CN109742117A - 一种显示基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种显示基板及其制作方法、显示装置。显示基板包括显示区域，所述显示区域内设置有开孔区域，制作方法包括：制备阵列结构层；在所述阵列结构层的表面上形成至少一个围绕所述开孔区域设置的隔离结构，所述隔离结构具有坡度角不大于90°的第一侧壁；形成与所述第一侧壁接触且用于消除形成在其上的无机薄膜的应力集中区域的填充结构。填充结构代替隔离结构来承载无机薄膜，填充结构可以消除形成在其上的无机薄膜的应力集中区域，从而，避免了无机薄膜形成应力集中区域，避免了封装薄膜失效，提高了封装薄膜在开孔区域周围的信赖性。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
近年来，有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)成为国内外非常热门的新兴平面显示器产品，这是因为OLED显示装置具有自发光、广视角、短反应时间、高发光效率、广色域、低工作电压、面板薄、可制作大尺寸与柔性的面板及制程简单等特性，而且它还具有低成本的潜力。
柔性OLED显示装置可以像纸一样进行折叠或卷曲，将柔性显示装置边缘折叠后，可实现窄边框显示，甚至无边框显示，提高显示装置屏占比。在将窄边框或无边框显示应用于移动终端产品时，需要在柔性OLED显示装置的显示区域开设安装孔，用于在移动终端设备上预留前置摄像头、听筒或Home键等硬件安装位置。
但是，OLED对水汽和氧气非常敏感，为防止水氧侵入OLED，一般采用薄膜封装的方式对OLED进行保护。当在柔性OLED显示装置的显示区域开设安装孔时，封装薄膜在安装孔的边缘处断开，使得安装孔周边的OLED将无法受到封装薄膜的保护，导致产品的寿命严重缩短。为了防止水氧从安装孔周边侵入OLED，现有技术中，在安装孔周围设置隔离结构，在形成OLED基板过程中，隔离结构使得OLED的发光结构层在隔离结构围设的区域内和区域外断开，从而，当在隔离结构围设的区域内开设安装孔时，水氧不会从安装孔周边侵入位于隔离结构围设的区域外的发光结构层，保证了有效显示区域的阻却水氧性能。然而，隔离结构的设置，使得位于隔离结构周围的封装薄膜的膜层较薄，同时，封装薄膜在隔离结构的周围产生应力集中区域，在应力集中区域，封装薄膜容易产生裂纹，最终导致封装薄膜失效，降低了封装薄膜在安装孔周围区域的信赖性。
发明内容
本发明实施例的目的是，提供一种显示基板及其制作方法、显示装置，以提高封装薄膜在安装孔周围区域的信赖性。
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供一种显示基板的制作方法，所述显示基板包括显示区域，所述显示区域内设置有开孔区域，所述制作方法包括：
制备阵列结构层；
在所述阵列结构层的表面上形成至少一个围绕所述开孔区域设置的隔离结构，所述隔离结构具有坡度角不大于90°的第一侧壁；
形成与所述第一侧壁接触且用于消除形成在其上的无机薄膜的应力集中区域的填充结构。
可选地，所述形成与所述第一侧壁接触的填充结构，包括：
形成填充所述第一侧壁一侧的有机材料层；
对所述有机材料层进行图案化处理，形成与所述第一侧壁接触的填充结构。
可选地，采用喷墨打印方法形成填充所述第一侧壁一侧有机材料层。
可选地，在所述形成与所述第一侧壁接触的填充结构之后，所述制作方法还包括：
形成覆盖所述填充结构的第一无机薄膜。
可选地，在所述形成与所述第一侧壁接触的填充结构之前，所述制作方法还包括：
形成覆盖所述隔离结构的第一无机薄膜。
可选地，所述形成与所述第一侧壁接触的填充结构的同时，还形成位于所述隔离结构之外的区域内的有机保护层。
可选地，所述制作方法还包括：
形成覆盖所述填充结构的第二无机薄膜。
为了解决上述技术问题，本发明实施例还提供一种显示基板，所述显示基板包括显示区域，所述显示区域内设置有开孔区域，所述显示基板包括：
阵列结构层；
设置在所述阵列结构层的表面上且围绕所述开孔区域设置的隔离结构，所述隔离结构具有坡度角不大于90°的第一侧壁；
与所述第一侧壁接触且用于消除形成在其上的无机薄膜的应力集中区域的填充结构。
可选地，所述显示基板还包括覆盖所述填充结构的第一无机薄膜。
可选地，所述显示基板还包括设置在所述隔离结构和所述填充结构之间的第一无机薄膜。
可选地，所述显示基板还包括与所述填充结构通过同一次工艺形成的有机保护层。
可选地，所述显示基板还包括覆盖所述填充结构的第二无机薄膜。
为了解决上述技术问题，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括以上所述的显示基板。
本发明实施例提出的显示基板的制作方法，形成与第一侧壁接触的填充结构，填充结构用于消除形成在填充结构上的无机薄膜的应力集中区域，这样就避免了无机薄膜在隔离结构的两侧形成应力集中区域，避免了无机薄膜在隔离结构的两侧产生裂纹，同时保证了无机薄膜的膜厚均一性，保证了无机薄膜的封装性能，避免了封装薄膜失效，提高了封装薄膜在隔离结构两侧即开孔区域周围的信赖性。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。
图1为一种OLED显示基板的俯视结构示意图；
图2为图1中的A-A截面结构示意图；
图3为本发明实施例显示基板的制作方法的示意图；
图4为本发明第一实施例形成有源层后的结构示意图；
图5为本发明第一实施例形成栅电极层后的结构示意图；
图6为本发明第一实施例形成源电极和漏电极后的结构示意图；
图7为本发明第一实施例形成第一电极层后的结构示意图；
图8为本发明第一实施例形成隔离结构后的结构示意图；
图9为本发明第一实施例形成像素界定层后的结构示意图；
图10为本发明第一实施例形成发光结构层后的结构示意图；
图11为本发明第一实施例形成填充结构后的结构示意图；
图12为本发明第一实施例形成第一无机薄膜61后的结构示意图；
图13为本发明第二实施例形成填充结构后的结构示意图；
图14为本发明第二实施例形成第二无机薄膜62后的结构示意图。
附图标记说明：
10—衬底； 20—薄膜晶体管； 21—有源层；
22—栅电极； 23—源电极； 24—漏电极；
30—平坦层； 41—第一电极层； 42—发光结构层
43—像素界定层； 51—第一隔离结构； 52—第二隔离结构；
61—第一无机薄膜； 62—第二无机薄膜 63—有机保护层；
70—填充结构； 71—外露侧壁； 72—阻隔层；
73—缓冲层； 74—第一绝缘层； 75—第二绝缘层；
100—开孔区域； 200—有效显示区域； 421—第一部分；
