JP4071606B2 - フルカラー有機電界発光表示素子の製造方法 - Google Patents
フルカラー有機電界発光表示素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4071606B2 JP4071606B2 JP2002338475A JP2002338475A JP4071606B2 JP 4071606 B2 JP4071606 B2 JP 4071606B2 JP 2002338475 A JP2002338475 A JP 2002338475A JP 2002338475 A JP2002338475 A JP 2002338475A JP 4071606 B2 JP4071606 B2 JP 4071606B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- film
- insulating film
- thin film
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/18—Deposition of organic active material using non-liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
- Y10T428/24851—Intermediate layer is discontinuous or differential
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はフルカラー有機電界発光表示素子の構造及び製造方法に係り、さらに具体的にレーザー転写法で有機薄膜層をパターニングする時に絶縁膜と透明電極間の境界で発生する有機薄膜層のエッジ不良を防止できるフルカラー有機電界発光表示素子及びその製造方法に関する発明である。
【０００２】
【従来の技術】
有機ＥＬ(ＯＥＬＤ、Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｄｉｓｐｌａｙ)素子は蛍光性有機化合物薄膜に電流を流せば電子と正孔が有機化合物層で再結合しながら光を発生する現象を利用した自発光型表示素子である。このような有機ＥＬ素子は構造的に薄形、軽量で部品が簡素して、製造工程が簡単な長所を有する。また、光視野角確保、完壁な動映像と高色純度具現で高画質表示素子に適用可能であり、低消費電力、低電圧ＤＣ駆動でモバイル(Ｍｏｂｉｌｅ)素子に適合な電気的特性を有する。
【０００３】
このような有機電界発光表示素子は、駆動方式によってパッシブマトリックス(ＰＭ、Ｐａｓｓｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ)素子とアクティブマトリックス(ＡＭ、Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ)素子に区分される。ＰＭ素子は陽極と陰極の電極が相互交差するように単純マトリックス状で配列されて、これら間に有機化合物でなされた有機ＥＬ層が介在された構造であって、陰極と陽極の電極が交差する部分に一つの画素が形成される。このようなＰＭ素子はスキャンラインが順次に選択される時、データラインに印加される信号によって選択された画素が瞬間的に発光する駆動方式で、構造と工程が単純で、投資費用及び生産費用が少なくかかる長所がある反面、高解像度及び大面積化が難しくて消費電力が高い短所があって、スキャンラインが２００以下である１〜２インチの小型表示素子に適合である。
【０００４】
ＡＭ素子はスキャンラインとデータラインの交差部に、複数のＴＦＴと、ＴＦＴに連結された画素電極を含む画素が各々配列される構造であって、各画素の画素電極がＴＦＴによって駆動されて、スキャンラインとデータラインに掛かる電気的信号によって各画素が独立的に駆動する。このようなＡＭ素子は高解像度及び大面積化が可能であって、高画質具現が可能であり、消費電力が低くて寿命が比較的長いと言う長所を有する反面、投資費用及び生産費用がＰＭ素子に比べて高い短所があって、スキャンライン数が２００以上である３〜２０インチの表示素子に適合である。
【０００５】
一般的に、フルカラー有機電界発光表示素子は、陽極の透明電極上に順次形成された正孔注入層、正孔輸送層、発光のためのＲ、Ｇ、Ｂ有機薄膜層、電子輸送層、電子注入層及び陰極の多層構造を有する。前記有機薄膜層はシャドーマスクを利用した真空蒸着法または光エッチング法を利用して形成されるが、真空蒸着法の場合は物理的なギャップの最小値に限界があり、マスクの変形等によって数十μｍの微細パターンを有する有機電界発光表示素子には適用が難しくて大型化に限界がある。一方、光エッチング法は微細パターンの形成は可能であるが、現像液またはエッチング液等によって有機薄膜層の特性を低下させる問題点があった。
【０００６】
最近には、前記のような問題点を解決するために乾式エッチング工程である熱転写法を利用して有機薄膜層を形成する方法が出現している。熱転写法は光源から出た光を熱エネルギーに変換して、変換された熱エネルギーによってイメージ形成物質を基板に転写させて有機薄膜層のＲ、Ｇ、Ｂカラーパターンを形成する方法である。熱転写法を利用したカラーパターン形成技術は大別して光源からの光を調節する技術と転写フィルムに関する技術に大別して分けることができるが、光を調節する技術としては大体的に任意の値にフォーカス調節されたレーザービームを基板上に置いて転写フィルムで所望するパターンによってスキャニングする技術が用いられている。
【０００７】
米国特許第５，５２１，０３５号にはカラー物質を転写フィルムから基板にレーザー誘導熱転写してカラーフィルタを製造する技術が開示されたが、この技術はＮｄ：ＹＡＧレーザーを用いて基板の表面にカラー物質を転写する技術である。このとき、Ｎｄ：ＹＡＧレーザーはビームの形態がガウス関数分布を有するガウスビームを形成するようになるが、このようなガウスビームはその直径を大きく、大体６０μｍ以上にする場合ビームの中心点から遠ざかるほどエネルギー分布を緩慢にする特性を示すようになる。したがって所定直径のガウスビームでスキャニングしてカラーパターンを形成するようになれば、カラーパターンの縁部分ではビーム強さが弱まるので中心部位に比べてイメージ形成が低下して、カラーパターンの縁に対するイメージ品質問題をもたらすようになる。
【０００８】
一方、転写フィルムに対しては研究が活発に進行しているが、転写フィルムは大部分ＯＬＥＤで有機薄膜層のパターニング、カラーフィルタの形成またはスペーサの配置に用いられる。このような転写フィルムに対する特許ではＤ’Ａｕｒｅｌｉｏ ｅｔ ａｌのＵ．Ｓ．Ｐａｔ．Ｎｏ．５，２２０，３４８；Ｅｌｌｉｓ ｅｔ ａｌのＵ．Ｓ．Ｐａｔ．Ｎｏ．５，２５６，５０６；Ｂｉｌｌｓ ｅｔ ａｌのＵ．Ｓ．Ｐａｔ．Ｎｏ．５，２７８，０２３；Ｂｉｌｌｓ ｅｔ ａｌのＵ．Ｓ．Ｐａｔ．Ｎｏ．５，３０８，７３７；Ｉｓｂｅｒｇ ｅｔ ａｌのＵ．Ｓ．Ｐａｔ．Ｎｏ．５，９９８，０８５；Ｈｏｆｆｅｎｄ ｅｔ ａｌのＵ．Ｓ．Ｐａｔ．Ｎｏ．６，２２８，５５５；Ｗｏｌｋ ｅｔ ａｌのＵ．Ｓ．Ｐａｔ．Ｎｏ．６，１９４，１１９、６，１４０，００９；Ｉｓｂｅｒｇ ｅｔ ａｌのＵ．Ｓ．Ｐａｔ．Ｎｏ．６，０５７，０６７；Ｓｔａｒａｌ ｅｔ ａｌのＵ．Ｓ．Ｐａｔ．Ｎｏ．６，２８４，４２５；Ｊｅｆｆｒｅｙ ｅｔ ａｌのＵ．Ｓ．Ｐａｔ．Ｎｏ．６，２７０，９３４、Ｎｏ．６，１９０，８２６、Ｎｏ．５，９８１，１３６などがある。
【０００９】
転写フィルムに関する特許は主に熱転写ドナー素子(ｔhｅｒｍａｌ ｔｒａｎｓｆｅｒ ｄｏｎｏｒ ｅｌｅｍｅｎｔ)に係り、熱転写ドナー素子はベース層(ｂａｓｅ ｌａｙｅｒ)、光吸収層(ｒａｄｉａｔｉｏｎ ａｂｓｏｒｂｅｒ)及び転写層(ｔｒａｎｓｆｅｒ ｌａｙｅｒ)を含み、ガス生成用ポリマー層(ｇａｓ−ｇｅｎｅｒａｔｉｎｇ ｐｏｌｙｍｅｒ ｌａｙｅｒ)をさらに含む場合もある。
【００１０】
しかし、前記特許は大部分は転写フィルム技術にのみ限定されていて、カラー薄膜層のパターニング時カラー薄膜パターンの縁に対するイメージ品質、すなわち転写品質問題に対しては考慮されなかった。
【００１１】
通常的に、フルカラーＯＬＥＤはボトムゲート(ｂｏｔｔｏｍ ｇａｔｅ)構造またはトップゲート(ｔｏｐ ｇａｔｅ)構造の薄膜トランジスタが製作された基板上にＩＴＯ等でなされた透明電極を形成して、その上に前記透明電極が露出されるように絶縁膜を形成し、露出された透明電極上に有機ＥＬ層を形成して製作する。
【００１２】
このとき、透明電極のエッジ部分が絶縁膜によって覆われるように形成されるが、これは低分子ＯＬＥＤの場合は透明電極のパターンエッジから有機ＥＬ層の劣化現象による寿命短縮問題を解決して、一方、高分子ＯＬＥＤの場合は有機ＥＬ層を形成するためのインクジェット印刷時溶液が溜まることができるようにウォール(ｗａｌｌ)を形成するためである。このような技術はＥＰ ９６９７０１とＳＩＤ ９９ Ｄｉｇｅｓｔ Ｐ．３９６，ＩＥＥＥ’９９ Ｐ．１０７等でよく知られている。
【００１３】
一方、レーザー転写法を利用したフルカラーＯＬＥＤの製造方法は、韓国特許登録番号１０−０１９５１７５及び韓国特許出願番号２０００−４９２８７そしてＵＳ５，９９８，０８５に開示されている。レーザー転写法を利用したＯＬＥＤ製造方法は薄膜トランジスタが形成された基板に転写フィルムを密着させた次に光源から出た光で転写フィルムをスキャニングすれば光が転写フィルムの光吸収層に吸収されて熱エネルギーに転換されて、転換された熱エネルギーによって転写フィルムのイメージ形成物質が基板に転写されてＲ、Ｇ、Ｂ有機薄膜層のパターンを形成する。
【００１４】
従来には寄生キャパシタンスを考慮して、絶縁膜を５００ｎｍないし１０００ｎｍ或いはそれ以上に厚く形成した。これによってレーザー熱転写法を利用して有機薄膜層をパターニングする場合、図９に示したように、有機薄膜層のエッジで不良が発生することが分かる。
