CN111627965A - 一种显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种显示面板及显示装置，显示面板包括第一扇出区；绑定区，设于第一扇出区的一侧；第二扇出区，设于绑定区远离所述第一扇出区一侧；若干第一金属走线，设于第一扇出区和第二扇出区中；若干第二金属走线，设于第一扇出区和第二扇出区中，第二金属走线的电阻率小于第一金属走线的电阻率；以及若干连接线，每一连接线一端连接至第一金属走线，另一端连接至第二金属走线。本发明的有益效果在于，本发明的显示面板及显示装置中第二金属层的电阻率小于第一金属层的电阻率，绑定区的连接线两端分别连接第一金属层和第二金属层，减少任意两根连接线的电阻值差，提升电流稳定性，提升显示面板的显示质量。

Description

一种显示面板及显示装置

技术领域

本申请涉及显示领域，具体涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术

OLED(Organic Light-Emitting Diode)由于其重量轻，自发光，广视角、驱动电压低、发光效率高功耗低、响应速度快等优点，应用范围越来越广泛。为提高OLED面板的显示均一性，采用第二金属层做成金属网格结构和VDD信号连接，目前显示区外围fanout1(第一扇出区)&fanout2(第二扇出区)区域走线采用GE1(第一金属层)/GE2(第二金属层)交替走线，且GE1/GE2为同一种材料，膜厚也相当，电阻相同。但是GE2(第二金属层)采用低电阻材料后，GE1/GE2走线电阻有较大差异，现有交替设计会导致显示不良。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种显示面板及显示装置，用以解决现有技术中由于绑定区两侧的第一金属层和第二金属层电阻不同，影响显示面板均一性的技术问题。

解决上述技术问题的技术方案是：本发明提供了一种显示面板，包括第一扇出区；绑定区，设于所述第一扇出区的一侧；第二扇出区，设于绑定区远离所述第一扇出区一侧；若干第一金属走线，设于所述第一扇出区和所述第二扇出区中；若干第二金属走线，设于所述第一扇出区和所述第二扇出区中，所述第二金属走线的电阻率小于第一金属走线的电阻率；以及若干连接线，设于所述绑定区中；其中，每一连接线一端连接至所述第一金属走线，另一端连接至所述第二金属走线。

进一步的，显示面板还包括显示区，设于所述第一扇出区远离所述绑定区一侧；基板，设于所述显示区中并延伸至所述第二扇出区；阻隔层，设于所述基板的一侧表面，且延伸至所述第二扇出区；缓冲层，设于所述阻隔层的一侧表面，且延伸至所述第二扇出区；有源层，设于所述缓冲层远离所述阻隔层的一侧表面，且设于所述显示区中；第一绝缘层，设于所述缓冲层远离所述阻隔层的一侧表面，且延伸至所述第二扇出区；第一金属层，设于所述第一绝缘层远离所述缓冲层的一侧表面，且设于所述显示区中；第二绝缘层，设于所述第一绝缘层远离所述缓冲层的一侧表面，且延伸至所述第二扇出区；第二金属层，设于所述第二绝缘层远离所述第一绝缘层的一侧表面，且设于所述显示区中；介电层，设于所述第二绝缘层远离所述第一绝缘层的一侧表面，且延伸至所述第二扇出区；填充层，设于所述绑定区中，且贯穿所述介电层、所述第二绝缘层、所述第一绝缘层、所述缓冲层、所述阻隔层和部分所述基板；源漏电极，设于所述显示区中，其一端设于所述介电层远离所述第二绝缘层一侧，另一端贯穿所述介电层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层，且连接至所述有源层。

进一步的，所述第一金属走线设于所述第一绝缘层远离所述缓冲层的一侧表面；所述第二金属走线设于所述第二绝缘层远离所述第一绝缘层的一侧表面；所述连接线设于所述填充层以及所述介电层的表面。

进一步的，每一连接线均包括两个引脚，其中一引脚贯穿所述介电层连接至所述第二金属走线，另一引脚贯穿所述介电层和所述第二绝缘层连接至所述第一金属走线，其中，每一连接线的两个引脚设于所述填充层的两侧。

