JP2006190630A - 有機電界発光素子及びその製造方法 - Google Patents
有機電界発光素子及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006190630A JP2006190630A JP2005077675A JP2005077675A JP2006190630A JP 2006190630 A JP2006190630 A JP 2006190630A JP 2005077675 A JP2005077675 A JP 2005077675A JP 2005077675 A JP2005077675 A JP 2005077675A JP 2006190630 A JP2006190630 A JP 2006190630A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tin oxide
- indium tin
- scan line
- layer
- oxide layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 82
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 75
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 75
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 233
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 51
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 22
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 16
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 15
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 14
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/88—Dummy elements, i.e. elements having non-functional features
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/179—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/70—Testing, e.g. accelerated lifetime tests
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】有機電界発光素子はインジウム錫酸化物層(ITO層)200、金属電極層202、データライン206及びスキャンライン208を含む。ITO層200と金属電極層202とが交差する発光領域204に複数のサブピクセルが形成される。データライン206は、ITO層200にそれぞれ接続される。スキャンライン208は、ITO層200間で金属電極層202と交差し、ITO層200と平行に形成され、接続領域210を除いた領域上に絶縁物質が蒸着される。スキャンライン208がITO層200間に形成されるので、従来のスキャンラインが形成されていた空間だけ、余裕がある。
【選択図】 図2
Description
図1は、従来の有機電界発光素子を示した平面図である。
図1を参照すると、従来の有機電界発光素子は、インジウム錫酸化物層(ITO層)100、金属電極層102、データライン106、第1スキャンライン108及び第2スキャンライン110を、それぞれ複数個含む。
ITO層100と金属電極層102とが交差する発光領域104には、複数のサブピクセルが形成される。
第2スキャンライン110は、金属電極層102中の残りの金属電極層にそれぞれ接続され、前記集積回路チップから伝送される第2スキャン信号を前記残りの金属電極層に伝送する。
前述のように、従来の有機電界発光素子において、スキャンライン108、110は図1に図示されるように、金属電極層102の外側に形成される。
したがって、スキャンラインが占める空間を減少できる有機電界発光素子及びその製造方法が求められるようになった。
