KR100583060B1 - 씨오지형 유기 전계 발광 셀 및 이를 제조하는 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 픽셀 불량 검출 후 절단부들이 레이저에 의해 절단되는 씨오지형 유기 전계 발광 셀에 관한 것이다. 상기 씨오지형 유기 전계 발광 셀은 애노드에 상응하는 인듐주석산화물층들 및 캐소드에 상응하는 금속전극층들이 교차하는 영역들에 형성되는 발광 픽셀들, 데이터 라인 패드들, 데이터 라인 연결부, 스캔 라인 패드들 및 스캔 라인 연결부를 포함한다. 상기 데이터 라인 패드들은 상기 인듐주석산화물층들에 각기 결합되며, 상기 픽셀들을 구동시키는 구동 회로를 가지는 집적회로칩과 연결시 레이저에 의해 일부분이 절단된다. 상기 데이터 라인 연결부는 상기 데이터 라인 패드들을 연결한다. 상기 스캔 라인 패드들은 상기 금속전극층들에 각기 결합되며, 상기 집적회로칩과 연결시 상기 레이저에 의해 일부분이 절단된다. 상기 스캔 라인 연결부는 상기 스캔 라인 패드들을 연결한다. 상기 씨오지형 유기 전계 발광 셀에서, 절단부들이 레이저에 의해 절단되므로, 데이터 라인 패드들과 스캔 라인 패드들 사이에 연결부들 및 라인 전극부들이 형성될 수 있다.

발광 셀, 픽셀, COG

Description

씨오지형 유기 전계 발광 셀 및 이를 제조하는 방법{CHIP ON GLASS TYPED ORGANIC ELECTROLUMINESCENT CELL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}

도 1a는 종래의 유기 전계 발광 셀들을 가지는 기판을 도시한 평면도이다.

도 1b는 도 1a의 A 부분을 확대하여 도시한 평면도이다.

도 2a는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 씨오지형 유기 전계 발광 셀들을 포함하는 기판을 도시한 평면도이다.

도 2b는 도 2a의 B 부분을 확대하여 도시한 평면도이다.

도 2c는 도 2b의 셀부를 개략적으로 도시한 평면도이다.

도 3은 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 유기 전계 발광 셀을 도시한 평면도이다.

본 발명은 씨오지형 유기 전계 발광 셀 및 이를 제조하는 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 픽셀 불량 검출시 패드들의 손상을 방지하고 상기 픽셀 불량 검출 후 절단부들이 레이저에 의해 절단되는 씨오지형 유기 전계 발광 셀 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.

유기 전계 발광 셀은 소정 파장의 빛을 발생시키는 셀을 의미한다. 상기 유기 전계 발광 셀은 씨오에프형 유기 전계 발광 셀(Chip On Film typed Organic Electroluminescent cell, COF typed Organic Electroluminescent cell)과 씨오지형 유기 전계 발광 셀(Chip On Glass typed Organic Electroluminescent cell, COG typed Organic Electroluminescent cell)을 포함한다.

상기 씨오에프형 유기 전계 발광 셀에서, 상기 셀을 구동시키는 구동 회로를 가지는 집적회로칩(Intergrated Circuit chip)이 상기 셀의 외부에서 상기 셀의 패드들과 연결된다. 반면에, 상기 씨오지형 유기 전계 발광 셀에서, 상기 집적회로칩이 상기 셀 상에서 상기 셀의 패드들과 연결된다. 그러므로, 상기 씨오에프형 유기 전계 발광 셀은 상기 씨오지형 유기 전계 발광 셀보다 부피가 크고 제작을 위한 비용이 많이 소요되며, 그래서 씨오지형 유기 전계 발광 셀의 구현이 요구된다. 그러나, 씨오에프형 유기 전계 발광 셀은 이하의 문제로 인하여 개선이 요구되었다. 이에 대한 자세한 설명은 이하 첨부된 도면을 참조하여 상술하겠다.

도 1a는 종래의 유기 전계 발광 셀들을 가지는 기판을 도시한 평면도이다.

도 1a를 참조하면, 상기 기판은 복수의 유기 전계 발광 셀들을 포함하고, 상기 각 유기 전계 발광 셀들은 인듐주석산화물층들, 금속전극층들, 데이터 라인 패드들 및 스캔 라인 패드들을 포함한다. 이에 대한 자세한 설명은 이하 첨부된 도면을 참조하여 상술하겠다.

도 1b는 도 1a의 A 부분을 확대하여 도시한 평면도이다.

도 1b를 참조하면, 상기 유기 전계 발광 셀은 셀부(10), 데이터 라인 패드들(30), 제 1 스캔 라인 패드들(50) 및 제 2 스캔 라인 패드들(70)을 포함한다.

