CN112164756A - 显示面板及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种显示面板及其制备方法。所述显示面板中包括薄膜晶体管功能层、薄膜封装层、防溢槽以及防溢坝。所述薄膜封装层设于所述薄膜晶体管功能层上。所述防溢槽由所述薄膜晶体管功能层朝向所述薄膜封装层的一表面延伸至所述薄膜晶体管功能层的内部。所述防溢坝围绕所述防溢槽。所述防溢槽和所述防溢坝用于防止薄膜封装层中的有机材料在制备过程中溢出。

Description

显示面板及其制备方法

技术领域

本发明涉及显示设备领域，特别是一种显示面板及其制备方法。

背景技术

柔性有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示器具有主动发光、色域宽、亮度高、响应速度快、低功耗，以及结构上可弯曲等优点越来越收到市场的欢迎，逐渐取代LCD成为显示技术的主流。

如图1所示，柔性OLED从下往通常包括阵列基板300，有机发光层500，薄膜封装层400。所谓的薄膜封装(Thin Film Encapsulation，TFE)，即在基板的OLED区表面形成无机-有机交替层，以沉积薄膜的方式来阻隔水氧。

现有的薄膜封装结构中一般包括三层或五层结构，其中，无机膜层起水氧阻隔作用，无机层起平坦、颗粒(Particle)包裹、应力释放、延长无机孔洞间路径的作用，并且，无机膜层一般位于奇数层，以三层结构为例：第一层为无机膜层401，第二层为有机膜层402，第三层为无机膜层403。由于有机膜层的水氧阻隔能力较差，因此，两层无机膜层要在覆盖范围上大于有机膜层，以达到良好的阻隔水氧的效果。有机膜层一般使用喷墨打印设备(Ink-Jet Printer)制备，基于无机层的功能考量，要求墨水在第一层无机层表面的润湿性很好，能迅速铺展流平，但这也会带来一个问题，即墨水会由于墨量较大或者毛细现象而越过显示区边缘的挡墙(Dam)，一旦墨水越过挡墙，就会大大降低薄膜封装的效果。

发明内容

本发明的目的是提供一种显示面板及其制备方法，以解决现有技术中薄膜封装结构中的有机膜层在制备过程中容易溢出的问题。

为实现上述目的，本发明提供一种显示面板，具有一显示区以及围绕所述显示区的非显示区。

所述显示面板还包括薄膜晶体管功能层、薄膜封装层、防溢槽以及防溢坝。所述薄膜封装层设于所述薄膜晶体管功能层上。所述防溢槽从所述薄膜晶体管功能层朝向所述薄膜封装层的一表面延伸至所述薄膜晶体管功能层的内部，并位于所述非显示区内，围绕所述显示区设置。所述防溢坝设于所述防溢槽远离所述显示区的一侧。

进一步地，所述薄膜晶体管功能层包括源漏极层和电源信号线。所述源漏极层设于所述显示区内。所述电源信号线位于所述非显示区内，并围绕所述显示区。所述电源信号线与所述源漏极层位于同一层，并覆盖所述防溢槽的槽壁和槽底。

进一步地，所述防溢坝包括第一基座和第二基座。所述第一基座设于所述电源信号线远离所述源漏极层的一端，并覆盖部分所述电源信号线。所述第二基座设于所述第一基座远离所述薄膜晶体管功能层的一表面上。

进一步地，所述薄膜晶体管功能层还包括平坦层和像素限定层。所述平坦层覆盖所述源漏极层以及所述电源信号线远离所述防溢坝的一端。所述像素限定层设于所述平坦层远离所述源漏极层的一表面上。其中，所述平坦层与所述第一基座位于同一层，所述像素限定层与所述第二基座位于同一层。

