CN114171569B - 显示面板及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种显示面板及其制作方法，显示面板包括驱动基板、平坦化层、像素定义层、发光层功能层、阴极层、填充材料层和封装功能层，驱动基板包括钝化层，平坦化层设置在钝化层上，平坦化层包括第一部分以及连接第一部分的突出部分，平坦化层的突出部分和平坦化层的第一部分形成底切结构，底切结构具有底切空间，像素定义层具有通孔，通孔贯穿像素定义层、平坦化层和钝化层，且通孔连通底切空间，发光功能层设置在像素定义层远离平坦化层的一面及设置在通孔内，阴极层设置在发光功能层远离像素定义层的一面，底切空间断开阴极层和发光功能层，填充材料层填充底切空间，封装功能层设置在阴极层远离发光功能层的一面，且封装功能层填充通孔。

Description

显示面板及其制作方法

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法。

背景技术

有机电致发光(Organic Light-Emitting Display，OLED)显示面板具有自发光、全固态、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全彩显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示面板。目前小尺寸OLED显示面板在手机和车载领域的应用已经全面超越LCD(LiquidCrystal Display，液晶显示)器件，未来大尺寸顶发光高解析度的OLED显示面板也会全面应用并取代LCD显示器件。

OLED显示面板的发光原理为在电场驱动下，半导体材料和有机发光材料通过载流子注入和复合发光。现有的OLED显示面板通常包括：TFT基板，设于TFT基板上的阳极、设于阳极上的有机发光层，及设置于有机发光层上的阴极。因为OLED显示面板是共阴极的结构，且阴极上面具有封装层。由于OLED显示面板对水氧十分敏感，为了延长水氧入侵路径，现有技术是在非显示区设置底切结构(Undercut)，但是在底切结构的封装结构和其他位置不一样，导致水氧容易入侵，从而降低显示面板的可靠度，另外，由于OLED显示面板为共阴极结构，其电阻高，从而存在严重的电阻电压降(IR Drop)，从而导致面内亮度均一性差。

故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。

发明内容

本申请实施例提供一种显示面板及其制作方法，用于改善由于水氧入侵导致的显示面板的可靠度低的技术问题。

本申请实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括：

驱动基板，所述驱动基板包括钝化层；

平坦化层，所述平坦化层设置在所述钝化层上，所述平坦化层包括第一部分以及连接所述第一部分的突出部分，所述平坦化层的突出部分和所述平坦化层的第一部分形成底切结构，所述底切结构具有底切空间；

像素定义层，所述像素定义层设置在所述平坦化层远离所述钝化层的一面，所述像素定义层具有通孔，所述通孔贯穿所述像素定义层、所述平坦化层和所述钝化层，且所述通孔连通所述底切空间；

发光层功能层，所述发光功能层设置在所述像素定义层远离所述平坦化层的一面及设置在所述通孔内；

阴极层，所述阴极层设置在所述发光功能层远离所述像素定义层的一面，所述底切空间断开所述阴极层和所述发光功能层；

填充材料层，所述填充材料层填充所述底切空间；

封装功能层，所述封装功能层设置在所述阴极层远离所述发光功能层的一面，且所述封装功能层填充所述通孔。

在本申请实施例提供的显示面板中，所述显示面板还包括：

封盖层，所述封盖层设置在所述阴极层远离所述发光功能层的一面，所述底切空间断开所述封盖层，所述封盖层的材料包括导体图形材料，所述填充材料层的材料包括导体电极材料，所述导体图形材料和所述导体电极材料相互排斥。

在本申请实施例提供的显示面板中，所述导体图形材料包括具有自组装功能的有机材料，所述导体图形材料包括具有自组装功能的金属材料。

在本申请实施例提供的显示面板中，所述驱动基板包括辅助电极，所述辅助电极设置在所述通孔内并延伸至所述底切空间，位于所述通孔内的所述阴极层与所述辅助电极电连接。

在本申请实施例提供的显示面板中，所述钝化层包括位于所述通孔两侧的第一部分和第二部分，所述钝化层的第一部分覆盖所述平坦化层的第一部分的侧壁。

在本申请实施例提供的显示面板中，所述导体图形材料的折射率介于1.6至2.5。

本申请实施例还提供一种显示面板的制作方法，所述显示面板的制作方法包括以下步骤：

形成驱动基板，所述驱动基板包括钝化层；

在所述钝化层上形成平坦化层；

在所述平坦化层上形成像素定义层，所述像素定义层具有通孔，所述通孔贯穿所述平坦化层、所述钝化层和所述像素定义层；

对所述钝化层和所述平坦化层刻蚀形成底切结构，所述底切结构由所述平坦化层的突出部分和所述平坦化层的第一部分的构成，所述底切结构具有底切空间，所述底切空间与所述通孔连通；