本発明の第2の目的は、前記スキャンラインを接続するスキャンライン接続部を有する有機電界発光素子及びその製造方法を提供することにある。
本発明の第3の目的は、第1有機電界発光素子のデータライン接続部と第2有機電界発光素子のスキャンライン接続部とを、同一平面上に位置させる有機電界発光素子基板を提供することにある。
また、本発明に係る有機電界発光素子及びその製造方法は、スキャンラインがITO層間に形成されるので、前記有機電界発光素子のサイズを小さくすることができる。
さらにまた、本発明に係る有機電界発光素子基板は、第2有機電界発光素子の第2スキャンライン接続部を第1有機電界発光素子の第1データライン接続部間に配置されるので、横方向には有機電界発光素子の数を増やしながら、縦方向には前記有機電界発光素子基板の空間を最大限活用することができる。
図2は本発明の好ましい一実施形態に係る有機電界発光素子を示した平面図である。但し、図2は説明の便宜のために3(横)×4(縦)サイズの有機電界発光素子を示した。
ITO層200と金属電極層202とが交差する発光領域204に複数のサブピクセルが形成される。詳しくは、第1発光領域にはレッドサブピクセルが形成され、第2発光領域にはグリーンサブピクセルが形成され、第3発光領域にはブルーサブピクセルが形成される。ここで、前記レッドサブピクセル、グリーンサブピクセル及びブルーサブピクセルが一つのピクセルを構成する。
スキャンライン208は図2に示されるように、ITO層200間で金属電極層202と交差して形成される。即ち、スキャンライン208は、ITO層200間でITO層200と平行に形成される。
スキャンライン208の全体領域中の一部領域210(以下、“接続領域”という)を除いた領域上に絶縁物質が蒸着される。即ち、接続領域210にはスキャンライン208のみが存在し、残りの領域にはスキャンライン208上に絶縁物質が蒸着されている。
要するに、本発明の有機電界発光素子は、従来の有機電界発光素子とは違って、スキャンライン208がITO層200間に形成されるので、従来のスキャンラインが形成されていた空間だけ、空間に余裕がある。
また、本発明の有機電界発光素子は前記余裕空間だけそのサイズを減少することができるので、小型化するこができる。
先ず、基板上にITO層が全面蒸着される。
次いで、前記ITO層が全面蒸着された基板がパターニングされ、図2に示されるITO層200が前記基板上に形成される。
ITO層200にデータライン206が接続され、ITO層200間に金属電極層202と交差するスキャンライン208が形成される。
ITO層200、データライン206及びスキャンライン208が形成された基板の全面に絶縁物質が蒸着され、発光領域204及び接続領域210には絶縁物質が形成されない。
前記絶縁物質が蒸着された基板がパターニングされ、蒸着された絶縁物質が除去される。
前記発光領域204上に有機物層がそれぞれ蒸着される。
前記蒸着された有機物層を持つ基板上に金属電極層202が、ITO層200と交差するように形成される。
図3に示されるように、ITO層200間で基板300上にスキャンライン208が形成される。本発明の一実施例に係るスキャンライン208は金属層である。例えば、スキャンライン208は、モリブデン(MO)からなる。
絶縁層302がITO層200間に、図3に示されるように形成される。但し、スキャンライン208中の一つのスキャンライン上には絶縁層302が形成されないが、残りのスキャンライン上には絶縁層302が形成される。
以後、ITO層200の発光領域204上に、有機物層304がそれぞれ形成される。
金属電極層202は、有機物層304及び絶縁層302上に形成される。
図4に示されるように、スキャンライン208は、基板400上に順に積層されたITO層208A及び金属層208Bを含む。
金属層208Bが基板400に弱く結合されるので、本発明の有機電界発光素子は、基板400と結合力の強いITO層208Aを基板400上に形成し、その後、ITO層208A上に金属層208Bを形成する。
本発明の一実施例に係る金属層208Bは、モリブデン(MO)からなる。
図5を参照すると、一つの金属電極層と2つのスキャンラインが、2つの接続領域510でそれぞれ接続される。
したがって、前記集積回路チップは、2つの接続領域510中の一つの接続領域に該当するスキャンラインを介して、前記接続領域に該当する金属電極層にスキャン信号を供給することができる。
図3及び図5を参照すると、本発明の有機電界発光素子は、サイズが許容される限度内で一つの金属電極層と複数のスキャンラインを接続することができる。
