CN111106130A - 一种阵列基板及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板及其制备方法，阵列基板包括显示区和非显示区，所述非显示区具有邦定区和扇出区，所述扇出区设于显示区和邦定区之间，还包括薄膜晶体管结构层，包括栅极层和源漏电极层，栅极层和源漏电极层的材料包括钛、铝、钛铝合金中的至少一种。本发明的有益效果在于本发明的阵列基板及其制备方法，阵列基板上栅极层和源漏电极层采用同一种材料如铝、钛、钛铝合金等低电阻、耐弯折金属，提高了金属走线的电导率和弯折特性，在阵列基板的邦定区中，栅极层设于有机层的下方，离中性面更近，降低了邦定区断线的风险。利用栅极层作为掩膜板进行无机膜层图案化，节约了成本同时解决了金属走线在蚀刻后的柔性基板上粘附较差的问题。

Description

一种阵列基板及其制备方法
技术领域
本发明涉及显示领域，特别涉及一种阵列基板及其制备方法。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode)由于其重量轻，自发光，广视角、驱动电压低、发光效率高功耗低、响应速度快等优点，应用范围越来越广泛，尤其是柔性OLED显示装置具有可弯折易携带的特点，成为显示技术领域研究和开发的主要领域。目前高端手机对亮度均一性要求较高，如何提升屏幕的亮度均一性是各大厂商开发的重点方向。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种阵列基板及其制备方法，用以解决现有技术中屏幕的亮度均一性无法提升的技术问题。
解决上述技术问题的技术方案是：一种阵列基板，所述阵列基板包括显示区、围绕所述显示区的非显示区，所述非显示区具有邦定区和位于所述邦定区和显示区之间的扇出区，所述扇出区设于所述显示区和所述邦定区之间，还包括薄膜晶体管结构层，所述薄膜晶体管结构层包括栅极层和源漏电极层，所述栅极层和所述源漏电极层的材料包括钛、铝、钛铝合金中的至少一种。
进一步的，所述薄膜晶体管结构层包括基板，从所述显示区延伸至所述非显示区；阻隔层，设于所述基板上且从所述显示区延伸至所述非显示区；缓冲层，设于所述阻隔层上且从所述显示区延伸至所述非显示区；有源层，设于所述显示区的缓冲层上；第一绝缘层，设于所述缓冲层上且覆盖所述有源层并延伸至所述非显示区；所述栅极层包括第一栅极层和第二栅极层；所述第一栅极层设于所述第一绝缘层上；第二绝缘层，设于所述第一绝缘层上且覆盖所述第一栅极层并延伸至所述非显示区；所述第二栅极层设于所述第二绝缘层上；第三绝缘层，设于所述第二绝缘层上且覆盖所述第二栅极层并延伸至所述非显示区；所述源漏电极层包括第一源漏电极层设于所述显示区的所述第三绝缘层上且贯穿所述第三绝缘层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层连接至所述有源层；第二源漏电极层，设于所述扇出区的所述第三绝缘层上且贯穿所述第三绝缘层和所述第二绝缘层与所述第一栅极层和所述第二栅极层连接；开孔，设于所述邦定区中，所述开孔贯穿所述第三绝缘层、第二绝缘层、第一绝缘层、所述缓冲层和部分所述阻隔层；平坦层，设于所述第三绝缘层上且覆盖所述源漏电极层并延伸至所述非显示区。
进一步的，所述第一栅极层包括第一金属段，设于所述显示区中且对应所述有源层；第二金属段，设于所述扇出区中的所述第一绝缘层上；第三金属段，设于所述邦定区中且自所述第一绝缘层延伸至所述开孔内壁。
进一步的，所述第二栅极层包括第四金属段，设于所述显示区中且对应所述有源层；第五金属段，设于所述扇出区中的所述第二绝缘层上；第六金属段，设于所述邦定区中且自所述第二绝缘层延伸至所述开孔内壁。
本发明还提供了一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括显示区、围绕所述显示区的非显示区，所述非显示区具有邦定区和位于所述邦定区和显示区之间的扇出区，所述扇出区设于所述显示区和所述邦定区之间，还包括
S1)形成薄膜晶体管结构层，所述薄膜晶体管结构层包括栅极层和源漏电极层，所述栅极层和所述源漏电极层的材料包括钛、铝、钛铝合金中的至少一种。
进一步的，在所述步骤S1)中，所述薄膜晶体管结构层的具体制备步骤包括
S101)提供一基板；
S102)在所述基板上沉积一层阻隔层；
S103)在所述阻隔层上沉积一层缓冲层；
S104)在所述显示区中的所述缓冲层上形成有源层沉积一层和第一绝缘层，其中，所述第一绝缘层覆盖所述有源层并延伸至所述非显示区；
S105)在所述邦定区中刻蚀一开孔，所述开孔贯穿所述邦定区中的所述第一绝缘层、所述缓冲层和部分所述阻隔层；
