JP2006107746A - 画像表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 層間絶縁層の低テーパー角化による上部電極の断線を防止し、当該層間絶縁層を圧膜化して低容量化を実現するとともに、基板のガラスから析出したナトリウムによる電子源の汚染を防止する。
【解決手段】 層間絶縁層をガラス基板側(フィールド絶縁層14側)に形成したシリコン酸化膜15−1とその上に形成したシリコン窒化膜15−2の積層膜の積層膜として、低テーパー角の層間絶縁層とし、その上に成膜される電子源の上層電極の断線を防止し、電子源の下部電極との交叉部を低容量化し、基板のガラスから析出したナトリウムをブロックする。
【選択図】 図12
【解決手段】 層間絶縁層をガラス基板側(フィールド絶縁層14側)に形成したシリコン酸化膜15−1とその上に形成したシリコン窒化膜15−2の積層膜の積層膜として、低テーパー角の層間絶縁層とし、その上に成膜される電子源の上層電極の断線を防止し、電子源の下部電極との交叉部を低容量化し、基板のガラスから析出したナトリウムをブロックする。
【選択図】 図12
Description
本発明は、画像表示装置にかかり、特に薄膜型電子源アレイを用いた自発光型のフラット・パネル・ディスプレイとも称する画像表示装置に好適なものである。
微少で集積可能な薄膜電子源とも称する電子放出型電子源を利用する画像表示装置(フィールド・エミッション・ディスプレイ:FED)が開発されている。この種の画像表示装置の電子源は、電子放出型電子源とホットエレクトロン型電子源とに分類される。前者には、スピント型電子源、表面伝導型電子源、カーボンナノチューブ型電子源等が属し、後者には金属―絶縁体―金属を積層したMIM(Metal−Insulator−Metal)型、金属―絶縁体―半導体を積層したMIS(Metal−Insulator−Semiconductor)型、金属―絶縁体―半導体−金属型等の薄膜型電子源がある。
MIM型について、例えば特許文献1、金属―絶縁体―半導体型についてはMOS型(非特許文献1)、金属―絶縁体―半導体−金属型ではHEED型(非特許文献2などに記載)、EL型(非特許文献3などに記載)、ポーラスシリコン型(非特許文献4などに記載)などが報告されている。
MIM型電子源については、例えば特許文献2に開示されている。MIM型電子源の構造と動作は以下のとおりである。すなわち、上部電極と下部電極との間に絶縁層を介在させた構造を有し、上部電極と下部電極との間に電圧を印加することで、下部電極中のフェルミ準位近傍の電子がトンネル現象により障壁を透過し、電子加速層である絶縁層の伝導帯へ注入されホットエレクトロンとなり、上部電極の伝導帯へ流入する。これらのホットエレクトロンのうち、上部電極の仕事関数φ以上のエネルギーをもって上部電極表面に達したものが真空中に放出される。
特開平7−65710号公報
特開平10−153979号公報
特願2003−135268号公報
j.Vac.Sci.Techonol.B11(2)p.429−432(1993)
high−efficiency−electro−emission device、Jpn、j、Appl、Phys、vol.36、pp.939
Electroluminescence、応用物理 第63巻、第6号、592頁
応用物理 第66巻、第5号、437頁
このような電子源を複数の行(例えば水平方向)と複数の列(例えば垂直方向)に並べてマトリクスを形成し、各電子源対応に配列した多数の蛍光体を真空中に配置して画像表示装置を構成することができる。この様な構成とした画像表示装置において画像表示を行う場合、線順次駆動方式と呼ばれる駆動方法が標準的に採用されている。これは、毎秒60枚(60フレーム)の静止画を表示する際、各フレームにおける表示を走査線(水平方向)毎に行う方式である。従って、同一走査線上にある、信号線の数に対応する電子源は全て同時に動作することになる。動作時走査線には、サブピクセル(フルカラー表示のためのカラー1画素(ピクセル)を構成する副画素)に含まれる電子源が消費する電流に、全信号線数をかけた電流が流れる。この走査線電流は、配線抵抗により走査線に沿った電圧降下をもたらすため、電子源の均一な動作を妨げることになる。特に大型の表示装置を実現する上で走査線の配線抵抗による電圧降下は大きな問題である。