进一步的，显示面板还包括平坦层，设于所述介电层远离所述第二绝缘层的一侧表面，且延伸至所述第二扇出区；阳极层，设于所述显示区中，设于所述平坦层远离所述介电层的一侧表面,且贯穿所述平坦层连接至所述源漏电极；像素定义层，设于所述平坦层远离所述介电层的一侧表面，且延伸至所述第二扇出区；像素开孔，设于所述像素定义层上，且对应所述阳极层。

进一步的，所述第二金属走线的材料包括铝或铝合金材料。

进一步的，所述第一金属走线的材料包括钼金属材料。

进一步的，所述第一金属走线的电阻率与所述第二金属走线的电阻率的比值大于1。

进一步的，所述填充层的材料包括有机材料。

本发明还提供了一种显示装置，包括所述显示面板。

本发明的有益效果在于，本发明的显示面板及显示装置中的第一金属层和第二金属层的材料不同，使得第二金属层的电阻率小于第一金属层的电阻率，其中，第二金属层采用网状结构，有效提升显示面板的均一性，绑定区的连接线两端分别连接第一金属层和第二金属层，减少任意两根连接线的电阻值差，提升电流稳定性，提升显示面板的显示质量。

附图说明

下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1是实施例中的显示装置示意图。

图2是实施例中的显示面板结构示意图。

图3是实施例中的显示面板局部示意图。

图4是实施例中的显示面板局部俯视图。

图中标号

1显示装置； 10显示面板；

101显示区； 102第一扇出区；

103绑定区； 104第二扇出区；

1101基板； 1102阻隔层；

1103缓冲层； 1104有源层；

1105第一绝缘层； 1106第一金属层；

1107第二绝缘层； 1108第二金属层；

1109介电层； 1110填充层；

1111源漏电极； 1112平坦层；

1113阳极层； 1114像素定义层。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。

实施例

如图1和图2所示，图1是实施例中的显示装置示意图，图2是实施例中的显示面板结构示意图，本实施例中，本发明的显示装置1包括显示面板10，其中，显示面板10包括显示区101、第一扇出区102、绑定区103和第二扇出区104。

第一扇出区102设于显示区101和绑定区103之间，第二扇出区104设于绑定区103远离第一扇出区102一侧，其中，

显示面板10还包括基板1101、阻隔层1102、缓冲层1103、有源层1104、第一绝缘层1105、第一金属层1106、第二绝缘层1107、第二金属层1108、介电层1109、填充层1110、源漏电极1111、平坦层1112、阳极层1113和像素定义层1114。

基板1101为硬质基板，一般为玻璃基板，起到支撑作用及衬底作用。

阻隔层1102设于基板1101的上表面，起到阻隔外界水氧的作用，阻隔层1102的材质为无机材料，所述无机材料包括硅的氧化物或硅的氮化物，或是多层结构，无机材料具有良好的水氧阻隔能力，能够有效避免外界水汽经过阻隔层进入显示面板10的内部，阻隔层1102的多层无机膜层材料为氧化硅和氮化硅，可以采用气相沉积的方式制备，阻隔层1102的厚度为1000埃米～5000埃米。

缓冲层1103设于阻隔层1102的上表面，起到缓冲的作用，具体的，缓冲层1103的材料包括硅的氧化物或硅的氮化物，或是多层结构，缓冲层22的厚度为1000埃米～5000埃米。

有源层1104设于缓冲层1103的上表面，有源层1104的材质为半导体材料，所述半导体材料包括铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓钛氧化物(IZTO)，铟镓锌钛氧化物(IGZTO)，有源层1104的厚度为100埃米～1000埃米。有源层1104给显示面板提供电路支持。

第一绝缘层1105设于阻隔层1102远离缓冲层104的一侧表面，且覆盖有源层1104，第一绝缘层1105的材质为无机材料，所述无机材料包括硅的氧化物或硅的氮化物或是多层薄膜结构，第一绝缘层1105的厚度为1000埃米～3000埃米。

第一金属层1106设于第一绝缘层1105的表面，第一金属层1106的材质为金属材料，所述金属材料包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，或者是合金，或者是多层薄膜结构。第一金属层1106的厚度为2000埃米～8000埃米。

