JP2008047540A - 有機電界発光表示装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】画素分離膜のテーパ角と段差を緩和させて有機発光層のエッジオープン不良を防ぐことができる有機電界発光表示装置を提供することである。
【解決手段】本発明は、ソース／ドレイン領域の一部を露出させるコンタクトホールを備えた第１絶縁膜、薄膜トランジスタを含む絶縁基板と、第１絶縁膜上に形成された下部電極と、下部電極の一部を露出させる第１開口部を備える第２絶縁膜と、下部電極の一部を露出させる第２開口部を備える第３絶縁膜と、第３絶縁膜と第２開口部の下部電極上に形成された有機薄膜層と、有機薄膜層上に形成された上部電極とを含み、開口部のエッジで第３絶縁膜は４０°以下のテーパ角を有し、下部電極と有機薄膜層との間の段差が３０００Å以下の段差を有し、第３絶縁膜の第２開口部により露出される下部電極の部分が第２絶縁膜の第１開口部によって露出される部分よりも小さい。
【選択図】図１０

Description

本発明は、有機電界発光表示装置（ＯＬＥＤ）に関するもので、さらに詳しく説明すると、有機薄膜層と下部電極との間の段差を減少させ、基板表面のテーパ角を緩和させて素子の不良を防ぐことができるフルカラーアクティブマトリックス有機電界発光表示装置に関する。
一般的に、アクティブマトリックス有機電界発光表示装置（ＡＭＯＬＥＤ，ａｃｔｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）は、基板上に薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）がマトリックス形態で配列され、前記ＴＦＴに接続されるアノード電極が形成され、その上に有機薄膜層とカソード電極が形成される構造を有する。
図１は、従来の背面発光型有機電界発光表示装置を示す断面図である。図１を参照すると、絶縁基板１００上にバッファ層１０５が形成され、バッファ層１０５上にソース／ドレイン領域１１１、１１５を備える半導体層１１０が形成される。ゲート絶縁膜１２０上にゲート電極１２５が形成され、層間絶縁膜１３０上にコンタクトホール１３１、１３５を介してソース／ドレイン領域１１１、１１５とそれぞれ接続されるソース／ドレイン電極１４１、１４５が形成される。
パッシベイション１５０上にビアホール１１５を介して前記ソース／ドレイン電極１４１、１４５の中でドレイン電極１４５に接続される下部電極であるアノード電極１７０が形成され、基板上に有機薄膜層１８５および上部電極であるカソード電極１９０が形成される。
上述のような構造を有する従来の有機電界発光表示装置は、コンタクトホールまたはビアホールのテーパ角が大きい場合、コンタクトホールまたはビアホール付近およびアノード電極１７０の段差された部分からピンホール不良が発生したり、またはアノード電極とカソード電極との短絡不良が発生した。また、コンタクトホールおよびビアホール付近とアノード電極との段差された部分で有機発光層が均一に蒸着されないために、アノード電極とカソード電極との間に電圧印加の際、電流密度の集中現象により暗点が発生し、暗点の発生により発光領域が縮小されて画質が低下される問題点があった。
上述のような問題点を解決するために平坦化特性を有する有機絶縁膜からなる画素分離膜を適用した有機電界発光表示装置が特許文献１に開示された。図２は、従来の画素分離膜を適用した有機電界発光表示装置を示す断面図である。図２を参照すると、絶縁基板２００上にバッファ層２０５が形成され、バッファ層２０５上にソース／ドレイン領域２１１、２１５を備える半導体層２１０が形成される。ゲート絶縁膜２２０上にゲート電極２２５が形成され、層間絶縁膜２３０上にコンタクトホール２３１、２３５を介して前記ソース／ドレイン領域２１１、２１５に接続するソース／ドレイン電極２４１、２４５が形成される。