この問題を解決するには、走査線の配線抵抗を低減する必要がある。薄膜型電子源の場合、下部電極、または上部電極に給電する上部バス電極配線(走査線)を低抵抗化することが考えられる。しかしながら、下部電極を低抵抗化するため厚膜化すると配線の凹凸が激しくなり、電子加速層の品質が低下したり、上部バス電極などが断線しやすくなるなど、信頼性に問題が生じる。そこで上部バス電極配線を低抵抗化して走査線にする方法が好ましい。
上部バス電極配線を低抵抗化するため、アルミニウムAlの上下をクロムCrでサンドイッチした積層配線とするのが有効である。そして、この上部バス電極配線から電子源に当該電子源の上部電極を成膜して給電する。
すなわち、上部バス電極配線から上部電極への給電路は、電子源となる上部電極と下部電極の間に介在させた電子加速層の外側で該上部電極と該下部電極の間を絶縁する層間絶縁層の側縁に沿って上部バス電極配線の上に延びるように成膜された前記上部電極で形成される。
MIM型電子源では、ホットエレクトロンを透過させるために、その上部電極の膜厚は10nm以下の極薄に形成される。そのため、上記の層間絶縁層の側縁は低角度のテーパー加工を実現することが課題となっていた。また、MIM型電子源を用いた画像表示装置は、その陰極基板と蛍光体基板の間に枠ガラスを介在させてフリットガラスを用いて真空封着する。そのため、陰極基板と蛍光体基板には、フリットガラスの熱膨張係数が近似するソーダライム系ガラスが用いられる。ソーダライム系ガラスは真空封着する工程の熱処理でナトリウムNaを析出する。析出したNaは電子源(陰極)を汚染する。このようなNaによる電子源の汚染を抑制することが課題となっていた。
さらに、走査配線である上部バス電極配線と、信号配線である電子源の下部電極とをマトリクス配置したものでは、配線間の容量を可能な限り小さくして駆動回路の電流負荷、消費電力を低減することが要求される。配線間の容量を小さくするためには、層間絶縁層を厚くすることが課題となっていた。
本発明の目的は、層間絶縁層の低テーパー角化による上部電極の断線を防止し、当該層間絶縁層を圧膜化して低容量化を実現するとともに、基板のガラスから析出したナトリウムによる電子源の汚染を防止した画像表示装置を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明は、層間絶縁層をシリコン酸化膜とシリコン窒化膜の積層膜、またはシリコン酸窒化膜とシリコン窒化膜の積層膜、あるいは窒素の含有濃度がガラス基板側(フィールド絶縁層側)で低く、上部電極と接する表面側で高い傾斜組成のシリコン酸窒化膜を用いた。
すなわち、本発明は、下部電極と上部電極、および前記下部電極と上部電極の間に挟持される電子加速層を有し、前記下部電極と前記上部電極との間に電圧を印加することで前記電子加速層と積層した領域で前記上部電極側より電子を放出する多数の薄膜型電子源をマトリクス状に配置した陰極基板と、前記電子源のそれぞれに対応して配置した複数色の蛍光体層を有する蛍光体基板とを具備し、
前記下部電極と前記上部電極は、前記電子加速層の前記領域の外側では前記電子加速層に連接するフィールド絶縁膜と、該フィールド絶縁膜の上層に形成された層間絶縁層との積層絶縁膜で前記下部電極と絶縁され、
前記上部電極は、前記フィールド絶縁膜と前記層間絶縁層との積層絶縁膜の側縁から当該層間絶縁層の上層に有して当該上部電極に給電する上部バス電極配線を覆う如く形成されており、
前記層間絶縁層が、前記フィールド絶縁膜側に位置するシリコン酸化膜と前記上部バス電極配線側に位置するシリコン窒化膜との積層膜から構成した。
前記下部電極と前記上部電極は、前記電子加速層の前記領域の外側では前記電子加速層に連接するフィールド絶縁膜と、該フィールド絶縁膜の上層に形成された層間絶縁層との積層絶縁膜で前記下部電極と絶縁され、
前記上部電極は、前記フィールド絶縁膜と前記層間絶縁層との積層絶縁膜の側縁から当該層間絶縁層の上層に有して当該上部電極に給電する上部バス電極配線を覆う如く形成されており、
前記層間絶縁層が、前記フィールド絶縁膜側に位置するシリコン酸化膜と前記上部バス電極配線側に位置するシリコン窒化膜との積層膜から構成した。
また、本発明は、下部電極と上部電極、および前記下部電極と上部電極の間に挟持される電子加速層を有し、前記下部電極と前記上部電極との間に電圧を印加することで前記電子加速層と積層した領域で前記上部電極側より電子を放出する多数の薄膜型電子源をマトリクス状に配置した陰極基板と、前記電子源のそれぞれに対応して配置した複数色の蛍光体層を有する蛍光体基板とを具備し、
前記下部電極と前記上部電極は、前記電子加速層の前記領域の外側では前記電子加速層に連接するフィールド絶縁膜と、該フィールド絶縁膜の上層に形成された層間絶縁層との積層絶縁膜で前記下部電極と絶縁され、