図6を参照すると、本発明の有機電界発光素子はITO層600、金属電極層602、データライン606、スキャンライン608、データライン接続部612及びスキャンライン接続部614を含む。
ライン接続部612及び614を除いた別の構成要素は、図2に示された有機電界発光素子の構成要素と同一なので、以下説明を省略する。
データライン接続部612は、導電体としてデータライン606を接続させ、スキャンライン接続部614は、導電体としてスキャンライン608を接続させる。
前記有機電界発光素子の輝度検査のときに、外部検査装置は第1ピンをデータライン606中の一つのデータラインに接触させて前記データラインに所定の正の電圧を印加する。この場合、データライン606がデータライン接続部612によって接続されているので、接触されたデータラインに印加された前記正の電圧が、データライン接続部612を介して残りのデータラインに供給される。したがって、前記検査装置から印加された前記正の電圧が、データライン606を介してITO層600に供給される。
即ち、前記検査装置からITO層600に前記正の電圧が印加され、金属電極層602に前記負の電圧が印加されるので、前記ピクセルが発光する。
前記検査装置は、前記発光する光を介して前記有機電界発光素子の輝度不良を検出する。
有機電界発光素子の輝度検査後、ライン接続部612及び614は、スクライブ刃によって切断される。
先ず、基板上にITO層が全面蒸着される。
次いで、前記ITO層が全面蒸着された基板がパターニングされ、図6に示されるように、ITO層600が前記基板上に形成される。
ITO層600にデータライン606が接続され、ITO層600間に金属電極層602と交差するスキャンライン608が形成される。
データライン接続部612及びスキャンライン接続部614が、データライン606及びスキャンライン608にそれぞれ接続される。
ここで、データライン接続部612及びスキャンライン接続部614の形成は、ITOパターニング過程で共に形成され得る。
データライン606及びスキャンライン608が形成された基板の全面に、絶縁物質が蒸着され、発光領域604及び接続領域610には絶縁物質が形成されない。
発光領域604上に有機物層がそれぞれ蒸着され、前記蒸着された有機物層を持つ基板上に金属電極層602が、ITO層600と交差するように形成される。
図7を参照すると、一つの金属電極層と2つのスキャンラインが、2つの接続領域710でそれぞれ接続される。
したがって、前記集積回路チップは、2つの接続領域710中の一つの接続領域に該当するスキャンラインを介して、前記接続領域に該当する金属電極層にスキャン信号を供給することができる。
データライン接続部712は、データライン706を接続させ、スキャンライン接続部714は、スキャンライン708を接続させる。
図8を参照すると、本発明の有機電界発光素子は、ITO層800、金属電極層802、データライン806、スキャンライン808、データライン接続部812、スキャンライン接続部814、データライン電源部816及びスキャンライン電源部818を含む。
データライン電源部816及びスキャンライン電源部818を除いた別の構成要素は、図6の有機電界発光素子の構成要素と同じ機能であるので、以下、説明を省略する。
データライン電源部816は、前記印加された正の電圧をデータライン接続部812及びデータライン806を介してITO層800に供給する。
また、前記検査装置は、第2ピンをスキャンライン電源部818に接触させ、所定の負の電圧をスキャンライン電源部818に印加する。
スキャンライン電源部818は、前記印加された負の電圧をスキャンライン接続部814及びスキャンライン808を介して金属電極層802に供給する。
要するに、本発明の有機電界発光素子で、前記ピンはライン806、808に直接接触されずにライン電源部816及び818に接触されるので、ライン806及び808は前記ピンによって損傷を受けない。
図9を参照すると、本発明の有機電界発光素子基板900は複数の有機電界発光素子を含む。
図10を参照すると、前記有機電界発光素子は、第1有機電界発光素子1000及び第2有機電界発光素子1002を含む。
以下、第1有機電界発光素子1000を例に挙げて、前記有機電界発光素子等の動作を詳述し、その後、前記有機電界発光素子間の位置関係を詳述する。
第1有機電界発光素子1000は、第1ITO層1004、第1金属電極層1006、第1データライン1010、第1スキャンライン1012、第1データライン接続部1016及び第1スキャンライン接続部1018を含む。
