KR100609778B1 - 유기 전계 발광 기판 - Google Patents

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KR100609778B1
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Abstract

본 발명은 라인들에 의해 연결되는 셀들을 가지는 유기 전계 발광 기판에 관한 것이다. 상기 유기 전계 발광 기판은 복수의 픽셀들을 포함하는 셀부, 실링제를 이용하여 상기 셀부를 실링하는 실링부 및 상기 실링제의 유출을 방지하는 실링제 유출 방지부를 가지는 복수의 유기 전계 발광 셀들을 포함한다. 또한, 상기 셀들은 데이터 라인들 및 스캔 라인들에 의해 각기 연결된다. 상기 유기 전계 발광 기판이 라인들에 의해 연결되는 셀들을 포함하므로, 상기 유기 전계 발광 기판에 더 많은 셀 어레이가 형성될 수 있다.
기판, 실링, 라인

Description

유기 전계 발광 기판{ORGANIC ELECTROLUMINESCENT SUBSTRATE}
도 1a는 종래의 유기 전계 발광 기판을 도시한 평면도이다.
도 1b는 도 1a의 A부분을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 1c는 도 1b의 Ⅰ-Ⅰ' 라인을 따라 절단된 실링제 유출 방지부를 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 기판을 도시한 평면도이다.
도 3a는 도 2의 B부분을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 3b는 도 3a의 Ⅱ-Ⅱ'에 따라 절단된 제 1 실시예에 따른 실링제 유출 방지부를 도시한 단면도이다.
도 3c는 도 3a의 Ⅱ-Ⅱ' 라인을 따라 절단된 제 2 실시예에 따른 실링제 유출 방지부를 도시한 단면도이다.
본 발명은 유기 전계 발광 기판에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 라인들에 의해 연결되는 셀들을 가지는 유기 전계 발광 기판에 관한 것이다.
상기 유기 전계 발광 기판은 복수의 유기 전계 발광 셀들을 포함한다.
도 1a는 종래의 유기 전계 발광 기판을 도시한 평면도이고, 도 1b는 도 1a의 A부분을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 1a에 도시된 바와 같이, 종래의 유기 전계 발광 기판은 각기 분리되어 있는 복수의 셀들을 포함한다.
도 1b를 참조하면, 상기 각 셀들은 셀부(10), 데이터 라인들(30), 데이터 라인 연결부(50), 제 1 스캔 라인들(70), 제 1 스캔 라인 연결부(90), 제 2 스캔 라인들(110), 제 2 스캔 라인 연결부(130), 실링부(150) 및 실링제 유출 방지부(170)를 포함한다. 셀부(10)의 상세한 내부 구조는 생략하였다.
셀부(10)는 인듐주석산화물층들 및 금속전극층들을 포함하고, 이들이 교차하는 영역에 형성되는 복수의 픽셀들을 가진다.
데이터 라인들(30)은 상기 인듐주석산화물층들에 각기 결합되고, 데이터 라인 연결부(50)는 데이터 라인들(30)을 연결한다.
제 1 스캔 라인들(70)은 상기 금속전극층들 중 일부에 각기 결합되고, 제 1 스캔 라인 연결부(90)는 제 1 스캔 라인들(70)을 연결한다.
제 2 스캔 라인들(110)은 상기 금속전극층들 중 나머지에 각기 결합되고, 제 2 스캔 라인 연결부(130)는 제 2 스캔 라인들(110)을 연결한다.
실링부(150)는 실링제를 이용하여 셀부(10)를 실링한다.
실링제 유출 방지부(170)는 실링 공정시 상기 실링제가 외부로 유출되는 것을 방지한다.
종래의 유기 전계 발광 기판에서, 상기 셀들은 다른 셀들에 관계없이 각기 연결부들을 포함하여야 했다. 그러므로, 상기 셀들 사이에 일정 공간이 확보되어야 했다. 그 결과, 종래의 유기 전계 발광 기판은 상기 셀들 사이의 공간 때문에 상기 공간에 상응하는 수만큼의 셀 어레이를 형성할 수 없었다.
도 1c는 도 1b의 Ⅰ-Ⅰ' 라인을 따라 절단된 실링제 유출 방지부를 도시한 단면도이다.
도 1c를 참조하면, 실링제 유출 방지부(170)는 기판(5) 위에 형성된 격벽(200)을 포함한다. 격벽(200)은 상기 실링제가 외부로 유출되지 않도록 댐 역할을 수행한다.