前記上部電極は、前記フィールド絶縁膜と前記層間絶縁層との積層絶縁膜の側縁から当該層間絶縁層の上層に有して当該上部電極に給電する上部バス電極配線を覆う如く形成されており、
前記層間絶縁層が、前記フィールド絶縁膜側に位置するシリコン酸窒化膜と前記上部バス電極配線側に位置するシリコン窒化膜との積層膜から構成した。
前記下部電極と前記上部電極は、前記電子加速層の前記領域の外側では前記電子加速層に連接するフィールド絶縁膜と、該フィールド絶縁膜の上層に形成された層間絶縁層との積層絶縁膜で前記下部電極と絶縁され、
前記上部電極は、前記フィールド絶縁膜と前記層間絶縁層との積層絶縁膜の側縁から当該層間絶縁層の上層に有して当該上部電極に給電する上部バス電極配線を覆う如く形成されており、
前記層間絶縁層が、前記フィールド絶縁膜側に位置するシリコン酸窒化膜と前記上部バス電極配線側に位置するシリコン窒化膜との積層膜から構成した。
また、本発明は、下部電極と上部電極、および前記下部電極と上部電極の間に挟持される電子加速層を有し、前記下部電極と前記上部電極との間に電圧を印加することで前記電子加速層と積層した領域で前記上部電極側より電子を放出する多数の薄膜型電子源をマトリクス状に配置した陰極基板と、前記電子源のそれぞれに対応して配置した複数色の蛍光体層を有する蛍光体基板とを具備し、
前記下部電極と前記上部電極は、前記電子加速層の前記領域の外側では前記電子加速層に連接するフィールド絶縁膜と、該フィールド絶縁膜の上層に形成された層間絶縁層との積層絶縁膜で前記下部電極と絶縁され、
前記上部電極は、前記フィールド絶縁膜と前記層間絶縁層との積層絶縁膜の側縁から当該層間絶縁層の上層に有して当該上部電極に給電する上部バス電極配線を覆う如く形成されており、
前記層間絶縁層は、シリコン酸窒化膜と該シリコン酸窒化膜の上層に形成したシリコン窒化膜とからなる積層膜であり、前記シリコン酸窒化膜は、窒素の含有濃度が前記フィールド絶縁膜側で低く、前記シリコン窒化膜側で高い濃度傾斜を有するものとした。
前記下部電極と前記上部電極は、前記電子加速層の前記領域の外側では前記電子加速層に連接するフィールド絶縁膜と、該フィールド絶縁膜の上層に形成された層間絶縁層との積層絶縁膜で前記下部電極と絶縁され、
前記上部電極は、前記フィールド絶縁膜と前記層間絶縁層との積層絶縁膜の側縁から当該層間絶縁層の上層に有して当該上部電極に給電する上部バス電極配線を覆う如く形成されており、
前記層間絶縁層は、シリコン酸窒化膜と該シリコン酸窒化膜の上層に形成したシリコン窒化膜とからなる積層膜であり、前記シリコン酸窒化膜は、窒素の含有濃度が前記フィールド絶縁膜側で低く、前記シリコン窒化膜側で高い濃度傾斜を有するものとした。
また、本発明は、下部電極と上部電極、および前記下部電極と上部電極の間に挟持される電子加速層を有し、前記下部電極と前記上部電極との間に電圧を印加することで前記電子加速層と積層した領域で前記上部電極側より電子を放出する多数の薄膜型電子源をマトリクス状に配置した陰極基板と、前記電子源のそれぞれに対応して配置した複数色の蛍光体層を有する蛍光体基板とを具備し、
前記下部電極と前記上部電極は、前記電子加速層の前記領域の外側では前記電子加速層に連接するフィールド絶縁膜と、該フィールド絶縁膜の上層に形成された層間絶縁層との積層絶縁膜で前記下部電極と絶縁され、
前記上部電極は、前記フィールド絶縁膜と前記層間絶縁層との積層絶縁膜の側縁から当該層間絶縁層の上層に有して当該上部電極に給電する上部バス電極配線を覆う如く形成されており、
前記層間絶縁層は、前記フィールド絶縁膜側で酸化シリコン濃度が高く、前記上部バス電極配線側で窒化シリコン濃度が高い濃度傾斜を有するシリコン酸窒化膜から構成した。
前記下部電極と前記上部電極は、前記電子加速層の前記領域の外側では前記電子加速層に連接するフィールド絶縁膜と、該フィールド絶縁膜の上層に形成された層間絶縁層との積層絶縁膜で前記下部電極と絶縁され、
前記上部電極は、前記フィールド絶縁膜と前記層間絶縁層との積層絶縁膜の側縁から当該層間絶縁層の上層に有して当該上部電極に給電する上部バス電極配線を覆う如く形成されており、
前記層間絶縁層は、前記フィールド絶縁膜側で酸化シリコン濃度が高く、前記上部バス電極配線側で窒化シリコン濃度が高い濃度傾斜を有するシリコン酸窒化膜から構成した。
なお、本発明の前記上部バス電極配線は、アルミニウムAlまたはアルミニウム合金を金属膜中間層とし、その上下をクロムCrまたはクロム合金からなる金属膜下層および金属膜上層で挟んだ3層構造で形成した。そして、前記上部バス電極配線の側面の片側が、前記金属膜下層が前記金属膜中間層より張り出して前記上部電極と接続され、前記上部バス電極配線の前記側面の反対側に位置する他の側面では、前記金属膜下層が前記金属膜中間層に対してアンダーカットを形成しており、前記アンダーカットで、隣接する画素との間で前記上部電極を分離した。