셀부(10)는 복수의 인듐주석산화물층들 및 금속전극층들을 포함하고, 상기 인듐주석산화물층들 및 금속전극층들이 교차하는 영역에 복수의 픽셀들을 가진다.

데이터 라인 패드들(30)은 상기 인듐주석산화물층들에 각기 결합되고, 픽셀 불량 검출시 불량 검출 장치의 소정 핀들을 통하여 인가된 소정의 전압을 상기 인듐주석산화물층들에 제공한다.

제 1 스캔 라인 패드들(50)은 상기 금속전극층들 중 일부 금속전극층들에 각기 결합되고, 상기 불량 검출 장치의 소정 핀들을 통하여 인가된 소정의 전압을 상기 일부 금속전극층들에 제공한다.

제 2 스캔 라인 패드들(70)은 상기 금속전극층들 중 나머지 금속전극층들에 각기 결합되고, 상기 불량 검출 장치의 소정 핀들을 통하여 인가된 소정의 전압을 상기 나머지 금속전극층들에 제공한다.

이하 씨오에프형 유기 전계 발광 셀과 씨오지형 유기 전계 발광 셀을 비교하겠다.

픽셀 불량 검출시, 씨오에프형 유기 전계 발광 셀에서는 패드들을 연결하는 연결부들을 이용함에 의해 픽셀들의 불량이 검출되었다. 이어서, 상기 집적회로칩과 상기 패드들을 연결하기 위하여 상기 패드들의 종단부들을 스크라이빙 칼날을 이용하여 절단하였다. 이는 씨오에프형 유기 전계 발광 셀에서 상기 연결부들이 상 기 셀의 외부에 형성되기 때문에 가능하였다.

반면에, 씨오지형 유기 전계 발광 셀에서는 픽셀 불량 검출을 위하여 패드들을 연결하는 연결부들을 상기 셀 위에 형성할 수 없었다. 왜냐하면, 상기 패드들을 연결하는 연결부들을 형성하여 픽셀 불량을 검출하는 경우, 픽셀 불량 검출 후 상기 집적회로칩과 상기 패드들을 연결시키기 위하여 상기 패드들의 종단부들이 스크라이빙 칼날을 이용함에 의해 절단되어야 한다. 그러나, 상기 스크라이빙 칼날을 이용한 스크라이빙 공정의 경우, 상기 기판을 가로 전체/세로 전체로 해서 절단해야 하므로, 씨오지형 유기 전계 발광 셀의 구조적 특성상 절단할 수 없었다. 왜냐하면, 상기 씨오지형 유기 전계 발광 셀에서 상기 패드들의 종단부들이 절단될 경우, 스캔 라인들도 함께 절단되기 때문이다. 그 결과, 상기 연결부들이 데이터 라인 패드들(30)과 스캔 라인 패드들(50 및 70) 사이에 형성될 수 없었다. 그러므로, 상기 연결부들을 상기 데이터 라인 패드들과 상기 스캔 라인 패드들 사이에 형성하기 위해서는, 상기 패드들의 종단부들이 새로운 방법에 의해 절단되어야 하고, 이에 상응하는 구성 요소를 가지는 씨오지형 유기 전계 발광 셀이 요구된다.

본 발명의 제 1 목적은 데이터 라인 패드들과 스캔 라인 패드들 사이에 연결부를 형성할 수 있는 씨오지형 유기 전계 발광 셀 및 이를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 제 2 목적은 집적회로칩과 연결시 레이저에 의해 패드들과 연결부들 사이의 연결이 절단되는 씨오지형 유기 전계 발광 셀 및 이를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 씨오지형 유기 전계 발광 셀은 애노드에 상응하는 인듐주석산화물층들 및 캐소드에 상응하는 금속전극층들이 교차하는 영역들에 형성되는 발광 픽셀들, 데이터 라인 패드들, 데이터 라인 연결부, 스캔 라인 패드들 및 스캔 라인 연결부를 포함한다. 상기 데이터 라인 패드들은 상기 인듐주석산화물층들에 각기 결합되며, 상기 픽셀들을 구동시키는 구동 회로를 가지는 집적회로칩과 연결시 레이저에 의해 일부분이 절단된다. 상기 데이터 라인 연결부는 상기 데이터 라인 패드들을 연결한다. 상기 스캔 라인 패드들은 상기 금속전극층들에 각기 결합되며, 상기 집적회로칩과 연결시 상기 레이저에 의해 일부분이 절단된다. 상기 스캔 라인 연결부는 상기 스캔 라인 패드들을 연결한다.

