KR100686120B1 - 유기 ｅｌ 소자의 제조방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 37
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 59
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 20
- 230000008569 process Effects 0.000 description 20
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- -1 polyacryl Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
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- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
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- H10K2102/3026—Top emission
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80518—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80524—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
Abstract
본 발명은 어노드 형성시 격벽위에 성막된 쓸모 없었던 어노드 메탈을 보조전극으로 이용함으로써, 소자의 효율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 유기 EL 소자를 제공하기 위한 것으로서, TFT가 형성된 기판 위에 제 1 절연막을 형성하는 단계, 상기 제 1 절연막을 관통하여 TFT의 소오스 전극 및 드레인 전극에 연결되는 콘택부를 형성하는 단계, 상기 제 1 절연막과 콘택부 상측에 제 2 절연막을 형성하는 단계, 상기 드레인 전극에 연결된 상기 콘택부 표면이 노출되도록 상기 제 2 절연막에 제 1 콘택홀을 형성하는 단계, 상기 제 2 절연막 상측의 각 단위 화소 영역을 분리시킬 부분에 격벽을 형성하는 단계, 상기 제 2 절연막과 격벽 위에 제 1 전극 물질을 적층시키는 단계, 상기 격벽 측에 절연부를 형성하는 단계, 상기 격벽 위에 형성된 보조전극이 노출되도록 상기 절연부에 제 2 콘택홀을 형성하는 단계, 상기 각 단위 화소 영역에 유기 발광층을 형성하는 단계, 상기 유기 발광층 및 상기 제 2 콘택홀을 포함한 전면에 제 2 전극을 적층시키는 단계를 포함하여 이루어진다.
유기 EL, 어노드 전극, 격벽, 캐소드 보조전극
Description
도 1a 내지 도 1f는 종래 기술에 따른 유기 EL 소자의 제조공정 단면도
도 2a 내지 도 2d는 종래 기술에 따른 유기 EL 소자 제조시에 발생될 수 있는 문제점을 설명하기 위한 도면
도 3a 내지 3e는 본 발명에 따른 유기 EL 소자의 제조 공정에 따른 평면도
도 4a 내지 도 4e는 각각 도 2a 내지 도 3e 공정에서의 A-A 방향 단면도
도 5a 내지 도 5e는 본 발명에 따른 격벽 구조를 예시한 도면
도 6a는 본 발명에 따른 유기 EL 소자의 다른 실시예에 따른 평면도
도 6b는 도 6a 공정에서의 A-A' 방향 단면도
도 7a 내지 도 7f는 본 발명에 따른 유기 EL 소자의 다른 실시예에 제조 공정의 평면도
도 8 및 도 9 는 도 7a 내지 도 7f에서의 A-A' 방향 단면도
**도면의 주요 부분에 대한 부호 설명**
31 : 투명 기판 32 : TFT
33 : 제 1 절연막 34 : 콘택
35 : 제 2 절연막 36 : 평탄화 절연막
37 : 제 1 콘택홀 38 : 격벽
39 : 어노드 전극 40 : 절연막
41 : 제 2 콘택홀 42 : 새도우 마스크
43 : 유기막 44 : 캐소드 전극
45 : 캐소드 보조전극
본 발명은 평면표시소자에 관한 것으로 특히, 소자의 신뢰성을 향상시키고, 제조 공정을 단순화시키기에 적합한 유기 EL 소자의 제조방법에 관한 것이다.
최근, 표시장치의 대형화에 따라 공간 점유가 적은 평면표시소자의 요구가 증대되고 있는데, 이러한 평면표시소자 중 하나로서 유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diode : OLED)라고도 불리는 유기 전계발광소자의 기술이 빠른 속도로 발전하고 있으며, 이미 여러 시제품들이 발표된 바 있다.
유기 전계발광소자는 전자주입전극(Cathode)인 제 1 전극과, 정공주입전극(Anode)인 제 2 전극 사이에 형성된 유기 발광층에 각각 전자와 정공을 주입하면 전자와 정공이 결합하여 쌍을 이루어 생성된 액시톤(Exciton)이 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어지면서 소멸하여 발광하는 소자이다.