本発明により、層間絶縁層の端縁のテーパー角を小さくできるため、電子源と上部バス電極との間に成膜される当該上部電極の断線が防止される。また、層間絶縁層のテーパー角を小さくできることで当該層間絶縁層の厚膜化が容易となり、信号配線すなわち電子源の下層電極配線と交叉して上層電極に接続する走査信号電極配線との交叉部の低容量化が実現できるため、高速駆動が可能となって、画像の高精細化が可能となる。さらに、基板ガラスから析出したナトリウムによる電子源の汚染が防止され、電子源の性能低下を抑制して長寿命かつ高効率の電子放射を可能とした画像表示装置を提供することができる。
以下、本発明の最良の実施形態について、実施例の図面を参照して詳細に説明する。
先ず、本発明による画像表示装置を、ホットエレクトロン放出型のMIM型電子源を用いた画像表示装置を例として説明する。しかし、本発明は、このようなMIM型電子源に限るものではなく、背景技術の欄で説明した各種の電子放出素子を用いた画像表示装置にも同様に適用できることは言うまでもない。
図1は、本発明の実施例1の説明図であり、MIM型薄膜電子源を用いた画像表示装置を例とした模式平面図である。なお、図1では、主として電子源を有する一方のガラス基板(陰極基板)10の平面を示すが、一部に蛍光体を形成した他方のガラス基板(蛍光体基板、表示側基板、カラーフィルタ基板)は、その内面に有するブラックマトリクス120と蛍光体111,112,113のみを部分的に示し、基板自体は図示していない。
陰極基板10には、信号線駆動回路50に接続する信号線(データ線、信号電極配線)を構成する下部電極11、走査線駆動回路60に接続して信号線と直交配置された走査線(走査電極配線)21を構成する金属膜下層16と金属膜中間層17および金属膜上層18、保護絶縁膜(フィールド絶縁膜)14、その他の後述する機能膜等が形成されている。なお、陰極(電子放出部、電子源)は、上部バス電極に接続し、絶縁層を介して下部電極11に積層する上部電極(図示せず)で形成され、絶縁層の薄層部分で形成される絶縁層(トンネル絶縁層)12の部分から電子が放出される。
図2は、MIM型電子源の原理説明図である。この電子源は、上部電極13と下部電極11との間に駆動電圧Vdを印加して、トンネル絶縁層12内の電界を1〜10MV/cm程度にすると、下部電極11中のフェルミ準位近傍の電子はトンネル現象により障壁を透過し、電子加速層である絶縁層12の伝導帯へ注入されホットエレクトロンとなり、上部電極13の伝導帯へ流入する。これらのホットエレクトロンのうち、上部電極13の仕事関数φ以上のエネルギーをもって上部電極13表面に達したものが真空中に放出される。
図1に戻り、表示側基板10の内面には、表示画像のコントラストを上げるための遮光層すなわちブラックマトリクス120、赤色蛍光体111、緑色蛍光体112と青色蛍光体113とからなる。蛍光体としては、例えば、赤色にY2O2S:Eu(p22−R)、緑色にZnS:Cu、Al(p22−g)、青色にZnS:Ag、Cl(p22−B)を用いることができる。陰極基板10と蛍光体基板とはガラス板又はセラミックス板からなるスペーサ30で所定の間隔で保持され、表示領域の外周に枠ガラス(封止枠、図示せず)を介在させて内部が真空封止される。
スペーサ30は、陰極基板10の走査電極21の上部バス電極配線上に配置し、蛍光面基板のブラックマトリクス120の下に隠れるように配置する。下部電極11は信号線駆動回路50へ接続し、上部バス電極配線である走査電極21は走査線駆動回路60に接続する。
実施例1の陰極構造では、低抵抗のAlまたはAl合金の配線を耐熱性と耐酸化性のあるCrまたはCr合金などにより挟んで積層構造をもつ上部バス電極配線としたことにより、上部電極13を自己整合的に加工でき、また封着工程を通しても劣化しない上部バス電極を作成することができ、表示装置の配線抵抗により電圧降下を抑制することができる。また厚いスペーサ電極12により大気圧を支持するスペーサからの薄膜型電子源への機械的損傷を防止することができる。
図1に示したMIM電子源は、陰極基板10上にデータ電極となる下部電極11、トンネル絶縁層12、上部電極13が積層されて電子放出部を形成し、トンネル絶縁層12以外の部分はフィールド絶縁層14、層間絶縁層15で走査電極と電気的に分離されている。上部電極13は、走査電極21と配線の片側で接続されており、反対側で下層CrまたはCr合金16のアンダーカットにより分離されている。これにより、各走査電極を電気的に分離する(走査方向の隣接画素の分離)ことが可能である。