본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 씨오지형 유기 전계 발광 셀 제조 방법에 있어서, 상기 유기 전계 발광 셀은 애노드에 상응하는 인듐주석산화물층들 및 캐소드에 상응하는 금속전극층들이 교차하는 영역들에 형성되는 발광 픽셀들, 상기 인듐주석산화물층들에 각기 결합된 데이터 라인 패드들 및 상기 금속전극층들에 각기 결합된 복수의 스캔 라인 패드들을 포함하고, 상기 유기 전계 발광 셀은 상기 데이터 라인 패드들을 연결하는 데이터 라인 연결부를 상기 데이터 라인 패드들에 결합되도록 형성하는 단계, 상기 스캔 라인 패드들을 연결하는 스캔 라인 연결부를 상기 스캔 라인 패드들에 결합되도록 형성하는 단계 및 상기 데이터 라인 패드들 및 스캔 라인 패드들의 일부분을 레이저를 이용하여 절단하는 단계에 의해 제조된다.

본 발명에 따른 씨오지형 유기 전계 발광 셀 및 이를 제조하는 방법에서, 절단부들이 레이저에 의해 절단되므로, 데이터 라인 패드들과 스캔 라인 패드들 사이에 연결부들 및 라인 전극부들이 형성될 수 있다.

아울러, 본 발명에 따른 씨오지형 유기 전계 발광 셀 및 이를 제조하는 방법에서, 픽셀 불량 검출시 불량 검출 장치의 핀들이 패드들이 아닌 전극부들 상에 접촉되므로, 상기 패드들의 손상이 방지된다.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 씨오지형 유기 전계 발광 셀 및 이를 제조하는 방법의 바람직한 실시예들을 자세히 설명하도록 한다.

도 2a는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 씨오지형 유기 전계 발광 셀들을 포함하는 기판을 도시한 평면도이다.

도 2a를 참조하면, 상기 기판은 복수의 셀들을 포함하고, 상기 각 셀들은 셀부, 데이터 라인 패드들, 데이터 라인 연결부, 데이터 라인 전극부, 제 1 스캔 라인 패드들, 제 1 스캔 라인 연결부, 제 1 스캔 라인 전극부, 제 2 스캔 라인 패드들, 제 2 스캔 라인 연결부 및 제 2 스캔 라인 전극부를 포함한다. 이에 대한 자세한 설명은 이하 첨부된 도면을 참조하여 상술하겠다.

도 2b는 도 2a의 B 부분을 확대하여 도시한 평면도이다.

도 2b를 참조하면, 본 발명의 유기 전계 발광 셀은 셀부(110), 데이터 라인 패드들(130), 데이터 라인 연결부(150), 데이터 라인 전극부(170), 제 1 스캔 라인 패드들(190), 제 1 스캔 라인 연결부(210), 제 1 스캔 라인 전극부(230), 제 2 스캔 라인 패드들(250), 제 2 스캔 라인 연결부(270) 및 제 2 스캔 라인 전극부(290)를 포함한다.

셀부(110)는 인듐주석산화물층들(Indium Tin Oxide Films, 이하 "ITO층들"이라 함)과 금속전극층들이 교차하는 영역에 형성되는 픽셀들을 포함한다.

상기 각 픽셀들은 순차적으로 적층된 상기 ITO층, 유기물층 및 상기 금속전극층을 포함하고, 상기 ITO층에 양의 전압이 인가되고 상기 금속전극층에 음의 전압이 인가된 경우 소정 파장의 빛을 발생시킨다.

상기 유기물층은 정공 주입층(Hole Injection Layer, HIL), 정송 수송층(Hole Transporting Layer, HTL), 발광층(Emitting Layer, ETL), 전자 수송층(Electron Transporting Layer, ETL) 및 전자 주입층(Electron Injection Layer, EIL)을 포함한다. 또는, 상기 유기물층은 상기 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층만을 포함한다.

데이터 라인 패드들(130)은 데이터 라인 집적회로부들(130a) 및 데이터 라인 절단부들(130b)을 포함한다.

데이터 라인 집적회로부들(130a)은 상기 ITO층들에 결합되고, 픽셀 불량 검출시 외부의 불량 검출 장치로부터 데이터 라인 전극부(170), 데이터 라인 연결부(150) 및 데이터 라인 절단부들(130b)을 통하여 인가된 소정의 전압을 상기 ITO층들에 제공한다. 그 결과, 상기 전압이 양의 전압인 경우, 상기 ITO층들은 정공들을 상기 유기물층에 제공한다. 또한, 데이터 라인 집적회로부들(130a)은 구동 회로를 가지는 집적회로칩(Intergrated Circuit Chip)과 연결된다. 다만, 본 발명의 유기 전계 발광 셀이 씨오지형 유기 전계 발광 셀(Chip On Glass typed Organic Electroluminescent cell, COG typed Organic Electroluminescnet cell)이므로, 상기 집적회로칩이 씨오에프형 유기 전계 발광 셀(Chip On Film typed Organic Electroluminescent cell, COF typed Organic Electroluminescent cell)과 달리 상기 유기 전계 발광 셀 위에서 데이터 라인 접적회로부들(130a)과 연결된다.

