KR20210066555A - 유기발광 표시장치 - Google Patents

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 표시영역과 표시영역 주변의 비표시영역이 있는 기판을 포함할 수 있다. 비표시영역에는 신호나 전원이 입력되는 패드가 배치될 수 있다. 패드와 표시영역 사이에 배치되며, 패드를 통해 입력된 전원을 표시영역으로 전달하는 도선이 형성될 수 있다. 도선은 기판과 인접하게 배치되는 하부층, 하부층 위에 배치되는 상부층 및 상부층과 하부층 사이에 중간층을 포함한다. 상부층의 양쪽 측면은 하부층의 상면과 중첩할 수 있다.

Description

유기발광 표시장치{Organic Light Emitting Display Apparatus}

본 명세서는 유기발광 표시장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 유기발광 표시장치의 전원배선을 통한 투습을 차단할 수 있는 유기발광 표시장치에 관한 것이다.

유기발광 표시장치에 사용되는 유기발광소자는 두 개의 전극 사이에 발광층이 형성된 자발광소자이다. 유기발광소자는 전자(election) 주입전극(cathode)과 정공(hole) 주입전극(anode)으로부터 각각 전자와 정공을 발광층 내부로 주입시켜, 주입된 전자와 정공이 결합한 엑시톤(exciton)이 여기 상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광하는 소자이다.

유기발광 표시장치는 유기발광소자를 이용하여 표시 패널을 형성한다. 표시 패널은 빛이 방출되는 방향에 따라 상부발광(Top-Emission) 방식, 하부발광(Bottom-Emission) 방식 및 양면발광(Dual-Emission) 등으로 구현될 수 있고, 구동방식에 따라 수동 매트릭스형(Passive Matrix)과 능동 매트릭스형(Active Matrix) 등으로 구현될 수 있다. 유기발광 표시장치는 연성을 부여하여 곡면을 갖게 하거나 인위적으로 또는 기계적으로 구부러지게 하는 등 다양한 형태로 구현되고 있다.

즉, 유기발광 표시장치는 연성을 갖는 표시 패널을 기반으로 제작할 수 있어 인위적으로 또는 기계적으로 구부러지게 하거나 곡면을 갖게 하는 등 다양한 형태로 구현 가능하다.

유기발광 표시장치는 위와 같은 특성이 있어 그 활용 범위가 무궁무진하다. 하지만 종래 제안된 유기발광 표시장치는 구조적 특성상 투습이 발생할 경우 표시영역의 내측까지 전파되어 수명이 저하되거나 흑점과 같은 화질 불량이 발생할 수 있으므로 다양한 방식으로 수분의 침투 및/또는 전파를 차단한다. 특히 외곽부에 침투하여 확산하는 수분을 막기 위한 다양한 구조가 연구/적용되고 있다.

상술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 도선의 에지를 따라 투습이 전파되는 시간을 지연하고, 도선의 손상 발생 가능성을 낮추어 표시 패널의 수명과 신뢰성을 향상함과 더불어 화질 불량 발생 가능성을 저지하고, 또한 봉지층의 밀봉 특성을 향상하는 것이다. 본 명세서의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

전술한 바와 같이 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 표시영역과 표시영역 주변의 비표시영역이 있는 기판을 포함할 수 있다. 비표시영역에는 신호나 전원이 입력되는 패드가 배치될 수 있다. 패드와 표시영역 사이에 배치되며, 패드를 통해 입력된 전원을 표시영역으로 전달하는 도선이 형성될 수 있다. 도선은 기판과 인접하게 배치되는 하부층, 하부층 위에 배치되는 상부층 및 상부층과 하부층 사이에 중간층을 포함한다. 상부층의 양쪽 측면은 하부층의 상면과 중첩할 수 있다.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어있다.

본 명세서의 실시예들은, 본 발명은 도선의 에지를 따라 투습이 전파되는 시간을 지연함과 더불어 도선의 손상 발생 가능성을 낮추어 표시 패널의 수명과 신뢰성을 향상함과 더불어 화질 불량 발생 가능성을 저지할 수 있는 유기발광 표시장치를 제공하는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 봉지층 형성 시 스텝 커버리지(Step Coverage)를 향상시켜 봉지층의 밀봉 특성을 향상할 수 있는 유기발광 표시장치를 제공하는 효과가 있다.

이상에서 해결하고자 하는 과제, 과제 해결 수단, 효과에 기재한 발명의 내용이 청구항의 필수적인 특징을 특정하는 것은 아니므로, 청구항의 권리범위는 발명의 내용에 기재된 사항에 의하여 제한되지 않는다.

도 1은 유기전계발광 표시장치의 개략적인 블록도이다.
도 2는 서브 픽셀의 개략적인 회로 구성도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 서브 픽셀의 회로 구성을 개략적으로 도시하는 예시도이다.
도 4는 표시 패널의 단면을 개략적으로 도시하는 예시도이다.
도 5는 도 4에 도시된 표시 패널의 기구적 특성을 보여주는 예시도이다.
도 6은 전자장치에 포함될 수 있는 예시적인 표시장치를 도시한다.
도 7은 본 명세서의 일 실시예에 따른 표시장치의 표시 영역 및 비표시 영역을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 8a 및 8b는 본 명세서의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 외곽부 구조를 나타낸 도면이다.
도 9a 내지 도9c는 본 명세서의 다른 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 외곽부 구조를 나타낸 도면이다.
도 10a 내지 도10b는 본 명세서의 또 다른 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 외곽부 구조를 나타낸 도면이다.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들면, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.

소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위 (on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.

명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.

도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하며, 당업자가 충분히 이해할 수 있듯이 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시 가능할 수도 있다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시 예를 상세하게 설명하기로 한다.

도 1은 유기발광 표시장치의 개략적인 블록도이고, 도 2는 서브 픽셀의 개략적인 회로 구성도이며, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 서브 픽셀의 회로 구성 예시도이다.

도 1에 도시된 바와 같이, 유기발광 표시장치에는 영상 처리부(160), 타이밍 제어부(150), 데이터 구동부(130), 게이트 구동부(140) 및 표시 패널(101)이 포함된다.

영상 처리부(160)는 외부로부터 공급된 데이터신호(DATA)와 더불어 데이터 인에이블 신호(DE) 등을 출력한다. 영상 처리부(160)는 데이터 인에이블 신호(DE) 외에도 수직 동기신호, 수평 동기신호 및 클럭신호 중 하나 이상을 출력할 수 있으나 이 신호들은 설명의 편의상 생략 도시한다. 영상 처리부(160)는 시스템 회로기판에 IC(Integrated Circuit) 형태로 형성된다.

