KR100665924B1 - 씨오지형 유기 전계 발광 셀 - Google Patents

씨오지형 유기 전계 발광 셀 Download PDF

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Abstract

본 발명은 픽셀 불량 검출을 위한 더미 데이터 라인들을 데이터 라인 패드들과 다른 위치에 형성하는 씨오지형 유기 전계 발광 셀에 관한 것이다. 상기 유기 전계 발광 셀은 인듐주석산화물층들, 금속전극층들, 데이터 라인 패드들, 더미 데이터 라인들, 더미 데이터 라인 연결부, 제 1 스캔 라인 패드들 및 제 2 스캔 라인 패드들을 포함한다. 상기 데이터 라인 패드들은 상기 인듐주석산화물층들의 일단에 각기 결합되며, 상기 더미 데이터 라인들은 상기 인듐주석산화물층들의 타단에 각기 결합된다. 상기 더미 데이터 라인 연결부는 상기 더미 데이터 라인들을 연결한다. 상기 제 1 스캔 라인 패드들은 상기 금속전극층들 중 일부에 각기 결합되고, 상기 제 2 스캔 라인 패드들은 상기 금속전극층들 중 나머지에 각기 결합된다. 상기 씨오지형 유기 전계 발광 셀은 집적회로칩을 연결하는 데이터 라인 패드들과 픽셀 불량을 검출하는 더미 데이터 라인들을 분리하여 형성하고 그런 후 상기 더미 데이터 라인들을 연결하는 더미 데이터 라인 연결부를 이용하여 픽셀들의 불량을 검출하므로, 불량 검출을 위한 핀들의 수가 감소된다.
발광, 셀, 핀, 패드

Description

씨오지형 유기 전계 발광 셀{CHIP ON GLASS TYPED ORGANIC ELECTROLUMINESCENT CELL}
도 1a는 종래의 씨오지형 유기 전계 발광 셀들을 가지는 기판을 도시한 평면도이다.
도 1b는 도 1a의 A 부분을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 2a는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 씨오지형 유기 전계 발광 셀들을 포함하는 기판을 도시한 평면도이다.
도 2b는 도 2a의 B부분을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 2c는 도 2b의 셀부를 도시한 평면도이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 씨오지형 유기 전계 발광 셀을 도시한 평면도이다.
본 발명은 씨오지형 유기 전계 발광 셀에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 픽셀 불량 검출을 위한 더미 데이터 라인들을 데이터 라인 패드들과 다른 위치에 형성하는 씨오지형 유기 전계 발광 셀에 관한 것이다.
유기 전계 발광 셀은 소정 파장의 빛을 발생시키는 셀을 의미한다. 상기 발광 셀은 씨오에프형 유기 전계 발광 셀(Chip On Film typed Organic Electroluminescent cell, COF typed Organic Electroluminescent cell)과 씨오지형 유기 전계 발광 셀(Chip On Glass typed Oraganic Electroluminescent cell, COG typed Organic Electroluminesent cell)을 포함한다.
상기 씨오에프형 유기 전계 발광 셀에서는, 상기 셀을 구동시키는 구동 회로를 가지는 집적회로칩(Integrated Circuit chip)이 상기 셀의 외부에서 상기 셀과 연결된다. 반면에, 상기 씨오지형 유기 전계 발광 셀에서는, 상기 집적회로칩이 상기 셀 상에서 상기 셀과 연결된다. 그러므로, 상기 씨오에프형 유기 전계 발광 셀은 상기 씨오지형 유기 전계 발광 셀보다 부피가 크고 제작을 위한 비용이 많이 소요되며, 그래서 씨오지형 유기 전계 발광 셀이 나타났다.
도 1a는 종래의 씨오지형 유기 전계 발광 셀들을 가지는 기판을 도시한 평면도이다.
도 1a를 참조하면, 상기 기판은 복수의 유기 전계 발광 셀들을 포함하고, 상기 각 유기 전계 발광 셀들은 인듐주석산화물층들, 금속전극층들, 데이터 라인 패드들 및 스캔 라인 패드들을 포함한다. 이에 대한 자세한 설명은 이하 첨부된 도면을 참조하여 상술하겠다.
도 1b는 도 1a의 A 부분을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 1b를 참조하면, 상기 유기 전계 발광 셀은 셀부(10), 데이터 라인 패드들(30), 제 1 스캔 라인 패드들(50) 및 제 2 스캔 라인 패드들(70)을 포함한다.
셀부(10)는 복수의 인듐주석산화물층들 및 금속전극층들을 포함하고, 상기 인듐주석산화물층들 및 금속전극층들이 교차하는 영역에 복수의 픽셀들을 가진다.
