KR102441330B1 - 가요성 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

비벤딩 영역 및 벤딩 영역을 포함하는 가요성 표시 장치에 있어서, 가요성 표시 장치는 회로 구조물, 회로 구조물 상에 배치되는 표시 구조물, 그리고 회로 구조물의 하부 또는 상부에 배치되고, 벤딩 영역에 대응하는 그루브(groove)를 갖는 유기층을 포함할 수 있다.

Description

가요성 표시 장치{FLEXIBLE DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 벤딩 가능한 가요성 표시 장치에 관한 것이다.
근래에 표시 장치는 휴대가 가능한 박형의 표시 장치로 대체되는 추세이다. 최근에는 표시 장치 중에서도 사용자가 원하는 경우에 접거나 말거나, 또는 구부릴 수 있는 가요성 표시 장치 또는 제조 공정에서 접거나 말거나 또는 구부리는 단계를 포함하는 가요성 표시 장치의 응용 및 용도가 확장되고 있다.
본 발명의 일 목적은 벤딩 특성이 개선된 가요성 표시 장치를 제공하는 것이다.
다만, 본 발명의 목적이 이와 같은 목적들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 실시예들에 따른 비벤딩 영역 및 벤딩 영역을 포함하는 가요성 표시 장치는 회로 구조물, 상기 회로 구조물 상에 배치되는 표시 구조물, 그리고 상기 회로 구조물의 하부 또는 상부에 배치되고, 상기 벤딩 영역에 대응하는 그루브(groove)를 갖는 유기층을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 회로 구조물과 상기 표시 구조물 사이에 배치되는 평탄화층을 더 포함할 수 있고, 상기 표시 구조물은 상기 평탄화층 상에 배치되는 제1 전극, 상기 평탄화층 상의 상기 제1 전극의 주변에 배치되는 화소 정의막, 상기 제1 전극 상에 배치되는 발광층, 그리고 상기 발광층 상에 배치되는 제2 전극을 포함할 수 있으며, 상기 유기층은 상기 평탄화층 또는 상기 화소 정의막일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 구조물 상에 배치되는 봉지 구조물을 더 포함할 수 있고, 상기 그루브 내에는 상기 봉지 구조물의 일부가 위치할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 봉지 구조물은 상기 표시 구조물 상에 배치되는 제1 무기 봉지층, 상기 제1 무기 봉지층 상에 배치되는 유기 봉지층, 그리고 상기 유기 봉지층 상에 배치되는 제2 무기 봉지층을 포함할 수 있고, 상기 제2 무기 봉지층의 상기 그루브 내의 부분의 높이는 상기 그루브 외의 부분의 높이보다 낮을 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 그루브는 노출될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 회로 구조물의 하부에 배치되는 베이스 구조물을 더 포함할 수 있고, 상기 베이스 구조물은 제1 베이스층, 상기 제1 베이스층 상에 배치되는 제1 배리어층, 상기 제1 배리어층 상에 배치되는 제2 베이스층, 그리고 상기 제2 베이스층과 상기 회로 구조물 사이에 배치되는 제2 배리어층을 포함할 수 있으며, 상기 유기층은 상기 제2 베이스층일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 그루브는 유기물로 채워질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 비벤딩 영역은 제1 표시 영역 및 상기 제1 표시 영역의 일 측부에 위치하는 제2 표시 영역을 포함할 수 있고, 상기 벤딩 영역은 상기 제1 표시 영역과 상기 제2 표시 영역의 경계에 위치할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 비벤딩 영역은 표시 영역 및 상기 표시 영역의 일 측부에 위치하는 비표시 영역을 포함할 수 있고, 상기 벤딩 영역은 상기 표시 영역과 상기 비표시 영역의 경계에 위치할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 유기층은 상기 벤딩 영역 내에 복수의 그루브들을 포함할 수 있다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 실시예들에 따른 비벤딩 영역 및 벤딩 영역을 포함하는 가요성 표시 장치는 베이스 구조물, 상기 베이스 구조물 상에 배치되는 회로 구조물, 상기 회로 구조물 상에 배치되는 평탄화층, 상기 평탄화층 상에 배치되는 제1 전극, 상기 평탄화층 상의 상기 제1 전극의 주변에 배치되는 화소 정의막, 상기 제1 전극 상에 배치되는 발광층, 그리고 상기 발광층 상에 배치되는 제2 전극을 포함할 수 있고, 적어도 상기 화소 정의막에는 상기 벤딩 영역에 대응하는 그루브(groove)가 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 그루브는 상기 평탄화층 및 상기 화소 정의막에 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 전극 상에 배치되는 봉지 구조물을 더 포함할 수 있고, 상기 그루브 내에는 상기 봉지 구조물의 일부가 위치할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 봉지 구조물은 상기 제2 전극 상에 배치되는 제1 무기 봉지층, 상기 제1 무기 봉지층 상에 배치되는 유기 봉지층, 그리고 상기 유기 봉지층 상에 배치되는 제2 무기 봉지층을 포함할 수 있고, 상기 제2 무기 봉지층의 상기 그루브 내의 부분의 높이는 상기 그루브 외의 부분의 높이보다 낮을 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 그루브는 노출될 수 있다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 실시예들에 따른 비벤딩 영역 및 벤딩 영역을 포함하는 가요성 표시 장치는 적어도 하나의 베이스층을 포함하는 베이스 구조물, 상기 베이스 구조물 상에 배치되는 회로 구조물, 상기 회로 구조물 상에 배치되는 평탄화층, 그리고 상기 평탄화층 상에 배치되는 표시 구조물을 포함할 수 있고, 상기 베이스 구조물의 상기 적어도 하나의 베이스층에는 상기 벤딩 영역에 대응하는 그루브(groove)가 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 베이스 구조물은 제1 베이스층, 상기 제1 베이스층 상에 배치되는 제1 배리어층, 상기 제1 배리어층 상에 배치되는 제2 베이스층, 그리고 상기 제2 베이스층과 상기 회로 구조물 사이에 배치되는 제2 배리어층을 포함할 수 있고, 상기 그루브는 상기 제2 베이스층 및 상기 제2 배리어층에 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 그루브는 유기물로 채워질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 베이스 구조물은 제1 베이스층, 상기 제1 베이스층 상에 배치되는 제1 배리어층, 상기 제1 배리어층 상에 배치되는 제2 베이스층, 그리고 상기 제2 베이스층과 상기 회로 구조물 사이에 배치되는 제2 배리어층을 포함할 수 있고, 상기 그루브는 상기 제1 베이스층, 상기 제1 배리어층, 상기 제2 베이스층, 및 상기 제2 배리어층에 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 회로 구조물은 상기 베이스 구조물 상에 배치되는 제1 무기 절연층 및 상기 제1 무기 절연층 상에 배치되는 제2 무기 절연층을 포함할 수 있고, 상기 제1 무기 절연층 및 상기 제2 무기 절연층은 상기 그루브를 덮을 수 있으며, 유기물이 상기 제2 무기 절연층 상의 상기 그루브를 채울 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 가요성 표시 장치에 있어서, 벤딩 영역에 대응하는 그루브가 형성됨에 따라, 벤딩에 의한 벤딩 영역의 스트레스가 감소할 수 있고, 벤딩 영역의 상대적으로 저곡률로 벤딩되는 가요성 표시 장치가 구현될 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 전술한 효과에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 벤딩 전의 가요성 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 II-II' 선에 따른 벤딩 전후의 가요성 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 3은 도 1의 III-III' 선에 따른 벤딩 전후의 가요성 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 가요성 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 가요성 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 가요성 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 가요성 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 8은 도 1의 VIII 영역을 나타내는 평면도이다.
