CN111029376A - 显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种显示面板及显示装置,所述显示面板包括:像素定义层、通孔、第一有机层、第一隔离柱、第二隔离柱以及第二有机层。本发明的技术效果在于,提高隔离柱与有机层之间的等效夹角,增强对有机层的隔断作用,进一步提高阴极层与辅助阴极之间的导通性,进而可以降低显示面板的电压降,提升显示装置的亮度均一性。
Description
技术领域
本发明涉及显示领域,特别涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
在大尺寸AMOLED面板中,发光模式分为顶发射和底发射两种发光方案,其中顶发射具有高开口率的优点。在目前OLED器件的寿命较短的问题上,高的开口率可以缓解器件寿命带来的显示劣化。但是由于顶发射方案需要让OLED器件发出的光穿过阴极,因此,阴极的厚度需要做得很薄,以保证光的透过率。这一要求会使得阴极的面电阻变得很大。较大的面电阻会使得不同位置产生的电压降不一致,最终影响OLED器件的电流,影响面板的显示均一性。
如图1所示,目前较多的解决方案是设计一个辅助电极100去降低薄阴极300的面电阻,辅助电极的主要方案是制作倒梯形piller隔离柱来实现,piller功能是用于隔断发光材料,以便于辅助电极与阴极接触。因此piller的形状是设计师影响辅助电极导通的关键因素。但是现有的显示面板中隔离柱200在实际制程中,倒梯形taper角会受到制程的限制,过大的taper角会使得OLED材料蒸镀到辅助阴极100上阻碍搭接,进而影响显示装置的亮度均一性。
发明内容
本发明的目的在于,解决现有技术的显示面板中电压降过大、亮度均一性差的技术问题。
为实现上述目的,本发明提供一种显示面板,包括:像素定义层;通孔,贯穿所述像素定义层;第一有机层,设于所述通孔内及所述像素定义层一侧的表面;第一隔离柱,设于所述通孔内,且设于所述第一有机层远离所述像素定义层一侧的表面;第二隔离柱,设于所述第一隔离柱远离所述第一有机层一侧的表面;以及第二有机层,设于所述第二隔离柱远离所述第一隔离柱一侧的表面。
进一步地,所述第一隔离柱的纵向截面为梯形;所述第二隔离柱的纵向截面为梯形。
进一步地,所述第一隔离柱底部的宽度小于其顶部的宽度;所述第二隔离柱底部的宽度小于其顶部的宽度。
进一步地,所述第一隔离柱的顶部的宽度小于第二隔离柱的底部的宽度。
进一步地,所述第一隔离柱顶部的侧边与所述通孔内的第一有机层表面的夹角为第一夹角;所述第二隔离柱顶部的侧边与其同侧的所述第一隔离柱的底部的夹角为第二夹角。
进一步地,所述第二夹角小于所述第一夹角。
进一步地,所述显示面板还包括阴极层,设于所述第一有机层及所述第二有机层远离所述像素定义层一侧的表面。
进一步地,所述显示面板还包括:基板;遮光层,设于所述基板一侧的表面;缓冲层,设于所述遮光层远离所述基板一侧的表面;有源层,设于所述缓冲层远离所述基板一侧的表面;栅极绝缘层,设于所述有源层远离所述缓冲层一侧的表面;栅极层,设于所述栅极绝缘层远离所述有源层一侧的表面;介电层,设于所述栅极层远离所述缓冲层一侧的表面;源漏极层,设于所述介电层远离所述缓冲层一侧的表面,且穿过所述介电层,电连接至所述有源层;辅助阴极,设于所述介电层远离所述缓冲层一侧的表面,且与所述通孔相对设置;钝化层,设于所述源漏极层、所述辅助阴极及所述介电层远离所述缓冲层一侧的表面;平坦层,设于所述钝化层远离所述介电层一侧的表面;以及电极层,设于所述平坦层远离所述钝化层一侧的表面,且设于所述平坦层与所述像素定义层之间。
进一步地,一部分电极层穿过所述平坦层及所述钝化层,电连接至所述辅助电极;另一部分电极层穿过所述平坦层及所述钝化层,电连接至所述源漏极层。
为实现上述目的,本发明还提供一种显示装置,包括所述的显示面板。
本发明的技术效果在于,提高隔离柱与有机层之间的等效夹角,增强对有机层的隔断作用,进一步提高阴极层与辅助阴极之间的导通性,进而可以降低显示面板的电压降,提升显示装置的亮度均一性。
附图说明
下面结合附图,通过对本申请的具体实施方式详细描述,将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为现有技术中显示面板的结构示意图;
图2为本发明实施例所述显示面板的结构示意图;
图3为本发明实施例所述第一隔离柱的示意图;
图4为本发明实施例所述第一隔离柱与所述第二隔离柱的结构示意图。
部分组件标识如下:
100、辅助阴极;200、隔离柱;300、阴极;
