CN212874544U

CN212874544U - 一种显示面板

Info

Publication number: CN212874544U
Application number: CN202022120775.6U
Authority: CN
Inventors: 骆丽兵
Original assignee: Fujian Huajiacai Co Ltd
Current assignee: Fujian Huajiacai Co Ltd
Priority date: 2020-09-24
Filing date: 2020-09-24
Publication date: 2021-04-02
Anticipated expiration: 2030-09-24

Abstract

本实用新型公布一种显示面板，包括基板、第二平坦层、像素发光层、内封装层和阴极；在基板上设置有第二平坦层，第二平坦层上设置有第一孔和第二孔，所述第一孔中设置有所述像素发光层，所述第二孔环绕所述第一孔，所述第二孔中设置有所述内封装层，所述内封装层环绕像素发光层，所述内封装层用于防止水汽和氧气入侵到像素发光层；所述阴极设置在所述像素发光层和所述内封装层上。上述技术方案在每个独立的发光子像素周围建立内封装层，来阻挡沿背板无机膜层中入侵的水氧，以加强对显示面板及像素的保护。内封装层嵌入第二平坦层，与第二平坦层之间具有更好的结合能力，更好地阻隔水氧的入侵，维持像素稳定性。

Description

一种显示面板

技术领域

本实用新型涉及显示面板制作领域，尤其涉及一种显示面板。

背景技术

AMOLED全称为：Active-matrix organic light-emitting diode，译为：有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体，是一种显示屏技术。其中，“OLED”为有机发光二极体(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示器；“AM”为有源矩阵体或称主动式矩阵体是指背后的像素寻址技术。与较传统的TFT-LCD显示器相比，其具备自发光、不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快等优异特性，成为了现今主流的显示屏技术。

IGZO(indium gallium zinc oxide)显示屏技术作为一种新型的薄膜电晶体技术，由于其能耗低、响应时间快、低温制造、良好的弯曲性能、可实现高分辨率等优异性能，成为了柔性AMOLED“主动式矩阵”开关的首选技术。

由于显示面板所使用的发光材料(即像素发光层)对水汽和氧气极其敏感，一旦有水汽和氧气与像素发光层接触，就会降低像素发光层的发光效率，甚至是直接失效。为确保OLED显示面板的品质，需要可靠的封装技术和稳定的驱动电路来支持。

在申请号为202010867721.8，名称为一种显示面板制作方法的专利中，通常是在阴极上制作无机层和有机层的叠层，来起到阻隔水氧的效果。

实用新型内容

为此，需要提供一种显示面板，解决显示面板的封装效果不足的问题。

为实现上述目的，本实施例提供了一种显示面板，包括基板、第二平坦层、像素发光层、内封装层和阴极；

在基板上设置有第二平坦层，第二平坦层上设置有第一孔和第二孔，所述第一孔中设置有所述像素发光层，所述第二孔环绕所述第一孔，所述第二孔中设置有所述内封装层，所述内封装层环绕像素发光层，所述内封装层用于防止水汽和氧气入侵到像素发光层；

所述阴极设置在所述像素发光层和所述内封装层上。

进一步地，所述像素发光层为多个，所述内封装层为多个；

一个内封装层环绕一个像素发光层一圈。

进一步地，还包括薄膜晶体管、钝化层、第一平坦层和阳极；

在基板上设置有薄膜晶体管；

在薄膜晶体管上设置有钝化层；

在钝化层上设置有第一平坦层，第一平坦层上设置有第三孔，第三孔的孔底为薄膜晶体管的源极或者漏极，所述第一孔贯穿所述第一平坦层；

在第一平坦层上设置有阳极，所述阳极通过第三孔连接所述薄膜晶体管的源极或者漏极；

所述第二平坦层设置在所述第一平坦层和所述阳极上，所述第一孔的孔底为所述阳极，所述像素发光层连接所述阳极。

进一步地，所述内封装层有位于在第三孔上方的部分；

在垂直于基板表面的方向上，所述内封装层的上表面是位于同一高度，且内封装层在第三孔区域处的长度大于内封装层在第三孔区域外的长度。

进一步地，在第二平坦层表面上的所述内封装层是朝着相对于像素发光层的一侧方向延伸。

区别于现有技术，上述技术方案在每个独立的发光子像素周围建立内封装层，来阻挡沿背板无机膜层中入侵的水汽和氧气，以加强对显示面板及像素的保护。内封装层是嵌入第二平坦层的，与第二平坦层之间具有更好的结合能力，更好地阻隔水氧的入侵，维持像素的稳定性。