타이밍 제어부(150)는 영상 처리부(160)로부터 데이터 인에이블 신호(DE) 또는 수직 동기신호, 수평 동기신호 및 클럭신호 등을 포함하는 구동신호와 더불어 데이터신호(DATA)를 공급받는다.

타이밍 제어부(150)는 구동신호에 기초하여 게이트 구동부(140)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호(GDC)와 데이터 구동부(130)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호(DDC)를 출력한다. 타이밍 제어부(150)는 제어 회로기판에 IC 형태로 형성된다.

데이터 구동부(130)는 타이밍 제어부(150)로부터 공급된 데이터 타이밍 제어신호(DDC)에 응답하여 타이밍 제어부(150)로부터 공급되는 데이터신호(DATA)를 샘플링하고 래치하여 감마 기준전압으로 변환하여 출력한다. 데이터 구동부(130)는 데이터라인들(DL1 ~ DLn)을 통해 데이터신호(DATA)를 출력한다. 데이터 구동부(130)는 데이터 회로기판에 IC 형태로 형성된다.

게이트 구동부(140)는 타이밍 제어부(150)로부터 공급된 게이트 타이밍 제어신호(GDC)에 응답하여 게이트신호를 출력한다. 게이트 구동부(140)는 게이트라인들(GL1 ~ GLm)을 통해 게이트신호를 출력한다. 게이트 구동부(140)는 게이트 회로기판에 IC 형태로 형성되거나 표시 패널(101)에 게이트인패널(Gate In Panel) 방식으로 형성된다.

표시 패널(101)은 데이터 구동부(130) 및 게이트 구동부(140)로부터 공급된 데이터신호(DATA) 및 게이트신호에 대응하여 영상을 표시한다. 표시 패널(101)은 영상을 표시하는 서브 픽셀들(SP)을 포함한다.

서브 픽셀은 구조에 따라 전면발광(Top-Emission) 방식, 배면발광(Bottom-Emission) 방식 또는 양면발광(Dual-Emission) 방식으로 형성된다. 서브 픽셀들(SP)은 적색 서브 픽셀, 녹색 서브 픽셀 및 청색 서브 픽셀을 포함하거나 백색 서브 픽셀, 적색 서브 픽셀, 녹색 서브 픽셀 및 청색 서브 픽셀을 포함한다. 서브 픽셀들(SP)은 발광 특성에 따라 하나 이상 다른 발광 면적을 가질 수 있다.

도 2에 도시된 바와 같이, 하나의 서브 픽셀에는 스위칭 트랜지스터(SW), 구동 트랜지스터(DR), 커패시터(Cst), 보상회로(CC) 및 유기 발광다이오드(OLED)가 포함된다. 유기 발광다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(DR)에 의해 형성된 구동 전류에 따라 빛을 발광하도록 동작한다.

스위칭 트랜지스터(SW)는 제1a게이트라인(GL1a)을 통해 공급된 게이트신호에 응답하여 제1데이터라인(DL1)을 통해 공급되는 데이터신호가 커패시터(Cst)에 데이터전압으로 저장되도록 스위칭 동작한다. 구동 트랜지스터(DR)는 커패시터(Cst)에 저장된 데이터전압에 따라 고전위전원라인(VDD)과 저전위전원라인(VGND) 사이로 구동 전류가 흐르도록 동작한다.

보상회로(CC)는 구동 트랜지스터(DR)의 문턱전압 등을 보상하기 위한 회로이다. 보상회로(CC)는 하나 이상의 박막 트랜지스터와 커패시터로 구성된다. 보상회로(CC)의 구성은 보상 방법에 따라 매우 다양한바 이에 대해 하나만 예시하여 다음과 같이 설명한다.

도 3에 도시된 바와 같이, 보상회로(CC)에는 센싱 트랜지스터(ST)와 레퍼런스라인(VREF)이 포함된다. 센싱 트랜지스터(ST)는 구동 트랜지스터(DR)의 소오스라인과 유기 발광다이오드(OLED)의 애노드전극 사이(이하 센싱노드)에 접속된다. 센싱 트랜지스터(ST)는 레퍼런스라인(VREF)을 통해 전달되는 초기화전압(또는 센싱전압)을 센싱노드에 공급하거나 센싱노드의 전압 또는 전류를 센싱할 수 있도록 동작한다.

스위칭 트랜지스터(SW)는 제1a게이트라인(GL1a)에 게이트전극이 연결되고 제1데이터라인(DL1)에 제1전극이 연결되고 구동 트랜지스터(DR)의 게이트전극에 제2전극이 연결된다. 구동 트랜지스터(DR)는 스위칭 트랜지스터(SW)의 제2전극에 게이트전극이 연결되고 제1전원라인(EVDD)에 제1전극이 연결되고 유기 발광다이오드(OLED)의 애노드전극에 제2전극이 연결된다. 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(DR)의 게이트전극에 제1전극이 연결되고 유기 발광다이오드(OLED)의 애노드전극에 제2전극이 연결된다. 유기 발광다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(DR)의 제2전극에 애노드전극이 연결되고 제2전원라인(EVSS)에 캐소드전극이 연결된다. 센싱 트랜지스터(ST)는 제1b게이트라인(GL1b)에 게이트전극이 연결되고 레퍼런스라인(VREF)에 제1전극이 연결되고 센싱노드인 구동 트랜지스터(DR)의 제2전극 및 유기 발광다이오드(OLED)의 애노드전극에 제2전극이 연결된다.

일례로, 센싱 트랜지스터(ST)의 동작 시간은 보상 알고리즘(또는 보상 회로의 구성)에 따라 스위칭 트랜지스터(SW)와 유사/동일하거나 다를 수 있다. 레퍼런스라인(VREF)은 데이터 구동부에 연결될 수 있다. 이 경우, 데이터 구동부는 실시간, 영상의 비표시기간 또는 N 프레임(N은 1 이상 정수) 기간 동안 서브 픽셀의 센싱노드를 센싱하고 센싱결과를 생성할 수 있게 된다.

이 밖에, 센싱결과에 따른 보상 대상은 디지털 형태의 데이터신호, 아날로그 형태의 데이터신호 또는 감마 등이 될 수 있다. 그리고 센싱결과를 기반으로 보상신호(또는 보상전압) 등을 생성하는 보상 회로는 데이터 구동부의 내부, 타이밍 제어부의 내부 또는 별도의 회로로 구현될 수 있다.

