CN111341937A - 显示面板及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本申请提供一种显示面板及其制备方法，显示面板包括阵列基板、阳极层、像素定义层、发光层、阴极层、阻挡层和填充层。阳极层设置于阵列基板上，像素定义层覆盖阵列基板及阳极层上，定义层包括第一通孔，第一通孔贯穿像素定义层，以暴露阳极层，发光层设置于第一通孔中以电连接阳极层，阴极层覆盖像素定义层和发光层，阴极层包括第一凹槽，第一凹槽位于第一通孔上，阻挡层覆盖阴极层，阻挡层包括第二凹槽，第二凹槽位于第一凹槽上，填充层设置于第二凹槽中。在本申请中，将填充层设置于第二凹槽中，避免了显示面板在封装的过程中产生气泡，进而提高显示面板的显示效果和封装效果。

Description

显示面板及其制备方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
OLED即有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode)，因具有自发光、高亮度、宽视角、高对比度、可挠曲和低能耗等特点，被广泛应用在手机屏幕、电脑显示器和全彩电视中。OLED显示面板的封装通常采用面封装方法，但因薄膜晶体管基板完成电致发光层成膜后，在像素开口区会形成凹陷，该区域采用面封装方法封装后易形气泡，进而影响显示面板的显示效果及封装效果。
发明内容
本申请提供一种显示面板，以提高显示面板的显示效果及封装效果。
本申请提供一种显示面板，包括：
一阵列基板；
阳极层，所述阳极层设置于所述阵列基板上；
像素定义层，所述像素定义层覆盖所述阵列基板及所述阳极层上，所述定义层包括第一通孔，所述第一通孔贯穿所述像素定义层，以暴露所述阳极层；
发光层，所述发光层设置于所述第一通孔中以电连接所述阳极层；
阴极层，所述阴极层覆盖所述像素定义层和发光层，所述阴极层包括第一凹槽，所述第一凹槽位于所述第一通孔上；
阻挡层，所述阻挡层覆盖所述阴极层，所述阻挡层包括第二凹槽，所述第二凹槽位于所述第一凹槽上；
填充层，所述填充层设置于所述第二凹槽中。
在本申请所提供的显示面板中，所述阳极层、所述发光层、所述阴极层、所述阻挡层及所述填充层的厚度之和大于所述像素定义层的高度。
在本申请所提供的显示面板中，所述填充层的材料包括聚酰亚胺、聚乙烯、聚萘二甲酸乙二醇酯和六甲基二甲硅醚中的一种或几种组合。
在本申请所提供的显示面板中，所述填充层的表面与所述阻挡层的表面平齐。
在本申请所提供的显示面板中，所述显示面板还包括平坦层，所述平坦层设置于所述阵列基板上，所述平坦层包括第二通孔，所述第二通孔贯穿所述平坦层以暴露所述阵列基板，所述阳极层设置于所述第二通孔中及所述平坦层上与所述阵列基板电连接。
在本申请所提供的显示面板中，所述显示面板还包括封装层，所述封装层覆盖所述阻挡层及所述填充层。
在本申请所提供的显示面板中，所述显示面板还包括覆盖层，所述覆盖层设置于所述封装层上。
本申请还提供一种显示面板的制备方法，包括：
提供一阵列基板；
在所述阵列基板上形成阳极层；
在所述阳极层上形成像素定义层；
对所述像素定义层进行蚀刻，形成第一通孔，所述第一通孔贯通所述像素定义层以暴露所述阳极层；
在所述第一通孔中形成发光层；
在所述像素定义层上和所述发光层上覆盖有阴极层，所述阴极层包括第一凹槽，所述第一凹槽位于所述第一通孔上；
在所述阴极层上覆盖有阻挡层，所述阻挡层包括第二凹槽，所述第二凹槽位于所述第一凹槽上；
在所述第二凹槽中采用喷墨打印方法打印填充层材料，形成填充层。
在本申请所提供的显示面板的制备方法中，所述阻挡层采用物理气相沉积方法形成。
在本申请所提供的显示面板的制备方法中，所述在所述第二凹槽中采用喷墨打印方法打印填充层材料，形成填充层的步骤之后还包括：
在所述阻挡层及所述填充层上形成封装层。
本申请提供一种显示面板及其制备方法，显示面板包括阵列基板、阳极层、像素定义层、发光层、阴极层、阻挡层和填充层。阳极层设置于阵列基板上，像素定义层覆盖阵列基板及阳极层上，像素定义层包括第一通孔，第一通孔贯穿像素定义层，以暴露阳极层，发光层设置于第一通孔中以电连接阳极层，阴极层覆盖像素定义层和发光层，阴极层包括第一凹槽，第一凹槽位于第一通孔上，阻挡层覆盖阴极层，阻挡层包括第二凹槽，第二凹槽位于第一凹槽上，填充层设置于第二凹槽中。在本申请中，将填充层设置于第二凹槽中，避免了显示面板在封装的过程中产生气泡，进而提高显示面板的显示效果和封装效果。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请所提供的显示面板的第一种结构示意图。
图2为本申请所提供的阵列基板的结构示意图。
图3为本申请所提供的显示面板的第二种结构示意图。
图4为本申请所提供的显示面板的制备方法流程图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
请参阅图1，图1为本申请所提供的显示面板的第一种结构示意图。本申请提供一种显示面板10。所述种显示面板10包括阵列基板100、阳极层300、像素定义层400、发光层500、阴极层600、阻挡层700和填充层800。