附图说明

图1为本实施例制作显示面板的工艺流程图；

图2为本实施例在基板上从薄膜晶体管制作到第二平坦层的剖面结构示意图；

图3为本实施例在基板上制作内封装层的剖面结构示意图；

图4为本实施例在基板上制作阴极、支柱和盖板的剖面结构示意图。

附图标记说明：

1、基板；

2、薄膜晶体管；

21、栅极；

22、第一绝缘层；

23、有源层；

24、源极；

25、漏极；

3、钝化层；

4、第一平坦层；

5、阳极；

6、第二平坦层；

61、第一孔；

62、第二孔；

7、像素发光层；

8、内封装层；

9、阴极；

10、支柱；

11、盖板。

具体实施方式

为详细说明技术方案的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合具体实施例并配合附图详予说明。

请参阅图1至图4，本实施例提供一种显示面板制作方法，包括如下步骤：在基板1上制作薄膜晶体管2，该步骤对应图1中的步骤一至步骤二。所述基板1为玻璃基板或者塑料基板等，所述薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)作为开关来控制显示面板上的线路导通与否。所述薄膜晶体管2包括源极、漏极、栅极和有源层，所述薄膜晶体管2为顶栅结构或者底栅结构。

请参阅图1，在底栅结构的薄膜晶体管中，栅极21位于基板1上，所述栅极21上设置有第一绝缘层22。在第一绝缘层22上设置有所述有源层23，所述有源层23设置在栅极21的正上方。在有源层23上设置有所述源极24和所述漏极25，所述源极24和所述漏极25同层设置。

在顶栅结构的薄膜晶体管(附图未展示)中，有源层位于基板1上，有源层上设置有第一绝缘层。第一绝缘层上设置有栅极，栅极位于有源层的正上方。所述栅极上设置有第二绝缘层。所述第二绝缘层(附图未展示出)上设置有源极和漏极，源极和漏极同层设置，源极和漏极分别通过第二绝缘层上的孔连接到有源层。

优选的，所述栅极为单层钼或者多层金属堆叠，所述栅极的厚度为0.07um(微米)～0.10um(微米)。

优选的，所述源极(或者漏极)为单层钼或者多层金属堆叠，所述源极(或者漏极)的厚度为0.25um(微米)～0.30um(微米)。

优选的，所述有源层为多晶硅、碳纳米管或者氧化物半导体。优选的，所述有源层为铟镓锌氧化物(IGZO)，是IGZOTFT显示面板的核心材料层，其膜层厚度为0.05(微米)～0.07um(微米)。

为了避免源极和漏极短接，制作钝化层3，请参阅图2，该步骤对应图1中的步骤三；具体的，可以采用化学气相沉积法镀上氮化硅、氧化硅或其他绝缘的材料，在薄膜晶体管2上形成钝化层3，所述钝化层3覆盖薄膜晶体管2，起到避免源极和漏极连接而短路。

为了填平基板上因为成型薄膜晶体管所造成的高低不平，制作第一平坦层4，请参阅图2，该步骤对应图1中的步骤三。具体的，可以采用化学气相沉积法镀上氮化硅、氧化硅或其他绝缘的材料，在钝化层3上形成第一平坦层4，所述第一平坦层4覆盖所述钝化层3。所述第一平坦层4具有一定的厚度，所述第一平坦层4的上表面是平整的平面，能够平整显示面板因各种不同层图案所造成的面内段差，便于后续膜层的良好叠加，提升显示面板的显示效果。

所述第一平坦层4制作完毕后，在所述第一平坦层4上制作第三孔，第三孔用于连接所述源极(或者所述漏极)与阳极，请参阅图2，该步骤对应图1中的步骤三。具体的，先涂布光阻，随后图形化光阻，即对光阻进行曝光和显影，使得要制作第三孔的部位开口，而后以光阻为掩模蚀刻第一平坦层至薄膜晶体管的源极或者漏极，形成第三孔，所述第三孔的孔底为薄膜晶体管的源极或者漏极。第三孔制作完毕后，清除光阻。当阳极要连接所述源极，那么就在源极上方的第一平坦层蚀刻出第三孔；当阳极要连接所述漏极，那么就在漏极上方的第一平坦层蚀刻出第三孔。