422—第二部分； 423—第三部分； 501—第一侧壁。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本发明的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
图1为一种OLED显示基板的俯视结构示意图。图2为图1中的A-A截面结构示意图。如图1所示，该显示基板包括显示区域，显示区域包括开孔区域100以及位于开孔区域100之外的有效显示区域200，开孔区域100用来开设安装孔，以安装前置摄像头、听筒或Home键等硬件，因此，开孔区域100为不发光区域。
如图2所示，显示基板包括衬底10、设置在衬底10上的薄膜晶体管20以及设置在薄膜晶体管20上的平坦层30。显示基板还包括设置在平坦层30上第一电极层41，第一电极层41通过过孔与薄膜晶体管20的漏电极/源电极电连接。显示基板还包括设置在平坦层30的远离衬底10的一侧表面上的隔离结构，隔离结构围绕开孔区域100设置。在图1和图2中，隔离结构的数量为两个，两个隔离结构依次围绕开孔区域100设置，即第一隔离结构51围绕开孔区域100设置，第二隔离结构51围绕第一隔离结构51设置。隔离结构的截面呈倒梯形，如图2所示，第一隔离结构51和第二隔离结构52的截面均呈倒梯形。显示基板还包括设置在第一电极层41上的像素界定层43，以及设置在像素界定层43上的发光结构层42。由于隔离结构的截面呈倒梯形，从而，在形成发光结构层42时，发光结构层42在隔离结构的两侧断开，从而使得发光结构层42被隔离结构分割成为位于隔离结构围设区域的第一部分421和位于隔离结构外围区域的第二部分422。显示基板还包括覆盖整面的封装薄膜，封装薄膜包括无机封装薄膜60。隔离结构的截面呈倒梯形，因此，隔离结构的两个侧壁的坡度角θ均为锐角，这就导致，无机封装薄膜60在位于隔离结构两侧的坡度角β接近锐角。由于坡度角β接近锐角，从而，坡度角β处成为应力集中区域。在应力集中区域即坡度角β处容易发生裂纹，导致无机封装薄膜失效，降低了封装薄膜在开孔区域周围的信赖性。
为了提高封装薄膜在隔离结构周围的信赖性，本发明实施例提供了一种显示基板的制作方法。显示基板包括显示区域，显示区域内设置有开孔区域100以及位于开孔区域100之外的有效显示区域200，开孔区域100用来开设安装孔，以安装前置摄像头、听筒或Home键等硬件，因此，开孔区域100为不发光区域。图3为本发明实施例显示基板的制作方法的示意图，该制作方法包括：
S1：制备阵列结构层；
S2：在所述阵列结构层的表面上形成至少一个围绕所述开孔区域设置的隔离结构，所述隔离结构具有坡度角不大于90°的第一侧壁；
S3：形成与所述第一侧壁接触且用于消除形成在其上的无机薄膜的应力集中区域的填充结构。
本发明实施例提出的显示基板的制作方法，形成与第一侧壁接触的填充结构，填充结构用于消除形成在填充结构上的无机薄膜的应力集中区域，从而，避免了无机薄膜在隔离结构的两侧形成应力集中区域，避免了无机薄膜在隔离结构的两侧产生裂纹，同时保证了无机薄膜的膜厚均一性，保证了无机薄膜的封装性能，避免了封装薄膜失效，提高了封装薄膜在隔离结构两侧即开孔区域周围的信赖性。
下面将通过具体的实施例详细介绍本发明的技术内容。其中，实施例中所说的“构图工艺”包括涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，是现有成熟的制备工艺。沉积可采用溅射、蒸镀、化学气相沉积等已知工艺，涂覆可采用已知的涂覆工艺，刻蚀可采用已知的方法，在此不做具体的限定。
第一实施例：
本发明第一实施例显示基板的制作方法，所述显示基板包括显示区域，所述显示区域内设置有开孔区域，制作方法包括：
S1：制备阵列结构层；
S2：在所述阵列结构层的表面上形成至少一个围绕所述开孔区域设置的隔离结构，所述隔离结构具有坡度角不大于90°的第一侧壁；
S3：形成与所述第一侧壁接触且用于消除形成在其上的无机薄膜的应力集中区域。
在本实施例中，在S3之前，还包括形成像素界定层和发光结构层；在S3之后，还包括形成覆盖所述填充结构和所述隔离结构的第一无机薄膜。
下面以顶栅型TFT为例详细说明本发明第一实施例显示基板的制作方法。
S1：制备阵列结构层，具体包括：
图4为本发明第一实施例形成有源层后的结构示意图。在衬底10上依次形成阻隔层72、缓冲层73和有源层21，如图4所示，采用化学气相沉积方法在衬底10上依次形成阻隔层72和缓冲层73。通过构图工艺在缓冲层73上形成有源层21。其中，衬底10可以为柔性衬底，材质可以包括聚酰亚胺。阻隔层72和缓冲层73的材质可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中的一种或多种。有源层可以是非晶硅、多晶硅或微晶硅材料，也可以是金属氧化物材料，金属氧化物材料可以是铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)或铟锡锌氧化物(Indium Tin Zinc Oxide，ITZO)。
图5为本发明第一实施例形成栅电极层后的结构示意图。在有源层21上形成第一绝缘层74，在第一绝缘层74上形成栅电极层22，如图5所示，第一绝缘层74可以采用本领域常用的方法如化学气相沉积方法形成。通过构图工艺形成栅电极22。其中，第一绝缘层74的材质可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中的一种或多种，栅电极22的材质可以包括铂Pt、钌Ru、金Au、银Ag、钼Mo、铬Cr、铝Al、钽Ta、钛Ti、钨W等金属中的一种或多种。
图6为本发明第一实施例形成源电极和漏电极后的结构示意图。在栅电极22上形成第二绝缘层75，在第二绝缘层75上形成源电极23和漏电极24，源电极23通过贯穿第二绝缘层75和第一绝缘层74的第一过孔与有源层21电连接，漏电极24通过贯穿第二绝缘层75和第一绝缘层74的第二过孔与有源层21电连接，如图6所示。可以采用构图工艺在第二绝缘层75上形成源电极23和漏电极24的图案。源电极和漏电极的材质可以相同，均可以包括铂Pt、钌Ru、金Au、银Ag、钼Mo、铬Cr、铝Al、钽Ta、钛Ti、钨W等金属中的一种或多种。
图7为本发明第一实施例形成第一电极层后的结构示意图。在源电极和漏电极上形成覆盖整面的平坦层30，在平坦层30上形成第一电极层41，第一电极层41通过贯穿平坦层30的第三过孔与源电极23电连接，如图7所示。在本实施例中，第一电极层41作为OLED像素的阳极层。容易理解的是，在其它实施例中，还可以将第一电极层41设置为与漏电极电连接。
S21：在所述阵列结构层的表面上形成至少一个围绕所述开孔区域设置的隔离结构，所述隔离结构具有坡度角不大于90°的第一侧壁，具体包括：