도 9는 도 1의 IX 영역을 나타내는 평면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들에 따른 가요성 표시 장치를 보다 상세하게 설명한다. 첨부된 도면들 상의 동일한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 벤딩 전의 가요성 표시 장치를 나타내는 평면도이다. 도 2는 도 1의 II-II' 선에 따른 벤딩 전후의 가요성 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 3은 도 1의 III-III' 선에 따른 벤딩 전후의 가요성 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 1, 도 2, 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 가요성 표시 장치는 비벤딩 영역(NBA) 및 벤딩 영역(BA)을 포함할 수 있다. 비벤딩 영역(NBA)은 벤딩되지 않는 평탄한 영역일 수 있고, 벤딩 영역(BA)은 제조 과정 또는 사용 과정에서 벤딩 축을 따라 벤딩되는 영역일 수 있다. 벤딩 영역(BA)의 유연성은 비벤딩 영역(NBA)의 유연성보다 클 수 있다. 일 실시예에 있어서, 가요성 표시 장치는 적어도 하나의 비벤딩 영역(NBA) 및 적어도 하나의 벤딩 영역(BA)을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 가요성 표시 장치는 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시 영역(DA)에는 화소들이 배치될 수 있고, 상기 화소들을 통해 표시 영역(DA)은 영상을 표시할 수 있다. 비표시 영역(NDA)에는 외부 장치들과 연결되는 패드들 및 상기 패드들을 상기 화소들에 연결하는 배선들이 배치될 수 있고, 상기 패드들 및 상기 배선들을 통해 상기 화소들에 영상 표시를 위한 신호들이 제공될 수 있다.
표시 영역(DA)은 제1 표시 영역(DA1) 및 제2 표시 영역(DA2)을 포함할 수 있다. 제2 표시 영역(DA2)은 제1 표시 영역(DA1)의 적어도 하나의 측부에 위치할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 표시 영역(DA)은 제1 표시 영역(DA1)의 네 개의 측부들에 각각 위치하는 네 개의 제2 표시 영역들(DA2)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 두 개의 제2 표시 영역들(DA2)은 제1 표시 영역(DA1)으로부터 각각 제1 방향(D1) 및 제1 방향(D1)과 반대되는 제2 방향(D2)에 위치할 수 있고, 다른 두 개의 제2 표시 영역들(DA2)은 제1 표시 영역(DA1)으로부터 각각 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)과 교차하는 제3 방향(D3) 및 제3 방향(D3)과 반대되는 제4 방향(D4)에 위치할 수 있다. 다시 말해, 네 개의 제2 표시 영역들(DA2)은 제1 표시 영역(DA1)의 좌측부, 우측부, 상측부, 및 하측부에 각각 위치할 수 있다.
비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)의 일 측부에 위치할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 비표시 영역(NDA)은 제2 표시 영역(DA2)의 일 측부에 위치할 수 있다. 제1 표시 영역(DA1)과 비표시 영역(NDA)은 제2 표시 영역(DA2)을 사이에 두고 이격하도록 위치할 수 있다. 예를 들면, 비표시 영역(NDA)은 제1 표시 영역(DA1)으로부터 제4 방향(D4)에 위치하는 제2 표시 영역(DA2)으로부터 제4 방향(D4)에 위치할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 비벤딩 영역(NBA)은 제1 표시 영역(DA1), 제2 표시 영역(DA2), 및 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 다시 말해, 비벤딩 영역(NBA)의 일부는 제1 표시 영역(DA1) 및 제2 표시 영역(DA2)에 해당하여 영상을 표시할 수 있고, 비벤딩 영역(NBA)의 다른 일부는 비표시 영역(NDA)에 해당하여 영상을 표시하지 않을 수 있다.
벤딩 영역(BA)은 제1 벤딩 영역(BA1) 및 제2 벤딩 영역(BA2)을 포함할 수 있다. 제1 벤딩 영역(BA1)은 제1 표시 영역(DA1)과 제2 표시 영역(DA2)의 경계에 위치할 수 있다. 예를 들면, 제1 벤딩 영역(BA1)은 제2 표시 영역(DA2) 내에 위치하며 제1 표시 영역(DA1)과 제2 표시 영역(DA2)의 경계에 접할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 벤딩 영역(BA)은 제1 표시 영역(DA1)의 네 개의 측부들과 제2 표시 영역들(DA2)의 경계들에 각각 위치하는 네 개의 제1 벤딩 영역들(BA1)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 두 개의 제1 벤딩 영역들(BA1)은 제1 표시 영역(DA1)과 제1 표시 영역(DA1)으로부터 제1 방향(D1) 또는 제2 방향(D2)에 위치하는 제2 표시 영역들(DA2)의 경계들에 각각 위치할 수 있고, 다른 두 개의 제1 벤딩 영역들(BA1)은 제1 표시 영역(DA1)과 제1 표시 영역(DA1)으로부터 제3 방향(D3) 또는 제4 방향(D4)에 위치하는 제2 표시 영역들(DA2)의 경계들에 각각 위치할 수 있다.
제1 벤딩 영역(BA1)은 제1 방향(D1) 또는 제3 방향(D3)과 평행하는 벤딩 축을 따라 벤딩될 수 있다. 예를 들면, 제1 표시 영역(DA1)으로부터 제1 방향(D1) 또는 제2 방향(D2)에 위치하는 제1 벤딩 영역(BA1)은 제3 방향(D3)과 평행하는 벤딩 축을 따라 벤딩될 수 있고, 제1 표시 영역(DA1)으로부터 제3 방향(D3) 또는 제4 방향(D4)에 위치하는 제1 벤딩 영역(BA1)은 제1 방향(D1)과 평행하는 벤딩 축을 따라 벤딩될 수 있다. 이에 따라, 제1 표시 영역(DA1)은 상기 가요성 표시 장치의 전면(front surface)으로 영상을 표시할 수 있고, 제2 표시 영역(DA2)은 상기 가요성 표시 장치의 측면(side surface)으로 영상을 표시할 수 있다.
제2 벤딩 영역(BA2)은 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NDA)의 경계에 위치할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제2 벤딩 영역(BA2)은 제2 표시 영역(DA2)과 비표시 영역(NDA)의 경계에 위치할 수 있다. 예를 들면, 제2 벤딩 영역(BA2)은 비표시 영역(NDA) 내에 위치하며 제2 표시 영역(DA2)과 비표시 영역(NDA)의 경계에 접할 수 있다. 예를 들면, 제2 벤딩 영역(BA2)은 제1 표시 영역(DA1)으로부터 제4 방향(D4)에 위치하는 제2 표시 영역(DA2)과 비표시 영역(NDA)의 경계에 위치할 수 있다.