S106)在所述第一绝缘层上形成第一栅极层，其中，所述第一栅极层包括在所述显示区中对应所述有源层形成第一金属段，在所述扇出区中形成第二金属段和在所述邦定区中形成第三金属段，所述第三金属段自所述第一绝缘层处覆盖所述开孔内壁；
S107)在所述第一绝缘层上沉积一层第二绝缘层，其中，所述第二绝缘层覆盖所述第一栅极层并延伸至所述非显示区；
S108)在所述第二绝缘层上形成第二栅极层；
S109)在所述第二绝缘层上沉积一层第三绝缘层，其中，所述第三绝缘层覆盖所述第二栅极层并延伸至所述非显示区；
S110)刻蚀所述邦定区对应所述开孔处的所述第二绝缘层和所述第三绝缘层，采用有机物填充刻蚀后的所述开孔形成有机层；
S111)在所述显示区对应所述有源层的所述第三绝缘层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层上刻蚀第一过孔，在所述扇出区的所述第三绝缘层和所述第二绝缘层上刻蚀第二过孔；
S112)在所述第三绝缘层对应所述第一过孔处沉积第一源漏电极层，所述第一源漏电极层通过所述第一过孔电性连接所述有源层，在对应所述第二过孔处沉积第二源漏电极层，所述第二源漏电极层通过所述第二过孔与所述第一栅极层和所述第二栅极层电性连接，在所述邦定区的所述有机层上形成第三源漏电极层；
S113)在所述第三绝缘层上形成一层平坦层并延伸至所述非显示区。
进一步的，在所述步骤S1)中，所述薄膜晶体管结构层的具体制备步骤包括
S101)提供一基板；
S102)在所述基板上沉积一层阻隔层；
S103)在所述阻隔层上沉积一层缓冲层；
S104)在所述显示区中的所述缓冲层上形成有源层沉积一层和第一绝缘层，其中，所述第一绝缘层覆盖所述有源层并延伸至所述非显示区；
S105)在所述邦定区中刻蚀一开孔，所述开孔贯穿所述邦定区中的所述第一绝缘层、所述缓冲层和部分所述阻隔层；
S106)在所述第一绝缘层上形成第一栅极层，其中，所述第一栅极层包括在所述显示区中对应所述有源层形成第一金属段，在所述扇出区中形成第二金属段和在所述邦定区中形成第三金属段，所述第三金属段自所述第一绝缘层处覆盖所述开孔内壁；
S107)在所述第一绝缘层上沉积一层第二绝缘层，其中，所述第二绝缘层覆盖所述第一栅极层并延伸至所述非显示区；
S108)在所述第二绝缘层上形成第二栅极层；
S109)在所述第二绝缘层上沉积一层第三绝缘层，其中，所述第三绝缘层覆盖所述第二栅极层并延伸至所述非显示区；
S110)刻蚀所述邦定区对应所述开孔处的所述第二绝缘层和所述第三绝缘层，同时在所述显示区对应所述有源层的所述第三绝缘层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层上刻蚀第一过孔，在所述扇出区的所述第三绝缘层和所述第二绝缘层上刻蚀第二过孔；
S111)采用有机物填充刻蚀后的所述开孔形成有机层；
S112)在所述第三绝缘层对应所述第一过孔处沉积第一源漏电极层，所述第一源漏电极层通过所述第一过孔电性连接所述有源层，在对应所述第二过孔处沉积第二源漏电极层，所述第二源漏电极层通过所述第二过孔与所述第一栅极层和所述第二栅极层电性连接，在所述邦定区的所述有机层上形成第三源漏电极层；
S113)在所述第三绝缘层上形成一层平坦层并延伸至所述非显示区。
进一步的，在所述步骤S1)中，所述薄膜晶体管结构层的具体制备步骤包括
S101)提供一基板；
S102)在所述基板上沉积一层阻隔层；
S103)在所述阻隔层上沉积一层缓冲层；
S104)在所述显示区中的所述缓冲层上形成有源层沉积一层和第一绝缘层，其中，所述第一绝缘层覆盖所述有源层并延伸至所述非显示区；
S105)在所述第一绝缘层上形成第一栅极层；
S106)在所述第一绝缘层上沉积一层第二绝缘层，其中，所述第二绝缘层覆盖所述第一栅极层并延伸至所述非显示区；
S107)在所述邦定区中刻蚀一开孔，所述开孔贯穿所述邦定区中的所述第二绝缘层、所述第一绝缘层、所述缓冲层和部分所述阻隔层；
S108)在所述第二绝缘层上形成第二栅极层，其中，所述第二栅极层包括在所述显示区中对应所述有源层上形成第四金属段、在所述扇出区中形成第五金属段和在所述邦定区中形成第六金属段，所述第六金属段自所述第二绝缘层处覆盖所述开孔内壁；
S109)在所述第二绝缘层上沉积一层第三绝缘层，其中，所述第三绝缘层覆盖所述第二栅极层并延伸至所述非显示区；
S110)刻蚀所述邦定区对应所述开孔处的所述第三绝缘层，采用有机物填充刻蚀后的所述开孔形成有机层；
S111)在所述显示区对应所述有源层的所述第三绝缘层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层上刻蚀第一过孔，在所述扇出区的所述第三绝缘层和所述第二绝缘层上刻蚀第二过孔；