기판 위에 형성된 패턴들이 원하는 패턴으로 형성되지 않는 경우, 리워크 공정(rework process)이 행해진다. 여기서, 상기 리워크 공정은 상기 유기 전계 발광 기판 위에 형성되는 패턴이 원하는 패턴으로 형성되지 않는 경우 상기 유기 전계 발광 기판 위에 형성된 패턴들을 제거하고 새로운 패턴을 형성하는 공정을 의미한다. 그러나, 종래의 유기 전계 발광 기판에서, 실링제 유출 방지부(170)에 포함된 격벽(200)이 기판으로부터 용이하게 제거되지 않으므로, 리워크 공정(rework process)을 통하여 기판을 재활용할 수 없었다. 그 결과, 기판이 낭비되었다.
그러므로, 더 많은 셀 어레이들을 포함하고 리워크 공정을 수행할 수 있는 유기 전계 발광 기판이 요구된다.
본 발명의 제 1 목적은 더 많은 수의 셀 어레이를 형성할 수 있는 유기 전계 발광 기판을 제공하는 것이다.
본 발명의 제 2 목적은 리워크 공정을 통하여 재활용될 수 있는 유기 전계 발광 기판을 제공하는 것이다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 기판은 복수의 픽셀들을 포함하는 셀부, 실링제를 이용하여 상기 셀부를 실링하는 실링부 및 상기 실링제의 유출을 방지하는 실링제 유출 방지부를 가지는 복수의 유기 전계 발광 셀들을 포함한다. 또한, 상기 셀들은 데이터 라인들 및 스캔 라인들에 의해 각기 연결된다.
본 발명에 따른 유기 전계 발광 기판이 라인들에 의해 연결되는 셀들을 포함하므로, 상기 유기 전계 발광 기판에 더 많은 셀 어레이가 형성될 수 있다.
아울러, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 기판에서, 실링제 유출 방지부가 연결부들, 절연막 및 격벽을 포함하므로, 리워크 공정시 상기 격벽이 용이하게 제거된다.
또한, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 기판에서, 실링제 유출 방지부는 셀부의 해당 구성 요소들이 형성될 때 함께 형성되므로, 상기 실링제 유출 방지부를 형성하기 위한 추가적인 공정 단계가 요구되지 않는다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 유기 전계 발광 기판의 바람직한 실시예들을 자세히 설명하도록 한다.
도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 기판을 도시한 평면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 유기 전계 발광 기판은 라인들에 의해 연결된 복수의 셀들을 포함한다. 상세하게는, 상기 셀들 중 하나의 셀의 라인들이 다른 셀에 연결된다. 이에 대한 자세한 설명은 이하 첨부된 도면을 참조하여 상술하겠다.
도 3a는 도 2의 B부분을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 3a를 참조하면, 각 셀들은 셀부(300), 데이터 라인들(320), 제 1 스캔 라인들(340), 제 2 스캔 라인들(360), 실링부(380) 및 실링제 유출 방지부(400)를 포함한다.
셀부(300)는 인듐주석산화물층들(Indium Tim Oxide Films, 이하 "ITO층들"이라 함)과 금속전극층들을 포함하고, 상기 인듐주석산화물층들과 상기 금속전극층들이 교차하는 영역에 형성되는 복수의 픽셀들을 가진다.
상기 각 픽셀들은 기판(5) 위에 순차적으로 증착되는 상기 인듐주석산화물층, 유기물층 및 금속전극층을 포함한다. 상기 유기물층은 정공 수송층(Hole Transporting Layer, HTL), 발광층(Emitting Layer, EML) 및 전자 수송층(Electron Transporting Layer, ETL)을 포함한다. 또는, 상기 유기물층은 정공 주입층(Hole Injection Layer, HIL), 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층(Electron Injection Layer, EIL)을 포함한다.
상기 인듐주석산화물층에 양의 전압이 인가되고 상기 금속전극층에 음의 전압이 인가되는 경우, 상기 인듐주석산화물층으로부터 정공들이 상기 정공 주입층으로 제공되고 상기 금속전극층으로부터 전자들이 상기 전자 주입층으로 제공된다. 이어서, 상기 정공 주입층은 상기 제공된 정공들을 상기 정공 수송층으로 원활하게 주입하고, 상기 전자 주입층은 상기 제공된 전자들을 상기 전자 수송층으로 원활하게 주입한다. 계속하여, 상기 정공 수송층은 상기 주입된 정공들을 상기 발광층으로 수송하고, 상기 전자 수송층은 상기 주입된 전자들을 상기 발광층으로 수송한다. 이어서, 상기 수송된 정공들 및 전자들이 재결합하여 소정 파장을 가지는 빛을 발생시킨다.
