JP4880740B2 - 電子放出素子及びその製造方法、並びに、電子放出装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置 - Google Patents
電子放出素子及びその製造方法、並びに、電子放出装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置 Download PDFInfo
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Description
(電子放出素子及び電子放出装置の構成)
図1は、本発明に係る一実施形態の電子放出素子1を用いた電子放出装置11の構成を示す模式図である。図1に示すように、電子放出装置11は、本発明に係る一実施形態の電子放出素子1と電源10とを有する。電子放出素子1は、下部電極となる電極基板2と、上部電極となる薄膜電極3と、その間に挟まれて存在する電子加速層4とからなる。また、電極基板2と薄膜電極3とは電源(電源部)10に繋がっており、対向して配置された電極基板2と薄膜電極3との間に電圧を印加できるようになっている。電子放出素子1は、電極基板2と薄膜電極3との間に電圧を印加することで、電極基板2と薄膜電極3との間、つまり、電子加速層4に電流を流し、その一部を印加電圧の形成する強電界により弾道電子として、薄膜電極3を通過(透過)して、或いは絶縁体微粒子間の隙間の影響から生じる薄膜電極3の孔(隙間)もしくは、絶縁体微粒子の段差等からすり抜けて外部へと放出される。
次に、電子放出素子1の製造方法の一実施形態について説明する。
以下の実施例では、初めに、結晶性電子輸送剤9の添加量と、結晶性電子輸送剤9が電子加速層4内で非晶状態にある(結晶化前)電子放出素子の素子内電流量、さらに電子放出量との関係を調べた実験結果について説明する。その後、結晶性電子輸送剤9が非晶状態にある電子放出素子及び結晶性電子輸送剤9が結晶化した電子放出素子の素子内電流量及び電子放出量の測定結果について説明する。また、薄膜電極の役割についても実験を行った。
図14に、実施の形態1で説明した本発明に係る一実施形態の電子放出素子1を用いた電子放出装置11にて構成される、本発明に係る帯電装置90の一例を示す。帯電装置90は、電子放出素子1とこれに電圧を印加する電源10とからなる電子放出装置11より構成されており、感光体ドラム14の表面を帯電させるものである。本発明に係る画像形成装置は、この帯電装置90を具備している。
図15に、実施の形態1で説明した本発明に係る一実施形態の電子放出素子1を用いた電子放出装置11にて構成される、本発明に係る電子線硬化装置100の一例を示す。電子線硬化装置100は、電子放出素子1とこれに電圧を印加する電源10とからなる電子放出装置10に加えて、電子を加速させる加速電極21を備えている。電子線硬化装置100では、電子放出素子1を電子源とし、放出された電子を加速電極21で加速してレジスト(被硬化物)22へと衝突させる。一般的なレジスト22を硬化させるために必要なエネルギーは10eV以下であるため、エネルギーだけに注目すれば加速電極21は必要ない。しかしながら、電子線の浸透深さは電子のエネルギーの関数となるため、例えば厚さ1μmのレジスト22を全て硬化させるには約5kVの加速電圧が必要となる。
図16〜18に、実施の形態1で説明した本発明に係る一実施形態の電子放出素子1を用いた電子放出装置11にて構成される、本発明に係る自発光デバイスの例をそれぞれ示す。
図20及び図21に実施の形態1で説明した本発明に係る一実施形態の電子放出素子1を用いた電子放出装置11にて構成した、本発明に係る送風装置の例をそれぞれ示す。以下では、本願発明に係る送風装置を、冷却装置として用いた場合について説明する。しかし、送風装置の利用は冷却装置に限定されることはない。
2 電極基板
3 薄膜電極
4 電子加速層
5 抵抗層
6 金属層
7 絶縁体微粒子
8 導電微粒子
9 結晶性電子輸送剤
10 電源(電源部)
10A 電源(電源部)
10B 電源
11 電子放出装置
12 対向電極
13 絶縁体スペーサ
14 感光体ドラム
21 加速電極
22 レジスト(被硬化物)
31,31’,31” 自発光デバイス
32,32’ 蛍光体(発光体)
33 ITO膜
34 ガラス基板
35 電源
36 発光部
41 被冷却体
42 送風ファン
90 帯電装置
100 電子線硬化装置
140 画像表示装置
150 送風装置
160 送風装置
330 液晶パネル
Claims (21)
- 対向する電極基板と薄膜電極との間に電子加速層を有し、前記電極基板と前記薄膜電極との間に電圧が印加されると、前記電子加速層にて電子を加速させて、前記薄膜電極から前記電子を放出させる電子放出素子であって、
前記電子加速層は、
導電体からなり抗酸化力が高い導電微粒子と、前記導電微粒子の平均径よりも大きい平均径の絶縁体微粒子と、結晶性電子輸送剤とを含み、
前記結晶性電子輸送剤は、結晶化していることを特徴とする電子放出素子。 - 前記結晶性電子輸送剤は、前記電子加速層を層の厚み方向に貫いて結晶化していることを特徴とする請求項1に記載の電子放出素子。
- 前記結晶性電子輸送剤は、針状に結晶化することを特徴とする請求項1または2に記載の電子放出素子。