上部バス電極配線である走査電極21の材料は耐酸化性の高いAlまたはAl合金を上下で挟んだCrまたはCr合金との3層の積層からなっている。CrまたはCr合金は耐熱性、耐酸化性を有するため、画像表示装置のパネルの高温での封着工程等での配線のダメージを避けることができる。また、比抵抗が低いAlまたはAl合金層を用いて配線を厚膜化することで低抵抗配線の要求も満足することが可能である。Al合金としては、例えばNdを2at%添加したAl−Nd合金、Cr合金としては例えばMoを50wt%添加したCr−Mo合金などを用いることができる。ここでは、AlはAl合金も含み、CrはCr合金も含むものとして説明する。
次に、本発明の画像表示装置の製造方法の実施例について、実施例1の走査電極の製造プロセスを、図3〜図11を参照して説明する。先ず、図3に示したように、ガラス等の絶縁性の基板10上に下部電極11用の金属膜を成膜する。下部電極11の材料としてAlを用いる。Alを用いるのは、陽極酸化により良質の絶縁膜を形成できるからである。ここでは、Ndを2原子量%ドープしたAl−Nd合金を用いた。成膜には、例えば、スパッタリング法を用いる。膜厚は300nmとした。
成膜後はパターニング工程、エッチング工程によりストライプ形状の下部電極11を形成した(図4)。下部電極11の電極幅は画像表示装置のサイズや解像度により異なるが、そのサブピクセルのピッチ程度、大体100〜200ミクロン程度とする。エッチングは例えば燐酸、酢酸、硝酸の混合水溶液でのウェットエッチングを用いる。この電極は幅の広い簡易なストライプ構造のため、レジストのパターニングは安価なプロキシミティ露光や、印刷法などで行うことができる。
次に、電子放出部を制限し、下部電極11エッジへの電界集中を防止する保護絶縁層(フィールド絶縁膜とも称する)14と、絶縁層(トンネル絶縁膜とも称する)12を形成する。まず、図5に示した下部電極11上の電子放出部となる部分をレジスト膜25でマスクし、その他の部分を選択的に厚く陽極酸化して保護絶縁層14とする。化成電圧を100Vとすれば、厚さ約136nmの保護絶縁層14が形成される。その後、レジスト膜25を除去して残りの下部電極11の表面を陽極酸化する。例えば、化成電圧を6Vとすれば、下部電極11上に厚さ約10nmの絶縁層(トンネル絶縁層)12が形成される(図6)。
次に、層間絶縁層15と、上部電極13への給電線となる上部バス電極配線とスペーサ30を配置するためのスペーサ30を上部バス電極配線に電気的に接続するスペーサ電極となる金属膜を例えばスパッタリング法等で成膜する(図7)。この層間膜15は、陽極酸化で形成する保護絶縁層14にピンホールがあった場合、その欠陥を埋め、下部電極11と上部バス電極配線間の絶縁を保つ役割を果たす。金属膜は金属膜中間層17としてAlをCrの金属膜下層16、金属膜上層18間に挟んだ3層膜とする。
ここでは、金属膜中間層17にはAlを、金属膜下層16と金属膜上層18にはCrを用いた。Alの膜厚は配線抵抗を低減するため、できるだけ厚くしておく。ここでは、金属膜下層16を100nm、金属膜中間層17を4μm、金属膜上層18を100nmの膜厚とした。
続いて、パターニングとエッチング工程により金属膜上層18を、下部電極11とは直交するストライプ形状に加工する。エッチングは例えば硝酸アンモニウムセリウム水溶液でのウェットエッチングを用いる。(図8)。続いて、パターニングとエッチング工程により金属膜下層16を、下部電極11とは直交するストライプ形状に加工する(図9)。エッチングは燐酸、酢酸の混合水溶液でのウェットエッチングで行う。その際、金属膜下層16の片側(電子源形成側)は金属膜上層18より張り出させて、後の工程で上部電極との接続を確保するコンタクト部とし、金属膜下層16の反対側(電子源形成側と反対側)では金属膜上層18をマスクとしてアンダーカットを形成し、後の工程で上部電極13を分離する庇を形成する。これにより、上部電極13を自己整合的に分離し、かつ給電を行う上部バス電極配線を形成することができる。
続いて、層間絶縁層15を加工して電子放出部を開口する。電子放出部はサブピクセル内の1本の下部電極11と、この下部電極11と直交する2本の上部バス電極に挟まれた空間の直交部の一部に形成する。エッチングは、例えばCF4やSF6を主成分とするエッチング剤を用いたドライエッチングによって行うことができる(図10)。