パッシベイション２５０上にビアホール２１５を介して前記ソース／ドレイン電極２４１、２４５の中の一つ、例えば、ドレイン電極２４５に接続する下部電極であるアノード電極１７０が形成される。該アノード電極２７０の一部を露出させる開口部２７５を備えた画素分離膜２６５が形成され、アノード電極２７０と画素分離膜２６５上に有機薄膜層２８５および上部電極であるカソード電極２９０が形成される。前記有機薄膜層２８５は、ホール注入層、ホール輸送層、Ｒ、ＧまたはＢ有機発光層、ホール障壁層、電子輸送層および電子注入層の中で少なくとも発光層を備える。
上述したように従来の全面発光型の有機電界発光表示装置は、画素分離膜２６５を用いて基板表面の段差による素子の不良問題を解決した。しかしながら、レーザ熱転写法を用いて有機発光層を形成する場合、画素分離膜２６５とアノード電極２７０との間のテーパ角および段差によって素子の信頼性が違ってくる。
図３Ａないし図３Ｃは、従来のレーザ熱転写法を用いて有機発光層を形成する方法を説明するための断面図である。図３Ａを参照すると、図２に示したように半導体層２１０、ゲート電極２２５およびソース／ドレイン領域２３１、２３５を備える薄膜トランジスタを絶縁基板２００上に形成し、パッシベイション２５０に備えたビアホール２５５を介して前記ソース／ドレイン電極２４１、２４５のうち、ドレイン電極２４５に接続するアノード電極２７０を形成する。該アノード電極２７０の一部を露出させる開口部２７５を備えた画素分離膜２６５を形成する。前記薄膜トランジスタが形成されている基板に有機発光層２１を備えたドナーフィルム２０を整列させ密着させる。
次に、図３Ｂでのようにドナーフィルム２０が前記絶縁基板２００の上部表面に密着された状態で、パターンとして予想されている部分にレーザを照射する。ドナーフィルム２０にレーザを照射すると、レーザが照射された部分のフィルムが膨張してドナーフィルム２０の有機発光層２１が絶縁基板２００にパターニングされる。転写工程が完了された後にドナーフィルム２０を前記絶縁基板２００から除去すると、図３Ｃに示されたように前記アノード電極２７０の上部および画素分離膜２６５の側壁に有機発光層パターン２８５ａが形成される。
レーザ転写法を用いて有機発光層パターン２８５ａを形成する場合、有機発光層２１の表面からアノード電極２７０の上面までの距離ｈ３１は、レーザ転写の際に必要なエネルギーと密接な関係を有する。すなわち、画素分離膜２６５が厚く蒸着されてアノード電極２７０と画素分離膜２６５との間の段差が大きい場合には、ドナーフィルム２０が開口部２７５に達しなければならない距離ｈ３１が相対的に増加されるべきである。これは、ドナーフィルム２０が膨張の程度を相対的に大きく増加させねばならないので、レーザの照射エネルギーを増加されるのである。
照射エネルギーが大きければ大きいほどドナーフィルム２０表面の温度も必要以上に上昇するので、アノード電極２７０および画素分離膜２６５に転写される有機発光層パターン２８５ａの特性も変わるようになる。発光層の特性が変わると、最後に製造される有機電界発光表示装置の効率が低下し、色座標が移動し、寿命の低下および特性の低下を招くような問題点を有する。
また、レーザ転写法を用いて有機発光層を形成する場合、ドナーフィルムと前記絶縁基板との密着程度が優れなければならない。しかしながら、前記が画素分離膜２６５のテーパ角が大きい場合は、エッジ部分でドナーフィルムが前記絶縁基板とよく密着せず、開口部２７５内の有機発光層パターン２８５ａがオープンされるオープン不良２８５ｃが発生する。特に、開口部２７５のエッジ部分でドナーフィルムが絶縁基板とよく密着されないので、前記オープン不良２８５ｃは開口部２７５のエッジ部分に発生する。すなわち、画素分離膜２６５のエッジ部分で有機発光層が正しく転写されず、剥がれたり、または正しく有機発光層が転写される場合でも、転写境界が汚いなどの不良が発生する。
図６は、従来の大きいテーパ角と高い段差を有する画素分離膜を備えた有機電界発光表示装置において、エッジオープン不良の発生を示す写真である。図６を参照すると、画素分離膜をテーパ角が４０°よりも大きく、１００００Åの厚さで形成する場合、アノード電極と画素分離膜の境界面である開口部でエッジオープン不良が発生されることを示す。レーザ転写工程の際に画素分離膜の高い段差によって要求される高いエネルギーにより有機発光層の特性が変化して有機発光層の効率が３０％以下に低下された。このような場合、青色有機発光層は効果低下だけでなく、色座標も０．１５、０．１８から０．１７、０．２５に変わっており、赤色発光層の場合はエッジオープン不良が発生された部分で電子輸送層の発光により混色現象が発生した。