ライン接続部1016、1018を除いた別の構成要素は、図2に示された有機電界発光素子の構成要素と同一なので、以下、説明を省略する。
また、第1データライン接続部1016は、前記第1有機電界発光素子の不良検査時、外部検査装置から印加される所定電圧を、第1データライン1010を介して第1ITO層1004に供給する。
第1スキャンライン接続部1018は、導電体として第1スキャンライン1012を接続する。
本発明の他の実施例に係る第1スキャンライン1012は、複数のスキャンライン接続部によって所定単位で接続され得る。
また、第1スキャンライン接続部1018は、前記第1有機電界発光素子の不良検査時、前記外部検査装置から印加される所定電圧を第1スキャンライン1012を介して金属電極層1006に提供する。
図10を参照すると、第1データライン1010は、3つ単位で第1データライン接続部1016に接続される。
第2スキャンライン1024は、1個の第2のスキャンライン接続部1026に接続される。
第2有機電界発光素子1002の第2スキャンライン接続部1026は、第1のデータライン接続部1016間に位置する。もちろん、第2スキャンライン接続部1026が第1データライン接続部1016間に位置せずに、最も外側のデータライン接続部の外部に位置することもある。
即ち、第2スキャンライン接続部1026は、第1データライン接続部1016と同じ平面上に位置し、第1金属電極層1006に平行に有機電界発光素子基板900上に形成される。その結果、有機電界発光素子基板900の空間が、最大限活用される。
この場合にも、前記第2スキャンライン接続部は、第1データライン接続部1016と同じ平面上に位置し、第1金属電極層1006に平行に有機電界発光素子基板900上に形成される。
要するに、本発明の有機電界発光素子基板900は第2有機電界発光素子1002の第2スキャンライン接続部1026を、第1有機電界発光素子1000の第1データライン接続部1016間に位置させるので、横方向には従来のスキャン領域ほどの空間が節約され、縦方向には有機電界発光素子基板900の空間を最大限活用することができる。
202:金属電極層
204:発光領域
206:データライン
208:スキャンライン
210:接続領域
300:基板
302:絶縁層
304:有機物層
1000:第一有機電界発光素子
1002:第2有機電界発光素子
Claims (23)
- 基板上に形成された複数のインジウム錫酸化物層、
前記基板上で前記インジウム錫酸化物層間にそれぞれ形成される複数のスキャンラインと、
前記インジウム錫酸化物層の発光領域及びスキャンラインの接続領域を除いた領域に形成される絶縁層、
前記発光領域上に形成される有機物層、及び
前記有機物層及び前記接続領域上に前記インジウム錫酸化物層と交差するように形成される金属電極層を含む有機電界発光素子。 - 前記スキャンラインは、金属を含む請求項1に記載の有機電界発光素子。
- 前記スキャンラインは、第1インジウム錫酸化物層上に形成された第2インジウム錫酸化物層及び金属層を含む請求項1に記載の有機電界発光素子。
- 前記接続領域は、前記スキャンラインにそれぞれ形成され、それぞれ一つの金属電極層に接続されている請求項1に記載の有機電界発光素子。
- 基板上に形成された複数のインジウム錫酸化物層、
前記基板上で前記インジウム錫酸化物層間にそれぞれ形成される複数のスキャンライン、
前記インジウム錫酸化物層の発光領域及びスキャンラインの接続領域を除いた領域に形成される絶縁層、
前記発光領域上に形成される有機物層、
前記有機物層及び前記接続領域上に、前記インジウム錫酸化物層と交差するように形成される金属電極層、及び
前記スキャンラインを接続するスキャンライン接続部を含む有機電界発光素子。 - 前記スキャンライン接続部は、導電体である請求項5に記載の有機電界発光素子。
- 前記スキャンライン接続部に接続され、有機電界発光素子の検査のときに、検査装置から印加される所定電圧を、前記スキャンライン接続部を介して前記スキャンラインに供給するスキャンライン電源部をさらに含む請求項5に記載の有機電界発光素子。
- 前記データラインを接続するデータライン接続部をさらに含む請求項5に記載の有機電界発光素子。
- 前記データライン接続部に接続され、有機電界発光素子の検査のときに、検査装置から印加される所定電圧を、前記データライン接続部を介して前記データラインに提供するデータライン電源部をさらに含む請求項8に記載の有機電界発光素子.