- 前記結晶性電子輸送剤は、前記絶縁体微粒子および導電微粒子を分散させた分散溶液に可溶であり、かつ、当該分散溶液を用いて前記電子加速層を形成した後に再結晶化するものであることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の電子放出素子。
- 前記導電微粒子を成す導電体は、金、銀、白金、パラジウム、及びニッケルの少なくとも1つを含んでおり、その平均径は、3〜10nmであることを特徴とする、請求項1から4のいずれか1項に記載の電子放出素子。
- 前記絶縁体微粒子の平均粒径は、10〜200nmであることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の電子放出素子。
- 前記結晶性電子輸送剤は、ジフェノキノンであることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の電子放出素子。
- 前記電子加速層の層厚は、300〜1000nmであることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の電子放出素子。
- 前記絶縁体微粒子は、SiO2、Al2O3、及びTiO2の少なくとも1つを含んでいる、又は有機ポリマーを含んでいることを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の電子放出素子。
- 前記薄膜電極は、前記電子加速層に接する側から順に、抵抗層と金属層とが積層されてなり、
前記抵抗層は、アモルファスカーボン膜または窒化膜からなり、
前記金属層は、金、銀、タングステン、チタン、アルミ、及びパラジウムの少なくとも1つを含んでいることを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載の電子放出素子。 - 請求項1から10のいずれか1項に記載の電子放出素子と、当該電子放出素子における前記電極基板と前記薄膜電極との間に電圧を印加する電源部と、を備えたことを特徴とする電子放出装置。
- 前記電源部により印加される電圧は、パルス波形の電圧であることを特徴とする請求項11に記載の電子放出装置。
- 請求項11または12に記載の電子放出装置と発光体とを備え、当該電子放出装置から電子を放出して当該発光体を発光させることを特徴とする自発光デバイス。
- 請求項13に記載の自発光デバイスを備えたことを特徴とする画像表示装置。
- 請求項11または12に記載の電子放出装置を備え、当該電子放出装置から電子を放出して風を送ることを特徴とする送風装置。
- 請求項11または12に記載の電子放出装置を備え、当該電子放出装置から電子を放出して被冷却体を冷却することを特徴とする冷却装置。
- 請求項11または12に記載の電子放出装置を備え、当該電子放出装置から電子を放出して感光体を帯電させることを特徴とする帯電装置。
- 請求項17に記載の帯電装置を備えたことを特徴とする画像形成装置。
- 請求項11または12に記載の電子放出装置を備え、当該電子放出装置から電子を放出して被硬化物を硬化させることを特徴とする電子線硬化装置。
- 対向する電極基板と薄膜電極との間に電子加速層を有し、前記電極基板と前記薄膜電極との間に電圧が印加されることで、前記電子加速層にて電子を加速させて前記薄膜電極から前記電子を放出する電子放出素子の製造方法であって、
絶縁体微粒子、導電微粒子、及び結晶性電子輸送剤を溶媒に分散させてなる微粒子分散溶液を、前記電極基板上に塗布して、前記電子加速層を形成する電子加速層形成工程と、
前記電子加速層の上に前記薄膜電極を形成する薄膜電極形成工程と、
前記結晶性電子輸送剤を結晶化させる結晶化工程と、を含むことを特徴とする電子放出素子の製造方法。 - 前記結晶化工程では、前記結晶性電子輸送剤を、前記電子加速層内外に針状に結晶化させることを特徴とする請求項20に記載の電子放出素子の製造方法。
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WO2012077558A1 (ja) * | 2010-12-07 | 2012-06-14 | シャープ株式会社 | 電子放出素子、電子放出装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、および電子放出素子の製造方法 |
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Family Cites Families (84)
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---|---|---|---|---|
US3644161A (en) | 1967-11-13 | 1972-02-22 | Scm Corp | Process for curing air-inhibited resins by radiation |
JPS6020027A (ja) | 1983-07-15 | 1985-02-01 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 空気加熱・冷却装置 |