데이터 라인 패드들(30)은 상기 인듐주석산화물층들에 각기 결합되고, 픽셀 불량 검출시 불량 검출 장치의 소정 핀들을 통하여 인가된 소정의 전압을 상기 인듐주선산화물층들에 제공한다.
제 1 스캔 라인 패드들(50)은 상기 금속전극층들 중 일부 금속전극층들에 각기 결합되고, 상기 불량 검출 장치의 소정 핀들을 통하여 인가된 소정의 전압을 상기 일부 금속전극층들에 제공한다.
제 2 스캔 라인 패드들(70)은 상기 금속전극층들 중 나머지 금속전극층들에 각기 결합되고, 상기 불량 검출 장치의 소정 핀들을 통하여 인가된 소정의 전압을 상기 나머지 금속전극층들에 제공한다.
이하 씨오에프형 유기 전계 발광 셀과 씨오지형 유기 전계 발광 셀을 비교하겠다.
픽셀 불량 검출시, 씨오에프형 유기 전계 발광 셀에서는 패드들을 연결하는 연결부들을 이용함에 의해 픽셀들의 불량이 검출되었다. 이어서, 상기 집적회로칩과 상기 패드들을 연결하기 위하여 상기 패드들의 종단부들을 스크라이빙 칼날을 이용하여 절단하였다. 이는 씨오에프형 유기 전계 발광 셀에서 상기 연결부들이 상기 셀의 외부에 형성되기 때문에 가능하였다.
반면에, 씨오지형 유기 전계 발광 셀에서는 픽셀 불량 검출을 위하여 패드들을 연결하는 연결부들을 상기 셀 위에 형성할 수 없었다. 왜냐하면, 상기 패드들을 연결하는 연결부들을 형성하여 픽셀 불량을 검출하는 경우, 픽셀 불량 검출 후 상기 집적회로칩과 상기 패드들을 연결시키기 위하여 상기 패드들의 종단부들이 스크라이빙 칼날을 이용함에 의해 절단되어야 한다. 그러나, 상기 스크라이빙 칼날을 이용한 스크라이빙 공정의 경우, 상기 기판을 가로 전체/세로 전체로 해서 절단해야 하므로, 씨오지형 유기 전계 발광 셀의 구조적 특성상 절단할 수 없었다. 왜냐하면, 상기 씨오지형 유기 전계 발광 셀에서 상기 패드들의 종단부들이 절단될 경우, 스캔 라인들도 함께 절단되기 때문이다. 그 결과, 상기 연결부들이 데이터 라인 패드들(30)과 스캔 라인 패드들(50 및 70) 사이에 형성될 수 없었다.
그러므로, 상기 씨오지형 유기 전계 발광 셀에서, 상기 픽셀 불량 검출시 패드들(30, 50 및 70)상에 불량 검출 장치의 핀들이 각기 접촉되어야 했다. 그 결과, 픽셀 불량 검출을 위한 핀들이 과도하게 요구되었다. 그러므로, 핀들의 수를 줄일 수 있는 유기 전계 발광 셀이 요구된다.
본 발명의 목적은 픽셀 불량 검출을 위한 핀들의 수를 감소시킬 수 있는 씨오지형 유기 전계 발광 셀을 제공하는 것이다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 씨오지형 유기 전계 발광 셀은 인듐주석산화물층들, 금속전극층들, 데이터 라 인 패드들, 더미 데이터 라인들, 더미 데이터 라인 연결부, 제 1 스캔 라인 패드들 및 제 2 스캔 라인 패드들을 포함한다. 상기 데이터 라인 패드들은 상기 인듐주석산화물층들의 일단에 각기 결합되며, 상기 더미 데이터 라인들은 상기 인듐주석산화물층들의 타단에 각기 결합된다. 상기 더미 데이터 라인 연결부는 상기 더미 데이터 라인들을 연결한다. 상기 제 1 스캔 라인 패드들은 상기 금속전극층들 중 일부에 각기 결합되고, 상기 제 2 스캔 라인 패드들은 상기 금속전극층들 중 나머지에 각기 결합된다.
본 발명에 따른 씨오지형 유기 전계 발광 셀은 집적회로칩을 연결하는 데이터 라인 패드들과 픽셀 불량을 검출하는 더미 데이터 라인들을 분리하여 형성하고 그런 후 상기 더미 데이터 라인들을 연결하는 더미 데이터 라인 연결부를 이용하여 픽셀들의 불량을 검출하므로, 불량 검출을 위한 핀들의 수가 감소된다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 씨오지형 유기 전계 발광 셀의 바람직한 실시예들을 자세히 설명하도록 한다.
