KR19990072988A - 표시장치및그제조방법 - Google Patents

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Abstract

표시 화소의 개구율을 향상시킴과 동시에, EL 소자를 구동하는 TFT의 사이즈나 구동 능력의 결정에 자유도의 증대를 도모할 수 있는 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공한다.
기판(1) 상에 박막 트랜지스터와, 양극(18), 박막 트랜지스터의 소스(10s)와 접속한 음극(13)을 구비하고 있고, 박막 트랜지스터에 의해 구동되는 EL 소자를 순서대로 적층하여 이루어지는 표시 화소를 구비하고, EL 소자의 발광광을 기판(1) 측과는 반대 방향으로부터 외부로 방출시킨다.

Description

표시 장치 및 그 제조 방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은, 기판 상에, 일렉트로 루미네센스(Electro Luminescence: 이하, 「EL」이라 함) 소자 및 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, 이하, 「TFT」라 함) 소자를 구비한 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근, TFT와 EL 소자, 예를 들면 유기 EL 소자를 이용한 표시 장치가, CRT나 LCD를 대신하는 표시 장치로서 주목받고 있다.
도 5는 종래의 TFT와 유기 EL 소자를 구비한 표시 장치의 단면도를 나타낸다.
또한, 도 5는 TFT 상에 유기 EL 소자를 적층하여 이루어지는 표시 화소의 구조를 나타낸다. 그 구조는 이하와 같다.
유리나 합성 수지 등으로 이루어지는 투명 절연 기판(1) 상에, 게이트 전극(2)을 형성하고, 그 게이트 전극(2) 상에 설치한 절연막(3)을 통해 다결정 실리콘으로 이루어지는 능동층(4)을 형성한다. 그 능동층(4)에는, 불순물을 주입한 소스 영역(4s) 및 드레인 영역(4d)을 설치한다. 그 위에는 SiO2막(6) 및 SiN막(7)의 2층으로 이루어지는 층간 절연막(8)이 형성되어 있고, 한쪽의 소스 영역(4s)은 층간 절연막(8)에 형성된 컨택트홀(9)을 통해 소스 전극(10s)과 접속되어 있다. 다른쪽의 드레인 영역(4d)은 층간 절연막(8)에 형성된 컨택트홀(9)을 통해 드레인 전극(10d)에 접속되어 있다. 이렇게 하여 TFT가 형성되어 있다.
그리고, 이들 양 전극(10s, 10d) 및 층간 절연막(8) 상에는, 평탄화 절연막(11)이 형성되어 있다. 소스 전극(10s)은 평탄화 절연막(11)에 형성된 컨택트홀(12)을 통해 TFT 상에 형성하는 유기 EL 소자의 양극(18)과 접속되어 있다.
유기 EL 소자는, ITO(Indium Thin Oxide) 등의 투명 전극으로 이루어지는 양극(18)과 MTDATA(4, 4'-bis(3-methylphenylphenylamino)biphenyl)로 이루어지는 제2홀 수송층(17), TPD(4, 4', 4"-tris(3-methylphenylphenylamino) triphenylanine)로 이루어지는 제1홀 수송층(16), 퀴나크리돈(Quinacridone) 유도체를 포함하는 Bebq2(10- 벤조〔h〕퀴놀리놀-베릴륨 착체)로 이루어지는 발광층(15), 및 Bebq2로 이루어지는 전자 수송층(14)으로 이루어지는 발광 소자층과, 마그네슘·인듐 합금(MgIn)으로 이루어지는 음극(13)이 이 순서로 적층 형성되어 있다. 이와 같이, 발광 소자층은 유기 화합물로 이루어지며, 그 각층과 양극(18) 및 음극(13)에 의해 유기 EL 소자가 구성되어 있다.
이 유기 EL 소자는, 양극(18)으로부터 주입된 홀과, 음극(13)으로부터 주입된 전자가 발광층(15)의 내부에서 재결합하고, 발광층(15)을 형성하는 유기 분자를 여기하여 여기자가 발생된다. 이 여기자가 방사하여 비활성화되는 과정에서 발광층(15)으로부터 광이 방출되고, 이 광이 투명한 양극(18)으로부터 투명 절연 기판(1)을 통해 외부로 방출된다.