【００１５】
すなわち、絶縁膜のエッジ部分でカラーパターンがきちんと転写されないで取れたり、複数のピクセルにかけてカラーパターンが取れたりまたは正常的にカラーパターンが転写された場合にも転写境界がきれいでないなどの不良が発生するようになる。
【００１６】
このような不良は、有機ＥＬ層の下部に形成された下部膜の特性に影響を受けるが、下部膜が均一に形成されていなかったり、絶縁膜のエッジ部分で発光物質が蒸着されないで穴で残っている部分があったり、または下部膜が他の薄膜層との接着力が悪くて下部膜の形成特性が良くないことなどが影響を及ぼすようになる。特に、下部薄膜層との吸着力が良い発光物質の場合にはレーザー転写時に既に蒸着された下部薄膜層と一緒にカラーパターンが取れるようになる。
【００１７】
一方、透明電極と絶縁層の境界で有機薄膜層の不良を防止するための絶縁層の形成方法と関連した技術が米国特許５，６８４，３６５号に提示された。前記特許に提示されたＡＭタイプの有機電界発光表示素子の断面構造が図１に図示された。
【００１８】
図１を参照すると、絶縁基板１００上にソース／ドレイン領域１２４、１２５を備えたポリシリコンからなったアイランド状の半導体層１２０が形成されて、半導体層１２０を含んだ基板上にゲート絶縁膜１３０が形成されて、ゲート絶縁膜１３０上にゲート１３５が形成される。前記ゲート１３５を含んだゲート絶縁膜１３０上に前記ソース／ドレイン領域１２４、１２５を露出させるコンタクトホール１４４、１４５を備えた層間絶縁膜１４０が形成される。
【００１９】
前記層間絶縁膜１４０上には、前記コンタクトホール１４４を通して前記ソース領域１２４に連結されるソース電極１５４と、前記コンタクトホール１４５を通して前記ドレイン領域１２５に連結される画素電極１７０が形成される。
【００２０】
そして、前記画素電極１７０が露出されるように開口部１８５を備えた保護膜１８０が前記層間絶縁膜１４０に形成されて、開口部１８５に有機薄膜層１９０が形成されて、有機薄膜層１９０を含んだ保護膜１８０上に陰極１９５が形成された構造を有する。
【００２１】
このとき、前記保護膜１８０は、前記画素電極１７０を露出させる開口部１８５のエッジ、すなわち画素電極１７０上部の保護膜１８０が１０ないし３０゜のテーパエッジ(ｔａｐｅｒｅｄ ｅｄｇｅ)を有するように形成する。このような保護膜１８０のテーパエッジは後続工程で形成される有機薄膜層１９０の接着力(ａｄhｅｓｉｏｎ)を向上させて不良発生を防止するためのものである。
【００２２】
レーザー転写法を利用して有機薄膜層を製造する場合には前記のように、テーパ角を有するように絶縁膜を形成しても絶縁膜の厚さが５００μｍ以上である場合には有機薄膜層のエッジ不良が相変わらず発生する問題点があった。
【００２３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は前記のような従来技術の問題点を解決するためのものであり、画素電極の開口部のエッジ部部分で発生する有機ＥＬ層のパターン不良を防止できるフルカラー有機電界発光表示素子及びその製造方法を提供することにその目的がある。
【００２４】
本発明の他の目的は画素電極上の絶縁膜を５００ｎｍ以下の厚さを有するように形成して画素電極の開口部のエッジ部分における有機ＥＬ層のパターン不良を防止できるフルカラー有機電界発光表示素子及びその製造方法を提供することにその目的がある。
【００２５】
本発明の他の目的は詳細に後述される本発明の詳細な説明によってさらに明確になることである。
【００２６】
【課題を解決するための手段】
このような本発明の目的を達成するために本発明は基板上に形成された下部膜と；前記下部膜が露出されるように基板上に形成された絶縁膜と；前記露出された下部膜上に形成された有機薄膜層を含み、前記絶縁膜の厚さは５００ｎｍ以下であることを特徴とする表示素子を提供する。
【００２７】
本発明はまた基板上に形成されて、ソース／ドレイン電極を備えた薄膜トランジスタと；前記薄膜トランジスタのソースドレイン電極中の一つと連結される下部電極と；前記下部電極を露出するように前記基板上に形成された絶縁膜と；前記露出された下部電極上に形成された有機薄膜層を含み、前記絶縁膜の厚さは５００ｎｍ以下であることを特徴とする有機電界発光表示素子を提供する。
【００２８】
本発明はまた基板上に下部電極を形成する段階と；前記下部電極を露出させるように前記基板上に絶縁膜を形成する段階と；前記露出された下部電極上に有機薄膜層を形成する段階を含んで、前記絶縁膜の厚さは５００ｎｍ以下であることを特徴とする表示素子の製造方法を提供する。
【００２９】
前記表示素子の製造方法は、前記下部膜を形成する段階前に、前記基板上にソース／ドレイン電極を有した薄膜トランジスタを形成する段階をさらに含む。前記下部膜は下部電極であって、前記下部電極は前記薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極中の一つと電気的に連結される。前記有機薄膜層はレーザー転写法を利用して形成される。
【００３０】
前記絶縁膜の厚さは２００ｎｍ以下である。前記絶縁膜の厚さは１０ないし５００ｎｍである。前記絶縁膜の厚さは１００ないし２００ｎｍである。
【００３１】
前記絶縁膜は、前記下部膜のエッジ部分を覆うように形成される。前記絶縁膜中前記下部膜のエッジ部分に対応する部分の厚さは２００ｎｍ以下である。前記絶縁膜中前記下部膜のエッジ部分に対応する部分の厚さは１０ないし５００ｎｍである。前記絶縁膜中前記下部膜のエッジ部分に対応する部分の厚さは１００ないし２００ｎｍである。
【００３２】
前記下部膜に対する前記絶縁膜の段差は２００ｎｍ以下である。前記下部膜に対する前記絶縁膜の段差は１０ないし５００ｎｍである。前記下部膜に対する前記絶縁膜の段差は１００ｎｍないし２００ｎｍである。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら本発明を詳細に説明する。
【００３４】
図２は、本発明の第１実施例によるＰＭタイプ有機電界発光表示素子の断面構造を示したものである。図２を参照すると、絶縁基板２００上にＩＴＯのような透明電極の画素電極（下部膜）２７０が陽極として形成されて、前記画素電極２７０のエッジ部分を覆うように絶縁膜２８０が形成され、前記画素電極２７０上に有機薄膜層２９０が形成され、前記有機薄膜層２９０を含んだ絶縁膜２８０上に上部電極２９５として陰極が形成される。
【００３５】
前記絶縁膜２８０は５００ｎｍ以下の厚さで形成されるが、望ましくは１０ないし５００ｎｍ以下の厚さで形成される。特に、前記絶縁膜２８０は画素電極２７０のエッジ部分に形成された部分の厚さｄ２が５００ｎｍ以下になるように形成されるが、望ましくは１０ないし５００ｎｍになるように形成される。さらに望ましくは、前記絶縁膜２８０は前記画素電極２７０のエッジ部分に形成された部分の厚さｄ２が１００ないし２００ｎｍになるように形成される。
【００３６】
前記したような厚さを有する絶縁膜２８０上にレーザー転写法で有機薄膜層２９０を形成すれば図１０のように画素電極２７０と絶縁膜２８０間の境界における有機薄膜層のエッジ不良は発生しない。このとき、前記有機薄膜層２９０は正孔注入層(ＨＩＬ、hｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ)、正孔輸送層(ＨＴＬ、hｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ)、Ｒ、Ｇ、Ｂ有機発光(ＥＬ、ｅｌｅｃｔｒｏ ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ)層、電子輸送層(ＥＴＬ、ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ)、電子注入層(ＥＩＬ、ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ)などを含む。
【００３７】
図３は、本発明の第２実施例によるトップゲート薄膜トランジスタ有機電界発光表示素子の断面構造を示したものである。
【００３８】
図３を参照すると、第２実施例による有機電界発光表示素子は、絶縁基板３００上にバッファ層３１０が形成されて、前記バッファ層３１０上にトップゲート構造の薄膜トランジスタが形成される。前記薄膜トランジスタはバッファ層３１０上に形成された、ソース／ドレイン領域３２４、３２５を備えた半導体層３２０と、ゲート絶縁膜３３０上に形成されたゲート電極３３５と、コンタクトホール３４４、３４５を通して前記ソース／ドレイン領域３２４、３２５と電気的に連結される、層間絶縁膜３４０上に形成されたソース／ドレイン電極３５４、３５５を備える。
【００３９】
そして、前記薄膜トランジスタが形成された基板全面上に保護膜３６０が形成されて、前記保護膜３６０上にはビアホール３６５を通して前記ソース／ドレイン電極中の一つ、例えばドレイン電極３５５に電気的に連結される画素電極（下部電極）３７０が陽極として形成される。前記画素電極３７０を露出させる開口部３８５を備えた平坦化用絶縁膜３８０が前記画素電極３７０のエッジ部分を含んだ保護膜３６０上に形成される。前記開口部３８５の前記画素電極３７０上に有機薄膜層３９０が形成されて、有機薄膜層３９０を含んだ絶縁膜３８０上に上部電極３９５として陰極が形成される。
【００４０】
前記絶縁膜３８０は５００ｎｍ以下の厚さで形成されるが、望ましくは１０ないし５００ｎｍ以下の厚さで形成される。特に、前記絶縁膜３８０は画素電極３７０のエッジ部分に形成された部分の厚さｄ３が５００ｎｍ以下になるように形成されるが、望ましくは１０ないし５００ｎｍになるように形成される。さらに望ましくは、前記絶縁膜３８０は前記画素電極３７０のエッジ部分に形成された部分の厚さｄ３が１００ないし２００ｎｍになるように形成される。