제2 벤딩 영역(BA2)은 제1 방향(D1) 또는 제3 방향(D3)과 평행하는 벤딩 축을 따라 벤딩될 수 있다. 예를 들면, 제2 표시 영역(DA2)으로부터 제4 방향(D4)에 위치하는 제2 벤딩 영역(BA2)은 제1 방향(D1)과 평행하는 벤딩 축을 따라 벤딩될 수 있다. 이에 따라, 비표시 영역(NDA)의 비벤딩 영역(NBA)은 제1 표시 영역(DA1)과 대향할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 가요성 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 4는 도 1의 IV-IV' 선 및 V-V' 선에 따른 가요성 표시 장치의 일 예를 나타낼 수 있다.
도 1 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 가요성 표시 장치는 베이스 구조물(100), 회로 구조물(200), 평탄화층(300), 표시 구조물(400), 및 봉지 구조물(500)을 포함할 수 있다. 회로 구조물(200)의 상부에는 유기층(300, 420)이 배치될 수 있고, 유기층(300, 420)은 벤딩 영역(BA)에 대응하는 그루브(groove)(GR1, GR2)를 가질 수 있다.
베이스 구조물(100)은 베이스 구조물(100) 상에 위치하는 구조물들이 배치될 수 있는 공간을 제공하여 가요성 표시 장치의 구성들을 지지할 수 있다. 베이스 구조물(100)은 적어도 하나의 베이스층 및 적어도 하나의 배리어층을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 베이스 구조물(100)은 제1 베이스층(110), 제1 배리어층(120), 제2 베이스층(130), 및 제2 배리어층(140)을 포함할 수 있다.
제1 베이스층(110)은 가요성 및 전기 절연성을 가지는 재질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 베이스층(110)은 폴리이미드(polyimide: PI), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate: PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate: PET), 폴리아릴레이트(polyarylate: PAR), 폴리카보네이트(polycarbonate: PC), 폴리에테르이미드(polyetherimide: PEI), 폴리에테르술폰(polyethersulfone: PS) 등과 같은 유기물로 형성될 수 있다. 그러나, 제1 베이스층(110)의 물질은 이에 한정되지 아니하고, 가요성 및 전기 절연성을 가지는 물질이라면 제1 베이스층(110)의 물질로 사용될 수 있다.
제1 베이스층(110) 상에는 제1 배리어층(120)이 배치될 수 있다. 제1 배리어층(120)은 무기물로 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 배리어층(120)은 비정질 실리콘(a-Si), 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 등과 같은 실리콘을 함유하는 물질을 포함할 수 있다. 제1 배리어층(120)은 산소 및 수분에 취약한 제1 베이스층(110) 상에 형성되어 제1 베이스층(110)의 파손을 방지하고, 산소 및 수분과 같은 이물질이 가요성 표시 장치의 내부로 침투하는 것을 방지할 수 있다.
제1 배리어층(120) 상에는 제2 베이스층(130)이 배치될 수 있다. 제2 베이스층(130)은 가요성 및 전기 절연성을 가지는 재질을 포함할 수 있다. 제2 베이스층(130)은 제1 베이스층(110)과 동일한 재질을 가지거나 동일한 두께를 가지도록 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 베이스층(110)과 제2 베이스층(130)이 서로 다른 재질 및 서로 다른 두께를 가져도 무방하다.
제2 베이스층(130) 상에는 제2 배리어층(140)이 배치될 수 있다. 제2 배리어층(140)은 무기물로 형성될 수 있다. 제2 배리어층(140)은 제1 배리어층(120)과 동일한 재질을 가지거나 동일한 두께를 가지도록 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 배리어층(120)과 제2 배리어층(140)이 서로 다른 재질 및 서로 다른 두께를 가져도 무방하다. 제2 배리어층(140)은 산소 및 수분에 취약한 제2 베이스층(130) 상에 형성되어 제2 베이스층(130)의 파손을 방지하고, 산소 및 수분과 같은 이물질이 가요성 표시 장치의 내부로 침투하는 것을 방지할 수 있다.
회로 구조물(200)은 베이스 구조물(100) 상에 배치될 수 있다. 회로 구조물(200)은 표시 구조물(400)에 표시 구조물(400)의 구동을 위한 전기적 신호들을 제공할 수 있다. 회로 구조물(200)은 적어도 하나의 트랜지스터 및 적어도 하나의 커패시터를 포함할 수 있다. 예를 들면, 회로 구조물(200)은 적어도 구동 트랜지스터(T1), 스위칭 트랜지스터(T2), 및 저장 커패시터(CST)를 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 회로 구조물(200)은 버퍼층(210), 반도체층(221, 222), 제1 무기 절연층(230), 게이트 전극(241, 242), 제2 무기 절연층(250), 커패시터 전극(260), 제3 무기 절연층(270), 소스드레인 전극(281, 282), 및 유기 절연층(291, 292)을 포함할 수 있다.
베이스 구조물(100) 상에는 버퍼층(210)이 배치될 수 있다. 버퍼층(210)은 베이스 구조물(100)을 통한 불순물의 침투를 방지할 수 있다. 또한, 버퍼층(210)은 버퍼층(210)의 상부에 평탄한 면을 제공할 수 있다. 버퍼층(210)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등과 같은 무기물로 형성될 수 있다. 선택적으로, 버퍼층(210)은 생략될 수도 있다.
버퍼층(210) 상에는 반도체층(221, 222)이 배치될 수 있다. 반도체층(221, 222)은 제1 반도체층(221) 및 제2 반도체층(222)을 포함할 수 있다. 제1 반도체층(221)과 제2 반도체층(222)은 서로 이격할 수 있다. 반도체층(221, 222)은 비정질 실리콘, 다결정질 실리콘 등으로 형성될 수 있다. 선택적으로, 반도체층(221, 222)은 산화물 반도체로 형성될 수도 있다. 각각의 제1 반도체층(221) 및 제2 반도체층(222)은 소스 영역, 드레인 영역, 및 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역 사이에 위치하는 채널 영역을 포함할 수 있다.
반도체층(221, 222) 상에는 제1 무기 절연층(230)이 배치될 수 있다. 제1 무기 절연층(230)은 반도체층(221, 222)으로부터 게이트 전극(241, 242)을 절연시킬 수 있다. 제1 무기 절연층(230)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등과 같은 무기물로 형성될 수 있다.
제1 무기 절연층(230) 상에는 게이트 전극(241, 242)이 배치될 수 있다. 게이트 전극(241, 242)은 제1 게이트 전극(241) 및 제2 게이트 전극(242)을 포함할 수 있다. 제1 게이트 전극(241)은 제1 반도체층(221)과 중첩할 수 있고, 제2 게이트 전극(242)은 제1 게이트 전극(241)과 이격하며 제2 반도체층(222)과 중첩할 수 있다. 게이트 전극(241, 242)은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti) 등과 같은 금속으로 형성될 수 있다. 제2 반도체층(222) 및 제1 무기 절연층(230)에 의해 제2 반도체층(222)과 절연되는 제2 게이트 전극(242)에 의해 스위칭 트랜지스터(T2)가 형성될 수 있다.