도 2a는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 씨오지형 유기 전계 발광 셀들을 포함하는 기판을 도시한 평면도이다.
도 2a를 참조하면, 상기 기판은 복수의 유기 전계 발광 셀들을 포함한다. 상기 각 유기 전계 발광 셀들은 데이터 라인 패드들, 더미 데이터 라인들, 더미 데이터 라인 연결부, 제 1 스캔 라인 패드들 및 제 2 스캔 라인 패드들을 포함한다. 이에 대한 자세한 설명은 이하 첨부된 도면을 참조하여 상술하겠다.
도 2b는 도 2a의 B부분을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 2b를 참조하면, 본 발명의 씨오지형 유기 전계 발광 셀은 셀부(100), 데이터 라인 패드들(120), 더미 데이터 라인들(140), 더미 데이터 라인 연결부(160), 제 1 스캔 라인들(180), 제 1 스캔 라인 패드들(200), 제 2 스캔 라인들(240) 및 제 2 스캔 라인 패드들(260)을 포함한다.
셀부(100)는 인듐주석산화물층들(Indium Tin Oxide Films, 이하 "ITO층들"이라 함)과 금속전극층들을 포함하고, 이들이 교차하는 영역에 형성되는 픽셀들을 가진다. 상기 각 픽셀들은 상기 ITO층, 그 위에 증착된 유기물층 및 상기 유기물층 위에 증착된 상기 금속전극층을 포함한다. 여기서, 상기 유기물층은 순차적으로 증착되는 정공 주입층(Hole Injection Layer, HIL), 정공 수송층(Hole Transporting Layer, HTL), 발광층(Emitting Layer, ETL), 전자 수송층(Electron Transporting Layer, ETL) 및 전자 주입층(Electron Injection Layer, EIL)을 포함한다. 또는 상기 유기물층은 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층만을 포함한다.
순방향 전압이 인가되는 경우, 상기 각 픽셀들은 소정 파장의 빛을 발광한다. 상세하게는, 상기 ITO층에 소정의 양의 전압이 인가되고 상기 금속전극층에 소정의 음의 전압이 인가된 경우, 상기 ITO층은 정공들을 정공 주입층으로 제공하고 상기 전자 주입층은 전자들을 전자 주입층으로 제공한다. 이어서, 상기 정공 주입층은 상기 제공된 정공들을 정공 수송층으로 원활하게 주입시키고, 상기 전자 주입층은 상기 제공된 전자들을 전자 수송층으로 원활하게 주입시킨다. 계속하여, 상기 정공 수송층은 상기 주입된 정공들을 발광층으로 수송하고, 상기 전자 수송층은 상 기 주입된 전자들을 상기 발광층으로 수송한다. 이어서, 상기 수송된 정공들과 전자들이 상기 발광층 내에서 재결합하여 특정 파장의 빛을 발생시킨다.
데이터 라인 패드들(120)은 상기 ITO층들의 일단에 각기 결합되며, 픽셀 불량 검출 후 상기 픽셀들을 구동시키는 구동 회로를 가지는 집적회로칩이 연결된다.
더미 데이터 라인들(140)은 상기 ITO층들의 타단에 각기 결합되며, 픽셀 불량 검출을 위해 사용된다. 상세하게는, 더미 데이터 라인들(140)은 상기 픽셀 불량 검출시 불량 검출 장치로부터 더미 데이터 라인 연결부(160)를 통하여 인가된 소정의 전압을 상기 ITO층들에 제공한다. 또한, 더미 데이터 라인들(140)의 종단 부분은 상기 픽셀 불량 검출 후 스크라이빙 칼날에 의한 기판의 분리 공정에서 함께 절단된다.
더미 데이터 라인 연결부(160)는 더미 데이터 라인들(140)을 연결하고, 도전체이며, 단락(short)되어 있다.
제 1 스캔 라인 패드들(200)은 제 1 스캔 라인들(180)을 통하여 상기 금속전극층들 중 일부와 각기 결합되고, 상기 픽셀 불량 검출시 상기 불량 검출 장치로부터 인가되는 소정의 전압을 상기 일부 금속전극층들에 제공한다.
제 2 스캔 라인 패드들(260)은 제 2 스캔 라인들(240)을 통하여 상기 금속전극층들 중 나머지와 각기 결합되고, 상기 픽셀 불량 검출시 상기 불량 검출 장치로부터 인가되는 상기 전압을 상기 나머지 금속전극층들에 제공한다.