광차단층(LS)은 구동 트랜지스터(DR)의 채널영역 하부에만 배치되거나 구동 트랜지스터(DR)의 채널영역 하부뿐만 아니라 스위칭 트랜지스터(SW) 및 센싱 트랜지스터(ST)의 채널영역 하부에도 배치될 수 있다. 광차단층(LS)은 단순히 외광을 차단할 목적으로 사용하거나, 광차단층(LS)을 다른 전극이나 라인과의 연결을 도모하고, 커패시터 등을 구성하는 전극으로 활용할 수 있다.

기타, 도 3에서는 스위칭 트랜지스터(SW), 구동 트랜지스터(DR), 커패시터(Cst), 유기 발광다이오드(OLED), 센싱 트랜지스터(ST)를 포함하는 3T(Transistor)1C(Capacitor) 구조의 서브 픽셀을 일례로 설명하였지만, 보상회로(CC)가 추가된 경우 3T2C, 4T2C, 5T1C, 6T2C 등으로 구성될 수도 있다.

또한, 스위칭 트랜지스터(SW), 구동 트랜지스터(DR), 센싱 트랜지스터(ST)와 같은 박막 트랜지스터들은 저온 폴리실리콘(LTPS), 아몰포스 실리콘(a-Si), 산화물(Oxide) 또는 유기물(Organic) 반도체층을 기반으로 구현될 수 있다.

도 4는 표시 패널의 단면 예시도이고, 도 5는 도 4에 도시된 표시 패널의 기구적 특성을 보여주는 예시도이며, 도 6은 표시 패널의 평면 예시도이고, 도 7은 하나의 서브 픽셀을 기준으로 나타낸 표시 패널의 단면 예시도이다.

도 4에 도시된 바와 같이, 표시 패널(101)에는 제1기판(101a), 표시 영역(A/A), 봉지층(120) 및 제2기판(101b)이 포함된다. 제1기판(101a)과 제2기판(101b)은 폴리이미드(polyimide; PI), 폴리에테르술폰(polyethersulfone; PES), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene terephthalate; PET), 폴리카보네이트(Polycarbonates; PC), 폴리에틸렌 나프탈레이트(Polyethylene Naphthalate; PEN), 아크릴로니트릴 부타디엔 스티렌(Acrylonitrile butadiene styrene; ABS) 등의 플라스틱으로 선택된다.

표시 영역(A/A)은 제1기판(101a)과 제2기판(101b) 사이에 형성된다. 표시 영역(A/A)에는 서브 픽셀들, 각종 신호라인 및 전원라인들이 형성된다. 표시 영역(A/A)에 위치하는 서브 픽셀들, 각종 신호라인 및 전원라인들은 박막 공정에 의해 형성된다.

표시 영역(A/A)에 형성된 서브 픽셀들, 각종 신호라인 및 전원라인들과 같은 구조물은 수분(습기)이나 산소에 취약하다. 이 때문에, 표시 영역(A/A)은 봉지층(120)에 의해 보호된다. 봉지층(120)은 단층 또는 복층으로 구성될 수 있고 또한 유기층과 무기층이 교번 적층되도록 형성될 수 있다. 봉지층(120)의 층간 구조에 따라 제2기판(101b)은 생략될 수도 있다.

위와 같은 표시 패널(101)을 기반으로 제작된 유기발광 표시장치는 전면발광(Top-Emission) 방식, 배면발광(Bottom-Emission) 방식 또는 양면발광(Dual-Emission) 방식으로 구현된다.

도 5에 도시된 바와 같이, 앞서 설명된 표시 패널(101)은 연성을 가질 수 있다. 그러므로 연성을 갖는 표시 패널(101)을 기반으로 제작된 유기발광 표시장치는 인위적으로 또는 기계적으로 구부러지게 하거나 곡면을 갖게 하는 등 다양한 형태로 구현된다.

도 6은 전자장치에 포함될 수 있는 예시적인 표시장치를 도시한다.

도 6을 참조하면, 표시장치(100)는 적어도 하나의 표시 영역(active area)을 포함하고, 표시 영역(A/A)에는 화소(pixel)들의 어레이(array)가 형성된다. 하나 이상의 비표시 영역(inactive area)이 표시 영역(A/A)의 주위에 배치될 수 있다. 즉, 비표시 영역(I/A)은, 표시 영역(A/A)의 하나 이상의 측면에 인접할 수 있다. 도 6에서, 비표시 영역(I/A)은 사각형 형태의 표시 영역을 둘러싸고 있다. 그러나, 표시 영역(A/A)의 형태 및 표시 영역(A/A)에 인접한 비표시 영역(I/A)의 형태/배치는 도 6에 도시된 예에 한정되지 않는다. 표시 영역(A/A) 및 비표시 영역(I/A)은, 표시장치(100)를 탑재한 전자장치의 디자인에 적합한 형태일 수 있다. 표시 영역(A/A)의 예시적 형태는 오각형, 육각형, 원형, 타원형 등이다.

표시 영역(A?A) 내의 각 화소는 화소 회로와 연관될 수 있다. 화소 회로는, 백플레인(backplane) 상의 하나 이상의 스위칭 트랜지스터 및 하나 이상의 구동 트랜지스터를 포함할 수 있다. 각 화소 회로는, 비표시 영역(I/A)에 위치한 게이트 드라이버 및 데이터 드라이버와 같은 하나 이상의 구동 회로와 통신하기 위해, 게이트 라인 및 데이터 라인과 전기적으로 연결될 수 있다.

구동 회로는, 도 6에 도시된 것처럼, 비표시 영역에 TFT(thin film transistor)로 구현될 수 있다. 이러한 구동 회로는 GIP(gate-in-panel)로 지칭될 수 있다. 또한, 데이터 드라이버 IC와 같은 몇몇 부품들은, 분리된 인쇄 회로 기판에 탑재되고, FPCB(flexible printed circuit board), COF(chip-on-film), TCP(tape-carrier-package) 등과 같은 회로 필름을 이용하여 상기 비표시 영역에 배치된 연결 인터페이스(PAD, 범프, 핀 등)와 결합될 수 있다. 비표시 영역은 연결 인터페이스와 함께 구부러져서, 인쇄 회로(COF, PCB 등)는 표시장치(100)의 뒤편에 위치될 수 있다.