第二绝缘层1107设于第一绝缘层1105远离阻隔层1102的一侧表面，且覆盖第一金属层108，第二绝缘层1107的材质为无机材料，所述无机材料包括硅的氧化物或硅的氮化物或是多层薄膜结构，第二绝缘层1107的厚度为1000埃米～3000埃米。第二绝缘层1107覆盖第一金属层1106，能够起到绝缘的作用，防止显示面板内部的各线路之间短路。

第二金属层1108设于第二绝缘层1107远离第一绝缘层1105的一侧表面，第二金属层1108的材质为金属材料，所述金属材料包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，或者是合金，或者是多层薄膜结构，其中，第二金属层1108采用网状结构。第二金属层1108的厚度为2000埃米～8000埃米。

介电层1109设于第二绝缘层1107远离第一绝缘层1105的一侧表面，且覆盖第二金属层1108，介电层1109为层间绝缘层，介电层1109的材质为无机材料，所述无机材料包括硅的氧化物或硅的氮化物或是多层薄膜结构，起到绝缘作用，防止电路短路。介电层1109的厚度为2000埃米～10000埃米。在有源层106的上方设有通孔，所述通孔便于源漏电极1111与有源层1104之间的电性连接。

源漏电极1111设于介电层1109的上表面，源漏电极1111的材质包括金属材料，所述金属材料包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，或者是合金，或者是多层薄膜结构。部分金属材料设于所述通孔内，源漏电极1111通过所述通孔电连接至有源层1104，形成电路导通。源漏电极1111的厚度为2000埃米～8000埃米。

平坦层1112设于介电层1109远离第二绝缘层1107的一侧表面，平坦层1112能够使得膜层表面平整，利于后续膜层的贴合，防止出现脱离的现象。在平坦层1112上设有第一通孔，对应源漏电极1111，为阳极层1113与源漏电极1111连接提供通道。

像素定义层1114设于平坦层113远离介电层1109的一侧表面，在像素定义层1114对应所述第一通孔处设有第二通孔，为阳极层1113与源漏电极1111连接提供通道。

阳极层1113设于所述第一通孔和所述第二通孔内，阳极层1113的材质为氧化铟锡材料，填满所述第一通孔和部分所述第二通孔，阳极层1113与源漏极层1111电性连接，为后续发光材料的发光提供电路支持。

其中，有源层1108设于显示区101中，第一金属层1106设于显示区101、第一扇出区102和第二扇出区104中，第二金属层1108设于显示区101、第一扇出区102和第二扇出区104中，源漏电极1111设于显示区101和绑定区103中。

本实施例中，第一扇出区102中的第一金属层1106和第二金属层1108不相对设置，即第一金属层1106在基板1101上的投影和第二金属层1108在基板1101上的投影不重合，第二扇出区104中的第一金属层1106和第二金属层1108也不相对设置，这样有利于绑定区103中的源漏电极1111与第一金属层1106和第二金属层1108连接，如图3所示，图3是实施例中的显示面板局部示意图，在本发明的其他优选实施例中，也可以将第一金属层1106和第二金属层1108相对设置，只需改变绑定区103中的源漏电极1111的引脚的走向即可。

为了提高显示面板10的显示均一性，本实施例中，第二金属层1108采用网状结构，并选用低电阻材料，如铝或铝合金等。

填充层1110设于邦定区103中，在绑定区103中设有一通孔，所述通孔贯穿绑定区103中的介电层1109、第二绝缘层1107、第一绝缘层1105、缓冲层1103和阻隔层1102，填充层1110为无机材料，填充层1110的一侧面与介电层1109远离第二绝缘层1107的一侧面平齐，设于绑定区103中的源漏电极1111设于填充层1110上，本实施例中，定义设于填充层1110上的源漏电极1111为连接线，其一端连接至第一扇出区102中的第一金属层1106或第二金属层1108，另一端连接至第二扇出区104中的第一金属层1106或第二金属层1108。如图4所示，图4是实施例中的显示面板局部俯视图。本实施例中，为了保证每一连接线两端的电阻值之和相当，每一所述连接线两端连接的金属层不同，即每一所述连接线一端连接至第一金属层1106，另一端连接至第二金属层1108，由于第一金属层1106和第二金属层1108分别设于第一绝缘层1105和第二绝缘层1107上，故所述连接线包括两个引脚，其中一引脚贯穿所述介电层1109连接至第二金属层1108，另一引脚贯穿介电层1109和第二绝缘层1107连接至第一金属层1106，采用连接线连接不同阻值的金属层，可以实现金属走线的电阻均一性，从而改善显示面板10的显示质量。