그런데, 상술한 종래의 표시 장치의 구조에서는, 유기 EL 소자로부터의 광 방출의 방향이, TFT를 설치한 기판(1) 측이기 때문에, 방출되는 광이 TFT에 의해 차단되어 표시 화소의 개구율을 크게 할 수 없었다.
또한, 발광 광을 차단하지 않을 정도로 TFT를 극히 작게 해야만 한다고 하는 제약이 있어, TFT의 사이즈를 크게 하는 것뿐만 아니라 그 TFT의 능력을 크게 하는 것에도 제한이 있었다.
그래서 본 발명은, 상기와 같은 종래의 결점에 감안해 이루어진 것으로, 표시 화소의 개구율을 향상시킴과 동시에, EL 소자를 구동하는 TFT의 사이즈나 구동 능력의 결정에 자유도의 증대를 도모할 수 있는 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 표시 장치는, 기판 상에 박막 트랜지스터와, 상기 박막 트랜지스터에 의해 구동되는 EL 소자가 순서대로 적층되어 이루어져 있고, 상기 EL 소자의 발광 광이 상기 기판측과는 반대의 방향으로부터 외부로 방출되는 것이다.
또한, EL 소자의 음극은 상기 TFT의 소스 전극 또는 드레인 전극과 접속되어 있는 것이다.
또한, 상기 EL 소자의 양극은 금속으로 이루어져 있으며, 그 형상은 표시 화소의 일부만을 덮는 형상이다.
또, EL 소자의 양극은 증착법을 이용하여 형성한 금속막으로 이루어지는 것이다.
도 1은 본 발명의 표시 장치의 일 표시 화소를 나타낸 단면도.
도 2는 본 발명의 일 표시 화소의 양극의 형상을 나타낸 단면도.
도 3은 본 발명의 표시 장치의 제조 공정 단면도.
도 4는 본 발명의 표시 장치의 제조 공정 단면도.
도 5는 종래의 표시 장치의 일 표시 화소를 나타낸 단면도.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
1 : 기판
6 : p-Si막
11 : 평탄화 절연막
12 : 컨택트홀
10s : 소스 전극
13 : 음극
18 : 양극
본 발명의 표시 장치에 대해 이하에 설명한다.
도 1은 본 실시예의 유기 EL 소자 및 TFT를 구비한 표시 장치의 1개의 화소를 나타낸 단면도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 상술한 도 5에 도시한 종래의 유기 EL 소자 및 TFT를 구비한 표시 장치와 다른 점은 기판(1) 상에 설치한 TFT와 유기 EL 소자의 적층 순서가 종래의 것과 반대인 점이다.
표시 화소는 유리나 합성 수지 등으로 이루어지는 절연성 기판, 또는 표면에 SiO2막이나 SiN막 등의 절연막을 형성한 도전성 기판 혹은 반도체 기판 등의 기판(1) 상에 TFT 및 유기 EL 소자를 적층 형성하여 이루어져 있다. 또, 기판(1)은 투명하여도 좋고 불투명하여도 좋다.
기판(1) 상에 형성한 TFT의 구조는 종래의 구조와 동일하므로 설명은 생략하지만, 소스 전극(10s)은 평탄화 절연막의 컨택트홀을 통해 TFT 상에 형성하는 유기 EL 소자의 음극(13)과 접속되어 있는 구조이다. 소스 전극(10s)은 드레인 신호선으로부터 TFT에 공급된 드레인 신호가 유기 EL 소자에 공급되는 전극이다.
이 유기 EL 소자는, 마그네슘·인듐 합금(MgIn) 또는 알루미늄·리튬 합금(AlLi) 등으로 이루어지며 TFT의 소스 전극(10S)에 접속된 음극(13), Bebq2로 이루어지는 전자 수송층(14), 퀴나크리돈(Quinacridone) 유도체를 포함하는 0Bebq2(10-벤조〔h〕퀴놀리놀 베릴륨 착체로 이루어지는 발광층(15), TPD(4, 4', 4"-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylanine)로 이루어지는 제1홀 수송층(16), MTDATA(4, 4'-bis(3-methylphenylphenylamino)biphenyl)로 이루어지는 제2홀 수송층(17), 및 Pt, Rh, Pd 등의 금속 전극으로 이루어지며 빗살형 또는 메쉬형의 양극(18)이, 이와 같은 순서로 적층되어 형성된다.