【００４１】
前記したような厚さを有する絶縁膜３８０上にレーザー転写法で有機薄膜層３９０を形成すれば図１０のように開口部３８５のエッジ部分すなわち、画素電極３７０と絶縁膜３８０間の境界で有機薄膜層のエッジ不良は発生しない。このとき、前記有機薄膜層３９０は正孔注入層、正孔輸送層、Ｒ、Ｇ、Ｂ有機発光層、電子輸送層、電子注入層などを含む。
【００４２】
図４は、本発明の第３実施例によるトップゲート薄膜トランジスタ有機電界発光表示素子の断面構造を示したものである。
【００４３】
図４を参照すると、第３実施例による有機電界発光表示素子は絶縁基板４００上にバッファ層４１０が形成されて、前記バッファ層４１０上にトップゲート構造の薄膜トランジスタが形成される。前記薄膜トランジスタはバッファ層４１０上に形成された、ソース／ドレイン領域４２４、４２５を備えた半導体層４２０と、ゲート絶縁膜４３０上に形成されたゲート電極４３５と、コンタクトホール４４４、４４５を通して前記ソース／ドレイン領域４２４、４２５と電気的に連結される、層間絶縁膜４４０上に形成されたソース／ドレイン電極４５４、４５５を備える。
【００４４】
そして、前記薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極４５４中の一つ、例えばドレイン電極４５５と電気的に連結される画素電極４７０が陽極として前記層間絶縁膜４４０上に形成される。前記画素電極４７０を露出させる開口部４８５を備えた絶縁膜４８０が、前記画素電極４７０のエッジ部分を含んだ層間絶縁膜４４０上に形成されるが、前記絶縁膜４８０は保護膜または平坦膜のための絶縁膜である。前記開口部４８５の画素電極４７０上に有機薄膜層４９０が形成されて、有機薄膜層４９０を含んだ絶縁膜４８０上に上部電極４９５として陰極が形成される。
【００４５】
前記絶縁膜４８０は５００ｎｍ以下の厚さで形成されるが、望ましくは１０ないし５００ｎｍ以下の厚さで形成される。特に、前記絶縁膜４８０は画素電極４７０のエッジ部分に形成された部分の厚さｄ４が５００ｎｍ以下になるように形成されるが、望ましくは１０ないし５００ｎｍになるように形成される。さらに望ましくは、前記絶縁膜４８０は前記画素電極４７０のエッジ部分に形成された部分の厚さｄ４が１００ないし２００ｎｍになるように形成される。
【００４６】
前記のような厚さを有する絶縁膜４８０上にレーザー転写法で有機薄膜層４９０を形成すれば図１０のように開口部４８５のエッジ部分すなわち、画素電極４７０と絶縁膜４８０間の境界で有機薄膜層のエッジ不良は発生しない。このとき、前記有機薄膜層４９０は正孔注入層、正孔輸送層、Ｒ、Ｇ、Ｂ有機発光層、電子輸送層、電子注入層を含む。
【００４７】
図５は、本発明の第４実施例によるボトムゲート薄膜トランジスタ有機電界発光表示素子の断面構造を示したものである。
【００４８】
図５を参照すると、第４実施例による有機電界発光表示素子は、絶縁基板５００上にバッファ層５１０が形成されて、前記バッファ層５１０上にボトムゲート構造の薄膜トランジスタが形成される。前記薄膜トランジスタはバッファ層５１０上に形成されたゲート電極５３５と、ゲート絶縁膜５３５上に形成されたソース／ドレイン領域５２４、５２５を備えた半導体層５２０と、コンタクトホール５４４、５４５を通して前記ソース／ドレイン領域５２４、５２５と電気的に連結される、層間絶縁膜５４０上に形成されたソース／ドレイン電極５５４、５５５を備える。
【００４９】
そして、前記薄膜トランジスタが形成された基板全面上に保護膜５６０が形成されて、前記保護膜５６０上にはビアホール５６５を通して前記ソース／ドレイン電極中の一つ、例えばドレイン電極５５５に電気的に連結される画素電極５７０が陽極として形成される。前記画素電極５７０を露出させる開口部５８５を備えた平坦化用絶縁膜５８０が前記保護膜５６０上に形成される。前記開口部５８５の前記画素電極５７０上に有機薄膜層５９０が形成されて、有機薄膜層５９０を含んだ絶縁膜５８０上に上部電極５９５として陰極が形成される。
【００５０】
前記絶縁膜５８０は５００ｎｍ以下の厚さで形成されるが、望ましくは１０ないし５００ｎｍ以下の厚さで形成される。特に、前記絶縁膜５８０は画素電極５７０のエッジ部分に形成された部分の厚さｄ５が５００ｎｍ以下になるように形成されるが、望ましくは１０ないし５００ｎｍになるように形成される。さらに望ましくは、前記絶縁膜５８０は前記画素電極５７０のエッジ部分に形成された部分の厚さｄ５が１００ないし２００ｎｍになるように形成される。
【００５１】
前記したような厚さを有する絶縁膜５８０上にレーザー転写法で有機薄膜層５９０を形成すれば図１０のように開口部５８５のエッジ部分すなわち、画素電極５７０と絶縁膜５８０間の境界で有機薄膜層のエッジ不良は発生しない。このとき、前記有機薄膜層５９０は正孔注入層、正孔輸送層、Ｒ、Ｇ、Ｂ有機発光層、電子輸送層、電子注入層などを含む。
【００５２】
図６は、本発明の第５実施例によるボトムゲート薄膜トランジスタ有機電界発光表示素子の断面構造を示したものである。
【００５３】
図６を参照すると、第５実施例による有機電界発光表示素子は、絶縁基板６００上にバッファ層６１０が形成されて、前記バッファ層６１０上にボトムゲート構造の薄膜トランジスタが形成される。前記薄膜トランジスタはバッファ層６１０上に形成されたゲート電極６３５と、ゲート絶縁膜６３０上に形成されたソース／ドレイン領域６２４、６２５を備えた半導体層６２０と、コンタクトホール６４４、６４５を通して前記ソース／ドレイン領域６２４、６２５と電気的に連結される、層間絶縁膜６４０上に形成されたソース／ドレイン電極６５４、６５５を備える。
【００５４】
そして、前記薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極６５４中の一つ、例えばドレイン電極６５５と電気的に連結される画素電極６７０が陽極として前記層間絶縁膜６４０上に形成される。前記画素電極６７０を露出させる開口部６８５を備えた絶縁膜６８０が前記画素電極６７０のエッジ部分を含んだ層間絶縁膜６４０上に形成されるが、前記絶縁膜６８は保護膜または平坦膜のための絶縁膜である。前記開口部６８５の画素電極６７０上に有機薄膜層６９０が形成されて、有機薄膜層６９０を含んだ絶縁膜６８０上に上部電極６９５が陰極として形成される。
【００５５】
前記絶縁膜６８０は５００ｎｍ以下の厚さで形成されるが、望ましくは１０ないし５００ｎｍ以下の厚さで形成される。特に、前記絶縁膜６８０は画素電極６７０のエッジ部分に形成された部分の厚さｄ６が５００ｎｍ以下になるように形成されるが、望ましくは１０ないし５００ｎｍになるように形成される。さらに望ましくは、前記絶縁膜６８０は前記画素電極６７０のエッジ部分に形成された部分の厚さｄ６が１００ないし２００ｎｍになるように形成される。
【００５６】
前記のような厚さを有する絶縁膜６８０上にレーザー転写法で有機薄膜層６９０を形成すれば図１０のように開口部６８５のエッジ部分すなわち、画素電極６７０と絶縁膜６８０間の境界で有機薄膜層のエッジ不良は発生しない。このとき、前記有機薄膜層６９０は正孔注入層、正孔輸送層、Ｒ、Ｇ、Ｂ有機発光層、電子輸送層、電子注入層などを含む。
【００５７】
本発明の実施例は、レーザー転写法を利用して有機電界発光表示素子を製作するために、レーザー転写法に適合な新しい基板構造を提案する。レーザー転写法を利用して有機電界発光表示素子を製作するためには、有機ＥＬ用高分子を転写フィルム上にコーティングまたは蒸着した後対象基板に転写しなければならない。それゆえ、転写された有機ＥＬ材料の転写特性及び発光特性は薄膜トランジスタが形成された基板の構造に多くの影響を受ける。したがって、本発明では有機薄膜層真下部の絶縁膜の厚さを限定して形成することによってレーザー転写法によって有機薄膜層を不良なしに容易に形成するようにした。
【００５８】
以下、本発明の実施例による有機電界発光表示素子の製造方法を説明すると次のとおりである。
【００５９】
図７Ａないし図７Ｄは、本発明の一実施例によるトップゲート薄膜トランジスタ有機電界発光表示素子の製造方法を説明するための工程断面図を示したものである。本発明の一実施例による製造方法は図３に示したような断面構造を有する有機電界発光表示素子の製造方法に関して説明するものである。
【００６０】
図７Ａを参照すると、ＡＭ ＯＬＥＤ用絶縁基板３００としてガラス基板を洗浄して、前記絶縁基板３００上にバッファ層３１０としてＳｉＯ２を形成して、前記バッファ層３１０上にポリシリコン膜からなった半導体層３２０を形成する。前記半導体層３２０の形成方法は例えば、前記バッファ層３１０上に非晶質シリコン膜をＰＥＣＶＤを利用して蒸着して、エキサイマーレーザーを利用して前記蒸着された非晶質シリコン膜をポリシリコン膜に結晶化し、結晶化されたポリシリコン膜をパターニングしてアイランド状の半導体層３２０を形成する。
【００６１】
続いて、前記半導体層３２０を含んだバッファ層３１０上にＳｉＯ２のようなゲート絶縁膜３３０を形成して、前記半導体層３２０に対応する前記ゲート絶縁膜３３０上にゲート電極３３５を形成する。前記ゲート電極３３５をマスクとして前記半導体層３２０に所定導電型、例えば、ｎ型またはｐ型不純物中の一つをイオン注入してソース／ドレイン領域３２４、３２５を形成する。
【００６２】
次に、基板全面にＳｉＮｘのような層間絶縁膜３４０を形成して、前記層間絶縁膜３４０とゲート絶縁膜３３０をエッチングして前記ソース／ドレイン領域３２４、３２５を各々露出させるコンタクトホール３４４、３４５を形成する。層間絶縁膜３４０上にソース／ドレイン電極物質を蒸着した次にパターニングして前記コンタクトホール３４４、３４５を通して前記ソース／ドレイン領域３２４、３２５と各々コンタクトされるソース／ドレイン電極３５４、３５５を形成する。