本实施例的有益效果在于，本实施例中的显示面板及显示装置中的第一金属层和第二金属层的材料不同，使得第二金属层的电阻率小于第一金属层的电阻率，其中，第二金属层采用网状结构，有效提升显示面板的均一性，绑定区的连接线两端分别连接第一金属层和第二金属层，减少相邻两根连接线的电阻值差，提升显示面板的显示质量。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括

第一扇出区；

绑定区，设于所述第一扇出区的一侧；

第二扇出区，设于所述绑定区远离所述第一扇出区一侧；

若干第一金属走线，设于所述第一扇出区和所述第二扇出区中；

若干第二金属走线，设于所述第一扇出区和所述第二扇出区中，所述第二金属走线的电阻率小于第一金属走线的电阻率；以及

若干连接线，每一连接线一端连接至所述第一金属走线，另一端连接至所述第二金属走线。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括

显示区，设于所述第一扇出区远离所述绑定区一侧；

基板，设于所述显示区中并延伸至所述第二扇出区；

阻隔层，设于所述基板的一侧表面，且延伸至所述第二扇出区；

缓冲层，设于所述阻隔层的一侧表面，且延伸至所述第二扇出区；

有源层，设于所述缓冲层远离所述阻隔层的一侧表面，且设于所述显示区中；

第一绝缘层，设于所述缓冲层远离所述阻隔层的一侧表面，且延伸至所述第二扇出区；

第一金属层，设于所述第一绝缘层远离所述缓冲层的一侧表面，且设于所述显示区中；

第二绝缘层，设于所述第一绝缘层远离所述缓冲层的一侧表面，且延伸至所述第二扇出区；

第二金属层，设于所述第二绝缘层远离所述第一绝缘层的一侧表面，且设于所述显示区中；

介电层，设于所述第二绝缘层远离所述第一绝缘层的一侧表面，且延伸至所述第二扇出区；

填充层，设于所述绑定区中，且贯穿所述介电层、所述第二绝缘层、所述第一绝缘层、所述缓冲层、所述阻隔层和部分所述基板；

源漏电极，设于所述显示区中，其一端设于所述介电层远离所述第二绝缘层一侧，另一端贯穿所述介电层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层，且连接至所述有源层。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，

所述第一金属走线设于所述第一绝缘层远离所述缓冲层的一侧表面；

所述第二金属走线设于所述第二绝缘层远离所述第一绝缘层的一侧表面；

所述连接线设于所述填充层以及所述介电层的表面。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，

每一连接线均包括两个引脚，其中一引脚贯穿所述介电层连接至所述第二金属走线，另一引脚贯穿所述介电层和所述第二绝缘层连接至所述第一金属走线，其中，每一连接线的两个引脚设于所述填充层的两侧。

5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，还包括

平坦层，设于所述介电层远离所述第二绝缘层的一侧表面，且延伸至所述第二扇出区；

阳极层，设于所述显示区中，设于所述平坦层远离所述介电层的一侧表面,且贯穿所述平坦层连接至所述源漏电极；

像素定义层，设于所述平坦层远离所述介电层的一侧表面，且延伸至所述第二扇出区；

像素开孔，设于所述像素定义层上，且对应所述阳极层。

6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述第二金属走线的材料包括铝或铝合金材料。

7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述第一金属走线的材料包括钼金属材料。

8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述第一金属走线的电阻率与所述第二金属走线的电阻率的比值大于1。

9.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，

所述填充层的材料包括有机材料。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-9中任意一项所述的显示面板。

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