게이트 전극(241, 242) 상에는 제2 무기 절연층(250)이 배치될 수 있다. 제2 무기 절연층(250)은 제1 게이트 전극(241)으로부터 커패시터 전극(260)을 절연시킬 수 있다. 제2 무기 절연층(250)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등과 같은 무기물로 형성될 수 있다.
제2 무기 절연층(250) 상에는 커패시터 전극(260)이 배치될 수 있다. 커패시터 전극(260)은 제1 게이트 전극(241)과 중첩할 수 있다. 커패시터 전극(260)은 Au, Ag, Cu, Ni, Pt, Pd, Al, Mo, Ti 등과 같은 금속으로 형성될 수 있다. 제1 게이트 전극(241) 및 제2 무기 절연층(250)에 의해 제1 게이트 전극(241)과 절연되는 커패시터 전극(260)에 의해 저장 커패시터(CST)가 형성될 수 있다.
커패시터 전극(260) 상에는 제3 무기 절연층(270)이 배치될 수 있다. 제3 무기 절연층(270)은 커패시터 전극(260)으로부터 소스드레인 전극(281, 282)을 절연시킬 수 있다. 제3 무기 절연층(270)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등과 같은 무기물로 형성될 수 있다.
제3 무기 절연층(270) 상에는 소스드레인 전극(281, 282)이 배치될 수 있다. 소스드레인 전극(281, 282)은 소스 전극(281) 및 드레인 전극(282)을 포함할 수 있다. 소스 전극(281) 및 드레인 전극(282)은 제1 반도체층(221)의 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역에 각각 연결될 수 있다. 소스드레인 전극(281, 282)은 Au, Ag, Cu, Ni, Pt, Pd, Al, Mo, Ti 등과 같은 금속으로 형성될 수 있다. 제1 반도체층(221), 제1 무기 절연층(230)에 의해 제1 반도체층(221)과 절연되는 제1 게이트 전극(241), 제1 반도체층(221)에 연결되는 소스 전극(281) 및 드레인 전극(282)에 의해 구동 트랜지스터(T1)가 형성될 수 있다.
회로 구조물(200)의 벤딩 영역(BA)에는 무기 절연층들(210, 230, 250, 270)이 제거될 수 있고, 무기 절연층들(210, 230, 250, 270)이 제거된 부분에는 유기 절연층(291, 292)이 형성될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 회로 구조물(200)의 제1 벤딩 영역(BA1)의 무기 절연층들(210, 230, 250, 270)이 제거된 부분에는 제1 유기 절연층(291)이 형성될 수 있고, 회로 구조물(200)의 제2 벤딩 영역(BA2)의 무기 절연층들(210, 230, 250, 270)이 제거된 부분에는 제2 유기 절연층(292)이 형성될 수 있다. 제1 유기 절연층(291) 및 제2 유기 절연층(292)은 폴리이미드계 수지, 폴리아크릴계 수지 등의 유기물로 형성될 수 있다. 유기 절연층(291, 292)을 포함하는 회로 구조물(200)의 벤딩 영역(BA)의 유연성은 무기 절연층들(210, 230, 250, 270)을 포함하는 회로 구조물(200)의 비벤딩 영역(NBA)의 유연성보다 클 수 있다.
평탄화층(300)은 회로 구조물(200) 상에 배치될 수 있다. 평탄화층(300)은 회로 구조물(200)을 커버하여 회로 구조물(200)을 보호할 수 있고, 평탄화층(300) 상에 위치하는 표시 구조물(400)에 평탄한 면을 제공할 수 있다. 평탄화층(300)은 폴리이미드계 수지, 폴리아크릴계 수지 등의 유기물로 형성될 수 있다.
표시 구조물(400)은 평탄화층(300) 상에 배치될 수 있다. 표시 구조물(400)은 회로 구조물(200)로부터 제공된 상기 전기적 신호들에 기초하여 영상을 표시할 수 있다. 표시 구조물(400)은 제1 전극(410), 화소 정의막(420), 발광층(430), 및 제2 전극(440)을 포함할 수 있다.
평탄화층(300) 상에는 제1 전극(410)이 배치될 수 있다. 제1 전극(410)은 구동 트랜지스터(T1)의 소스 전극(281) 또는 드레인 전극(282)과 연결될 수 있다. 제1 전극(410)은 투명 전극 또는 반사 전극으로 구비될 수 있다. 제1 전극(410)이 투명 전극으로 구비되는 경우에는 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3를 포함할 수 있고, 반사 전극으로 구비되는 경우에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 또는 이들의 화합물 등으로 형성되는 반사막과, ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 형성되는 투명막을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 전극(410)은 ITO/Ag/ITO 구조를 가질 수 있다.
평탄화층(300) 상에는 제1 전극(410)의 주변에는 화소 정의막(420)이 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 화소 정의막(420)은 제1 전극(410)의 가장자리를 덮으며, 제1 전극(410)의 중심부를 노출시키는 개구부를 포함할 수 있다. 화소 정의막(420)은 제1 전극(410)의 주변에 위치하여 발광부를 정의할 수 있고, 제1 전극(410)으로부터 제1 전극(410)의 상부에 위치하는 제2 전극(440)을 이격시켜 제1 전극(410)과 제2 전극(440) 사이에 아크 등이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 화소 정의막(420)은 폴리이미드계 수지, 폴리아크릴계 수지 등의 유기물로 형성될 수 있다.
제1 전극(410) 상에는 발광층(430)이 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 발광층(430)은 화소 정의막(420)의 상기 개구부 내의 제1 전극(410)의 상기 중심부 상에 배치될 수 있다. 제1 전극(410) 및 제2 전극(440)에서 각각 제공된 정공들 및 전자들이 발광층(430)에서 결합하여 엑시톤(exciton)이 형성되고, 상기 엑시톤이 여기 상태(excited state)에서 기저 상태(ground state)로 변하면서 발광층(430)에서 광이 생성될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 전극(410)과 발광층(430) 사이에는 정공 주입층(hole injection layer: HIL) 및/또는 정공 수송층(hole transport layer: HTL)이 배치될 수 있고, 발광층(430) 상에는 전자 수송층(electron transport layer: ETL) 및/또는 전자 주입층(electron injection layer: EIL)이 배치될 수 있다.
발광층(430) 상에는 제2 전극(440)이 배치될 수 있다. 제2 전극(440)은 투명 전극 또는 반사 전극으로 구비될 수 있다. 제2 전극(440)이 투명 전극으로 구비되는 경우에는 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3를 포함할 수 있고, 반사 전극으로 구비되는 경우에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 또는 이들의 화합물 등으로 형성되는 반사막과, ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 형성되는 투명막을 포함할 수 있다. 제1 전극(410), 발광층(430), 및 제2 전극(440)에 의해 유기 발광 다이오드(OLED)가 형성될 수 있다.