【００６３】
図７Ｂを参照すると、前記ソース／ドレイン電極３５４、３５５を含んだ層間絶縁膜３４０上にＳｉＯ２のような保護膜３６０を形成して、前記保護膜３６０をエッチングして前記ソース／ドレイン電極３５４、３５５中の一つ、例えばドレイン電極３５５を露出させるビアホール３６５を形成する。
【００６４】
続いて、前記ビアホール３６５を含んだ保護膜３６０上に透明導電膜、例えばＩＴＯを２００ｎｍの厚さでスパッタリングして蒸着して、乾式エッチングして陽極として画素電極３７０を形成する。
【００６５】
続いて、前記層間絶縁膜３６０上に前記画素電極３７０のエッジ部分を覆うように平坦化用絶縁膜３８０を形成するが、アクリルを１３００ｒｐｍの速度で３５０ｎｍの厚さにスピンコーティングしてパターニングして開口部３８５を限定して続いて２２０℃でベーキングして、最終的に前記画素電極３７０のエッジ部分に形成された部分が所定の厚さｄ３、例えば２５０ｎｍの厚さを有し、開口部３８５のエッジ部分で１５゜の傾斜角を有する絶縁膜３８０を形成する。
【００６６】
図７Ｃ及び図７Ｄは、レーザー転写法を利用して開口部３８５内の画素電極３７０上に有機薄膜層３９０を形成する工程であって、まずＰＥＤＯＴを３０００ｒｐｍで５０ｎｍの厚さにスピンコーティングして２００℃で５分間熱処理して正孔輸送層３９０ａを形成する。続いて、Ｒ、Ｇ、Ｂ発光層のための３枚の転写フィルムを製造するが、本発明の実施例ではＲ、Ｇ、Ｂ発光層のための３枚の転写フィルム中１枚の転写フィルム、例えばＲ発光層のための転写フィルム３０に対して説明する。
【００６７】
光吸収層３２が形成されたベースフィルム３１上に発光層形成物質であるＲカラーを各々１．０ｗｔ／Ｖ％の濃度のキシレン(ｘｙｌｅｎｅ)溶液を利用して２０００ｒｐｍの速度でスピンコーティングして８０ｎｍの厚さを有するＲカラーのための転写層３３を形成して転写フィルム３０を製造する。
【００６８】
転写フィルム３０を正孔輸送層３９０ａがコーティングされた基板上に真空で固定した後、赤外線(ＩＲ、ｉｎｆｒａｒｅｄ ｒａｄｉａｔｉｏｎ)レーザー３５を利用して所望するパターンで転写してＲ発光層３９０ｂを形成する。これによって、正孔輸送層３９０ａとＲ発光層３９０ｂを備えた有機薄膜層３９０が形成される。
【００６９】
前記のような方法でＲ、Ｂカラーのための転写フィルムを製造して転写すればＲ、Ｇ、Ｂフルカラーのための有機薄膜層３９０が形成されて、前記有機薄膜層３９０は前記Ｒ、Ｇ、Ｂ有機発光層と正孔輸送層外に正孔注入層、電子注入層、電子輸送層をさらに含む場合もある。
【００７０】
最終的に、有機薄膜層３９０をレーザー転写法を利用してパターニングした後Ｃａ／Ａｇを各々３０ｎｍ、２７０ｎｍの厚さで蒸着して陰極として上部電極３９５を形成する。以後、封止方法によって封止してＡＭ ＯＬＥＤを製作する。前記したように製作された有機電界発光表示素子は有機薄膜層下部の絶縁膜の厚さを５００ｎｍ以下に形成することによって、開口部にレーザー転写法で転写されたＲ、Ｇ、Ｂ発光層が取れる不良を防止するようになる。
【００７１】
図８Ａないし図８Ｄは、本発明の他の実施例によるボトムゲート薄膜トランジスタ有機電界発光表示素子の製造方法を説明するための工程断面図を示したものである。本発明の他の実施例による製造方法は図５に示したような断面構造を有する有機電界発光表示素子の製造方法に関して説明するものである。
【００７２】
図８Ａを参照すると、ＡＭ ＯＬＥＤ用絶縁基板５００としてガラス基板を洗浄して、前記絶縁基板５００上にバッファ層５１０としてＳｉＯ２を形成し、前記バッファ層５１０上にゲート電極５３５を形成する。前記ゲート電極５３５を含んだバッファ層５１０上にゲート絶縁膜５３０を形成して、前記ゲート電極５３５に対応するゲート絶縁膜５３０上にポリシリコン膜からなった半導体層５２０を形成する。前記半導体層５２０の形成方法は例えば、前記バッファ層５１０上に非晶質シリコン膜をＰＥＣＶＤを利用して蒸着して、エキサイマーレーザーを利用して前記蒸着された非晶質シリコン膜をポリシリコン膜に結晶化し、結晶化されたポリシリコン膜をパターニングしてアイランド状の半導体層５２０を形成する。
【００７３】
続いて、前記半導体層５２０に所定導電型、例えば、ｎ型またはｐ型不純物中の一つをイオン注入してソース／ドレイン領域５２４、５２５を形成する。基板全面にＳｉＮｘのような層間絶縁膜５４０を形成して、前記層間絶縁膜５４０とゲート絶縁膜５３０をエッチングして前記ソース／ドレイン領域５２４、５２５を各々露出させるコンタクトホール５４４、５４５を形成する。層間絶縁膜５４０上にソース／ドレイン電極物質を蒸着した次にパターニングして前記コンタクトホール５４４、５４５を通して前記ソース／ドレイン領域５２４、５２５と各々コンタクトされるソース／ドレイン電極５５４、５５５を各々形成する。
【００７４】
図８Ｂに示したように、前記ソース／ドレイン電極５５４、５５５を含んだ層間絶縁膜５４０上に保護膜５６０でＳｉＯ２を形成して、前記保護膜５６０をパターニングして前記ソース／ドレイン電極５５４、５５５中の一つ、例えばドレイン電極５５５を露出させるビアホール５６５を形成する。前記ビアホール５６５を含んだ保護膜５６０上に透明導電膜でＩＴＯ膜を２００ｎｍの厚さでスパター蒸着してパターニングして陽極として画素電極５７０を形成する。
【００７５】
続いて、前記保護膜５６０上に前記画素電極５７０のエッジ部分を覆うように開口部５８５を備えた平坦化用絶縁膜５８０を形成するが、アクリルを１３００ｒｐｍの速度で３５０ｎｍの厚さにスピンコーティングしてパターニングして開口部５８５を限定して２２０℃でベーキングして、最終的に前記画素電極３７０のエッジ部分に形成された部分の厚さｄ５が２５０ｎｍになって、開口部５８５のエッジ部分で１５゜の傾斜角を有する絶縁膜５８０を形成する。
【００７６】
図８Ｃ及び図８Ｄは、レーザー転写法でフルカラー有機薄膜層５９０を形成する工程であって、まず基板全面に正孔輸送層５９０ａを形成するが、ＰＥＤＯＴを３０００ｒｐｍで５０ｎｍの厚さにスピンコーティングして２００℃で５分間熱処理して正孔輸送層５９０ａを形成する。続いて、Ｒ、Ｇ、Ｂ発光層のための３枚の転写フィルムを製造するが、本発明の実施例ではＲ、Ｇ、Ｂ発光層のための３枚の転写フィルム中１枚の転写フィルム、例えばＲ発光層のための転写フィルム５０に対して説明する。
【００７７】
光吸収層５２を備えたベースフィルム５１上に発光層形成物質であるＲカラーを１．０ｗｔ／Ｖ％の濃度のキシレン溶液を利用して２０００ｒｐｍの速度でスピンコーティングして８０ｎｍの厚さを有する転写層５３を形成して転写フィルム５０を製造する。続いて、Ｒ転写フィルム５０を正孔輸送層５９０ａがコーティングされた基板上に真空で固定した後ＩＲレーザー５５を利用して所望するパターンで転写してＲ発光層５９０ｂを形成する。これによって、正孔輸送層５９０ａとＲ発光層５９０ｂを備えた有機薄膜層５９０が形成される。
【００７８】
前記のような方法でＲ、Ｂカラーのための転写フィルムを製造して転写すればＲ、Ｇ、Ｂフルカラーのための有機薄膜層５９０が形成されて、前記有機薄膜層５９０は前記Ｒ、Ｇ、Ｂ有機発光層と正孔輸送層外に正孔注入層、電子注入層、電子輸送層をさらに含む場合もある。
【００７９】
最終的に有機薄膜層５９０をレーザー転写法を利用してパターニングした後Ｃａ／Ａｇを各々３０ｎｍ、２７０ｎｍの厚さで蒸着して陰極として上部電極５９５を形成する。以後封止方法によって封止してＡＭ ＯＬＥＤを製作する。前記したように製作された有機電界発光表示素子は有機薄膜層下部の絶縁膜の厚さを５００ｎｍ以下に形成することによって、開口部にレーザー転写法で転写されたＲ、Ｇ、Ｂ発光層が取れる不良は防止される。
【００８０】
本発明の実施例による有機電界発光表示素子の製造工程は、図３及び図５に示したような断面構造を有する素子に関して説明したが、図４及び図６に示したような断面構造を有する素子に対しても同一に適用されうる。図４に示した素子の場合には層間絶縁膜４４０上にソース／ドレイン電極４５４、４５５を形成して、前記層間絶縁膜４４０上に前記ドレイン電極４５５に連結される画素電極４７０を形成する。
【００８１】
続いて、ドレイン電極４５５と画素電極４７０を分離させるための保護膜の形成工程なしに直ちに層間絶縁膜４４０上に保護膜または平坦化膜のための絶縁膜４８０でアクリルを前記製造工程で説明したような方法で製造する。
【００８２】
図４に適用される工程は、図６に示した断面構造を有する素子にも同一に適用することができる。
【００８３】
図９は、図１に示した従来の有機電界発光表示素子において、レーザー転写法を利用してＲ、Ｇ、Ｂの有機薄膜層をパターニングする時、画素電極１７０のエッジ部分上に形成された絶縁膜１８０がその厚さが５００〜１０００ｎｍの範囲で形成されたり或いはそれ以上に形成される時あらわれる不良Ｆの形態を示している。すなわち、絶縁膜の境界部分で取れた不良や複数のピクセルの境界面にかけて取れる不良、エッジからピクセル内部にまで取れた不良、或いは境界面がきたならしく取れている不良などを示す。
【００８４】
図１０は、本発明の実施例による有機電界発光表示素子において、有機薄膜層のパターンを示す図面である。本発明の実施例のように画素電極のエッジ部分上に形成される絶縁膜をその厚さが５００ｎｍ以下望ましくは２００ｎｍ以下に形成した場合には図１０のように安定したカラーパターンを得ることができることが分かる。
【００８５】
本発明ではレーザー転写法によって有機ＥＬ層をパターニングする時熱と圧力によって転写フィルム上に存在する発光層形成物質を基板に転写するようになるが、５０ないし１００ｎｍの厚さを有する発光層形成物質を含む転写フィルムは開口部で絶縁膜と下部電極である透明電極間に段差が大きい場合には、例えば５００ｎｍ以上である場合には基板に密着されないで浮かんでいる状態になる。
【００８６】