이러한 유기 전계발광소자는 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : PDP)이나 무기 전계발광소자 디스플레이에 비해 낮은 전압(5~10V)으로 구 동할 수 있다는 장점이 있어 연구가 활발히 진행되고 있다.
그리고, 유기 전계발광소자는 넓은 시야각, 고속 응답성, 고 콘트라스트(Contrast) 등의 뛰어난 특징을 갖고 있으므로, 그래픽 디스플레이의 픽셀(Pixel), 텔레비전 영상 디스플레이나 표면광원(Surface Light Source)의 픽셀로서 사용될 수 있으며, 플라스틱 같이 휠 수 있는(Flexible) 투명 기판 상에도 소자를 형성할 수 있고, 매우 얇고 가볍게 만들 수 있으며, 색감이 좋기 때문에 차세대 평면 디스플레이(Flat Panel Display : FPD)에 적합한 소자이다.
또한, 이미 잘 알려진 액정표시장치(Liquid Crystal Display : LCD)에 비해 백라이트(Backlight)가 필요치 않아 전력소비가 적고 색감이 뛰어나다는 장점도 있다.
일반적으로, 유기 전계 발광소자는 그 구조 및 구동방법에 있어 크게 패시브(Passive) 매트릭스와 액티브(Active) 매트릭스로 구분된다.
상기 액티브 매트릭스는 패시브 매트릭스와는 달리 글라스(Glass)면으로 발광시키는 경우(통상, 바텀 이미션(Bottom Emission)이라 함) TFT(Thin Film Transistor)의 크기나 수가 많아질수록 개구율이 기하급수적으로 줄어들어 디스플레이 소자로서의 사용이 어렵게 된다.
이러한 문제점을 극복하기 위하여 개구율이 상기 TFT와 상관성을 갖지 않도록 글라스 반대면으로 발광시키는 탑 이미션(Top Emission) 방식이 대두되었다.
탑 이미션 방식의 유기 전계 발광 소자는 TFT 및 저장 커패시터를 포함하는 기판과, 기판상에 형성되는 반사층, 상기 반사층상에 차례로 형성되는 유기 발광층 과 투명 전극층을 포함하여 구성되어, 상기 유기 발광층에서의 발광이 상기 반사층에 부딪혀 기판면의 반대쪽으로 이루어진다. 때문에 상기 TFT에 의한 개구율 저하가 발생되지 않는다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 종래 기술에 따른 탑 이미션 방식의 액티브 매트릭스 유기 EL 소자의 제조 방법을 설명하면 다음과 같다.
도 1a 내지 도 1f는 종래 기술에 따른 종래 기술에 따른 탑 이미션 방식의 액티브 매트릭스 유기 EL 소자의 제조공정 단면도이다.
먼저, 도 1a에 도시된 바와 같이 투명 기판(11)상에 픽셀 단위로 TFT(Thin Film Transistor)(12)를 형성한다.
즉, 투명 기판(11)상에 비정질 실리콘(amorphus silicon)을 형성하고, 비정질 실리콘의 표면에 레이저를 조사함으로써 비정질 실리콘을 용융 재결정화하여 다결정 실리콘(poly Silicon)막을 형성한 다음에 포토 및 식각 공정으로 상기 다결정 실리콘막을 섬 형상으로 패터닝하여 반도체막(12a)을 형성하고, 반도체막(12a)을 포함한 전면에 게이트 절연막(12b)을 형성하고, 게이트 절연막(12b)상에 예를 들어 크롬(Cr)으로 이루어진 금속막을 형성한 후 포토 및 식각 공정으로 게이트 절연막(12b)상의 반도체막(12a)의 중앙 부분에 대응하여 중첩되는 위치에 게이트 전극(12c)을 형성한다.
그 다음, 상기 게이트 전극(12c)을 마스크로 상기 반도체막(12a)에 대하여 p형 또는 n형의 불순물을 주입하고, 주입된 불순물을 활성화시키기 위해서 가열 처리를 실시하여, 반도체막(12a)에 소오스 영역(12d) 및 드레인 영역(12e)을 형성한 다. 이렇게 해서, TFT(12)를 완성한다.