봉지 구조물(500)은 표시 구조물(400) 상에 배치될 수 있다. 봉지 구조물(500)은 표시 구조물(400)을 커버하여 표시 구조물(400)을 보호할 수 있다. 이를 위해, 봉지 구조물(500)은 표시 영역(DA)에 형성되고, 비표시 영역(NDA)에는 형성되지 않을 수 있다. 봉지 구조물(500)은 적어도 하나의 무기 봉지층 및 적어도 하나의 유기 봉지층을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 봉지 구조물(500)은 제1 무기 봉지층(510), 유기 봉지층(520), 및 제2 무기 봉지층(530)을 포함할 수 있다.
제1 무기 봉지층(510)은 제2 전극(440)을 덮을 수 있다. 제1 무기 봉지층(510)은 그 하부의 구조물의 프로파일을 따라 형성될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 무기 봉지층(510)은 실리콘 산질화물(SiOxNy)로 형성될 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 아니하고, 다른 실시예에 있어서, 제1 무기 봉지층(510)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 니켈 산화물 등으로 형성될 수도 있다.
제1 무기 봉지층(510) 상에는 유기 봉지층(520)이 배치될 수 있다. 유기 봉지층(520)은 충분한 두께를 가지며, 유기 봉지층(520)의 상면은 표시 영역(DA) 내에서 대체적으로 평탄할 수 있다. 유기 봉지층(520)은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리이미드(polyimide), 폴리에틸렌 설포네이트(polyethylene sulfonate), 폴리옥시메틸렌(polyoxymethylene), 폴리아릴레이트(polyarylate), 헥사메틸디실록산(hexamethyldisiloxane) 등으로 형성될 수 있다.
제2 무기 봉지층(530)은 유기 봉지층(520)을 덮으며 유기 봉지층(520) 상에 배치될 수 있다. 제2 무기 봉지층(530)은 유기 봉지층(520)의 상면의 프로파일을 따라 형성될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제2 무기 봉지층(530)은 실리콘 질화물(SiNx)로 형성될 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 아니하고, 다른 실시예에 있어서, 제2 무기 봉지층(530)은 실리콘 산화물, 실리콘 산질화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 니켈 산화물 등으로 형성될 수도 있다. 제1 무기 봉지층(510)과 제2 무기 봉지층(530)은 유기 봉지층(520) 보다 큰 면적을 가지며, 유기 봉지층(520)의 외측에서 서로 접할 수 있다. 다시 말해, 제1 무기 봉지층(510)과 제2 무기 봉지층(530)에 의해 유기 봉지층(520)이 외부로 노출되지 않을 수 있다.
일 실시예에 있어서, 평탄화층(300) 및 화소 정의막(420)에는 벤딩 영역(BA)에 대응하는 그루브(GR1, GR2)가 형성될 수 있다. 그루브(GR1, GR2)는 벤딩 영역(BA) 내에서 화소 정의막(420)의 전체 두께 및 평탄화층(300)의 적어도 일부 두께를 관통할 수 있다. 제1 벤딩 영역(BA1)에는 제1 그루브(GR1)가 형성될 수 있고, 제2 벤딩 영역(BA2)에는 제2 그루브(GR2)가 형성될 수 있다. 제1 그루브(GR1)는 제1 전극(410)과 중첩하지 않도록 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 화소 정의막(420)이 형성된 가요성 표시 장치의 벤딩 영역(BA)에 포토리소그래피(photolithography), 레이저 드릴링(laser drilling) 등을 이용하여 화소 정의막(420) 및 평탄화층(300)의 적어도 일부를 관통하는 그루브(GR1, GR2)를 형성할 수 있고, 화소 정의막(420) 상의 표시 영역(DA)에 제2 전극(440) 및 봉지 구조물(500)을 형성할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 그루브(GR1) 내에는 화소 정의막(420) 상에 배치되는 제2 전극(440)의 일부 및 봉지 구조물(500)의 일부가 위치할 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 그루브(GR1)를 제2 전극(440) 및 봉지 구조물(500)이 순차적으로 덮을 수 있다. 이에 따라, 예를 들면, 제1 그루브(GR1) 내에는 제2 전극(440)의 일부, 제1 무기 봉지층(510)의 일부, 및 유기 봉지층(520)의 일부가 위치할 수 있다. 그러나, 본 실시예는 이에 한정되지 아니하고, 제1 그루브(GR1) 내에는 제2 무기 봉지층(530)의 일부가 추가적으로 위치할 수도 있다.
제2 무기 봉지층(530)의 제1 그루브(GR1) 내의 부분의 높이는 제1 그루브(GR1) 외의 부분의 높이보다 낮을 수 있다. 예를 들면, 베이스 구조물(100)로부터 제1 그루브(GR1) 내의 제2 무기 봉지층(530)의 저면의 높이는 베이스 구조물(100)로부터 제1 그루브(GR1) 외의 제2 무기 봉지층(530)의 저면의 높이보다 낮을 수 있다. 제1 무기 봉지층(510)은 그 하부의 구조물의 프로파일을 따라 형성될 수 있고, 이에 따라, 제1 무기 봉지층(510)은 제1 벤딩 영역(BA1) 내에서 제1 그루브(GR1)의 프로파일을 따라 형성될 수 있다. 유기 봉지층(520)은 대체적으로 평탄한 상면을 제공할 수 있으나, 제1 그루브(GR1)에 의해 유기 봉지층(520)의 제1 그루브(GR1) 내의 상면의 높이는 제1 그루브(GR1) 외의 상면의 높이보다 낮을 수 있다. 이에 따라, 유기 봉지층(520)의 상면의 프로파일을 따라 형성되는 제2 무기 봉지층(530)의 제1 그루브(GR1) 내의 부분의 높이는 제1 그루브(GR1) 외의 부분의 높이보다 낮을 수 있다.
