JP2007122963A - 画像表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】電子放出電極を各走査線毎に簡便に分割した画像表示装置を提供する。
【解決手段】画像表示領域全面に電子放出電極の上電極用導電層13Pを成膜し、隣接する走査電極21nと21n+1の間に電圧を印加して電流を流し、ジュール熱で隣接する走査電極21nと21n+1の間の電子放出電極を溶断して分離する。
【選択図】図11
【解決手段】画像表示領域全面に電子放出電極の上電極用導電層13Pを成膜し、隣接する走査電極21nと21n+1の間に電圧を印加して電流を流し、ジュール熱で隣接する走査電極21nと21n+1の間の電子放出電極を溶断して分離する。
【選択図】図11
Description
本発明は、画像表示装置にかかり、特に電子源アレイを用いた自発光型のフラット・パネル・ディスプレイとも称する画像表示装置に好適なものである。
微少で集積可能な電子源を利用する画像表示装置(フィールド・エミッション・ディスプレイ:FED)が開発されている。この種の画像表示装置の電子源は、電界放出型電子源とホットエレクトロン型電子源とに分類される。前者には、スピント型電子源、表面伝導型電子源、カーボンナノチューブ型電子源等が属し、後者には金属―絶縁体―金属を積層したMIM(Metal-Insulator-Metal)型、金属―絶縁体―半導体を積層したMIS(Metal-Insulator-Semiconductor)型、金属―絶縁体―半導体−金属型等の薄膜型電子源などがある。
MIM型については、例えば特許文献1、特許文献2、特許文献3などに、金属―絶縁体―半導体型についてはMOS型が非特許文献1に、金属―絶縁体―半導体−金属型ではHEED型が非特許文献2などに、EL型は非特許文献3などに、ポーラスシリコン型については非特許文献4などに記載がある。
MIM型電子源の構造と動作は以下のとおりである。すなわち、上部電極と下部電極との間に絶縁層(トンネル絶縁層)を介在させた構造を有し、上部電極と下部電極との間に電圧を印加することで、下部電極中のフェルミ準位近傍の電子がトンネル現象により障壁を透過し、電子加速層であるトンネル絶縁層の伝導帯へ注入されホットエレクトロンとなり、上部電極の伝導帯へ流入する。これらのホットエレクトロンのうち、上部電極の仕事関数φ以上のエネルギーをもって上部電極表面に達したものが真空中に放出される。
特開平7−65710号公報
特開平10−153979号公報
j.Vac.Sci.Techonol.B11(2)p.429−432(1993)
high−efficiency−electro−emission device、Jpn、j、Appl、Phys、vol.36、pp.939
Electroluminescence、応用物理 第63巻、第6号、592頁
応用物理 第66巻、第5号、437頁
このような電子源を複数の行(例えば水平方向)と複数の列(例えば垂直方向)に並べてマトリクスを形成し、各電子源対応に配列した多数の蛍光体を真空中に配置して画像表示装置を構成することができる。このような電子源では、電子源に表面汚染があると電子が放出し難くなるため、電子放出電極の加工にホトリソグラフィー工程(単にホト工程とも言う)等を用いるのは好ましくない。
そのため、特許文献3に記載されたように、配線や絶縁膜の段差を利用した自己整合分離で電子放出電極を加工することが行われているが、段差を形成するためのプロセスが必要であり、製造工程全体の工数が多くなる。その結果、低コストで画像表示装置を提供することが困難となる。製造工数の増大を回避するには、ホト工程や段差構造の作り込みを行わずに簡単に電子放出電極を分離できる手法を開発する必要がある。
本発明の目的は、電子放出電極を新たな手法で加工した電子源を備えた画像表示装置を提供することにある。