데이터 라인 절단부들(130b)은 데이터 라인 집적회로부들(130a)과 데이터 라인 연결부(150) 사이에 결합되며, 픽셀 불량 검출 후 레이저에 의해 절단된다. 또한, 데이터 라인 절단부들(130b)은 상기 불량 검출 장치로부터 데이터 라인 전극부(170) 및 데이터 라인 연결부(150)를 통하여 인가된 전압을 데이터 라인 집적회로부들(130a)에 제공한다. 그러므로, 데이터 라인 절단부들(130b)은 도전체이며, 바람직하게는 레이저에 의해 절단이 잘 되는 물질로 이루어진다. 예를 들어, 데이터 라인 절단부들(130b)은 크롬(Cr), 알루미늄(Al) 또는 몰리브덴(Mo) 등과 같은 금속 또는 인듐주석산화물층으로 형성된다.

데이터 라인 연결부(150)는 데이터 라인 패드들(130)을 연결하고, 도전체로서 단락(short)되어 있다. 그러므로, 데이터 라인 연결부(150)는 상기 불량 검출 장치로부터 데이터 라인 전극부(170)를 통하여 인가된 전압을 데이터 라인 패드들(130)에 동일하게 제공한다.

데이터 라인 전극부(170)는 픽셀 불량 검출시 그 위에 상기 불량 검출 장치 의 소정 핀이 접촉되어 소정의 전압이 인가되고, 상기 인가된 전압을 데이터 라인 연결부(150) 및 데이터 라인 패드들(130)을 통하여 상기 ITO층들에 제공한다. 그러므로, 데이터 라인 전극부(170)는 도전체로서, 예를 들어 금속이다.

제 1 스캔 라인 패드들(190)은 제 1 스캔 라인 집적회로부들(190a) 및 제 1 스캔 라인 절단부들(190b)을 포함한다.

제 1 스캔 라인 집적회로부들(190a)은 상기 금속전극층들 중 일부 금속전극층들에 결합되고, 픽셀 불량 검출시 상기 불량 검출 장치로부터 제 1 스캔 라인 전극부(230), 제 1 스캔 라인 연결부(210) 및 제 1 스캔 라인 절단부들(190b)을 통하여 인가된 소정의 전압을 상기 일부 금속전극층들에 제공한다. 그 결과, 상기 전압이 음의 전압인 경우, 상기 일부 금속전극층들은 전자들을 상기 유기물층에 제공한다. 또한, 제 1 스캔 라인 집적회로부들(190a)은 구동 회로를 가지는 집적회로칩과 연결된다.

제 1 스캔 라인 절단부들(190b)은 제 1 스캔 라인 집적회로부들(190a)과 제 1 스캔 라인 연결부(210) 사이에 결합되며, 픽셀 불량 검출 후 레이저에 의해 절단된다. 또한, 제 1 스캔 라인 절단부들(190b)은 상기 불량 검출 장치로부터 제 1 스캔 라인 전극부(230)를 통하여 인가된 전압을 제 1 스캔 라인 집적회로부들(190a)에 제공한다. 그러므로, 제 1 스캔 라인 절단부들(190b)은 도전체이고, 바람직하게는 레이저에 의해 절단이 잘 되는 물질로 이루어진다. 예를 들어, 제 1 스캔 라인 절단부들(190b)은 예를 들어, 크롬(Cr), 알루미늄(Al) 또는 몰리브덴(Mo) 등과 같은 금속 또는 인듐주석산화물층으로 형성된다.

제 1 스캔 라인 연결부(210)는 제 1 스캔 라인 패드들(190)을 연결하고, 도전체로서 단락되어 있다. 그러므로, 제 1 스캔 라인 연결부(210)는 상기 불량 검출 장치로부터 제 1 스캔 라인 전극부(230)를 통하여 인가된 전압을 제 1 스캔 라인 패드들(190)에 동일하게 제공한다.