S112)在所述第三绝缘层对应所述第一过孔处沉积第一源漏电极层，所述第一源漏电极层通过所述第一过孔电性连接所述有源层，在对应所述第二过孔处沉积第二源漏电极层，所述第二源漏电极层通过所述第二过孔与所述第一栅极层和所述第二栅极层电性连接，在所述邦定区的所述有机层上形成第三源漏电极层；
S113)在所述第三绝缘层上形成一层平坦层并延伸至所述非显示区。
进一步的，在所述步骤S1)中，所述薄膜晶体管结构层的具体制备步骤包括
S101)提供一基板；
S102)在所述基板上沉积一层阻隔层；
S103)在所述阻隔层上沉积一层缓冲层；
S104)在所述显示区中的所述缓冲层上形成有源层沉积一层和第一绝缘层，其中，所述第一绝缘层覆盖所述有源层并延伸至所述非显示区；
S105)在所述第一绝缘层上形成第一栅极层；
S106)在所述第一绝缘层上沉积一层第二绝缘层，其中，所述第二绝缘层覆盖所述第一栅极层并延伸至所述非显示区；
S107)在所述邦定区中刻蚀一开孔，所述开孔贯穿所述邦定区中的所述第二绝缘层、所述第一绝缘层、所述缓冲层和部分所述阻隔层；
S108)在所述第二绝缘层上形成第二栅极层，其中，所述第二栅极层包括在所述显示区中对应所述有源层上形成第四金属段、在所述扇出区中形成第五金属段和在所述邦定区中形成第六金属段，所述第六金属段自所述第二绝缘层处覆盖所述开孔内壁；
S109)在所述第二绝缘层上沉积一层第三绝缘层，其中，所述第三绝缘层覆盖所述第二栅极层并延伸至所述非显示区；
S110)刻蚀所述邦定区对应所述开孔处的所述第三绝缘层，同时在所述显示区对应所述有源层的所述第三绝缘层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层上刻蚀第一过孔，在所述扇出区的所述第三绝缘层和所述第二绝缘层上刻蚀第二过孔；
S111)采用有机物填充刻蚀后的所述开孔形成有机层；
S112)在所述第三绝缘层对应所述第一过孔处沉积第一源漏电极层，所述第一源漏电极层通过所述第一过孔电性连接所述有源层，在对应所述第二过孔处沉积第二源漏电极层，所述第二源漏电极层通过所述第二过孔与所述第一栅极层和所述第二栅极层电性连接，在所述邦定区的所述有机层上形成第三源漏电极层；
S113)在所述第三绝缘层上形成一层平坦层并延伸至所述非显示区。
进一步的，还包括S2)在所述平坦层对应所述第一源漏电极层上开设一过孔，在所述平坦层上沉积一层阳极层，所述阳极层通过所述过孔连接所述第一源漏电极层；S3)在所述平坦层上沉积一层像素定义层，其中所述像素定义层覆盖所述阳极层；S4)在所述像素定义层对应所述阳极层区域开设一发光孔，所述发光孔的底面完全落于所述阳极层上。
本发明的优点是：本发明的阵列基板及其制备方法，阵列基板上栅极层和源漏电极层采用同一种材料如铝、钛、钛铝合金等低电阻、耐弯折金属，提高了金属走线的电导率和弯折特性，在阵列基板的邦定区中，栅极层设于有机层的下方，离中性面更近，降低了邦定区断线的风险。利用栅极层作为掩膜板进行无机膜层图案化，节约了成本同时解决了金属走线在蚀刻后的柔性基板上粘附较差的问题。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1是实施例1中的阵列基板示意图。
图2是实施例1中S109)步骤中的阵列基板示意图。
图3是实施例1中S110)步骤中的阵列基板示意图。
图4是实施例1中替换后的S110)步骤中的阵列基板示意图。
图5是实施例2中的阵列基板示意图。
图6是实施例2中S109)步骤中的阵列基板示意图。
图7是实施例2中S110)步骤中的阵列基板示意图。
图8是实施例2中替换后的S110)步骤中的阵列基板示意图。
图中
110薄膜晶体管层； 120阳极层；
130像素定义层； 1101基板；
1102阻隔层； 1103缓冲层；
1104有源层； 1105第一绝缘层；
1106第一栅极层； 1107第二绝缘层；
1108第二栅极层； 1109第三绝缘层；
1110源漏电极层； 1111平坦层；
101显示区； 102非显示区；
1021扇出区； 1022邦定区；
11061第一金属段； 11062第二金属段；
11063第三金属段； 10221开孔；
11101第一源漏电极层； 11102第二源漏电极层；
11103第三源漏电极层； 11081第四金属段；
11082第五金属段； 11083第六金属段；
131像素开孔； 132挡墙；
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
实施例1
本实施例中，本发明的阵列基板包括薄膜晶体管层110、阳极层120和像素定义层130。