FR2593953B1 (fr) | 1986-01-24 | 1988-04-29 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'un dispositif de visualisation par cathodoluminescence excitee par emission de champ |
JP2608295B2 (ja) | 1987-10-21 | 1997-05-07 | キヤノン株式会社 | 電子放出素子 |
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JP2632359B2 (ja) | 1988-05-02 | 1997-07-23 | キヤノン株式会社 | 電子放出素子及びその製造方法 |
JP2715304B2 (ja) | 1988-05-26 | 1998-02-18 | キヤノン株式会社 | Mim形電子放出素子 |
JPH06255168A (ja) | 1993-03-08 | 1994-09-13 | Alps Electric Co Ltd | イオン書き込みヘッドおよび印字装置 |
JPH0897582A (ja) | 1994-09-29 | 1996-04-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 冷却装置 |
JP3226745B2 (ja) | 1995-03-09 | 2001-11-05 | 科学技術振興事業団 | 半導体冷電子放出素子及びこれを用いた装置 |
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US5891548A (en) | 1996-10-03 | 1999-04-06 | Dow Corning Corporation | Encapsulated silica nanoparticles |
GB9626221D0 (en) | 1996-12-18 | 1997-02-05 | Smiths Industries Plc | Diamond surfaces |
JPH10308166A (ja) | 1997-03-04 | 1998-11-17 | Pioneer Electron Corp | 電子放出素子及びこれを用いた表示装置 |
US6130503A (en) | 1997-03-04 | 2000-10-10 | Pioneer Electronic Corporation | Electron emission device and display using the same |
JP3698382B2 (ja) | 1997-03-04 | 2005-09-21 | パイオニア株式会社 | 電子放出素子及びこれを用いた表示装置 |
JPH10308165A (ja) | 1997-03-04 | 1998-11-17 | Pioneer Electron Corp | 電子放出素子及びこれを用いた表示装置 |
JP3740295B2 (ja) | 1997-10-30 | 2006-02-01 | キヤノン株式会社 | カーボンナノチューブデバイス、その製造方法及び電子放出素子 |
JP3203227B2 (ja) | 1998-02-27 | 2001-08-27 | 三洋電機株式会社 | 表示装置の製造方法 |
JP2000076986A (ja) | 1998-08-28 | 2000-03-14 | Nikon Corp | 薄膜冷陰極及びその製造方法 |
JP3595718B2 (ja) | 1999-03-15 | 2004-12-02 | 株式会社東芝 | 表示素子およびその製造方法 |
JP2000277003A (ja) | 1999-03-23 | 2000-10-06 | Futaba Corp | 電子放出源の製造方法及び電子放出源 |
JP2000311640A (ja) | 1999-04-27 | 2000-11-07 | Ise Electronics Corp | 絶縁膜および蛍光表示装置 |
US6462467B1 (en) | 1999-08-11 | 2002-10-08 | Sony Corporation | Method for depositing a resistive material in a field emission cathode |
JP3487236B2 (ja) | 1999-08-26 | 2004-01-13 | 松下電工株式会社 | 電界放射型電子源およびその製造方法 |
JP3874396B2 (ja) | 2000-01-13 | 2007-01-31 | パイオニア株式会社 | 電子放出素子及びその製造方法並びに電子放出素子を用いた表示装置 |
JP3530800B2 (ja) | 2000-05-08 | 2004-05-24 | キヤノン株式会社 | 電子源形成用基板、該基板を用いた電子源並びに画像表示装置 |
JP3548498B2 (ja) | 2000-05-08 | 2004-07-28 | キヤノン株式会社 | 電子源形成用基板、該基板を用いた電子源並びに画像表示装置 |
JP4141617B2 (ja) | 2000-06-14 | 2008-08-27 | 株式会社リコー | 電荷発生装置及び帯電装置及び画像形成装置 |