上記の目的を達成するため、本発明は、電子放出部を1本の走査配線の内に幅内に配置し、画像表示領域全面でバス電極上から成膜される電子放出電極を隣接バス電極間で溶断する。特に、電子放出部は各走査配線内の幅方向の片側(信号配線の延在方向)に寄って配置させ、画像表示領域全面で走査配線上に成膜される電子放出電極を隣接バス電極間で溶断することにより、電子放出部とは反対側の幅方向片側によった部分にスペーサを配置することが可能であり好ましい。なお、走査配線はアルミニウム等の厚膜をバス配線とし、その上に成膜される導電性薄膜との積層で構成されるが、本明細書ではバス配線を走査配線として説明する。この導電性薄膜は電子放出電極を構成し、金、白金、イリジューム等の貴金属が多く用いられる。
上記の導電性薄膜の溶断方法としては、隣接する走査配線の間に電圧を印加し、隣接走査配線の間の部分に成膜されている電子放出電極の抵抗を流れる電流によるジュール熱で溶解させて分離するのが有効である。本発明の代表的構成は以下のとおりである。
(1)本発明の画像表示装置は、内面上に互いに平行に形成された多数の信号配線と、前記信号配線の上に当該信号配線とは層間絶縁層を介して交差し、かつ互いに平行に形成された多数の走査配線とを有し、前記信号配線と前記走査配線の前記交差部における前記走査配線の各配線幅内に形成されて二次元マトリクス状に配置された多数の電子放出部からなる電子源アレイを画像表示領域に含む一方の基板と、前記一方の基板の内面に対向して設置され、その対向内面に前記電子源アレイから放出される電子による励起で発光する蛍光面を備えた他方の基板とを有する。
(2)前記電子放出部は、前記信号配線の上に薄膜絶縁層を介して積層された電子放出電極を有し、前記電子放出電極は、前記走査配線の上層に前記画像表示領域の全面を覆うごとく成膜された当該走査配線と電気的に接続された導電性薄膜が、隣接する走査配線の間で電気的に分離されたものであり、前記分離部分にジュール熱による溶断痕を有している。
(3)前記電子放出部は、前記走査配線の前記幅方向の片側に寄った部分に配置されている。
(4)前記電子放出部は、前記信号配線と前記走査配線を絶縁する層間絶縁層の開口部に配置された前記薄膜絶縁層の上に前記導電性薄膜を前記電子放出電極として構成されている。
(5)前記走査配線の前記幅方向で前記電子放出部とは反対側に寄った部分に、前記一方の基板と前記他方の基板の間隔を規制するスペーサが配置されている。
(6)前記信号配線はアルミニウム又はアルミニウム合金であり、前記電子放出部では、前記信号配線が前記電子源の下部電極を構成し、前記薄膜絶縁層が前記信号配線の陽極酸化膜が前記電子源のトンネル絶縁層を構成し、前記電子放出電極が前記電子源の上部電極を構成する。
(7)前記走査配線はアルミニウム又はアルミニウム合金であり、前記上部電極がイリジューム、白金、金の貴金属の単体又は2以上の貴金属の合金である。
以下、本発明の最良の実施形態について、実施例の図面を参照して詳細に説明する。ここではMIM型電子源を用いた画像表示装置を例として説明する。しかし、本発明は、MIM型電子源に限るものではなく、背景技術の欄で説明した各種の電子放出素子を用いた画像表示装置にも同様に適用できる。とりわけ薄い電子放出電極を用い、素子電流の一部のみ真空中に放出するホットエレクトロン型や、表面伝導型電子源に特に有効である。
図1は、本発明による画像表示装置の実施例1を説明する模式図である。なお、図1では、主として電子源を有する一方の基板(陰極基板、あるいは背面基板とも言う)10の平面を示すが、一部に蛍光体を形成した他方の基板(蛍光体基板、前面基板、表示側基板、あるいはカラーフィルタ基板とも言う)は、その内面に有するブラックマトリクス120と3色(赤:R、緑:G、青:B)の蛍光体111、112、113のみを部分的に示してある。
陰極基板10には、信号線駆動回路50に接続する信号配線(データ線)を構成する下部電極11、走査配線駆動回路60に接続して信号線と交差(ここでは直交)配置された走査配線21、その他の後述する機能膜等が形成されている。なお、陰極(電子放出部)は、走査配線の幅内に配置され、絶縁層(所謂フィールド絶縁層)14を介して下部電極11に積層する上部電極13で形成され、絶縁層14の薄層部分で形成される絶縁層(トンネル絶縁層)12の部分から電子が放出される。
図2は、MIM型電子源の原理説明図である。この電子源は、上部電極13と下部電極11との間に駆動電圧Vdを印加して、トンネル絶縁層12内の電界を1〜10MV/cm程度にすることで、下部電極11中のフェルミ準位近傍の電子はトンネル現象により障壁を透過し、電子加速層である絶縁層12の伝導帯へ注入されホットエレクトロンとなり、上部電極13の伝導帯へ流入する。これらのホットエレクトロンのうち、上部電極13の仕事関数φ以上のエネルギーをもって上部電極13表面に達したものが真空中に放出される。
図1に戻り、図示しない前面基板の内面には、表示画像のコントラストを上げるための遮光層すなわちブラックマトリクス120、赤(R)色蛍光体111、緑色(G)蛍光体112と青色(B)蛍光体113とからなる。蛍光体としては、例えば、赤色にY2O2S:Eu(P22−R)、緑色にZnS:Cu、Al(P22−g)、青色にZnS:Ag、Cl(P22−B)を用いることができる。陰極基板10と表示側基板とはスペーサ30で所定の間隔で保持され、表示領域の外周に封止枠(図示せず)を介在させて内部が真空封止される。
スペーサ30は、背面基板10の走査配線21の幅方向片側に寄って配置されている電子放出部とは信号配線(下部電極)11の延在方向反対側に寄って配置し、蛍光面基板のブラックマトリクス120の下に隠れるように配置する。下部電極11は信号線駆動回路50へ接続し、走査電極配線である走査電極21は走査線駆動回路60に接続する。
次に、本発明の画像表示装置を構成する背面基板10の詳細を図3〜図11の製造プロセスを参照して説明する。なお、図3〜図10には、フルカラー1画素(1ピクセル:赤、緑、青の副画素:サブピクセルで構成される)の平面図と、この平面図のA−A‘断面およびB−B’断面を示す。先ず、図3に示したように、ガラス等の絶縁性の基板10上に下部電極11用の金属膜11Pを成膜する。金属膜11Pの材料としてアルミニウム(Al)又はアルミニウム合金(例えば、アルミニウムとネオジムNdの合金:Al―Nd)を用いる。Alを用いるのは、陽極酸化により良質の絶縁膜を形成できるからである。ここでは、Ndを2原子量%ドープしたAl−Nd合金を用いた。成膜には、例えば、スパッタリング法を用いる。膜厚は600nmとした。
金属膜11Pの成膜後はパターニング工程、エッチング工程によりストライプ形状の下部電極11を形成する(図4)。下部電極11の電極幅は画像表示装置のサイズや解像度により異なるが、そのサブピクセルのピッチ程度、大体100〜200ミクロン(μm)程度とする。エッチングは例えば燐酸、酢酸、硝酸の混合水溶液でのウェットエッチングを用いる。この電極は幅の広い簡易なストライプ構造のため、レジストのパターニングは安価なプロキシミティ露光や、印刷法などで行うことができる。
次に、電子放出部を制限し、下部電極11のエッジへの電界集中を防止する保護絶縁層(フィールド絶縁層)14と、トンネル絶縁層12を形成する。まず、図5に示した下部電極11上の電子放出部となる部分をレジスト膜25でマスクし、その他の部分を選択的に厚く陽極酸化して保護絶縁層14とする。化成電圧を200Vとすれば、厚さ約270nmの保護絶縁層14が形成される。その後、レジスト膜25を除去して残りの下部電極11の表面を陽極酸化する。例えば、化成電圧を6Vとすれば、下部電極11上に厚さ約10nmの絶縁層(トンネル絶縁層)12が形成される(図6)。