米国特許第６，２４６，１７９号明細書 特開２００１−１６８５６９号公報
本発明は、画素分離膜のテーパ角と段差を緩和させて有機発光層のエッジオープン不良を防ぐことができる有機電界発光表示装置を提供することにその目的がある。
本発明の他の目的は、レーザ転写法が適用できる有機電界発光表示装置を提供することにある。
このような本発明の目的を達成するために本発明は、ソース／ドレイン領域を備えた半導体層、前記ソース／ドレイン領域の一部を露出させるコンタクトホールを備えた第１絶縁膜、前記コンタクトホールを介して前記ソース／ドレイン領域に接続されるソース／ドレイン電極を備える薄膜トランジスタを含む絶縁基板と、前記第１絶縁膜上に形成され、前記ソース／ドレイン電極の中の一つに接続される下部電極と、前記下部電極の一部を露出させる第１開口部を備える第２絶縁膜と、前記下部電極の一部を露出させる第２開口部を備える第３絶縁膜と、前記第３絶縁膜と第２開口部の下部電極上に形成された有機薄膜層と、前記有機薄膜層上に形成された上部電極とを含み、前記開口部のエッジで第３絶縁膜は４０°以下のテーパ角を有し、前記下部電極と前記有機薄膜層との間の段差が３０００Å以下の段差を有し、前記第３絶縁膜の第２開口部により露出される下部電極の部分が前記第２絶縁膜の第１開口部によって露出される部分よりも小さいことを特徴とする有機電界発光表示装置を提供する。
前記第２絶縁膜はパッシベイション膜を含み、第３絶縁膜は画素分離膜を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置を提供する。
前記下部電極は、アノード電極とカソード電極の中の一つであり、前記上部電極は他の一つの電極であることを特徴とする有機電界発光表示装置を提供する。
前記下部電極は透過電極であり、前記上部電極は反射電極、または透過電極として作用し、前記有機薄膜層から発光される光が基板方向に放出されるか、または基板方向と基板反対方向に放出されることを特徴とする有機電界発光表示装置を提供する。
前記有機薄膜層は正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔抑制層、電子輸送層および電子注入層から選択される少なくとも一つの有機膜を含み、前記発光層はレーザ熱転写法によって形成された有機膜を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置を提供する。
以上、詳しく説明された本発明によれば、アノード電極の上部にテーパ角を緩和させられる有機薄膜を形成することによって、コンタクトホールおよびビアホール附近の不良および有機発光層の不良を防ぐことができ、信頼性および収率を向上させることができる。
上述では、本発明の好ましい実施形態を参照して説明したが、当該技術分野の熟練された当業者は、上述の特許請求の範囲に記載された本発明の思想および領域から逸脱しない範囲内で本発明を多様に修正および変更させることができることがわかる。
以下に、添付図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。
図７は、本発明の第１実施形態に係る全面発光型の有機電界発光表示装置を示す断面図である。図７を参照すると、絶縁基板３００上にバッファ層３０５が形成され、バッファ層３０５上にソース／ドレイン領域３１１、３１５を備える半導体層３１０が形成される。ゲート絶縁膜３２０上にゲート電極３２５が形成され、層間絶縁膜３３０上にコンタクトホール３３１、３３５を介して該ソース／ドレイン領域３１１、３１５に接続されるソース／ドレイン電極３４１、３４５が形成される。
パッシベイション３５０上に、平坦化膜３６０が形成され、該平坦化膜３６０上にビアホール３５５を介して前記ソース／ドレイン電極３４１、３４５の中から一つ、例えば、ドレイン電極３４５に接続される下部電極であるアノード電極３７０が形成される。アノード電極３７０の一部を露出させる開口部３７５を備えた画素分離膜３６５が平坦化膜３６０上に形成され、基板上に有機薄膜層３８５およびカソード電極３９０が順に形成される。前記有機薄膜層３８５は正孔注入層、正孔輸送層、Ｒ、ＧまたはＢ発光層、正孔抑制層、電子輸送層および電子注入層から選択される発光層を少なくとも含む。前記発光層は、レーザ熱転写法によって形成された有機薄膜層を含む。
本発明の実施形態では、画素分離膜の開口部エッジでのエッジオープン不良を防ぎ、レーザ熱転写法によって有機発光層の形成の際、高いエネルギーによる発光層の特性低下を防ぐために、前記画素分離膜３６５のテーパ角（θ３１）が４０°以下になることが好ましい、前記下部電極であるアノード電極３７０の上面から前記画素分離膜３６５の上面までの段差ｄ３１が３０００Å以下になることが好ましい。
図４は、本発明の実施形態のように有機電界発光表示装置の有機発光層を、レーザ転写法を用いて形成する場合、ドナーフィルムの曲率半径と有機発光層のエッジオープン不良との関係を示すグラフであり、図５は、テーパ角とエッジオープン不良との関係を示す図である。図５で、それぞれの線は、段差に対する曲率半径の比に当るエッジオープン不良を示すものである。
図４および図５を参照すると、ドナーフィルム４３の曲率半径Ｒと言うのは、レーザ転写のためにドナーフィルム４３を画素分離膜４１の開口部に密着させた場合、開口部にドナーフィルム４３が完全に密着されない状態でのドナーフィルム４３と基板とが成す曲率の半径を意味する。段差ｄ４と言うのは、下部電極であるアノード電極４０の上面から画素分離膜４１の上面までの段差を意味する。また、エッジオープン不良と言うのは、画素分離膜４１の開口部のエッジ部分で有機発光層が形成されずにオープンされることを意味する。
前記ドナーフィルム４３が画素分離膜４１の開口部で、基板と完全に密着されたと仮定し、すなわちアノード電極４０と画素分離膜４１にドナーフィルム４３が完全に密着したと仮定するとドナーフィルム４３の曲率半径Ｒは“０”になる。一方、ドナーフィルム４３が画素分離膜４１の開口部で基板と密着される程度が低ければ低いほどドナーフィルム４３の曲率半径Ｒは大きくなり、密着される程度が高ければ高いほどドナーフィルム４３の曲率半径Ｒは小さくなる。また、ドナーフィルム４３の曲率半径は画素分離膜４１のテーパ角が低く段差が低いほど小さくなる。
従って、ドナーフィルム４３の曲率半径が小さければ小さいほど有機発光層のエッジオープン不良が減少することがわかる。有機発光層のうち、エッジオープン不良が発生された部分は有機発光層が形成されてないので、混色により色座標が変わるなどの特性低下を招いている。
よって、このような特性低下を防ぐためには、エッジオープン不良を減少させなければならないが、エッジオープン不良を少なくとも１．０μｍ以下に抑えなければ、エッジオープン不良による混色を肉眼で感知することができ、また測定装置によっても感知される。従って、エッジオープン不良を１．０μｍ以下にするためには、図５の画素分離膜のテーパ角を４０°以下にすることが好ましい。また、図５で示すように、ドナーフィルムの曲率半径が小さいほど、また段差が小さいほどエッジオープン不良が減少することがわかる。
図１１は、本発明の第１実施形態に係るレーザ熱転写法で有機発光層が形成された有機電界発光表示装置の断面構造を示す写真である。図１１を参照すると、画素分離膜が４０°以下のテーパ角を有するように画素分離膜を形成し、アノード電極と画素分離膜との間の段差が３０００Å°以下になるように有機電界発光表示装置を製造する場合は、開口部のエッジ部分でレーザ熱転写による有機発光層が形成する際にエッジオープン不良が発生しないことを示す。
表１は、レーザ転写条件と、画素電極と画素分離膜との間の段差による、レーザ転写法により製作された素子の特性データを示すものである。
表１に使用された有機発光素子は、赤色発光素子で、相互異なるテーパ角と段差を有す
る赤色発光素子を製造して素子の特性を測定したものであり、各々１００００Å、５０００Åおよび３０００Åの段差と４０°および２０°のテーパ角を有する場合の素子の特性を測定したものである。前記各赤色発光素子は、アノード電極上に４０°および２０°のテーパ角と１００００Å、５０００Åおよび３０００Åの段差を有するように画素分離膜が形成される。画素分離膜を形成した後、スピンコーティング法により高分子電荷輸送層であるＰＥＤＯＴを５００Åの厚さで蒸着し、２００°で５分間、ホットプレートを用いてアニリング工程を実施する。
続いて、真空蒸着法により低分子正孔輸送層であるＮＰＢを３００Åの厚さで全面に蒸着する。次に、低分子Ｒ発光層（ＴＭＭ００４ホストにＴＥＲ００４が質量分率１２％ドーピングされた発光層）をレーザ転写法により３００Åの厚さでパターニングする。その後、正孔抑制層としてＢａｌｑを５０Åの厚さで、低分子電子輸送層であるＡｌｑ３を２００Åの厚さで連続蒸着する。次に、ＬｉＦ／Ａｌを抵抗加熱法で蒸着してカソード電極を形成する。その後、シーラントを利用して封止基板で封止させて赤色発光素子を製造する。
表１で、アノード電極と画素分離膜との間の段差が高い場合、レーザ転写法を用いて発光層をパターニングする際に高い段差によりレーザのエネルギーが増加することがわかる。これにより、有機発光層がレーザエネルギーによって特性が低下し効率が減少され、発光領域のエッジ部のオープン不良が発生された部分での正孔抑制層または電子輸送層の発光により色座標が悪くなったことを示す。
また、表１で、エッジオープン不良や特性低下がない赤色発光素子は０．６７、０．３３の赤座標と５．０Ｃｄ／Ａ以上の効率を有する。このような素子特性を満たせる条件は３０００Åの段差と４０°以下のテーパ角であることがわかる。
図８は、本発明の第２実施形態による全面発光型有機電界発光表示装置を示す断面図である。図８を参照すると、絶縁基板４００上にバッファ層４０５が形成され、バッファ層４０５上にソース/ドレイン領域４１１，４１５を備える半導体４１０が形成される。ゲート絶縁膜４２０上にゲート電極４２５が形成され、層間絶縁膜４３０上にコンタクトホール４３１、４３５を介してソース／ドレイン領域４１１，４１５に接続されるソース／ドレイン電極４１１，４４５が形成される。
パッシベイション膜４５０上に平坦化膜４６０が形成され、前記平坦化膜４６０上にビアホール４５５を介して前記ソース／ドレイン電極４４１，４４５の中の一つ、例えば、ドレイン電極４４５に接続される下部電極であるアノード電極４７０が形成される。基板上に有機薄膜層４８５とカソード電極４９０を形成する。前記有機薄膜層４８５は正孔注入層、正孔輸送層、Ｒ，ＧまたはＢ発光層、正孔抑制層、電子輸送層および電子注入層から選択される発光層を少なくとも含む。前記発光層はレーザ熱転写法によって形成される有機薄膜層を含む。
本発明の実施形態では、レーザ熱転写法により有機発光層形成の際、下部電極であるアノード電極のエッジ部分での段差による有機発光層のオープン不良を防ぐためにアノード電極４７０のテーパ角θ４１が４０°以下になることが好ましい。
図９は、本発明の第３実施形態に係る背面発光構造を有する有機電界発光表示装置を示す断面図である。図９を参照すると、絶縁基板５００上にバッファ層５０５が形成され、バッファ層５０５上にソース／ドレイン領域５１１，５１５を備える半導体層５１０が形成される。ゲート絶縁膜５２０上にゲート電極５２５が形成され、層間絶縁膜５３０上にコンタクトホール５３１，５３５を介してソース／ドレイン電極５４１，５４５が形成される。
パッシベイション膜５５０上にビアホール５５５を介して前記ソース／ドレイン電極５４１，５４５の中の一つ、例えば、ドレイン電極５４５に接続される下部電極であるアノード電極５７０が形成される。前記アノード電極５７０の一部を露出させる開口部５７５を備えた画素分離膜５６５が形成され、前記画素分離膜５６５と開口部５７５のアノード電極５７０上に有機薄膜層５８５および上部電極であるカソード電極５９０が形成される。前記有機薄膜層５８５は正孔注入層、正孔輸送層、Ｒ，ＧまたはＢ発光層、正孔抑制層、電子輸送層および電子注入層から選択される少なくとも一つの有機膜を含む。前記発光層はレーザ熱転写法によって形成された有機薄膜層を含む。
本発明の実施形態では、画素分離膜の開口部エッジでのエッジオープン不良を防ぎ、レーザ熱転写法による有機発光層形成の際に高いエネルギーによる発光層の特性低下を防ぐために、前記画素分離膜５６５のテーパ角θ５１が４０°以下になるのが好ましく、前記下部電極であるアノード電極５７０の上面から前記画素分離膜５６５の上面までの段差ｄ５１が３０００Å以下になることが好ましい。
図１０は、本発明の第４実施形態に係る有機電界発光表示装置を示す断面図である。図１０を参照すると、絶縁基板６００上にバッファ層６０５が形成され、バッファ層６０５上にソース／ドレイン領域６１１，６１５を備える半導体層６１０が形成される。ゲート絶縁膜６２０上にゲート電極６２５が形成され、層間絶縁膜６３０上にコンタクトホール６３１，６３５を介して前記ソース／ドレイン領域６１１，６１５に接続されるソース／ドレイン電極６４１，６４５が形成される。前記層間絶縁膜６３０上に、前記ソース／ドレイン電極６４１，６４５の中の一つ、例えば、ドレイン電極６４５に接続されるアノード電極６７０を形成する。
前記アノード電極６７０の一部を露出させる開口部６７５を備えるパッシベイション膜６５０が基板上に形成され、前記パッシベイション膜６５０上に前記アノード電極６７０の一部を露出させる開口部６７５を備えた画素分離膜６６５が形成される。
前記画素分離膜６６５および開口部６７５内のアノード電極６７０上に有機薄膜層６８５および上部電極であるカソード電極６９０が形成される。前記有機薄膜層６８５は正孔注入層、正孔輸送層、Ｒ、ＧまたはＢ発光層、正孔抑制層、電子輸送層および電子注入層から選択される少なくとも一つの有機膜を含む。前記発光層はレーザ熱転写法によって形成された有機薄膜層を含む。
本発明の実施形態では、画素分離膜の開口部エッジでのエッジオープン不良を防ぎ、レーザ熱転写法によって有機発光層形成の際に高いエネルギーによる発光層の特性低下を防ぐために、前記画素分離膜６６５のテーパ角θ６１が４０°以下になることが好ましく、前記下部電極であるアノード電極６７０の上面から前記画素分離膜６６５の上面までの段差ｄ６１が３０００Å以下になることが好ましい。
本発明の第４実施形態では、前記画素分離膜６６５の開口部６７５は第１テーパ角θ６１を有し、前記パッシベイション膜６５０の開口部６７５は第２テーパ角θ６２を有する。レーザ熱転写の際、エッジオープン不良は画素分離膜６６５の第１テーパ角θ６１によるので、前記画素分離幕６６５が４０°以下のテーパ角θ６１を有することが好ましい。前記画素分離膜６６５によるアノード電極６７０の開口面積が前記パッシベイション膜６５０によるアノード電極６７０の開口面積よりも小さい。
本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置では、下部電極であるアノード電極を透過電極で形成し、上部電極であるカソード電極を反射電極で形成して光が基板の方向に発光する背面発光構造、下部電極であるアノード電極を反射電極で形成し、カソード電極を透過電極で形成して光が基板の反対方向に発光する全面発光構造、そして下部電極であるアノード電極と上部電極であるカソード電極を透過電極で形成して光が基板の方向および基板の反対方向に発光する両面発光構造の表示装置に適用できる。
また、本発明の実施形態は、アノード電極、有機薄膜層およびカソード電極が順に積層された通常的な構造の有機電界発光表示装置に関して説明したが、カソード電極、有機発光層およびアノード電極が順に形成されたインバーティド構造の有機電界発光表示装置にも適用できる。
従来の有機電界発光表示装置を示す断面図である。 従来の画素分離膜を備えた有機電界発光表示装置を示す断面図である。 従来の画素分離膜を備えた有機電界発光表示装置において、レーザ熱転写法を用いて有機発光層を形成する方法を説明するための断面図である。 従来の画素分離膜を備えた有機電界発光表示装置において、レーザ熱転写法を用いて有機発光層を形成する方法を説明するための断面図である。 従来の画素分離膜を備えた有機電界発光表示装置において、レーザ熱転写法を用いて有機発光層を形成する方法を説明するための断面図である。 有機電界発光表示装置において、ドナーフィルムの曲率半径とオープンエッジ不良との関係を説明するためのグラフである。 有機電界発光表示装置において、オープンエッジ不良と画素分離膜のテーパ角との関係を説明するための図である。 従来の有機電界発光表示装置において、画素分離膜が高い段差と高いテーパ角を有する場合に発生するオープンエッジ不良を示す写真である。 本発明の第１実施形態に係る有機電界発光表示装置を示す断面図である。 本発明の第２実施形態に係る有機電界発光表示装置を示す断面図である。 本発明の第３実施形態に係る有機電界発光表示装置を示す断面図である。 本発明の第４実施形態に係る有機電界発光表示装置を示す断面図である。 本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置において、画素分離膜が低いテーパ角と低い段差を有する場合にオープンエッジ不良が発生しないことを示す写真である。
符号の説明
３００、４００、５００、６００ 絶縁基板
３０５、４０５、５０５、６０５ バッファ層
３１０、４１０、５１０、６１０ 半導体層
３２０、４２０、５２０、６２０ ゲート絶縁膜
３２５、４２５、５２５、６２５ ゲート電極
３３１、３３５、４３１、４３５、５３１、５３５、６３１、６３５ ソース／ドレイン電極
３４１、３４５、４４１、４４５、５４１、５４５、６４１、６４５ ソース／ドレイン電極
３５０、４５０、５５０、６５０ パッシベイション膜
３５５、４５５、５５５ ビアホール
３６０、４６０ 平坦化膜
３６５、５６５、６６５ 画素分離膜
３７０、４７０、５７０、６７０ アノード電極
３８５、４８５、５８５、６８５ 有機薄膜層
３９０、４９０、５９０、６９０ カソード電極

Claims (5)

  1. ソース／ドレイン領域を備えた半導体層、前記ソース／ドレイン領域の一部を露出させるコンタクトホールを備えた第１絶縁膜、前記コンタクトホールを介して前記ソース／ドレイン領域に接続されるソース／ドレイン電極を備える薄膜トランジスタを含む絶縁基板と、
    前記第１絶縁膜上に形成され、前記ソース／ドレイン電極の中の一つに接続される下部電極と、
    前記下部電極の一部を露出させる第１開口部を備える第２絶縁膜と、
    前記下部電極の一部を露出させる第２開口部を備える第３絶縁膜と、
    前記第３絶縁膜と第２開口部の下部電極上に形成された有機薄膜層と、
    前記有機薄膜層上に形成された上部電極とを含み、
    前記開口部のエッジで第３絶縁膜は４０°以下のテーパ角を有し、
    前記下部電極と前記有機薄膜層との間の段差が３０００Å以下の段差を有し、
    前記第３絶縁膜の第２開口部により露出される下部電極の部分が前記第２絶縁膜の第１開口部によって露出される部分よりも小さいことを特徴とする有機電界発光表示装置。
  2. 前記第２絶縁膜はパッシベイション膜を含み、第３絶縁膜は画素分離膜を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
  3. 前記下部電極は、アノード電極とカソード電極の中の一つであり、前記上部電極は他の一つの電極であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
  4. 前記下部電極は透過電極であり、前記上部電極は反射電極、または透過電極として作用し、前記有機薄膜層から発光される光が基板方向に放出されるか、または基板方向と基板反対方向に放出されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
  5. 前記有機薄膜層は正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔抑制層、電子輸送層および電子注入層から選択される少なくとも一つの有機膜を含み、前記発光層はレーザ熱転写法によって形成された有機膜を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
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