제 1 스캔 라인 전극부(230)는 픽셀 불량 검출시 그 위에 상기 불량 검출 장치의 소정 핀이 접촉되어 소정의 전압이 인가되고, 상기 인가된 전압을 제 1 스캔 라인 연결부(210) 및 제 1 스캔 라인 패드들(190)을 통하여 상기 일부 금속전극층들에 제공한다. 그러므로, 제 1 스캔 라인 전극부(230)는 도전체로서, 예를 들어 금속이다.

제 2 스캔 라인 패드들(250)은 제 2 스캔 라인 집적회로부들(250a) 및 제 2 스캔 라인 절단부들(250b)을 포함한다.

제 2 스캔 라인 집적회로부들(250a)은 상기 금속전극층들 중 나머지 금속전극층들에 결합된다. 예를 들어, 제 1 스캔 라인 패드들(190)이 상기 금속전극층들 중 홀수번째 금속전극층들에 결합되는 경우, 제 2 스캔 라인 집적회로부들(250a)은 상기 금속전극층들 중 짝수번째 금속전극층들에 결합된다. 또한, 제 2 스캔 라인 집적회로부들(250a)은 픽셀 불량 검출시 상기 불량 검출 장치로부터 제 2 스캔 라인 전극부(290), 제 2 스캔 라인 연결부(270) 및 제 2 스캔 라인 절단부들(250b)을 통하여 인가된 소정의 전압을 상기 나머지 금속전극층들에 제공한다. 그 결과, 상기 전압이 음의 전압인 경우, 상기 나머지 금속전극층들은 전자들을 상기 유기물층에 제공한다. 게다가, 제 2 스캔 라인 집적회로부들(250a)은 구동 회로를 가지는 집적회로칩과 연결된다.

제 2 스캔 라인 절단부들(250b)은 제 2 스캔 라인 집적회로부들(250a)과 제 2 스캔 라인 연결부(270) 사이에 결합되며, 픽셀 불량 검출 후 레이저에 의해 각기 절단된다. 또한, 제 2 스캔 라인 절단부들(250b)은 상기 불량 검출 장치로부터 제 2 스캔 라인 전극부(290)를 통하여 인가된 전압을 제 2 스캔 라인 집적회로부들(250a)에 제공한다. 그러므로, 제 2 스캔 라인 절단부들(250b)은 도전체이고, 바람직하게는 레이저에 의해 절단이 잘 되는 물질로 이루어진다. 예를 들어, 제 2 스캔 라인 절단부들(250b)은 크롬(Cr), 알루미늄(Al) 또는 몰리브덴(Mo) 등과 같은 금속 또는 인듐주석산화물층으로 형성된다.

제 2 스캔 라인 연결부(270)는 제 2 스캔 라인 패드들(250)을 연결하고, 도전체로서 단락되어 있다. 그러므로, 제 2 스캔 라인 연결부(270)는 상기 불량 검출 장치로부터 제 2 스캔 라인 전극부(290)를 통하여 인가된 전압을 제 2 스캔 라인 패드들(250)에 동일하게 제공한다.

제 2 스캔 라인 전극부(290)는 픽셀 불량 검출시 그 위에 상기 불량 검출 장치의 소정 핀이 접촉되어 소정의 전압이 인가되고, 상기 인가된 전압을 제 2 스캔 라인 연결부(270) 및 제 2 스캔 라인 패드들(250)을 통하여 상기 금속전극층들에 제공한다. 그러므로, 제 2 스캔 라인 전극부(290)는 도전체로서, 예를 들어 금속이다.

본 발명의 절단부들(130b, 190b 및 250b)이 픽셀 불량 검출 후 레이저에 의하여 각기 절단되므로, 본 발명의 유기 전계 발광 셀은 종래 기술과 달리 데이터 라인 패드들(130)과 스캔 라인 패드들(190 및 250) 사이에 연결부들(150, 210 및 270)과 라인 전극부들(170, 230 및 290)을 형성할 수 있다.

또한, 본 발명의 유기 전계 발광 셀은 픽셀 불량 검출시 종래 기술과 달리 상기 불량 검출 장치의 핀들이 라인 전극부들(170, 230 및 290)에 각기 접촉된다. 그 결과, 패드들(130, 190 및 250)의 손상이 방지되고, 상기 불량 검출 장치로부터 인가된 전압들이 패드들(130, 190 및 250)에 동일하게 제공된다. 물론, 상기 불량 검출 장치의 핀들이 전극부들(170, 230 및 290)에 접촉되지 않고 라인 연결부들(150, 210 및 270)에 접촉될 수도 있다.

도 2c는 도 2b의 셀부를 개략적으로 도시한 평면도이다.

도 2c를 참조하면, 셀부(110)는 ITO층들(300) 및 금속전극층들(320)을 포함한다.