在所述像素定义层远离所述平坦化层的一面及所述通孔内形成发光功能层；

在所述发光功能层上形成阴极层，所述底切空间断开所述阴极层和所述发光功能层；

在所述底切空间内形成填充材料层；

在所述阴极层上形成封装功能层，且所述封装功能层覆盖所述填充材料层。

在本申请实施例提供的显示面板的制作方法中，所述在所述发光功能层上形成阴极层的步骤之后，还包括：

整面蒸镀具有自组装功能的导体图形材料，以形成封盖层。

在本申请实施例提供的显示面板的制作方法中，所述在所述底切空间内形成填充材料层的步骤包括：

整面蒸镀导体图形材料，以在所述底切空间内形成所述填充材料层，所述导体图案材料和所述导体电极材料相互排斥。

在本申请实施例提供的显示面板的制作方法中，所述形成驱动基板的步骤包括：

提供一衬底；

在所述衬底上形成薄膜晶体管结构层，所述薄膜晶体管结构层包括源漏金属层，所述源漏金属层包括源极、漏极和辅助电极，所述辅助电极设置在所述通孔内并延伸至所述底切空间，位于所述通孔内的所述阴极层与所述辅助电极电连接。

在本申请实施例提供的显示面板及其制作方法中，显示面板包括驱动基板、平坦化层、像素定义层、发光层功能层、阴极层、填充材料层和封装功能层。驱动基板包括钝化层。平坦化层设置在钝化层上，平坦化层包括第一部分以及连接第一部分的突出部分，平坦化层的突出部分和平坦化层的第一部分形成底切结构，底切结构具有底切空间。像素定义层设置在平坦化层远离钝化层的一面，像素定义层具有通孔，通孔贯穿像素定义层、平坦化层和钝化层，且通孔连通底切空间。发光功能层设置在像素定义层远离平坦化层的一面及设置在通孔内。阴极层设置在发光功能层远离像素定义层的一面，底切空间断开阴极层和发光功能层。填充材料层填充底切空间。封装功能层设置在阴极层远离发光功能层的一面，且封装功能层填充通孔。

为了延长水氧入侵路径，本申请实施例中的显示面板设置有底切结构。然而，由于利用封装材料对底切结构进行封装时，封装材料无法填充至底切结构的底切空间内，从而导致水氧从底切空间进入发光层，影响显示面板的显示效果，本申请实施例在底切空间内设置填充材料层，用于阻挡水氧进入显示区，从而提高了显示面板的可靠度。

为让本申请的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。

附图说明

图1为本申请第一实施例提供的显示面板的结构示意图；

图2为本申请第二实施例提供的显示面板的结构示意图；

图3为本申请实施例提供的底切结构的结构示意图；

图4为本申请第二实施例提供的显示面板的制作方法的步骤流程图；

图5和图6为本申请第二实施例提供显示面板制作方法的结构示意图。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请作进一步地详细描述，请参照附图中的图式，其中相同的组件符号代表相同的组件，以下的说明是基于所示的本申请具体实施例，其不应被视为限制本申请未在此详述的其他具体实施例。本说明书所使用的词语“实施例”意指实例、示例或例证。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

本申请实施例提供一种显示面板及其制作方法。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。

显示面板包括驱动基板、平坦化层、像素定义层、发光层功能层、阴极层、填充材料层和封装功能层。驱动基板包括钝化层。平坦化层设置在钝化层上，平坦化层包括第一部分以及连接第一部分的突出部分，平坦化层的突出部分和平坦化层的第一部分形成底切结构，底切结构具有底切空间。像素定义层设置在平坦化层远离钝化层的一面，像素定义层具有通孔，通孔贯穿像素定义层、平坦化层和钝化层，且通孔连通底切空间。发光功能层设置在像素定义层远离平坦化层的一面及设置在通孔内。阴极层设置在发光功能层远离像素定义层的一面，底切空间断开阴极层和发光功能层。填充材料层填充底切空间。封装功能层设置在阴极层远离发光功能层的一面，且封装功能层填充通孔。