이와 같이, 유기 EL 소자의 경우에는 전자 수송층, 발광층, 제1홀 수송층 및 제2홀 수송층으로 이루어지는 발광 소자층의 각 층은 유기 화합물로 이루어지며, 그 발광 소자층이 양극 및 음극에 끼워진 구조이다. 홀 수송층은 1층이어도 좋다.
양극(18)으로부터 주입된 홀과 음극(13)으로부터 주입된 전자가 발광층(15)의 내부에서 재결합하고, 발광층(15)을 형성하는 유기 분자를 여기하여 여기자가 발생된다. 이 여기자가 방사하여 비활성화되는 과정에서 발광층(15)으로부터 광이 방출되고, 이 광이 양극(18)으로부터 외부(도면 에서 지면 상방향)로 방출된다.
또, 발광층으로부터 방출된 광은 음극 및 양극으로 진행하지만, 음극이 전면금속이기 때문에 광은 외부로 나가지 않고 반사되어, 결과적으로 금속으로 이루어지는 것의 빗살형 또는 메쉬형을 이루는 양극으로부터 광이 방출되게 된다.
이와 같게 구성된 표시 화소가 매트릭스형으로 배치됨으로써, 유기 EL 표시 장치가 형성된다.
여기서, 양극의 형상 및 제조 방법에 대해 설명한다.
본 발명의 표시 장치는, 상술과 같이, TFT 상에 EL 소자를 적층한 구조이기때문에, 발광 소자층을 사이에 두는 양전극 중 양극을 발광 소자층 상에 형성하게 된다.
그런데, 종래와 같이, 양극(18)의 재료로서, 스퍼터법으로 ITO(Indium Tin Oxide)막을 형성하게 되면, 그 때에 발광 소자층의 재료에 스퍼터에 의한 손상이 가해지게 된다.
그래서, 본 발명에 있어서는, 양극(18)을 증착법을 이용하여 금속으로써 형성한다. 그렇게 함으로써, 발광 소자층에 손상을 주지 않고, 발광 소자층 상에 양극(18)을 형성할 수 있다.
그러나, 금속 재료로 발광 소자층 상에 전면에 양극(18)을 형성하면 그 금속재료에 의해 발광광이 차폐되어 발광 광이 외부로 방출할 수 없어, 표시 장치로서의 기능을 갖지 않게 된다.
그래서, 양극(18)의 형상을 도 2의 (a)와 같이 빗살형 혹은 도 2의 (b)와 같이 메쉬형으로 하여 화살표 방향으로 발광 광을 방출한다. 빗살의 간격 및 메쉬의 크기는 표시 장치로서 필요한 밝기가 얻어지는 정도로 선택한다.
이하에, 본 발명의 표시 장치의 제조 방법에 대해 설명한다.
도 3에, 본 발명의 표시 장치의 제조 공정 단면도를 나타낸다.
TFT는 종래의 기술에 의해 형성된다.
공정 1(도 3의 (a)) : 표면이 절연성을 갖는 기판(1) 상에 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo) 등의 고융점 금속으로 이루어지는 게이트 전극(2)을 형성한다.
게이트 전극(2)을 포함하는 전면에 절연막(3) 및 p-Si으로 이루어지는 능동층(4)을 형성한다. p-Si막(4) 상에, SiO2막으로 이루어지는 스토퍼(5)를 형성한다.
그 스토퍼(5)를 마스크로 하여, p-Si막(4)에 p형 또는 n형의 이온을 주입하여, 소스 영역(4s) 및 드레인 영역(4d)을 형성한다. 그 위에 SiO2막(6) 및 SiN막(7)의 2층으로 이루어지는 층간 절연막(8)을 형성한다. 상기 소스 영역(4s) 및 드레인 영역(4d)에 대응한 위치에 층간 절연막(8)을 관통하는 제1 컨택트홀(9)을 통해 알루미늄 등의 금속으로 이루어지는 소스 전극(10s) 및 드레인 전극(10d)을 형성한다.