- 基板上に形成された複数のインジウム錫酸化物層、
前記基板上で前記インジウム錫酸化物層間にそれぞれ形成される複数のスキャンライン、
前記インジウム錫酸化物層間の発光領域及びスキャンラインの接続領域を除いた領域に形成される絶縁層、
前記発光領域上に形成される有機物層、
前記有機物層及び前記接続領域上に、前記インジウム錫酸化物層と交差するように形成される金属電極層、及び
前記スキャンラインを所定単位で接続する複数のスキャンライン接続部を含む有機電界発光素子。 - 前記インジウム錫酸化物層にそれぞれ接続される複数のデータライン、及び
前記データラインを所定単位で接続する複数のデータライン接続部をさらに含む請求項10に記載の有機電界発光素子。 - 前記データライン接続部及び前記スキャンライン接続部は、それぞれ金属からなっている請求項11に記載の有機電界発光素子。
- インジウム錫酸化物層と、該インジウム錫酸化物層と交差する金属電極層とを含む有機電界発光素子において、
前記インジウム錫酸化物層にそれぞれ接続される複数のデータライン、
前記データラインを所定単位で接続する複数のデータライン接続部、
前記インジウム錫酸化物層間にそれぞれ形成される複数のスキャンライン、及び
前記スキャンラインを接続するスキャンライン接続部を含む有機電界発光素子。 - 前記インジウム錫酸化物層の発光領域及びスキャンラインの接続領域を除いた領域に形成される絶縁層、及び
前記発光領域上に形成される有機物層をさらに含み、
前記金属電極層は、前記有機物層及び前記接続領域上で前記インジウム錫酸化物層と交差するように形成される請求項13に記載の有機電界発光素子。 - 前記データライン接続部及び前記スキャンライン接続部は、それぞれ金属からなっている請求項13に記載の有機電界発光素子。
- 第1インジウム錫酸化物層に結合されたデータラインを、所定単位で接続する1つ以上のデータライン接続部を含む第1有機電界発光素子、及び
第2インジウム錫酸化物層間で、前記第2インジウム錫酸化物層と平行に形成される複数のスキャンラインを、所定単位で接続する1つ以上のスキャンライン接続部を含む第2有機電界発光素子を含み、
前記データライン接続部と前記スキャンライン接続部は、同一平面上に位置する、有機電界発光素子基板。 - 前記データライン接続部及び前記スキャンライン接続部は、それぞれ導電体である請求項16に記載の有機電界発光素子基板。
- インジウム錫酸化物層を形成する段階、
前記インジウム錫酸化物層間に前記インジウム錫酸化物層と平行にスキャンラインを形成する段階、
前記インジウム錫酸化物層及びスキャンラインが形成された基板の全面に発光領域及び接続領域を除いて絶縁物質を蒸着する段階、
前記発光領域に有機物層をそれぞれ蒸着する段階、及び
前記発光領域及び接続領域上に前記インジウム錫酸化物層と交差する金属電極層を形成する段階を含む、有機電界発光素子の製造方法。 - 前記スキャンラインを形成する段階は、
前記インジウム錫酸化物層間に前記インジウム錫酸化物層と平行する金属層を形成する段階を含む請求項18に記載の有機電界発光素子の製造方法。 - 前記スキャンラインを形成する段階は、
前記インジウム錫酸化物層間に前記インジウム錫酸化物層と平行するインジウム錫酸化物層を形成する段階、及び
前記インジウム錫酸化物層間に形成されたインジウム錫酸化物層上に金属層を形成する段階を含む請求項18に記載の有機電界発光素子の製造方法。 - 前記接続領域は、前記スキャンラインにそれぞれ形成され、それぞれ一つの金属電極層に接続されている請求項18に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- インジウム錫酸化物層を形成する段階、
前記インジウム錫酸化物層間に前記インジウム錫酸化物層と平行にスキャンラインを形成する段階、
前記スキャンラインを接続するスキャンライン接続部を形成する段階、
前記インジウム錫酸化物層及びスキャンラインが形成された基板の全面に発光領域及び接続領域を除いて絶縁物質を蒸着する段階、
前記発光領域にそれぞれ有機物層を蒸着する段階、及び
前記発光領域及び接続領域上に前記インジウム錫酸化物層と交差する金属電極層を形成する段階を含む、有機電界発光素子の製造方法。 - 前記スキャンライン接続部の終端に、スキャンライン電源部を形成する段階をさらに含む請求項22に記載の有機電界発光素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2004-114290 | 2004-12-28 | ||
KR1020040114289A KR100601338B1 (ko) | 2004-12-28 | 2004-12-28 | 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법 |
KR2004-114289 | 2004-12-28 | ||
KR2004-114291 | 2004-12-28 | ||
KR1020040114290A KR100612120B1 (ko) | 2004-12-28 | 2004-12-28 | 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법 |
KR1020040114291A KR100682757B1 (ko) | 2004-12-28 | 2004-12-28 | 유기 전계 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 전계 발광소자 기판 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006190630A true JP2006190630A (ja) | 2006-07-20 |
JP5136734B2 JP5136734B2 (ja) | 2013-02-06 |
Family
ID=36084264
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005077675A Active JP5136734B2 (ja) | 2004-12-28 | 2005-03-17 | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7518307B2 (ja) |
EP (1) | EP1677358A3 (ja) |
JP (1) | JP5136734B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014174773A1 (ja) * | 2013-04-25 | 2014-10-30 | パナソニック株式会社 | パッシブマトリクス駆動型ディスプレイ及びタイリングディスプレイ |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8259095B2 (en) * | 2009-08-20 | 2012-09-04 | Global Oled Technology Llc | Optically testing chiplets in display device |