图8为本发明第一实施例形成隔离结构后的结构示意图，如图8所示，在平坦层30的上表面即远离衬底10的一侧表面上形成至少一个围绕开孔区域100设置的隔离结构，隔离结构具有坡度角不大于90°的第一侧壁501。在本实施例中，隔离结构的数量为2个，两个隔离结构依次围绕开孔区域100设置，即第一隔离结构51围绕开孔区域100设置，第二隔离结构51围绕第一隔离结构51设置。隔离结构的截面呈倒梯形，因此，隔离结构两侧侧壁均为坡度角θ不大于90°的第一侧壁501。在本实施例中，隔离结构呈圆环状，容易理解的是，隔离结构也可以呈多边形状，只要隔离结构呈围绕开孔区域100的封闭形状即可。在本实施例中，隔离结构的材质可以包括负性光刻胶。可以在平坦层30的上表面上涂覆负性光刻胶薄膜，然后采用曝光、显影的方法形成隔离结构的图案。
S22：在第一电极层41上形成像素界定层43，具体包括：
图9为本发明第一实施例形成像素界定层后的结构示意图。如图9所示，在有效发光区域内，在第一电极层41上形成像素界定层43。通常，像素界定层43的截面形状呈正梯形。在本实施例中，隔离结构的截面形状呈倒梯形，像素界定层43的截面形状呈正梯形。同时，隔离结构的材质和像素界定层43的材质通常均包括有机物，均通过曝光、显影形成，为了形成像素界定层43时不影响已经形成的隔离结构，像素界定层43材质的光照极性与隔离结构的材质的光照极性相反。在本实施例中，隔离结构的材质包括负性光刻胶，那么，像素界定层43的材质包括正性光刻胶，这样就能保证在形成像素界定层43时不会影响已经形成的隔离结构。
容易理解的是，在实际实施中，也可以先进行步骤S22，然后进行步骤S21。
S23：在隔离结构和像素界定层上形成发光结构层，具体包括：
图10为本发明第一实施例形成发光结构层后的结构示意图。如图10所示，通常，采用蒸镀方法在隔离结构和像素界定层43上形成发光结构层42。隔离结构的至少一侧侧壁的坡度角θ不大于90°，在本实施例中，隔离结构具有坡度角不大于90°的第一侧壁，从而，在形成发光结构层42时，发光结构层42被隔离结构分隔开，发光结构层42被隔离结构分割成为位于隔离结构围设区域的第一部分421、位于隔离结构外围区域的第二部分422以及位于隔离结构的上表面上的第三部分423，第一部分421、第二部分422和第三部分423彼此断开。容易理解的是，发光结构层可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
S3：形成与所述第一侧壁接触且用于消除形成在其上的无机薄膜的应力集中区域的填充结构，所述填充结构的用于承载无机薄膜的侧壁的坡度角不小于90°，具体包括：
图11为本发明第一实施例形成填充结构后的结构示意图。如图11所示，在发光结构层42上形成与第一侧壁接触的填充结构70，填充结构用于消除形成在其上的无机薄膜的应力集中区域。在本实施例中，以第二隔离结构52为例来具体说明。第二隔离结构52的截面呈倒梯形，也就是说，第二隔离结构52的两侧侧壁的坡度角均为锐角即不大于90°，那么，就需要在第二隔离结构52的两侧分别形成与第二隔离结构52的侧壁接触的填充结构70。填充结构70形成后，在后续形成位于填充结构70上的无机薄膜时，第二隔离结构52的侧壁不再承载无机薄膜，而是由填充结构70的外露侧壁71承载无机薄膜。
形成填充结构的过程可以包括：采用喷墨打印方法在发光结构层42形成填充第一侧壁一侧的有机材料层；对有机材料层进行图案化处理(例如，灰化处理)，形成与第一侧壁接触的填充结构70的图案，填充结构70的用于承载无机薄膜的侧壁的坡度角不小于90°。在本实施例中，填充结构70与隔离结构的坡度角为锐角的第一侧壁直接接触，填充结构70的用于承载无机薄膜的侧壁为填充结构70的外露侧壁71，外露侧壁71的坡度角λ不小于90°，因此，填充结构70可以消除形成在其上的无机薄膜的应力集中区域。
采用喷墨打印方法在发光结构层42上打印有机材料时，有机材料液体会流动扩散，从而可以充分填充在隔离结构的侧壁处。在本实施例中，填充结构70的材质可以包括PET(聚对苯二甲酸乙二酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、PI(聚酰亚胺)、PVC(聚氯乙烯)、PTFE(聚四氟乙烯)、光刻胶、环氧树脂等中的一种或多种。
S41：形成覆盖填充结构的第一无机薄膜，具体包括：
图12为本发明第一实施例形成第一无机薄膜61后的结构示意图。如图12所示，形成填充结构70后，形成覆盖填充结构70和隔离结构的第一无机薄膜61。可以采用化学气相沉积方法形成第一无机薄膜61。
本实施例中，在填充结构70的作用下，位于隔离结构两侧的用于承载第一无机薄膜的侧壁(即填充结构70的外露侧壁)的坡度角λ不小于90°，从而，形成的第一无机薄膜61在位于隔离结构的两侧的坡度角不小于90°，这样就可以消除第一无机薄膜61在隔离结构的两侧形成的应力集中区域，避免了第一无机薄膜61在隔离结构的两侧产生裂纹，同时保证了第一无机薄膜61的膜厚均一性，保证了第一无机薄膜61的封装性能，避免了封装薄膜失效，提高了封装薄膜在隔离结构两侧即开孔区域周围的信赖性。
容易理解的是，本发明第一实施例还可以包括：在第一无机薄膜61上形成有机保护层；在有机保护层上形成第二无机薄膜。可以采用本领域已知的方法形成有机保护层和第二无机薄膜。
本发明第一实施例中，阵列结构层上的薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管，容易理解的是，本发明实施例提出的显示基板的制备方法同样适用于底栅型薄膜晶体管。
第二实施例：
本发明第二实施例显示基板的制作方法，所述显示基板包括显示区域，所述显示区域内设置有开孔区域，制作方法包括：
S1：制备阵列结构层；
S2：在所述阵列结构层的表面上形成至少一个围绕所述开孔区域设置的隔离结构，所述隔离结构具有坡度角不大于90°的第一侧壁；
S3：形成与所述第一侧壁接触且用于消除形成在其上的无机薄膜的应力集中区域。
本实施例中，在S3之前，还包括形成像素界定层、发光结构层以及形成覆盖所述隔离结构的第一无机薄膜；在S3中，同时形成位于所述隔离结构之外的区域内的有机保护层；在S3之后，还包括形成覆盖所述填充结构和所述隔离结构的第二无机薄膜。
下面以顶栅型TFT为例详细说明本发明第二实施例显示基板的制作方法。
S1：制备阵列结构层。本实施例中，制备阵列结构层的方法与第一实施例相同，在此不再赘述。
S21：在所述阵列结构层的表面上形成至少一个围绕所述开孔区域设置的隔离结构，所述隔离结构具有坡度角不大于90°的第一侧壁。在本实施例中，形成隔离结构的方法与第一实施例相同，在此不再赘述。
S22：在第一电极层41上形成像素界定层43。在本实施例中，形成像素界定层的方法与第一实施例相同，在此不再赘述。
S23：在隔离结构和像素界定层上形成发光结构层。在本实施例中，形成发光结构层方法与第一实施例相同，在此不再赘述。