표시장치(100)는, 다양한 신호를 생성하거나 표시 영역내의 화소를 구동하기 위한, 다양한 부가 요소들을 더 포함할 수 있다. 화소를 구동하기 위한 부가 요소는 인버터 회로, 멀티플렉서, 정전기 방전 회로(electro static discharge) 등일 수 있다. 표시장치(100)는 화소 구동 이외의 기능과 연관된 부가 요소도 포함할 수 있다. 예를 들어, 표시장치(100)는 터치 감지 기능, 사용자 인증 기능(예: 지문 인식), 멀티 레벨 압력 감지 기능, 촉각 피드백(tactile feedback) 기능 등을 제공하는 부가 요소들을 포함할 수 있다. 언급된 부가 요소들은 비표시 영역 및/또는 연결 인터페이스와 연결된 외부 회로에 위치할 수 있다.

표시장치(100)의 하나 이상의 모서리(edge)는 중앙 부분(central portion)에서 멀어지도록 구부러질 수도 있다. 표시장치(100)의 하나 이상의 부분이 구부러질 수 있으므로, 표시장치(100)는 실질적으로 평평한(flat) 부분 및 굴곡(bended) 부분으로 정의될 수 있다. 즉, 표시장치(100)의 일 부분(예: 패드(PAD)와 표시 영역 사이의 배선부)은 소정의 각도로 구부러지며, 이러한 부분은 굴곡 부분으로 지칭될 수 있다. 상기 굴곡 부분은, 소정의 굴곡 반지름으로 실제로 휘어지는 굴곡 구간(bended section)을 포함한다. 항상 그런 것은 아니지만, 표시장치(100)의 중앙부분은 실질적으로 평평하고, 모서리 부분은 굴곡 부분일수 있다.

비표시 영역을 구부리면, 비표시 영역이 표시장치의 앞면에서는 안보이거나 최소로만 보이게 된다. 비표시 영역 중 표시장치의 앞면에서 보이는 일부는 베젤(bezel)로 가려질 수 있다. 상기 베젤은 독자적인 구조물, 또는 하우징이나 다른 적합한 요소로 형성될 수 있다. 비표시 영역 중 표시장치의 앞면에서 보이는 일부는 블랙 잉크(예: 카본 블랙으로 채워진 폴리머)와 같은 불투명한 마스크 층 아래에 숨겨질 수도 있다. 이러한 불투명한 마스크 층은 표시장치(100)에 포함된 다양한 층(터치센서층, 편광층, 덮개층 등) 상에 마련될 수 있다.

굴곡 부분은, 굴곡축에 대한 굴곡각 θ및 굴곡 반지름 R을 갖고 중앙 부분으로부터 바깥쪽으로 구부러질 수 있다. 각 굴곡 부분의 크기는 동일할 필요는 없다. 또한, 굴곡 축 둘레의 굴곡 각 θ및 상기 굴곡축으로부터의 곡률 반지름 R은 굴곡 부분마다 다를 수 있다.

도 7는 본 명세서의 일 실시예에 따른 표시장치의 표시 영역 및 비표시 영역을 개략적으로 나타낸 단면도이다.

도시된 표시 영역(A/A) 및 비표시 영역(I/A)은, 도 1에서 서술된 표시 영역(A/A) 및 비표시 영역(I/A)의 적어도 일부에 적용될 수 있다. 이하에서는 유기발광 표시장치(Organic Light Emitting Display)를 일 예로 하여 표시장치를 설명한다.

유기발광 표시장치의 경우, 표시 영역(A/A)에는 제1기판으로 베이스 층(101a) 상에 박막트랜지스터(102, 104, 108), 유기발광 소자(112, 114, 116) 및 각종 기능 층(layer)들이 위치한다. 한편, 비표시 영역에(I/A)는 베이스 층(101a) 상에 각종 구동 회로(예: GIP), 전극, 배선, 기능성 구조물 등이 위치할 수 있다.

베이스 층(101aa)은 유기발광 표시장치(100)의 다양한 구성요소들을 지지한다. 베이스 층(101a)은 투명한 절연 물질, 예를 들어 유리, 플라스틱 등과 같은 절연 물질로 형성될 수 있다. 기판(어레이 기판)은, 상기 베이스 층(101a) 위에 형성된 소자 및 기능 층, 예를 들어 스위칭 TFT, 구동 TFT, 유기발광소자, 봉지층 등을 포함하는 개념으로 지칭되기도 한다.

버퍼 층(130)이 베이스 층(101a) 상에 위치할 수 있다. 버퍼 층(buffer layer)(130)은 베이스 층(101a) 또는 하부의 층들에서 유출되는 알칼리 이온 등과 같은 불순물로부터 박막트랜지스터(Thin Film Transistor: TFT)(102, 104, 108)를 보호하기 위한 기능 층이다. 버퍼 층(130)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 또는 이들의 다층으로 이루어질 수 있다. 버퍼 층(130)은 멀티 버퍼(multi buffer) 및/또는 액티브 버퍼(active buffer)를 포함할 수 있다.

베이스 층(101a) 또는 버퍼 층(130) 위에 박막트랜지스터(102, 104, 108)가 놓인다. 박막트랜지스터는 반도체 층(active layer), 게이트 절연 층(gate insulator), 게이트 전극, 층간 절연 층((interlayer dielectric layer, ILD), 소스(source) 및 드레인(drain) 전극이 순차적으로 적층된 형태일 수 있다. 이와는 달리, 박막트랜지스터(102, 104, 108)는 도 7처럼 게이트 전극(104), 게이트 절연 층(105), 반도체 층(102), 소스 및 드레인 전극(108)이 순차적으로 배치된 형태일 수 있다.

반도체 층(102)은 폴리 실리콘(p-Si)으로 만들어질 수 있으며, 이 경우 소정의 영역이 불순물로 도핑될 수도 있다. 또한, 반도체 층(102)은 아몰포스 실리콘(a-Si)으로 만들어질 수도 있고, 펜타센 등과 같은 다양한 유기 반도체 물질로 만들어질 수도 있다. 나아가 반도체 층(102)은 산화물(oxide)로 만들어질 수도 있다.

게이트 전극(104)은 다양한 도전성 물질, 예컨대, 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 금(Au) 또는 이들의 합금 등으로 형성될 수 있다.

게이트 절연 층(105), 층간 절연 층은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx) 등과 같은 절연성 물질로 형성될 수 있으며, 이외에도 절연성 유기물 등으로 형성될 수도 있다. 게이트 절연 층(105)과 층간 절연 층의 선택적 제거로 소스 및 드레인 영역이 노출되는 컨택 홀(contact hole)이 형성될 수 있다.

소스 및 드레인 전극(108)은 게이트 절연 층(105) 또는 층간 절연 층 상에 전극용 물질로 단일층 또는 다층의 형상으로 형성된다. 필요에 따라 무기 절연 물질로 구성된 패시베이션층(109)이 상기 소스 및 드레인 전극(108)을 덮을 수도 있다.