进一步地，所述薄膜晶体管功能层还包括柔性衬底、缓冲层、第一绝缘层、第二绝缘层以及介电层。所述缓冲层设于所述柔性衬底上。所述第一绝缘层设于所述柔性衬底远离所述缓冲层的一表面上。所述第二绝缘层设于所述第一绝缘层远离所述缓冲层的一表面上。所述介电层设于所述第二绝缘层远离所述第一绝缘层的一表面上。所述防溢槽从所述介电层延伸至所述第一绝缘层内。所述防溢坝设于所述介电层远离所述第二栅极层的一表面上。

进一步地，所述薄膜封装层包括第一无机层、有机层、第二无机层。所述第一无机层设于所述薄膜晶体管功能层上，并覆盖所述防溢槽和所述防溢坝。所述有机层设于所述第一无机层远离所述薄膜晶体管功能层的一表面上，并填充所述防溢槽。所述第二无机层设于所述第一无机层上，并覆盖所述有机层。

进一步地，所述显示面板还包括有机发光层，所述有机发光层设于所述薄膜晶体管功能层上，并位于所述显示区内。所述有机发光层通过像素电极层与所述薄膜晶体管功能层中的源漏极层连接。

本发明中还提供了一种显示面板的制备方法，其包括以下步骤：

提供一薄膜晶体管功能层半成品；在所述薄膜晶体管功能层半成品上形成防溢槽；在所述薄膜晶体管功能层半成品上形成防溢坝。在所述薄膜晶体管功能层上形成薄膜封装层。

进一步地，所述制备方法中还包括以下步骤：

在所述薄膜晶体管功能层半成品和所述防溢槽上形成源漏极层和电源信号线。

进一步地，所述形成薄膜封装层步骤中包括以下步骤：

通过化学气相沉积法将无机材料沉积在所述薄膜晶体管功能层上，形成第一无机层；通过喷墨打印法将有机材料喷涂在所述第一无机层上，形成所述有机层；通过化学气相沉积法将无机材料沉积在所述第一无机层和所述有机层上，形成第二无机层。

本发明的优点是：本发明中的一种显示面板通过设置防溢槽和防溢坝进行双层防护，阻止薄膜封装制程中有机层的有机材料物溢出显示面板。并且防溢槽的设置相对于现有技术中堤坝的设计能够更靠近显示区，从而减小非显示区的宽度，减小显示面板的边框，加大显示区域，实现窄边框设计，提高用户使用感。

附图说明

图1为现有技术中显示面板的层状结构示意图；

图2为本发明实施例中显示面板的主视图；

图3为本发明实施例中显示面板层状结构简图；

图4为本发明实施例中显示面板的层状结构示意图；

图5为本发明实施例中显示面板制备方法的流程示意图。

图中部件表示如下：

显示面板10；

显示区11；非显示区12；

防溢槽100；防溢坝200；

第一基座201；第二基座202；

薄膜晶体管功能层300；

柔性衬底301；缓冲层302；

有源层303；第一绝缘层304；

第一栅极层305；第二绝缘层306；

第二栅极层307；介电层308；

源漏极层309；电源信号线310；

ELVSS走线310A；ELVDD走线310B；

平坦层311；像素限定层312；

薄膜封装层400；

第一无机层401；有机层402；第二无机层403；

有机发光层500；

像素电极层501；有机发光器件502。

具体实施方式

以下参考说明书附图介绍本发明的优选实施例，证明本发明可以实施，所述发明实施例可以向本领域中的技术人员完整介绍本发明，使其技术内容更加清楚和便于理解。本发明可以通过许多不同形式的发明实施例来得以体现，本发明的保护范围并非仅限于文中提到的实施例。

本发明实施例中提供了一种显示面板10，如图2所示，所述显示面板10具有一显示区11以及围绕所述显示区11的非显示区12。

如图3所示，所述显示面板10还包括薄膜晶体管功能层300、有机发光层500以及薄膜封装层400。所述有机发光层500设于薄膜晶体管功能层300上，并通过像素电极层501与所述薄膜晶体管实现电连接。所述薄膜封装层400也设于所述薄膜晶体管功能层300上，且覆盖保护所述有机发光层500，隔绝水氧，防止器件被腐蚀而失效。