如图1所示，其中，所述薄膜晶体管层110包括基板1101、阻隔层1102、缓冲层1103、有源层1104、第一绝缘层1105、第一栅极层1106、第二绝缘层1107、第二栅极层1108、第三绝缘层1109、源漏电极层1110和平坦层1111。
所述阻隔层1102设于所述基板1101上，所述阻隔层1102的所用材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和非晶硅中的一种或几种，主要用于阻隔水氧，防止水氧侵蚀所述阵列基板。
所述缓冲层1103设于所述阻隔层1102上，所述缓冲层1103采用绝缘材料，起到缓冲作用的同时也可以防止后续在所述缓冲层1103上形成的电极层短路。
本发明的阵列基板还包括显示区101围绕所述显示区101的非显示区102，所述非显示区102具有邦定区1022和位于所述邦定区1022和显示区102之间的扇出区1021。
所述有源层1104设于所述缓冲层1103上，所述第一绝缘层1105设于所述缓冲层1103上且覆盖所述有源层1104。
所述第一栅极层1106设于所述第一绝缘层1105上，具体的，所述第一栅极层1106包括第一金属段11061、第二金属段11062和第三金属段11063。
所述第一金属段11061设于所述显示区101中且对应所述有源层1104，所述第二金属段11062设于所述扇出区1021中，所述第三金属段11063设于所述邦定区1022中。
在所述邦定区1022中设有一开孔10221，所述开孔10221贯穿所述第三绝缘层1109、第二绝缘层1107、第一绝缘层1105、所述缓冲层1103和部分所述阻隔层1102，其中未被所述开孔10221贯穿的所述阻隔层1102的厚度小于5000A，所述第三金属段11063自所述第一绝缘层1105延伸至所述开孔10221处并覆盖所述开孔10221的内壁。
所述第二绝缘层1107覆盖所述第一栅极层1106且自所述显示区101延伸至所述邦定区1022中的开孔10221边缘处。
所述第二栅极层1108设于所述第二绝缘层1107上，具体的，在所述显示区101、所述扇出区1021和所述邦定区1022中，所述第一栅极层1106的所述第一金属段11061、第二金属段11062和所述第三金属段11063均有一段所述第二栅极层1108与之对应，用以后续的源漏电极层连接。
所述第三绝缘层1109覆盖所述第二栅极层1108且自所述显示区101延伸至所述邦定区1022中的开孔10221边缘处。
所述源漏电极层1110包括第一源漏电极层11101、第二源漏电极层11102和第三源漏电极层11103。
所述第一源漏电极层11101设于所述显示区101的所述第三绝缘层1109上，所述第一源漏电极层11101设有两个引脚，所述引脚依次贯穿所述第三绝缘层1109、所述第二绝缘层1107和所述第一绝缘层1105直至与所述有源层1104连接。
所述第二源漏电极层11102设于所述扇出区1021的所述第三绝缘层1109上，所述第二源漏电极层11102设有两个引脚，其中一引脚贯穿所述第三绝缘层1109与所述第二栅极层1108相连，另一引脚贯穿所述第三绝缘层1109和所述第二绝缘层1107与所述第二金属段11062相连。
所述开孔10221内填充有机物形成有机层10222，其中，所述有机层10222与所述第三绝缘层1109远离所述第二绝缘层1107一侧平齐，所述第三源漏电极层11103设于所述有机层10222上，在所述邦定区1022中，所述第三金属段11063和所述第二栅极层1108设于所述有机层10222下方，距离中性面更近，降低邦定区1022断线的风险。
在本实施例中，所述第一栅极层1106、所述第二栅极层1108和所述源漏电极层1110的材料相同，采用如铝、钛、钛铝合金等低电阻、耐弯折金属，提到所述第一栅极层1106、所述第二栅极层1108和所述源漏电极层1110的电导率和耐弯折性能。
所述平坦层1111设于所述第三绝缘层1109上且覆盖所述源漏电极层1110。
所述阳极层120设于所述显示区101中，具体的，所述阳极层120设于所述平坦层1111上且对应所述第一源漏电极层11101，其中，所述阳极层120包括一引脚，所述引脚贯穿所述平坦层1111与所述第一源漏电极层11101相连。
所述像素定义层130设于所述平坦层1111上，具体的，所述像素定义层130对应所述阳极层120上设有一像素开孔131，由于承接后续喷墨打印制程中的墨水，在所述像素开孔131两侧还设有挡墙132，用以防止后续的喷墨打印过程中墨水溢出。
为了更好的解释本发明，本实施例中，本发明的阵列基板的制备方法包括：