このような状態でレーザー転写時加えられる熱と圧力によって開口部の絶縁膜と透明電極のエッジ部分で有機薄膜層が裂けるようになり、転写が不完全になって図９のような不良が発生することである。
【００８７】
したがって、本発明ではこのような不良を除去するために絶縁膜と下部電極間の段差が５００ｎｍ以下になるように絶縁膜の厚さを調節して図１０のように不良の発生を防止することである。
【００８８】
有機電界発光表示素子で、透明電極の上部に形成される絶縁膜は表面を平坦化するためのものであって、その上部に形成される上部電極である陰極との間に発生する場合もある寄生キャパシタンスを防止するために従来には１μｍ以上の厚さで形成したが、本発明では絶縁膜の厚さを５００ｎｍ以下に形成しても寄生キャパシタンス問題は発生しない。
【００８９】
【発明の効果】
以上で詳細に説明したような本発明によると、有機薄膜層下部に形成される絶縁膜を５００ｎｍ以下の厚さで形成することによって、レーザー転写法による有機薄膜層のパターニング時、開口部のエッジ部分すなわち、絶縁膜と透明電極間の境界で有機薄膜層のエッジ不良を防止でき、これにより画素電極のエッジ部分におけるカラーパターンのイメージ特性を向上させることができる利点がある。また、相対的に絶縁膜の厚さが薄くなるので、有機電界発光表示素子の特性を向上させることができる利点がある。
【００９０】
また、本発明はＰＭタイプの有機電界発光表示素子、各々のＲ、Ｇ、Ｂ発光層を採用するサブピクセル内に二個以上の薄膜トランジスタを備えるＡＭタイプの有機電界発光表示素子に適用可能なだけでなくレーザー転写法を利用するカラーパターン間に隔壁を備えた表示素子にすべて適用可能な利点がある。
【００９１】
前記では本発明の望ましい実施例を参照して説明したが、該技術分野の熟練した当業者は特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から外れない範囲内で本発明を多様に修正及び変更させることができることを理解できることである。
【図面の簡単な説明】
【図１】 従来の有機電界発光表示素子の断面構造図である。
【図２】 本発明の第１実施例によるＰＭタイプの有機電界発光表示素子の断面構造図である。
【図３】 本発明の第２実施例によるトップゲート薄膜トランジスタ有機電界発光表示素子の断面構造図である。
【図４】 本発明の第３実施例によるトップゲート薄膜トランジスタ有機電界発光表示素子の断面構造図である。
【図５】 本発明の第４実施例によるボトムゲート薄膜トランジスタ有機電界発光表示素子の断面構造図である。
【図６】 本発明の第５実施例によるボトムゲート薄膜トランジスタ有機電界発光表示素子の断面構造図である。
【図７Ａ】 本発明の実施例によるトップゲート薄膜トランジスタ有機電界発光表示素子の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図７Ｂ】 図７Ａの次の段階を示す工程断面図である。
【図７Ｃ】 図７Ｂの次の段階を示す工程断面図である。
【図７Ｄ】 図７Ｃの次の段階を示す工程断面図である。
【図８Ａ】 本発明の他の実施例によるボトムゲート薄膜トランジスタ有機電界発光表示素子の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図８Ｂ】 図８Ａの次の段階を示す工程断面図である。
【図８Ｃ】 図８Ｂの次の段階を示す工程断面図である。
【図８Ｄ】 図８Ｃの次の段階を示す工程断面図である。
【図９】 従来のレーザー転写法を利用して有機電界発光表示素子を製造する時、透明電極と絶縁層の境界で発生する有機薄膜層のエッジ不良を示す図面である。
【図１０】 本発明の実施例によるレーザー転写法を利用して有機電界発光表示素子を製造する時、エッジ不良なしに安定的に形成された有機薄膜層を示す図面である。
【符号の説明】
２００ 基板
２７０ 画素電極（下部膜）
２８０ 絶縁膜
２９０ 有機薄膜層
２９５ 上部電極
３００ 基板
３２４、３２５ ソース／ドレイン領域
３３０ ゲート絶縁膜
３３５ ゲート電極
３４０ 層間絶縁膜
３５４、３５５ ソース／ドレイン電極
３６０ 保護膜
３６５ ビアホール
３７０ 画素電極（下部電極）
３８０ 絶縁膜
３８５ 開口部
３９０ 有機薄膜層
３９５ 上部電極
４００ 基板
４２４、４２５ ソース／ドレイン領域
４３０ ゲート絶縁膜
４３５ ゲート電極
４４０ 層間絶縁膜
４４４、４４５ コンタクトホール
４５４、４５５ ソース／ドレイン電極
４７０ 画素電極
４８０ 絶縁膜
４８５ 開口部
４９０ 有機薄膜層
４９５ 上部電極
５００ 基板
５２４、５２５ ソース／ドレイン領域
５３５ ゲート電極
５４０ 層間絶縁膜
５４４、５４５ コンタクトホール
５５４、５５５ ソース／ドレイン電極
５６０ 保護膜
５６５ ビアホール
５７０ 画素電極
５８０ 絶縁膜
５８５ 開口部
５９０ 有機薄膜層
５９５ 上部電極
６００ 基板
６２４、６２５ ソース／ドレイン領域
６３５ ゲート電極
６４０ 層間絶縁膜
６４４、６４５ コンタクトホール
６５４、６５５ ソース／ドレイン電極
６７０ 画素電極
６８０ 絶縁膜
６８５ 開口部
６９０ 有機薄膜層
６９５ 上部電極
【発明の属する技術分野】
本発明はフルカラー有機電界発光表示素子の構造及び製造方法に係り、さらに具体的にレーザー転写法で有機薄膜層をパターニングする時に絶縁膜と透明電極間の境界で発生する有機薄膜層のエッジ不良を防止できるフルカラー有機電界発光表示素子及びその製造方法に関する発明である。
【０００２】
【従来の技術】
有機ＥＬ(ＯＥＬＤ、Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｄｉｓｐｌａｙ)素子は蛍光性有機化合物薄膜に電流を流せば電子と正孔が有機化合物層で再結合しながら光を発生する現象を利用した自発光型表示素子である。このような有機ＥＬ素子は構造的に薄形、軽量で部品が簡素して、製造工程が簡単な長所を有する。また、光視野角確保、完壁な動映像と高色純度具現で高画質表示素子に適用可能であり、低消費電力、低電圧ＤＣ駆動でモバイル(Ｍｏｂｉｌｅ)素子に適合な電気的特性を有する。
【０００３】
このような有機電界発光表示素子は、駆動方式によってパッシブマトリックス(ＰＭ、Ｐａｓｓｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ)素子とアクティブマトリックス(ＡＭ、Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ)素子に区分される。ＰＭ素子は陽極と陰極の電極が相互交差するように単純マトリックス状で配列されて、これら間に有機化合物でなされた有機ＥＬ層が介在された構造であって、陰極と陽極の電極が交差する部分に一つの画素が形成される。このようなＰＭ素子はスキャンラインが順次に選択される時、データラインに印加される信号によって選択された画素が瞬間的に発光する駆動方式で、構造と工程が単純で、投資費用及び生産費用が少なくかかる長所がある反面、高解像度及び大面積化が難しくて消費電力が高い短所があって、スキャンラインが２００以下である１〜２インチの小型表示素子に適合である。
【０００４】
ＡＭ素子はスキャンラインとデータラインの交差部に、複数のＴＦＴと、ＴＦＴに連結された画素電極を含む画素が各々配列される構造であって、各画素の画素電極がＴＦＴによって駆動されて、スキャンラインとデータラインに掛かる電気的信号によって各画素が独立的に駆動する。このようなＡＭ素子は高解像度及び大面積化が可能であって、高画質具現が可能であり、消費電力が低くて寿命が比較的長いと言う長所を有する反面、投資費用及び生産費用がＰＭ素子に比べて高い短所があって、スキャンライン数が２００以上である３〜２０インチの表示素子に適合である。
【０００５】
一般的に、フルカラー有機電界発光表示素子は、陽極の透明電極上に順次形成された正孔注入層、正孔輸送層、発光のためのＲ、Ｇ、Ｂ有機薄膜層、電子輸送層、電子注入層及び陰極の多層構造を有する。前記有機薄膜層はシャドーマスクを利用した真空蒸着法または光エッチング法を利用して形成されるが、真空蒸着法の場合は物理的なギャップの最小値に限界があり、マスクの変形等によって数十μｍの微細パターンを有する有機電界発光表示素子には適用が難しくて大型化に限界がある。一方、光エッチング法は微細パターンの形成は可能であるが、現像液またはエッチング液等によって有機薄膜層の特性を低下させる問題点があった。
【０００６】
最近には、前記のような問題点を解決するために乾式エッチング工程である熱転写法を利用して有機薄膜層を形成する方法が出現している。熱転写法は光源から出た光を熱エネルギーに変換して、変換された熱エネルギーによってイメージ形成物質を基板に転写させて有機薄膜層のＲ、Ｇ、Ｂカラーパターンを形成する方法である。熱転写法を利用したカラーパターン形成技術は大別して光源からの光を調節する技術と転写フィルムに関する技術に大別して分けることができるが、光を調節する技術としては大体的に任意の値にフォーカス調節されたレーザービームを基板上に置いて転写フィルムで所望するパターンによってスキャニングする技術が用いられている。
【０００７】
米国特許第５，５２１，０３５号にはカラー物質を転写フィルムから基板にレーザー誘導熱転写してカラーフィルタを製造する技術が開示されたが、この技術はＮｄ：ＹＡＧレーザーを用いて基板の表面にカラー物質を転写する技術である。このとき、Ｎｄ：ＹＡＧレーザーはビームの形態がガウス関数分布を有するガウスビームを形成するようになるが、このようなガウスビームはその直径を大きく、大体６０μｍ以上にする場合ビームの中心点から遠ざかるほどエネルギー分布を緩慢にする特性を示すようになる。したがって所定直径のガウスビームでスキャニングしてカラーパターンを形成するようになれば、カラーパターンの縁部分ではビーム強さが弱まるので中心部位に比べてイメージ形成が低下して、カラーパターンの縁に対するイメージ品質問題をもたらすようになる。