이렇게 해서, 유기 EL 소자를 구동하는 p-Si를 능동층으로 하는 TFT(Poly-Silicon Thin Film Transistor 이하, 「p-SiTFT」라 함)가 형성된다. 능동층은 p-Si에 한하는 것이 아니라, 비정질 실리콘, 미결정 실리콘 등이이어도 좋다.
이하에, 상술한 공정 1에 계속해서, TFT 상에 유기 EL 소자를 형성하는 공정에 대해 설명한다.
공정 2(도 3의 (b)) : 상기 p-SiTFT의 각 전극(10s, 10d) 및 층간 절연막(8) 상에, 평탄화 절연막(11)을 형성한다. 평탄화 절연막(11)은, 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 질화산화막, 실리케이트 유리막, SOG(Spin On Glass)막, 합성 수지막(폴리이미드계 수지막, 유기실리카막, 아크릴계 수지막 등) 등에 의해 형성되어 있다. 그 평탄화 절연막(11)에 컨택트홀(12)을 형성한다.
공정 3(도 3의 (c)) : 그 평탄화 절연막(11) 상에 마그네슘·인듐 합금(MgIn) 또는 알루미늄·리튬 합금(AlLi) 등으로 이루어지는 유기 EL 소자의 음극(13)을 형성한다. 평탄화 절연막(11)에 형성된 컨택트홀(12)을 통해 소스 전극(10s)과 음극(13)이 접속된다.
공정 4(도 4의 (d)) : 음극(13) 상에, Bebq2로 이루어지는 전자 수송층(14), 퀴나크리돈(Quinacridone) 유도체를 포함하는 Bebq2(10-벤조〔h〕 퀴놀리놀-베릴륨 착체)로 이루어지는 발광층(15), TPD(4, 4', 4"-tris(3-methylphenylphenylamino) triphenylanine)로 이루어지는 제1홀 수송층(16), MTDATA(4, 4'-bis(3-methylphenylphenylamino)biphenyl)로 이루어지는 제2홀 수송층(17)을 순서대로 형성한다.
공정 5(도 4의 (e)) : 제2홀 수송층(17) 상에는 증착법으로써 양극(18)의 재료인금속막, 예를 들면 Pt, Rh, Pd 등을 형성한다.
또, 양극(18)의 금속의 형성은 형성하는 금속을 이온 상태로 하여 증착하는 이온 클러스터법에 의해서도 가능하다.
본 발명의 표시 장치 및 그 제조 방법에 따르면, EL 소자의 발광 광이 상기 기판측과는 반대의 방향으로부터 외부로 방출시키는 것이 실현 가능하므로, 방출되는 광이 TFT에 의해 차단되지 않게 되기 때문에 개구율을 크게 할 수 있다.
또한, 발광광을 차단하지 않을 정도로 TFT를 극히 작게 해야만 한다고 하는 제약도 없어져서, TFT의 사이즈 결정에도 자유도가 증대되기 때문에, TFT의 능력을 충분히 발휘할 수 있다.