S1)形成薄膜晶体管结构层，所述薄膜晶体管结构层包括栅极层和源漏电极层，所述栅极层和所述源漏电极层的材料包括钛、铝、钛铝合金中的至少一种，其中，所述薄膜晶体管结构层的具体制备步骤如下：
S101)提供一基板；
S102)在所述基板上沉积一层阻隔层；
S103)在所述阻隔层上沉积一层缓冲层；
S104)在所述显示区中的所述缓冲层上形成有源层沉积一层和第一绝缘层，其中，所述第一绝缘层覆盖所述有源层并延伸至所述非显示区；
S105)在所述邦定区中刻蚀一开孔，所述开孔贯穿所述邦定区中的所述第一绝缘层、所述缓冲层和部分所述阻隔层；
S106)在所述第一绝缘层上形成一层金属层并刻蚀形成第二栅极层，其中，所述金属层包括在所述显示区中对应所述有源层形成第一金属段，在所述扇出区中形成第二金属段和在所述邦定区中形成第三金属段，通过刻蚀形成金属走线，所述第三金属段自所述第一绝缘层处覆盖所述开孔内壁；
S107)在所述第一绝缘层上沉积一层第二绝缘层，其中，所述第二绝缘层覆盖所述第一栅极层并延伸至所述非显示区；
S108)在所述第二绝缘层上形成第二金属层并刻蚀形成第二栅极层；
S109)如图2所示，在所述第二绝缘层上沉积一层第三绝缘层，其中，所述第三绝缘层覆盖所述第二栅极层并延伸至所述非显示区；
S110)如图3所示，刻蚀所述邦定区对应所述开孔处的所述第二绝缘层和所述第三绝缘层，同时利用所述开孔底部的所述第三金属段作为掩膜板将所述阻隔层图案化，采用有机物填充刻蚀后的所述开孔形成有机层，既节约了掩膜板的成本，同时也解决了金属走线在蚀刻后的柔性基板上粘附较差的问题；
S111)在所述显示区对应所述有源层的所述第三绝缘层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层上刻蚀第一过孔，在所述扇出区的所述第三绝缘层和所述第二绝缘层上刻蚀第二过孔；
S112)在所述第三绝缘层对应所述第一过孔处沉积第一源漏电极层，所述第一源漏电极层通过所述第一过孔电性连接所述有源层，在对应所述第二过孔处沉积第二源漏电极层，所述第二源漏电极层通过所述第二过孔与所述第一栅极层和所述第二栅极层电性连接，在所述邦定区的所述有机层上形成第三源漏电极层；
S113)在所述第三绝缘层上形成一层平坦层并延伸至所述非显示区。
如图4所示，在本发明的另一优选实施例中，所述阵列基板的制备方法还可以将所述步骤S110)替换为：
刻蚀所述邦定区对应所述开孔处的所述第二绝缘层和所述第三绝缘层，同时在所述显示区对应所述有源层的所述第三绝缘层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层上刻蚀第一过孔，在所述扇出区的所述第三绝缘层和所述第二绝缘层上刻蚀第二过孔；
所述步骤S111)替换为：
采用有机物填充刻蚀后的所述开孔形成有机层。
所述阵列基板的制备方法还包括：
S2)在所述平坦层对应所述第一源漏电极层上开设一过孔，在所述平坦层上沉积一层阳极层，所述阳极层通过所述过孔连接所述第一源漏电极层；
S3)在所述平坦层上沉积一层像素定义层，其中所述像素定义层覆盖所述阳极层；
S4)在所述像素定义层对应所述阳极层区域开设一发光孔，所述发光孔的底面完全落于所述阳极层上。
实施例2
如图5所示，本实施例中，本发明的阵列基板与实施例1中的阵列基板结构大体相似，不同点在于，本实施例中的所述阵列基板中所述所述第二栅极层1108包括第四金属段11081、第五金属段11082和第六金属段11083。
所述第四金属段11081设于所述显示区101中的所述第二绝缘层1107上且对应所述有源层1104。所述第五金属段11082设于所述扇出区1021中，所述第六金属段11083设于所述邦定区1022中，其中，所述第一栅极层1106设于所述第一绝缘层1105上且对应所述第二栅极层1108。
在所述邦定区1022中设有一开孔10221，所述开孔10221贯穿所述第三绝缘层1109、第二绝缘层1107、第一绝缘层1105、所述缓冲层1103和部分所述阻隔层1102，其中未被所述开孔10221贯穿的所述阻隔层1102的厚度小于5000A，所述第六金属段11083自所述第二绝缘层1107延伸至所述开孔10221处并覆盖所述开孔10221的内壁。
为了更好的解释本发明，本实施例中，本发明的阵列基板的制备方法包括：
S1)形成薄膜晶体管结构层，所述薄膜晶体管结构层包括栅极层和源漏电极层，所述栅极层和所述源漏电极层的材料包括钛、铝、钛铝合金中的至少一种。
在所述步骤S1)中，所述薄膜晶体管结构层的具体制备步骤包括
S101)提供一基板；
S102)在所述基板上沉积一层阻隔层；
S103)在所述阻隔层上沉积一层缓冲层；
S104)在所述显示区中的所述缓冲层上形成有源层沉积一层和第一绝缘层，其中，所述第一绝缘层覆盖所述有源层并延伸至所述非显示区；