라인들(320, 340 및 360)은 픽셀 불량 검출을 위하여 다른 셀의 실링제 유출 방지부(420)에 연결되며, 그래서 본 발명의 셀들은 종래 기술에 비하여 더 많은 셀 어레이를 형성할 수 있는 공간이 확보한다.
데이터 라인들(320)은 상기 인듐주석산화물층들에 각기 결합되며, 픽셀 불량 검출시 불량 검출 장치로부터 인가되는 소정의 전압을 상기 인듐주석산화물층들에 제공한다. 또한, 데이터 라인들(320)은 그 종단부분이 픽셀 불량 검출 후 스크라이빙 칼날에 의해 절단되며, 그런 후 상기 픽셀들을 구동하는 구동 회로를 가지는 집적회로칩에 연결된다.
제 1 스캔 라인들(340)은 상기 금속전극층들 중 일부에 각기 결합되며, 상기 불량 검출 장치로부터 인가되는 소정의 전압을 상기 일부 금속전극층들에 제공한다. 또한, 제 1 스캔 라인들(340)은 그 종단부분이 픽셀 불량 검출 후 상기 스크라 이빙 칼날에 의해 절단되며, 그런 후 상기 집적회로칩에 연결된다.
제 2 스캔 라인들(360)은 상기 금속전극층들 중 나머지에 각기 결합되며, 상기 불량 검출 장치로부터 인가되는 소정의 전압을 상기 나머지 금속전극층들에 제공한다. 또한, 제 2 스캔 라인들(360)은 그 종단부분이 픽셀 불량 검출 후 상기 스크라이빙 칼날에 의해 절단되며, 그런 후 상기 집적회로칩에 연결된다.
예를 들어, 제 1 스캔 라인들(340)은 상기 금속전극층들 중 홀수번째 금속전극층들에 결합되고, 제 2 스캔 라인들(360)은 상기 금속전극층들 중 짝수번째 금속전극층들에 결합된다.
실링부(380)는 셀부(300)를 실링제, 예를 들어 실런트(sealant)를 이용하여 실링(sealing)한다. 이는 수분 등으로부터 셀부(300)를 보호하기 위한 것이다.
실링제 유출 방지부(400)는 실링 공정시 상기 실링제가 외부로 유출되는 것을 방지한다.
다른 셀의 실링제 유출 방지부(420)는 데이터 라인들(320)과 결합되는 데이터 라인 연결부, 제 1 스캔 라인들(340)과 결합되는 제 1 스캔 라인 연결부 및 제 2 스캔 라인들(360)과 결합되는 제 2 스캔 라인 연결부를 포함한다. 그 결과, 픽셀 불량 검출시 핀들의 수를 줄일 수 있다. 이에 대한 자세한 설명은 이하 첨부된 도면을 참조하여 상술하겠다.
본 발명의 유기 전계 발광 기판에서, 상기 셀들은 종래 기술과 달리 상기 라인들에 의해 연결된다. 그 결과, 상기 셀들 사이의 거리가 종래 기술보다 작게 된다. 그러므로, 상기 유기 전계 발광 기판은 종래 기술보다 더 많은 셀 어레이(cell array)들을 그 위에 형성할 수 있다.
또 다른 예로, 상기 셀들은 금속전극층들에 결합되는 스캔 라인들을 위와 같이 분리하지 않고 하나로 형성할 수도 있다. 이 경우, 상기 스캔 라인들에 상응하여 스캔 라인 연결부도 하나만 형성된다.
도 3b는 도 3a의 Ⅱ-Ⅱ' 라인을 따라 절단된 제 1 실시예에 따른 실링제 유출 방지부를 도시한 단면도이다.
도 3b를 참조하면, 실링제 유출 방지부(420)는 데이터 라인 연결부(500), 제 1 스캔 라인 연결부(520), 제 2 스캔 라인 연결부(540), 절연막(560) 및 격벽(580)을 포함한다. 여기서, 연결부들(500, 520 및 540)은 기판(5) 위에 형성되며, 그런 후 절연막(560) 및 격벽(580)이 연결부들(500, 520 및 540)이 형성된 기판(5) 위에 순차적으로 형성된다.