S24：形成覆盖隔离结构的第一无机薄膜61，具体包括：
如图2所示，在发光结构层42上形成覆盖隔离结构的第一无机薄膜61，第一无机薄膜61覆盖基板的整个上表面，也就是说，第一无机薄膜61也覆盖隔离结构的外表面。可以采用化学气相沉积方法在发光结构层42上形成第一无机薄膜61。
S3：形成与所述第一侧壁接触且用于消除形成在其上的无机薄膜的应力集中区域的填充结构，所述填充结构的用于承载无机薄膜的侧壁的坡度角不小于90°，具体包括：
图13为本发明第二实施例形成填充结构后的结构示意图。形成填充结构的过程可以包括：采用喷墨打印方法在第一无机薄膜61形成填充第一侧壁一侧的有机材料层；对有机材料层进行图案化处理，形成通过第一无机薄膜61与第一侧壁接触的填充结构70的图案，填充结构70的用于承载无机薄膜的侧壁的坡度角不小于90°，因此，填充结构70可以消除形成在其上的无机薄膜的应力集中区域。在本实施例中，形成的有机材料层覆盖基板整个上表面，因此，对有机材料层进行图案化处理形成填充结构70时，可以同时形成有机保护层63的图案。本实施例中，填充结构70和有机保护层63通过同一次工艺形成，相比于第一实施例，简化了显示基板的制备工艺。
采用喷墨打印方法在第一无机薄膜61上打印有机材料时，有机材料液体会流动扩散，从而可以充分填充在隔离结构的第一侧壁侧。在本实施例中，有机材料层的材质可以包括PET(聚对苯二甲酸乙二酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、PI(聚酰亚胺)、PVC(聚氯乙烯)、PTFE(聚四氟乙烯)、光刻胶、环氧树脂等中的一种或多种。
如图13所示，在第一无机薄膜61上形成与所述第一侧壁接触的填充结构，填充结构用于消除形成在其上的无机薄膜的应力集中区域。。具体地，在隔离结构的坡度角不大于90°的第一侧壁一侧形成填充结构70，填充结构70通过第一无机薄膜61与第一侧壁501接触，填充结构70的用于承载无机薄膜的侧壁(即填充结构70的外露侧壁71)的坡度角λ不小于90°，从而，填充结构可以消除形成在其上的无机薄膜的应力集中区域。在本实施例中，以第二隔离结构52为例来具体说明。第二隔离结构52的截面呈倒梯形，也就是说，第二隔离结构52的两侧侧壁的坡度角均不大于90°，那么，就需要在第二隔离结构52的两侧分别形成与第二隔离结构52的侧壁接触的填充结构70。填充结构70形成后，在后续形成用于封装的无机薄膜时，第二隔离结构52的侧壁不再承载无机薄膜，而是由填充结构70的外露侧壁71承载无机薄膜。
S4：形成覆盖所述填充结构的第二无机薄膜，具体包括：
图14为本发明第二实施例形成第二无机薄膜62后的结构示意图。如图14所示，在填充结构70和有机保护层63上形成第二无机薄膜62。可以采用化学气相沉积方法形成第二无机薄膜62。
本实施例中，在填充结构70的作用下，位于隔离结构两侧的用于承载第一无机薄膜的侧壁(即填充结构70的外露侧壁)的坡度角λ不小于90°，从而，形成的第二无机薄膜62在位于隔离结构的两侧的坡度角不小于90°，这样就可以消除第二无机薄膜62在隔离结构的两侧形成的应力集中区域，避免了第二无机薄膜62在隔离结构的两侧产生裂纹，同时保证了第二无机薄膜62的膜厚均一性，保证了第二无机薄膜62的封装性能，避免了封装薄膜失效，提高了封装薄膜在隔离结构两侧即开孔区域周围的信赖性。
本发明第二实施例中，阵列结构层上的薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管，容易理解的是，本发明实施例提出的显示基板的制备方法同样适用于底栅型薄膜晶体管。
第三实施例：
本发明第三实施例提供了一种显示基板，如图1和图12所示，显示基板包括显示区域，所述显示区域内设置有开孔区100，以及位于开孔区域100之外的有效显示区域200，所述显示基板包括：
阵列结构层；
设置在所述阵列结构层的表面上且围绕所述开孔区域设置的隔离结构，所述隔离结构具有坡度角不大于90°的第一侧壁；
与所述第一侧壁接触且用于消除形成在其上的无机薄膜的应力集中区域的填充结构70。
其中，所述填充结构70的用于承载无机薄膜的侧壁的坡度角不小于90°。
其中，阵列结构层包括衬底10、设置在衬底10上的薄膜晶体管20、设置在薄膜晶体管20上的平坦层30以及设置在平坦层30上的第一电极层41。隔离结构设置在平坦层30的远离衬底10的一侧表面上。容易理解的是，薄膜晶体管20和第一电极层41均设置在隔离结构之外的区域即有效显示区域200内。
显示基板还包括设置在第一电极层41上的像素界定层43，以及设置在隔离结构和像素界定层43上的发光结构层42。发光结构层42被隔离结构分割成位于隔离结构围设区域的第一部分421以及位于隔离结构外围区域的第二部分422，第一部分421和第二部分422相互断开。填充结构70设置在发光结构层42上。
进一步，显示基板还包括覆盖所述填充结构70和所述隔离结构的第一无机薄膜61。
显示基板还可以包括设置在第一无机薄膜上的有机保护层以及设置在有机保护层上的第二无机薄膜。
第四实施例：
本发明第四实施例提供了一种显示基板，如图1和图14所示，显示基板包括显示区域，所述显示区域内设置有开孔区,100，以及位于开孔区域100之外的有效显示区域200，所述显示基板包括：
阵列结构层；
设置在所述阵列结构层的表面上且围绕所述开孔区域设置的隔离结构，所述隔离结构具有坡度角不大于90°的第一侧壁；
与所述第一侧壁接触且用于消除形成在其上的无机薄膜的应力集中区域的填充结构70。
其中，所述填充结构70的用于承载无机薄膜的侧壁的坡度角不小于90°。
其中，阵列结构层包括衬底10、设置在衬底10上的薄膜晶体管20、设置在薄膜晶体管20上的平坦层30以及设置在平坦层30上的第一电极层41。隔离结构设置在平坦层30的远离衬底10的一侧表面上。容易理解的是，薄膜晶体管20和第一电极层41均设置在隔离结构之外的区域即有效显示区域200内。
显示基板还包括设置在第一电极层41上的像素界定层43，以及设置在隔离结构和像素界定层43上的发光结构层42。发光结构层42被隔离结构分割成位于隔离结构围设区域的第一部分421以及位于隔离结构外围区域的第二部分422，第一部分421和第二部分422相互断开。
进一步，显示基板还包括覆盖所述隔离结构的第一无机薄膜61。填充结构70设置在第一无机薄膜61上，填充结构70通过第一无机薄膜61与隔离结构的第一侧壁接触。
显示基板还可以包括设置在第一无机薄膜61上的有机保护层63，以及覆盖填充结构70和隔离结构的第二无机薄膜62，第二无机薄膜设置在有机保护层63上。其中，有机保护层63与填充结构70通过同一次工艺形成。
第五实施例：