【０００８】
一方、転写フィルムに対しては研究が活発に進行しているが、転写フィルムは大部分ＯＬＥＤで有機薄膜層のパターニング、カラーフィルタの形成またはスペーサの配置に用いられる。このような転写フィルムに対する特許ではＤ’Ａｕｒｅｌｉｏ ｅｔ ａｌのＵ．Ｓ．Ｐａｔ．Ｎｏ．５，２２０，３４８；Ｅｌｌｉｓ ｅｔ ａｌのＵ．Ｓ．Ｐａｔ．Ｎｏ．５，２５６，５０６；Ｂｉｌｌｓ ｅｔ ａｌのＵ．Ｓ．Ｐａｔ．Ｎｏ．５，２７８，０２３；Ｂｉｌｌｓ ｅｔ ａｌのＵ．Ｓ．Ｐａｔ．Ｎｏ．５，３０８，７３７；Ｉｓｂｅｒｇ ｅｔ ａｌのＵ．Ｓ．Ｐａｔ．Ｎｏ．５，９９８，０８５；Ｈｏｆｆｅｎｄ ｅｔ ａｌのＵ．Ｓ．Ｐａｔ．Ｎｏ．６，２２８，５５５；Ｗｏｌｋ ｅｔ ａｌのＵ．Ｓ．Ｐａｔ．Ｎｏ．６，１９４，１１９、６，１４０，００９；Ｉｓｂｅｒｇ ｅｔ ａｌのＵ．Ｓ．Ｐａｔ．Ｎｏ．６，０５７，０６７；Ｓｔａｒａｌ ｅｔ ａｌのＵ．Ｓ．Ｐａｔ．Ｎｏ．６，２８４，４２５；Ｊｅｆｆｒｅｙ ｅｔ ａｌのＵ．Ｓ．Ｐａｔ．Ｎｏ．６，２７０，９３４、Ｎｏ．６，１９０，８２６、Ｎｏ．５，９８１，１３６などがある。
【０００９】
転写フィルムに関する特許は主に熱転写ドナー素子(ｔhｅｒｍａｌ ｔｒａｎｓｆｅｒ ｄｏｎｏｒ ｅｌｅｍｅｎｔ)に係り、熱転写ドナー素子はベース層(ｂａｓｅ ｌａｙｅｒ)、光吸収層(ｒａｄｉａｔｉｏｎ ａｂｓｏｒｂｅｒ)及び転写層(ｔｒａｎｓｆｅｒ ｌａｙｅｒ)を含み、ガス生成用ポリマー層(ｇａｓ−ｇｅｎｅｒａｔｉｎｇ ｐｏｌｙｍｅｒ ｌａｙｅｒ)をさらに含む場合もある。
【００１０】
しかし、前記特許は大部分は転写フィルム技術にのみ限定されていて、カラー薄膜層のパターニング時カラー薄膜パターンの縁に対するイメージ品質、すなわち転写品質問題に対しては考慮されなかった。
【００１１】
通常的に、フルカラーＯＬＥＤはボトムゲート(ｂｏｔｔｏｍ ｇａｔｅ)構造またはトップゲート(ｔｏｐ ｇａｔｅ)構造の薄膜トランジスタが製作された基板上にＩＴＯ等でなされた透明電極を形成して、その上に前記透明電極が露出されるように絶縁膜を形成し、露出された透明電極上に有機ＥＬ層を形成して製作する。
【００１２】
このとき、透明電極のエッジ部分が絶縁膜によって覆われるように形成されるが、これは低分子ＯＬＥＤの場合は透明電極のパターンエッジから有機ＥＬ層の劣化現象による寿命短縮問題を解決して、一方、高分子ＯＬＥＤの場合は有機ＥＬ層を形成するためのインクジェット印刷時溶液が溜まることができるようにウォール(ｗａｌｌ)を形成するためである。このような技術はＥＰ ９６９７０１とＳＩＤ ９９ Ｄｉｇｅｓｔ Ｐ．３９６，ＩＥＥＥ’９９ Ｐ．１０７等でよく知られている。
【００１３】
一方、レーザー転写法を利用したフルカラーＯＬＥＤの製造方法は、韓国特許登録番号１０−０１９５１７５及び韓国特許出願番号２０００−４９２８７そしてＵＳ５，９９８，０８５に開示されている。レーザー転写法を利用したＯＬＥＤ製造方法は薄膜トランジスタが形成された基板に転写フィルムを密着させた次に光源から出た光で転写フィルムをスキャニングすれば光が転写フィルムの光吸収層に吸収されて熱エネルギーに転換されて、転換された熱エネルギーによって転写フィルムのイメージ形成物質が基板に転写されてＲ、Ｇ、Ｂ有機薄膜層のパターンを形成する。
【００１４】
従来には寄生キャパシタンスを考慮して、絶縁膜を５００ｎｍないし１０００ｎｍ或いはそれ以上に厚く形成した。これによってレーザー熱転写法を利用して有機薄膜層をパターニングする場合、図９に示したように、有機薄膜層のエッジで不良が発生することが分かる。
【００１５】
すなわち、絶縁膜のエッジ部分でカラーパターンがきちんと転写されないで取れたり、複数のピクセルにかけてカラーパターンが取れたりまたは正常的にカラーパターンが転写された場合にも転写境界がきれいでないなどの不良が発生するようになる。
【００１６】
このような不良は、有機ＥＬ層の下部に形成された下部膜の特性に影響を受けるが、下部膜が均一に形成されていなかったり、絶縁膜のエッジ部分で発光物質が蒸着されないで穴で残っている部分があったり、または下部膜が他の薄膜層との接着力が悪くて下部膜の形成特性が良くないことなどが影響を及ぼすようになる。特に、下部薄膜層との吸着力が良い発光物質の場合にはレーザー転写時に既に蒸着された下部薄膜層と一緒にカラーパターンが取れるようになる。
【００１７】
一方、透明電極と絶縁層の境界で有機薄膜層の不良を防止するための絶縁層の形成方法と関連した技術が米国特許５，６８４，３６５号に提示された。前記特許に提示されたＡＭタイプの有機電界発光表示素子の断面構造が図１に図示された。
【００１８】
図１を参照すると、絶縁基板１００上にソース／ドレイン領域１２４、１２５を備えたポリシリコンからなったアイランド状の半導体層１２０が形成されて、半導体層１２０を含んだ基板上にゲート絶縁膜１３０が形成されて、ゲート絶縁膜１３０上にゲート１３５が形成される。前記ゲート１３５を含んだゲート絶縁膜１３０上に前記ソース／ドレイン領域１２４、１２５を露出させるコンタクトホール１４４、１４５を備えた層間絶縁膜１４０が形成される。
【００１９】
前記層間絶縁膜１４０上には、前記コンタクトホール１４４を通して前記ソース領域１２４に連結されるソース電極１５４と、前記コンタクトホール１４５を通して前記ドレイン領域１２５に連結される画素電極１７０が形成される。
【００２０】
そして、前記画素電極１７０が露出されるように開口部１８５を備えた保護膜１８０が前記層間絶縁膜１４０に形成されて、開口部１８５に有機薄膜層１９０が形成されて、有機薄膜層１９０を含んだ保護膜１８０上に陰極１９５が形成された構造を有する。
【００２１】
このとき、前記保護膜１８０は、前記画素電極１７０を露出させる開口部１８５のエッジ、すなわち画素電極１７０上部の保護膜１８０が１０ないし３０゜のテーパエッジ(ｔａｐｅｒｅｄ ｅｄｇｅ)を有するように形成する。このような保護膜１８０のテーパエッジは後続工程で形成される有機薄膜層１９０の接着力(ａｄhｅｓｉｏｎ)を向上させて不良発生を防止するためのものである。
【００２２】
レーザー転写法を利用して有機薄膜層を製造する場合には前記のように、テーパ角を有するように絶縁膜を形成しても絶縁膜の厚さが５００μｍ以上である場合には有機薄膜層のエッジ不良が相変わらず発生する問題点があった。
【００２３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は前記のような従来技術の問題点を解決するためのものであり、画素電極の開口部のエッジ部部分で発生する有機ＥＬ層のパターン不良を防止できるフルカラー有機電界発光表示素子及びその製造方法を提供することにその目的がある。
【００２４】
本発明の他の目的は画素電極上の絶縁膜を５００ｎｍ以下の厚さを有するように形成して画素電極の開口部のエッジ部分における有機ＥＬ層のパターン不良を防止できるフルカラー有機電界発光表示素子及びその製造方法を提供することにその目的がある。
【００２５】
本発明の他の目的は詳細に後述される本発明の詳細な説明によってさらに明確になることである。
【００２６】
【課題を解決するための手段】
このような本発明の目的を達成するために本発明は基板上に形成された下部膜と；前記下部膜が露出されるように基板上に形成された絶縁膜と；前記露出された下部膜上に形成された有機薄膜層を含み、前記絶縁膜の厚さは５００ｎｍ以下であることを特徴とする表示素子を提供する。
【００２７】
本発明はまた基板上に形成されて、ソース／ドレイン電極を備えた薄膜トランジスタと；前記薄膜トランジスタのソースドレイン電極中の一つと連結される下部電極と；前記下部電極を露出するように前記基板上に形成された絶縁膜と；前記露出された下部電極上に形成された有機薄膜層を含み、前記絶縁膜の厚さは５００ｎｍ以下であることを特徴とする有機電界発光表示素子を提供する。
【００２８】
本発明はまた基板上に下部電極を形成する段階と；前記下部電極を露出させるように前記基板上に絶縁膜を形成する段階と；前記露出された下部電極上に有機薄膜層を形成する段階を含んで、前記絶縁膜の厚さは５００ｎｍ以下であることを特徴とする表示素子の製造方法を提供する。
【００２９】
前記表示素子の製造方法は、前記下部膜を形成する段階前に、前記基板上にソース／ドレイン電極を有した薄膜トランジスタを形成する段階をさらに含む。前記下部膜は下部電極であって、前記下部電極は前記薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極中の一つと電気的に連結される。前記有機薄膜層はレーザー転写法を利用して形成される。
【００３０】
前記絶縁膜の厚さは２００ｎｍ以下である。前記絶縁膜の厚さは１０ないし５００ｎｍである。前記絶縁膜の厚さは１００ないし２００ｎｍである。
【００３１】
前記絶縁膜は、前記下部膜のエッジ部分を覆うように形成される。前記絶縁膜中前記下部膜のエッジ部分に対応する部分の厚さは２００ｎｍ以下である。前記絶縁膜中前記下部膜のエッジ部分に対応する部分の厚さは１０ないし５００ｎｍである。前記絶縁膜中前記下部膜のエッジ部分に対応する部分の厚さは１００ないし２００ｎｍである。
【００３２】
前記下部膜に対する前記絶縁膜の段差は２００ｎｍ以下である。前記下部膜に対する前記絶縁膜の段差は１０ないし５００ｎｍである。前記下部膜に対する前記絶縁膜の段差は１００ｎｍないし２００ｎｍである。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら本発明を詳細に説明する。
【００３４】