请参阅图2，图2为本申请所提供的阵列基板的结构示意图。所述阵列基板100包括基板110和薄膜晶体管120。所述薄膜晶体管120设置于所述基板110上。所述薄膜晶体管120包括缓冲层121、有源层122、栅极绝缘层123、栅极层124、层间介质层125、源极126和漏极127。所述缓冲层121设置于所述基板110上。所述缓冲层121的材料包括SiOx和SiNx。所述有源层122设置于所述缓冲层121上。所述有源层122的材料包括铟镓锌氧化物、铟锌锡氧化物、镓锌氧化物、氮氧化锌和铟镓锌钛氧化物。所述栅极绝缘层123设置于所述有源层122上。所述栅极绝缘层123的材料包括SiOx和SiNx。所述栅极层124设置于所述栅极绝缘层123上。所述栅极层124的材料包括Mo、Al、Cu和Ti中的一种或几种组合。所述层间介质层125覆盖所述缓冲层121、所述有源层122、所述栅极绝缘层123和所述栅极层124。所述层间介质层125具有第三通孔1251和第四通孔1252。所述第三通孔1251贯穿所述层间介质层125，以暴露所述有源层122的一侧。所述第四通孔1252贯穿所述层间介质层125以暴露所述有源层122的另一侧。所述层间介质层125的材料包括SiOx和SiNx。所述源极126填充于所述第三通孔1251中及所述层间介质层125上，以电连接所述有源层122。所述漏极127填充于所述第四通孔1252中及所述层间介质层125上，以电连接所述有源层122。所述源极126和所述漏极127的材料包括Mo、Al、Cu和Ti中的一种或几种组合。
所述显示面板10还包括平坦层200。所述平坦层200设置于所述基板110和所述薄膜晶体管120上。所述平坦层200包括第二通孔210。所述第二通孔210贯穿所述平坦层200以暴露所述薄膜晶体管120。所述平坦层128的材料包括SiOx和SiNx。
所述阳极层300设置于所述第二通孔210中及所述平坦层200上与所述薄膜晶体管120电连接。所述阳极层200具有第三凹槽310。
所述像素定义层400覆盖所述平坦层200及所述阳极层300上。所述定义层400包括第一通孔410。所述第一通孔410贯穿所述像素定义层400，以暴露所述阳极层300。
所述发光层500设置于所述第一通孔410中以电连接所述阳极层300。所述发光层500具有第四凹槽510。
在另一实施例中，所述第一通孔410中还设置有电子传输层和空穴传输层。
所述阴极层600覆盖所述像素定义层400和所述发光层500。所述阴极层600包括第一凹槽610。所述第一凹槽610位于所述第一通孔410上。
所述阻挡层700覆盖所述阴极层600。所述阻挡层700包括第二凹槽710。所述第二凹槽710位于所述第一凹槽610上。
所述填充层800设置于所述第二凹槽710中。所述填充层800的表面与所述阻挡层700的表面平齐。所述填充层800的材料包括聚酰亚胺、聚乙烯、聚萘二甲酸乙二醇酯和六甲基二甲硅醚中的一种或几种组合。位于所述第一通孔410上的所述阳极层300、所述发光层500、所述阴极层600、所述阻挡层700及所述填充层800的厚度之和H大于所述像素定义层400的厚度D。
请参阅图3，图3为本申请所提供的显示面板的第二种结构示意图。所述填充层800设置于所述第二凹槽710中及所述阻挡层700上。所述填充层800的表面高于所述阻挡层700的表面。
在另一实施例中，所述显示面板10还包括封装层900。所述封装层900覆盖所述阻挡层700及所述填充层800。
在另一实施例中，所述显示面板10还包括覆盖层1000。所述覆盖层1000设置于所述封装层900上。
在本申请中，将填充层800设置于第二凹槽710中，避免了显示面板10在后续封装的过程中产生气泡，进而提高显示面板的显示效果和封装效果。
请参阅图4，图4为本申请所提供的显示面板的制备方法流程图。本申请还提供一种显示面板的制备方法。所述制备方法包括：
21、提供一阵列基板100。
所述阵列基板100包括基板110和薄膜晶体管120。在所述薄膜晶体管120设置于所述基板110上。采用化学气相沉积工艺或物理气相沉积工艺在所述基板110上沉积缓冲层材料，形成缓冲层121。所述缓冲层121的材料包括SiOx和SiNx。采用化学气相沉积工艺在所述缓冲层121上沉积有源层122材料，对有源层122材料进行蚀刻形成缓冲层121。所述有源层122的材料包括铟镓锌氧化物、铟锌锡氧化物、镓锌氧化物、氮氧化锌和铟镓锌钛氧化物。采用化学气相沉积工艺或物理气相沉积工艺在所述有源层122上沉积栅极绝缘层材料，对所述栅极绝缘层材料进行蚀刻形成栅极绝缘层123。所述栅极绝缘层123的材料包括SiOx和SiNx。采用物理气相沉积工艺在所述栅极绝缘层123上沉积栅极层材料，对所述栅极层材料进行蚀刻形成栅极层124。所述栅极层124的材料包括Mo、Al、Cu和Ti中的一种或几种组合。对所述有源层122进行部分导体化，使其含有导体化的特性和半导体化的特性。在所述缓冲层121、所述有源层122、所述栅极绝缘层123和所述栅极层124上覆盖层间介质层125。对所述层间介质层125进行蚀刻，形成第三通孔1251和第四通孔1252。所述第三通孔1251贯穿所述层间介质层125，以暴露所述有源层122的一侧。所述第四通孔1252贯穿所述层间介质层125以暴露所述有源层122的另一侧。在所述层间介质层125上及所述第三通孔1251中沉积源极材料，蚀刻形成源极126。所述源极126的材料包括Mo、Al、Cu和Ti中的一种或几种组合。在所述层间介质层125上及所述第四通孔1252中沉积漏极材料，蚀刻形成漏极126。所述漏极127的材料包括Mo、Al、Cu和Ti中的一种或几种组合。