ITO층들(300)과 금속전극층들(320)은 서로 교차하며, 상기 교차하는 영역에 픽셀들이 형성된다.

이하에서는 픽셀 불량 검출 과정에 대하여 상술하겠다.

우선, 상기 셀의 점등 검사 과정을 상술하겠다.

데이터 라인 패드들(130)에 소정의 양의 전압이 인가되고, 제 1 스캔 라인 패드들(190)에 소정의 음의 전압이 인가되며, 제 2 스캔 라인 패드들(250)에 상기 음의 전압이 인가된다. 이어서, 데이터 라인 패드들(130)은 상기 인가된 양의 전압을 ITO층들(300)에 제공하고, 제 1 스캔 라인 패드들(190)은 상기 인가된 음의 전압을 도 2c에 도시된 바와 같이 홀수번째 금속전극층들에 제공하며, 제 2 스캔 라 인 패드들(250)은 상기 인가된 음의 전압을 짝수번째 금속전극층들에 제공한다. 그 결과, ITO층들(300)과 금속전극층들(320)이 교차하는 영역에 형성된 픽셀들이 점등된다. 상기 불량 검출 장치는 상기 점등된 픽셀들을 통하여 상기 픽셀들의 점등 불량 여부를 검출한다. 특히, 데이터 라인 연결부(150)를 통하여 데이터 라인 패드들(130)에 동일한 양의 전압이 인가되고 제 1 및 2 스캔 라인 연결부(210 및 270)를 통하여 제 1 및 2 스캔 라인 패드들(190 및 250)에 동일한 음의 전압이 인가되므로, 상기 불량 검출 장치는 상기 픽셀들의 점등 불량을 정확하게 검출할 수 있다.

다음으로, 누설 전류(leakage current) 검출 과정을 상술하겠다.

데이터 라인 패드들(130)에 소정의 음의 전압이 인가되고, 제 1 및 2 스캔 라인 패드들(190 및 250)에 소정의 양의 전압이 인가된다. 이어서, 데이터 라인 패드들(130)은 상기 인가된 음의 전압을 ITO층들(300)에 제공하고, 제 1 및 2 스캔 라인 패드들(190 및 250)은 상기 인가된 양의 전압을 각기 홀수번째 금속전극층들 및 짝수번째 금속전극층들에 제공한다. 이 경우, 상기 픽셀들이 불량하지 않으면, 상기 픽셀들에 역방향 전압이 인가되므로 상기 픽셀들을 통하여 상기 누설 전류가 흐르지 않는다. 다만, 실제적으로는 미세한 전류가 흐른다. 반면에, 상기 픽셀들이 불량한 경우, 예를 들어 상기 픽셀들 중 일부 픽셀이 단락된 경우, 상기 불량을 가진 픽셀들을 통하여 누설 전류가 흐른다. 이어서, 상기 불량 검출 장치는 상기 누설 전류를 측정하여 상기 픽셀들에 불량이 발생되었다고 판단한다.

도 3은 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 유기 전계 발광 셀을 도시한 평면도이다.

도 3을 참조하면, 본 발명의 유기 전계 발광 셀은 셀부(400), 데이터 라인 패드들(420), 데이터 라인 연결부(440), 데이터 라인 전극부(460), 스캔 라인 패드들(480), 스캔 라인 연결부(500) 및 스캔 라인 전극부(520)를 포함한다.

셀부(400)는 복수의 ITO층들과 복수의 금속전극층들을 포함하고, 상기 ITO층들과 상기 금속전극층들이 교차하는 영역에 형성되는 복수의 픽셀들을 가진다.

데이터 라인 패드들(420)은 데이터 라인 집적회로부들(420a) 및 데이터 라인 절단부들(420b)을 포함한다.

데이터 라인 집적회로부들(420a)은 상기 ITO층들에 결합되고, 픽셀 불량 검출시 외부의 불량 검출 장치로부터 데이터 라인 전극부(460), 데이터 라인 연결부(440) 및 데이터 라인 절단부들(420b)을 통하여 인가된 소정의 전압을 상기 ITO층들에 제공한다. 그 결과, 상기 전압이 양의 전압인 경우, 상기 ITO층들은 정공들을 상기 유기물층에 제공한다. 또한, 데이터 라인 집적회로부들(420a)은 구동 회로를 가지는 집적회로칩과 연결된다.