이어, 상기 TFT(12)를 포함한 전면에 제 1 절연막(13)을 형성하고, 상기 제 1 절연막(13)과 게이트 절연막(12b)을 관통하여 TFT(12)의 소오스 전극(12d) 및 드레인 전극(12e)에 각각 연결되는 콘택(14)을 형성하고, 전면에 제 2 절연막(15)을 형성한다.
이어, 도 1b에 도시된 바와 같이 상기 제 2 절연막(15)상에 평탄화 절연막(16)을 형성하고, 포토 및 식각 공정으로 상기 드레인 전극(12e)에 연결되는 콘택(14) 표면이 노출되도록 상기 평탄화 절연막(16) 및 제 2 절연막(15)을 선택적으로 제거하여 제 1 콘택홀(Via-hole)(17)을 형성한다.
이어서, 도 1c에 도시된 바와 같이 상기 제 1 콘택홀(17)이 매립될 수 있도록 상기 제 1 콘택홀(17)을 포함한 평탄화 절연막(16)상에 어노드(anode) 전극용 물질(18)을 증착한다.
이어, 도 1d에 도시된 바와 같이 어노드 전극이 픽셀 단위로 분리될 수 있도록 포토 및 식각 공정으로 상기 어노드 전극용 물질(18)을 선택적으로 제거하여 어노드 전극(18a)을 형성하고, 발광부를 제외한 부분에 절연막(21)을 형성한다.
그 다음에 도 1e에 도시된 바와 같이, 전면에 유기 EL층(22)을 형성하고 이어서, 도 1f에 도시된 바와 같이 상기 유기 EL층(22)상에 캐소드 전극(23)을 형성한다.
이로써, 종래 기술에 따른 탑-이미션 방식의 액티브 매트릭스 유기 EL 소자를 완성한다.
그런데, 상기 어노드 전극(18a)과 평탄화 절연막(16)간은 접착력이 좋이 않다. 때문에, 상기 어노드 전극을 분리하기 위한 포토 및 식각 공정에서 사용된 포토레지스트를 제거할 때, 어노드 전극(18a)이 평탄화 절연막(16)으로부터 박리되는 현상이 함께 발생될 우려가 크다.
이와 같은 종래 기술에 따른 문제점을 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세히 살펴보면 다음과 같다.
도 2a 내지 도 2d는 종래 기술에 따른 유기 EL 소자 제조시에 발생될 수 있는 문제점을 설명하기 위한 도면이다.
상기 도 1c에서와 같이 어노드 전극용 물질(18) 증착을 완료한 다음에 어노드 전극이 픽셀 단위로 분리될 수 있도록 포토 및 식각 공정을 진행해야 한다.
즉, 도 2a에 도시된 바와 같이 상기 어노드 전극용 물질(18)상에 포토레지스트(19)를 도포하고 픽셀의 가장자리 부분을 노출하도록 패터닝된 마스크(20)를 투명 기판(11)상에 얼라인시킨 다음, 상기 마스크(20) 위에서 투명 기판(11)을 향해 빛을 조사하여 상기 포토레지스트(19)를 노광시킨다.
이어, 상기 마스크(20)를 제거하고 상기 포토레지스트(19)를 현상하면 도 2b에 도시된 바와 같이, 포토레지스트(19)의 노광된 부위가 제거되게 되게 된다.
이어, 도 2c에 도시된 바와 같이, 상기 포토레지스트(19)를 마스크로 어노드 전극용 물질(18)을 제거하여 픽셀 단위로 어노드 전극(18a)을 형성한 다음에 상기 투명 기판(11)을 스트립퍼(stripper)에 넣어 도 2d에 도시된 바와 같이 포토레지스트(19)를 제거한다.
이때, 상기 평탄화 절연막(16)과 어노드 전극(18a)간의 접착력(adhesion)이 좋지 않음으로 인하여 어노드 전극(18a)이 평탄화 절연막(16)으로부터 박리되는 현상이 발생되게 된다. 따라서, 소자의 신뢰성이 크게 저하되게 된다.
따라서, 상기와 같은 종래의 유기 EL 소자의 제조방법은 다음과 같은 문제점이 있다.