JP2002093310A (ja) | 2000-09-08 | 2002-03-29 | Toshiba Corp | 電界放出型電子源および表示装置 |
JP2002208346A (ja) | 2000-11-13 | 2002-07-26 | Sony Corp | 冷陰極電界電子放出素子の製造方法 |
JP2002279892A (ja) | 2001-03-21 | 2002-09-27 | Ricoh Co Ltd | 電子放出素子の製造方法、電子放出素子、帯電装置及び画像形成装置 |
US6844664B2 (en) | 2001-04-24 | 2005-01-18 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Field emission electron source and production method thereof |
CN1216394C (zh) | 2001-09-25 | 2005-08-24 | 松下电工株式会社 | 场致发射型电子源 |
JP3613792B2 (ja) | 2001-10-01 | 2005-01-26 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 固体自発光表示装置及びその製造方法 |
EP1306870B1 (en) * | 2001-10-29 | 2010-06-30 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Field emission-type electron source and method of biasing the same |
JP2003173744A (ja) | 2001-12-04 | 2003-06-20 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 電界放出型電子源およびその製造方法ならびに表示装置 |
JP2003173878A (ja) | 2001-12-05 | 2003-06-20 | Mitsubishi Chemicals Corp | 交流印可型エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2003331712A (ja) | 2002-05-10 | 2003-11-21 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 電界放出型電子源およびその製造方法ならびに表示装置 |
TWI278696B (en) | 2002-09-10 | 2007-04-11 | Obayashiseikou Co Ltd | Active matrix type vertically aligned mode liquid crystal display and driving method thereof |
JP4248848B2 (ja) | 2002-11-12 | 2009-04-02 | 奇美電子股▲ふん▼有限公司 | 液晶表示セルおよび液晶ディスプレイ |
JP2004241161A (ja) | 2003-02-03 | 2004-08-26 | Ideal Star Inc | 電子放出源およびその製造方法並びに表示装置 |
JP2004253201A (ja) | 2003-02-19 | 2004-09-09 | Nitta Ind Corp | 電界放出型冷陰極およびその製造方法 |
JP2004296950A (ja) | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Quantum 14:Kk | 発光素子と発光装置並びに情報ディスプレイ装置 |
JP4336133B2 (ja) | 2003-03-27 | 2009-09-30 | 学校法人東海大学 | ナノシリコン発光素子の製造法 |
JP4219724B2 (ja) | 2003-04-08 | 2009-02-04 | 三菱電機株式会社 | 冷陰極発光素子の製造方法 |
JP4216112B2 (ja) | 2003-04-21 | 2009-01-28 | シャープ株式会社 | 電子放出素子およびそれを用いた画像形成装置 |
JP2005005205A (ja) | 2003-06-13 | 2005-01-06 | Sharp Corp | 電子放出装置、帯電装置および帯電方法 |
WO2005004545A1 (ja) | 2003-07-02 | 2005-01-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 発光素子及び表示デバイス |
US7898160B2 (en) | 2003-11-25 | 2011-03-01 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Method and apparatus for modifying object with electrons generated from cold cathode electron emitter |
JP4442203B2 (ja) | 2003-11-25 | 2010-03-31 | パナソニック電工株式会社 | 電子線放射装置 |