S105)在所述第一绝缘层上形成第一栅极层；
S106)在所述第一绝缘层上沉积一层第二绝缘层，其中，所述第二绝缘层覆盖所述第一栅极层并延伸至所述非显示区；
S107)在所述邦定区中刻蚀一开孔，所述开孔贯穿所述邦定区中的所述第二绝缘层、所述第一绝缘层、所述缓冲层和部分所述阻隔层；
S108)在所述第二绝缘层上形成第二栅极层，其中，所述第二栅极层包括在所述显示区中对应所述有源层上形成第四金属段、在所述扇出区中形成第五金属段和在所述邦定区中形成第六金属段，所述第六金属段自所述第二绝缘层处覆盖所述开孔内壁；
S109)如图6所示，在所述第二绝缘层上沉积一层第三绝缘层，其中，所述第三绝缘层覆盖所述第二栅极层并延伸至所述非显示区；
S110)如图7所示，刻蚀所述邦定区对应所述开孔处的所述第三绝缘层，采用有机物填充刻蚀后的所述开孔形成有机层；
S111)在所述显示区对应所述有源层的所述第三绝缘层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层上刻蚀第一过孔，在所述扇出区的所述第三绝缘层和所述第二绝缘层上刻蚀第二过孔；
S112)在所述第三绝缘层对应所述第一过孔处沉积第一源漏电极层，所述第一源漏电极层通过所述第一过孔电性连接所述有源层，在对应所述第二过孔处沉积第二源漏电极层，所述第二源漏电极层通过所述第二过孔与所述第一栅极层和所述第二栅极层电性连接，在所述邦定区的所述有机层上形成第三源漏电极层；
S113)在所述第三绝缘层上形成一层平坦层并延伸至所述非显示区。
如图8所示，在本发明的另一优选实施例中，所述阵列基板的制备方法还可以将所述步骤S110)替换为：
刻蚀所述邦定区对应所述开孔处的所述第二绝缘层和所述第三绝缘层，同时在所述显示区对应所述有源层的所述第三绝缘层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层上刻蚀第一过孔，在所述扇出区的所述第三绝缘层和所述第二绝缘层上刻蚀第二过孔；
所述步骤S111)替换为：
采用有机物填充刻蚀后的所述开孔形成有机层。
所述阵列基板的制备方法还包括：
S2)在所述平坦层对应所述第一源漏电极层上开设一过孔，在所述平坦层上沉积一层阳极层，所述阳极层通过所述过孔连接所述第一源漏电极层；
S3)在所述平坦层上沉积一层像素定义层，其中所述像素定义层覆盖所述阳极层；
S4)在所述像素定义层对应所述阳极层区域开设一发光孔，所述发光孔的底面完全落于所述阳极层上。
以上仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括显示区、围绕所述显示区的非显示区，所述非显示区具有邦定区和位于所述邦定区和所述显示区之间的扇出区，还包括
薄膜晶体管结构层，所述薄膜晶体管结构层包括栅极层和源漏电极层，所述栅极层和所述源漏电极层的材料包括钛、铝、钛铝合金中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述薄膜晶体管结构层包括
基板，从所述显示区延伸至所述非显示区；
阻隔层，设于所述基板上且从所述显示区延伸至所述非显示区；
缓冲层，设于所述阻隔层上且从所述显示区延伸至所述非显示区；
有源层，设于所述显示区的缓冲层上；
第一绝缘层，设于所述缓冲层上且覆盖所述有源层并延伸至所述非显示区；
所述栅极层包括第一栅极层和第二栅极层；
所述第一栅极层设于所述第一绝缘层上；
第二绝缘层，设于所述第一绝缘层上且覆盖所述第一栅极层并延伸至所述非显示区；
所述第二栅极层设于所述第二绝缘层上；
第三绝缘层，设于所述第二绝缘层上且覆盖所述第二栅极层并延伸至所述非显示区；
所述源漏电极层包括
第一源漏电极层设于所述显示区的所述第三绝缘层上且贯穿所述第三绝缘层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层连接至所述有源层；
第二源漏电极层，设于所述扇出区的所述第三绝缘层上且贯穿所述第三绝缘层和所述第二绝缘层与所述第一栅极层和所述第二栅极层连接；
开孔，设于所述邦定区中，所述开孔贯穿所述第三绝缘层、第二绝缘层、第一绝缘层、所述缓冲层和部分所述阻隔层；
平坦层，设于所述第三绝缘层上且覆盖所述源漏电极层并延伸至所述非显示区。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，
所述第一栅极层包括
第一金属段，设于所述显示区中且对应所述有源层；
第二金属段，设于所述扇出区中的所述第一绝缘层上；
第三金属段，设于所述邦定区中且自所述第一绝缘层延伸至所述开孔内壁。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，
