良を発生しやすい。ま
た画素電極がきれいにエッチングできず、点欠陥等の不
良も発生させる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題を
解決しようとするものであり、柱状スペーサ近傍の保護
層の盛り上がりの裾野を少なくして表示性能が良く、歩
留りが高いカラー表示型液晶表示素子を安価に提供する
ことを目的とする。
解決しようとするものであり、柱状スペーサ近傍の保護
層の盛り上がりの裾野を少なくして表示性能が良く、歩
留りが高いカラー表示型液晶表示素子を安価に提供する
ことを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、一主面上にマ
トリクス状にスイッチング素子を配置し、その上面にカ
ラーフィルタ層と画素電極を形成したアクティブマトリ
クス基板と、前記アクティブマトリクス基板ととともに
液晶層を挟持し一主面上に共通電極を有する対向基板
と、前記アクティブマトリクス基板側に形成され前記両
基板の間隔を保持する柱状スペーサとからなる液晶表示
素子において、前記アクティブマトリクス基板上の画素
電極の開口部以外に前記柱状スペーサを形成し、前記柱
状スペーサを側部で細く、前記対向基板側で太い逆テー
パー形状にしたことを特徴とする液晶表示素子を得るも
のである。
トリクス状にスイッチング素子を配置し、その上面にカ
ラーフィルタ層と画素電極を形成したアクティブマトリ
クス基板と、前記アクティブマトリクス基板ととともに
液晶層を挟持し一主面上に共通電極を有する対向基板
と、前記アクティブマトリクス基板側に形成され前記両
基板の間隔を保持する柱状スペーサとからなる液晶表示
素子において、前記アクティブマトリクス基板上の画素
電極の開口部以外に前記柱状スペーサを形成し、前記柱
状スペーサを側部で細く、前記対向基板側で太い逆テー
パー形状にしたことを特徴とする液晶表示素子を得るも
のである。
【００１０】さらに、前記アクティブマトリクス基板の
カラーフィルタ層と前記柱状スペーサが保護層で被覆さ
れていることを特徴とする液晶表示素子を得るものであ
る。
カラーフィルタ層と前記柱状スペーサが保護層で被覆さ
れていることを特徴とする液晶表示素子を得るものであ
る。
【００１１】さらに、前記柱状スペーサの側部が前記保
護層で被覆されこの柱状スペーサ近傍の前記保護層の表
面が前記対向基板側にテーパー状に形成され、このテー
パーの角度が水平方向に対して６０°以上を保持するこ
とを特徴とする液晶表示素子を得るものである。
護層で被覆されこの柱状スペーサ近傍の前記保護層の表
面が前記対向基板側にテーパー状に形成され、このテー
パーの角度が水平方向に対して６０°以上を保持するこ
とを特徴とする液晶表示素子を得るものである。
【００１２】以上のように、柱状スペーサを逆テーパー
形状にすることで保護層を設けた時、逆テーパーの柱周
辺に保護層用材料の液溜りが抑えられるため、柱状スペ
ーサ周辺での膜厚の変化が非常に小さく、よって表示不
良が発生することはない。
形状にすることで保護層を設けた時、逆テーパーの柱周
辺に保護層用材料の液溜りが抑えられるため、柱状スペ
ーサ周辺での膜厚の変化が非常に小さく、よって表示不
良が発生することはない。
【００１３】また、柱状スペーサは形成の際フォトレジ
ストを、フォトマスクを介して露光、現像しその形状を
形作るが、現像時に縦方向に現像が進行していくばかり
でなく、横方向にも現像が進んでいく等方エッチングに
より柱状スペーサ自身が細っていく。柱状スペーサは、
１０〜２０μｍ程度の大きさであるため、横方向に現像
が進み、柱状スペーサが細っていくと下地との密着が弱
くなり柱状スペーサの欠落などを招く。
ストを、フォトマスクを介して露光、現像しその形状を
形作るが、現像時に縦方向に現像が進行していくばかり
でなく、横方向にも現像が進んでいく等方エッチングに
より柱状スペーサ自身が細っていく。柱状スペーサは、
１０〜２０μｍ程度の大きさであるため、横方向に現像
が進み、柱状スペーサが細っていくと下地との密着が弱
くなり柱状スペーサの欠落などを招く。
【００１４】また、欠落を抑えようと現像を弱くすると
レジストの残渣が残りやすく、画素上置き構造では画素
電極との導通が取れず液晶表示素子として機能を果たさ
ない。しかし、逆テーパー形状になることを許容するこ
とで、柱状スペーサの形成時の現像マージンを広くする
ことが出来るため、製造上非常に有益である。さらに、