연결부들(500, 520 및 540)은 절연막(560)이 기판(5)으로부터 필링(peeling)되는 것을 방지한다. 절연막(560)은 기판(5)에 강하게 접착되지 않기 때문에, 절연막(560)이 기판(5)에 직접 접촉될 경우에는 필링될 수 있다. 그러므로, 기판(5)과의 접착력이 강한 연결부들(500, 520 및 540)이 기판(5)과 절연막(560) 사이에 형성된다.
또한, 연결부들(500, 520 및 540)은 상기 라인들을 연결한다. 상세하게는, 데이터 라인 연결부(500)는 데이터 라인들(320)을 연결하고, 제 1 스캔 라인 연결부(520)는 제 1 스캔 라인들(340)을 연결하며, 제 2 스캔 라인 연결부(540)는 제 2 스캔 라인들(360)을 연결한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 연결부들(500, 520 및 540)은 각기 인듐주석산화물층으로 이루어져 있다.
픽셀 불량 검출시, 상기 불량 검출 장치는 데이터 라인들(320) 중 하나의 라인에 제 1 전압을 인가하고, 제 1 스캔 라인들(340) 중 하나의 라인에 제 2 전압을 인가하며, 제 2 스캔 라인들(360) 중 하나의 라인에 상기 제 2 전압을 인가한다. 이어서, 상기 인가된 제 1 전압이 데이터 라인 연결부(500)를 통하여 나머지 데이터 라인들에 제공되며, 상기 인가된 제 2 전압이 제 1 및 2 스캔 라인들(520 및 540)을 통하여 나머지 스캔 라인들에 제공된다. 계속하여, 상기 제공된 제 1 전압이 상기 ITO층들에 제공되고, 상기 제공된 제 2 전압이 상기 금속전극층들에 제공되어 픽셀 불량이 검출된다. 여기서, 상기 제 1 전압이 양의 전압이고 상기 제 2 전압이 음의 전압인 경우, 상기 픽셀들의 점등 검사가 행해진다. 반면에, 상기 제 1 전압이 음의 전압이고 상기 제 2 전압이 양의 전압인 경우, 상기 픽셀들에 흐르는 누설 전류가 검출된다.
절연막(560)은 격벽(580)을 분리하는 리워크(rework)를 용이하게 수행시키며, 절연물질, 예를 들어 포토레지스터(Photoresist)로 이루어져 있다. 격벽(580)은 그 자체로는 유리 기판으로부터 분리가 용이하지 않지만, 절연막(560)이 인듐주석산화물층으로 이루어진 연결부(500, 520 및 540)로부터 용이하게 제거되므로 리워크 공정시 절연막(560) 위에 형성된 격벽(580)도 또한 용이하게 제거될 수 있다.
격벽(580)은 실링 공정시 상기 실링제가 외부로 유출되지 않도록 실링부의 외부에 형성된다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 연결부(500, 520 및 540), 절연막(560) 및 격 벽(580)은 셀부(300)의 해당 구성 요소 형성시 함께 형성된다. 그러므로, 본 발명에 따른 연결부(500, 520 및 540), 절연막(560) 및 격벽(580)을 형성하는 공정은 종래 기술에 비하여 추가적인 공정을 요구하지 않는다.
본 발명의 유기 전계 발광 기판에서, 실링제 유출 방지부(420)가 순차적으로 형성된 연결부(500, 520 및 540), 절연막(560) 및 격벽(580)을 포함하므로, 상기 실링제가 외부로 유출되지 않으며 리워크 공정이 용이하게 수행된다. 즉, 상기 유기 전계 발광 기판이 재활용될 수 있기 때문에, 비용이 절감된다.
도 3c는 도 3a의 Ⅱ-Ⅱ' 라인을 따라 절단된 제 2 실시예에 따른 실링제 유출 방지부를 도시한 단면도이다.
도 3c를 참조하면, 실링제 유출 방지부(420)는 데이터 라인 연결부(640), 제 1 스캔 라인 연결부(700), 제 2 스캔 라인 연결부(760), 절연막(780) 및 격벽(800)을 포함한다. 데이터 라인 연결부(640), 제 1 스캔 라인 연결부(700), 제 2 스캔 라인 연결부(760)를 제외한 부분은 도 3b와 동일하므로, 이하 데이터 라인 연결부(640), 제 1 스캔 라인 연결부(700), 제 2 스캔 라인 연결부(760)만을 상술하겠다.
데이터 라인 연결부(640)는 데이터 라인들(320)을 연결하고, 데이터 라인 인듐주석산화물층(600) 및 데이터 라인 금속층(620)을 포함한다.