第三孔制作完毕后，制作阳极5，所述阳极5通过所述第三孔连接所述薄膜晶体管的源极24或者漏极25，请参阅图2，步骤对应图1中的步骤四；具体的，涂布光阻，随后图形化光阻，即对光阻进行曝光和显影，使得要制作阳极5的部位开口。采用溅镀或者蒸镀的方式镀上阳极材料，阳极材料如氧化铟锡(Indium tin oxide，缩写ITO)或者其他相似的材料，最终在第一平坦层4上形成阳极5。所述阳极5无需覆盖全部的第一平坦层4。所述阳极制作完毕后，清除光阻。所述阳极的厚度为0.20um～0.22um。

然后制作第二平坦层6(也称作像素定义层)，第二平坦层6的作用是定义显示面板的每一个独立子像素单元，其大小限定了显示面板单个像素的大小。所述第二平坦层6可以为氧化硅或者氮化硅等，所述第二平坦层6的厚度为2.0um～2.2um。优选的，所述第二平坦层6为氧化硅。

然后蚀刻第二平坦层形成第一孔61，所述第一孔61用于容置像素发光层，请参阅图3，步骤对于图1中的步骤五。具体的，涂布光阻，随后图形化光阻，即对光阻进行曝光和显影，使得要制作第一孔的部位开口。然后以光阻为掩模蚀刻第二平坦层至阳极，形成第一孔61，所述第一孔61的孔底为所述阳极。第一孔制作完毕后，清除光阻。

然后蚀刻第二平坦层6形成第二孔62，所述第二孔62用于容置内封装层8。优选的，所述第二孔62环绕所述第一孔61一圈，使得之后第二孔62中的内封装层8也是包围住像素发光层。

因为第一平坦层设置有第三孔，此处的第二平坦层的厚度比较深，所以优选的，第二孔有位于所述三孔上方的部分。同时，第二孔在第三孔区域处(即位于图3中的右侧)的深度大于第二孔在第三孔区域外(即位于图3中的左侧)的深度，第二孔在第三孔区域外的(即位于图3中的左侧)孔底为第一平坦层。

首先以光阻为掩模蚀刻第二平坦层至第一平坦层的上表面，形成所述第二孔，第一次蚀刻后清除光阻。

接着在第三孔上方的第二孔的孔底处继续蚀刻第二平坦层，最大的深度可以是蚀刻第二平坦层到阳极上表面。具体的，涂布光阻，图形化光阻，使得在第三孔上方的第二孔的部位开口。继续以光阻为掩模蚀刻第二孔处的第二平坦层到阳极上表面或者不到阳极上表面处。

或者，第三孔上方的第二孔和第三孔外的第二孔是各自制作的，那么第三孔上方的第二孔和第三孔外的第二孔之间是具有间隔或者没有间隔，并不影响之后隔绝水氧的能力。

第二孔62制作完毕后，制作内封装层8，请参阅图3，步骤对应图1中的步骤六；具体的，可在较低温度情况下使用等离子增强化学气相沉积在第二孔中形成内封装层，所述内封装层是布满第二孔中，所述内封装层的上表面是位于同一高度。封装圈可以为氧化硅或者氮化硅薄膜，具有抗钠能力强、耐水汽能力强、化学稳定性好、耐酸和耐碱的特性。

要说明的是，俯视显示面板时，所述内封装层和横截面的形状可以是矩形、圆形、三角形或者多边形等，像素发光层就设置在所述内封装层的中心，从而像素发光层被内封装层包围住。

在一个优选的实施例中，在垂直于基板表面的方向上，内封装层在第三孔区域处(位于图3中的右侧)的长度大于内封装层在第三孔区域外(位于图3中的左侧)的长度。如，位于第三孔区域外的内封装层(位于图3中的左侧)的高度可以为2.2um～2.4um，位于第三孔区域处的内封装层(位于图3中的左侧)的高度可以为1.0um～1.2um。这样是为了让内封装层深入下方的膜层，进一步提高内封装层阻隔水汽和氧气的有效范围。