次に、層間膜(層間絶縁膜)15と、上部電極13への給電線となる走査配線用の導電性膜16を例えばスパッタリング法等で成膜する(図7)。層間膜15としては、例えばシリコン酸化物やシリコン窒化膜、シリコンなどを用いることができる。ここでは、シリコン窒化膜を用い膜厚は200nmとした。この層間絶縁膜15は、陽極酸化で形成する保護絶縁層14にピンホールがあった場合、その欠陥を埋め、下部電極11と走査配線間の絶縁を保つ役割を果たす。導電性膜16はAlとし、厚さを4500nmとした。なお、Al−Nd合金を用いることもできる。
続いて、ホトエッチング工程により、下部電極11とは直交し、電子放出部が走査配線内の幅方向(信号配線の延在方向)片側に寄って開口した走査電極21を形成する。エッチングは例えば燐酸、酢酸、硝酸の混合水溶液でのウェットエッチングを用いる(図8)。
続いて、走査電極21の開口部分の層間絶縁膜15を加工し、絶縁層(トンネル絶縁層)12が露出した電子放出部を開口する。この電子放出部はピクセル内の1本の下部電極11と、下部電極11と直交する2本の走査電極に挟まれた空間の直交部の一部に形成する。エッチングは、例えばCF4やSF6を主成分とするエッチング剤を用いたドライエッチングによって行うことができる(図9)。
次に、上部電極用の導電性薄膜13Pの成膜を行う。この成膜法は、例えばスパッタ成膜を用いる。上部電極13としては、例えばイリジューム(Ir)、白金(Pt)、金(Au)の積層膜を用い、膜厚は例えば3nmとした。(図10)。
最後に、図11に示すように走査電極21の隣接走査電極(例えば、21n、21n+1)間に電圧を印加する。これを走査配線の21の配列方向に順次移動させて行う。
図12は、隣接走査電極間に印加するパルス電圧と流れる電流の説明図である。隣接走査電極間に印加する電圧は直流電圧またはパルス電圧でよいが、ここではパルス幅は200msのパルス電圧を隣接走査電極間に流れる電流をモニタしながらランプアップしていき、隣接走査電極間が溶断して電流が流れなくなるまで電圧を上げる。この電流と抵抗が高い部分で大きなジュール熱が生じて溶断が起こる。隣接走査電極間が溶断した時点で、矢印で示したように、電流が急激に流れなくなる。電子放出電極である上部電極用の導電性薄膜13Pは非常に薄いため、この手法により隣接走査電極間を容易に分離して上部電極13とすることができる。
この工程は、カソード工程で行ってもよいが、取り出し配線(走査配線端子)に回路を接続するだけで可能なため、パネル化工程の処理後、フレキシブルプリント基板(FPC)等を接続した後に行うことも可能である。
図13は、隣接走査電極間を分離したフルカラー1画素の平面図と平面図のA−A‘断面およびB−B’断面を示す図である。図13において、図11に示した導電性薄膜13Pを分離して上部電極13とした状態を示す。ジュール熱による溶断は走査線21間の上部電極13の膜厚が薄い部分(抵抗が高い部分)で起こる。図13のB−B’に示したように、矢印Cに示した部分、すなわち走査配線21の側壁極近傍の膜厚が成膜時の影になるため他の部分よりも薄く、抵抗が高い。そのため、矢印Cに示した部分で溶断が起こる。
走査配線21の電子放出部側は、走査線内に配置されているため、電圧がかからず溶断工程でダメージを受けることはない。
差構造の作り込みによる自己整合分離を用いなくても容易に分離加工することができ、プロセスコストの低減が可能となる。
図14は、本発明の画像表示装置の全体構造の一例をより具体的に説明する一部破断して示す斜視図である。また、図15は、図14のA−A’線に沿って切断した断面図である。繰り返しの説明になるが、背面基板10の内面には信号配線(下部電極)11と走査配線21を有し、信号配線11と走査配線21の交差部近傍に電子源(電子放出部)が形成されている。信号配線(下部電極)11の端部には信号配線端子11Tが形成され、走査配線21の端部には走査配線端子21Tが形成されている。