図２は、本発明の第１実施例によるＰＭタイプ有機電界発光表示素子の断面構造を示したものである。図２を参照すると、絶縁基板２００上にＩＴＯのような透明電極の画素電極（下部膜）２７０が陽極として形成されて、前記画素電極２７０のエッジ部分を覆うように絶縁膜２８０が形成され、前記画素電極２７０上に有機薄膜層２９０が形成され、前記有機薄膜層２９０を含んだ絶縁膜２８０上に上部電極２９５として陰極が形成される。
【００３５】
前記絶縁膜２８０は５００ｎｍ以下の厚さで形成されるが、望ましくは１０ないし５００ｎｍ以下の厚さで形成される。特に、前記絶縁膜２８０は画素電極２７０のエッジ部分に形成された部分の厚さｄ２が５００ｎｍ以下になるように形成されるが、望ましくは１０ないし５００ｎｍになるように形成される。さらに望ましくは、前記絶縁膜２８０は前記画素電極２７０のエッジ部分に形成された部分の厚さｄ２が１００ないし２００ｎｍになるように形成される。
【００３６】
前記したような厚さを有する絶縁膜２８０上にレーザー転写法で有機薄膜層２９０を形成すれば図１０のように画素電極２７０と絶縁膜２８０間の境界における有機薄膜層のエッジ不良は発生しない。このとき、前記有機薄膜層２９０は正孔注入層(ＨＩＬ、hｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ)、正孔輸送層(ＨＴＬ、hｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ)、Ｒ、Ｇ、Ｂ有機発光(ＥＬ、ｅｌｅｃｔｒｏ ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ)層、電子輸送層(ＥＴＬ、ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ)、電子注入層(ＥＩＬ、ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ)などを含む。
【００３７】
図３は、本発明の第２実施例によるトップゲート薄膜トランジスタ有機電界発光表示素子の断面構造を示したものである。
【００３８】
図３を参照すると、第２実施例による有機電界発光表示素子は、絶縁基板３００上にバッファ層３１０が形成されて、前記バッファ層３１０上にトップゲート構造の薄膜トランジスタが形成される。前記薄膜トランジスタはバッファ層３１０上に形成された、ソース／ドレイン領域３２４、３２５を備えた半導体層３２０と、ゲート絶縁膜３３０上に形成されたゲート電極３３５と、コンタクトホール３４４、３４５を通して前記ソース／ドレイン領域３２４、３２５と電気的に連結される、層間絶縁膜３４０上に形成されたソース／ドレイン電極３５４、３５５を備える。
【００３９】
そして、前記薄膜トランジスタが形成された基板全面上に保護膜３６０が形成されて、前記保護膜３６０上にはビアホール３６５を通して前記ソース／ドレイン電極中の一つ、例えばドレイン電極３５５に電気的に連結される画素電極（下部電極）３７０が陽極として形成される。前記画素電極３７０を露出させる開口部３８５を備えた平坦化用絶縁膜３８０が前記画素電極３７０のエッジ部分を含んだ保護膜３６０上に形成される。前記開口部３８５の前記画素電極３７０上に有機薄膜層３９０が形成されて、有機薄膜層３９０を含んだ絶縁膜３８０上に上部電極３９５として陰極が形成される。
【００４０】
前記絶縁膜３８０は５００ｎｍ以下の厚さで形成されるが、望ましくは１０ないし５００ｎｍ以下の厚さで形成される。特に、前記絶縁膜３８０は画素電極３７０のエッジ部分に形成された部分の厚さｄ３が５００ｎｍ以下になるように形成されるが、望ましくは１０ないし５００ｎｍになるように形成される。さらに望ましくは、前記絶縁膜３８０は前記画素電極３７０のエッジ部分に形成された部分の厚さｄ３が１００ないし２００ｎｍになるように形成される。
【００４１】
前記したような厚さを有する絶縁膜３８０上にレーザー転写法で有機薄膜層３９０を形成すれば図１０のように開口部３８５のエッジ部分すなわち、画素電極３７０と絶縁膜３８０間の境界で有機薄膜層のエッジ不良は発生しない。このとき、前記有機薄膜層３９０は正孔注入層、正孔輸送層、Ｒ、Ｇ、Ｂ有機発光層、電子輸送層、電子注入層などを含む。
【００４２】
図４は、本発明の第３実施例によるトップゲート薄膜トランジスタ有機電界発光表示素子の断面構造を示したものである。
【００４３】
図４を参照すると、第３実施例による有機電界発光表示素子は絶縁基板４００上にバッファ層４１０が形成されて、前記バッファ層４１０上にトップゲート構造の薄膜トランジスタが形成される。前記薄膜トランジスタはバッファ層４１０上に形成された、ソース／ドレイン領域４２４、４２５を備えた半導体層４２０と、ゲート絶縁膜４３０上に形成されたゲート電極４３５と、コンタクトホール４４４、４４５を通して前記ソース／ドレイン領域４２４、４２５と電気的に連結される、層間絶縁膜４４０上に形成されたソース／ドレイン電極４５４、４５５を備える。
【００４４】
そして、前記薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極４５４中の一つ、例えばドレイン電極４５５と電気的に連結される画素電極４７０が陽極として前記層間絶縁膜４４０上に形成される。前記画素電極４７０を露出させる開口部４８５を備えた絶縁膜４８０が、前記画素電極４７０のエッジ部分を含んだ層間絶縁膜４４０上に形成されるが、前記絶縁膜４８０は保護膜または平坦膜のための絶縁膜である。前記開口部４８５の画素電極４７０上に有機薄膜層４９０が形成されて、有機薄膜層４９０を含んだ絶縁膜４８０上に上部電極４９５として陰極が形成される。
【００４５】
前記絶縁膜４８０は５００ｎｍ以下の厚さで形成されるが、望ましくは１０ないし５００ｎｍ以下の厚さで形成される。特に、前記絶縁膜４８０は画素電極４７０のエッジ部分に形成された部分の厚さｄ４が５００ｎｍ以下になるように形成されるが、望ましくは１０ないし５００ｎｍになるように形成される。さらに望ましくは、前記絶縁膜４８０は前記画素電極４７０のエッジ部分に形成された部分の厚さｄ４が１００ないし２００ｎｍになるように形成される。
【００４６】
前記のような厚さを有する絶縁膜４８０上にレーザー転写法で有機薄膜層４９０を形成すれば図１０のように開口部４８５のエッジ部分すなわち、画素電極４７０と絶縁膜４８０間の境界で有機薄膜層のエッジ不良は発生しない。このとき、前記有機薄膜層４９０は正孔注入層、正孔輸送層、Ｒ、Ｇ、Ｂ有機発光層、電子輸送層、電子注入層を含む。
【００４７】
図５は、本発明の第４実施例によるボトムゲート薄膜トランジスタ有機電界発光表示素子の断面構造を示したものである。
【００４８】
図５を参照すると、第４実施例による有機電界発光表示素子は、絶縁基板５００上にバッファ層５１０が形成されて、前記バッファ層５１０上にボトムゲート構造の薄膜トランジスタが形成される。前記薄膜トランジスタはバッファ層５１０上に形成されたゲート電極５３５と、ゲート絶縁膜５３５上に形成されたソース／ドレイン領域５２４、５２５を備えた半導体層５２０と、コンタクトホール５４４、５４５を通して前記ソース／ドレイン領域５２４、５２５と電気的に連結される、層間絶縁膜５４０上に形成されたソース／ドレイン電極５５４、５５５を備える。
【００４９】
そして、前記薄膜トランジスタが形成された基板全面上に保護膜５６０が形成されて、前記保護膜５６０上にはビアホール５６５を通して前記ソース／ドレイン電極中の一つ、例えばドレイン電極５５５に電気的に連結される画素電極５７０が陽極として形成される。前記画素電極５７０を露出させる開口部５８５を備えた平坦化用絶縁膜５８０が前記保護膜５６０上に形成される。前記開口部５８５の前記画素電極５７０上に有機薄膜層５９０が形成されて、有機薄膜層５９０を含んだ絶縁膜５８０上に上部電極５９５として陰極が形成される。
【００５０】
前記絶縁膜５８０は５００ｎｍ以下の厚さで形成されるが、望ましくは１０ないし５００ｎｍ以下の厚さで形成される。特に、前記絶縁膜５８０は画素電極５７０のエッジ部分に形成された部分の厚さｄ５が５００ｎｍ以下になるように形成されるが、望ましくは１０ないし５００ｎｍになるように形成される。さらに望ましくは、前記絶縁膜５８０は前記画素電極５７０のエッジ部分に形成された部分の厚さｄ５が１００ないし２００ｎｍになるように形成される。
【００５１】
前記したような厚さを有する絶縁膜５８０上にレーザー転写法で有機薄膜層５９０を形成すれば図１０のように開口部５８５のエッジ部分すなわち、画素電極５７０と絶縁膜５８０間の境界で有機薄膜層のエッジ不良は発生しない。このとき、前記有機薄膜層５９０は正孔注入層、正孔輸送層、Ｒ、Ｇ、Ｂ有機発光層、電子輸送層、電子注入層などを含む。
【００５２】
図６は、本発明の第５実施例によるボトムゲート薄膜トランジスタ有機電界発光表示素子の断面構造を示したものである。
【００５３】
図６を参照すると、第５実施例による有機電界発光表示素子は、絶縁基板６００上にバッファ層６１０が形成されて、前記バッファ層６１０上にボトムゲート構造の薄膜トランジスタが形成される。前記薄膜トランジスタはバッファ層６１０上に形成されたゲート電極６３５と、ゲート絶縁膜６３０上に形成されたソース／ドレイン領域６２４、６２５を備えた半導体層６２０と、コンタクトホール６４４、６４５を通して前記ソース／ドレイン領域６２４、６２５と電気的に連結される、層間絶縁膜６４０上に形成されたソース／ドレイン電極６５４、６５５を備える。
【００５４】
そして、前記薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極６５４中の一つ、例えばドレイン電極６５５と電気的に連結される画素電極６７０が陽極として前記層間絶縁膜６４０上に形成される。前記画素電極６７０を露出させる開口部６８５を備えた絶縁膜６８０が前記画素電極６７０のエッジ部分を含んだ層間絶縁膜６４０上に形成されるが、前記絶縁膜６８は保護膜または平坦膜のための絶縁膜である。前記開口部６８５の画素電極６７０上に有機薄膜層６９０が形成されて、有機薄膜層６９０を含んだ絶縁膜６８０上に上部電極６９５が陰極として形成される。