상기 집적회로칩은 픽셀 불량 검출 후 데이터 라인 패드들(120) 및 스캔 라인 패드들(200 및 260) 상에 연결된다.
본 발명의 씨오지형 유기 전계 발광 셀에서, 상기 집적회로칩이 연결되는 데이터 라인 패드들(120)은 상기 ITO층들의 일단에 각기 결합되고, 상기 픽셀 불량 검출을 위한 더미 데이터 라인들(140) 및 더미 데이터 라인 연결부(160)는 상기 ITO층들의 타단에 각기 결합된다. 즉, 상기 유기 전계 발광 셀은 상기 픽셀 불량 검출을 위한 부분과 상기 집적회로칩이 연결되는 부분을 각기 형성한다. 그 결과, 픽셀 불량 검출시 종래 기술과 달리 상기 ITO층들에 소정의 전압을 인가하기 위하여 더미 데이터 라인들(140) 중 하나의 라인에만 1개의 핀을 접촉시키면 된다. 그러므로, 종래 기술에 비하여 픽셀 불량 검출을 위한 핀들의 수가 감소된다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 상기 유기 전계 발광 셀은 상기 금속전극층들이 제 1 스캔 라인 패드들(200) 및 제 2 스캔 라인 패드들(260)로 분리되어 결합되지 않고 하나의 스캔 라인 패드들(미도시)에 결합될 수도 있다.
도 2c는 도 2b의 셀부를 도시한 평면도이다.
도 2c를 참조하면, 셀부(100)는 ITO층들(300) 및 금속전극층들(320)을 포함한다. ITO층들(300) 및 금속전극층들(320)은 도 2c에 도시된 바와 같이 교차하며, 교차하는 영역에 상기 픽셀들이 형성된다.
이하에서는 픽셀 불량 검출 과정에 대하여 상술하겠다.
우선, 상기 픽셀들의 점등 검사 과정을 상술하겠다.
더미 데이터 라인들(140) 중 하나에 상기 불량 검출 장치의 제 1 핀이 접촉되어 소정의 양의 전압이 인가되고, 제 1 스캔 라인 패드들(200) 각각에 상기 불량 검출 장치의 제 2 핀들이 접촉되어 소정의 음의 전압이 인가되며, 제 2 스캔 라인 패드들(260) 각각에 상기 불량 검출 장치의 제 3 핀들이 접촉되어 상기 음의 전압이 인가된다. 이어서, 상기 인가된 양의 전압은 더미 데이터 라인 연결부(160)를 통하여 나머지 더미 데이터 라인들(140)에 제공된다. 계속하여, 상기 양의 전압이 더미 데이터 라인들(140)을 통하여 ITO층들(300)에 제공되고, 상기 음의 전압이 제 1 스캔 라인 패드들(200)를 통하여 도 2c에 도시된 바와 같이 홀수번째 금속전극층들에 제공되며 제 2 스캔 라인 패드들(260)을 통하여 짝수번째 금속전극층들에 제공된다. 그 결과, ITO층들(300)과 금속전극층들(320)이 교차하는 영역에 형성된 픽셀들이 점등된다. 상기 불량 검출 장치는 상기 점등된 픽셀들을 통하여 상기 픽셀들의 점등 불량 여부를 검출한다.
다음으로, 누설 전류(leakage current) 검출 과정을 상술하겠다.
더미 데이터 라인들(140) 중 하나에 상기 불량 검출 장치의 제 1 핀이 접촉되어 소정의 음의 전압이 인가되고, 제 1 스캔 라인 패드들(200) 각각에 상기 불량 검출 장치의 제 2 핀들이 접촉되어 소정의 양의 전압이 인가되며, 제 2 스캔 라인 패드들(260) 각각에 상기 불량 검출 장치의 제 3 핀들이 접촉되어 상기 양의 전압이 인가된다. 이어서, 상기 인가된 음의 전압은 더미 데이터 라인 연결부(160)를 통하여 나머지 더미 데이터 라인들(140)에 제공된다. 계속하여, 상기 음의 전압이 더미 데이터 라인들(140)을 통하여 ITO층들(300)에 제공되고, 상기 양의 전압이 제 1 스캔 라인 패드들(200)을 통하여 도 2c에 도시된 바와 같이 홀수번째 금속전극층들에 제공되며 제 2 스캔 라인 패드들(260)을 통하여 짝수번째 금속전극층들에 제공된다. 이 경우, 상기 픽셀들이 불량하지 않으면, 상기 픽셀들에 역방향 전압이 인가되므로 상기 픽셀들을 통하여 상기 누설 전류가 흐르지 않는다. 다만, 실제적으로는 미세한 전류가 흐른다. 반면에, 상기 픽셀들이 불량한 경우, 예를 들어 상기 픽셀들 중 일부 픽셀이 단락된 경우, 상기 불량을 가진 픽셀들을 통하여 누설 전류가 흐른다. 이 때, 상기 불량 검출 장치는 상기 픽셀들에 흐르는 상기 누설 전류를 측정하여 상기 픽셀들에 불량이 발생되었다고 판단한다.