첫째, 어노드 전극과 평탄화 절연막간에 접착력이 좋지 않아 포토레지스트 제거시에 어노드 전극이 평탄화 절연막으로부터 박리되게 된다.
둘째, 어노드 전극이 박리됨으로 인하여 소자의 신뢰성이 저하되게 된다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로 어노드 전극의 박리 현상을 방지할 수 있는 유기 EL 소자의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은 탑-이미션 방식에서 빛이 캐소드 전극 방향으로 나가야 하기 때문에 캐소드는 빛을 잘 투과해야 하고, 이에 따라 저항이 높아지는 문제를 어노드 형성시 격벽위에 성막된 쓸모 없었던 어노드 메탈을 보조전극으로 이용함으로써, 소자의 효율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 유기 EL 소자의 제조방법을 제공하는데 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기 EL 소자의 제조방법의 특징은 TFT가 형성된 기판 위에 제 1 절연막을 형성하는 단계, 상기 제 1 절연막을 관통하여 TFT의 소오스 전극 및 드레인 전극에 연결되는 콘택부를 형성하는 단계, 상기 제 1 절연막과 콘택부 상측에 제 2 절연막을 형성하는 단계, 상기 드레인 전극에 연결된 상기 콘택부 표면이 노출되도록 상기 제 2 절연막에 제 1 콘택홀을 형성하는 단계, 상기 제 2 절연막 상측의 각 단위 화소 영역을 분리시킬 부분에 격벽을 형성하는 단계, 상기 제 2 절연막과 격벽 위에 제 1 전극 물질을 적층시키는 단계, 상기 격벽 측에 절연부를 형성하는 단계, 상기 격벽 위에 형성된 보조전극이 노출되도록 상기 절연부에 제 2 콘택홀을 형성하는 단계, 상기 각 단위 화소 영역에 유기 발광층을 형성하는 단계, 상기 유기 발광층 및 상기 제 2 콘택홀을 포함한 전면에 제 2 전극을 적층시키는 단계를 포함하여 이루어진다.
바람직하게 상기 격벽을 오버행(Over-hang) 구조, 역사다리꼴, 처마 형태 및 다층 형태 중 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게 상기 격벽을 유기물, 무기물, 메탈 및 이들의 혼합물 중 적어도 어느 하나를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게 상기 제 2 절연막을 형성하는 단계 후에는, 상기 제 2 절연막 위에 단위 화소 영역을 평탄화시키는 평탄화 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 목적, 특성 및 이점들은 첨부한 도면을 참조한 실시예들의 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.
본 발명에 따른 유기 EL 소자의 제조방법의 바람직한 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 3a 내지 3e는 본 발명에 따른 유기 EL 소자의 제조 공정에 따른 평면도이고, 도 4a 내지 도 4e는 각각 도 3a 내지 도 3e 공정에서의 A-A 방향 단면도이다.
본 발명에 따른 유기 EL 소자의 제조방법은 우선, 도 3a 및 도 4a에 도시된 바와 같이, 투명 기판(31)상에 픽셀 단위로 TFT(Thin Film Transistor)(32)를 형성한다.
즉, 투명 기판(31)상에 비정질 실리콘(amorphus silicon)을 형성하고, 비정질 실리콘의 표면에 레이저를 조사함으로써 비정질 실리콘을 용융 재결정화하여 다결정 실리콘(poly Silicon)막을 형성한 다음에 포토 및 식각 공정으로 상기 다결정 실리콘막을 섬 형상으로 패터닝하여 반도체막(32a)을 형성하고, 반도체막(32a)을 포함한 전면에 게이트 절연막(32b)을 형성하고, 게이트 절연막(32b)상에 예를 들어 크롬(Cr)으로 이루어진 금속막을 형성한 후 포토 및 식각 공정으로 상기 금속막을 패터닝하여 게이트 절연막(32b)상의 반도체막(32a)의 중앙 부분에 대응하여 중첩되는 위치에 게이트 전극(32c)을 형성한다.