在另一个优选的实施例中，为了加强内封装层与第二平坦层的结合能力，所述内封装层延伸出第二孔外到第二平坦层的上表面，所述内封装层的上表面是平整的，在第二平坦层表面上的所述内封装层是朝着相对于像素发光层的一侧方向延伸，即所述内封装层侧壁的横截面的形状为倒“L”形，结构如图3所示。或者，在第二平坦层表面上的所述内封装层是既朝着相对于像素发光层的一侧方向延伸，也朝着像素发光层的一侧方向延伸，使得所述内封装层的侧壁的横截面的形状为“T”形。

制作像素发光层7，所述像素发光层7置于所述第一孔61中，所述像素发光层7与阳极5连接，请参阅图2，步骤对应图1中的步骤七。如要让显示面板为OLED显示面板，像素发光层7可以为有机发光功能制成，依次包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、有机发光层、电洞阻挡层、电子传输层和电子注入层。第一孔与像素发光层为一一对应的关系，在显示面板上设置有多个的像素发光层，以实现显示功能。

在显示面板中，需要有多个的像素发光层来作为发光的部位，而像素发光层的特性是需要设置在隔绝水氧的环境下。本申请通过一个内封装层环绕一个像素发光层一圈，对每一个像素发光层(子像素——进行独立的封装，对显示面板进行强化保护。

要说明的是，像素发光层的制作步骤可以与第二孔的制作步骤相对换。

现有技术中，是在显示面板的外围建立封装圈或是将整个面板进行多层堆叠的薄膜封装堆叠的。而本申请的上述技术方案在每个独立的发光子像素周围建立内封装层，来阻挡沿背板无机膜层中入侵的水氧，以加强对显示面板及像素的保护。本申请的内封装层是嵌入第二平坦层的，与第二平坦层之间具有更好的结合能力，更好地阻隔水氧的入侵，维持像素的稳定性。

然后制作阴极9，请参阅图4，步骤对应图1中的步骤七。具体的，涂布光阻，图形化光阻，即曝光和显影光阻，使得要制作阴极9的部位开口。然后采用溅镀或者蒸镀的方式镀上阴极材料，在所述第一平坦层4和像素发光层7上形成所述阴极9，所述阴极9覆盖所述像素发光层7。所述阴极9的厚度为0.20um(微米)～0.25um(微米)。所述阴极主要由低功函数制成，可以使以一定比例混合的银镁合金材料，也可以是氟化锂(LiF)等。

制作多个支柱10，多个的所述支柱10位于第二平坦层上，所述支柱10位于所述内封装层8的一侧(外侧)，所述支柱10用于支撑盖板11。所述支柱10为氧化硅或者氮化硅，具有较好的稳定性。所述支柱10的高度为1.0um～1.2um。优选的，多个的支柱间隔地分布在整个所述第二平坦层上。所述支柱在基板和盖板之间起到良好的支撑作用，还起到控制基板和盖板之间的均匀性。优选的，所述支柱不与所述像素发光层连接，避免影响像素发光层的出光效果。支柱制作完毕后，盖上盖板11到支撑柱上，所述盖板11连接所述支柱。

本实施例还提供一种显示面板，包括基板1、第二平坦层6、像素发光层7、内封装层8和阴极9。所述基板1为玻璃基板或者塑料基板等。在基板1上设置有第二平坦层6(也称作像素定义层)，第二平坦层6的作用是定义显示面板的每一个独立子像素单元，其大小限定了显示面板单个像素的大小。第二平坦层上设置有第一孔和第二孔，第一孔的孔底为阳极，所述第一孔中设置有所述像素发光层7，所述像素发光层7用于与阳极5连接。所述第二孔环绕所述第一孔设置，所述第二孔中设置有所述内封装层，所述内封装层用于防止水汽和氧气入侵到像素发光层。所述阴极9设置在所述像素发光层7和所述内封装层8上。

现有技术中，在显示面板的外围建立封装圈或是将整个面板进行多层堆叠的薄膜封装堆叠的。而本申请的上述技术方案在每个独立的发光子像素周围建立内封装层，来阻挡沿背板无机膜层中入侵的水汽和氧气，以加强对显示面板及像素的保护。本申请的内封装层是嵌入第二平坦层的，与第二平坦层之间具有更好的结合能力，更好地阻隔水汽和氧气的入侵，维持像素的稳定性。

要说明的是，所述第二平坦层6可以为氧化硅或者氮化硅等，所述第二平坦层6的厚度为2.0um～2.2um。优选的，所述第二平坦层6为氧化硅。

要说明的是，如要让显示面板为OLED显示面板，像素发光层7可以为有机发光功能制成，依次包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、有机发光层、电洞阻挡层、电子传输层和电子注入层。第一孔与像素发光层为一一对应的关系，在显示面板上设置有多个的像素发光层，以实现显示功能。