본 발명의 유기 전계 발광 셀이 더미 데이터 라인 연결부(160)를 포함하므로, 상기 픽셀 불량 검출시 상기 ITO층들에 소정의 전압을 인가하기 위하여 더미 데이터 라인들(140) 중 하나에 상기 불량 검출 장치의 핀을 접촉시키면 된다. 그러므로, 본 발명의 유기 전계 발광 셀은 종래 기술에 비하여 픽셀들의 불량을 검출하기 위한 핀들의 수를 감소시킬 수 있다.
도 3은 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 씨오지형 유기 전계 발광 셀을 도시한 평면도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 유기 전계 발광 셀은 셀부(100), 데이터 라인 패드들(120), 더미 데이터 라인들(140), 더미 데이터 라인 연결부(160), 데이터 라인 전극부(170), 제 1 스캔 라인 패드들(200) 및 제 2 스캔 라인 패드들(260)을 포함한다.
데이터 라인 전극부(170)를 제외한 나머지 구성 요소들은 도 2b에 포함된 구성 요소들과 동일한 기능을 수행하므로, 동일한 참조 부호를 사용하며 이하 설명을 생략하겠다.
데이터 라인 전극부(170)는 더미 데이터 라인 연결부(160)에 결합되고, 픽셀 불량 검출시 불량 검출 장치의 제 1 핀이 접촉되어 소정의 전압이 인가되며, 상기 인가된 전압을 더미 데이터 라인 연결부(160) 및 더미 데이터 라인들(140)을 통하여 ITO층들에 제공한다. 그러므로, 데이터 라인 전극부(170)는 도전체이며, 예를 들어 금속이다.
상기 불량 검출 장치의 핀이 데이터 라인 패드들(120)에 접촉되지 않고 데이터 라인 전극부(170)에 접촉되므로, 데이터 라인 패드들(120)의 손상이 방지된다.
상기한 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이고, 본 발명에 대한 통상의 지식을 가지는 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 하기의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 씨오지형 유기 전계 발광 셀은 집적회로칩을 연결하는 데이터 라인 패드들과 픽셀 불량을 검출하는 더미 데이터 라인들을 분리하여 형성하고 그런 후 상기 더미 데이터 라인들을 연결하는 더미 데이터 라인 연결부를 이용하여 픽셀들의 불량을 검출하므로, 불량 검출을 위한 핀들의 수를 감소시킬 수 있는 장점이 있다.


Claims (4)

  1. 애노드에 상응하는 인듐주석산화물층들과 캐소드에 상응하는 금속전극층들이 교차하는 영역에 형성되는 복수의 픽셀들을 가지는 씨오지형 유기 전계 발광 셀에 있어서,
    상기 인듐주석산화물층들의 일단에 각기 결합되는 복수의 데이터 라인 패드들;
    상기 인듐주석산화물층들의 타단에 각기 결합되는 복수의 더미 데이터 라인들;
    상기 더미 데이터 라인들을 연결하는 더미 데이터 라인 연결부;
    상기 금속전극층들 중 일부에 각기 결합되는 제 1 스캔 라인 패드들; 및
    상기 금속전극층들 중 나머지에 각기 결합되는 제 2 스캔 라인 패드들을 포함하는 것을 특징으로 하는 씨오지형 유기 전계 발광 셀.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 더미 데이터 라인 연결부에 결합되고, 픽셀 불량 검출시 불량 검출 장치로부터 인가되는 소정의 전압을 상기 더미 데이터 라인 연결부를 통하여 상기 더미 데이터 라인들에 제공하는 데이터 라인 전극부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 씨오지형 유기 전계 발광 셀.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 더미 데이터 라인 연결부는 도전체로 이루어지는 것 을 특징으로 하는 씨오지형 유기 전계 발광 셀.
  4. 제 1 항에 있어서, 집적회로칩과 연결시 상기 더미 데이터 라인들은 그 종단 부분이 절단되는 것을 특징으로 하는 씨오지형 유기 전계 발광 셀.
KR1020040064638A 2004-08-17 2004-08-17 씨오지형 유기 전계 발광 셀 KR100665924B1 (ko)

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