为了延长水氧入侵路径，本申请实施例在非显示区设置有底切结构。然而，由于利用封装材料对底切结构进行封装时，封装材料无法填充至底切结构的底切空间内，从而导致水氧从底切空间进入显示区，影响显示面板的显示效果，从而降低了显示面板的可靠度。本申请实施例在底切空间内设置填充材料层，用于阻挡水氧进入显示区，从而提高了显示面板的可靠度。

下面通过具体实施例对本申请提供的驱动基板进行详细的阐述。

请参阅图1，图1为本申请第一实施例提供的显示面板的结构示意图。显示面板100具有显示区AA和非显示区NA，非显示区NA位于显示区AA的至少一侧。其中，非显示区NA设置有开孔，开孔用于设置摄像头、听筒或话筒等组件。

需要说明的是，在一些实施例中，显示区AA可以为非显示区NA的一侧、两侧、三侧或四侧中的任意一种，本申请实施例以显示区AA位于非显示区NA的一侧为示例进行阐述，但不限于此。

显示面板100包括驱动基板10、平坦化层201、像素定义层203、发光层功能层204、阴极层205、填充材料层207和封装功能层208。驱动基板10包括钝化层103。平坦化层201设置在钝化层103上，平坦化层201包括第一部分201a以及连接第一部分201a的突出部分201b，平坦化层201的突出部分201b和平坦化层201的第一部分201a形成底切结构UC，底切结构UC具有底切空间ub。像素定义层203设置在平坦化层201远离钝化层103的一面，像素定义层203具有通孔h，通孔h贯穿像素定义层203、平坦化层201和钝化层103，且通孔h连通底切空间ub。发光功能层204设置在像素定义层203远离平坦化层201的一面及设置在通孔h内。阴极层205设置在发光功能层204远离像素定义层203的一面。底切空间ub断开阴极层205和发光功能层204。填充材料层207填充底切空间ub。封装功能层208设置在阴极层205远离发光功能层204的一面，且封装功能层208填充通孔。

为了延长水氧入侵路径，本申请实施例在非显示区NA设置有底切结构UC。然而，由于利用封装材料对底切结构UC进行封装时，封装材料无法填充至底切结构UC的底切空间ub内，从而导致水氧从底切空间ub进入显示区AA，影响显示面板100的显示效果，从而降低了显示面板100的可靠度。本申请实施例在底切空间ub内设置填充材料层207，用于阻挡水氧进入显示区AA，从而提高了显示面板100的可靠度。

在一些实施例中，填充材料层207可以通过涂布的方式填充于底切空间ub内。例如，在一具体实施方式中，将液体胶水填充至底切空间ub内，然后利用紫外光照射，使得液体胶水固化，从而形成填充材料层。

请结合图2和图3，图2为本申请第二实施例提供的显示面板的结构示意图。图3为本申请实施例中底切结构和通孔的结构示意图。显示面板100具有显示区AA和非显示区NA，非显示区NA位于显示区AA的至少一侧。

显示面板100包括驱动基板10、平坦化层201、像素定义层203、发光层功能层204、阴极层205、封盖层206、填充材料层207和封装功能层208。驱动基板10包括钝化层103。平坦化层201设置在钝化层103上，平坦化层201包括第一部分201a以及连接第一部分201a的突出部分201b，平坦化层201的突出部分201b和平坦化层201的第一部分201a形成底切结构UC，底切结构UC具有底切空间ub。像素定义层203设置在平坦化层201远离钝化层103的一面，像素定义层203具有通孔h，通孔h贯穿像素定义层203、平坦化层201和钝化层103，且通孔h连通底切空间ub。发光功能层204设置在像素定义层203远离平坦化层201的一面及设置在通孔h内。阴极层205设置在发光功能层204远离像素定义层203的一面。底切空间ub断开阴极层205和发光功能层204。封盖层206设置在阴极层205远离发光功能层204的一面，底切空间ub断开封盖层206。填充材料层207填充底切空间ub。封装功能层208设置在阴极层205远离发光功能层204的一面，且封装功能层208填充通孔。