最後に、上部電極膜13の成膜を行う。この成膜法は、例えばスパッタ成膜を用いる。上部電極13としては、例えばIr、Pt、Auの積層膜を用い、膜厚は例えば6nmとした。この時、上部電極13は、電子放出部を挟む2本の上部バス電極の一方で、庇構造により切断される一方、もう一方の上部バス電極とは金属膜下層16のコンタクト部により断線を起こさずに接続され給電される構造となる(図11)。以下、本発明の層間絶縁層の各種実施例を説明する。
図12は、本発明による層間絶縁層の実施例1の構成を説明する要部断面図である。図12において、フィールド絶縁膜14は図11に示した下部電極11の上層に形成され、下部電極11はガラス板からなる陰極基板10上に成膜されているが、図12では図示を省略してある。
実施例1では、層間絶縁層15を下層15−1と上層15−2の積層膜で構成した。下層15−1は酸化シリコン膜SiO2であり、フィールド絶縁膜14上に成膜され、その上に上層15−2として窒化シリコン膜SiNを成膜してある。この積層膜の上にホトレジスト26を塗布する。ホトレジスト26は、テーパーを形成すべき範囲を露出して塗布する。
酸化シリコン膜SiO2と窒化シリコン膜SiNとは、ドライエッチングに対して異なる加工速度を有し、酸素量が多い酸化シリコン膜SiO215−1はドライエッチング速度が遅く、窒素量が多い窒化シリコン膜SiN15−2のドライエッチング速度は酸化シリコン膜SiO2よりも早い。ドライエッチングガス中の酸素添加量にかかわらず、ガラス基板側(フィールド絶縁膜14側)の酸化シリコン膜SiO215−1よりも窒化シリコン膜SiN15−2の方が早くエッチングされて、図12に示したようなテーパー19が形成される。
エッチング後、ホトレジスト26を除去し、上部電極13を成膜する。このとき、上部電極13は、電子源から層間絶縁層15の上記テーパー19に沿って上部バス電極配線を覆うように成膜される。層間絶縁層15に段差が無いので、この部分で断線することがない。
また、誘電率の低い酸素含有量が多いシリコン化合物の上にNaブロック能力の高い窒素含有量が高いシリコン化合物を積層して層間絶縁層としたことで、信号配線(下部電極11)と上部電極13(走査線、上部バス電極配線)の交叉部の容量化が実現できるとともに、ガラス基板から拡散するナトリウムNaによる電子源の汚染を阻止することができ、信頼性が高く、高精細かつ長寿命の画像表示装置を得ることができる。
図13は、本発明による層間絶縁層の実施例2の構成を説明する要部断面図である。図13においても、図12と同様、フィールド絶縁膜14は図11に示した下部電極11の上層に形成され、下部電極11はガラス板からなる陰極基板10上に成膜されているが、図13では図示を省略してある。
実施例2では、層間絶縁層15を下層15−3と上層15−2の積層膜で構成した。下層15−3はシリコン酸窒化膜SiO2(x)N(y)で、フィールド絶縁膜14上に成膜される。ここで、(x)はシリコン酸化膜SiO2の含有量、(y)はシリコン窒化膜SiNの含有量を示す。そして、シリコン酸窒化膜SiO2(x)N(y)の上に上層15−2としてシリコン窒化膜SiNを成膜してある。
このシリコン酸窒化膜SiO2(x)N(y)15−3は、フィールド絶縁膜14側でxがyよりも格段に大、すなわちシリコン酸化膜SiO2がリッチであり、上層のシリコン窒化膜SiN側でyがxよりも格段に大、すなわちシリコン窒化膜SiNがリッチとなっている傾斜組成膜である。シリコン酸窒化膜SiO2(x)N(y)とシリコン窒化膜SiNの積層膜の上にホトレジスト26をテーパーを形成すべき範囲を露出して塗布する。
シリコン酸窒化膜膜SiO2(x)N(y)15−3は、上記実施例1と同じ理由で、酸素量が多いフィールド絶縁膜14側はドライエッチング速度が遅く、窒化シリコン膜SiN15−2側のドライエッチング速度が早い。ドライエッチングガス中の酸素添加量にかかわらず、ガラス基板側(フィールド絶縁膜14側)のシリコン酸窒化膜膜SiO2(x)N(y)15−3にはテーパーが形成され、同様にエッチング速度が速い上層の窒化シリコン膜SiN15−2に形成されるテーパーと共に、図13に示したようなテーパー19が形成される。なお、シリコン酸窒化膜膜SiO2(x)N(y)15−3として、上記のような傾斜組成膜に代えて(x)≒(y)である均質組成膜を用いても、形成されるテーパー形状が若干大となるが全体として所用のテーパー角を層間絶縁層の端縁に形成することができる。
エッチング後、ホトレジスト26を除去し、上部電極13を成膜する。このとき、上部電極13は、電子源から層間絶縁層15の上記テーパー19に沿って上部バス電極配線を覆うように成膜される。層間絶縁層15に段差が無いので、この部分で断線することがない。