在另一实施例中，所述阵列基板100的制程完成，还包括在所述阵列基板100上沉积平坦层200的材料，形成平坦层200。对所述平坦层200进行蚀刻形成第二通孔210。所述第二通孔210贯穿所述平坦层200以暴露所述薄膜晶体管120。所述平坦层200的材料包括SiOx和SiNx。
22、在所述阵列基板100上形成阳极层300。
在所述平坦层200上及所述第二通孔210采用化学气相沉积工艺形成阳极层300。对所述阳极层300进行蚀刻，形成第三凹槽210。所述阳极层材料包括氧化铟锡。
23、在所述阳极层300上形成像素定义层400。
在所述平坦层200及所述阳极层300上形成像素定义层400。
24、对所述像素定义层400进行蚀刻，形成第一通孔410，所述第一通孔410贯通所述像素定义层400以暴露所述阳极层300。
25、在所述第一通孔410中形成发光层500。
在所述第一通孔410中及所述像素定义层400上采用蒸镀或喷墨打印的方法形成发光层500。所述发光层具有第四凹槽510。所述第四凹槽510位于所述第一通孔410之上。
在另一实施例中，在所述第一通孔410中所述像素定义层400上还形成电子传输层和空穴传输层。
26、在所述像素定义层400上和所述发光层500上覆盖有阴极层600，所述阴极层600包括第一凹槽610，所述第一凹槽610位于所述第一通孔410上。
在所述像素定义层400上及所述发光层500上采用蒸镀或喷墨打印的方法形成阴极层600。对所述阴极层600形成第一凹槽610。
27、在所述阴极层600上覆盖有阻挡层700，所述阻挡层700包括第二凹槽710，所述第二凹槽710位于所述第一凹槽610上。
在所述阴极层600上采用物理气相沉积方法形成阻挡层700。对所述阻挡层700进行蚀刻形成第二凹槽710。
28、在所述第二凹槽710中采用喷墨打印方法打印填充层材料，形成填充层800。
所述填充层800的表面与所述阻挡层700的表面平齐或高于所述阻挡层700的表面。所述填充层800的材料包括聚酰亚胺、聚乙烯、聚萘二甲酸乙二醇酯和六甲基二甲硅醚中的一种或几种组合。位于所述第一通孔410上的所述阳极层300、所述发光层500、所述阴极层600、所述阻挡层700及所述填充层800的厚度之和H大于所述像素定义层400的厚度D。
在另一实施例中，在所述填充层700填充于所述阻挡层700的步骤之后，还包括在所述填充层700及所述阻挡层700设置封装层800。
在另一实施例中，在所述填充层700及所述阻挡层700形成覆盖所述封装层800的步骤之后，还包括在所述封装层800上形成覆盖层900。
本申请提供一种显示面板及其制备方法，显示面板包括阵列基板、阳极层、像素定义层、发光层、阴极层、阻挡层和填充层。阳极层设置于阵列基板上，像素定义层覆盖阵列基板及阳极层上，像素定义层包括第一通孔，第一通孔贯穿像素定义层，以暴露阳极层，发光层设置于第一通孔中以电连接阳极层，阴极层覆盖像素定义层和发光层，阴极层包括第一凹槽，第一凹槽位于第一通孔上，阻挡层覆盖阴极层，阻挡层包括第二凹槽，第二凹槽位于第一凹槽上，填充层设置于第二凹槽中。在本申请中，将填充层设置于第二凹槽中，避免了显示面板在封装的过程中产生气泡，进而提高显示面板的显示效果和封装效果。
以上仅为本申请的实施例，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
一阵列基板；
阳极层，所述阳极层设置于所述阵列基板上；
像素定义层，所述像素定义层覆盖所述阵列基板及所述阳极层上，所述定义层包括第一通孔，所述第一通孔贯穿所述像素定义层，以暴露所述阳极层；
发光层，所述发光层设置于所述第一通孔中以电连接所述阳极层；
阴极层，所述阴极层覆盖所述像素定义层和发光层，所述阴极层包括第一凹槽，所述第一凹槽位于所述第一通孔上；
阻挡层，所述阻挡层覆盖所述阴极层，所述阻挡层包括第二凹槽，所述第二凹槽位于所述第一凹槽上；
填充层，所述填充层设置于所述第二凹槽中。
2.如权利要1所述的显示面板，其特征在于，所述阳极层、所述发光层、所述阴极层、所述阻挡层及所述填充层的厚度之和大于所述像素定义层的厚度。
3.如权利要1所述的显示面板，其特征在于，所述填充层的材料包括聚酰亚胺、聚乙烯、聚萘二甲酸乙二醇酯和六甲基二甲硅醚中的一种或几种组合。
4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述填充层的表面高于所述阻挡层的表面或者与所述阻挡层的表面平齐。
5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括平坦层，所述平坦层设置于所述阵列基板上，所述平坦层包括第二通孔，所述第二通孔贯穿所述平坦层以暴露所述阵列基板，所述阳极层设置于所述第二通孔中及所述平坦层上与所述阵列基板电连接。