평탄화 층(107)이 박막트랜지스터 상에 위치할 수 있다. 평탄화 층(107)은 박막트랜지스터(102, 104, 108)를 보호하고 그 상부를 평탄화한다. 평탄화 층(107)은 다양한 형태로 구성될 수 있는데, BCB(Benzocyclobutene) 또는 아크릴(Acryl) 등과 같은 유기 절연막, 또는 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산화막(SiOx)와 같은 무기 절연막으로 형성될 수도 있고, 단층으로 형성되거나 이중 혹은 다중 층으로 구성될 수도 있는 등 다양한 변형이 가능하다.

유기발광소자는 제1 전극(112), 유기발광 층(114), 제2 전극(116)이 순차적으로 배치된 형태일 수 있다. 즉, 유기발광소자는 평탄화 층(107) 상에 형성된 제1 전극(112), 제1 전극(112) 상에 위치한 유기발광 층(114) 및 유기발광 층(114) 상에 위치한 제2 전극(116)으로 구성될 수 있다.

제1 전극(112)은 컨택 홀을 통해 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극(108)과 전기적으로 연결된다. 유기발광 표시장치(100)가 상부 발광(top emission) 방식인 경우, 이러한 제1 전극(112)은 반사율이 높은 불투명한 도전 물질로 만들어질 수 있다. 예를 들면, 제1 전극(112)은 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 크롬(Cr) 또는 이들의 합금 등으로 형성될 수 있다. 제1 전극(112)은 유기발광 다이오드의 애노드(anode)일 수 있다.

뱅크(110)는 발광 영역을 제외한 나머지 영역에 형성된다. 이에 따라, 뱅크(110)는 발광 영역과 대응되는 제1 전극(112)을 노출시키는 뱅크 홀을 가진다. 뱅크(110)는 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산화막(SiOx)와 같은 무기 절연 물질 또는 BCB, 아크릴계 수지 또는 이미드계 수지와 같은 유기 절연물질로 만들어질 수 있다.

유기발광 층(114)이 뱅크(110)에 의해 노출된 제1 전극(112) 상에 위치한다. 유기발광 층(114)은 발광층, 전자주입층, 전자수송층, 정공수송층, 정공주입층 등을 포함할 수 있다. 유기발광 층은, 하나의 빛을 발광하는 단일 발광층 구조로 구성될 수도 있고, 복수 개의 발광층으로 구성되어 백색 광을 발광하는 구조로 구성될 수도 있다.

제2 전극(116)이 유기발광층(114) 상에 위치한다. 유기발광 표시장치(100)가 상부 발광(top emission) 방식인 경우, 제2 전극(116)은 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO) 또는 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide; IZO) 등과 같은 투명한 도전 물질로 형성됨으로써 유기발광 층(114)에서 생성된 광을 제2 전극(116) 상부로 방출시킨다. 상기 제2 전극(116)은 유기발광 다이오드의 캐소드(cathode)일 수 있다.

봉지층(120)이 제2 전극(116) 상에 위치한다. 상기 봉지층(120)은, 발광 재료와 전극 재료의 산화를 방지하기 위하여, 외부로부터의 산소 및 수분 침투를 막는다. 유기발광소자가 수분이나 산소에 노출되면, 발광 영역이 축소되는 화소 수축(pixel shrinkage) 현상이 나타나거나, 발광 영역 내 흑점(dark spot)이 생길 수 있다. 상기 봉지 층(encapsulation layer)은 유리, 금속, 산화 알루미늄(AlOx) 또는 실리콘(Si) 계열 물질로 이루어진 무기막으로 구성되거나, 또는 유기막(122)과 무기막(121-1, 121-2)이 교대로 적층된 구조일 수도 있다. 이때, 무기막(121-1, 121-2)은 수분이나 산소의 침투를 차단하는 역할을 하고, 유기막(122)은 무기막(121-1, 121-2)의 표면을 평탄화하는 역할을 한다. 봉지 층을 여러 겹의 박막 층으로 형성하면, 단일 층일 경우에 비해 수분이나 산소의 이동 경로가 길고 복잡하게 되어 유기발광소자까지 수분/산소가 침투하는 것이 어려워진다.

배리어 필름이 봉지층(120) 상에 위치하여 베이스 층(101a) 전체를 봉지할 수도 있다. 배리어 필름은 위상차 필름 또는 광등방성 필름일 수 있다. 이때, 접착 층이 배리어 필름과 봉지층(120) 사이에 위치할 수 있다. 접착 층은 봉지층(120)과 배리어 필름을 접착시킨다. 접착 층(145)은 열 경화형 또는 자연 경화형의 접착제일 수 있다. 예를 들어, 접착 층은 B-PSA(Barrier pressure sensitive adhesive)와 같은 물질로 구성될 수 있다.

비표시 영역(I/A)에는 화소 회로 및 발광 소자가 배치되지 않지만 베이스 층(101a)과 유기/무기 기능 층들(130, 105, 107 120 등)은 존재할 수 있다. 또한, 비표시 영역(I/A)에는 표시 영역(A/A)의 구성에 사용된 물질들이 다른 용도로 배치될 수 있다. 예를 들어, 표시 영역 TFT의 게이트 전극과 동일한 금속(104'), 또는 소스/드레인 전극과 동일한 금속(108')이 배선 또는 전극용으로 비표시 영역(I/A)에 배치될 수 있다. 더 나아가, 유기발광 다이오드의 일 전극(예: 애노드)과 동일한 금속(112')이 배선, 전극용으로 비표시 영역(I/A)에 배치될 수도 있다.

비표시 영역(I/A)의 베이스 층(101a), 버퍼 층(130), 게이트 절연 층(105), 평탄화 층(107) 등은 표시 영역(A/A)에서 설명된 것과 같다. 댐(190)은 유기막(122)이 비표시 영역(I/A)에 너무 멀리 퍼지는 것을 제어하는 구조물이다. 비표시 영역(I/A)에 배치된 각종 회로와 전극/전선은 게이트 금속(104') 및/또는 소스/드레인 금속(108')으로 만들어질 수 있다. 이때, 게이트 금속(104')은 TFT의 게이트 전극과 동일한 물질로 동일 공정에서 형성되며, 소스/드레인 금속(108')은 TFT의 소스/드레인 전극과 동일한 물질로 동일 공정에서 형성된다.