また、誘電率の低い酸素含有量が多いシリコン化合物の上にNaブロック能力の高い窒素含有量が高いシリコン化合物を積層して層間絶縁層としたことで、信号配線(下部電極11)と上部電極13(走査線、上部バス電極配線)の交叉部の容量化が実現できるとともに、ガラス基板から拡散するナトリウムNaによる電子源の汚染を阻止することができ、信頼性が高く、高精細かつ長寿命の画像表示装置を得ることができる。
図14は、本発明による層間絶縁層の実施例3の構成を説明する要部断面図である。図14においても、フィールド絶縁膜14は図11に示した下部電極11の上層に形成され、下部電極11はガラス板からなる陰極基板10上に成膜されているが、図14では図示を省略してある。
実施例3では、層間絶縁層15を実施例2の下層と同様の傾斜組成のシリコン酸窒化膜SiO2(x)N(y)15−4のみをフィールド絶縁膜14上に成膜した。ここで、(x)はシリコン酸化膜SiO2の含有量、(y)はシリコン窒化膜SiNの含有量を示す。
このシリコン酸窒化膜SiO2(x)N(y)15−4は、フィールド絶縁膜14側でxがyよりも格段に大、すなわちシリコン酸化膜SiO2がリッチであり、上部バス電極配線の形成側(上表面側)でyがxよりも格段に大、すなわちシリコン窒化膜SiNがリッチとなっている。このシリコン酸窒化膜SiO2(x)N(y)の上にホトレジスト26を、テーパーを形成すべき範囲を露出して塗布する。このとき、ホトレジスト26がテーパーを形成すべき範囲よりも前進した部分に塗布しても、エッチング速度がシリコン酸化膜SiO2とシリコン窒化膜SiNの含有濃度にしたがって連続的に変化することで図14に示したようなテーパー角19が得られる。
すなわち、シリコン酸窒化膜膜SiO2(x)N(y)15−3は、上記実施例2と同じ理由で、酸素量が多いフィールド絶縁膜14側はドライエッチング速度が遅く、窒化シリコン膜SiN15−2側のドライエッチング速度が早い。ドライエッチングガス中の酸素添加量にかかわらず、ガラス基板側(フィールド絶縁膜14側)のシリコン酸窒化膜膜SiO2(x)N(y)15−3にはテーパーが形成され、図13に示したようなテーパー19が形成される。
エッチング後、ホトレジスト26を除去し、上部電極13を成膜する。このとき、上部電極13は、電子源から層間絶縁層15の上記テーパー19に沿って上部バス電極配線を覆うように成膜される。層間絶縁層15に段差が無いので、この部分で断線することがない。
また、誘電率の低い酸素含有量が多いシリコン化合物の上にNaブロック能力の高い窒素含有量が高いシリコン化合物を積層して層間絶縁層としたことで、信号配線(下部電極11)と上部電極13(走査線、上部バス電極配線)の交叉部の容量化が実現できるとともに、ガラス基板から拡散するナトリウムNaによる電子源の汚染を阻止することができ、信頼性が高く、高精細かつ長寿命の画像表示装置を得ることができる。
なお、図13、図14のシリコン酸窒化膜膜SiO2(x)N(y)は、シリコンターゲットを用いた反応性スパッタリング法での酸素添加量と窒素添加量を不連続に、又は連続して変えることで得られる。または、プラズマCVDでの原料ガス中の酸化物材料(SiH4−N2O,O2等)と窒化物材料(SiH4−NH3 ,H2等)などの添加量を不連続に、又は連続して変えることで実現可能である。
10・・・陰極基板、11・・・下部電極、12・・・絶縁層(トンネル絶縁層)、13・・・上部電極、14・・・保護絶縁膜(フィールド絶縁膜)、15・・・層間絶縁層、15−1・・・酸化シリコン膜SiO2、15−2・・・窒化シリコン膜SiO2、15−3,15−4・・・シリコン酸窒化膜膜SiO2(x)N(y)、16・・・金属膜下層、17・・・金属膜中間層、18・・・金属膜上層、19・・・傾斜面、21・・・走査電極(上部バス電極配線)、25,26・・・レジスト膜、30・・・スペーサ、50・・・信号線駆動回路、60・・・走査線駆動回路、111・・・赤色蛍光、112・・・緑色蛍光体、113・・・青色蛍光体、120・・・ブラックマトリクス。
Claims (9)
- 下部電極と上部電極、および前記下部電極と上部電極の間に挟持される電子加速層を有し、前記下部電極と前記上部電極との間に電圧を印加することで前記電子加速層と積層した領域で前記上部電極側より電子を放出する多数の薄膜型電子源をマトリクス状に配置した陰極基板と、前記電子源のそれぞれに対応して配置した複数色の蛍光体層を有する蛍光体基板とを具備する画像表示装置であって、