6.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括封装层，所述封装层覆盖所述阻挡层及所述填充层。
7.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括覆盖层，所述覆盖层设置于所述封装层上。
8.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
提供一阵列基板；
在所述阵列基板上形成阳极层；
在所述阳极层上形成像素定义层；
对所述像素定义层进行蚀刻，形成第一通孔，所述第一通孔贯通所述像素定义层以暴露所述阳极层；
在所述第一通孔中形成发光层；
在所述像素定义层上和所述发光层上覆盖有阴极层，所述阴极层包括第一凹槽，所述第一凹槽位于所述第一通孔上；
在所述阴极层上覆盖有阻挡层，所述阻挡层包括第二凹槽，所述第二凹槽位于所述第一凹槽上；
在所述第二凹槽中采用喷墨打印方法打印填充层材料，形成填充层。
9.如权利要求8所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述阻挡层采用物理气相沉积方法形成。
10.如权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述在所述第二凹槽中采用喷墨打印方法打印填充层材料，形成填充层的步骤之后还包括：
在所述阻挡层及所述填充层上形成封装层。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023123197A1 (zh) * 2021-12-28 2023-07-06 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
WO2024000655A1 (zh) * 2022-06-28 2024-01-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109037294A (zh) * 2018-08-02 2018-12-18 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光显示面板及其制作方法、显示装置
CN109166891A (zh) * 2018-08-30 2019-01-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled显示面板及其制备方法
US20190067627A1 (en) * 2017-08-29 2019-02-28 Shanghai Tianma AM-OLED Co., Ltd. Organic Light-Emitting Display Panel And Organic Light-Emitting Display Device
CN109742117A (zh) * 2019-01-08 2019-05-10 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置
CN110400889A (zh) * 2019-07-25 2019-11-01 云谷（固安）科技有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20190067627A1 (en) * 2017-08-29 2019-02-28 Shanghai Tianma AM-OLED Co., Ltd. Organic Light-Emitting Display Panel And Organic Light-Emitting Display Device
CN109037294A (zh) * 2018-08-02 2018-12-18 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光显示面板及其制作方法、显示装置
CN109166891A (zh) * 2018-08-30 2019-01-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled显示面板及其制备方法
CN109742117A (zh) * 2019-01-08 2019-05-10 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置
CN110400889A (zh) * 2019-07-25 2019-11-01 云谷（固安）科技有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023123197A1 (zh) * 2021-12-28 2023-07-06 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
WO2024000655A1 (zh) * 2022-06-28 2024-01-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及显示装置

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