그루브가 형성되지 않는 종래 기술의 비교예에 따른 가요성 표시 장치의 벤딩 영역이 벤딩되는 경우에, 스트레스 중성 평면(stress neutral plane)에서 멀리 떨어진 제2 무기 봉지층에 크랙이 형성되거나, 제2 무기 봉지층이 유기 봉지층으로부터 박리될 수 있다. 그러나 제1 그루브(GR1)가 형성되는 본 발명의 일 실시예에 따른 가요성 표시 장치의 제1 벤딩 영역(BA1)이 벤딩되는 경우에, 제1 그루브(GR1)에 의해 제1 벤딩 영역(BA1) 내에서 제2 무기 봉지층(530)이 스트레스 중성 평면에 위치하거나 상기 스트레스 중성 평면에 가까워질 수 있고, 이에 따라, 제2 무기 봉지층(530)에 크랙이 형성되거나, 제2 무기 봉지층(530)이 유기 봉지층(520)으로부터 박리되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제1 그루브(GR1)에 의해 제2 전극(440)과 제1 무기 봉지층(510) 사이의 접촉 면적이 증가할 수 있고, 이에 따라, 표시 구조물(400)과 봉지 구조물(500) 사이의 접착력이 증가할 수 있다. 나아가, 제1 벤딩 영역(BA1)이 상대적으로 저곡률로 벤딩되는 가요성 표시 장치가 구현될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제2 그루브(GR2)는 노출될 수 있다. 이에 따라, 제2 벤딩 영역(BA2) 내의 평탄화층(300) 및 화소 정의막(420)을 포함하는 유기층의 두께는 제2 벤딩 영역(BA2)에 인접하는 비벤딩 영역(NBA) 내의 평탄화층(300) 및 화소 정의막(420)을 포함하는 유기층의 두께보다 작을 수 있다. 제2 그루브(GR2)가 형성되는 본 발명의 일 실시예에 따른 가요성 표시 장치의 제2 벤딩 영역(BA2)이 벤딩되는 경우에, 제2 벤딩 영역(BA2)의 평탄화층(300) 및 화소 정의막(420)을 포함하는 유기층의 두께가 작아짐에 따라, 제2 벤딩 영역(BA2)이 받는 스트레스의 크기가 감소할 수 있다. 또한, 제2 벤딩 영역(BA2)이 상대적으로 저곡률로 벤딩되는 가요성 표시 장치가 구현될 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 가요성 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 5는 도 1의 IV-IV' 선 및 V-V' 선에 따른 가요성 표시 장치의 일 예를 나타낼 수 있다.
도 1 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 가요성 표시 장치는 베이스 구조물(100), 회로 구조물(200), 평탄화층(300), 표시 구조물(400), 및 봉지 구조물(500)을 포함할 수 있다. 회로 구조물(200)의 상부에는 유기층(420)이 배치될 수 있고, 유기층(420)은 벤딩 영역(BA)에 대응하는 그루브(GR1, GR2)를 가질 수 있다. 도 5를 참조하여 설명하는 가요성 표시 장치에 있어서, 도 4를 참조하여 설명한 가요성 표시 장치의 구성들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성들에 대한 설명은 생략한다.
일 실시예에 있어서, 화소 정의막(420)에는 벤딩 영역(BA)에 대응하는 그루브(GR1, GR2)가 형성될 수 있다. 그루브(GR1, GR2)는 벤딩 영역(BA) 내에서 화소 정의막(420)의 적어도 일부 두께를 관통할 수 있다. 제1 벤딩 영역(BA1)에는 제1 그루브(GR1)가 형성될 수 있고, 제2 벤딩 영역(BA2)에는 제2 그루브(GR2)가 형성될 수 있다. 제1 그루브(GR1)는 제1 전극(410)과 중첩하거나 중첩하지 않도록 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 화소 정의막(420)이 형성된 가요성 표시 장치의 벤딩 영역(BA)에 포토리소그래피, 레이저 드릴링 등을 이용하여 화소 정의막(420)의 적어도 일부를 관통하는 그루브(GR1, GR2)를 형성할 수 있고, 화소 정의막(420) 상의 표시 영역(DA)에 제2 전극(440) 및 봉지 구조물(500)을 형성할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 그루브(GR1) 내에는 화소 정의막(420) 상에 배치되는 제2 전극(440)의 일부 및 봉지 구조물(500)의 일부가 위치할 수 있다. 예를 들면, 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 그루브(GR1) 내에는 제2 전극(440)의 일부 및 제1 무기 봉지층(510)의 일부가 위치할 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 가요성 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 6은 도 1의 IV-IV' 선 및 V-V' 선에 따른 가요성 표시 장치의 일 예를 나타낼 수 있다.
도 1 및 도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 가요성 표시 장치는 베이스 구조물(100), 회로 구조물(200), 평탄화층(300), 표시 구조물(400), 및 봉지 구조물(500)을 포함할 수 있다. 회로 구조물(200)의 하부에는 유기층(130)이 배치될 수 있고, 유기층(130)은 벤딩 영역(BA)에 대응하는 그루브(GR1, GR2)를 가질 수 있다. 도 6을 참조하여 설명하는 가요성 표시 장치에 있어서, 도 4를 참조하여 설명한 가요성 표시 장치의 구성들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성들에 대한 설명은 생략한다.
일 실시예에 있어서, 베이스 구조물(100)의 제2 베이스층(130) 및 제2 배리어층(140)에는 벤딩 영역(BA)에 대응하는 그루브(GR1, GR2)가 형성될 수 있다. 그루브(GR1, GR2)는 벤딩 영역(BA) 내에서 회로 구조물(200)의 무기 절연층들(210, 230, 250, 270)의 전체 두께, 제2 배리어층(140)의 전체 두께, 및 제2 베이스층(130)의 적어도 일부 두께를 관통할 수 있다. 제1 벤딩 영역(BA1)에는 제1 그루브(GR1)가 형성될 수 있고, 제2 벤딩 영역(BA2)에는 제2 그루브(GR2)가 형성될 수 있다. 제1 그루브(GR1)는 제1 전극(410)과 중첩하거나 중첩하지 않도록 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 그루브(GR1, GR2)는 유기물로 채워질 수 있다. 예를 들면, 도 6에 도시된 바와 같이, 그루브(GR1, GR2) 내에는 유기 절연층(291, 292)이 배치되어 그루브(GR1, GR2)가 유기물로 채워질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 무기 절연층들(210, 230, 250, 270)이 형성된 가요성 표시 장치의 벤딩 영역(BA)에 포토리소그래피, 레이저 드릴링 등을 이용하여 무기 절연층들(210, 230, 250, 270), 제2 배리어층(140), 및 제2 베이스층(130)의 적어도 일부를 관통하는 그루브(GR1, GR2)를 형성할 수 있고, 유기물을 이용하여 그루브(GR1, GR2)를 채우는 유기 절연층(291, 292)을 형성할 수 있다.
베이스 구조물에 그루브가 형성되지 않는 종래 기술의 비교예에 따른 가요성 표시 장치에 있어서, 상기 베이스 구조물이 벤딩 영역 내에 무기물로 형성되는 제2 배리어층을 포함함에 따라, 벤딩에 따른 상기 베이스 구조물의 스트레스가 증가할 수 있다. 그러나 본 발명의 일 실시예에 따른 가요성 표시 장치에 있어서, 베이스 구조물(100)의 벤딩 영역(BA) 내의 제2 배리어층(140) 및 제2 베이스층(130)에 그루브(GR1, GR2)가 형성되고, 그루브(GR1, GR2)가 유기물로 채워짐에 따라, 벤딩에 따른 베이스 구조물(100)의 스트레스가 감소할 수 있다. 또한, 제1 배리어층(120)에는 그루브(GR1, GR2)가 형성되지 않음으로써 유기물로 형성되는 제1 베이스층(110) 상에 무기물로 형성되는 제1 배리어층(120)이 위치함에 따라, 산소 및 수분과 같은 이물질이 제1 베이스층(110)을 통해 가요성 표시 장치의 내부로 침투하는 것을 방지할 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 가요성 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 7은 도 1의 IV-IV' 선 및 V-V' 선에 따른 가요성 표시 장치의 일 예를 나타낼 수 있다.