그 다음, 상기 게이트 전극(32c)을 마스크로 상기 반도체막(32a)에 대하여 p형 또는 n형의 불순물을 주입하고, 주입된 불순물을 활성화시키기 위해서 가열 처리를 실시하여, 반도체막(32a)에 소오스 영역(32d) 및 드레인 영역(32e)을 형성한다.
이렇게 해서, TFT(32)를 완성한다.
이어, 상기 TFT(32)를 포함한 전면에 제 1 절연막(33)을 형성한 다음에 상기 제 1 절연막(33)과 게이트 절연막(32b)을 관통하여 TFT(32)의 소오스 전극(32d) 및 드레인 전극(32e)에 각각 연결되는 콘택(34)을 형성하고, 전면에 제 2 절연막(35)을 형성한다.
그 다음으로 도 3b 및 도 4b에 도시된 바와 같이, 제 2 절연막(35)상에 평탄화 절연막(36)을 형성하고, 상기 드레인 전극(32e)에 연결되는 콘택(34) 표면이 노출되도록 상기 평탄화 절연막(36)과 제 2 절연막(35)을 선택적으로 제거하여 제 1 콘택홀(37)을 형성한다.
이어, 도 3c 및 도 4c에 도시된 바와 같이, 어노드 전극을 분리시킬 부분(픽셀의 경계 부분)에 격벽(38)을 형성한다.
이때, 상기 격벽(38)은 하부에서보다 상부에서 넓은 폭을 갖도록 오버행(Over-hang) 구조로 형성한다.
예를 들어, 도 5a와 같이 역사다리꼴 모양으로 형성하거나, 도 5b 및 도 5c와 같이 처마 형태로 형성한다. 또한, 도 5d 및 도 5e와 같이 다층 형태(layer)를 사용해도 되며, 그 재료로는 유기물, 무기물, 메탈 및 이들의 혼합물 중 적어도 어느 하나를 이용한다.
이때, 상기 평탄화 절연막(36)을 이용하지 않고 TFT 기판 제작시 사용하는 제 2 절연막(35)에 바로 어노드를 형성하여 소자를 제작할 경우에는 상기 도 3b 및 도 4b에 도시된 공정을 생략한다.
즉, 상기 평탄화 절연막(36)위에 바로 격벽(38)을 형성하면 된다.
본 명세서에서는 상기 평탄화 절연막(36)이 있는 구조를 설명하도록 하겠다.
그 다음에 도 3d 및 4d에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 콘택홀(37)이 매립될 수 있도록 전면에 어노드 전극용 물질(39)을 증착한다.
상기 어노드 전극용 물질(39)로는 반사율이 좋은 도전성 물질 특히, Cr, Cu, W, Au, Ni, Al, AlNd, Ag, Ti, Ta 등의 메탈이나, 이것들의 합금 또는 이들을 이용한 다층막을 사용한다.
상기 격벽(38)이 어노드 전극을 분리시킬 부분에 형성되어 있으므로 어노드 전극용 물질(39) 증착시에 자동적으로 어노드 전극(39)이 분리되게 된다.
즉, 상기 어노드 전극용 물질(39)은 평탄화 절연막(36) 위에 뿐만 아니라 격벽(38)에도 형성되게 되는데, 격벽(38) 위의 어노드 전극용 물질(39)과 평탄화 절연막(36) 위의 어노드 전극용 전극 물질(39)은 자동적으로 분리되게 되며, 상기 평탄화 절연막(36) 위에는 어노드 전극(39)이 형성되게 되는 것이다.
이어, 도 3e 및 도 4e에 도시된 바와 같이, 발광 영역을 제외한 나머지 부분에 절연부(40)를 형성한다. 이때 상기 절연부(40)가 형성되지 않는 부분이 발광 픽셀이 된다.
상기 절연부(40)로는 무기 절연체 또는 유기 절연체를 이용한다.
이때, 절연부(40)로 무기 절연체를 이용하는 경우에는 예를 들어 SiNx, SiOx를 사용하는 것이 바람직하고, 유기 절연체를 사용하는 경우에는 예를 들어 폴리미드(polyimide), 폴리아크릴(polyacryl), novolac 계열의 물질을 사용하는 것이 바람직하다.