基于前述实施例的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括前述实施例的显示基板。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
在本发明实施例的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“接触”应做广义理解，例如，可以是直接连接，也可以通过中间媒介间接接触。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (13)
1.一种显示基板的制作方法，所述显示基板包括显示区域，所述显示区域内设置有开孔区域，其特征在于，所述制作方法包括：
制备阵列结构层；
在所述阵列结构层的表面上形成至少一个围绕所述开孔区域设置的隔离结构，所述隔离结构具有坡度角不大于90°的第一侧壁；
形成与所述第一侧壁接触且用于消除形成在其上的无机薄膜的应力集中区域的填充结构。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述形成与所述第一侧壁接触的填充结构，包括：
形成填充所述第一侧壁一侧的有机材料层；
对所述有机材料层进行图案化处理，形成与所述第一侧壁接触的填充结构。
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，采用喷墨打印方法形成填充所述第一侧壁一侧的有机材料层。
4.根据权利要求1～3中任意一项所述的制作方法，其特征在于，在所述形成与所述第一侧壁接触的填充结构之后，所述制作方法还包括：
形成覆盖所述填充结构的第一无机薄膜。
5.根据权利要求1～3中任意一项所述的制作方法，其特征在于，在所述形成与所述第一侧壁接触的填充结构之前，所述制作方法还包括：
形成覆盖所述隔离结构的第一无机薄膜。
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述形成与所述第一侧壁接触的填充结构的同时，还形成位于所述隔离结构之外的区域内的有机保护层。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：
形成覆盖所述填充结构的第二无机薄膜。
8.一种显示基板，所述显示基板包括显示区域，所述显示区域内设置有开孔区域，其特征在于，所述显示基板包括：
阵列结构层；
设置在所述阵列结构层的表面上且围绕所述开孔区域设置的隔离结构，所述隔离结构具有坡度角不大于90°的第一侧壁；
与所述第一侧壁接触且用于消除形成在其上的无机薄膜的应力集中区域的填充结构。
9.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，还包括覆盖所述填充结构的第一无机薄膜。
10.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，还包括设置在所述隔离结构和所述填充结构之间的第一无机薄膜。
11.根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，还包括与所述填充结构通过同一次工艺形成的有机保护层。
12.根据权利要求11所述的显示基板，其特征在于，还包括覆盖所述填充结构的第二无机薄膜。
13.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求8～12中任意一项所述的显示基板。
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Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110120464A (zh) * | 2019-05-27 | 2019-08-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
| CN110265471A (zh) * | 2019-07-04 | 2019-09-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置、显示面板及其制造方法 |
| CN110337723A (zh) * | 2019-05-31 | 2019-10-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示设备和制造显示基板的方法 |
| CN110518147A (zh) * | 2019-08-30 | 2019-11-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制造方法、显示装置 |
| CN110600518A (zh) * | 2019-09-19 | 2019-12-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光显示面板及其驱动方法 |
| CN110678997A (zh) * | 2019-05-31 | 2020-01-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 制造显示基板的方法、显示基板和显示设备 |
| CN110785868A (zh) * | 2019-09-25 | 2020-02-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示装置和制造显示基板的方法 |
| CN110783491A (zh) * | 2019-11-26 | 2020-02-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN110867526A (zh) * | 2019-11-25 | 2020-03-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
| CN111341937A (zh) * | 2020-03-13 | 2020-06-26 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
| WO2020143464A1 (zh) * | 2019-01-08 | 2020-07-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
| WO2021185045A1 (zh) * | 2020-03-20 | 2021-09-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示装置 |
| CN114203775A (zh) * | 2021-11-24 | 2022-03-18 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板和oled显示装置 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20220190290A1 (en) * | 2019-03-29 | 2022-06-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
| KR20220056301A (ko) * | 2020-10-27 | 2022-05-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| CN112599700B (zh) * | 2020-12-14 | 2022-05-24 | 合肥维信诺科技有限公司 | 显示基板、显示基板制备方法及显示装置 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000187223A (ja) * | 1998-12-22 | 2000-07-04 | Toshiba Corp | 液晶表示素子 |
| JP2003045669A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-02-14 | Toyota Industries Corp | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル及びその製造方法 |
| JP2003223989A (ja) * | 2002-01-29 | 2003-08-08 | Toyota Industries Corp | 有機ｅｌ素子 |
| CN1731597A (zh) * | 2004-08-05 | 2006-02-08 | 三星Sdi株式会社 | 有机薄膜晶体管及包含该有机薄膜晶体管的平板显示装置 |
| KR20150127368A (ko) * | 2014-05-07 | 2015-11-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
| US20160138169A1 (en) * | 2014-11-19 | 2016-05-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of forming a fine pattern |
| WO2017154482A1 (ja) * | 2016-03-07 | 2017-09-14 | パイオニア株式会社 | 封止構造及び発光装置 |
| CN108269835A (zh) * | 2018-01-19 | 2018-07-10 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11317288A (ja) * | 1998-04-30 | 1999-11-16 | Toyota Motor Corp | 有機ｅｌディスプレイパネルの製造方法 |
| WO2013179355A1 (ja) * | 2012-05-31 | 2013-12-05 | パナソニック株式会社 | 発光素子、トランジスタおよび隔壁 |
| KR102173510B1 (ko) * | 2014-05-20 | 2020-11-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자 |
| CN104167430B (zh) * | 2014-08-08 | 2017-04-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置 |
| KR102250048B1 (ko) * | 2014-09-16 | 2021-05-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102378360B1 (ko) * | 2015-05-12 | 2022-03-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| CN104900681B (zh) | 2015-06-09 | 2019-02-05 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 有机发光显示面板及其形成方法 |
| US10205122B2 (en) * | 2015-11-20 | 2019-02-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display and method of manufacturing the same |
| KR102465379B1 (ko) * | 2015-12-02 | 2022-11-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| KR102490891B1 (ko) * | 2015-12-04 | 2023-01-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| JP6733203B2 (ja) * | 2016-02-15 | 2020-07-29 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電子機器 |
| KR102407869B1 (ko) * | 2016-02-16 | 2022-06-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법 |
| KR102421577B1 (ko) * | 2016-04-05 | 2022-07-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| KR102630001B1 (ko) * | 2016-10-31 | 2024-01-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치, 그를 포함한 헤드 장착형 디스플레이, 및 그의 제조방법 |
| JP2018112859A (ja) * | 2017-01-11 | 2018-07-19 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| KR102325262B1 (ko) * | 2017-06-01 | 2021-11-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 디스플레이 장치, 터치 디스플레이 패널 및 터치 디스플레이 패널의 제조 방법 |
| CN107452894B (zh) * | 2017-07-31 | 2020-02-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置 |
| KR102083646B1 (ko) * | 2017-08-11 | 2020-03-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 장치 |
| CN107579171B (zh) * | 2017-08-31 | 2019-07-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光显示基板及其制作方法、显示装置 |
| CN107658332A (zh) | 2017-10-25 | 2018-02-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板、显示装置及制作方法 |
| KR102583898B1 (ko) * | 2018-04-30 | 2023-10-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이의 제조 방법 |
| KR102587878B1 (ko) * | 2018-08-31 | 2023-10-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR102567498B1 (ko) * | 2018-09-13 | 2023-08-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 커버 윈도우 및 이를 포함하는 표시장치 |
| CN113851600B (zh) * | 2019-01-08 | 2023-06-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 |
-
2019
- 2019-01-08 CN CN202111131669.0A patent/CN113851600B/zh active Active
- 2019-01-08 CN CN201910016514.9A patent/CN109742117B/zh active Active
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-
2022
- 2022-03-15 US US17/695,666 patent/US11800742B2/en active Active
-
2023
- 2023-09-21 US US18/371,323 patent/US20240015997A1/en active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000187223A (ja) * | 1998-12-22 | 2000-07-04 | Toshiba Corp | 液晶表示素子 |
| JP2003045669A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-02-14 | Toyota Industries Corp | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル及びその製造方法 |
| JP2003223989A (ja) * | 2002-01-29 | 2003-08-08 | Toyota Industries Corp | 有機ｅｌ素子 |
| CN1731597A (zh) * | 2004-08-05 | 2006-02-08 | 三星Sdi株式会社 | 有机薄膜晶体管及包含该有机薄膜晶体管的平板显示装置 |
| KR20150127368A (ko) * | 2014-05-07 | 2015-11-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
| US20160138169A1 (en) * | 2014-11-19 | 2016-05-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of forming a fine pattern |
| WO2017154482A1 (ja) * | 2016-03-07 | 2017-09-14 | パイオニア株式会社 | 封止構造及び発光装置 |
| CN108269835A (zh) * | 2018-01-19 | 2018-07-10 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
Cited By (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020143464A1 (zh) * | 2019-01-08 | 2020-07-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
| US11800742B2 (en) | 2019-01-08 | 2023-10-24 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display substrate, with inverted trapezoid-shaped isolation structure, method for manufacturing the same and display device |
| US11302894B2 (en) | 2019-01-08 | 2022-04-12 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display substrate, method for manufacturing the same and display device |
| WO2020238467A1 (zh) * | 2019-05-27 | 2020-12-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
| US11844239B2 (en) | 2019-05-27 | 2023-12-12 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display substrate and preparation method thereof, and display apparatus |