도 1 및 도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 가요성 표시 장치는 베이스 구조물(100), 회로 구조물(200), 평탄화층(300), 표시 구조물(400), 및 봉지 구조물(500)을 포함할 수 있다. 회로 구조물(200)의 하부에는 유기층(110, 130)이 배치될 수 있고, 유기층(110, 130)은 벤딩 영역(BA)에 대응하는 그루브(GR1, GR2)를 가질 수 있다. 도 7을 참조하여 설명하는 가요성 표시 장치에 있어서, 도 6을 참조하여 설명한 가요성 표시 장치의 구성들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성들에 대한 설명은 생략한다.
일 실시예에 있어서, 베이스 구조물(100)의 제1 베이스층(110), 제1 배리어층(120), 제2 베이스층(130), 및 제2 배리어층(140)에는 벤딩 영역(BA)에 대응하는 그루브(GR1, GR2)가 형성될 수 있다. 그루브(GR1, GR2)는 벤딩 영역(BA) 내에서 회로 구조물(200)의 무기 절연층들(210, 230, 250, 270)의 전체 두께, 제2 배리어층(140)의 전체 두께, 제2 베이스층(130)의 전체 두께, 제1 배리어층(120)의 전체 두께, 및 제1 베이스층(110)의 일부 두께를 관통할 수 있다. 제1 벤딩 영역(BA1)에는 제1 그루브(GR1)가 형성될 수 있고, 제2 벤딩 영역(BA2)에는 제2 그루브(GR2)가 형성될 수 있다. 제1 그루브(GR1)는 제1 전극(410)과 중첩하거나 중첩하지 않도록 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 무기 절연층(230) 및 제2 무기 절연층(250)은 그루브(GR1, GR2)를 덮을 수 있고, 유기물이 제2 무기 절연층(250) 상의 그루브(GR1, GR2)를 채울 수 있다. 예를 들면, 도 7에 도시된 바와 같이, 제1 무기 절연층(230) 및 제2 무기 절연층(250)이 그루브(GR1, GR2)를 순차적으로 덮을 수 있고, 제2 무기 절연층(250) 상에 유기 절연층(291, 292)이 배치되어 제1 무기 절연층(230) 및 제2 무기 절연층(250)에 의해 덮인 그루브(GR1, GR2)가 유기물로 채워질 수 있다. 또한, 제3 무기 절연층(270)은 유기 절연층(291, 292)을 덮을 수 있다.
일 실시예에 있어서, 버퍼층(210)이 형성된 가요성 표시 장치의 벤딩 영역(BA)에 포토리소그래피, 레이저 드릴링 등을 이용하여 버퍼층(210), 제2 배리어층(140), 제2 베이스층(130), 제1 배리어층(120), 및 제1 베이스층(110)의 적어도 일부를 관통하는 그루브(GR1, GR2)를 형성할 수 있고, 버퍼층(210) 상에 순차적으로 제1 무기 절연층(230) 및 제2 무기 절연층(250)을 형성할 수 있다. 그 다음, 유기물을 이용하여 제2 무기 절연층(250) 상의 그루브(GR1, GR2)를 채우는 유기 절연층(291, 292)을 형성할 수 있고, 제2 무기 절연층(250) 상에 유기 절연층(291, 292)을 덮는 제3 무기 절연층(270)을 형성할 수 있다.
베이스 구조물에 그루브가 형성되지 않는 종래 기술의 비교예에 따른 가요성 표시 장치에 있어서, 상기 베이스 구조물이 벤딩 영역 내에 무기물로 형성되는 제1 배리어층 및 제2 배리어층을 포함함에 따라, 벤딩에 따른 상기 베이스 구조물의 스트레스가 증가할 수 있다. 그러나 본 발명의 일 실시예에 따른 가요성 표시 장치에 있어서, 베이스 구조물(100)의 벤딩 영역(BA) 내의 제2 배리어층(140), 제2 베이스층(130), 제1 배리어층(120), 및 제1 베이스층(110)에 그루브(GR1, GR2)가 형성되고, 그루브(GR1, GR2)가 유기물로 채워짐에 따라, 벤딩에 따른 베이스 구조물(100)의 스트레스가 감소할 수 있다. 또한, 제1 배리어층(120) 및 제2 배리어층(140)에 그루브(GR1, GR2)가 형성되더라도, 유기물로 형성되는 제1 베이스층(110) 상에 무기물로 형성되는 제1 무기 절연층(230) 및 제2 무기 절연층(250)이 배치됨에 따라, 산소 및 수분과 같은 이물질이 제1 베이스층(110)을 통해 가요성 표시 장치의 내부로 침투하는 것을 방지할 수 있다.
도 8은 도 1의 VIII 영역을 나타내는 평면도이다. 도 9는 도 1의 IX 영역을 나타내는 평면도이다.
도 1, 도 8, 및 도 9를 참조하면, 일 실시예에 있어서, 벤딩 영역(BA) 내에는 복수의 그루브들(GR1, GR2)이 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 벤딩 영역(BA1)에는 복수의 제1 그루브들(GR1)이 형성될 수 있고, 제2 벤딩 영역(BA2)에는 복수의 제2 그루브들(GR2)이 형성될 수 있다.
그루브들(GR1, GR2)은 평면상 선 형상, 점 형상 등의 다양한 형상을 가질 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 벤딩 영역(BA1)에 위치하는 제1 그루브들(GR1)은 점 형상을 가질 수 있고, 제2 벤딩 영역(BA2)에 위치하는 제2 그루브들(GR2)은 선 형상을 가질 수 있다. 예를 들면, 점 형상을 갖는 제1 그루브들(GR1)은 제1 방향(D1) 및 제3 방향(D3)을 따라 배열될 수 있고, 선 형상을 갖는 제2 그루브들(GR2)은 제1 방향(D1)으로 연장되며 제3 방향(D3)을 따라 배열될 수 있다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 아니하고, 다른 실시예에 있어서, 제1 그루브들(GR1)은 선 형상 등을 다른 형상들을 가질 수도 있고, 제2 그루브들(GR2)은 점 형상 등의 다른 형상들을 가질 수도 있다.
그루브들(GR1, GR2)은 벤딩 영역(BA) 내에서 실질적으로 균일하게 또는 불균일하게 배열될 수 있다. 도 8 및 도 9에는 그루브들(GR1, GR2)이 벤딩 영역(BA) 내에서 실질적으로 균일하게 배열되어 있으나, 그루브들(GR1, GR2)은 벤딩 영역(BA) 내에서 불균일하게 배열될 수도 있다. 예를 들면, 벤딩 영역(BA) 내에서 스트레스가 큰 부분에는 그루브들(GR1, GR2)이 조밀하게 배치될 수 있고, 스트레스가 작은 부분에는 그루브들(GR1, GR2)이 희박하게 배치될 수 있다. 다시 말해, 벤딩 영역(BA) 내에서 스트레스가 큰 부분에는 단위 면적 당 그루브들(GR1, GR2)의 개수가 상대적으로 클 수 있고, 스트레스가 작은 부분에는 단위 면적 당 그루브들(GR1, GR2)의 개수가 상대적으로 작을 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 가요성 표시 장치는 컴퓨터, 노트북, 휴대폰, 스마트폰, 스마트패드, 피엠피(PMP), 피디에이(PDA), MP3 플레이어 등에 포함되는 표시 장치에 적용될 수 있다.