그리고, 마지막으로 상기 절연부(40)를 포함한 전면에 유기 EL층을 형성하고 유기 EL층상에 캐소드 전극을 적층시켜 본 발명에 따른 유기 EL 소자를 완성한다.
그러나 이와 같이 구성되는 탑-이미션 유기 EL 소자는 문제를 모두 해결한 것은 아니다. 그 중 가장 큰 문제점은 구조 자체에 있다.
즉, 빛이 캐소드 방향인 위쪽으로 나가기 때문에 캐소드가 투명해야 한다는 점이고, 이렇게 투명하게 만들기 때문에 캐소드 전극의 저항이 높다는 점이다.
따라서, 캐소드를 위한 보조전극이 필요하나, 유기 EL 층이 수분, 산소에 취약하기 때문에 마땅히 보조전극을 형성할 방법이 없었다.
이를 해결하기 위해, 상기 도 3d 및 4d에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 콘택홀(37)이 매립될 수 있도록 전면에 어노드 전극용 물질(39)을 증착할 때, 격벽위에 성막되는 쓸모 없었던 어노드 전극용 물질(39)을 보조전극으로 이용하도록 구성한다.
이를 위해, 상기 도 3e 및 도 4e에서 발광 영역을 제외한 나머지 부분에 절연부(40)를 형성할 때, 도 6a 및 도 6b에서 도시하고 있는 것과 같이 격벽(38)위 부분에 형성된 어노드 전극용 물질(39)이 노출되도록 절연부(40)에 제 2 콘택홀(41)을 형성한다.
이때, 상기 제 2 콘택홀(41)의 모양이나 개수는 별 상관이 없다.
이어 도 7a와 같이 구성된 기판에, 도 7b와 같이 픽셀 영역에 대해 구멍이 형성된 새도우 마스크를 이용하여 도 7c 내지 도 7e와 같이 상기 새도우 마스크를 옆으로 이동시켜가면서 발광하기 위한 픽셀 영역에 RGB 픽셀별로 해당되는 RGB 유 기막을 증착하여 유기 EL층을 형성한다.
이때, 상기 새도우 마스크는 도 8에서 도시하고 있는 것과 같이, 격벽(38)위 부분에 어노드 전극용 물질(39)이 노출되도록 형성된 제 2 콘택홀(41)은 상기 RGB 유기막(43)을 증착할 때는 새도우 마스크(42)에 의해 차단되도록 해당되는 픽셀 영역에 대해서만 구멍이 형성되도록 구성한다.
마지막으로 도 7f에서 도시하고 있는 것과 같이, 상기 유기 EL층 및 상기 콘택 혹(41)을 포함한 전면에 캐소드 전극(44)을 적층시켜 본 발명에 따른 유기 EL 소자를 완성한다.
이때, 도 9에서 도시하고 있는 것과 같이 격벽위에 형성된 제 2 콘택홀(41)에 노출된 어노드 전극용 물질(39)에는 RGB 유기 EL층(43a,43b,43c)이 형성되지 않게 되고, 그 위에 바로 캐소드 전극(44)이 바로 증착되어 콘택이 되므로, 격벽 위의 어노드 전극용 물질(39)이 자연스럽게 캐소드 보조전극(45) 역할을 하게 된다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의하여 정해져야 한다.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명에 따른 유기 EL 소자의 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 어노드 전극을 분리시킬 부분에 미리 격벽을 형성하여 어노드 전극용 물질 성막시에 자동적으로 어노드 전극이 분리되게 된다. 따라서, 어노드 전극의 분리를 위해 포토 공정을 실시하지 않아도 되므로, 포토레지스트 제거 공정으로 인해 어노드 전극이 평탄화 절연막으로부터 박리되는 현상을 방지할 수 있다.
둘째, 어노드 전극이 박리되는 현상이 방지되므로 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
셋째, 복잡한 포토 공정(포토레지스트 도포 공정, 마스크 얼라인 공정, 노광 및 현상 공정, 어노드 전극 분리, 포토레지스트 제거 공정)을 실시하지 않아도 되므로 소자 제조 공정을 단순화시킬 수 있다.