| CN110120464A (zh) * | 2019-05-27 | 2019-08-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
| CN110678997A (zh) * | 2019-05-31 | 2020-01-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 制造显示基板的方法、显示基板和显示设备 |
| CN110678997B (zh) * | 2019-05-31 | 2022-12-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 制造显示基板的方法、显示基板和显示设备 |
| US11387437B2 (en) | 2019-05-31 | 2022-07-12 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Method of fabricating display substrate, display substrate, and display apparatus |
| WO2020237610A1 (en) * | 2019-05-31 | 2020-12-03 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display substrate, display apparatus, and method of fabricating display substrate |
| CN110337723A (zh) * | 2019-05-31 | 2019-10-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示设备和制造显示基板的方法 |
| US11264410B2 (en) | 2019-07-04 | 2022-03-01 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Display device, display panel and manufacturing method thereof |
| CN110265471A (zh) * | 2019-07-04 | 2019-09-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置、显示面板及其制造方法 |
| CN110265471B (zh) * | 2019-07-04 | 2022-03-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置、显示面板及其制造方法 |
| CN110518147A (zh) * | 2019-08-30 | 2019-11-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制造方法、显示装置 |
| CN110600518B (zh) * | 2019-09-19 | 2022-02-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光显示面板及其驱动方法 |
| CN110600518A (zh) * | 2019-09-19 | 2019-12-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光显示面板及其驱动方法 |
| US11302895B2 (en) | 2019-09-25 | 2022-04-12 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Display substrate having separation pillar in the peripheral area, display apparatus, and method of fabricating display substrate having the same |
| CN110785868B (zh) * | 2019-09-25 | 2022-10-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示装置和制造显示基板的方法 |
| CN110785868A (zh) * | 2019-09-25 | 2020-02-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示装置和制造显示基板的方法 |
| CN110867526A (zh) * | 2019-11-25 | 2020-03-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
| CN110867526B (zh) * | 2019-11-25 | 2023-04-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
| CN110783491B (zh) * | 2019-11-26 | 2022-05-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN110783491A (zh) * | 2019-11-26 | 2020-02-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN111341937A (zh) * | 2020-03-13 | 2020-06-26 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
| WO2021185045A1 (zh) * | 2020-03-20 | 2021-09-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示装置 |
| CN114203775A (zh) * | 2021-11-24 | 2022-03-18 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板和oled显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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