进一步的，封盖层206的材料为导体图形材料(Conductor Patterning Material，CPM)，导体图形材料包括具有自组装功能的有机材料。填充材料层207的材料为导体电极材料(Conductor Electrode Material，CEM)，导体电极材料包括具有自组装功能的金属材料。导体图形材料与导体电极材料互相排斥。本实施例中的导体图形材料和导体电极材料来自例如OTI Lumionics公司提供的产品。

应该理解的是，本申请实施例中的导体图形材料为具有亲油基团的有机材料，导体电极材料为具有亲水基团的金属材料，利用两者间的基团相互排斥的作用，实现封盖层206和填充材料层207在不同位置的排布。

为了延长水氧入侵路径，本申请实施例在非显示区NA设置有底切结构UC。然而，由于利用封装材料对底切结构UC进行封装时，封装材料无法填充至底切结构UC的底切空间ub内，从而导致水氧从底切空间ub进入显示区AA，影响显示面板100的显示效果，从而降低了显示面板100的可靠度。本申请实施例利用导体图形材料作为封盖层206的材料，导体电极材料作为填充材料层207的材料，导体图形材料被底切空间ub断开，由于导体图形材料和导体电极材料具有相互排斥的特性，因此导体金属材料可以填充于底切空间ub内。从而提高了显示面板100的可靠度。

在一些实施例中，导体图形材料的折射率介于1.6至2.5。导体图形材料的折射率可以是1.6、1.8、2.0、2.15、2.3或2.5中的任意一者。将导体图形材料的折射率设置1.6至2.5之间，从而保证有发光功能层204发出的光在封盖层206的界面具有较大的折射率，增大了出光视角，利于实现大视角的显示面板。

在一些实施例中，驱动基板10包括衬底101、薄膜晶体管结构层102、钝化层103和辅助电极104。薄膜晶体管结构层102设置在衬底101上，钝化层103覆盖薄膜晶体管结构层102的一部分，辅助电极104设置在衬底101上。

衬底101包括依次层叠设置的第一柔性层101a、第一阻挡层101b、第二柔性层101c、第二阻挡层101d。第一阻挡层101b用于防止水氧通过第一柔性层101a的一侧渗透至第一阻挡层101b上面的结构，防止损坏驱动基板10。在一些实施例中，第一阻挡层101b的材质包括但不限于含硅的氧化物、氮化物或氮氧化物。例如，第一阻挡层101b的材质为SiO_x、SiN_x或SiO_xN_y中的至少一种。第一柔性层101a的材料可以和第二柔性层101c的材料相同，其可以包括PI(聚酰亚胺)、PET(聚二甲酸乙二醇酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇脂)、PC(聚碳酸酯)、PES(聚醚砜)、PAR(含有聚芳酯的芳族氟甲苯)或PCO(多环烯烃)中的至少一种。

在一些实施例中，第二阻挡层101d可以是叠层设置的氮化硅层和氧化硅层，其中，氮化硅层的用于阻挡水氧由第一柔性层101a的一侧入侵，从而对驱动基板10上方的膜层造成损害，氧化硅层用于保温上方的薄膜晶体管。

薄膜晶体管结构层102包括有源层102a、栅极绝缘层102b、栅极102c、层间介质层102d、源极102e和漏极102f。有源层102a设置在第二阻挡层101d远离第二柔性层101c的一面。栅极绝缘层102b设置在有源层102a远离衬底101的一面。栅极102c设置在栅极绝缘层102b远离有源层102a的一面。层间介质层102d覆盖栅极102c、有源层102a。源极102e和漏极102f分别通过过孔与有源层102a电性连接。

在一些实施例中，有源层102a的材质可以是铟镓锌氧化物、铟锌锡氧化物或铟镓锌锡氧化物中的一种或其任意组合。或者，有源层102a的材质也可以是LTPO(LowTemperature Polycrystalline Oxide，低温多晶氧化物)。驱动基板栅极102c、源极102e和漏极102f的材质包括如银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、钨(W)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、钼(Mo)、钛(Ti)、铂(Pt)、钽(Ta)、钕(Nd)或钪(Sc)的金属、它们的合金、它们的氮化物等中的一种或其任意组合。栅极绝缘层102b层间介质层102d的材质包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的一种或其任意组合。