넷째, 유기 EL 소자의 제조 공정시 어노드 전극 형성시 불필요하게 생성된 격벽 위의 어노드 전극 물질을 캐소드 전극과 콘택시킴으로해서 자연스럽게 캐소드 보조전극 역할을 하게 하여 캐소드 전극의 저항을 줄여줌으로서 소자의 효율 및 신뢰성을 더욱 증대시키는 효과가 있다.
Claims (7)
- TFT가 형성된 기판 위에 제 1 절연막을 형성하는 단계;상기 제 1 절연막을 관통하여 TFT의 소오스 전극 및 드레인 전극에 연결되는 콘택부를 형성하는 단계;상기 제 1 절연막과 콘택부 상측에 제 2 절연막을 형성하는 단계;상기 드레인 전극에 연결된 상기 콘택부 표면이 노출되도록 상기 제 2 절연막에 제 1 콘택홀을 형성하는 단계;상기 제 2 절연막 상측의 각 단위 화소 영역을 분리시킬 부분에 격벽을 형성하는 단계;상기 제 2 절연막과 격벽 위에 제 1 전극 물질을 적층시키는 단계;상기 격벽 측에 절연부를 형성하는 단계;상기 격벽 위에 형성된 보조전극이 노출되도록 상기 절연부에 제 2 콘택홀을 형성하는 단계;상기 각 단위 화소 영역에 유기 발광층을 형성하는 단계;상기 유기 발광층 및 상기 제 2 콘택홀을 포함한 전면에 제 2 전극을 적층시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 격벽을 오버행(Over-hang) 구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 격벽을 역사다리꼴 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 격벽을 처마 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 격벽을 다층 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 격벽을 유기물, 무기물, 메탈 및 이들의 혼합물 중 적어도 어느 하나를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 절연막을 형성하는 단계 후에는, 상기 제 2 절연막 위에 단위 화소 영역을 평탄화시키는 평탄화 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자의 제조방법.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050041203A KR100686120B1 (ko) | 2005-05-17 | 2005-05-17 | 유기 ｅｌ 소자의 제조방법 |
| US11/434,820 US7586124B2 (en) | 2005-05-17 | 2006-05-17 | Organic electroluminescent device and method for manufacturing the same |
| EP20060010196 EP1724854B1 (en) | 2005-05-17 | 2006-05-17 | Organic electroluminescent device and method for manufacturing the same |
| CNB2006100847047A CN100463213C (zh) | 2005-05-17 | 2006-05-17 | 有机电致发光器件及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050041203A KR100686120B1 (ko) | 2005-05-17 | 2005-05-17 | 유기 ｅｌ 소자의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20060118825A KR20060118825A (ko) | 2006-11-24 |
| KR100686120B1 true KR100686120B1 (ko) | 2007-02-26 |
Family
ID=36650061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020050041203A KR100686120B1 (ko) | 2005-05-17 | 2005-05-17 | 유기 ｅｌ 소자의 제조방법 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7586124B2 (ko) |
| EP (1) | EP1724854B1 (ko) |
| KR (1) | KR100686120B1 (ko) |
| CN (1) | CN100463213C (ko) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20080060087A (ko) * | 2006-12-26 | 2008-07-01 | 삼성전자주식회사 | 표시장치와 그 제조방법 |
| JP5008606B2 (ja) * | 2007-07-03 | 2012-08-22 | キヤノン株式会社 | 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 |
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- 2005-05-17 KR KR1020050041203A patent/KR100686120B1/ko active IP Right Grant
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2006
- 2006-05-17 EP EP20060010196 patent/EP1724854B1/en active Active
- 2006-05-17 US US11/434,820 patent/US7586124B2/en active Active
- 2006-05-17 CN CNB2006100847047A patent/CN100463213C/zh active Active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1724854B1 (en) | 2015-04-22 |
| CN1866537A (zh) | 2006-11-22 |
| CN100463213C (zh) | 2009-02-18 |
| EP1724854A1 (en) | 2006-11-22 |
| US20060262052A1 (en) | 2006-11-23 |
| KR20060118825A (ko) | 2006-11-24 |
| US7586124B2 (en) | 2009-09-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121228 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131227 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150127 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160128 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170116 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190114 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200116 Year of fee payment: 14 |