예를 들어, 소스/드레인 금속은 전원(예: 기저 전원(V_SS)) 배선(108')으로 사용될 수 있다. 이때, 전원 배선(108')은 금속 층(112')과 연결되고, 유기발광 다이오드의 캐소드(116)는 소스/드레인 금속(108') 및 금속 층(112')과의 연결을 통해 전원을 공급받을 수 있다. 금속 층(112')은 전원 배선(108')과 접촉하고, 평탄화 층(107)의 최외곽 측벽을 타고 연장되어 평탄화 층(107) 상부에서 캐소드(116)와 접촉할 수 있다. 상기 금속 층(112')은 유기발광 다이오드의 제1 전극(112)과 동일한 물질로 동일한 공정에서 형성된 금속 층일 수 있다.

도 8a 및 8b는 본 명세서의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 외곽부 구조를 나타낸 예시도이다.

도 8a는 도 6의 A 영역을 확대한 도면으로, 특정 도선(conductive line)들만 도시되었으며, 기타 도선(데이터 라인, 게이트 신호 라인 등)은 생략되었다. 한편, 도 8a에는 구부러질 수 있는 굴곡 구간(B)이 예시되었다. 상기 굴곡 구간은 도 6에서 설명된 바와 같다. 한편, 도 7에 설명된 구조의 봉지 층(120)이 A 영역의 일부 또는 전부를 덮을 수 있다. 도 8b는 봉지층(120)이 A 영역의 일부를 덮은 것을 나타내었다.

상기 도선(108')은 연결 인터페이스(PAD)로부터 표시 영역 방향으로 연장된다. 이때 상기 도선(108')은 단일 층상에 형성될 수도 있고, 도시된 것과 같이 2개 층에 있는 도체들(108' 및 104')이 연결될 수도 있다.

도선(108')은, 표시 영역의 화소 회로에 저준위 전원(V_SS)을 전달하는 도선일 수 있다. 이 경우에 도선(108')은, 표시 영역 전체를 둘러쌀 수 있다. 또 다르게 도선(108')은, 상기 표시 영역의 화소 회로에 고준위 전원(V_DD) 또는 초기화 전원(V_INI)을 전달하는 도선일 수도 있다. 도 8a의 예에서, 좌측의 도선은 저준위 전원(V_SS)을 전달하는 도선이고, 우측의 도선은 초기화 전원(V_INI)을 전달하는 도선이다.

도선(108')은, 표시 영역에 있는 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 또는 드레인 전극과 동일한 층상에 동일한 금속으로 형성된 것일 수 있다. 이때, 도선(108')은 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti) 순으로 적층된 다층 구조를 갖는 금속(소위, Ti/Al/Ti)일 수 있다. 도 8b는 도선(108') 아래에 게이트 절연 층(105)을 나타냈지만, 이는 일 구현 예일뿐이고, 다른 층들이 도선(108') 아래에 놓일 수 있다.

예시한 티타늄(Ti)/알루미늄(Al)/티타늄(Ti)으로 구성된 도선(108')은 후속 공정, 예컨대 유기발광 다이오드의 애노드 형성 공정 등에서 식각 약액(etchant)에 노출되어 식각될 우려가 있다. (특히, 알루미늄은 티타늄에 비해 식각에 약하다.) 이러한 불필요한 식각은 도선 불량을 야기할 수 있기 때문에, 도선(108')은 그 모서리 영역이 유기물 층(107)으로 덮인다. 유기물 층(107)은 상술한 공정에서 도선(108')의 측면이 손상(식각)되는 것을 억제한다. 이때, 유기물 층(107)은, 제조의 효율성을 위해, 박막 트랜지스터(TFT) 상부의 평탄화 층과 동일한 물질로 동일한 공정에서 형성될 수 있다. 유기물 층(107)은 도선의 측면이 손상(식각)되는 것을 억제하지만 유기물 층(107)을 통해 수분이 표시장치 내부로 확산될 수 있다. 이런 현상을 방지하기 위해 도 8b와 같이 유기물 층(107)을 끊어주고 도선(108')은 도선(108')의 하부층에 있는 도체(104')를 통해 연결시킬 수 있다.

하지만 표시장치의 베젤이 점차 작아짐에 따라 상술한 구조를 사용한 공간이 부족하게 되어 발명자들은 이와 같은 문제를 인식하고 도선(108')의 형상을 통해 수분 확산을 예방하는 구조를 고안하였다.

도 9a 내지 9c는 본 명세서의 다른 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 외곽부 구조를 나타낸 도면이다.

최근의 표시장치는, 심미적/기능적 요청에 따라 표시 영역이 최대화되면서 비표시 영역(베젤)은 줄어드는 추세이다. 또한, 해상도가 증가하면서 각종 신호 선들이 증가하고 있다. 이에 따라 도 9a 및 9b와 같이, 교차하는 도선들(204', 206', 208')이 매우 많아졌다. 각 층의 도선들은 층간 절연 층(205-1, 205-2)으로 절연되어 있는데, 도 8a 및 도 8b와 같이 두 개 층의 금속을 점핑(jumping) 구조로 연결하여 하나의 도선으로 이용하기는 공간적으로 매우 어려워졌다. 즉, 각 층에는 이미 설계된 도선이 대부분의 공간을 점유하고 있어, 상부 또는 하부의 도선과 연결을 위한 도체를 더 배치할 자리가 없는 것이다.

도 9a 및 도 9b를 참조하면, 도선(208')의 양쪽 끝단이 올록볼록한 엠보 구조 또는 울퉁불퉁한 요철구조를 이루고 있다. 그리고, 도선(208')의 상부에는 유기물 층(207)을 제거하고 봉지층(220)이 도선(208')의 상부를 덮는 구조를 적용하였다. 수분은 도선(208')의 끝단을 따라 표시장치의 내부로 침투하는데 도선(208')의 양쪽 끝단을 엠보 구조 또는 요철구조로 형성하면 수분이 침투하는 경로가 길어지게 된다. 결국, 표시장치의 내부로 수분이 침투하는 현상을 지연시킬 수 있다.

하지만 발명자들은 상술한 구조에서 취약점을 발견하였다. 도 9c를 참조하면, 도선(208')의 상부에 도선 보호용 유기물 층(207)이 도선을 보호하지 않기 때문에 유기발광 다이오드의 애노드 형성 공정 시 도선(208')은 애노드 식각 약액(etchant)에 노출되어 식각이 되게 된다. 도선(208')은 상술한 바와 같이 티타늄(Ti)/알루미늄(Al)/티타늄(Ti)의 삼중층으로 구성되어 있는데 애노드 식각 약액에 대한 식각률(etch rate) 차이로 인해 중간에 위치한 알루미늄(Al)이 더 많이 식각이 되어 알루미늄 공극이 형성되게 된다. 이러한 공극은 상/하부의 티타늄(Ti) 팁(tip)에 의해서 형성된다. 이후 도선(208')의 상부에 봉지층(220)을 형성하는데 알루미늄 공극으로 인해 봉지층(220)이 도선(208')의 측면을 완전히 덮지 못하게 되어 봉지층(220)에는 심(seam)이라 불리는 움푹한 골(S)이 생기게 된다.