1、基板;2、遮光层;3、缓冲层;4、有源层;5、栅极绝缘层;6、栅极层;7、介电层;8、源漏极层;9、辅助阴极;10、钝化层;11、平坦层;12、电极层;13、像素定义层;141、第一有机层;142、第二有机层;15、第一隔离柱;16、第二隔离柱;17、阴极层。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本申请。此外,本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
本实施例提供一种显示装置,包括如图2所示的显示面板,所述显示面板包括基板1、遮光层2、缓冲层3、有源层4、栅极绝缘层5、栅极层6、介电层7、源漏极层8、辅助阴极9、钝化层10、平坦层11、电极层12、像素定义层13、有机层、第一隔离柱15、第二隔离柱16以及阴极层17。
基板1为玻璃基板,起到支撑及衬底的作用。
遮光层2设于基板1的上表面,起到遮光作用。遮光层2的材质为遮光材料,所述遮光材料为金属,包括:钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等,或者是合金。
缓冲层3设于遮光层2及基板1的上表面,起到缓冲的作用,缓冲层3的材质为无机材料,所述无机材料包括硅的氧化物或硅的氮化物,或是氧化物与硅的氮化物的多层结构。
有源层4设于缓冲层3的上表面,有源层4的材质为半导体材料,所述半导体材料包括铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓钛氧化物(IZTO),铟镓锌钛氧化物(IGZTO)。有源层4设于遮光层2的上方,即有源层4与遮光层2相对设置,有源层4给显示面板提供电路支持。
栅极绝缘层5设于有源层4的上表面,栅极绝缘层5的材质为无机材料,所述无机材料包括硅的氧化物或硅的氮化物或是多层薄膜结构。栅极绝缘层5与有源层4相对设置,栅极绝缘层5起到绝缘的作用,防止显示面板内部的各线路之间短路。
栅极层6设于栅极绝缘层5的上表面,栅极层6的材质为金属材料,所述金属材料包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等,或者是合金,或者是多层薄膜结构。栅极层6与栅极绝缘层5相对设置。
介电层7设于栅极层6、有源层4及缓冲层3的上表面,介电层7的材质为为无机材料,所述无机材料包括硅的氧化物或硅的氮化物或是多层薄膜结构,起到绝缘作用,防止电路短路。在有源层4的上方设有绝缘层通孔,所述绝缘层通孔贯穿介电层7,所述绝缘层通孔便于电极层12与有源层4之间的电性连接。
源漏极层8设于介电层7的上表面,源漏极层8的材质包括金属材料,所述金属材料包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等,或者是合金,或者是多层薄膜结构。部分金属材料设于所述绝缘层通孔内,源漏极层8通过所述绝缘层通孔电连接至有源层4,形成电路连接。
辅助阴极9设于介电层7的上表面,辅助阴极9可与阴极搭接,降低阴极的方块电阻。
钝化层10设于介电层7、源漏极层8及辅助阴极9的上表面,钝化层10的材质包括硅的氧化物材料。钝化层10起到绝缘作用及隔绝外界水氧的作用。
平坦层11设于钝化层10的上表面,平坦层11使得膜层表面平整,利于后续膜层的贴合,防止出现脱离的现象。在平坦层11上设有平坦层通孔,所述平坦层通孔与源漏极层8相对设置,为电极层12提供通道。
电极层12设于平坦层11的上表面,电极层12为像素电极,电极层12的材质为氧化铟锡材料,填满所述平坦层通孔,使得电极层12与源漏极层8电性连接,为后续发光材料的发光提供电路支持。一部分电极层12穿过平坦层11及钝化层10,电连接至辅助电极9,另一部分电极层12穿过平坦层11及钝化层10,电连接至源漏极层8。
像素定义层13设于平坦层11及电极层12的上表面,起到定义显示面板的发光层大小的作用。像素定义层13上设有通孔,所述通孔贯穿像素定义层13,所述通孔与辅助阴极9相对设置,为有机层提供通道。
第一有机层141设于像素定义层13的上表面,且延伸至所述通孔的底部及其内侧壁,第一有机层141的材质为有机材料,第一有机层141为多层有机膜层的叠层结构,包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层等。
第一隔离柱(piller)15设于第一有机层141的上表面,且设于所述通孔内。第一隔离柱15的纵向截面为梯形,第一隔离柱15底部的宽度小于其顶部的宽度,第一隔离柱15顶部的侧边与所述通孔内的第一有机层表面的夹角为第一夹角θ1(参见图3),第一夹角θ1为taper角。
第二隔离柱(piller)16设于第一隔离柱15的上表面,第二隔离柱16的纵向截面为梯形,第二隔离柱16底部的宽度小于其顶部的宽度,第一隔离柱15的顶部的宽度小于第二隔离柱16底部的宽度,第二隔离柱16顶部的侧边与其同侧的第一隔离柱15的底部的夹角为第二夹角θ2(参见图4),第二夹角θ2为等效角,并不是实际存在的夹角,第二夹角θ2小于第一夹角θ1,相当于在原有的制程能力上提高了隔离柱的制程水平,增强对有机层的隔断作用,进一步提高阴极层与辅助阴极之间的导通性,进而可以降低显示面板的电压降,提升显示装置的亮度均一性。