在一些实施例中，钝化层103包括位于通孔h两侧的第一部分103a和第二部分103b，钝化层103的第一部分103a覆盖平坦化层201的第一部分201a的侧壁。钝化层103的材料可以是SiO_x、SiN_x或SiO_xN_y中的至少一种。由于钝化层103覆盖平坦化层201的第一部分201a的侧壁，因此，可以有效阻挡水氧入侵，进一步提高了显示面板100的稳定性。

辅助电极104与源极102e、漏极102f同层设置。辅助电极104设置在通孔h内并延伸至底切空间ub，位于通孔h内的阴极层205与辅助电极104电连接。由于现有透过率高的金属阴极会存在面电阻高的问题，特别是在大尺寸OLED显示面板中由于共阴极面电阻高，会存在严重的电源电压降，导致显示面板内亮度均一性较差。本申请实施例通过在驱动基板10上设置辅助电极104，辅助电极104与阴极层205电连接，以降低阴极层205的电阻，从而保证显示面板面内的亮度均一性。

需要说明的是，本申请实施例中的薄膜晶体管结构层102中的薄膜晶体管结构可以是顶栅型薄膜晶体管，也可以是底栅型薄膜晶体管或者双栅型薄膜晶体管，本申请实施例以顶栅型薄膜晶体管为示例进行阐述，但不限于此。

平坦化层201包括平坦化层201的第一部分201a、突出部分201b和第二部分201c。平坦化层201的第一部分201a和第二部分201c分别位于通孔h的两侧。平坦化层201的第一部分201a和突出部分201b形成底切结构UC。平坦化层201的材料可以选自二氧化硅、二氧化氮、氮氧化硅及其叠层或者有机材料，例如丙烯酸树脂。

需要说明的是，本申请实施例中的底切结构UC的数量小于或等于12个。在一些实施例中，底切结构UC的数量可以是2个、3个、6个、9个、11个或12个中的任意一者。当具有多个底切结构UC时，可以避免只有一个底切结构UC时发光功能层204在底切空间ub处未断开，从而造成显示面板100失效。

阳极层202设置在平坦化层201上，阳极层202通过过孔与漏极102f电性连接。阳极层202的材质可以选自氧化铟锡(ITO)。

像素定义层203具有开口，开口与阳极层202对应。发光功能层204包括发光层204a和电子传输层204b。发光层204a限定于像素定义层203的开口内。电子传输层204b设置在像素定义层203上以及设置在通孔h内，且底切空间ub断开电子传输层204b。在一些实施例中，发光功能层204还可以包括空穴注入层，空穴注入层设置在发光层204a远离电子传输层204b的一面。

在一些实施例中，阴极层205的材质可以选自银或镁中的至少一者。

在一些实施例中，封装功能层208包括依次层叠设置的第一无机层208a、有机封装层208b和第二无机层208c。第一无机层208a和第二无机层208c的材质可以选自二氧化硅、二氧化氮、氮氧化硅及其叠层。有机封装层208b的材质选自环氧树脂、聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯(PE)、聚丙烯酸酯等的有机材料。

需要说明的是，显示面板100可以为主动发光型显示面板，例如有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示面板，主动矩阵有机发光二极管(ActiveMatrix Organic Light-Emitting Diode，AMOLED)显示面板，被动矩阵有机发光二极管(Passive Matrix Organic Light-Emitting Diode，PMOLED)显示面板、量子点有机发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diode，QLED)显示面板、微发光二极管(Micro Light-Emitting Diode，Micro-LED)显示面板以及次毫米发光二极管(Mini Light-EmittingDiode，Mini-LED)显示面板等。

请参考图4，图4为本申请第二实施例中的显示面板的制作方法的步骤流程图。显示面板的制作方法包括以下步骤：

步骤B001：形成驱动基板10，驱动基板10包括钝化层103，请参考图5。

具体的，形成驱动基板10的步骤包括：首先，提供一衬底101。其次，在衬底101上形成薄膜晶体管结构层102，薄膜晶体管结构层102包括源漏金属层，所述源漏金属层包括源极102e、漏极102f和辅助电极104。