이러한 과정에서 골(S)은 갈라짐(crack) 등의 손상이 쉽게 발생하면서, 수분 등의 이물질이 침투할 수 있는 경로를 만들게 된다. 상기 침투한 수분은, 도선의 부식을 야기하거나 표시장치의 구동 불량을 유발할 수 있다. 이에, 발명자들은 이와 같은 문제를 인식하고 도선(208')의 구조를 통한 수분 확산을 예방하는 구조를 고안하였다.

도 10a 및 도 10b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 외곽부 구조를 개략적으로 도시하는 도면이다.

도 10a는 도 6의 A 부분을 확대한 도면으로, 설명의 편의를 위해 특정 도선(예: 전원배선)들만 도시되었고, 기타 도선(게이트 라인, 데이터 라인)은 생략되었다. 또한, 도선(308')들이 종류 별로 모두 도시되지는 않았다. 도 10a에는 구부러질 수 있는 굴곡 구간(B)이 예시되었다. 한편, 도 7에 설명된 구조의 봉지층이 A 영역의 일부 또는 전부를 덮을 수 있다. 이때, 봉지층은 굴곡 구간(B)의 아래쪽까지만 덮을 수 있으며, 굴곡에 의한 손상이 우려되는 굴곡 구간(B)에는 봉지층이 구비되지 않을 수 있다. 도 10b는 도 10a의 절단선 III-III'에 따른 단면도이다. 도 10b는 도선(308')의 하부에 게이트 절연 층(505-1, 505-2)이 있는 것으로 도시되었지만, 이는 일 구현 예일뿐이고, 다른 층들이 도선(308') 아래에 배치될 수 있다.

기판은 표시영역(AA)과 표시영역(AA) 주변의 비표시영역(IA)을 포함할 수 있다. 비표시영역(IA)에는 신호나 전원이 입력되는 패드(PAD)가 배치될 수 있다. 패드(PAD)와 표시영역(AA) 사이에 배치되며, 패드(PAD)를 통해 입력된 전원을 표시영역으로 전달하는 도선(308')이 형성될 수 있다. 도선(308')은 기판과 인접하게 배치되는 하부층(308'-1), 하부층(308'-1) 위에 배치되는 상부층(308'-2) 및 상부층(308'-2)과 하부층(308'-1) 사이에 중간층(308'-3)을 포함한다. 상부층(308'-2)의 양쪽 측면은 하부층(308'-1)의 상면과 중첩할 수 있다. 상부층(308'-2)의 폭은 중간층(308'-3)의 폭과 동일하게 형성되고 상부층(308'-2)과 중간층(308'-3)의 폭은 하부층(308'-1)의 폭보다 작게 형성될 수 있다. 즉, 하부층(308'-1)의 양쪽 끝단은 상부층(308'-2)과 하부층(308'-1)의 양쪽 측면보다 더 돌출된 구조를 가질 수 있다.

도선(308')의 상부층(308'-2)과 하부층(308'-1)은 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 상부층(308'-2)과 하부층(308'-1)은 티타늄(Ti)으로 이루어질 수 있으며, 중간층(308'-3)은 알루미늄(Al)으로 이루어질 수 있다.

표시영역(AA)에는 박막트랜지스터가 배치될 수 있다. 박막트랜지스터의 상부에 배치되며 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되는 유기발광소자를 포함할 수 있다. 유기발광소자의 상부에는 외부로부터 수분 및/또는 산소가 침투하는 것을 막는 봉지층(120)이 형성될 수 있다.

도선(308')은 표시영역(AA)에 있는 박막트랜지스터의 소스 및 드레인 전극(108)과 동일한 물질과 동일한 적층구조로 형성될 수 있다. 봉지층(320)은 도선의 상부층(308'-2)의 상면 전체를 덮고, 중간층(308'-3)의 측면을 덮도록 형성되어 있다. 그리고 봉지층(320)은 도선(308')의 상부층(308'-2)과 중간층(308'-3)의 끝단보다 돌출된 하부층(308'-1)의 상면과 측면을 덮도록 형성될 수 있다.

상술한 도선의 구조는 도 9c에서 설명한 애노드 식각액에 의해 도선의 중간층(308'-3)이 도선의 상부층(308'-2)과 하부층(308'-1)보다 더 많이 식각 되어 중간층(308'-3)에 공극이 발생한 후 중간층(308'-3)보다 돌출된 상부층(308'-2)의 팁(tip)을 제거함으로써 형성될 수 있다. 이와 같이 도선의 상부층(308'-2)의 돌출부분을 제거하여 중간층(308'-3)과 폭이 동일해지면 추후 도선(308')의 상부에 형성되는 봉지층(320)은 도선(308')의 상부층(308'-2), 중간층(308'-3) 및 하부층(308'-1)의 측면을 완전히 덮을 수 있게 된다.

본 명세서의 다른 실시예에서 유기발광 표시장치는 기판(301a)을 포함한다. 기판(301a) 상에 위치하는 서브 픽셀들로 이루어진 표시영역(AA)과 표시영역(AA) 주변의 비표시영역(IA)을 포함할 수 있다. 표시영역(AA)에는 박막트랜지스터가 배치된다. 박막트랜지스터 상부에 위치하며 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되는 유기발광소자를 포함할 수 있다.

기판(301a) 상에 위치하고 외부 회로기판과 전기적으로 연결되는 패드(PAD)를 포함할 수 있다. 패드(PAD)와 표시영역(AA) 사이에 배치되고 외부 장치에 전기적으로 연결되며 전원을 전달하는 도선(308')을 포함할 수 있다. 도선(308')은 기판(301a)으로부터 유기발광소자 방향으로 차례로 적층된 제1 금속층(308'-1), 제2 금속층(308'-2) 및 제3 금속층(308'-3)을 포함하며, 제1 금속층(308'-1)의 양쪽 측면은 제2 금속층(308'-2)과 제3 금속층(308'-3)의 양쪽 측면보다 더 연장되도록 형성될 수 있다.