所述第二栅极层包括
第四金属段，设于所述显示区中且对应所述有源层；
第五金属段，设于所述扇出区中的所述第二绝缘层上；
第六金属段，设于所述邦定区中且自所述第二绝缘层延伸至所述开孔内壁。
5.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板包括显示区、围绕所述显示区的非显示区，所述非显示区具有邦定区和位于所述邦定区和显示区之间的扇出区，还包括
S1)形成薄膜晶体管结构层，所述薄膜晶体管结构层包括栅极层和源漏电极层，所述栅极层和所述源漏电极层的材料包括钛、铝、钛铝合金中的至少一种。
6.根据权利要求5所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，
在所述步骤S1)中，所述薄膜晶体管结构层的具体制备步骤包括
S101)提供一基板；
S102)在所述基板上沉积一层阻隔层；
S103)在所述阻隔层上沉积一层缓冲层；
S104)在所述显示区中的所述缓冲层上形成有源层和第一绝缘层，其中，所述第一绝缘层覆盖所述有源层并延伸至所述非显示区；
S105)在所述邦定区中刻蚀一开孔，所述开孔贯穿所述邦定区中的所述第一绝缘层、所述缓冲层和部分所述阻隔层；
S106)在所述第一绝缘层上形成第一栅极层，其中，所述第一栅极层包括在所述显示区中对应所述有源层上形成第一金属段，在所述扇出区中形成第二金属段和在所述邦定区中形成第三金属段，所述第三金属段自所述第一绝缘层处延伸且覆盖所述开孔内壁；
S107)在所述第一绝缘层上沉积一层第二绝缘层，其中，所述第二绝缘层覆盖所述第一栅极层并延伸至所述非显示区；
S108)在所述第二绝缘层上形成第二栅极层；
S109)在所述第二绝缘层上沉积一层第三绝缘层，其中，所述第三绝缘层覆盖所述第二栅极层并延伸至所述非显示区；
S110)刻蚀所述邦定区对应所述开孔处的所述第二绝缘层和所述第三绝缘层，采用有机物填充刻蚀后的所述开孔形成有机层；
S111)在所述显示区对应所述有源层的所述第三绝缘层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层上刻蚀第一过孔，在所述扇出区的所述第三绝缘层和所述第二绝缘层上刻蚀第二过孔；
S112)在所述第三绝缘层对应所述第一过孔处沉积第一源漏电极层，所述第一源漏电极层通过所述第一过孔电性连接所述有源层，在对应所述第二过孔处沉积第二源漏电极层，所述第二源漏电极层通过所述第二过孔与所述第一栅极层和所述第二栅极层电性连接，在所述邦定区的所述有机层上形成第三源漏电极层；
S113)在所述第三绝缘层上形成一层平坦层并延伸至所述非显示区。
7.根据权利要求5所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，
S101)提供一基板；
S102)在所述基板上沉积一层阻隔层；
S103)在所述阻隔层上沉积一层缓冲层；
S104)在所述显示区中的所述缓冲层上形成有源层和第一绝缘层，其中，所述第一绝缘层覆盖所述有源层并延伸至所述非显示区；
S105)在所述邦定区中刻蚀一开孔，所述开孔贯穿所述邦定区中的所述第一绝缘层、所述缓冲层和部分所述阻隔层；
S106)在所述第一绝缘层上形成第一栅极层，其中，所述第一栅极层包括在所述显示区中对应所述有源层形成第一金属段，在所述扇出区中形成第二金属段和在所述邦定区中形成第三金属段，所述第三金属段自所述第一绝缘层处覆盖所述开孔内壁；
S107)在所述第一绝缘层上沉积一层第二绝缘层，其中，所述第二绝缘层覆盖所述第一栅极层并延伸至所述非显示区；
S108)在所述第二绝缘层上形成第二栅极层；
S109)在所述第二绝缘层上沉积一层第三绝缘层，其中，所述第三绝缘层覆盖所述第二栅极层并延伸至所述非显示区；
S110)刻蚀所述邦定区对应所述开孔处的所述第二绝缘层和所述第三绝缘层，同时在所述显示区对应所述有源层的所述第三绝缘层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层上刻蚀第一过孔，在所述扇出区的所述第三绝缘层和所述第二绝缘层上刻蚀第二过孔；
S111)采用有机物填充刻蚀后的所述开孔形成有机层；
S112)在所述第三绝缘层对应所述第一过孔处沉积第一源漏电极层，所述第一源漏电极层通过所述第一过孔电性连接所述有源层，在对应所述第二过孔处沉积第二源漏电极层，所述第二源漏电极层通过所述第二过孔与所述第一栅极层和所述第二栅极层电性连接，在所述邦定区的所述有机层上形成第三源漏电极层；
S113)在所述第三绝缘层上形成一层平坦层并延伸至所述非显示区。