Claims (5)

  1. 기판 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 구비한 박막 트랜지스터와, 음극, 양극 및 상기 양 전극 사이에 협지된 발광 소자층으로 이루어지며, 상기 박막 트랜지스터에 의해 구동되는 일렉트로 루미네센스 소자가 순서대로 적층되어 이루어지는 표시 화소를 구비하고, 상기 일렉트로 루미네센스 소자의 발광 광이 상기 기판측과는 반대의 방향으로부터 외부로 방출되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 일렉트로 루미네센스 소자의 음극과 상기 소스 전극이 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 박막 트랜지스터의 일렉트로 루미네센스 소자의 양극은 금속으로 이루어지며, 상기 표시 화소의 일부만을 덮는 형상인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 일렉트로 루미네센스 소자의 양극의 형상은 빗살형 혹은 메쉬형인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  5. 소스 전극을 구비한 박막 트랜지스터와, 음극, 양극 및 상기 양극 사이에 협지된 발광 소자층으로 이루어지며, 상기 박막 트랜지스터에 의해 구동되는 일렉트로 루미네센스 소자로 이루어지는 표시 화소를 구비한 표시 장치의 제조 방법에 있어서,
    기판 상에 상기 박막 트랜지스터를 형성하는 공정, 상기 박막 트랜지스터를 덮는 절연막을 형성하는 공정, 상기 절연막에 설치한 컨택트홀을 통해 상기 소스 전극과 접속된 상기 음극, 상기 음극 상에 발광 소자층, 및 상기 표시 화소의 일부만을 덮는 형상의 금속으로 이루어지는 양극을 순서대로 형성하는 공정으로 이루어지며, 상기 금속은 증착법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100961626B1 (ko) * 2001-10-26 2010-06-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
US7893438B2 (en) 2003-10-16 2011-02-22 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device including a planarization pattern and method for manufacturing the same

Families Citing this family (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3520396B2 (ja) * 1997-07-02 2004-04-19 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板と表示装置
JP3580092B2 (ja) * 1997-08-21 2004-10-20 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型表示装置
US6380672B1 (en) * 1997-08-21 2002-04-30 Seiko Epson Corporation Active matrix display device
JP4472073B2 (ja) * 1999-09-03 2010-06-02 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及びその作製方法
US6559594B2 (en) * 2000-02-03 2003-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
JP4758163B2 (ja) * 2000-02-03 2011-08-24 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP4434411B2 (ja) 2000-02-16 2010-03-17 出光興産株式会社 アクティブ駆動型有機ｅｌ発光装置およびその製造方法
US6882102B2 (en) * 2000-02-29 2005-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
JP5105664B2 (ja) * 2000-03-06 2012-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP4769997B2 (ja) 2000-04-06 2011-09-07 ソニー株式会社 薄膜トランジスタ及びその製造方法、液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法、有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法
US6628685B1 (en) * 2000-08-21 2003-09-30 Chan-Long Shieh Method of fabricating long-wavelength VCSEL and apparatus
TW522577B (en) 2000-11-10 2003-03-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
JP4632337B2 (ja) * 2000-11-10 2011-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
KR100365519B1 (ko) * 2000-12-14 2002-12-18 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계발광 디바이스 및 이의 제조 방법
CN101397649B (zh) * 2001-02-01 2011-12-28 株式会社半导体能源研究所 能够将有机化合物沉积在衬底上的装置
JP2002280186A (ja) * 2001-03-19 2002-09-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
US7301279B2 (en) 2001-03-19 2007-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting apparatus and method of manufacturing the same
US6933673B2 (en) 2001-04-27 2005-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Luminescent device and process of manufacturing the same
KR20030017748A (ko) * 2001-08-22 2003-03-04 한국전자통신연구원 유기물 전계 효과 트랜지스터와 유기물 발광 다이오드가일체화된 유기물 전기 발광 소자 및 그 제조 방법
JP2005093074A (ja) * 2001-09-03 2005-04-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子及びその製造方法、並びに、その発光素子を用いた表示装置及び照明装置