第二有机层142设于第二隔离柱16的上表面,与第一有机层141的材质完全相同,第二有机层142为多层有机膜层的叠层结构,包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层等。
阴极层17设于第一有机层141及第二有机层142的上表面,阴极层17在所述通孔内有效搭接至辅助阴极9,降低显示面板的电压降,进一步提高显示面板的显示均匀性。
本实施例所述显示装置的技术效果在于,提高隔离柱与有机层之间的等效夹角,增强对有机层的隔断作用,进一步提高阴极层与辅助阴极之间的导通性,进而可以降低显示面板的电压降,提升显示装置的亮度均一性。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及显示装置进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
像素定义层;
通孔,贯穿所述像素定义层;
第一有机层,设于所述通孔内及所述像素定义层一侧的表面;
第一隔离柱,设于所述通孔内,且设于所述第一有机层远离所述像素定义层一侧的表面;
第二隔离柱,设于所述第一隔离柱远离所述第一有机层一侧的表面;以及
第二有机层,设于所述第二隔离柱远离所述第一隔离柱一侧的表面。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述第一隔离柱的纵向截面为梯形;
所述第二隔离柱的纵向截面为梯形。
3.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述第一隔离柱底部的宽度小于其顶部的宽度;
所述第二隔离柱底部的宽度小于其顶部的宽度。
4.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述第一隔离柱的顶部的宽度小于第二隔离柱的底部的宽度。
5.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述第一隔离柱顶部的侧边与所述通孔内的第一有机层表面的夹角为第一夹角;
所述第二隔离柱顶部的侧边与其同侧的所述第一隔离柱的底部的夹角为第二夹角。
6.如权利要求5所述的显示面板,其特征在于,
所述第二夹角小于所述第一夹角。
7.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括
阴极层,设于所述第一有机层及所述第二有机层远离所述像素定义层一侧的表面。
8.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:
基板;
遮光层,设于所述基板一侧的表面;
缓冲层,设于所述遮光层远离所述基板一侧的表面;
有源层,设于所述缓冲层远离所述基板一侧的表面;
栅极绝缘层,设于所述有源层远离所述缓冲层一侧的表面;
栅极层,设于所述栅极绝缘层远离所述有源层一侧的表面;
介电层,设于所述栅极层远离所述缓冲层一侧的表面;
源漏极层,设于所述介电层远离所述缓冲层一侧的表面,且穿过所述介电层,电连接至所述有源层;
辅助阴极,设于所述介电层远离所述缓冲层一侧的表面,且与所述通孔相对设置;
钝化层,设于所述源漏极层、所述辅助阴极及所述介电层远离所述缓冲层一侧的表面;
平坦层,设于所述钝化层远离所述介电层一侧的表面;以及
电极层,设于所述平坦层远离所述钝化层一侧的表面,且设于所述平坦层与所述像素定义层之间。
9.如权利要求8所述的显示面板,其特征在于,
一部分电极层穿过所述平坦层及所述钝化层,电连接至所述辅助电极;
另一部分电极层穿过所述平坦层及所述钝化层,电连接至所述源漏极层。
10.一种显示装置,包括如权利要求1-9中任一项所述的显示面板。
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CN201911171231.8A CN111029376A (zh) | 2019-11-26 | 2019-11-26 | 显示面板及显示装置 |
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Cited By (3)
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WO2023197386A1 (zh) * | 2022-04-11 | 2023-10-19 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 |
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