KR101113733B1 (ko) * | 2009-12-29 | 2012-02-27 | 한국항공우주연구원 | 개인용 비행체 및 개인용 비행체의 형상전환 장치 |
KR20210142024A (ko) * | 2020-05-14 | 2021-11-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62160695A (ja) * | 1986-01-07 | 1987-07-16 | 富士通株式会社 | 光源パネルの電極構造 |
JPS6383798U (ja) * | 1986-11-21 | 1988-06-01 | ||
JPH027897U (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-18 | ||
JP2001305994A (ja) * | 2000-04-25 | 2001-11-02 | Rohm Co Ltd | 画像表示装置 |
JP2002202732A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Pioneer Electronic Corp | フラットパネル表示装置 |
JP2005011810A (ja) * | 2003-06-16 | 2005-01-13 | Eastman Kodak Co | 上面発光型oledデバイスの製造方法 |
JP2005216625A (ja) * | 2004-01-28 | 2005-08-11 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機el発光素子およびその製造方法 |
JP2005266077A (ja) * | 2004-03-17 | 2005-09-29 | Denso Corp | 表示パネル及び表示パネルの配線方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04141982A (ja) * | 1990-10-01 | 1992-05-15 | Sharp Corp | 薄膜elパネルの製造方法 |
JP2000200053A (ja) * | 1999-01-07 | 2000-07-18 | Futaba Corp | 表示素子用基板の製造方法及び表示素子用基板 |
JP4608105B2 (ja) * | 1999-04-02 | 2011-01-05 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 |
JP4434411B2 (ja) * | 2000-02-16 | 2010-03-17 | 出光興産株式会社 | アクティブ駆動型有機el発光装置およびその製造方法 |
KR100455437B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2004-11-06 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유리기판의 효율이 향상된 액정표시소자 |
KR100777724B1 (ko) * | 2002-02-07 | 2007-11-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전자 발광소자와, 이의 기판 및 그 절단방법 |
JP3910864B2 (ja) * | 2002-03-04 | 2007-04-25 | ローム株式会社 | 有機el表示パネルおよびその製造方法 |
US7091657B2 (en) * | 2002-05-23 | 2006-08-15 | Kuan-Chang Peng | Organic electro-luminescent display device and method for manufacturing the same |
KR100459135B1 (ko) * | 2002-08-17 | 2004-12-03 | 엘지전자 주식회사 | 유기 el 디스플레이 패널 및 구동방법 |
KR100813833B1 (ko) * | 2002-08-23 | 2008-03-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 발광 소자와 그 제조방법 |
EP1554756B1 (en) * | 2002-09-20 | 2016-07-20 | Koninklijke Philips N.V. | A method for manufacturing an electrical device |
KR100674028B1 (ko) * | 2003-09-03 | 2007-01-25 | 엘지전자 주식회사 | 스캔 연결 전극 상에 접촉부를 갖는 유기 전계 발광 소자 |
JP4016144B2 (ja) * | 2003-09-19 | 2007-12-05 | ソニー株式会社 | 有機発光素子およびその製造方法ならびに表示装置 |
-
2005
- 2005-03-17 JP JP2005077675A patent/JP5136734B2/ja active Active
- 2005-03-18 EP EP05005957A patent/EP1677358A3/en not_active Withdrawn
- 2005-03-29 US US11/092,582 patent/US7518307B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62160695A (ja) * | 1986-01-07 | 1987-07-16 | 富士通株式会社 | 光源パネルの電極構造 |
JPS6383798U (ja) * | 1986-11-21 | 1988-06-01 | ||
JPH027897U (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-18 | ||
JP2001305994A (ja) * | 2000-04-25 | 2001-11-02 | Rohm Co Ltd | 画像表示装置 |
JP2002202732A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Pioneer Electronic Corp | フラットパネル表示装置 |