カラーフィルタ上に保護層を配置する構成では、柱状ス
ペーサに細った部分があっても保護層自身が細ちた部分
に入り込むため柱状スペーサ自身は非常に強くなり、ラ
ビング工程などの強い応力のかかる工程でも十分に耐え
られる。
レジストの残渣が残りやすく、画素上置き構造では画素
電極との導通が取れず液晶表示素子として機能を果たさ
ない。しかし、逆テーパー形状になることを許容するこ
とで、柱状スペーサの形成時の現像マージンを広くする
ことが出来るため、製造上非常に有益である。さらに、
カラーフィルタ上に保護層を配置する構成では、柱状ス
ペーサに細った部分があっても保護層自身が細ちた部分
に入り込むため柱状スペーサ自身は非常に強くなり、ラ
ビング工程などの強い応力のかかる工程でも十分に耐え
られる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態について
述べる。図１および図２は本発明による一実施形態のア
クティブマトリクス液晶表示素子の断面図である。
述べる。図１および図２は本発明による一実施形態のア
クティブマトリクス液晶表示素子の断面図である。
【００１６】アクティブマトリクス基板すなわちアレイ
基板１０は、厚さ０．７ｍｍのガラス基板１１上に画素
電極１２をマトリクス状に配置し、各画素電極１２にス
イッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１３
を設けている。
基板１０は、厚さ０．７ｍｍのガラス基板１１上に画素
電極１２をマトリクス状に配置し、各画素電極１２にス
イッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１３
を設けている。
【００１７】これらの画素電極間には、ゲート電極１５
ａを含む走査線と、信号線が格子状に形成されている。
ＴＦＴ１３の構成は走査線と一体のゲート電極１５ａ上
と、この上に酸化シリコンからなるゲート絶縁膜１６、
アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）の半導体層１７が順
次形成されており、この半導体層１７上に信号線と一体
のドレイン電極と、画素電極１２に接続するソース電極
とが設けられている。さらに画素電極１２とＴＦＴ１３
との間には層間絶縁膜を兼ねたカラーフィルタ層２０が
形成されている。カラーフィルタは赤２０Ｒ、緑２０
Ｇ、青（図示しない）の３色でそれぞれの区画された画
素領域に配置される。
ａを含む走査線と、信号線が格子状に形成されている。
ＴＦＴ１３の構成は走査線と一体のゲート電極１５ａ上
と、この上に酸化シリコンからなるゲート絶縁膜１６、
アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）の半導体層１７が順
次形成されており、この半導体層１７上に信号線と一体
のドレイン電極と、画素電極１２に接続するソース電極
とが設けられている。さらに画素電極１２とＴＦＴ１３
との間には層間絶縁膜を兼ねたカラーフィルタ層２０が
形成されている。カラーフィルタは赤２０Ｒ、緑２０
Ｇ、青（図示しない）の３色でそれぞれの区画された画
素領域に配置される。
【００１８】これらの画素領域間に柱状スペーサ２１
が、赤、緑、青３色の画素の１組以上ごとに画面に分散
して配置される。柱状スペーサ２１はアレイ基板１１側
で細く、この基板に組み合わせる対向基板３０側に太い
逆テーパー状になっている。
が、赤、緑、青３色の画素の１組以上ごとに画面に分散
して配置される。柱状スペーサ２１はアレイ基板１１側
で細く、この基板に組み合わせる対向基板３０側に太い
逆テーパー状になっている。
【００１９】さらにその上面すなわち、画素電極１２、
画素電極間に露出するカラーフィルタ層２０、柱状スペ
ーサ２１の頂部２１ａおよび側部２１ｂの全面にポリイ
ミドの配向膜２２がスピンコートで被着される。
画素電極間に露出するカラーフィルタ層２０、柱状スペ
ーサ２１の頂部２１ａおよび側部２１ｂの全面にポリイ
ミドの配向膜２２がスピンコートで被着される。
【００２０】配向膜２２のスピンコート形成時にその原
料である液状物質が柱状スペーサの側部２１ｂに回り込
むが、スペーサ基部２１ｃが細いために付着量が少な
く、スペーサがあるために形成されるスペーサ付近の配
向膜面の凸部２２ａは比較的急峻なテーパ状となる。配
向膜の厚みにもよるが、スペーサ付近の膜面の傾斜角θ