其中，衬底101包括依次层叠设置的第一柔性层101a、第一阻挡层101b、第二柔性层101c、第二阻挡层101d。薄膜晶体管结构层102包括有源层102a、栅极绝缘层102b、栅极102c、层间介质层102d、源极102e和漏极102f。有源层102a设置在第二阻挡层101d远离第二柔性层101c的一面。栅极绝缘层102b设置在有源层102a远离衬底101的一面。栅极102c设置在栅极绝缘层102b远离有源层102a的一面。层间介质层102d覆盖栅极102c、有源层102a。源极102e和漏极102f分别通过过孔与有源层102a电性连接。

步骤B002：在钝化层103上形成平坦化层201。

在步骤B002之后，还包括，在平坦化层201形成阳极层202。

步骤B003：在平坦化层201上形成像素定义层203，像素定义层203具有通孔h，通孔h贯穿平坦化层201、钝化层103和像素定义层203。

步骤B004：对钝化层103和平坦化层201刻蚀形成底切结构UC，底切结构UC由平坦化层201的突出部分201b和平坦化层201的第一部分201a构成，底切结构UC具有底切空间ub，底切空间ub与通孔h连通。辅助电极104设置在通孔h内并延伸至底切空间ub。

步骤B005：在像素定义层203远离平坦化层201的一面及通孔h内形成发光功能层204，请参考图6。

发光功能层204包括发光层204a和电子传输层204b，发光层204a限定于像素定义层203的开口内，底切空间ub断开电子传输层204b。

步骤B006：在发光功能层204上形成阴极层205，底切空间ub断开阴极层205和发光功能层204。

具体的，采用整面蒸镀的方法在发光功能层204上蒸镀金属材料，以形成阴极层205，阴极层205覆盖电子传输层204b且与位于通孔h内的辅助电极104电连接。阴极层205的材料可以选自银或镁中的至少一者。辅助电极104与源极102e、漏极102f同层设置。辅助电极104设置在通孔h内并延伸至底切空间ub，位于通孔h内的阴极层205与辅助电极104电连接。由于现有透过率高的金属阴极会存在面电阻高的问题，特别是在大尺寸OLED显示面板中由于共阴极面电阻高，会存在严重的电源电压降，导致显示面板内亮度均一性较差。本申请实施例通过在驱动基板10上设置辅助电极104，辅助电极104与阴极层205电连接，以降低阴极层205的电阻，从而保证显示面板面内的亮度均一性。

在步骤B006之后，还包括：整面蒸镀具有自组装功能的导体图形材料，以形成封盖层206，封盖层206覆盖阴极层205，且底切空间ub断开封盖层206。

步骤B007：在底切空间ub内形成填充材料层207。

具体的，整面蒸镀导体图形材料，以在底切空间ub内形成填充材料层207，导体图案材料和导体电极材料相互排斥。

由于封盖层206的材料为导体图形材料，填充材料层207的材料为导体电极材料，由于导体图形材料被底切空间ub断开，导体图形材料和导体电极材料具有相互排斥的特性，当整面蒸镀导体电极材料时，导体电极材料仅可以填充于底切空间ub内，而具有导体图形材料的位置不具有导体电极材料，因此，本申请实施例提供的显示面板的制作方法仅需要加一道蒸镀工序，即可完成对底切空间ub的封装，从而防止水氧从底切空间ub入侵显示区而影响显示面板的显示效果，从而提高了显示面板100的可靠度。

步骤B008：在阴极层205上形成封装功能层208，且封装功能层208覆盖填充材料层207，请参考图2。

具体的，利用溅射或化学气相沉积技术在封盖层206上沉积第一无机层208a。利用涂布等方式在第一无机层208a上涂布形成有机封装层208b。利用溅射或化学气相沉积技术在有机封装层208b上沉积第二无机层208c。第一无机层208a和第二无机层208c的材质可以选自二氧化硅、二氧化氮、氮氧化硅及其叠层。有机封装层208b的材质选自环氧树脂、聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯(PE)、聚丙烯酸酯等的有机材料。