이상, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 가요성 표시 장치에 대하여 도면들을 참조하여 설명하였지만, 설시한 실시예들은 예시적인 것으로서 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 수정 및 변경될 수 있을 것이다.
100: 베이스 구조물 110: 제1 베이스층
120: 제1 배리어층 130: 제2 베이스층
140: 제2 배리어층 200: 회로 구조물
230: 제1 무기 절연층 250: 제2 무기 절연층
300: 평탄화층 400: 표시 구조물
410: 제1 전극 420: 화소 정의막
430: 발광층 440: 제2 전극
500: 봉지 구조물 510: 제1 무기 봉지층
520: 유기 봉지층 530: 제2 무기 봉지층
GR1: 제1 그루브 GR2: 제2 그루브
NBA: 비벤딩 영역 BA: 벤딩 영역
DA: 표시 영역 DA1: 제1 표시 영역
DA2: 제2 표시 영역 NDA: 비표시 영역

Claims (20)

  1. 비벤딩 영역 및 벤딩 영역을 포함하는 가요성 표시 장치에 있어서,
    회로 구조물;
    상기 회로 구조물 상에 배치되는 표시 구조물; 및
    상기 회로 구조물의 상부에 배치되고, 상기 벤딩 영역에 대응하는 그루브(groove)를 갖는 유기층을 포함하고,
    상기 표시 구조물은:
    상기 회로 구조물 상에 배치되는 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 배치되는 발광층; 및
    상기 발광층 상에 배치되는 제2 전극을 포함하며,
    상기 그루브는 상기 제1 전극에 중첩하지 않는, 가요성 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 회로 구조물과 상기 표시 구조물 사이에 배치되는 평탄화층을 더 포함하고,
    상기 표시 구조물은 상기 평탄화층 상의 상기 제1 전극의 주변에 배치되는 화소 정의막을 더 포함하며,
    상기 유기층은 상기 평탄화층 또는 상기 화소 정의막인, 가요성 표시 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 표시 구조물 상에 배치되는 봉지 구조물을 더 포함하고,
    상기 그루브 내에는 상기 봉지 구조물의 일부가 위치하는, 가요성 표시 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 봉지 구조물은:
    상기 표시 구조물 상에 배치되는 제1 무기 봉지층;
    상기 제1 무기 봉지층 상에 배치되는 유기 봉지층; 및
    상기 유기 봉지층 상에 배치되는 제2 무기 봉지층을 포함하고,
    상기 제2 무기 봉지층의 상기 그루브 내의 부분의 높이는 상기 그루브 외의 부분의 높이보다 낮은, 가요성 표시 장치.
  5. 제2 항에 있어서,
    상기 그루브는 노출된, 가요성 표시 장치.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 비벤딩 영역은 제1 표시 영역 및 상기 제1 표시 영역의 일 측부에 위치하는 제2 표시 영역을 포함하고,
    상기 벤딩 영역은 상기 제1 표시 영역과 상기 제2 표시 영역의 경계에 위치하는, 가요성 표시 장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 비벤딩 영역은 표시 영역 및 상기 표시 영역의 일 측부에 위치하는 비표시 영역을 포함하고,
    상기 벤딩 영역은 상기 표시 영역과 상기 비표시 영역의 경계에 위치하는, 가요성 표시 장치.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 유기층은 상기 벤딩 영역 내에 복수의 그루브들을 포함하는, 가요성 표시 장치.
  11. 비벤딩 영역 및 벤딩 영역을 포함하는 가요성 표시 장치에 있어서,
    베이스 구조물;
    상기 베이스 구조물 상에 배치되는 회로 구조물;
    상기 회로 구조물 상에 배치되는 평탄화층;
    상기 평탄화층 상에 배치되는 제1 전극;
    상기 평탄화층 상의 상기 제1 전극의 주변에 배치되는 화소 정의막;
    상기 제1 전극 상에 배치되는 발광층; 및
    상기 발광층 상에 배치되는 제2 전극을 포함하고,
    적어도 상기 화소 정의막에는 상기 벤딩 영역에 대응하고, 상기 제1 전극에 중첩하지 않는 그루브(groove)가 형성되는, 가요성 표시 장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 그루브는 상기 평탄화층 및 상기 화소 정의막에 형성되는, 가요성 표시 장치.
  13. 제11 항에 있어서,
    상기 제2 전극 상에 배치되는 봉지 구조물을 더 포함하고,
    상기 그루브 내에는 상기 봉지 구조물의 일부가 위치하는, 가요성 표시 장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 봉지 구조물은:
    상기 제2 전극 상에 배치되는 제1 무기 봉지층;
    상기 제1 무기 봉지층 상에 배치되는 유기 봉지층; 및
    상기 유기 봉지층 상에 배치되는 제2 무기 봉지층을 포함하고,
    상기 제2 무기 봉지층의 상기 그루브 내의 부분의 높이는 상기 그루브 외의 부분의 높이보다 낮은, 가요성 표시 장치.
  15. 제11 항에 있어서,
    상기 그루브는 노출된, 가요성 표시 장치.
  16. 비벤딩 영역 및 벤딩 영역을 포함하는 가요성 표시 장치에 있어서,
    적어도 하나의 베이스층을 포함하는 베이스 구조물;
    상기 베이스 구조물 상에 배치되는 회로 구조물;
    상기 회로 구조물 상에 배치되는 평탄화층; 및
    상기 평탄화층 상에 배치되는 표시 구조물을 포함하고,
    상기 베이스 구조물의 상기 적어도 하나의 베이스층에는 상기 벤딩 영역에 대응하는 그루브(groove)가 형성되며,
    상기 베이스 구조물은:
    제1 베이스층;
    상기 제1 베이스층 상에 배치되는 제1 배리어층;
    상기 제1 배리어층 상에 배치되는 제2 베이스층; 및
    상기 제2 베이스층과 상기 회로 구조물 사이에 배치되는 제2 배리어층을 포함하고,
    상기 그루브는 상기 제1 베이스층, 상기 제1 배리어층, 상기 제2 베이스층, 및 상기 제2 배리어층에 형성되는, 가요성 표시 장치.
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 제16 항에 있어서,
    상기 회로 구조물은:
    상기 베이스 구조물 상에 배치되는 제1 무기 절연층; 및
    상기 제1 무기 절연층 상에 배치되는 제2 무기 절연층을 포함하고,
    상기 제1 무기 절연층 및 상기 제2 무기 절연층은 상기 그루브를 덮으며,
    유기물이 상기 제2 무기 절연층 상의 상기 그루브를 채우는, 가요성 표시 장치.
KR1020190035281A 2019-03-27 2019-03-27 가요성 표시 장치 KR102441330B1 (ko)

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