JP3811157B2 (ja) | 2003-12-26 | 2006-08-16 | 株式会社東芝 | スピン偏極エミッタ |
JP3776911B2 (ja) | 2004-01-20 | 2006-05-24 | 株式会社東芝 | 電界放射型電子源 |
JP2005260040A (ja) | 2004-02-12 | 2005-09-22 | Sony Corp | ドーピング方法、半導体装置の製造方法および電子応用装置の製造方法 |
JP4184306B2 (ja) | 2004-03-18 | 2008-11-19 | パイオニア株式会社 | 電子放出素子 |
JP4774789B2 (ja) | 2004-04-14 | 2011-09-14 | 三菱化学株式会社 | エッチング方法及びエッチング液 |
JP2005326080A (ja) | 2004-05-14 | 2005-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 燃焼装置とそれを備えた調理器 |
JP4794227B2 (ja) | 2004-07-15 | 2011-10-19 | 日本碍子株式会社 | 電子放出素子 |
JP4662140B2 (ja) | 2004-07-15 | 2011-03-30 | 日本碍子株式会社 | 電子放出素子 |
JP2006054162A (ja) | 2004-07-15 | 2006-02-23 | Ngk Insulators Ltd | 誘電体デバイス |
US7482739B2 (en) | 2004-07-15 | 2009-01-27 | Ngk Insulators, Ltd. | Electron emitter comprised of dielectric material mixed with metal |
KR20060019849A (ko) | 2004-08-30 | 2006-03-06 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출 소자 및 이의 제조 방법 |
JP2007290873A (ja) | 2004-08-31 | 2007-11-08 | New Industry Research Organization | シリカ微粒子の表面修飾を利用した可視発光材料およびその製造方法 |
KR100616620B1 (ko) | 2004-09-22 | 2006-08-28 | 삼성전기주식회사 | 이온풍을 이용한 무소음 고효율 방열장치 |
JP2006107746A (ja) | 2004-09-30 | 2006-04-20 | Hitachi Ltd | 画像表示装置 |
JP2006190545A (ja) | 2005-01-05 | 2006-07-20 | Dialight Japan Co Ltd | 冷陰極蛍光ランプ |
KR100697656B1 (ko) | 2005-04-28 | 2007-03-22 | 이승호 | 다중 전자 공급원을 구비한 평면 발광 소자 |
KR100695111B1 (ko) | 2005-06-18 | 2007-03-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 강유전체 냉음극 및 이를 구비한 강유전체 전계방출소자 |
JP5053524B2 (ja) | 2005-06-23 | 2012-10-17 | 日本碍子株式会社 | 電子放出素子 |
JP4644148B2 (ja) | 2006-03-10 | 2011-03-02 | 株式会社日立製作所 | 画像表示装置 |
JP5004484B2 (ja) | 2006-03-23 | 2012-08-22 | 日本碍子株式会社 | 誘電体デバイス |
JP2009019084A (ja) | 2007-07-10 | 2009-01-29 | Toyota Boshoku Corp | 車両用内装材及びその製造方法 |
JP2009092902A (ja) | 2007-10-09 | 2009-04-30 | Sharp Corp | 帯電装置及び画像形成装置 |
JP4303308B2 (ja) * | 2007-11-20 | 2009-07-29 | シャープ株式会社 | 電子放出素子、電子放出装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、および電子放出素子の製造方法 |
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US8299700B2 (en) | 2009-02-05 | 2012-10-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electron emitting element having an electron acceleration layer, electron emitting device, light emitting device, image display device, cooling device, and charging device |
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