本申请实施例提供一种显示面板及其制作方法，在本申请提供的显示面板中，为了延长水氧入侵路径，本申请实施例在非显示区设置有底切结构。然而，由于利用封装材料对底切结构进行封装时，封装材料无法填充至底切结构的底切空间内，从而导致水氧从底切空间进入显示区，影响显示面板的显示效果，从而降低了显示面板的可靠度。因此，本申请实施例利用导体图形材料作为封盖层的材料，利用导体电极材料作为填充材料层的材料，因为导体图形材料被底切空间断开，由于导体图形材料和导体电极材料具有相互排斥的特性，导体金属材料可以填充于底切空间内。从而提高了显示面板的可靠度。

另外，位于通孔内的阴极层与辅助电极电连接，由于现有透过率高的金属阴极会存在面电阻高的问题，特别是在大尺寸OLED显示面板中由于共阴极面电阻高，会存在严重的电源电压降，导致显示面板内亮度均一性较差。本申请实施例通过在驱动基板上设置辅助电极，辅助电极与阴极层电连接，以降低阴极层的电阻，从而保证显示面板面内的亮度均一性。

综上所述，虽然本申请已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (8)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：

驱动基板，所述驱动基板包括钝化层；

平坦化层，所述平坦化层设置在所述钝化层上，所述平坦化层包括第一部分以及连接所述第一部分的突出部分，所述平坦化层的突出部分和所述平坦化层的第一部分形成底切结构，所述底切结构具有底切空间；

像素定义层，所述像素定义层设置在所述平坦化层远离所述钝化层的一面，所述像素定义层具有通孔，所述通孔贯穿所述像素定义层、所述平坦化层和所述钝化层，且所述通孔连通所述底切空间；

发光功能层，所述发光功能层设置在所述像素定义层远离所述平坦化层的一面及设置在所述通孔内；

阴极层，所述阴极层设置在所述发光功能层远离所述像素定义层的一面，所述底切空间断开所述阴极层和所述发光功能层；

填充材料层，所述填充材料层填充所述底切空间；

封装功能层，所述封装功能层设置在所述阴极层远离所述发光功能层的一面，且所述封装功能层填充所述通孔；

封盖层，所述封盖层设置在所述阴极层远离所述发光功能层的一面，所述底切空间断开所述封盖层，所述封盖层的材料包括导体图形材料，所述填充材料层的材料包括导体电极材料，所述导体图形材料和所述导体电极材料相互排斥。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述导体图形材料包括具有自组装功能的有机材料，所述导体图形材料包括具有自组装功能的金属材料。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述驱动基板包括辅助电极，所述辅助电极设置在所述通孔内并延伸至所述底切空间，位于所述通孔内的所述阴极层与所述辅助电极电连接。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述钝化层包括位于所述通孔两侧的第一部分和第二部分，所述钝化层的第一部分覆盖所述平坦化层的第一部分的侧壁。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述导体图形材料的折射率介于1.6至2.5。

6.一种显示面板的制作方法，其特征在于，所述显示面板的制作方法包括以下步骤：

形成驱动基板，所述驱动基板包括钝化层；

在所述钝化层上形成平坦化层；

在所述平坦化层上形成像素定义层，所述像素定义层具有通孔，所述通孔贯穿所述平坦化层、所述钝化层和所述像素定义层；

对所述钝化层和所述平坦化层刻蚀形成底切结构，所述底切结构由所述平坦化层的突出部分和所述平坦化层的第一部分的构成，所述底切结构具有底切空间，所述底切空间与所述通孔连通；

在所述像素定义层远离所述平坦化层的一面及所述通孔内形成发光功能层；

在所述发光功能层上形成阴极层，所述底切空间断开所述阴极层和所述发光功能层；

在所述底切空间内形成填充材料层；

在所述阴极层上形成封装功能层，且所述封装功能层覆盖所述填充材料层；

整面蒸镀具有自组装功能的导体图形材料，以形成封盖层。

7.根据权利要求6所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述在所述底切空间内形成填充材料层的步骤包括：

整面蒸镀导体电极材料，以在所述底切空间内形成所述填充材料层，所述导体图形材料和所述导体电极材料相互排斥。

8.根据权利要求6所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述形成驱动基板的步骤包括：

提供一衬底；

在所述衬底上形成薄膜晶体管结构层，所述薄膜晶体管结构层包括源漏金属层，所述源漏金属层包括源极、漏极和辅助电极，所述辅助电极设置在所述通孔内并延伸至所述底切空间，位于所述通孔内的所述阴极层与所述辅助电极电连接。

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