데이터 라인 절단부들(420b)은 데이터 라인 집적회로부들(420a)과 데이터 라인 연결부(440) 사이에 결합되며, 픽셀 불량 검출 후 레이저에 의해 각기 절단된다. 또한, 데이터 라인 절단부들(420b)은 상기 불량 검출 장치로부터 데이터 라인 전극부(460) 및 데이터 라인 연결부(440)를 통하여 인가된 전압을 데이터 라인 집적회로부들(420a)에 제공한다. 그러므로, 데이터 라인 절단부들(420b)은 도전체이고, 바람직하게는 레이저에 의해 절단이 잘 되는 물질로 이루어진다. 예를 들어, 데이터 라인 절단부들(420b)은 크롬(Cr), 알루미늄(Al) 또는 몰리브덴(Mo) 등과 같 은 금속 또는 인듐주석산화물층으로 형성된다.

데이터 라인 연결부(440)는 데이터 라인 패드들(420)을 연결하고, 도전체로서 단락되어 있다. 그러므로, 데이터 라인 연결부(440)는 상기 불량 검출 장치로부터 데이터 라인 전극부(460)를 통하여 인가된 전압을 데이터 라인 패드들(420)에 동일하게 제공한다.

데이터 라인 전극부(460)는 픽셀 불량 검출시 그 위에 상기 불량 검출 장치의 소정 핀이 접촉되어 소정의 전압이 인가되고, 상기 인가된 전압을 데이터 라인 연결부(440) 및 데이터 라인 패드들(420)을 통하여 상기 ITO층들에 제공한다. 그러므로, 데이터 라인 전극부(460)는 도전체로서, 예를 들어 금속이다.

스캔 라인 패드들(480)은 스캔 라인 집적회로부들(480a) 및 스캔 라인 절단부들(480b)을 포함한다.

스캔 라인 집적회로부들(480a)은 상기 금속전극층들에 결합되고, 픽셀 불량 검출시 상기 불량 검출 장치로부터 스캔 라인 전극부(520), 스캔 라인 연결부(500) 및 스캔 라인 절단부들(480b)을 통하여 인가된 소정의 전압을 상기 금속전극층들에 제공한다. 그 결과, 상기 전압이 음의 전압인 경우, 상기 금속전극층들은 전자들을 상기 유기물층에 제공한다. 또한, 스캔 라인 집적회로부들(480a)은 구동 회로를 가지는 집적회로칩과 연결된다.

스캔 라인 절단부들(480b)은 스캔 라인 집적회로부들(480a)과 스캔 라인 연결부(500) 사이에 결합되며, 픽셀 불량 검출 후 레이저에 의해 각기 절단된다. 또한, 스캔 라인 절단부들(480b)은 상기 불량 검출 장치로부터 스캔 라인 전극부 (520) 및 스캔 라인 연결부(500)를 통하여 인가된 전압을 스캔 라인 집적회로부들(480a)에 제공한다. 그러므로, 스캔 라인 절단부들(480b)은 도전체이고, 바람직하게는 레이저에 의해 절단이 잘 되는 물질로 이루어진다. 예를 들어, 스캔 라인 절단부들(480b)은 크롬(Cr), 알루미늄(Al) 또는 몰리브덴(Mo) 등과 같은 금속 또는 인듐주석산화물층으로 형성된다.

스캔 라인 연결부(500)는 스캔 라인 패드들(480)을 연결하고, 도전체로서 단락되어 있다. 그러므로, 스캔 라인 연결부(500)는 상기 불량 검출 장치로부터 스캔 라인 전극부(520)를 통하여 인가된 전압을 스캔 라인 패드들(480)에 동일하게 제공한다.

스캔 라인 전극부(520)는 픽셀 불량 검출시 그 위에 상기 불량 검출 장치의 소정 핀이 접촉되어 소정의 전압이 인가되고, 상기 인가된 전압을 스캔 라인 연결부(500) 및 스캔 라인 패드들(480)을 통하여 상기 금속전극층들에 제공한다. 그러므로, 스캔 라인 전극부(520)는 도전체로서, 예를 들어 금속이다.

상기한 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이고, 본 발명에 대한 통상의 지식을 가지는 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 하기의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 씨오지형 유기 전계 발광 셀 및 이를 제조하는 방법에서, 절단부들이 레이저에 의해 절단되므로, 데이터 라인 패드들과 스캔 라인 패드들 사이에 연결부들 및 라인 전극부들이 형성될 수 있는 장점이 있다.

아울러, 본 발명에 따른 씨오지형 유기 전계 발광 셀 및 이를 제조하는 방법에서, 픽셀 불량 검출시 불량 검출 장치의 핀들이 패드들이 아닌 전극부들 상에 접촉되므로, 상기 패드들의 손상이 방지되는 장점이 있다.