SG111968A1 (en) * 2001-09-28 2005-06-29 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
KR100834346B1 (ko) * 2001-12-28 2008-06-02 엘지디스플레이 주식회사 능동행렬 유기전기발광소자
JP2003223992A (ja) * 2002-01-31 2003-08-08 Toyota Industries Corp 有機ｅｌカラー表示装置
TWI286044B (en) 2002-02-22 2007-08-21 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device and method of manufacturing the same, and method of operating manufacturing apparatus
JP4558277B2 (ja) * 2002-02-22 2010-10-06 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP2003332560A (ja) * 2002-05-13 2003-11-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びマイクロプロセッサ
US7129635B2 (en) * 2002-08-06 2006-10-31 Rohm Co., Ltd. Organic EL display device with plural electrode segments
JP3922374B2 (ja) 2002-09-25 2007-05-30 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、マトリクス基板、及び電子機器
JP2005019211A (ja) * 2003-06-26 2005-01-20 Casio Comput Co Ltd Ｅｌ表示パネル及びｅｌ表示パネルの製造方法
KR100552975B1 (ko) * 2003-11-22 2006-02-15 삼성에스디아이 주식회사 능동 매트릭스 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
JP4165478B2 (ja) 2003-11-07 2008-10-15 セイコーエプソン株式会社 発光装置及び電子機器
KR100635065B1 (ko) * 2004-05-17 2006-10-16 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조방법
DE102004035965B4 (de) * 2004-07-23 2007-07-26 Novaled Ag Top-emittierendes, elektrolumineszierendes Bauelement mit zumindest einer organischen Schicht
DE102004042461A1 (de) * 2004-08-31 2006-03-30 Novaled Gmbh Top-emittierendes, elektrolumineszierendes Bauelement mit Frequenzkonversionszentren
KR100700004B1 (ko) * 2004-11-10 2007-03-26 삼성에스디아이 주식회사 양면 발광 유기전계발광소자 및 그의 제조 방법
KR100724483B1 (ko) * 2004-12-29 2007-06-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR100700648B1 (ko) * 2005-01-31 2007-03-27 삼성에스디아이 주식회사 전면발광 유기전계발광표시장치
KR101097301B1 (ko) * 2005-02-05 2011-12-23 삼성모바일디스플레이주식회사 백색발광소자
US8686627B2 (en) * 2005-04-15 2014-04-01 University Of Utah Research Foundation Perforated-electrode organic light-emitting diodes
KR100759562B1 (ko) * 2005-12-22 2007-09-18 삼성에스디아이 주식회사 디스플레이 장치용 섀시 조립체 및 이를 구비한 디스플레이장치
EP1808909A1 (de) * 2006-01-11 2007-07-18 Novaled AG Elekrolumineszente Lichtemissionseinrichtung
KR100756581B1 (ko) * 2006-02-15 2007-09-10 삼성전자주식회사 표시장치의 제조장치 및 제조방법
JP4303308B2 (ja) 2007-11-20 2009-07-29 シャープ株式会社 電子放出素子、電子放出装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、および電子放出素子の製造方法
JP4314307B1 (ja) * 2008-02-21 2009-08-12 シャープ株式会社 熱交換装置
US8299700B2 (en) 2009-02-05 2012-10-30 Sharp Kabushiki Kaisha Electron emitting element having an electron acceleration layer, electron emitting device, light emitting device, image display device, cooling device, and charging device
CN101814405B (zh) 2009-02-24 2012-04-25 夏普株式会社 电子发射元件及其制造方法、使用电子发射元件的各装置
JP2010249935A (ja) 2009-04-13 2010-11-04 Sony Corp 表示装置
JP4732533B2 (ja) 2009-05-19 2011-07-27 シャープ株式会社 電子放出素子及びその製造方法、並びに、電子放出装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置
JP4777448B2 (ja) 2009-05-19 2011-09-21 シャープ株式会社 電子放出素子、電子放出装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、帯電装置、画像形成装置、及び電子線硬化装置
JP4932873B2 (ja) * 2009-05-19 2012-05-16 シャープ株式会社 自発光素子、自発光装置、画像表示装置、自発光素子駆動方法、および自発光素子の製造方法
JP4732534B2 (ja) 2009-05-19 2011-07-27 シャープ株式会社 電子放出素子、電子放出装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置
JP5073721B2 (ja) * 2009-05-19 2012-11-14 シャープ株式会社 電子放出素子、電子放出装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、電子放出素子の製造方法
CN101930884B (zh) 2009-06-25 2012-04-18 夏普株式会社 电子发射元件及其制造方法、电子发射装置、自发光设备、图像显示装置
JP4927152B2 (ja) * 2009-11-09 2012-05-09 シャープ株式会社 熱交換装置