제 1 스캔 라인 연결부(700)는 제 1 스캔 라인들(340)을 연결하고, 제 1 스캔 라인 인듐주석산화물층(660) 및 제 1 스캔 라인 금속층(680)을 포함한다.
제 2 스캔 라인 연결부(760)는 제 2 스캔 라인들(360)을 연결하고, 제 2 스캔 라인 인듐주석산화물층(720) 및 제 2 스캔 라인 금속층(740)을 포함한다.
여기서, 연결부들(640, 700 및 760)은 그들의 저항을 줄이기 위하여 인듐주석산화물층들(600, 660 및 720) 위에 금속층들(620, 680 및 740)을 형성한다. 상세하게는, 인듐주석산화물층들(600, 660 및 720)과 금속층들(620, 680 및 740)이 병렬로 연결되므로, 연결부들(640, 700 및 760)의 저항이 줄어든다.
본 발명의 일 실시예에 따른 금속층들(620, 680 및 740)은 몰리브덴(Mo)으로 이루어진다.
상기한 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이고, 본 발명에 대한 통상의 지식을 가지는 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 하기의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 기판이 라인들에 의해 연결되는 셀들을 포함하므로, 상기 유기 전계 발광 기판에 더 많은 셀 어레이가 형성될 수 있는 장점이 있다.
아울러, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 기판에서, 실링제 유출 방지부가 연결부들, 절연막 및 격벽을 포함하므로, 리워크 공정시 상기 격벽이 용이하게 제거될 수 있는 장점이 있다.
또한, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 기판에서, 실링제 유출 방지부는 셀부의 해당 구성 요소들이 형성될 때 함께 형성되므로, 상기 실링제 유출 방지부를 형성하기 위한 추가적인 공정 단계가 요구되지 않는 장점이 있다.

Claims (7)

  1. 삭제
  2. 복수의 픽셀들을 포함하는 셀부, 실링제를 이용하여 상기 셀부를 실링하는 실링부 및 상기 실링제의 유출을 방지하는 실링제 유출 방지부를 가지는 복수의 유기 전계 발광 셀들을 포함하며,
    상기 셀들은 데이터 라인들과 스캔 라인들에 의해 각기 연결되되,
    상기 실링제 유출 방지부는,
    상기 기판 위에 형성되는 인듐주석산화물층;
    상기 인듐주석산화물층이 형성된 기판 위에 형성되는 절연막; 및
    상기 절연막 위에 형성되는 격벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 기판.
  3. 제 2 항에 있어서, 하나의 셀의 라인들은 다른 셀의 상기 인듐주석산화물층에 연결되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 기판.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 스캔 라인들은 제 1 스캔 라인들 및 제 2 스캔 라인들을 포함하며,
    상기 인듐주석산화물층은,
    상기 데이터 라인들을 연결하는 데이터 라인 연결부;
    상기 제 1 스캔 라인들을 연결하는 제 1 스캔 라인 연결부; 및
    상기 제 2 스캔 라인들을 연결하는 제 2 스캔 라인 연결부를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 기판.
  5. 복수의 픽셀들을 포함하는 셀부, 실링제를 이용하여 상기 셀부를 실링하는 실링부 및 상기 실링제의 유출을 방지하는 실링제 유출 방지부를 가지는 복수의 유기 전계 발광 셀들을 포함하며,
    상기 셀들은 데이터 라인들과 스캔 라인들에 의해 각기 연결되되,
    상기 실링제 유출 방지부는,
    상기 기판 위에 형성되는 인듐주석산화물층;
    상기 인듐주석산화물층 위에 형성되는 금속층;
    상기 금속층이 형성된 기판 위에 형성되는 절연막; 및
    상기 절연막 위에 형성되는 격벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 기판.
  6. 제 5 항에 있어서, 하나의 셀의 라인들은 다른 셀의 상기 인듐주석산화물층 및 금속층에 연결되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 기판.
  7. 제 5 항에 있어서, 상기 스캔 라인들은 제 1 스캔 라인들 및 제 2 스캔 라인들을 포함하며, 상기 인듐주석산화물층 및 금속층은,
    상기 데이터 라인들을 연결하는 데이터 라인 연결부;
    상기 제 1 스캔 라인들을 연결하는 제 1 스캔 라인 연결부; 및
    상기 제 2 스캔 라인들을 연결하는 제 2 스캔 라인 연결부를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 기판.
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