JP2005011810A (ja) * | 2003-06-16 | 2005-01-13 | Eastman Kodak Co | 上面発光型oledデバイスの製造方法 |
JP2005216625A (ja) * | 2004-01-28 | 2005-08-11 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機el発光素子およびその製造方法 |
JP2005266077A (ja) * | 2004-03-17 | 2005-09-29 | Denso Corp | 表示パネル及び表示パネルの配線方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014174773A1 (ja) * | 2013-04-25 | 2014-10-30 | パナソニック株式会社 | パッシブマトリクス駆動型ディスプレイ及びタイリングディスプレイ |
US9240438B2 (en) | 2013-04-25 | 2016-01-19 | Panasonic Corporation | Passive-matrix display and tiling display |
JP5982060B2 (ja) * | 2013-04-25 | 2016-08-31 | パナソニック株式会社 | パッシブマトリクス駆動型ディスプレイ及びタイリングディスプレイ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5136734B2 (ja) | 2013-02-06 |
US7518307B2 (en) | 2009-04-14 |
EP1677358A3 (en) | 2011-01-05 |
EP1677358A2 (en) | 2006-07-05 |
US20060138943A1 (en) | 2006-06-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI434607B (zh) | 有機發光顯示裝置及其製造方法 | |
TWI732089B (zh) | 顯示面板及其製造方法 | |
US11171124B2 (en) | Light-emitting substrate and repair method thereof | |
TWI545740B (zh) | 有機發光顯示裝置及製造其之方法 | |
KR102113616B1 (ko) | 유기발광표시장치 및 그의 제조방법 | |
KR20110039061A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
TWI679756B (zh) | 發光二極體面板及其製作方法 | |
KR102566090B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 | |
JP5136734B2 (ja) | 有機電界発光素子及びその製造方法 | |
TWI744035B (zh) | 顯示面板及其製造方法 | |
CN215008278U (zh) | 有机发光显示面板和显示装置 | |
KR100612120B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법 | |
KR102544481B1 (ko) | 유기 발광 표시 패널 및 유기 발광 표시 패널의 제조 방법 | |
KR100682757B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 전계 발광소자 기판 | |
CN100482018C (zh) | 有机电致发光设备及其制造方法 | |
KR100583060B1 (ko) | 씨오지형 유기 전계 발광 셀 및 이를 제조하는 방법 | |
JP2010085865A (ja) | アクティブマトリックス型表示装置及びアクティブマトリックス型表示装置の製造方法 | |
US7564068B2 (en) | COG-typed organic electroluminescent cell | |
KR100653366B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자의 발광 픽셀 불량 검출용 패널 | |
KR100665924B1 (ko) | 씨오지형 유기 전계 발광 셀 | |
KR100609776B1 (ko) | 씨오지형 유기 전계 발광 셀 | |
JP2017041339A (ja) | 有機el表示装置およびその製造方法 | |
KR100665925B1 (ko) | 씨오지형 유기 전계 발광 셀 | |
KR20070055738A (ko) | 서브 픽셀별로 점등 검사가 가능한 유기 전계 발광 소자용모기판 | |
KR100696574B1 (ko) | 유기 전계 발광 패널 기판 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080317 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100721 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101015 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110727 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111027 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120321 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120620 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120625 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120709 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121003 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121030 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5136734 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151122 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |