JP2002202732A - フラットパネル表示装置 - Google Patents
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- H01J2211/20—Constructional details
- H01J2211/46—Connecting or feeding means, e.g. leading-in conductors
Abstract
(57)【要約】
【課題】 組み合わせて大型表示装置となすためにユニ
ット化できるフラットパネル表示装置を提供する。 【解決手段】 基板上に設けられ各々が平行に伸長する
複数の第１電極、第１電極上に設けられ各々が第１電極
に略垂直に伸長する複数の第２電極、並びに第１及び第
２電極の複数の交差部にそれぞれ接続され基板上に配列
された電子又は光を放射する複数の放射素子、からなる
放射領域と、基板上の放射領域を囲む周囲領域と、を備
えたフラットパネル表示装置であって、第１及び第２電
極の第１及び第２外部中継端子群が周囲領域の一部に纏
めて並設される。
ット化できるフラットパネル表示装置を提供する。 【解決手段】 基板上に設けられ各々が平行に伸長する
複数の第１電極、第１電極上に設けられ各々が第１電極
に略垂直に伸長する複数の第２電極、並びに第１及び第
２電極の複数の交差部にそれぞれ接続され基板上に配列
された電子又は光を放射する複数の放射素子、からなる
放射領域と、基板上の放射領域を囲む周囲領域と、を備
えたフラットパネル表示装置であって、第１及び第２電
極の第１及び第２外部中継端子群が周囲領域の一部に纏
めて並設される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フラットパネル表
示装置に関する。
示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】超大型のディスプレイとして、ＲＧＢ用
の３本のＣＲＴや液晶プロジェクターなどを内蔵したプ
ロジェクションユニットを縦横に配列した大画面のマル
チプロジェクションシステムや、ＬＥＤを用いたディス
プレイが製品化されている。しかし、前者は奥行きが非
常に大きく組み上げに多大な労力を必要とし、後者は色
合いや輝度の調整が非常に難しい。そこで次世代の超大
型ディスプレイとしては有機エレクトロルミネッセンス
素子や電子放出素子などのＦＥＤ（field emission dis
play）を用いたフラットパネル表示装置のユニット化が
注目されている。
の３本のＣＲＴや液晶プロジェクターなどを内蔵したプ
ロジェクションユニットを縦横に配列した大画面のマル
チプロジェクションシステムや、ＬＥＤを用いたディス
プレイが製品化されている。しかし、前者は奥行きが非
常に大きく組み上げに多大な労力を必要とし、後者は色
合いや輝度の調整が非常に難しい。そこで次世代の超大
型ディスプレイとしては有機エレクトロルミネッセンス
素子や電子放出素子などのＦＥＤ（field emission dis
play）を用いたフラットパネル表示装置のユニット化が
注目されている。
【０００３】有機エレクトロルミネッセンス素子は、電
流の注入によって発光するエレクトロルミネッセンス
（以下、ＥＬともいう）を呈する有機化合物材料の薄膜
からなる発光層（以下、有機発光層という）を備えてい
る。低い電力駆動可能な有機ＥＬ素子は、基板上に陽極
と、有機ＥＬ媒体層と、陰極の金属電極とが順次積層さ
れて構成される。例えば、有機ＥＬ媒体層は、有機発光
層の単一層、あるいは有機正孔輸送層、有機発光層及び
有機電子輸送層の３層構造の媒体、または有機正孔輸送
層及び有機発光層２層構造の媒体、さらにこれらの適切
な層間にキャリア（電子或いは正孔）の注入層若しくは
ブロック層を挿入した多層積層体である。
流の注入によって発光するエレクトロルミネッセンス
（以下、ＥＬともいう）を呈する有機化合物材料の薄膜
からなる発光層（以下、有機発光層という）を備えてい
る。低い電力駆動可能な有機ＥＬ素子は、基板上に陽極
と、有機ＥＬ媒体層と、陰極の金属電極とが順次積層さ
れて構成される。例えば、有機ＥＬ媒体層は、有機発光
層の単一層、あるいは有機正孔輸送層、有機発光層及び
有機電子輸送層の３層構造の媒体、または有機正孔輸送
層及び有機発光層２層構造の媒体、さらにこれらの適切
な層間にキャリア（電子或いは正孔）の注入層若しくは
ブロック層を挿入した多層積層体である。
【０００４】有機ＥＬ素子のフラットパネル表示装置
は、交差する行と列において配置された複数の有機ＥＬ
素子の発光画素からなる画像表示配列を有している自発
光装置である。さらに、電子放出素子のフラットパネル
表示装置は、陰極の加熱を必要としない冷陰極の電子放
出源のアレイを備えた平面形発光表示装置として知られ
ている。ＦＥＤの電子放出源の電子放出素子として金属
−絶縁体−半導体（ＭＩＳ）又は金属−絶縁体−金属
（ＭＩＭ）構造のものがある。
は、交差する行と列において配置された複数の有機ＥＬ
素子の発光画素からなる画像表示配列を有している自発
光装置である。さらに、電子放出素子のフラットパネル
表示装置は、陰極の加熱を必要としない冷陰極の電子放
出源のアレイを備えた平面形発光表示装置として知られ
ている。ＦＥＤの電子放出源の電子放出素子として金属
−絶縁体−半導体（ＭＩＳ）又は金属−絶縁体−金属
（ＭＩＭ）構造のものがある。
【０００５】ＭＩＳ構造の電子放出素子は、図１に示す
ように、最表面の金属薄膜電極である上部電極１５を正
電位Ｖｄとし背面基板１０側のオーミック電極である下
部電極１１を接地電位としたダイオード構造を有してい
る。下部電極１１と上部電極１５との間に電圧Ｖｄを印
加し電子供給層１２に電子を注入すると、電子は、上部
電極１５側に向けて絶縁体層１３内を移動する。ダイオ
ード電流Ｉｄが流れ、絶縁体層１３は高抵抗であるの
で、印加電界の大部分は絶縁体層１３にかかる。上部電
極１５付近に達した電子は、そこで強電界により一部は
上部電極１５を通過し、外部の真空中に放出される。電
子放出素子の上部電極１５から放出された電子ｅ（放出
電流Ｉｅ）は、対向した前面基板１に設けられたコレク
タ電極（透明電極）２に印加された高い加速電圧Ｖｃに
よって加速され、コレクタ電極２に集められる。コレク
タ電極２に蛍光体３が塗布されていれば対応する可視光
を発光する。
ように、最表面の金属薄膜電極である上部電極１５を正
電位Ｖｄとし背面基板１０側のオーミック電極である下
部電極１１を接地電位としたダイオード構造を有してい
る。下部電極１１と上部電極１５との間に電圧Ｖｄを印
加し電子供給層１２に電子を注入すると、電子は、上部
電極１５側に向けて絶縁体層１３内を移動する。ダイオ
ード電流Ｉｄが流れ、絶縁体層１３は高抵抗であるの
で、印加電界の大部分は絶縁体層１３にかかる。上部電
極１５付近に達した電子は、そこで強電界により一部は
上部電極１５を通過し、外部の真空中に放出される。電
子放出素子の上部電極１５から放出された電子ｅ（放出
電流Ｉｅ）は、対向した前面基板１に設けられたコレク
タ電極（透明電極）２に印加された高い加速電圧Ｖｃに
よって加速され、コレクタ電極２に集められる。コレク
タ電極２に蛍光体３が塗布されていれば対応する可視光
を発光する。
【０００６】図２に示されるように、上部電極１５及び
下部電極１１が直交するマトリクス状に形成されたマト
リクス型フラットパネル表示装置において、ＭＩＳ（Ｍ
ＩＭ）構造の複数の電子放出素子は上部及び下部電極の
交差する部位にて、それぞれ基板上に下部電極／半導体
（又は金属）の電子供給層／絶縁体層／上部電極が順に
形成されている構造である。
下部電極１１が直交するマトリクス状に形成されたマト
リクス型フラットパネル表示装置において、ＭＩＳ（Ｍ
ＩＭ）構造の複数の電子放出素子は上部及び下部電極の
交差する部位にて、それぞれ基板上に下部電極／半導体
（又は金属）の電子供給層／絶縁体層／上部電極が順に
形成されている構造である。
【０００７】図３に示すように、前面基板１はその内面
にインジウム錫酸化物（いわゆるＩＴＯ）、酸化錫（Ｓ
ｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などからなる透明コレクタ
電極２を有し、背面基板１０の電子放出素子Ｓから発し
た電子を受ける。透明コレクタ電極２の上に蛍光体３
Ｒ，Ｇ，Ｂが塗布されている。このように、これら一対
の背面及び前面基板１０，１は真空空間４を挾んでスペ
ーサ（図示せず）などで保持され、封止されている。
にインジウム錫酸化物（いわゆるＩＴＯ）、酸化錫（Ｓ
ｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などからなる透明コレクタ
電極２を有し、背面基板１０の電子放出素子Ｓから発し
た電子を受ける。透明コレクタ電極２の上に蛍光体３
Ｒ，Ｇ，Ｂが塗布されている。このように、これら一対
の背面及び前面基板１０，１は真空空間４を挾んでスペ
ーサ（図示せず）などで保持され、封止されている。
【０００８】電子放出素子フラットパネル表示装置を駆
動するための電極として背面基板１０上で下部電極１１
と上部電極１５の２種類が必要であり、それら電極が素
子をマトリクス駆動させるために互いに直交する構成を
とるので、上部電極１５及び下部電極１１が延長されて
それら端部を取り出し部として背面基板１０上の２辺に
配置されている。この２辺の取り出し部から外部に接続
される。背面基板１０と平行に対向する前面基板１側に
放出電子加速用の高電圧用電極２が必要であるので、高
電圧用電極２には、下部及び上部電極１１、１５端部が
存在する２辺とは対向しない前面基板１の辺にその取り
出し部が設けられ、外部に接続される。よって、組み上
げられたＦＥＤでは下部電極１１と上部電極１５とコレ
クタ電極２との３種類の電極を３辺の取り出し部から取
り出す構成をとっている。
動するための電極として背面基板１０上で下部電極１１
と上部電極１５の２種類が必要であり、それら電極が素
子をマトリクス駆動させるために互いに直交する構成を
とるので、上部電極１５及び下部電極１１が延長されて
それら端部を取り出し部として背面基板１０上の２辺に
配置されている。この２辺の取り出し部から外部に接続
される。背面基板１０と平行に対向する前面基板１側に
放出電子加速用の高電圧用電極２が必要であるので、高
電圧用電極２には、下部及び上部電極１１、１５端部が
存在する２辺とは対向しない前面基板１の辺にその取り
出し部が設けられ、外部に接続される。よって、組み上
げられたＦＥＤでは下部電極１１と上部電極１５とコレ
クタ電極２との３種類の電極を３辺の取り出し部から取
り出す構成をとっている。
【０００９】このように、従来のＦＥＤの電極取り出し
方法ではパネルの３辺を使用する必要があるので、ユニ
ットとして組み上げる際に電極取り出し部が重複する辺
ができてしまう。パネルをユニットとして組み上げる際
にはパネルの辺を密着させる必要があり、電極取り出し
が重複するとその重複防止対策を取る必要があり、組み
上げが非常に困難である。
方法ではパネルの３辺を使用する必要があるので、ユニ
ットとして組み上げる際に電極取り出し部が重複する辺
ができてしまう。パネルをユニットとして組み上げる際
にはパネルの辺を密着させる必要があり、電極取り出し
が重複するとその重複防止対策を取る必要があり、組み
上げが非常に困難である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上の事情
に鑑みてなされたものであり、組み合わせて大型表示装
置となすためにユニット化できるフラットパネル表示装
置を提供することを目的とする。
に鑑みてなされたものであり、組み合わせて大型表示装
置となすためにユニット化できるフラットパネル表示装
置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のフラットパネル
表示装置は、基板上に設けられ各々が平行に伸長する複
数の第１電極、前記第１電極上に設けられ各々が前記第
１電極に略垂直に伸長する複数の第２電極、並びに前記
第１及び第２電極の複数の交差部にそれぞれ接続され前
記基板上に配列された電子又は光を放射する複数の放射
素子、からなる放射領域と、前記基板上の前記放射領域
を囲む周囲領域と、を備えたフラットパネル表示装置で
あって、前記第１及び第２電極の第１及び第２外部中継
端子群が前記周囲領域の一部に纏めて並設されたことを
特徴とする。
表示装置は、基板上に設けられ各々が平行に伸長する複
数の第１電極、前記第１電極上に設けられ各々が前記第
１電極に略垂直に伸長する複数の第２電極、並びに前記
第１及び第２電極の複数の交差部にそれぞれ接続され前
記基板上に配列された電子又は光を放射する複数の放射
素子、からなる放射領域と、前記基板上の前記放射領域
を囲む周囲領域と、を備えたフラットパネル表示装置で
あって、前記第１及び第２電極の第１及び第２外部中継
端子群が前記周囲領域の一部に纏めて並設されたことを
特徴とする。
【００１２】本発明のフラットパネル表示装置において
は、前記第１外部中継端子は前記第１電極の端部であ
り、前記第２外部中継端子は前記放射領域内における前
記第２電極の各々毎に接続されかつ前記第１外部中継端
子に沿って並設されたことを特徴とする。本発明のフラ
ットパネル表示装置においては、前記第１外部中継端子
及び前記第２外部中継端子の各々は交互に並設されたこ
とを特徴とする。
は、前記第１外部中継端子は前記第１電極の端部であ
り、前記第２外部中継端子は前記放射領域内における前
記第２電極の各々毎に接続されかつ前記第１外部中継端
子に沿って並設されたことを特徴とする。本発明のフラ
ットパネル表示装置においては、前記第１外部中継端子
及び前記第２外部中継端子の各々は交互に並設されたこ
とを特徴とする。
【００１３】本発明のフラットパネル表示装置において
は、前記基板が背面基板であり、前記第１電極が下部電
極であり、前記放射素子が前記下部電極上に形成された
絶縁体層及び上部電極を有する電子放出素子であり、前
記第２電極が前記上部電極に接続され、真空空間を挾み
前記背面基板の前記電子放出素子の前記上部電極に対向
する透光性の前面基板を備えたことを特徴とする。
は、前記基板が背面基板であり、前記第１電極が下部電
極であり、前記放射素子が前記下部電極上に形成された
絶縁体層及び上部電極を有する電子放出素子であり、前
記第２電極が前記上部電極に接続され、真空空間を挾み
前記背面基板の前記電子放出素子の前記上部電極に対向
する透光性の前面基板を備えたことを特徴とする。
【００１４】本発明のフラットパネル表示装置において
は、前記電子放出素子が前記下部電極と前記絶縁体層と
の間に金属又は半導体からなる電子供給層を有すること
を特徴とする。本発明のフラットパネル表示装置におい
ては、前記前面基板が前記真空空間側の表面に形成され
たコレクタ電極及び前記コレクタ電極上に形成された蛍
光体層を有することを特徴とする。
は、前記電子放出素子が前記下部電極と前記絶縁体層と
の間に金属又は半導体からなる電子供給層を有すること
を特徴とする。本発明のフラットパネル表示装置におい
ては、前記前面基板が前記真空空間側の表面に形成され
たコレクタ電極及び前記コレクタ電極上に形成された蛍
光体層を有することを特徴とする。
【００１５】本発明のフラットパネル表示装置において
は、前記前面基板が前記真空空間側の表面に形成された
蛍光体層及び前記蛍光体層上に形成されたコレクタ電極
を有することを特徴とする。本発明のフラットパネル表
示装置においては、前記第２電極と前記絶縁体層との間
及び前記第２電極と前記背面基板との間に絶縁性保護膜
を有することを特徴とする。
は、前記前面基板が前記真空空間側の表面に形成された
蛍光体層及び前記蛍光体層上に形成されたコレクタ電極
を有することを特徴とする。本発明のフラットパネル表
示装置においては、前記第２電極と前記絶縁体層との間
及び前記第２電極と前記背面基板との間に絶縁性保護膜
を有することを特徴とする。
【００１６】本発明のフラットパネル表示装置において
は、前記第１電極と前記第２電極との交差部において、
前記第１電極と前記第２電極との間に絶縁性保護膜を有
することを特徴とする。本発明のフラットパネル表示装
置においては、前記放射素子が前記第１及び第２電極間
に順に成膜された少くとも１層の有機エレクトロルミネ
ッセンス媒体層を有する有機エレクトロルミネッセンス
素子であることを特徴とする。
は、前記第１電極と前記第２電極との交差部において、
前記第１電極と前記第２電極との間に絶縁性保護膜を有
することを特徴とする。本発明のフラットパネル表示装
置においては、前記放射素子が前記第１及び第２電極間
に順に成膜された少くとも１層の有機エレクトロルミネ
ッセンス媒体層を有する有機エレクトロルミネッセンス
素子であることを特徴とする。
【００１７】本発明のフラットパネル表示装置において
は、前記基板及び前記第１電極が透明であることを特徴
とする。本発明のフラットパネル表示装置においては、
前記第１電極が前記有機エレクトロルミネッセンス素子
の各々に対応する複数の透明電極と前記透明電極を電気
的に接続する金属バスラインとからなることを特徴とす
る。
は、前記基板及び前記第１電極が透明であることを特徴
とする。本発明のフラットパネル表示装置においては、
前記第１電極が前記有機エレクトロルミネッセンス素子
の各々に対応する複数の透明電極と前記透明電極を電気
的に接続する金属バスラインとからなることを特徴とす
る。
【００１８】本発明のフラットパネル表示装置において
は、前記第２電極が透明であることを特徴とする。本発
明のフラットパネル表示装置においては、前記放射領域
は矩形であり、前記周囲領域の一部に纏めて並設された
第１及び第２外部中継端子は前記矩形の１辺に配置され
たことを特徴とする。
は、前記第２電極が透明であることを特徴とする。本発
明のフラットパネル表示装置においては、前記放射領域
は矩形であり、前記周囲領域の一部に纏めて並設された
第１及び第２外部中継端子は前記矩形の１辺に配置され
たことを特徴とする。
【００１９】本発明のフラットパネル表示装置において
は、前記第１及び第２外部中継端子は外部へ露出してい
る外部端子を有することを特徴とする。
は、前記第１及び第２外部中継端子は外部へ露出してい
る外部端子を有することを特徴とする。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下に、本発明による実施形態の
フラットパネル表示装置を図面を参照しつつ説明する。
図４に示すように、電子放出素子を用いた実施形態のフ
ラットパネル表示装置は、真空空間を挾み互いに対向す
る一対の背面基板１０及び透光性の前面基板１とを備え
ている。コレクタ電極２を内面に備えた透光性の前面基
板は、真空空間を挾み背面基板１０の電子放出素子の上
部電極１５に対向するように、配置されている。フラッ
トパネル表示装置の背面基板１０内面上には、矩形の放
射領域１００とこれを囲む周囲領域１０１が設けられて
いる。前面基板１のコレクタ電極２上には所定の蛍光体
（図示せず）が塗布される。
フラットパネル表示装置を図面を参照しつつ説明する。
図４に示すように、電子放出素子を用いた実施形態のフ
ラットパネル表示装置は、真空空間を挾み互いに対向す
る一対の背面基板１０及び透光性の前面基板１とを備え
ている。コレクタ電極２を内面に備えた透光性の前面基
板は、真空空間を挾み背面基板１０の電子放出素子の上
部電極１５に対向するように、配置されている。フラッ
トパネル表示装置の背面基板１０内面上には、矩形の放
射領域１００とこれを囲む周囲領域１０１が設けられて
いる。前面基板１のコレクタ電極２上には所定の蛍光体
（図示せず）が塗布される。
【００２１】放射領域１００には、各々が平行に伸長す
る複数の下部電極（図示せず）と、下部電極上に設けら
れ各々がこれに略垂直に伸長する複数のバス電極１６
と、下部電極及びバス電極１６の交差部近傍にそれぞれ
接続された複数の電子放射素子Ｓと、が含まれている。
よって、複数の電子放出素子Ｓは、真空空間に面する上
部電極１５がマトリクスアレイとなるように背面基板１
０上に配列されている。電子放射素子Ｓは下部電極上に
形成された絶縁体層（図示せず）及び上部電極１５を有
しており、バス電極１６が素子の上部電極１５に接続さ
れている。
る複数の下部電極（図示せず）と、下部電極上に設けら
れ各々がこれに略垂直に伸長する複数のバス電極１６
と、下部電極及びバス電極１６の交差部近傍にそれぞれ
接続された複数の電子放射素子Ｓと、が含まれている。
よって、複数の電子放出素子Ｓは、真空空間に面する上
部電極１５がマトリクスアレイとなるように背面基板１
０上に配列されている。電子放射素子Ｓは下部電極上に
形成された絶縁体層（図示せず）及び上部電極１５を有
しており、バス電極１６が素子の上部電極１５に接続さ
れている。
【００２２】背面基板１０の周囲領域１０１の一辺に
は、下部電極を延長してなる複数の第１外部中継端子１
８が纏めて並設されている。複数の第２外部中継端子１
９は、放射領域１００内におけるバス電極１６の各々毎
に接続されかつ第１外部中継端子１８に沿って並設され
ている。第１及び第２外部中継端子１８、１９は、放射
領域１００の一辺から同一方向に伸長している。第１及
び第２外部中継端子１８、１９は、外部へ露出させる場
合は、引出部やワイアリング用パッドなどの外部端子と
して機能する。
は、下部電極を延長してなる複数の第１外部中継端子１
８が纏めて並設されている。複数の第２外部中継端子１
９は、放射領域１００内におけるバス電極１６の各々毎
に接続されかつ第１外部中継端子１８に沿って並設され
ている。第１及び第２外部中継端子１８、１９は、放射
領域１００の一辺から同一方向に伸長している。第１及
び第２外部中継端子１８、１９は、外部へ露出させる場
合は、引出部やワイアリング用パッドなどの外部端子と
して機能する。
【００２３】図５に示すように、第２外部中継端子１９
は、上部電極１５に接続されたバス電極１６から１ライ
ン毎に下部電極１１間にＴ字状に枝分かれして、下部電
極１１の引出部すなわち第１外部中継端子１８に近接す
る部位からパネル外へ引き出されている。このフラット
パネル表示装置では、バス電極１６の下には第２絶縁性
保護膜１７ｂが設けられ、第２外部中継端子１９の下に
も第１絶縁性保護膜１７ａが設けられ、下部電極１１と
の短絡を防ぐ構成となっている。
は、上部電極１５に接続されたバス電極１６から１ライ
ン毎に下部電極１１間にＴ字状に枝分かれして、下部電
極１１の引出部すなわち第１外部中継端子１８に近接す
る部位からパネル外へ引き出されている。このフラット
パネル表示装置では、バス電極１６の下には第２絶縁性
保護膜１７ｂが設けられ、第２外部中継端子１９の下に
も第１絶縁性保護膜１７ａが設けられ、下部電極１１と
の短絡を防ぐ構成となっている。
【００２４】接続されるべきでない任意のバス電極１６
と交わる第２外部中継端子１９の下には、当該バス電極
１６との短絡を防ぐため、図５に示すように、第１及び
第２絶縁性保護膜１７ａ、１７ｂとは別の第３絶縁性保
護膜１７ｃが設けられている。第３絶縁性保護膜１７ｃ
により、接続されるべきでないバス電極１６及び第２外
部中継端子１９の交差部は立体交差となる。
と交わる第２外部中継端子１９の下には、当該バス電極
１６との短絡を防ぐため、図５に示すように、第１及び
第２絶縁性保護膜１７ａ、１７ｂとは別の第３絶縁性保
護膜１７ｃが設けられている。第３絶縁性保護膜１７ｃ
により、接続されるべきでないバス電極１６及び第２外
部中継端子１９の交差部は立体交差となる。
【００２５】図６に、第２外部中継端子１９のバス電極
１６からＴ字状に枝分かれしている部位すなわち接続部
を示す。図７に、第２外部中継端子１９とバス電極１６
との立体交差部を示す。図８に、第２外部中継端子１９
とバス電極１６との接続部及び立体交差部以外の下部電
極１１とバス電極１６との交差部分を示す。図示するよ
うに、第２外部中継端子１９の下の第１絶縁性保護膜１
７ａは、下部電極１１の少なくとも一部の段差部分を被
うように伸長して形成されている。よって、下部電極１
１上に順に積層形成された電子供給層１２、絶縁体層１
３及び上部電極１５からなる各電子放出素子Ｓは、各々
独立して背面基板１０の真空空間側の表面に形成されて
いる。バス電極１６は、各々が独立して隣接する上部電
極１５を電気的に接続して、第２絶縁性保護膜１７ｂ上
に沿って伸長して形成されている。バス電極１６は背面
基板１０に接することなく、第１絶縁性保護膜１７ａと
第２絶縁性保護膜１７ｂとの上に架設されている。
１６からＴ字状に枝分かれしている部位すなわち接続部
を示す。図７に、第２外部中継端子１９とバス電極１６
との立体交差部を示す。図８に、第２外部中継端子１９
とバス電極１６との接続部及び立体交差部以外の下部電
極１１とバス電極１６との交差部分を示す。図示するよ
うに、第２外部中継端子１９の下の第１絶縁性保護膜１
７ａは、下部電極１１の少なくとも一部の段差部分を被
うように伸長して形成されている。よって、下部電極１
１上に順に積層形成された電子供給層１２、絶縁体層１
３及び上部電極１５からなる各電子放出素子Ｓは、各々
独立して背面基板１０の真空空間側の表面に形成されて
いる。バス電極１６は、各々が独立して隣接する上部電
極１５を電気的に接続して、第２絶縁性保護膜１７ｂ上
に沿って伸長して形成されている。バス電極１６は背面
基板１０に接することなく、第１絶縁性保護膜１７ａと
第２絶縁性保護膜１７ｂとの上に架設されている。
【００２６】図６に示すように、絶縁体層１３上に形成
されている上部電極１５は、絶縁体層の平坦部分にのみ
サブピクセル毎に離間して形成される。上部電極１５を
形成する際、上部電極自体をストライプ状とすることな
く均一な膜厚で絶縁体層１３の平坦面上に形成される。
それゆえに駆動時の電界が均一になる。各上部電極１５
の接続部分（段差部分）は十分厚いバス電極１６上に形
成される。バス電極１６で隣接素子の上部電極１５が接
続されている。下部電極／半導体の電子供給層／絶縁体
層の厚さにより生じる段差部分には、バス電極１６が交
差する形で形成されているが、バス電極１６の下には十
分厚い第１絶縁性保護膜１７ａが設けられているので、
下部電極１１、半導体の電子供給層１２との短絡が防止
される。バス電極１６の厚さはパネルサイズに対して抵
抗値で問題が無い範囲であれば良く、膜厚０．１〜５０
μｍが有効である。バス電極１６下の第１絶縁性保護膜
１７ａは画素部の絶縁体層１３を形成する前でも、後で
も設けることができる。第１絶縁性保護膜１７ａによ
り、段差による損傷をバス電極１６に与えない素子構造
を達成できる。
されている上部電極１５は、絶縁体層の平坦部分にのみ
サブピクセル毎に離間して形成される。上部電極１５を
形成する際、上部電極自体をストライプ状とすることな
く均一な膜厚で絶縁体層１３の平坦面上に形成される。
それゆえに駆動時の電界が均一になる。各上部電極１５
の接続部分（段差部分）は十分厚いバス電極１６上に形
成される。バス電極１６で隣接素子の上部電極１５が接
続されている。下部電極／半導体の電子供給層／絶縁体
層の厚さにより生じる段差部分には、バス電極１６が交
差する形で形成されているが、バス電極１６の下には十
分厚い第１絶縁性保護膜１７ａが設けられているので、
下部電極１１、半導体の電子供給層１２との短絡が防止
される。バス電極１６の厚さはパネルサイズに対して抵
抗値で問題が無い範囲であれば良く、膜厚０．１〜５０
μｍが有効である。バス電極１６下の第１絶縁性保護膜
１７ａは画素部の絶縁体層１３を形成する前でも、後で
も設けることができる。第１絶縁性保護膜１７ａによ
り、段差による損傷をバス電極１６に与えない素子構造
を達成できる。
【００２７】バス電極材料にはＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒを用い
たが、特にこの材料にこだわる必要はなく、Ｐｔ，Ａ
ｕ，Ｗ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ａｌ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，
Ｔｃ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｌｎ，Ｓｎ，Ｔａ，Ｒ
ｅ，Ｏｓ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐ
ｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔ
ｍ，Ｙｂ，Ｌｕなどの金属単体もしくはその化合物もし
くは積層でも良い。
たが、特にこの材料にこだわる必要はなく、Ｐｔ，Ａ
ｕ，Ｗ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ａｌ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，
Ｔｃ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｌｎ，Ｓｎ，Ｔａ，Ｒ
ｅ，Ｏｓ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐ
ｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔ
ｍ，Ｙｂ，Ｌｕなどの金属単体もしくはその化合物もし
くは積層でも良い。
【００２８】また、バス電極は図示のように上部電極１
５（画素部）の一端に接触するように形成するだけでな
く、上部電極１５を囲むように形成しても良く、バス電
極１６下の第２絶縁性保護膜も同様に上部電極１５を囲
むように形成しても良い。第１、第２及び第３絶縁性保
護膜１７ａ，１７ｂ，１７ｃの材料は例えば、酸化珪素
ＳｉＯx（ｘは原子比を示す）であるが、ＬｉＯx，Ｌｉ
Ｎx，ＮａＯx，ＫＯx，ＲｂＯx，ＣｓＯx，ＢｅＯx，Ｍ
ｇＯx，ＭｇＮx，ＣａＯx，ＣａＮx，ＳｒＯx，Ｂａ
Ｏx，ＳｃＯx，ＹＯx，ＹＮx，ＬａＯx，ＬａＮx，Ｃｅ
Ｏx，ＰｒＯx，ＮｄＯx，ＳｍＯx，ＥｕＯx，ＧｄＯx，
ＴｂＯx，ＤｙＯx，ＨｏＯx，ＥｒＯx，ＴｍＯx，Ｙｂ
Ｏx，ＬｕＯx，ＴｉＯx，ＴｉＮx，ＺｒＯx，ＺｒＮx，
ＨｆＯx，ＨｆＮx，ＴｈＯx，ＶＯx，ＶＮx，ＮｂＯx，
ＮｂＮx，ＴａＯx，ＴａＮx，ＣｒＯx，ＣｒＮx，Ｍｏ
Ｏx，ＭｏＮx，ＷＯx，ＷＮx，ＭｎＯx，ＲｅＯx，Ｆｅ
Ｏ x，ＦｅＮx，ＲｕＯx，ＯｓＯx，ＣｏＯx，ＲｈＯx，
ＩｒＯx，ＮｉＯx，ＰｄＯ x，ＰｔＯx，ＣｕＯx，Ｃｕ
Ｎx，ＡｇＯx，ＡｕＯx，ＺｎＯx，ＣｄＯx，ＨｇＯ x，
ＢＯx，ＢＮx，ＡｌＯx，ＡｌＮx，ＧａＯx，ＧａＮx，
ＩｎＯx，ＴｉＯx，ＴｉＮx，ＳｉＮx，ＧｅＯx，Ｓｎ
Ｏx，ＰｂＯx，ＰＯx，ＰＮx，ＡｓＯx，ＳｂＯx，Ｓｅ
Ｏx，ＴｅＯxなどの金属酸化物又は金属窒化物でもよ
い。
５（画素部）の一端に接触するように形成するだけでな
く、上部電極１５を囲むように形成しても良く、バス電
極１６下の第２絶縁性保護膜も同様に上部電極１５を囲
むように形成しても良い。第１、第２及び第３絶縁性保
護膜１７ａ，１７ｂ，１７ｃの材料は例えば、酸化珪素
ＳｉＯx（ｘは原子比を示す）であるが、ＬｉＯx，Ｌｉ
Ｎx，ＮａＯx，ＫＯx，ＲｂＯx，ＣｓＯx，ＢｅＯx，Ｍ
ｇＯx，ＭｇＮx，ＣａＯx，ＣａＮx，ＳｒＯx，Ｂａ
Ｏx，ＳｃＯx，ＹＯx，ＹＮx，ＬａＯx，ＬａＮx，Ｃｅ
Ｏx，ＰｒＯx，ＮｄＯx，ＳｍＯx，ＥｕＯx，ＧｄＯx，
ＴｂＯx，ＤｙＯx，ＨｏＯx，ＥｒＯx，ＴｍＯx，Ｙｂ
Ｏx，ＬｕＯx，ＴｉＯx，ＴｉＮx，ＺｒＯx，ＺｒＮx，
ＨｆＯx，ＨｆＮx，ＴｈＯx，ＶＯx，ＶＮx，ＮｂＯx，
ＮｂＮx，ＴａＯx，ＴａＮx，ＣｒＯx，ＣｒＮx，Ｍｏ
Ｏx，ＭｏＮx，ＷＯx，ＷＮx，ＭｎＯx，ＲｅＯx，Ｆｅ
Ｏ x，ＦｅＮx，ＲｕＯx，ＯｓＯx，ＣｏＯx，ＲｈＯx，
ＩｒＯx，ＮｉＯx，ＰｄＯ x，ＰｔＯx，ＣｕＯx，Ｃｕ
Ｎx，ＡｇＯx，ＡｕＯx，ＺｎＯx，ＣｄＯx，ＨｇＯ x，
ＢＯx，ＢＮx，ＡｌＯx，ＡｌＮx，ＧａＯx，ＧａＮx，
ＩｎＯx，ＴｉＯx，ＴｉＮx，ＳｉＮx，ＧｅＯx，Ｓｎ
Ｏx，ＰｂＯx，ＰＯx，ＰＮx，ＡｓＯx，ＳｂＯx，Ｓｅ
Ｏx，ＴｅＯxなどの金属酸化物又は金属窒化物でもよ
い。
【００２９】また、ＬｉＡｌＯ2，Ｌｉ2ＳｉＯ3，Ｌｉ2
ＴｉＯ3，Ｎａ2Ａｌ22Ｏ34，ＮａＦｅＯ2，Ｎａ4ＳｉＯ
4，Ｋ2ＳｉＯ3，Ｋ2ＴｉＯ3，Ｋ2ＷＯ4，Ｒｂ2Ｃｒ
Ｏ4，ＣＳ2ＣｒＯ4，ＭｇＡｌ2Ｏ4，ＭｇＦｅ2Ｏ4，Ｍ
ｇＴｉＯ3，ＣａＴｉＯ3，ＣａＷＯ4，ＣａＺｒＯ3，Ｓ
ｒＦｅ12Ｏ19，ＳｒＴｉＯ3，ＳｒＺｒＯ3，ＢａＡｌ2
Ｏ4，ＢａＦｅ12Ｏ19，ＢａＴｉＯ3，Ｙ3Ａｌ5Ｏ12，Ｙ
3Ｆｅ5Ｏ12，ＬａＦｅＯ3，Ｌａ3Ｆｅ5Ｏ12，Ｌａ2Ｔｉ
2Ｏ7，ＣｅＳｎＯ4，ＣｅＴｉＯ4，Ｓｍ3Ｆｅ5Ｏ12，Ｅ
ｕＦｅＯ3，Ｅｕ3Ｆｅ5Ｏ12，ＧｄＦｅＯ3，Ｇｄ3Ｆｅ5
Ｏ12，ＤｙＦｅＯ3，Ｄｙ3Ｆｅ5Ｏ12，ＨｏＦｅＯ3，Ｈ
ｏ3Ｆｅ5Ｏ12，ＥｒＦｅＯ3，Ｅｒ3Ｆｅ5Ｏ 12，Ｔｍ3Ｆ
ｅ5Ｏ12，ＬｕＦｅＯ3，Ｌｕ3Ｆｅ5Ｏ12，ＮｉＴｉ
Ｏ3，Ａｌ2ＴｉＯ3，ＦｅＴｉＯ3，ＢａＺｒＯ3，Ｌｉ
ＺｒＯ3，ＭｇＺｒＯ3，ＨｆＴｉＯ4，ＮＨ4ＶＯ3，Ａ
ｇＶＯ3，ＬｉＶＯ3，ＢａＮｂ2Ｏ6，ＮａＮｂＯ3，Ｓ
ｒＮｂ2Ｏ6，ＫＴａＯ3，ＮａＴａＯ3，ＳｒＴａ2Ｏ6，
ＣｕＣｒ2Ｏ4，Ａｇ2ＣｒＯ4，ＢａＣｒＯ4，Ｋ2ＭｏＯ
4，Ｎａ2ＭｏＯ4，ＮｉＭｏＯ4，ＢａＷＯ4，Ｎａ2ＷＯ
4，ＳｒＷＯ4，ＭｎＣｒ2Ｏ4，ＭｎＦｅ2Ｏ4，ＭｎＴｉ
Ｏ3，ＭｎＷＯ4，ＣｏＦｅ2Ｏ4，ZｎＦｅ2Ｏ4，ＦｅＷ
Ｏ4，ＣｏＭｏＯ4，ＣｏＴｉＯ3，ＣｏＷＯ4，ＮｉＦｅ
2Ｏ4，ＮｉＷＯ4，ＣｕＦｅ2Ｏ4，ＣｕＭｏＯ4，ＣｕＴ
ｉＯ3，ＣｕＷＯ4，Ａｇ2ＭｏＯ4，Ａｇ2ＷＯ4，ＺｎＡ
ｌ2Ｏ4，ＺｎＭｏＯ4，ＺｎＷＯ4，ＣｄＳｎＯ 3，Ｃｄ
ＴｉＯ3，ＣｄＭｏＯ4，ＣｄＷＯ4，ＮａＡｌＯ2，Ｍｇ
Ａｌ2Ｏ4，ＳｒＡｌ2Ｏ4，Ｇｄ3Ｇａ5Ｏ12，ＩｎＦｅＯ
3，ＭｇＩｎ2Ｏ4，Ａｌ2ＴｉＯ5，ＦｅＴｉＯ3，ＭｇＴ
ｉＯ3，Ｎａ2ＳｉＯ3，ＣａＳｉＯ3，ＺｒＳｉＯ4，Ｋ2
ＧｅＯ3，Ｌｉ2ＧｅＯ3，Ｎａ2ＧｅＯ3，Ｂｉ2Ｓｎ
3Ｏ9，ＭｇＳｎＯ3，ＳｒＳｎＯ3，ＰｂＳｉＯ3，Ｐｂ
ＭｏＯ4，ＰｂＴｉＯ3，ＳｎＯ2−Ｓｂ2Ｏ3，ＣｕＳｅ
Ｏ4，Ｎａ2ＳｅＯ3，ＺｎＳｅＯ3，Ｋ2ＴｅＯ3，Ｋ2Ｔ
ｅＯ4，Ｎａ2ＴｅＯ3，Ｎａ2ＴｅＯ4などの金属複合酸
化物、ＦｅＳ，Ａｌ2Ｓ3，ＭｇＳ，ＺｎＳなどの硫化
物、ＬｉＦ，ＭｇＦ2，ＳｍＦ3などのフッ化物、ＨｇＣ
ｌ，ＦｅＣｌ2，ＣｒＣｌ3などの塩化物、ＡｇＢｒ，Ｃ
ｕＢｒ，ＭｎＢｒ2などの臭化物、ＰｂＩ2，ＣｕＩ，Ｆ
ｅＩ2などのヨウ化物、又は、ＳｉＡｌＯＮなどの金属
酸化窒化物でも絶縁体層１３の誘電体材料として有効で
ある。
ＴｉＯ3，Ｎａ2Ａｌ22Ｏ34，ＮａＦｅＯ2，Ｎａ4ＳｉＯ
4，Ｋ2ＳｉＯ3，Ｋ2ＴｉＯ3，Ｋ2ＷＯ4，Ｒｂ2Ｃｒ
Ｏ4，ＣＳ2ＣｒＯ4，ＭｇＡｌ2Ｏ4，ＭｇＦｅ2Ｏ4，Ｍ
ｇＴｉＯ3，ＣａＴｉＯ3，ＣａＷＯ4，ＣａＺｒＯ3，Ｓ
ｒＦｅ12Ｏ19，ＳｒＴｉＯ3，ＳｒＺｒＯ3，ＢａＡｌ2
Ｏ4，ＢａＦｅ12Ｏ19，ＢａＴｉＯ3，Ｙ3Ａｌ5Ｏ12，Ｙ
3Ｆｅ5Ｏ12，ＬａＦｅＯ3，Ｌａ3Ｆｅ5Ｏ12，Ｌａ2Ｔｉ
2Ｏ7，ＣｅＳｎＯ4，ＣｅＴｉＯ4，Ｓｍ3Ｆｅ5Ｏ12，Ｅ
ｕＦｅＯ3，Ｅｕ3Ｆｅ5Ｏ12，ＧｄＦｅＯ3，Ｇｄ3Ｆｅ5
Ｏ12，ＤｙＦｅＯ3，Ｄｙ3Ｆｅ5Ｏ12，ＨｏＦｅＯ3，Ｈ
ｏ3Ｆｅ5Ｏ12，ＥｒＦｅＯ3，Ｅｒ3Ｆｅ5Ｏ 12，Ｔｍ3Ｆ
ｅ5Ｏ12，ＬｕＦｅＯ3，Ｌｕ3Ｆｅ5Ｏ12，ＮｉＴｉ
Ｏ3，Ａｌ2ＴｉＯ3，ＦｅＴｉＯ3，ＢａＺｒＯ3，Ｌｉ
ＺｒＯ3，ＭｇＺｒＯ3，ＨｆＴｉＯ4，ＮＨ4ＶＯ3，Ａ
ｇＶＯ3，ＬｉＶＯ3，ＢａＮｂ2Ｏ6，ＮａＮｂＯ3，Ｓ
ｒＮｂ2Ｏ6，ＫＴａＯ3，ＮａＴａＯ3，ＳｒＴａ2Ｏ6，
ＣｕＣｒ2Ｏ4，Ａｇ2ＣｒＯ4，ＢａＣｒＯ4，Ｋ2ＭｏＯ
4，Ｎａ2ＭｏＯ4，ＮｉＭｏＯ4，ＢａＷＯ4，Ｎａ2ＷＯ
4，ＳｒＷＯ4，ＭｎＣｒ2Ｏ4，ＭｎＦｅ2Ｏ4，ＭｎＴｉ
Ｏ3，ＭｎＷＯ4，ＣｏＦｅ2Ｏ4，ZｎＦｅ2Ｏ4，ＦｅＷ
Ｏ4，ＣｏＭｏＯ4，ＣｏＴｉＯ3，ＣｏＷＯ4，ＮｉＦｅ
2Ｏ4，ＮｉＷＯ4，ＣｕＦｅ2Ｏ4，ＣｕＭｏＯ4，ＣｕＴ
ｉＯ3，ＣｕＷＯ4，Ａｇ2ＭｏＯ4，Ａｇ2ＷＯ4，ＺｎＡ
ｌ2Ｏ4，ＺｎＭｏＯ4，ＺｎＷＯ4，ＣｄＳｎＯ 3，Ｃｄ
ＴｉＯ3，ＣｄＭｏＯ4，ＣｄＷＯ4，ＮａＡｌＯ2，Ｍｇ
Ａｌ2Ｏ4，ＳｒＡｌ2Ｏ4，Ｇｄ3Ｇａ5Ｏ12，ＩｎＦｅＯ
3，ＭｇＩｎ2Ｏ4，Ａｌ2ＴｉＯ5，ＦｅＴｉＯ3，ＭｇＴ
ｉＯ3，Ｎａ2ＳｉＯ3，ＣａＳｉＯ3，ＺｒＳｉＯ4，Ｋ2
ＧｅＯ3，Ｌｉ2ＧｅＯ3，Ｎａ2ＧｅＯ3，Ｂｉ2Ｓｎ
3Ｏ9，ＭｇＳｎＯ3，ＳｒＳｎＯ3，ＰｂＳｉＯ3，Ｐｂ
ＭｏＯ4，ＰｂＴｉＯ3，ＳｎＯ2−Ｓｂ2Ｏ3，ＣｕＳｅ
Ｏ4，Ｎａ2ＳｅＯ3，ＺｎＳｅＯ3，Ｋ2ＴｅＯ3，Ｋ2Ｔ
ｅＯ4，Ｎａ2ＴｅＯ3，Ｎａ2ＴｅＯ4などの金属複合酸
化物、ＦｅＳ，Ａｌ2Ｓ3，ＭｇＳ，ＺｎＳなどの硫化
物、ＬｉＦ，ＭｇＦ2，ＳｍＦ3などのフッ化物、ＨｇＣ
ｌ，ＦｅＣｌ2，ＣｒＣｌ3などの塩化物、ＡｇＢｒ，Ｃ
ｕＢｒ，ＭｎＢｒ2などの臭化物、ＰｂＩ2，ＣｕＩ，Ｆ
ｅＩ2などのヨウ化物、又は、ＳｉＡｌＯＮなどの金属
酸化窒化物でも絶縁体層１３の誘電体材料として有効で
ある。
【００３０】背面基板１０の材料はガラスの他に、Ａｌ
2Ｏ3，Ｓｉ3Ｎ4、ＢＮなどのセラミックスなどが用いら
れる。下部電極１１の材料はＣｒ／Ｃｕ／Cｒを用いた
が、特にこの材料にこだわる必要はなく、Ｐｔ，Ａｕ，
Ｗ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ａｌ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，
Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔ
ｃ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｌｎ，Ｓｎ，Ｔａ，Ｒ
ｅ，Ｏｓ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐ
ｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔ
ｍ，Ｙｂ，Ｌｕなどの金属単体もしくは積層もしくはそ
の化合物などが用いられる。電子放出側の上部電極１５
の材料としてはＰｔ，Ａｕ，Ｗ，Ｒｕ，Ｉｒなどの金属
が有効であるが、Ａｌ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，
Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎ
ｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｌｎ，Ｓ
ｎ，Ｔａ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐ
ｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈ
ｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕなども用いられ得る。
2Ｏ3，Ｓｉ3Ｎ4、ＢＮなどのセラミックスなどが用いら
れる。下部電極１１の材料はＣｒ／Ｃｕ／Cｒを用いた
が、特にこの材料にこだわる必要はなく、Ｐｔ，Ａｕ，
Ｗ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ａｌ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，
Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔ
ｃ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｌｎ，Ｓｎ，Ｔａ，Ｒ
ｅ，Ｏｓ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐ
ｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔ
ｍ，Ｙｂ，Ｌｕなどの金属単体もしくは積層もしくはそ
の化合物などが用いられる。電子放出側の上部電極１５
の材料としてはＰｔ，Ａｕ，Ｗ，Ｒｕ，Ｉｒなどの金属
が有効であるが、Ａｌ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，
Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎ
ｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｌｎ，Ｓ
ｎ，Ｔａ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐ
ｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈ
ｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕなども用いられ得る。
【００３１】電子放出素子の電子供給層１２の材料とし
てはアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）や、ａ−Ｓｉの
ダンリングボンドを水素（Ｈ）で終結させた水素化アモ
ルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）、さらにＳｉの一部
を炭素（Ｃ）で置換した水素化アモルファスシリコンカ
ーバイド（ａ−ＳｉＣ：Ｈ）が有効であるが、Ｓｉの一
部を窒素（Ｎ）で置換した水素化アモルファスシリコン
ナイトライド（ａ−ＳｉＮ：Ｈ）などの化合物半導体も
用いられ、ホウ素、アンチモンをドープしたシリコンも
用いられ得る。
てはアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）や、ａ−Ｓｉの
ダンリングボンドを水素（Ｈ）で終結させた水素化アモ
ルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）、さらにＳｉの一部
を炭素（Ｃ）で置換した水素化アモルファスシリコンカ
ーバイド（ａ−ＳｉＣ：Ｈ）が有効であるが、Ｓｉの一
部を窒素（Ｎ）で置換した水素化アモルファスシリコン
ナイトライド（ａ−ＳｉＮ：Ｈ）などの化合物半導体も
用いられ、ホウ素、アンチモンをドープしたシリコンも
用いられ得る。
【００３２】絶縁体層１３の誘電体材料としては、Ｓｉ
Ｏxを用いたが、上記第１、第２及び第３絶縁性保護膜
１７ａ，１７ｂ，１７ｃの材料の金属酸化物又は金属窒
化物、金属複合酸化物、硫化物、ハロゲン化物、金属酸
化窒化物も有効である。さらに、絶縁体層１３の誘電体
材料としてダイヤモンド，フラーレン（Ｃ2n），カーボ
ンナノチューブなどの炭素、或いは、Ａｌ4Ｃ3，Ｂ
4Ｃ，ＣａＣ2，Ｃｒ3Ｃ2，Ｍｏ2Ｃ，ＭｏＣ，ＮｂＣ，
ＳｉＣ，ＴａＣ，ＴｉＣ，ＶＣ，Ｗ2Ｃ，ＷＣ，ＺｒＣ
などの金属炭化物も有効である。なお、フラーレン（Ｃ
2n）は炭素原子だけからなりＣ60に代表される球面籠状
分子でＣ32〜Ｃ960などがあり、また、上式中、Ｏx，Ｎ
xのｘは原子比を表す。また。絶縁体層１３の厚さは、
５０ｎｍ以上、好ましくは１００〜１０００ｎｍ程度で
ある。
Ｏxを用いたが、上記第１、第２及び第３絶縁性保護膜
１７ａ，１７ｂ，１７ｃの材料の金属酸化物又は金属窒
化物、金属複合酸化物、硫化物、ハロゲン化物、金属酸
化窒化物も有効である。さらに、絶縁体層１３の誘電体
材料としてダイヤモンド，フラーレン（Ｃ2n），カーボ
ンナノチューブなどの炭素、或いは、Ａｌ4Ｃ3，Ｂ
4Ｃ，ＣａＣ2，Ｃｒ3Ｃ2，Ｍｏ2Ｃ，ＭｏＣ，ＮｂＣ，
ＳｉＣ，ＴａＣ，ＴｉＣ，ＶＣ，Ｗ2Ｃ，ＷＣ，ＺｒＣ
などの金属炭化物も有効である。なお、フラーレン（Ｃ
2n）は炭素原子だけからなりＣ60に代表される球面籠状
分子でＣ32〜Ｃ960などがあり、また、上式中、Ｏx，Ｎ
xのｘは原子比を表す。また。絶縁体層１３の厚さは、
５０ｎｍ以上、好ましくは１００〜１０００ｎｍ程度で
ある。
【００３３】また、これら薄膜の成膜法としては、スパ
ッタリング法が特に有効であるが、真空蒸着法、ＣＶＤ
（chemical vapor deposition）法、レーザアブレーシ
ョン法、ＭＢＥ（molecular beam epitaxy）法、イオン
ビームスパッタリング法でも有効である。次に、電子放
出素子フラットパネル表示装置の製造工程を説明する。
ッタリング法が特に有効であるが、真空蒸着法、ＣＶＤ
（chemical vapor deposition）法、レーザアブレーシ
ョン法、ＭＢＥ（molecular beam epitaxy）法、イオン
ビームスパッタリング法でも有効である。次に、電子放
出素子フラットパネル表示装置の製造工程を説明する。
【００３４】図９に示すように、洗浄したガラス基板１
０上にストライプ状の下部電極１１の複数を平行に形成
する。成膜方法は例えばマスクを用いて下部電極部分の
みに成膜する方法もあるし、基板全面に電極膜を成膜し
ておいてからマスクを用いて各種エッチングにより下部
電極部分のみを残すという方法でも良い。次に、図１０
に示すように、電子供給層１２を、作製した各下部電極
面１１上に、後に引き出し部すなわち第１外部中継端子
１８となる部分を除き、エッチングにより下部電極１１
にそって形成する。
０上にストライプ状の下部電極１１の複数を平行に形成
する。成膜方法は例えばマスクを用いて下部電極部分の
みに成膜する方法もあるし、基板全面に電極膜を成膜し
ておいてからマスクを用いて各種エッチングにより下部
電極部分のみを残すという方法でも良い。次に、図１０
に示すように、電子供給層１２を、作製した各下部電極
面１１上に、後に引き出し部すなわち第１外部中継端子
１８となる部分を除き、エッチングにより下部電極１１
にそって形成する。
【００３５】次に、図１１に示すように、作製した下部
電極１１及び電子供給層１２の積層によりストライプ状
の電子供給層１２の間に生じた段差部並びにその底の基
板１０上に、第１絶縁性保護膜１７ａを形成する。第１
絶縁性保護膜１７ａにより基板１０の表面はすべて埋め
込まれる。第１絶縁性保護膜１７ａの厚さは電子供給層
１２までの厚さと同程度又は超えるような厚さになるよ
うに設定してもよい。
電極１１及び電子供給層１２の積層によりストライプ状
の電子供給層１２の間に生じた段差部並びにその底の基
板１０上に、第１絶縁性保護膜１７ａを形成する。第１
絶縁性保護膜１７ａにより基板１０の表面はすべて埋め
込まれる。第１絶縁性保護膜１７ａの厚さは電子供給層
１２までの厚さと同程度又は超えるような厚さになるよ
うに設定してもよい。
【００３６】このパネルでは、後工程にて下部電極１１
方向と直交する方向に並設されるバス電極１６を成膜す
る必要がある。この第１絶縁性保護膜１７ａを設けるこ
とで、下部電極１１及び電子供給層１２の膜厚の段差に
よる最上部のバス電極１６の断線を防止する。次に、図
１２に示すように、エッチングにより、絶縁体層１３
を、各電子供給層１２上に、電子供給層にそって形成す
る。
方向と直交する方向に並設されるバス電極１６を成膜す
る必要がある。この第１絶縁性保護膜１７ａを設けるこ
とで、下部電極１１及び電子供給層１２の膜厚の段差に
よる最上部のバス電極１６の断線を防止する。次に、図
１２に示すように、エッチングにより、絶縁体層１３
を、各電子供給層１２上に、電子供給層にそって形成す
る。
【００３７】次に、図１３に示すように、後工程で形成
されるバス電極のための第２絶縁性保護膜１７ｂを、第
１絶縁性保護膜１７ａ及び絶縁体層１３上に、下部電極
に直交する方向に架設するように形成する。第２絶縁性
保護膜１７ｂの間に電子放出部が画定されるように、絶
縁体層１３を露出させる。次に、図１４に示すように、
所定膜厚のバス電極１６を、第２絶縁性保護膜１７ｂ上
のみに、これにそって成膜する。すなわち、バス電極１
６幅は第２絶縁性保護膜１７ｂ幅より狭い。
されるバス電極のための第２絶縁性保護膜１７ｂを、第
１絶縁性保護膜１７ａ及び絶縁体層１３上に、下部電極
に直交する方向に架設するように形成する。第２絶縁性
保護膜１７ｂの間に電子放出部が画定されるように、絶
縁体層１３を露出させる。次に、図１４に示すように、
所定膜厚のバス電極１６を、第２絶縁性保護膜１７ｂ上
のみに、これにそって成膜する。すなわち、バス電極１
６幅は第２絶縁性保護膜１７ｂ幅より狭い。
【００３８】次に、図１５に示すように、後工程で形成
される第２外部中継端子１９に接続されるべきでないバ
ス電極１６の交わる部分に、第３絶縁性保護膜１７ｃを
形成する。次に、図１６に示すように、所定膜厚の第２
外部中継端子１９を、第１絶縁性保護膜１７ａ上及び接
続されるべきでないバス電極１６上の第３絶縁性保護膜
１７ｃ上のみに、これらにそって成膜する。すなわち、
第２外部中継端子１９幅は第１絶縁性保護膜１７ａ及び
第３絶縁性保護膜１７ｃの幅より狭い。所定の第２外部
中継端子１９の端部は所定のバス電極１６にのみ接続さ
れる。
される第２外部中継端子１９に接続されるべきでないバ
ス電極１６の交わる部分に、第３絶縁性保護膜１７ｃを
形成する。次に、図１６に示すように、所定膜厚の第２
外部中継端子１９を、第１絶縁性保護膜１７ａ上及び接
続されるべきでないバス電極１６上の第３絶縁性保護膜
１７ｃ上のみに、これらにそって成膜する。すなわち、
第２外部中継端子１９幅は第１絶縁性保護膜１７ａ及び
第３絶縁性保護膜１７ｃの幅より狭い。所定の第２外部
中継端子１９の端部は所定のバス電極１６にのみ接続さ
れる。
【００３９】次に、図５に示すように、上部電極１５
を、バス電極１６により連結されるべき個別の島状電極
として成膜する。各上部電極１５の大部分が絶縁体層１
３の平坦面上にあり、その縁部がバス電極１６の一部を
被うように、バス電極１６、第２絶縁性保護膜１７ｂ及
び絶縁体層１３を掛け渡して形成される。かかるパネル
構造により、第１及び第２電極ともにパネルの１辺から
取り出せるため、加速電圧用電極と合わせ計２辺の取り
出しで済み、ユニット化が容易になる。また、第１絶縁
性保護膜１７ａはバス電極１６との間を隔離するととも
に隣接素子のラインを隔離し、第２絶縁性保護膜１７ｂ
はバス電極１６と絶縁体層１３との間を隔離する。第２
絶縁性保護膜１７ｂが形成された部分の電子供給層１２
から上部電極１５までの深さ距離は、第２絶縁性保護膜
１７ｂが形成されていない部分における深さ距離より大
きくなるので、バス電極１６の下及び放出部まで途中の
上部電極１５の下からのリーク電流が防止できる。
を、バス電極１６により連結されるべき個別の島状電極
として成膜する。各上部電極１５の大部分が絶縁体層１
３の平坦面上にあり、その縁部がバス電極１６の一部を
被うように、バス電極１６、第２絶縁性保護膜１７ｂ及
び絶縁体層１３を掛け渡して形成される。かかるパネル
構造により、第１及び第２電極ともにパネルの１辺から
取り出せるため、加速電圧用電極と合わせ計２辺の取り
出しで済み、ユニット化が容易になる。また、第１絶縁
性保護膜１７ａはバス電極１６との間を隔離するととも
に隣接素子のラインを隔離し、第２絶縁性保護膜１７ｂ
はバス電極１６と絶縁体層１３との間を隔離する。第２
絶縁性保護膜１７ｂが形成された部分の電子供給層１２
から上部電極１５までの深さ距離は、第２絶縁性保護膜
１７ｂが形成されていない部分における深さ距離より大
きくなるので、バス電極１６の下及び放出部まで途中の
上部電極１５の下からのリーク電流が防止できる。
【００４０】一方、前面基板作製は、ガラスなどの透光
性の前面基板１上に透明コレクタ電極２を成膜して行
う。この透明コレクタ電極２は、可視光の透過率が高い
もので、電気抵抗の低いものであれば良いが、特にＩＴ
Ｏなどは最適である。この透明コレクタ電極２を０．４
μｍの厚さに前面基板全面に成膜する。次に、張り合わ
せ工程は、作製した背面基板と前面基板を、背面基板１
０側の隔壁（図示せず）と前面基板１側の第２隔壁（図
示せず）とが当接して、両基板は真空空間４を挾み互い
に対向するように、張り合わせ、基板周囲を封止し、２
枚の基板の間を真空に排気した後、内部に設置したゲッ
ターを誘導加熱により飛散させ、最終的に排気口を封止
して行う。
性の前面基板１上に透明コレクタ電極２を成膜して行
う。この透明コレクタ電極２は、可視光の透過率が高い
もので、電気抵抗の低いものであれば良いが、特にＩＴ
Ｏなどは最適である。この透明コレクタ電極２を０．４
μｍの厚さに前面基板全面に成膜する。次に、張り合わ
せ工程は、作製した背面基板と前面基板を、背面基板１
０側の隔壁（図示せず）と前面基板１側の第２隔壁（図
示せず）とが当接して、両基板は真空空間４を挾み互い
に対向するように、張り合わせ、基板周囲を封止し、２
枚の基板の間を真空に排気した後、内部に設置したゲッ
ターを誘導加熱により飛散させ、最終的に排気口を封止
して行う。
【００４１】背面基板の下部電極及びバス電極を、それ
ぞれアース及び正電圧に接続し、かつ前面基板の透明電
極を数ｋＶの正電圧に接続して、図４に示すような、一
対の透光性の前面基板１及び背面基板１０からなるフラ
ットパネル表示装置が完成する。（他の実施形態）前出
の実施形態では図６に示すように、第１絶縁性保護膜１
７ａの厚さは電子供給層１２までの厚さと同程度又は越
えるような厚さになるように設定してもよいが、本発明
はそれに限られない。例えば、図１７に示すように、電
子放出素子全体の厚さに対して、５％以上の厚さがあれ
ば、バス電極の断線は防ぐことができる。よって、第１
絶縁性保護膜の膜厚は、素子全体（約６μｍ）に対し
て、５％以上（上限は素子絶縁体層１３までの高さ程度
まで）とすることが好ましい。また、第１絶縁性保護膜
１７ａの厚さの下限はバス電極が断線しない厚さであ
る。
ぞれアース及び正電圧に接続し、かつ前面基板の透明電
極を数ｋＶの正電圧に接続して、図４に示すような、一
対の透光性の前面基板１及び背面基板１０からなるフラ
ットパネル表示装置が完成する。（他の実施形態）前出
の実施形態では図６に示すように、第１絶縁性保護膜１
７ａの厚さは電子供給層１２までの厚さと同程度又は越
えるような厚さになるように設定してもよいが、本発明
はそれに限られない。例えば、図１７に示すように、電
子放出素子全体の厚さに対して、５％以上の厚さがあれ
ば、バス電極の断線は防ぐことができる。よって、第１
絶縁性保護膜の膜厚は、素子全体（約６μｍ）に対し
て、５％以上（上限は素子絶縁体層１３までの高さ程度
まで）とすることが好ましい。また、第１絶縁性保護膜
１７ａの厚さの下限はバス電極が断線しない厚さであ
る。
【００４２】一方、前出の実施形態では図４に示すよう
に、ガラスなどの透光性の前面基板１上にＩＴＯなどの
透明コレクタ電極２を直接成膜しているが、本発明はそ
れに限られない。例えば、図１８に示すように、更なる
他の実施形態によれば、前面基板１内面上にカーボンな
どからなるブラックマトリクスＢＭで区画された部分に
それぞれ赤緑青色発光を発する蛍光体層３Ｒ，３Ｇ，３
Ｂを設けて、その内面にＡｌなど導電体層を設けコレク
タ電極２として用いることもできる。蛍光体層３Ｒ，３
Ｇ，３Ｂに対応する複数の発光部からなる画像表示配列
は、暗色又は黒色のマトリクス層ＢＭによって画定され
ているが、同様に暗色又は黒色のストライプ層によって
も画定できる。いずれにしても蛍光体層に対応する複数
の発光部からなる画像表示配列を有している電子放出素
子フラットパネル表示装置が得られる。
に、ガラスなどの透光性の前面基板１上にＩＴＯなどの
透明コレクタ電極２を直接成膜しているが、本発明はそ
れに限られない。例えば、図１８に示すように、更なる
他の実施形態によれば、前面基板１内面上にカーボンな
どからなるブラックマトリクスＢＭで区画された部分に
それぞれ赤緑青色発光を発する蛍光体層３Ｒ，３Ｇ，３
Ｂを設けて、その内面にＡｌなど導電体層を設けコレク
タ電極２として用いることもできる。蛍光体層３Ｒ，３
Ｇ，３Ｂに対応する複数の発光部からなる画像表示配列
は、暗色又は黒色のマトリクス層ＢＭによって画定され
ているが、同様に暗色又は黒色のストライプ層によって
も画定できる。いずれにしても蛍光体層に対応する複数
の発光部からなる画像表示配列を有している電子放出素
子フラットパネル表示装置が得られる。
【００４３】（具体例）具体的に、成膜にスパッタリン
グ法を用いて、フラットパネル表示装置を以下の〜
の仕様で作製して、その特性を調べた。 下部電極：Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ、膜厚：５０ｎｍ／１μ
ｍ／１００ｎｍ、 半導体の電子供給層：Ｓｉ、膜厚：４μｍ、 絶縁体層：ＳｉＯｘ、膜厚：３３０ｎｍ、 上部電極：Ｐｔ、膜厚：４０ｎｍ、 バス電極：Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ、膜厚：５０ｎｍ／１μ
ｍ／１００ｎｍ、 第２外部中継端子：Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ、膜厚：５０
ｎｍ／１μｍ／１００ｎｍ、 第１、第２、第３絶縁性保護膜：ＳｉＯｘ、膜厚：
３５０ｎｍ 洗浄したガラス基板上に下部電極及び半導体の電子
供給層を順にライン状に成膜した。その後、当該ライン
間に第１絶縁性保護膜を成膜した。次に、半導体の
電子供給層上に沿って絶縁体層をライン状に成膜し
た。次に、第１絶縁性保護膜及び絶縁体層上にて
第２絶縁性保護膜をそれらに直交するようにライン状に
成膜した。これら保護膜により、下部電極に直交する
部分と、下部電極の間に平行する部分とを格子状に形
成し、平行する部分は下部電極１１／半導体層で形
成される段差部分を被うようにした。
グ法を用いて、フラットパネル表示装置を以下の〜
の仕様で作製して、その特性を調べた。 下部電極：Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ、膜厚：５０ｎｍ／１μ
ｍ／１００ｎｍ、 半導体の電子供給層：Ｓｉ、膜厚：４μｍ、 絶縁体層：ＳｉＯｘ、膜厚：３３０ｎｍ、 上部電極：Ｐｔ、膜厚：４０ｎｍ、 バス電極：Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ、膜厚：５０ｎｍ／１μ
ｍ／１００ｎｍ、 第２外部中継端子：Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ、膜厚：５０
ｎｍ／１μｍ／１００ｎｍ、 第１、第２、第３絶縁性保護膜：ＳｉＯｘ、膜厚：
３５０ｎｍ 洗浄したガラス基板上に下部電極及び半導体の電子
供給層を順にライン状に成膜した。その後、当該ライン
間に第１絶縁性保護膜を成膜した。次に、半導体の
電子供給層上に沿って絶縁体層をライン状に成膜し
た。次に、第１絶縁性保護膜及び絶縁体層上にて
第２絶縁性保護膜をそれらに直交するようにライン状に
成膜した。これら保護膜により、下部電極に直交する
部分と、下部電極の間に平行する部分とを格子状に形
成し、平行する部分は下部電極１１／半導体層で形
成される段差部分を被うようにした。
【００４４】次に、下部電極に直交する第２絶縁性
保護膜上に沿ってバス電極を形成した。次に、次工程
で形成されるべき第２外部中継端子１９と交差する予
定のバス電極上の部位に第３絶縁性保護膜を成膜し
た。次に、下部電極１１の間の第１絶縁性保護膜上
及び所定のバス電極上の部位に、バス電極毎に直交
して接続する形態で、第２外部中継端子を成膜した。
保護膜上に沿ってバス電極を形成した。次に、次工程
で形成されるべき第２外部中継端子１９と交差する予
定のバス電極上の部位に第３絶縁性保護膜を成膜し
た。次に、下部電極１１の間の第１絶縁性保護膜上
及び所定のバス電極上の部位に、バス電極毎に直交
して接続する形態で、第２外部中継端子を成膜した。
【００４５】そして上部電極を独立して発光部毎に
半導体の電子供給層上の平坦部からバス電極の一部を
被うように成膜した。この複数の電子放出素子のエミッ
ションサイトを形成したガラス基板（背面側）と、別途
作製した画素に相当するＲＧＢ発光を呈し得る蛍光体を
塗布した前面基板を、ガラス製スペーサを挟んで配置し
た。これを１×１０-7ｔｏｒｒの高真空中で加熱封着
し、パネル化した。パネル内部は非蒸発型ゲッターによ
り高真空を保った。
半導体の電子供給層上の平坦部からバス電極の一部を
被うように成膜した。この複数の電子放出素子のエミッ
ションサイトを形成したガラス基板（背面側）と、別途
作製した画素に相当するＲＧＢ発光を呈し得る蛍光体を
塗布した前面基板を、ガラス製スペーサを挟んで配置し
た。これを１×１０-7ｔｏｒｒの高真空中で加熱封着
し、パネル化した。パネル内部は非蒸発型ゲッターによ
り高真空を保った。
【００４６】このようにして作製したフラットパネル表
示装置に加速電圧として５ｋＶ印加し、駆動電圧と素子
電流、そしてエミッション電流の電気特性を調べた。電
気特性の評価の結果、図１９に示すように従来の素子の
特性と比べ、特性が変わらないことが確認できた。ま
た、一対の下部電極１１間に形成する第２外部中継端子
１９の本数は、マトリクスにおいて下部電極１１の総取
り出し本数と上部電極１５の総取り出し本数が同一の場
合は１本で良いが、上部電極１５の総取り出し本数が多
い場合は、その本数に合わせて一対の下部電極１１間に
形成する第２外部中継端子１９の本数を増やしても良
い。例えば、図２０に下部電極１１、バス電極１６及び
第２外部中継端子１９以外を省略した概略図で示すよう
に、各隣接するバス電極１６間毎に２本の第２外部中継
端子１９を設けても良い。
示装置に加速電圧として５ｋＶ印加し、駆動電圧と素子
電流、そしてエミッション電流の電気特性を調べた。電
気特性の評価の結果、図１９に示すように従来の素子の
特性と比べ、特性が変わらないことが確認できた。ま
た、一対の下部電極１１間に形成する第２外部中継端子
１９の本数は、マトリクスにおいて下部電極１１の総取
り出し本数と上部電極１５の総取り出し本数が同一の場
合は１本で良いが、上部電極１５の総取り出し本数が多
い場合は、その本数に合わせて一対の下部電極１１間に
形成する第２外部中継端子１９の本数を増やしても良
い。例えば、図２０に下部電極１１、バス電極１６及び
第２外部中継端子１９以外を省略した概略図で示すよう
に、各隣接するバス電極１６間毎に２本の第２外部中継
端子１９を設けても良い。
【００４７】（さらなる他の実施形態）上記実施形態で
は、上部及び下部電極間に形成される放射素子が電子放
出素子であったが、電子放出素子に代えて、第１電極上
に順に成膜された少くとも１層の有機ＥＬ媒体層及び第
２電極を有する有機ＥＬ素子の複数からなるフラットパ
ネル表示装置をも本発明は包含する。
は、上部及び下部電極間に形成される放射素子が電子放
出素子であったが、電子放出素子に代えて、第１電極上
に順に成膜された少くとも１層の有機ＥＬ媒体層及び第
２電極を有する有機ＥＬ素子の複数からなるフラットパ
ネル表示装置をも本発明は包含する。
【００４８】図２１に基板側から見た本発明による有機
ＥＬ素子の複数からなるフラットパネル表示装置の概略
一部切欠拡大部分平面図を示す。図２２に示す部分拡大
断面図から分かるように、かかるフラットパネル表示装
置は次のように製造される。ガラス等の透明基板２０を
用意し、その主面にＩＴＯなどの高仕事関数の材料から
なる複数の島状透明電極２３ａを画像表示配列領域とな
るようにマトリクス状に形成する。次に、これら島状透
明電極２３ａを水平方向に電気的に接続する金属の陽極
バスライン２３ｂを蒸着などにより形成する。つぎに、
上記実施形態の説明の図１４〜図１５に示されたと同様
の工程により、陽極バスライン２３ｂに対して垂直方向
に伸長しかつ各々が島状透明電極間に位置するように、
第２外部中継端子１９を各陽極バスラインから分岐す
る。次に、第２外部中継端子１９上にこれらを覆うよう
に複数の電気絶縁性の隔壁２７を形成する。次に、例え
ば有機発光層の成膜では所定マスク用いた蒸着方法に
て、隔壁２７間の露出したＩＴＯ電極２３上に有機ＥＬ
媒体２８を所定厚さに成膜する。
ＥＬ素子の複数からなるフラットパネル表示装置の概略
一部切欠拡大部分平面図を示す。図２２に示す部分拡大
断面図から分かるように、かかるフラットパネル表示装
置は次のように製造される。ガラス等の透明基板２０を
用意し、その主面にＩＴＯなどの高仕事関数の材料から
なる複数の島状透明電極２３ａを画像表示配列領域とな
るようにマトリクス状に形成する。次に、これら島状透
明電極２３ａを水平方向に電気的に接続する金属の陽極
バスライン２３ｂを蒸着などにより形成する。つぎに、
上記実施形態の説明の図１４〜図１５に示されたと同様
の工程により、陽極バスライン２３ｂに対して垂直方向
に伸長しかつ各々が島状透明電極間に位置するように、
第２外部中継端子１９を各陽極バスラインから分岐す
る。次に、第２外部中継端子１９上にこれらを覆うよう
に複数の電気絶縁性の隔壁２７を形成する。次に、例え
ば有機発光層の成膜では所定マスク用いた蒸着方法に
て、隔壁２７間の露出したＩＴＯ電極２３上に有機ＥＬ
媒体２８を所定厚さに成膜する。
【００４９】有機ＥＬ媒体の薄膜上に、垂直方向に伸長
する複数の第２表示電極２９の陰極を蒸着などにより形
成し、第１表示電極との各交差部にて発光部を画定す
る。このように第１及び第２表示電極が交差して挾まれ
た有機ＥＬ媒体２８の部分が、発光部に対応する。この
実施例の有機ＥＬ表示パネルにおいて、基板及び第１表
示電極が透明であり、発光は基板側から放射される。逆
に、他の実施例の有機ＥＬ表示パネルにおいて、第２表
示電極を透明材料で構成して、発光を第２表示電極側か
ら放射させることもできる。第２表示電極上に電導線膜
を形成した後、防湿処理及び封止して有機ＥＬ表示パネ
ルが得られる。
する複数の第２表示電極２９の陰極を蒸着などにより形
成し、第１表示電極との各交差部にて発光部を画定す
る。このように第１及び第２表示電極が交差して挾まれ
た有機ＥＬ媒体２８の部分が、発光部に対応する。この
実施例の有機ＥＬ表示パネルにおいて、基板及び第１表
示電極が透明であり、発光は基板側から放射される。逆
に、他の実施例の有機ＥＬ表示パネルにおいて、第２表
示電極を透明材料で構成して、発光を第２表示電極側か
ら放射させることもできる。第２表示電極上に電導線膜
を形成した後、防湿処理及び封止して有機ＥＬ表示パネ
ルが得られる。
【００５０】さらに、本発明は、基板上に設けられ各々
が平行に伸長する複数の第１電極、第１電極上に設けら
れ各々が第１電極に略垂直に伸長する複数の第２電極、
並びに第１及び第２電極の複数の交差部にそれぞれ接続
され基板上に配列された放電により紫外線光を放射する
複数の放射素子、からなる放射領域と、基板上の放射領
域を囲む周囲領域と、を備えたフラットパネル表示装置
であって、第１及び第２電極のいずれか一方を延長して
なる周囲領域の一部に纏めて並設された複数の第１外部
中継端子と、放射領域内における第１及び第２電極の残
る他方の各々毎に接続されかつ第１外部中継端子に沿っ
て並設された複数の第２外部中継端子と、を備えたプラ
ズマディスプレイパネルにも適用できる。
が平行に伸長する複数の第１電極、第１電極上に設けら
れ各々が第１電極に略垂直に伸長する複数の第２電極、
並びに第１及び第２電極の複数の交差部にそれぞれ接続
され基板上に配列された放電により紫外線光を放射する
複数の放射素子、からなる放射領域と、基板上の放射領
域を囲む周囲領域と、を備えたフラットパネル表示装置
であって、第１及び第２電極のいずれか一方を延長して
なる周囲領域の一部に纏めて並設された複数の第１外部
中継端子と、放射領域内における第１及び第２電極の残
る他方の各々毎に接続されかつ第１外部中継端子に沿っ
て並設された複数の第２外部中継端子と、を備えたプラ
ズマディスプレイパネルにも適用できる。
【００５１】
【発明の効果】上記のように本発明によれば、従来のＦ
ＥＤの電極取り出し方法ではユニットとして組み上げる
際に電極取り出し部分が重複する辺ができてしまうが、
本発明のパネル構造では電極の取り出しが２辺で可能な
ため容易にユニット化することができる。
ＥＤの電極取り出し方法ではユニットとして組み上げる
際に電極取り出し部分が重複する辺ができてしまうが、
本発明のパネル構造では電極の取り出しが２辺で可能な
ため容易にユニット化することができる。
【図１】電子放出素子を説明するための概略断面図。
【図２】電子放出素子のマトリクス型フラットパネル表
示装置を示す概略部分拡大斜視図。
示装置を示す概略部分拡大斜視図。
【図３】電子放出素子のマトリクス型フラットパネル表
示装置を示す概略斜視図。
示装置を示す概略斜視図。
【図４】本発明による電子放出素子フラットパネル表示
装置の概略斜視図。
装置の概略斜視図。
【図５】本発明による電子放出素子フラットパネル表示
装置の概略平面図。
装置の概略平面図。
【図６】本発明による電子放出素子フラットパネル表示
装置の概略部分斜視図。
装置の概略部分斜視図。
【図７】本発明による電子放出素子フラットパネル表示
装置の概略部分斜視図。
装置の概略部分斜視図。
【図８】本発明による電子放出素子フラットパネル表示
装置の概略部分斜視図。
装置の概略部分斜視図。
【図９】本発明による実施例の電子放出素子フラットパ
ネル表示装置製造工程における基板の概略部分平面図。
ネル表示装置製造工程における基板の概略部分平面図。
【図１０】本発明による実施例の電子放出素子フラット
パネル表示装置製造工程における基板の概略部分平面
図。
パネル表示装置製造工程における基板の概略部分平面
図。
【図１１】本発明による実施例の電子放出素子フラット
パネル表示装置製造工程における基板の概略部分平面
図。
パネル表示装置製造工程における基板の概略部分平面
図。
【図１２】本発明による実施例の電子放出素子フラット
パネル表示装置製造工程における基板の概略部分平面
図。
パネル表示装置製造工程における基板の概略部分平面
図。
【図１３】本発明による実施例の電子放出素子フラット
パネル表示装置製造工程における基板の概略部分平面
図。
パネル表示装置製造工程における基板の概略部分平面
図。
【図１４】本発明による実施例の電子放出素子フラット
パネル表示装置製造工程における基板の概略部分平面
図。
パネル表示装置製造工程における基板の概略部分平面
図。
【図１５】本発明による実施例の電子放出素子フラット
パネル表示装置製造工程における基板の概略部分平面
図。
パネル表示装置製造工程における基板の概略部分平面
図。
【図１６】本発明による実施例の電子放出素子フラット
パネル表示装置製造工程における基板の概略部分平面
図。
パネル表示装置製造工程における基板の概略部分平面
図。
【図１７】本発明による他の実施例の電子放出素子フラ
ットパネル表示装置製造工程における基板の概略部分斜
視図。
ットパネル表示装置製造工程における基板の概略部分斜
視図。
【図１８】本発明による他の実施例の電子放出素子フラ
ットパネル表示装置の概略部分拡大斜視図。
ットパネル表示装置の概略部分拡大斜視図。
【図１９】本発明による実施例の電子放出素子フラット
パネル表示装置における駆動電圧と素子電流及びエミッ
ション電流との電気特性を示すグラフ。
パネル表示装置における駆動電圧と素子電流及びエミッ
ション電流との電気特性を示すグラフ。
【図２０】本発明による他の実施例の電子放出素子フラ
ットパネル表示装置の概略図。
ットパネル表示装置の概略図。
【図２１】基板側から見た本発明による有機ＥＬ表示パ
ネルの概略一部切欠拡大部分平面図。
ネルの概略一部切欠拡大部分平面図。
【図２２】本発明による実施例の有機ＥＬ表示パネル製
造工程における基板の概略部分拡大断面図。
造工程における基板の概略部分拡大断面図。
１ 前面基板 ２ コレクタ電極 ３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ 蛍光体層 ４ 真空空間 １０ 背面基板 １１ 下部電極 １２ 電子供給層 １３ 絶縁体層 １５ 上部電極 １６ バス電極 １７ａ、１７ｂ、１７ｃ 絶縁性保護膜 １８ 第１外部中継端子 １９ 第２外部中継端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 秦 拓也 埼玉県鶴ヶ島市富士見６丁目１番１号 パ イオニア株式会社総合研究所内 (72)発明者 酒村 一到 埼玉県鶴ヶ島市富士見６丁目１番１号 パ イオニア株式会社総合研究所内 (72)発明者 山田 高士 埼玉県鶴ヶ島市富士見６丁目１番１号 パ イオニア株式会社総合研究所内 (72)発明者 根岸 伸安 埼玉県鶴ヶ島市富士見６丁目１番１号 パ イオニア株式会社総合研究所内 (72)発明者 岩崎 新吾 埼玉県鶴ヶ島市富士見６丁目１番１号 パ イオニア株式会社総合研究所内 (72)発明者 佐藤 英夫 埼玉県鶴ヶ島市富士見６丁目１番１号 パ イオニア株式会社総合研究所内 (72)発明者 吉澤 淳志 埼玉県鶴ヶ島市富士見６丁目１番１号 パ イオニア株式会社総合研究所内 (72)発明者 小笠原 清秀 埼玉県鶴ヶ島市富士見６丁目１番１号 パ イオニア株式会社総合研究所内 Ｆターム(参考） 3K007 AB04 AB13 BA06 BB01 CA01 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01 FA02 5C036 EE14 EE19 EF01 EF06 EF08 EG02 EG34 EH02 5C094 AA22 AA43 BA03 BA29 CA19 DA15 EA04 EA05 EA07 EB02 JA08
Claims (15)
- 【請求項１】 基板上に設けられ各々が平行に伸長する
複数の第１電極、前記第１電極上に設けられ各々が前記
第１電極に略垂直に伸長する複数の第２電極、並びに前
記第１及び第２電極の複数の交差部にそれぞれ接続され
前記基板上に配列された電子又は光を放射する複数の放
射素子、からなる放射領域と、 前記基板上の前記放射領域を囲む周囲領域と、を備えた
フラットパネル表示装置であって、 前記第１及び第２電極の第１及び第２外部中継端子群が
前記周囲領域の一部に纏めて並設されたことを特徴とす
るフラットパネル表示装置。 - 【請求項２】 前記第１外部中継端子は前記第１電極の
端部であり、前記第２外部中継端子は前記放射領域内に
おける前記第２電極の各々毎に接続されかつ前記第１外
部中継端子に沿って並設されたことを特徴とする請求項
１記載のフラットパネル表示装置。 - 【請求項３】 前記第１外部中継端子及び前記第２外部
中継端子の各々は交互に並設されたことを特徴とする請
求項１又は２記載のフラットパネル表示装置。 - 【請求項４】 前記基板が背面基板であり、前記第１電
極が下部電極であり、前記放射素子が前記下部電極上に
形成された絶縁体層及び上部電極を有する電子放出素子
であり、前記第２電極が前記上部電極に接続され、真空
空間を挾み前記背面基板の前記電子放出素子の前記上部
電極に対向する透光性の前面基板を備えたことを特徴と
する請求項１記載のフラットパネル表示装置。 - 【請求項５】 前記電子放出素子が前記下部電極と前記
絶縁体層との間に金属又は半導体からなる電子供給層を
有することを特徴とする請求項４記載のフラットパネル
表示装置。 - 【請求項６】 前記前面基板が前記真空空間側の表面に
形成されたコレクタ電極及び前記コレクタ電極上に形成
された蛍光体層を有することを特徴とする請求項４記載
のフラットパネル表示装置。 - 【請求項７】 前記前面基板が前記真空空間側の表面に
形成された蛍光体層及び前記蛍光体層上に形成されたコ
レクタ電極を有することを特徴とする請求項４記載のフ
ラットパネル表示装置。 - 【請求項８】 前記第２電極と前記絶縁体層との間及び
前記第２電極と前記背面基板との間に絶縁性保護膜を有
することを特徴とする請求項４記載のフラットパネル表
示装置。 - 【請求項９】 前記第１電極と前記第２電極との交差部
において、前記第１電極と前記第２電極との間に絶縁性
保護膜を有することを特徴とする請求項４記載のフラッ
トパネル表示装置。 - 【請求項１０】 前記放射素子が前記第１及び第２電極
間に順に成膜された少くとも１層の有機エレクトロルミ
ネッセンス媒体層を有する有機エレクトロルミネッセン
ス素子であることを特徴とする請求項１記載のフラット
パネル表示装置。 - 【請求項１１】 前記基板及び前記第１電極が透明であ
ることを特徴とする請求項１０記載のフラットパネル表
示装置。 - 【請求項１２】 前記第１電極が前記有機エレクトロル
ミネッセンス素子の各々に対応する複数の透明電極と前
記透明電極を電気的に接続する金属バスラインとからな
ることを特徴とする請求項１０記載のフラットパネル表
示装置。 - 【請求項１３】 前記第２電極が透明であることを特徴
とする請求項１０記載のフラットパネル表示装置。 - 【請求項１４】 前記放射領域は矩形であり、前記周囲
領域の一部に纏めて並設された第１及び第２外部中継端
子は前記矩形の１辺に配置されたことを特徴とする請求
項１記載のフラットパネル表示装置。 - 【請求項１５】 前記第１及び第２外部中継端子は外部
へ露出している外部端子を有することを特徴とする請求
項１〜３のいずれか１記載のフラットパネル表示装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000401724A JP2002202732A (ja) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | フラットパネル表示装置 |
| EP01130624A EP1220278A3 (en) | 2000-12-28 | 2001-12-27 | Flat panel display device |
| US10/028,994 US6787992B2 (en) | 2000-12-28 | 2001-12-28 | Display device of flat panel structure with emission devices of matrix array |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000401724A JP2002202732A (ja) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | フラットパネル表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002202732A true JP2002202732A (ja) | 2002-07-19 |
Family
ID=18866116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000401724A Pending JP2002202732A (ja) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | フラットパネル表示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6787992B2 (ja) |
| EP (1) | EP1220278A3 (ja) |
| JP (1) | JP2002202732A (ja) |
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-
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- 2001-12-27 EP EP01130624A patent/EP1220278A3/en not_active Withdrawn
- 2001-12-28 US US10/028,994 patent/US6787992B2/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
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| EP1220278A3 (en) | 2006-03-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
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