また、前面基板20の内面にはブラックマトリクス120、陽極110、蛍光体層111、112、113が形成されている。背面基板10と前面基板20とは、その周縁に封止枠300を介在させて貼り合わされる。この貼り合わせた間隙を所定値に保持するため、背面基板10と前面基板20の間にガラス板あるいはセラミックス板を好適とするスペーサ30を植立させている。図15はこのスペーサ30に沿った断面を示す。図15には、走査配線21の上に当該走査配線に沿って3枚のスペーサを示してあるが、これはあくまで一例である。
なお、背面基板10と前面基板20および枠ガラス300で密封された内部空間は、背面基板10の一部に設けた排気管400から排気して所定の真空状態に維持される。
10・・・背面基板(陰極基板)、11・・・下部電極(信号配線)、11P・・・下部電極膜、11T・・・信号配線端子、12・・・絶縁層(トンネル絶縁層)、13・・・上部電極、13P・・・導電性薄膜、14・・・保護絶縁層(フィールド絶縁層)、15・・・層間絶縁層、16・・・導電性膜、20・・・前面基板、21・・・走査電極(走査配線)、21T・・・走査配線端子、25・・・レジスト膜、30・・・スペーサ、50・・・信号線駆動回路、60・・・走査線駆動回路、110・・・陽極、111・・・赤色蛍光体、112・・・緑色蛍光体、113・・・青色蛍光体、120・・・ブラックマトリクス、300・・・封止枠、400・・・排気管。
Claims (7)
- 内面上に互いに平行に形成された多数の信号配線と、前記信号配線の上に当該信号配線とは層間絶縁層を介して交差し、かつ互いに平行に形成された多数の走査配線とを有し、前記信号配線と前記走査配線の前記交差部における前記走査配線の各配線幅内に形成されて二次元マトリクス状に配置された多数の電子放出部からなる電子源アレイを画像表示領域に含む一方の基板と、
前記一方の基板の内面に対向して設置され、その対向内面に前記電子源アレイから放出される電子による励起で発光する蛍光面を備えた他方の基板とを有し、
前記電子放出部は、前記信号配線の上に薄膜絶縁層を介して積層された電子放出電極を有し、
前記電子放出電極は、前記走査配線の上層に前記画像表示領域の全面を覆うごとく成膜された当該走査配線と電気的に接続された導電性薄膜が、隣接する走査配線の間で電気的に分離されたものであり、前記分離部分にジュール熱による溶断痕を有していることを特徴とする画像表示装置。 - 請求項1に記載の画像表示装置であって、
前記電子放出部は、前記走査配線の前記幅方向の片側に寄った部分に配置されていることを特徴とする画像表示装置。 - 請求項1又は2に記載の画像表示装置であって、
前記電子放出部は、前記信号配線と前記走査配線を絶縁する層間絶縁層の開口部に配置された前記薄膜絶縁層の上に前記導電性薄膜を前記電子放出電極として構成されていることを特徴とする画像表示装置。 - 請求項2又は3に記載の画像表示装置であって、
前記走査配線の前記幅方向で前記電子放出部とは反対側に寄った部分に、前記一方の基板と前記他方の基板の間隔を規制するスペーサが配置されていることを特徴とする画像表示装置。 - 請求項1乃至4の何れかに記載の画像表示装置であって、
前記信号配線はアルミニウム又はアルミニウム合金であり、
前記電子放出部では、前記信号配線が前記電子源の下部電極を構成し、前記薄膜絶縁層が前記信号配線の陽極酸化膜が前記電子源のトンネル絶縁層を構成し、前記電子放出電極が前記電子源の上部電極を構成することを特徴とする画像表示装置。 - 請求項5に記載の画像表示装置であって、
- 請求項6に記載の画像表示装置であって、
前記貴金属が、イリジューム、白金、金であることを特徴とする画像表示装置。
Priority Applications (1)
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JP2005311306A JP2007122963A (ja) | 2005-10-26 | 2005-10-26 | 画像表示装置 |
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