前記薄膜型電子源は電子加速層の前記領域の外側で前記下部電極と、前記上部電極への給電線となる上部バス電極を絶縁する層間絶縁層を有しており、
前記上部電極は、前記層間絶縁膜の側縁から当該層間絶縁層の上層に有して当該上部電極に給電する上部バス電極配線を覆う如く形成されており、前記層間絶縁層が、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜との積層膜からなることを特徴とする画像表示装置。 - 前記積層膜は、前記シリコン窒化膜が前記上部バス電極配線側に位置することを特徴とする請求項1に記載の画像表示装置
- 下部電極と上部電極、および前記下部電極と上部電極の間に挟持される電子加速層を有し、前記下部電極と前記上部電極との間に電圧を印加することで前記電子加速層と積層した領域で前記上部電極側より電子を放出する多数の薄膜型電子源をマトリクス状に配置した陰極基板と、前記電子源のそれぞれに対応して配置した複数色の蛍光体層を有する蛍光体基板とを具備する画像表示装置であって、
前記薄膜型電子源は電子加速層の前記領域の外側で前記下部電極と、前記上部電極への給電線となる上部バス電極を絶縁する層間絶縁層を有しており、
前記上部電極は、前記層間絶縁膜の側縁から当該層間絶縁層の上層に有して当該上部電極に給電する上部バス電極配線を覆う如く形成されており、前記層間絶縁層が、シリコン酸窒化膜とシリコン窒化膜との積層膜からなることを特徴とする画像表示装置。 - 前記積層膜は、前記シリコン窒化膜が前記上部バス電極配線側に位置することを特徴とする請求項3に記載の画像表示装置
- 下部電極と上部電極、および前記下部電極と上部電極の間に挟持される電子加速層を有し、前記下部電極と前記上部電極との間に電圧を印加することで前記電子加速層と積層した領域で前記上部電極側より電子を放出する多数の薄膜型電子源をマトリクス状に配置した陰極基板と、前記電子源のそれぞれに対応して配置した複数色の蛍光体層を有する蛍光体基板とを具備する画像表示装置であって、
前記薄膜型電子源は電子加速層の前記領域の外側で前記下部電極と、前記上部電極への給電線となる上部バス電極を絶縁する層間絶縁層を有しており、
前記上部電極は、前記層間絶縁膜の側縁から当該層間絶縁層の上層に有して当該上部電極に給電する上部バス電極配線を覆う如く形成されており、
前記層間絶縁層は、シリコン酸窒化膜と該シリコン酸窒化膜の上層に形成したシリコン窒化膜とからなる積層膜であり、前記シリコン酸窒化膜は、窒素の含有濃度が前記シリコン窒化膜側で高い濃度傾斜を有することを特徴とする画像表示装置。 - 下部電極と上部電極、および前記下部電極と上部電極の間に挟持される電子加速層を有し、前記下部電極と前記上部電極との間に電圧を印加することで前記電子加速層と積層した領域で前記上部電極側より電子を放出する多数の薄膜型電子源をマトリクス状に配置した陰極基板と、前記電子源のそれぞれに対応して配置した複数色の蛍光体層を有する蛍光体基板とを具備する画像表示装置であって、
薄膜型電子源は電子加速層の前記領域の外側で前記下部電極と、前記上部電極への給電線となる上部バス電極を絶縁する層間絶縁層を有しており、
前記上部電極は、前記層間絶縁膜の側縁から当該層間絶縁層の上層に有して当該上部電極に給電する上部バス電極配線を覆う如く形成されており、
前記層間絶縁層は、前記上部バス電極側で窒化シリコン濃度が高い傾斜組成を有するシリコン酸窒化膜からなることを特徴とする画像表示装置。 - 前記上部バス電極配線は、アルミニウムまたはアルミニウム合金を金属膜中間層とし、その上下をクロムまたはクロム合金からなる金属膜下層および金属膜上層で挟んだ3層構造で形成されていることを特徴とする請求項1〜6の何れかに記載の画像表示装置。
- 前記上部バス電極配線は、アルミニウムまたはアルミニウム合金を金属膜中間層とし、その上下をクロムまたはクロム合金からなる金属膜下層および金属膜上層で挟んだ3層構造で形成され、
前記上部バス電極配線の側面の片側が前記金属膜下層が前記金属膜中間層より張り出して前記上部電極と接続され、
前記上部バス電極配線の前記側面の反対側に位置する他の側面では、前記金属膜下層が前記金属膜中間層に対してアンダーカットを形成しており、
前記アンダーカットで、隣接する画素との間で前記上部電極を分離していることを特徴とする請求項1〜6の何れかに記載の画像表示装置。 - 前記上部バス電極配線は、マトリクス駆動する際の走査線として用いられることを特徴とする請求項1〜8の何れかに記載の画像表示装置。
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