JP4880740B2 (ja) 2009-12-01 2012-02-22 シャープ株式会社 電子放出素子及びその製造方法、並びに、電子放出装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置
JP5343896B2 (ja) * 2010-03-10 2013-11-13 セイコーエプソン株式会社 光学式位置検出装置
CN102456839A (zh) * 2010-10-21 2012-05-16 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
RU2604567C2 (ru) 2011-10-28 2016-12-10 Конинклейке Филипс Н.В. Прозрачное устройство осид со структурированным катодом и способ изготовления такого устройства осид
JP2014150197A (ja) * 2013-02-01 2014-08-21 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明器具
CN103187432A (zh) * 2013-03-20 2013-07-03 北京京东方光电科技有限公司 一种掩膜板、oled透明显示面板及其制造方法
CN104218160A (zh) * 2013-05-30 2014-12-17 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及该有机电致发光器件的制备方法
KR102020895B1 (ko) * 2013-10-31 2019-09-11 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN103985736A (zh) * 2014-04-30 2014-08-13 京东方科技集团股份有限公司 Amoled阵列基板及制作方法和显示装置
CN105810844B (zh) * 2016-03-23 2018-05-29 武汉华星光电技术有限公司 Oled器件及其制作方法、柔性显示单元
CN113921738A (zh) * 2021-09-29 2022-01-11 吉林大学 一种阳极电极、有机电致发光器件和照明面板

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50125693A (ko) * 1974-03-20 1975-10-02
JPH0334292A (ja) * 1989-06-29 1991-02-14 Komatsu Ltd 薄膜ｅｌ素子を用いたドットマトリクスディスプレイ
JP2788531B2 (ja) * 1990-04-03 1998-08-20 三井化学株式会社 有機錯体発光素子
JPH0757871A (ja) 1993-08-19 1995-03-03 Hitachi Ltd 電場発光表示装置
JP2821347B2 (ja) 1993-10-12 1998-11-05 日本電気株式会社 電流制御型発光素子アレイ
JP2689917B2 (ja) * 1994-08-10 1997-12-10 日本電気株式会社 アクティブマトリクス型電流制御型発光素子の駆動回路
JPH08124679A (ja) 1994-10-25 1996-05-17 Ibm Japan Ltd エレクトロ・ルミネッセンス装置
US5550066A (en) 1994-12-14 1996-08-27 Eastman Kodak Company Method of fabricating a TFT-EL pixel
JP3962436B2 (ja) 1995-02-14 2007-08-22 出光興産株式会社 多色発光装置
DE69623443T2 (de) 1995-02-06 2003-01-23 Idemitsu Kosan Co Vielfarbige lichtemissionsvorrichtung und verfahren zur herstellung derselben
JP2850820B2 (ja) 1995-02-09 1999-01-27 株式会社デンソー Ｅｌ素子
US5640067A (en) 1995-03-24 1997-06-17 Tdk Corporation Thin film transistor, organic electroluminescence display device and manufacturing method of the same
US5677594A (en) 1995-08-01 1997-10-14 Sun; Sey-Shing TFEL phosphor having metal overlayer
JPH09245968A (ja) 1996-03-11 1997-09-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機発光素子及びその製造方法
JP3302262B2 (ja) 1996-06-10 2002-07-15 ティーディーケイ株式会社 有機エレクトロ・ルミネッセンス表示装置及びその製造方法
JPH1039792A (ja) 1996-07-19 1998-02-13 Hokuriku Electric Ind Co Ltd Ｅｌ素子とその製造方法
DE69739633D1 (de) 1996-11-28 2009-12-10 Casio Computer Co Ltd Anzeigevorrichtung
JP3392672B2 (ja) * 1996-11-29 2003-03-31 三洋電機株式会社 表示装置
JPH10161563A (ja) * 1996-11-29 1998-06-19 Tdk Corp 有機ｅｌ表示装置
JP3463971B2 (ja) * 1996-12-26 2003-11-05 出光興産株式会社 有機アクティブｅｌ発光装置
TW441136B (en) * 1997-01-28 2001-06-16 Casio Computer Co Ltd An electroluminescent display device and a driving method thereof
JPH10289784A (ja) * 1997-04-14 1998-10-27 Mitsubishi Chem Corp 有機電界発光素子

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100961626B1 (ko) * 2001-10-26 2010-06-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
US7893438B2 (en) 2003-10-16 2011-02-22 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device including a planarization pattern and method for manufacturing the same
US8283219B2 (en) 2003-10-16 2012-10-09 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and method for manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
JPH11251069A (ja) 1999-09-17
US6630784B2 (en) 2003-10-07
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