8.根据权利要求5所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，
在所述步骤S1)中，所述薄膜晶体管结构层的具体制备步骤包括
S101)提供一基板；
S102)在所述基板上沉积一层阻隔层；
S103)在所述阻隔层上沉积一层缓冲层；
S104)在所述显示区中的所述缓冲层上形成有源层和第一绝缘层，其中，所述第一绝缘层覆盖所述有源层并延伸至所述非显示区；
S105)在所述第一绝缘层上形成第一栅极层；
S106)在所述第一绝缘层上沉积一层第二绝缘层，其中，所述第二绝缘层覆盖所述第一栅极层并延伸至所述非显示区；
S107)在所述邦定区中刻蚀一开孔，所述开孔贯穿所述邦定区中的所述第二绝缘层、所述第一绝缘层、所述缓冲层和部分所述阻隔层；
S108)在所述第二绝缘层上形成第二栅极层，其中，所述第二栅极层包括在所述显示区中对应所述有源层上形成第四金属段、在所述扇出区中形成第五金属段和在所述邦定区中形成第六金属段，所述第六金属段自所述第二绝缘层处覆盖所述开孔内壁；
S109)在所述第二绝缘层上沉积一层第三绝缘层，其中，所述第三绝缘层覆盖所述第二栅极层并延伸至所述非显示区；
S110)刻蚀所述邦定区对应所述开孔处的所述第三绝缘层，采用有机物填充刻蚀后的所述开孔形成有机层；
S111)在所述显示区对应所述有源层的所述第三绝缘层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层上刻蚀第一过孔，在所述扇出区的所述第三绝缘层和所述第二绝缘层上刻蚀第二过孔；
S112)在所述第三绝缘层对应所述第一过孔处沉积第一源漏电极层，所述第一源漏电极层通过所述第一过孔电性连接所述有源层，在对应所述第二过孔处沉积第二源漏电极层，所述第二源漏电极层通过所述第二过孔与所述第一栅极层和所述第二栅极层电性连接，在所述邦定区的所述有机层上形成第三源漏电极层；
S113)在所述第三绝缘层上形成一层平坦层并延伸至所述非显示区。
9.根据权利要求5所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，
在所述步骤S1)中，所述薄膜晶体管结构层的具体制备步骤包括
S101)提供一基板；
S102)在所述基板上沉积一层阻隔层；
S103)在所述阻隔层上沉积一层缓冲层；
S104)在所述显示区中的所述缓冲层上形成有源层和第一绝缘层，其中，所述第一绝缘层覆盖所述有源层并延伸至所述非显示区；
S105)在所述第一绝缘层上形成第一栅极层；
S106)在所述第一绝缘层上沉积一层第二绝缘层，其中，所述第二绝缘层覆盖所述第一栅极层并延伸至所述非显示区；
S107)在所述邦定区中刻蚀一开孔，所述开孔贯穿所述邦定区中的所述第二绝缘层、所述第一绝缘层、所述缓冲层和部分所述阻隔层；
S108)在所述第二绝缘层上形成第二栅极层，其中，所述第二栅极层包括在所述显示区中对应所述有源层上形成第四金属段、在所述扇出区中形成第五金属段和在所述邦定区中形成第六金属段，所述第六金属段自所述第二绝缘层处延伸且覆盖所述开孔内壁；
S109)在所述第二绝缘层上沉积一层第三绝缘层，其中，所述第三绝缘层覆盖所述第二栅极层并延伸至所述非显示区；
S110)刻蚀所述邦定区对应所述开孔处的所述第三绝缘层，同时在所述显示区对应所述有源层的所述第三绝缘层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层上刻蚀第一过孔，在所述扇出区的所述第三绝缘层和所述第二绝缘层上刻蚀第二过孔；
S111)采用有机物填充刻蚀后的所述开孔形成有机层；
S112)在所述第三绝缘层对应所述第一过孔处沉积第一源漏电极层，所述第一源漏电极层通过所述第一过孔电性连接所述有源层，在对应所述第二过孔处沉积第二源漏电极层，所述第二源漏电极层通过所述第二过孔与所述第一栅极层和所述第二栅极层电性连接，在所述邦定区的所述有机层上形成第三源漏电极层；
S113)在所述第三绝缘层上形成一层平坦层并延伸至所述非显示区。
10.根据权利要求6或8所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，还包括
S2)在所述平坦层对应所述第一源漏电极层上开设一过孔，在所述平坦层上沉积一层阳极层，所述阳极层通过所述过孔连接所述第一源漏电极层；
S3)在所述平坦层上沉积一层像素定义层，其中所述像素定义层覆盖所述阳极层；
S4)在所述像素定义层对应所述阳极层区域开设一发光孔，所述发光孔的底面完全落于所述阳极层上。
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