도선(308')은 박막트랜지스터의 소스 및 드레인 전극(108)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 즉, 제1 금속층(308'-1)과 제3 금속층(308'-3)은 동일한 물질로 이루어져 있다. 유기발광소자의 상부에는 유기발광소자를 덮는 봉지층(320)을 더 포함할 수 있다. 봉지층(320)은 제1 금속층(308'-1)의 측면 전체와 상면의 일부에 접촉하며 덮을 수 있다. 또한, 봉지층(320)은 제3 금속층(308'-3)의 상면 및 제2 금속층(308'-2)의 측면 전체와 접촉하며 덮을 수 있다.

전술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 표시영역의 서브픽셀에 전원을 전달하는 도선은 표시영역에 배치된 박막트랜지스터의 소스 및 드레인 전극과 동일한 티타늄(Ti)/알루미늄(Al)/티타늄(Ti)의 삼중층으로 이루어져 있다. 도선의 상부에 유기물 층이 없는 구조에서는 도선의 중간층인 알루미늄이 과식각되어 알루미늄 공극이 발생하게 되고 봉지층 형성 시 도선의 측면에서 봉지층의 크랙이 발생할 수 있다. 본 발명에서는 도선의 상부층인 티타늄의 끝단을 제거하여 알루미늄 공극을 없애주어 봉지층의 크랙을 방지할 수 있다. 따라서, 유기발광 표시장치 내부로 수분 및 산소가 유입되는 것을 효과적으로 차단할 수 있어, 유기발광 표시장치의 신뢰성 또한 보다 향상시킬 수 있다.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서의 실시예들을 상세하게 설명하였으나, 본 명세서는 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 그 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 당업자에 의해 기술적으로 다양하게 연동 및 구동될 수 있으며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시되거나 연관 관계로 함께 실시될 수도 있다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

101: 표시패널
130: 데이터 구동부
140: 게이트 구동부
150: 타이밍 제어부
160: 영상 처리부
AA: 표시영역
IA: 비표시영역

Claims (17)

1. 표시영역 및 상기 표시영역 주변의 비표시영역을 포함하는 기판;
   상기 비표시영역에 배치되어 신호나 전원이 입력되는 패드;
   상기 패드와 상기 표시영역 사이에 배치되어 상기 패드를 통해 입력된 전원을 표시영역에 전달하는 도선;
   상기 도선은 상기 기판과 접촉하는 하부층, 상기 하부층 위에 상부층 및 상기 상부층과 상기 하부층 사이에 중간층을 포함하며, 상기 상부층의 양쪽 측면은 상기 하부층의 상면과 중첩하는 유기발광 표시장치.
2. 제1 항에 있어서,
   상기 상부층과 상기 중간층의 폭은 동일한 유기발광 표시장치.
3. 제2 항에 있어서,
   상기 상부층과 상기 중간층의 폭은 상기 하부층의 폭보다 작은 유기발광 표시장치.
4. 제3 항에 있어서,
   상기 하부층의 양쪽 끝단은 상기 상부층과 상기 하부층의 양쪽 측면보다 더 돌출된 유기발광 표시장치.
5. 제1 항에 있어서,
   상기 상부층과 상기 하부층은 동일한 물질로 이루어진 유기발광 표시장치.
6. 제1 항에 있어서,
   상기 표시영역에 배치되는 박막트랜지스터;
   상기 박막트랜지스터의 상부에 배치되며 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되는 유기발광소자;
   상기 유기발광소자를 덮는 봉지층을 더 포함하는 유기발광 표시장치.
7. 제6 항에 있어서,
   상기 도선은 상기 박막트랜지스터의 소스 및 드레인 전극과 동일한 물질로 이루어진 유기발광 표시장치.
8. 제6 항에 있어서,
   상기 봉지층은 상기 상부층의 상면 전체를 덮고, 상기 중간층의 측면을 덮는 유기발광 표시장치.
9. 제8 항에 있어서,
   상기 봉지층은 상기 상부층의 측면과 중첩하지 않는 상기 하부층의 상면 및 측면을 덮는 유기발광 표시장치.
10. 제1 항에 있어서,
    상기 도선은
    상기 패드를 통해 공급된 고전위전원을 상기 표시영역에 전달하는 고전위전원배선과,
    상기 패드를 통해 공급된 저전위전원을 상기 표시영역에 전달하는 저전위전원배선과,
    상기 패드를 통해 공급된 전압을 상기 표시영역에 전달함과 더불어 상기 표시영역의 센싱결과를 상기 패드부로 전달하는 레퍼런스배선 중 적어도 하나를 포함하는 유기발광 표시장치.
11. 기판;
    상기 기판 상에 위치하는 서브 픽셀들로 이루어진 표시영역;
    상기 표시영역에 위치하는 박막트랜지스터;
    상기 박막트랜지스터 상부에 위치하며 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되는 유기발광소자;
    상기 제1 기판 상에 위치하고 외부 회로기판과 전기적으로 연결되는 패드;
    상기 패드와 상기 표시영역 사이에 배치되고 외부 장치에 전기적으로 연결되며 전원을 전달하는 도선;을 포함하고,
    상기 도선은 상기 기판으로부터 상기 유기발광소자 방향으로 차례로 적층된 제1 금속층, 제2 금속층 및 제3 금속층을 포함하며, 상기 제1 금속층의 양쪽 측면은 상기 제2 금속층과 상기 제3 금속층의 양쪽 측면보다 더 연장되는 유기발광 표시장치.
12. 제11 항에 있어서,
    상기 제1 금속층은 상기 제3 금속층과 동일한 물질로 이루어진 유기발광 표시장치.
13. 제11 항에 있어서,
    상기 유기발광소자를 덮는 봉지층을 더 포함하는 유기발광 표시장치.
14. 제13 항에 있어서,
    상기 봉지층은 상기 제1 금속층의 측면 전체와 상면의 일부를 덮는 유기발광 표시장치.
15. 제13 항에 있어서,
    상기 봉지층은 상기 제3 금속층의 상면 전체를 덮고, 상기 제2 금속층의 측면을 덮는 유기발광 표시장치.
16. 제11 항에 있어서,
    상기 도선은 상기 박막트랜지스터의 소스 및 드레인 전극과 동일한 물질로 이루어진 유기발광 표시장치.
17. 제11 항에 있어서,
    상기 도선은
    상기 패드를 통해 공급된 고전위전원을 상기 표시영역에 전달하는 고전위전원배선과,
    상기 패드를 통해 공급된 저전위전원을 상기 표시영역에 전달하는 저전위전원배선과,
    상기 패드를 통해 공급된 전압을 상기 표시영역에 전달함과 더불어 상기 표시영역의 센싱결과를 상기 패드부로 전달하는 레퍼런스배선을 포함하는 유기발광 표시장치.

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