は膜水平面ｈに対して６０°以上にすることが好まし
く、裾野領域を狭くできる。このため、スペーサに起因
する配向膜の厚みの変化はスペーサのごく近傍に限ら
れ、画素電極上に影響することがない。
料である液状物質が柱状スペーサの側部２１ｂに回り込
むが、スペーサ基部２１ｃが細いために付着量が少な
く、スペーサがあるために形成されるスペーサ付近の配
向膜面の凸部２２ａは比較的急峻なテーパ状となる。配
向膜の厚みにもよるが、スペーサ付近の膜面の傾斜角θ
は膜水平面ｈに対して６０°以上にすることが好まし
く、裾野領域を狭くできる。このため、スペーサに起因
する配向膜の厚みの変化はスペーサのごく近傍に限ら
れ、画素電極上に影響することがない。
【００２１】さらに、素子の製造方法とくにカラーフィ
ルタ層、柱状スペーサおよび透明電極の製造方法を説明
する。
ルタ層、柱状スペーサおよび透明電極の製造方法を説明
する。
【００２２】厚さ０．７ｍｍのガラス基板（コーニング
社製の#7059 ）１１に成膜とパターンニングを繰り返
し、アモルファスシリコンからなる薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）１２と信号線、走査線を形成したアレイ基板
を形成する。
社製の#7059 ）１１に成膜とパターンニングを繰り返
し、アモルファスシリコンからなる薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）１２と信号線、走査線を形成したアレイ基板
を形成する。
【００２３】次に基板１１に、赤色の顔料を分散させた
紫外線硬化型アクリル樹脂レジスト（CR-2000 、富士ハ
ントテクノロジー（株）製）をスピンナーにて全面塗布
し、赤を着色したい部分に光が照射されるようなフォト
マスクを介し３６５ｎｍの波長で１００ｍＪ／ｃｍ2 照
射し、ＫＯＨの１％水溶液で１０秒間現像し、赤の着色
層２０Ｒを形成する。同様に緑２０Ｇ、青の着色層を操
り返し形成し、それぞれ２３０℃で１時間焼成する。こ
こでは緑の着色材料は、CG-2000 （富士ハントテクノロ
ジー（株）型）、青の着色材はCB-2000 （富士ハントテ
クノロジー（株）製）を用いた。このときのＲ、Ｇ、Ｂ
の膜厚はそれぞれ１．５μｍとした。
紫外線硬化型アクリル樹脂レジスト（CR-2000 、富士ハ
ントテクノロジー（株）製）をスピンナーにて全面塗布
し、赤を着色したい部分に光が照射されるようなフォト
マスクを介し３６５ｎｍの波長で１００ｍＪ／ｃｍ2 照
射し、ＫＯＨの１％水溶液で１０秒間現像し、赤の着色
層２０Ｒを形成する。同様に緑２０Ｇ、青の着色層を操
り返し形成し、それぞれ２３０℃で１時間焼成する。こ
こでは緑の着色材料は、CG-2000 （富士ハントテクノロ
ジー（株）型）、青の着色材はCB-2000 （富士ハントテ
クノロジー（株）製）を用いた。このときのＲ、Ｇ、Ｂ
の膜厚はそれぞれ１．５μｍとした。
【００２４】次に画素領域間のカラーフィルタ層２０上
に柱状スペーサ２１を配置形成するために、フォトリソ
グラフィ法を使用する。すなわち液状の黒色の紫外像硬
化型アクリル樹脂レジストをスピンナーにてカラーフィ
ルタ層２０上に全面塗布し、スペーサを形成したい所望
の位置に光が照射されるようなフォトマスクを介し３６
５ｎｍの波長で１００ｍＪ／ｃｍ2 照射し、ＫＯＨの１
％水溶液で３０秒間現像し、スペーサ２１を形成する。
このときの膜厚は４μｍで、逆テーパーになるように現
像を強めにした。
に柱状スペーサ２１を配置形成するために、フォトリソ
グラフィ法を使用する。すなわち液状の黒色の紫外像硬
化型アクリル樹脂レジストをスピンナーにてカラーフィ
ルタ層２０上に全面塗布し、スペーサを形成したい所望
の位置に光が照射されるようなフォトマスクを介し３６
５ｎｍの波長で１００ｍＪ／ｃｍ2 照射し、ＫＯＨの１
％水溶液で３０秒間現像し、スペーサ２１を形成する。
このときの膜厚は４μｍで、逆テーパーになるように現
像を強めにした。
【００２５】続いて、透明電極１２としてＩＴＯ膜を１
５００Ａ（オングストローム）厚にスパッタ法にて成膜
してパターニングし、その後、画素電極間に露出したカ
ラーフィルタ層２０面と柱状スペーサ２１の保護層を兼
ねる配向膜材料としてポリイミド材（AL-1051 （日本合
成ゴム（株）製）を全面に５００Ａ塗布し、ラビング処
理を行い、配向膜２２を形成した。スペーサの側部２１
ｂに付着する配向膜材料の付着量は側部が逆テーパにな
っているために少なく、配向膜傾斜部２２ａの膜平面ｈ
に対する傾斜角θを６０°またはそれ以上の急峻にする
ことが好ましい。
５００Ａ（オングストローム）厚にスパッタ法にて成膜
してパターニングし、その後、画素電極間に露出したカ
ラーフィルタ層２０面と柱状スペーサ２１の保護層を兼
ねる配向膜材料としてポリイミド材（AL-1051 （日本合
成ゴム（株）製）を全面に５００Ａ塗布し、ラビング処
理を行い、配向膜２２を形成した。スペーサの側部２１
ｂに付着する配向膜材料の付着量は側部が逆テーパにな
っているために少なく、配向膜傾斜部２２ａの膜平面ｈ
に対する傾斜角θを６０°またはそれ以上の急峻にする
ことが好ましい。
【００２６】対向基板３０として厚さ０．７ｍｍのガラ
ス基板（コーニング社製の#7059 ）３１上にＩＴＯの透
明共通電極３２を所定のパターンで付け、その上に上記
と同様の配向膜材料を形成した後ラビング処理を行い、
配向膜３３を形成した。
ス基板（コーニング社製の#7059 ）３１上にＩＴＯの透
明共通電極３２を所定のパターンで付け、その上に上記
と同様の配向膜材料を形成した後ラビング処理を行い、
配向膜３３を形成した。
【００２７】この後、基板３０上の配向膜３３の周辺に
沿って接着剤を注入口（図示せず）を除いて印刷し、ア
クティブマトリクス基板１０から共通電極３２に電圧を
印加するための電極転移材を接着剤の周辺の電極転移電
極上に形成した。次に配向膜１２、３３が対向し、また
それぞれのラビング方向が９０度となるよう基板１０、
３０を配置し、加熱して接着剤を硬化させ貼り合わせ
た。次に通常の方法により注入口より液晶（ZLl-1565、
（E.メルク社製））にカイラル剤S811を０．１ｗ％添
加）を注入して液晶層３４とし、この後注入口を紫外線
硬化樹脂で封止した。
沿って接着剤を注入口（図示せず）を除いて印刷し、ア
クティブマトリクス基板１０から共通電極３２に電圧を
印加するための電極転移材を接着剤の周辺の電極転移電
極上に形成した。次に配向膜１２、３３が対向し、また
それぞれのラビング方向が９０度となるよう基板１０、
３０を配置し、加熱して接着剤を硬化させ貼り合わせ
た。次に通常の方法により注入口より液晶（ZLl-1565、
（E.メルク社製））にカイラル剤S811を０．１ｗ％添
加）を注入して液晶層３４とし、この後注入口を紫外線
硬化樹脂で封止した。
【００２８】こうして形成したカラー表示型アクティブ
マトリクス液晶表示素子は、スペーサ周辺における配向
膜の凹凸領域が減り、液晶の配向乱れが減るために、動
作時の光漏れがなく、かつ上下基板間の電極短絡はもち
ろん配線とスペーサ間で発生する寄生容量による印加電
圧のなまりや遅延の発生も防ぐことが出来、表示性能の
高い、信頼性のある液晶表示素子を得ることが出来る。
マトリクス液晶表示素子は、スペーサ周辺における配向
膜の凹凸領域が減り、液晶の配向乱れが減るために、動
作時の光漏れがなく、かつ上下基板間の電極短絡はもち
ろん配線とスペーサ間で発生する寄生容量による印加電
圧のなまりや遅延の発生も防ぐことが出来、表示性能の
高い、信頼性のある液晶表示素子を得ることが出来る。
【００２９】また、柱状スペーサ形成時は、逆テーパー
を許容したこともあり従来の現像よりも２．５倍の強さ
で現像したにもかかわらず、保護膜として働く配向膜が
柱状スペーサを補強し出来上がりの表示性能には全く問
題がなかった。
を許容したこともあり従来の現像よりも２．５倍の強さ
で現像したにもかかわらず、保護膜として働く配向膜が
柱状スペーサを補強し出来上がりの表示性能には全く問
題がなかった。
【００３０】
【発明の効果】柱状スペーサの断面形状をアクティブマ
トリクス基板側を基部とする逆テーパにして保護層を設
けることで順テーパーとなり柱状スペーサ自身の強度は
飛躍的に増大する。
トリクス基板側を基部とする逆テーパにして保護層を設
けることで順テーパーとなり柱状スペーサ自身の強度は
飛躍的に増大する。
【００３１】また、柱状スペーサが逆テーパーになるこ
とを許容できるから、現像時間に対するマージンが広が
り、製造上非常に有益である。
とを許容できるから、現像時間に対するマージンが広が
り、製造上非常に有益である。
【００３２】しかも逆テーパー形状になっているから、
配向膜の製造時に柱状スペーサ周辺の液溜りが少なく液
晶表示素子を組み立てた時、柱状スペーサに起因する配
向膜の凹凸領域を限定でき表示不良を引き起こすことが
無い。また、画素上置き構造にしたとき、画素電極がき
れいにエッチングできるため表示画面の局部的に表示不
良を生じる点欠を出すことが無い。
配向膜の製造時に柱状スペーサ周辺の液溜りが少なく液
晶表示素子を組み立てた時、柱状スペーサに起因する配
向膜の凹凸領域を限定でき表示不良を引き起こすことが
無い。また、画素上置き構造にしたとき、画素電極がき
れいにエッチングできるため表示画面の局部的に表示不
良を生じる点欠を出すことが無い。
【図１】本発明の一実施の形態の一部断面図
【図２】図１の一部を拡大して説明する断面図
【図３】従来装置を説明する拡大断面図
１０：アクティブマトリクス基板（アレイ基板） １２：画素電極 １３：薄膜トランジスタ（ＴＦＴ、スイッチング素子） ２０：カラーフィルタ層 ２１：柱状スペーサ ２１ｂ：柱状スペーサの側部 ２２：配向膜（保護膜） ２２ａ：配向膜の傾斜部分 ３０：対向基板 ３２：共通電極 ３４：液晶層
Claims (8)
- 【請求項１】 一主面上にマトリクス状にスイッチング
素子を配置し、その上面にカラーフィルタ層と画素電極
を形成したアクティブマトリクス基板と、前記アクティ
ブマトリクス基板ととともに液晶層を挟持し一主面上に
共通電極を有する対向基板と、前記アクティブマトリク
ス基板側に形成され前記両基板の間隔を保持する柱状ス
ペーサとからなる液晶表示素子において、前記アクティ
ブマトリクス基板上の画素電極の開口部以外に前記柱状
スペーサを形成し、前記柱状スペーサを側部で細く、前
記対向基板側で太い逆テーパー形状にしたことを特徴と
する液晶表示素子。 - 【請求項２】 前記アクティブマトリクス基板のカラー
フィルタ層と前記柱状スペーサが保護層で被覆されてい
ることを特徴とする請求項１記載の液晶表示素子。 - 【請求項３】 前記柱状スペーサの側部が前記保護層で
被覆されこの柱状スペーサ近傍の前記保護層の表面が前
記対向基板側にテーパー状に形成され、このテーパーの
角度が水平方向に対して６０°以上を保持することを特
徴とする請求項２記載の液晶表示素子。 - 【請求項４】 第１基板と第２基板とに液晶層が挟持さ
れた液晶表示素子において、前記第１基板上には、前記
第２基板との間隙を確保するための柱状スペーサが形成
され、前記柱状スペーサの太さは、前記第１基板側より
前記第２基板側で太いことを特徴とする請求項１記載の
液晶表示素子。 - 【請求項５】 前記第１基板には、カラーフィルタ層が
形成されていることを特徴とする請求項４記載の液晶表
示素子。 - 【請求項６】 前記柱状スペーサの側面に保護層が形成
されていることを特徴とする請求項４記載の液晶表示素
子。 - 【請求項７】 前記保護層は、有機樹脂からなることを
特徴とする請求項６記載の液晶表示素子。 - 【請求項８】 前記保護層は、前記液晶層の配向を規制
する配向膜であることを特徴とする請求項６記載の液晶
表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36413098A JP2000187223A (ja) | 1998-12-22 | 1998-12-22 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36413098A JP2000187223A (ja) | 1998-12-22 | 1998-12-22 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000187223A true JP2000187223A (ja) | 2000-07-04 |
Family
ID=18481048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36413098A Pending JP2000187223A (ja) | 1998-12-22 | 1998-12-22 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000187223A (ja) |
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- 1998-12-22 JP JP36413098A patent/JP2000187223A/ja active Pending
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