如图4所示，所述薄膜晶体管功能层300中包括柔性衬底301层、缓冲层302、有源层303、第一绝缘层304、第一栅极层305、第二绝缘层306、第二栅极层307、介电层308以及源漏极层309。

所述柔性衬底301为聚酰亚胺(PI)薄膜，其覆盖所述显示区11和所述非显示区12。所述缓冲层302设于所述柔性衬底301的一表面上。所述有源层303设于所述显示区11内，并设于所述缓冲层302远离所述柔性衬底301的一表面上。所述第一绝缘层304设于所述缓冲层302上，并覆盖所述有源层303。所述第一栅极层305设于所述第一绝缘层304远离所述有源层303的一表面上，并与有源层303相互对应。所述第二绝缘层306设于所述第一绝缘层304上，并覆盖所述第一栅极层305。所述第二栅极层307设于所述第二绝缘层306远离所述第一栅极层305的一表面上，并与所述第一栅极层305相互对应。所述介电层308设于所述第二绝缘层306上，并覆盖所述第二栅极层307。所述源漏极层309设于所述显示区11内的介电层308上，并穿过所述介电层308、第二绝缘层306、第一绝缘层304与所述有源层303连接。

所述缓冲层302、所述第一绝缘层304、所述第二绝缘层306以及所述介电层308采用硅氧化物、硅氮化物等无机材料制备而成。所述缓冲层302用于减缓生产运输过程中的振动对显示面板10器件的冲击力。所述第一绝缘层304、所述第二绝缘层306以及所述介电层308用于绝缘保护显示面板10中的导电走线，防止走线之间发生短路。

所述薄膜晶体管功能层300还包括电源信号线310、平坦层311、像素限定层312、防溢槽100以及防溢坝200。

如图2所示，所述防溢槽100位于所述非显示区12内，并且围绕所述显示区11设置。如图4所示，所述防溢槽100的槽口朝向所述薄膜封装层400，其从所述薄膜晶体管功能层300中的介电层308贯穿至第一栅极层305中。所述防溢槽100用于防止薄膜封装层400的制备过程中其有机层402的材料溢出。

如图4所示，所述电源信号线310与所述源漏极层309位于同一层。所述电源信号线310包括ELVDD走线310B和ELVSS走线310A。所述ELVSS走线310A设于所述非显示区12内，并且也围绕所述显示区11设置。所述ELVSS走线310A与所述防溢槽100互相对应，并且所述ELVSS走线310A覆盖所述防溢槽100的槽壁以及槽底。所述ELVDD走线310B设于ELVSS走线310A与所述显示区11之间，其也围绕所述显示区11设置，并且与所述ELVSS走线310A保持平行。

所述平坦层311设于所述介电层308上，并覆盖所述源漏极层309，其用于将所述薄膜晶体管功能层300的表面平坦化。所述平坦层311从所述显示区11延伸至所述非显示区12内，覆盖所述ELVDD走线310B以及所述ELVSS走线310A靠近所述显示区11的一侧。

所述像素限定层312设于所述平坦层311远离所述源漏极层309的一表面上，其具有若干开口，所述有机发光层500中的发光原件设于所述开口中。

如图2所示，所述防溢坝200设于所述非显示区12内，其位于所述防溢槽100远离所述显示区11的一侧，并平行于所述防溢槽100。如图4所示，所述防溢坝200具有第一基座201和第二基座202。所述第一基座201设于所述介电层308上，其与所述平坦层311位于同一层，并覆盖所述ELVSS走线310A远离所述显示区11的一侧。所述第二基座202设于所述第一基座201远离所述介电层308的一表面上，其与所述像素限定层312位于同一层。所述防溢坝200用于进一步地防止薄膜封装层400中有机层402的材料溢出。