Claims (7)

1. 애노드에 상응하는 인듐주석산화물층들 및 캐소드에 상응하는 금속전극층들이 교차하는 영역들에 형성되는 발광 픽셀들을 포함하는 씨오지형 유기 전계 발광 셀에 있어서,

   상기 인듐주석산화물층들에 각기 결합되며, 상기 픽셀들을 구동시키는 구동 회로를 가지는 집적회로칩과 연결시 레이저에 의해 일부분이 절단되는 복수의 데이터 라인 패드들;

   상기 데이터 라인 패드들을 연결하는 데이터 라인 연결부;

   상기 금속전극층들에 각기 결합되며, 상기 집적회로칩과 연결시 상기 레이저에 의해 일부분이 절단되는 복수의 스캔 라인 패드들; 및

   상기 스캔 라인 패드들을 연결하는 스캔 라인 연결부를 포함하는 것을 특징으로 하는 씨오지형 유기 전계 발광 셀.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 데이터 라인 연결부에 결합되고, 픽셀 불량 검출시 불량 검출 장치의 소정 핀이 접촉되어 소정의 전압이 인가되는 데이터 라인 전극부; 및

   상기 스캔 라인 연결부에 결합되고, 상기 불량 검출 장치의 소정 핀이 접촉되어 소정의 전압이 인가되는 스캔 라인 전극부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 씨오지형 유기 전계 발광 셀.
3. 제 1 항에 있어서, 상기 각 데이터 라인 패드들은,

   상기 인듐주석산화물층들에 각기 결합되고, 상기 집적회로칩과 연결되는 복수의 데이터 라인 집적회로부들; 및

   상기 데이터 라인 집적회로부들과 상기 데이터 라인 연결부 사이에 각기 연결되며, 상기 레이저에 의해서 절단되는 복수의 데이터 라인 절단부들을 포함하고,

   상기 각 스캔 라인 패드들은,

   상기 금속전극층들에 결합되고, 상기 집적회로칩과 연결되는 복수의 스캔 라인 집적회로부들; 및

   상기 스캔 라인 집적회로부들과 상기 스캔 라인 연결부 사이에 각기 연결되며, 상기 레이저에 의해 절단되는 복수의 스캔 라인 절단부들을 포함하는 것을 특징으로 하는 씨오지형 유기 전계 발광 셀.
4. 제 1 항에 있어서, 상기 스캔 라인 패드들은,

   상기 금속전극층들 중 일부에 결합된 제 1 스캔 라인 패드들; 및

   상기 금속전극층들 중 나머지에 결합된 제 2 스캔 라인 패드들을 포함하고,

   상기 스캔 라인 연결부는,

   상기 제 1 스캔 라인 패드들을 연결하는 제 1 스캔 라인 연결부; 및

   상기 제 2 스캔 라인 패드들을 연결하는 제 2 스캔 라인 연결부를 포함하는 것을 특징으로 하는 씨오지형 유기 전계 발광 셀.
5. 애노드에 상응하는 인듐주석산화물층들 및 캐소드에 상응하는 금속전극층들이 교차하는 영역들에 형성되는 발광 픽셀들, 상기 인듐주석산화물층들에 각기 결합된 데이터 라인 패드들 및 상기 금속전극층들에 각기 결합된 복수의 스캔 라인 패드들을 포함하는 씨오지형 유기 전계 발광 셀에 있어서,

   상기 데이터 라인 패드들을 연결하는 데이터 라인 연결부를 상기 데이터 라인 패드들에 결합되도록 형성하는 단계;

   상기 스캔 라인 패드들을 연결하는 스캔 라인 연결부를 상기 스캔 라인 패드들에 결합되도록 형성하는 단계; 및

   상기 데이터 라인 패드들 및 스캔 라인 패드들의 일부분을 레이저를 이용하여 절단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 씨오지형 유기 전계 발광 셀을 제조하는 방법.
6. 제 5 항에 있어서, 상기 데이터 라인 패드들 및 스캔 라인 패드들은 레이저에 의해 각기 절단되는 것을 특징으로 하는 씨오지형 유기 전계 발광 셀을 제조하는 방법.
7. 제 5 항에 있어서, 픽셀 불량 검출시 불량 검출 장치로부터 제공되는 소정의 전압을 상기 데이터 라인 연결부를 통하여 상기 데이터 라인 패드들에 제공하기 위하여 상기 데이터 라인 연결부에 결합되도록 데이터 라인 전극부를 형성하는 단계; 및

   상기 불량 검출 장치로부터 제공되는 소정의 전압을 상기 스캔 라인 연결부를 통하여 상기 스캔 라인 패드들에 제공하기 위하여 상기 스캔 라인 연결부에 결합되도록 스캔 라인 전극부를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 씨오지형 유기 전계 발광 셀을 제조하는 방법.

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