要说明的是，所述内封装层8可以为氧化硅或者氮化硅薄膜，优选的，所述内封装层为氮化硅薄膜，具有抗钠能力强、耐水汽能力强、化学稳定性好、耐酸和耐碱的特性。

要说明的是，所述阴极9的厚度为0.20um(微米)～0.25um(微米)。所述阴极主要由低功函数制成，可以使以一定比例混合的银镁合金材料，也可以是氟化锂(LiF)等。

在显示面板中，还包括薄膜晶体管、钝化层、第一平坦层和阳极等部分，在此进行说明：

在基板1上设置有薄膜晶体管2；所述薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)作为开关来控制显示面板上的线路导通与否。所述薄膜晶体管2包括源极、漏极、栅极和有源层，所述薄膜晶体管2为顶栅结构或者底栅结构。

为了避免源极和漏极短接，在薄膜晶体管2上设置有钝化层3；请参阅图2，所述钝化层3为氮化硅、氧化硅或其他绝缘的材料，所述钝化层3覆盖薄膜晶体管2，起到避免源极和漏极连接而短路。

为了填平基板上因为成型薄膜晶体管所造成的高低不平，在钝化层3上设置有第一平坦层4，请参阅图2。所述第一平坦层4为氮化硅、氧化硅或其他绝缘的材料所述第一平坦层4具有一定的厚度，所述第一平坦层4的上表面是平整的平面，能够平整显示面板因各种不同层图案所造成的面内段差，便于后续膜层的良好叠加，提升显示面板的显示效果。

第一平坦层4上设置有第三孔，请参阅图2。第三孔的孔底为薄膜晶体管的源极或者漏极。当阳极要连接所述源极，那么就在源极上方的第一平坦层处设置有第三孔；当阳极要连接所述漏极，那么就在漏极上方的第一平坦层处设置有第三孔。

在第一平坦层上设置有阳极5，所述阳极5通过所述第三孔连接所述薄膜晶体管的源极24或者漏极25，请参阅图2。所述阳极5如氧化铟锡(Indium tin oxide，缩写ITO)或者其他相似的材料，所述阳极5无需覆盖全部的第一平坦层4。

在本实施例中，还包括盖板11和多个的支柱10。多个的所述支柱10位于第二平坦层上，所述支柱10位于所述内封装层8的一侧(外侧)，所述支柱10用于支撑盖板11。所述支柱10为氧化硅或者氮化硅，具有较好的稳定性。所述支柱10的高度为1.0um～1.2um。优选的，多个的支柱间隔地分布在整个所述第二平坦层上。所述支柱在基板和盖板之间起到良好的支撑作用，还起到控制基板和盖板之间的均匀性。优选的，所述支柱不与所述像素发光层连接，避免影响像素发光层的出光效果。盖上盖板11到支撑柱上，所述盖板11连接所述支柱。

在本实施例中，所述显示面板为OLED显示面板，或者所述显示面板为LCD面板。

需要说明的是，尽管在本文中已经对上述各实施例进行了描述，但并非因此限制本实用新型的专利保护范围。因此，基于本实用新型的创新理念，对本文所述实施例进行的变更和修改，或利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，直接或间接地将以上技术方案运用在其他相关的技术领域，均包括在本实用新型的专利保护范围之内。

Claims

1.一种显示面板，其特征在于，包括基板、第二平坦层、像素发光层、内封装层和阴极；

所述阴极设置在所述像素发光层和所述内封装层上。

2.根据权利要求1所述的一种显示面板，其特征在于，所述像素发光层为多个，所述内封装层为多个；

一个内封装层环绕一个像素发光层一圈。

3.根据权利要求1所述的一种显示面板，其特征在于，还包括薄膜晶体管、钝化层、第一平坦层和阳极；

在基板上设置有薄膜晶体管；

在薄膜晶体管上设置有钝化层；

4.根据权利要求3所述的一种显示面板，其特征在于，所述内封装层有位于在第三孔上方的部分；

5.根据权利要求1所述的一种显示面板，其特征在于，在第二平坦层表面上的所述内封装层是朝着相对于像素发光层的一侧方向延伸。