所述有机发光层500设于所述像素限定层312远离所述平坦层311的一表面上，并位于所述显示区11内。如图4所示，所述有机发光层500具有像素电极层501，所示像素电极层501设于所述像素限定层312和所述平坦层311之间，其对应于所述像素限定层312中的开口，并穿过所述平坦层311与所述源漏极层309连接。所述有机发光层500中的发光器件设于所述开口中的像素电极层501上，通过所述像素电极层501与薄膜晶体管功能层300实现电连接，从而将电能转化为光能，实现画面的显示。

所述薄膜封装层400包括第一无机层401、有机层402以及第二无机层403。所述第一无机层401设于所述薄膜晶体管功能层300上，并覆盖所述有机发光层500。所述有机层402设于所述第一无机层401上，所述有机层402一般采用喷墨打印法制备而成。当有机层402的有机材料喷涂在第一无机层401上还未固化时，边缘处的有机材料会先流进防溢槽100中，以防溢出。当防溢槽100被有机材料填满时，位于防溢槽100外侧的防溢坝200会再次阻挡有机材料的流动，进一步防止其溢出。所述第二无机层403设于所述第一无机层401上，并覆盖所述有机层402。

本发明实施例中还提供一种显示面板10的制备方法，用以制备上述显示面板10。所述制备方法的具体流程如图5所示，其包括以下步骤：

步骤S10)制备薄膜晶体管功能层300半成品：提供一柔性衬底301，在此柔性衬底301上通过薄膜晶体管(TFT)制程依次形成缓冲层302、第一绝缘层304、第一栅极层305、第二绝缘层306、第二栅极层307以及介电层308。

步骤S20)形成防溢槽100：在薄膜晶体管功能层300半成品上通过干刻工艺形成防溢槽100以及使源漏极层309连接至有源层303的第一过孔。所述第一过孔从介电层308延伸至有源层303的表面，所述防溢槽100从介电层308延伸至第一绝缘层304的内部

步骤S30)形成源漏极层309和电源信号线310：在介电层308上沉积一层金属材料，此层金属材料填充所述第一过孔。将此层金属材料图案化，形成源漏极层309以及电源信号线310中的ELVDD走线310B和ELVSS走线310A。

步骤S40)形成平坦层311、像素电极层501、像素限定层312和防溢坝200：在介电层308上沉积一层无机材料，利用黄光工艺将该层无机材料曝光显影，并将其图案化，形成使像素电极层501连接至源漏极层309的第二过孔以及将防溢槽100周围以及内部的无机材料去除，形成所述平坦层311，同时形成防溢坝200的第一基座201。在所述平坦层311上成绩一层金属材料，并使该层金属材料填充第二过孔。将该层金属材料层图案化，形成所述像素电极层501。在平坦层311上沉积一层无机材料，此层无机材料覆盖所述像素电极层501，利用黄光工艺将该层无机材料曝光显影，并将其图案化，形成与像素电极层501对应的开口以及将防溢槽100周围以及内部的无机材料去除，形成像素限定层312，同时形成防溢坝200的第二基座202。所述第一基座201和所述第二基座202组合形成所述防溢坝200。

步骤S50)形成有机发光层500：通过OLED制程在像素限定层312开口中的像素电极层501上形成有机发光层500。

步骤S60)形成薄膜封装层400：在薄膜晶体管功能层300通过化学气相沉积法沉积一层厚度为1-2微米的无机材料，形成第一无机层401，所述第一无机层401覆盖所述防溢坝200、防溢槽100以及所述有机发光器件502。在第一无机层401上通过喷墨打印法形成一层厚度为4-10微米的有机材料，待此层有机材料流平并固化后形成所述有机层402。在第一无机层401上再次通过化学气相沉积法沉积一层厚度为1-2微米的无机材料，形成第二无机层403，所述第二无机层403覆盖所述有机层。所述第一无机层401、有机层402和所述第二无机层403组合形成所述薄膜封装层400。

在有机层402的制备过程中，当有机材料流平时，溢出的有机材料会先填充防溢槽100，防止其溢出面板，影响封装效果。当防溢槽100填充满后，防溢坝200可以阻挡溢出防溢槽100的有机材料，进一步防止有机材料溢出面板。

在本发明实施例中所提供的显示面板10中，其通过设置防溢槽100和防溢坝200进行双层防护，阻止薄膜封装制程中有机层402的有机材料物溢出显示面板10。并且防溢槽100的设置相对于现有技术中堤坝的设计能够更靠近显示区11，从而减小非显示区12的宽度，减小显示面板10的边框，加大显示区域，提高用户使用感。

虽然在本文中参照了特定的实施方式来描述本发明，但是应该理解的是，这些实施例仅仅是本发明的原理和应用的示例。因此应该理解的是，可以对示例性的实施例进行许多修改，并且可以设计出其他的布置，只要不偏离所附权利要求所限定的本发明的精神和范围。应该理解的是，可以通过不同于原始权利要求所描述的方式来结合不同的从属权利要求和本文中所述的特征。还可以理解的是，结合单独实施例所描述的特征可以使用在其他所述实施例中。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，具有一显示区以及围绕所述显示区的非显示区；

所述显示面板还包括：

薄膜晶体管功能层；

薄膜封装层，设于所述薄膜晶体管功能层上；

防溢槽，从所述薄膜晶体管功能层朝向所述薄膜封装层的一表面延伸至所述薄膜晶体管功能层的内部，并位于所述非显示区内，围绕所述显示区设置；

防溢坝，设于所述防溢槽远离所述显示区的一侧。

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管功能层包括：

源漏极层，设于所述显示区内；

电源信号线，位于所述非显示区内，并围绕所述显示区；

所述电源信号线与所述源漏极层位于同一层，并覆盖所述防溢槽的槽壁和槽底。

3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述防溢坝包括：

第一基座，设于所述电源信号线远离所述源漏极层的一端，并覆盖部分所述电源信号线；

第二基座，设于所述第一基座远离所述薄膜晶体管功能层的一表面上。

4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管功能层还包括：

平坦层，覆盖所述源漏极层以及所述电源信号线远离所述防溢坝的一端；

像素限定层，设于所述平坦层远离所述源漏极层的一表面上；

其中，所述平坦层与所述第一基座位于同一层，所述像素限定层与所述第二基座位于同一层。

5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管功能层还包括：

柔性衬底；

缓冲层，设于所述柔性衬底上；

第一绝缘层，设于所述柔性衬底远离所述缓冲层的一表面上；

第二绝缘层，设于所述第一绝缘层远离所述缓冲层的一表面上；

介电层，设于所述第二绝缘层远离所述第一绝缘层的一表面上；

所述防溢槽从所述介电层延伸至所述第一绝缘层内；

所述防溢坝设于所述介电层远离所述第二栅极层的一表面上。

6.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜封装层包括：

第一无机层，设于所述薄膜晶体管功能层上，并覆盖所述防溢槽和所述防溢坝；

有机层，设于所述第一无机层远离所述薄膜晶体管功能层的一表面上，并填充所述防溢槽；

第二无机层，设于所述第一无机层上，并覆盖所述有机层。

7.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，还包括：

有机发光层，设于所述薄膜晶体管功能层上，并位于所述显示区内；

所述有机发光层通过像素电极层与所述薄膜晶体管功能层中的源漏极层连接。

8.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一薄膜晶体管功能层半成品；

在所述薄膜晶体管功能层半成品上形成防溢槽；

在所述薄膜晶体管功能层半成品上形成防溢坝；

在所述薄膜晶体管功能层上形成薄膜封装层。

9.如权利要求8所述的显示面板的制备方法，其特征在于，还包括以下步骤：

在所述薄膜晶体管功能层半成品和所述防溢槽上形成源漏极层和电源信号线。

10.如权利要求8所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述形成薄膜封装层步骤中包括以下步骤：

通过化学气相沉积法将无机材料沉积在所述薄膜晶体管功能层上，形成第一无机层；

通过喷墨打印法将有机材料喷涂在所述第一无机层上，形成所述有机层；

通过化学气相沉积法将无机材料沉积在所述第一无机层和所述有机层上，形成第二无机层。

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