【００５５】
前記絶縁膜６８０は５００ｎｍ以下の厚さで形成されるが、望ましくは１０ないし５００ｎｍ以下の厚さで形成される。特に、前記絶縁膜６８０は画素電極６７０のエッジ部分に形成された部分の厚さｄ６が５００ｎｍ以下になるように形成されるが、望ましくは１０ないし５００ｎｍになるように形成される。さらに望ましくは、前記絶縁膜６８０は前記画素電極６７０のエッジ部分に形成された部分の厚さｄ６が１００ないし２００ｎｍになるように形成される。
【００５６】
前記のような厚さを有する絶縁膜６８０上にレーザー転写法で有機薄膜層６９０を形成すれば図１０のように開口部６８５のエッジ部分すなわち、画素電極６７０と絶縁膜６８０間の境界で有機薄膜層のエッジ不良は発生しない。このとき、前記有機薄膜層６９０は正孔注入層、正孔輸送層、Ｒ、Ｇ、Ｂ有機発光層、電子輸送層、電子注入層などを含む。
【００５７】
本発明の実施例は、レーザー転写法を利用して有機電界発光表示素子を製作するために、レーザー転写法に適合な新しい基板構造を提案する。レーザー転写法を利用して有機電界発光表示素子を製作するためには、有機ＥＬ用高分子を転写フィルム上にコーティングまたは蒸着した後対象基板に転写しなければならない。それゆえ、転写された有機ＥＬ材料の転写特性及び発光特性は薄膜トランジスタが形成された基板の構造に多くの影響を受ける。したがって、本発明では有機薄膜層真下部の絶縁膜の厚さを限定して形成することによってレーザー転写法によって有機薄膜層を不良なしに容易に形成するようにした。
【００５８】
以下、本発明の実施例による有機電界発光表示素子の製造方法を説明すると次のとおりである。
【００５９】
図７Ａないし図７Ｄは、本発明の一実施例によるトップゲート薄膜トランジスタ有機電界発光表示素子の製造方法を説明するための工程断面図を示したものである。本発明の一実施例による製造方法は図３に示したような断面構造を有する有機電界発光表示素子の製造方法に関して説明するものである。
【００６０】
図７Ａを参照すると、ＡＭ ＯＬＥＤ用絶縁基板３００としてガラス基板を洗浄して、前記絶縁基板３００上にバッファ層３１０としてＳｉＯ２を形成して、前記バッファ層３１０上にポリシリコン膜からなった半導体層３２０を形成する。前記半導体層３２０の形成方法は例えば、前記バッファ層３１０上に非晶質シリコン膜をＰＥＣＶＤを利用して蒸着して、エキサイマーレーザーを利用して前記蒸着された非晶質シリコン膜をポリシリコン膜に結晶化し、結晶化されたポリシリコン膜をパターニングしてアイランド状の半導体層３２０を形成する。
【００６１】
続いて、前記半導体層３２０を含んだバッファ層３１０上にＳｉＯ２のようなゲート絶縁膜３３０を形成して、前記半導体層３２０に対応する前記ゲート絶縁膜３３０上にゲート電極３３５を形成する。前記ゲート電極３３５をマスクとして前記半導体層３２０に所定導電型、例えば、ｎ型またはｐ型不純物中の一つをイオン注入してソース／ドレイン領域３２４、３２５を形成する。
【００６２】
次に、基板全面にＳｉＮｘのような層間絶縁膜３４０を形成して、前記層間絶縁膜３４０とゲート絶縁膜３３０をエッチングして前記ソース／ドレイン領域３２４、３２５を各々露出させるコンタクトホール３４４、３４５を形成する。層間絶縁膜３４０上にソース／ドレイン電極物質を蒸着した次にパターニングして前記コンタクトホール３４４、３４５を通して前記ソース／ドレイン領域３２４、３２５と各々コンタクトされるソース／ドレイン電極３５４、３５５を形成する。
【００６３】
図７Ｂを参照すると、前記ソース／ドレイン電極３５４、３５５を含んだ層間絶縁膜３４０上にＳｉＯ２のような保護膜３６０を形成して、前記保護膜３６０をエッチングして前記ソース／ドレイン電極３５４、３５５中の一つ、例えばドレイン電極３５５を露出させるビアホール３６５を形成する。
【００６４】
続いて、前記ビアホール３６５を含んだ保護膜３６０上に透明導電膜、例えばＩＴＯを２００ｎｍの厚さでスパッタリングして蒸着して、乾式エッチングして陽極として画素電極３７０を形成する。
【００６５】
続いて、前記層間絶縁膜３６０上に前記画素電極３７０のエッジ部分を覆うように平坦化用絶縁膜３８０を形成するが、アクリルを１３００ｒｐｍの速度で３５０ｎｍの厚さにスピンコーティングしてパターニングして開口部３８５を限定して続いて２２０℃でベーキングして、最終的に前記画素電極３７０のエッジ部分に形成された部分が所定の厚さｄ３、例えば２５０ｎｍの厚さを有し、開口部３８５のエッジ部分で１５゜の傾斜角を有する絶縁膜３８０を形成する。
【００６６】
図７Ｃ及び図７Ｄは、レーザー転写法を利用して開口部３８５内の画素電極３７０上に有機薄膜層３９０を形成する工程であって、まずＰＥＤＯＴを３０００ｒｐｍで５０ｎｍの厚さにスピンコーティングして２００℃で５分間熱処理して正孔輸送層３９０ａを形成する。続いて、Ｒ、Ｇ、Ｂ発光層のための３枚の転写フィルムを製造するが、本発明の実施例ではＲ、Ｇ、Ｂ発光層のための３枚の転写フィルム中１枚の転写フィルム、例えばＲ発光層のための転写フィルム３０に対して説明する。
【００６７】
光吸収層３２が形成されたベースフィルム３１上に発光層形成物質であるＲカラーを各々１．０ｗｔ／Ｖ％の濃度のキシレン(ｘｙｌｅｎｅ)溶液を利用して２０００ｒｐｍの速度でスピンコーティングして８０ｎｍの厚さを有するＲカラーのための転写層３３を形成して転写フィルム３０を製造する。
【００６８】
転写フィルム３０を正孔輸送層３９０ａがコーティングされた基板上に真空で固定した後、赤外線(ＩＲ、ｉｎｆｒａｒｅｄ ｒａｄｉａｔｉｏｎ)レーザー３５を利用して所望するパターンで転写してＲ発光層３９０ｂを形成する。これによって、正孔輸送層３９０ａとＲ発光層３９０ｂを備えた有機薄膜層３９０が形成される。
【００６９】
前記のような方法でＲ、Ｂカラーのための転写フィルムを製造して転写すればＲ、Ｇ、Ｂフルカラーのための有機薄膜層３９０が形成されて、前記有機薄膜層３９０は前記Ｒ、Ｇ、Ｂ有機発光層と正孔輸送層外に正孔注入層、電子注入層、電子輸送層をさらに含む場合もある。
【００７０】
最終的に、有機薄膜層３９０をレーザー転写法を利用してパターニングした後Ｃａ／Ａｇを各々３０ｎｍ、２７０ｎｍの厚さで蒸着して陰極として上部電極３９５を形成する。以後、封止方法によって封止してＡＭ ＯＬＥＤを製作する。前記したように製作された有機電界発光表示素子は有機薄膜層下部の絶縁膜の厚さを５００ｎｍ以下に形成することによって、開口部にレーザー転写法で転写されたＲ、Ｇ、Ｂ発光層が取れる不良を防止するようになる。
【００７１】
図８Ａないし図８Ｄは、本発明の他の実施例によるボトムゲート薄膜トランジスタ有機電界発光表示素子の製造方法を説明するための工程断面図を示したものである。本発明の他の実施例による製造方法は図５に示したような断面構造を有する有機電界発光表示素子の製造方法に関して説明するものである。
【００７２】
図８Ａを参照すると、ＡＭ ＯＬＥＤ用絶縁基板５００としてガラス基板を洗浄して、前記絶縁基板５００上にバッファ層５１０としてＳｉＯ２を形成し、前記バッファ層５１０上にゲート電極５３５を形成する。前記ゲート電極５３５を含んだバッファ層５１０上にゲート絶縁膜５３０を形成して、前記ゲート電極５３５に対応するゲート絶縁膜５３０上にポリシリコン膜からなった半導体層５２０を形成する。前記半導体層５２０の形成方法は例えば、前記バッファ層５１０上に非晶質シリコン膜をＰＥＣＶＤを利用して蒸着して、エキサイマーレーザーを利用して前記蒸着された非晶質シリコン膜をポリシリコン膜に結晶化し、結晶化されたポリシリコン膜をパターニングしてアイランド状の半導体層５２０を形成する。
【００７３】
続いて、前記半導体層５２０に所定導電型、例えば、ｎ型またはｐ型不純物中の一つをイオン注入してソース／ドレイン領域５２４、５２５を形成する。基板全面にＳｉＮｘのような層間絶縁膜５４０を形成して、前記層間絶縁膜５４０とゲート絶縁膜５３０をエッチングして前記ソース／ドレイン領域５２４、５２５を各々露出させるコンタクトホール５４４、５４５を形成する。層間絶縁膜５４０上にソース／ドレイン電極物質を蒸着した次にパターニングして前記コンタクトホール５４４、５４５を通して前記ソース／ドレイン領域５２４、５２５と各々コンタクトされるソース／ドレイン電極５５４、５５５を各々形成する。
【００７４】
図８Ｂに示したように、前記ソース／ドレイン電極５５４、５５５を含んだ層間絶縁膜５４０上に保護膜５６０でＳｉＯ２を形成して、前記保護膜５６０をパターニングして前記ソース／ドレイン電極５５４、５５５中の一つ、例えばドレイン電極５５５を露出させるビアホール５６５を形成する。前記ビアホール５６５を含んだ保護膜５６０上に透明導電膜でＩＴＯ膜を２００ｎｍの厚さでスパター蒸着してパターニングして陽極として画素電極５７０を形成する。
【００７５】
続いて、前記保護膜５６０上に前記画素電極５７０のエッジ部分を覆うように開口部５８５を備えた平坦化用絶縁膜５８０を形成するが、アクリルを１３００ｒｐｍの速度で３５０ｎｍの厚さにスピンコーティングしてパターニングして開口部５８５を限定して２２０℃でベーキングして、最終的に前記画素電極３７０のエッジ部分に形成された部分の厚さｄ５が２５０ｎｍになって、開口部５８５のエッジ部分で１５゜の傾斜角を有する絶縁膜５８０を形成する。
【００７６】
図８Ｃ及び図８Ｄは、レーザー転写法でフルカラー有機薄膜層５９０を形成する工程であって、まず基板全面に正孔輸送層５９０ａを形成するが、ＰＥＤＯＴを３０００ｒｐｍで５０ｎｍの厚さにスピンコーティングして２００℃で５分間熱処理して正孔輸送層５９０ａを形成する。続いて、Ｒ、Ｇ、Ｂ発光層のための３枚の転写フィルムを製造するが、本発明の実施例ではＲ、Ｇ、Ｂ発光層のための３枚の転写フィルム中１枚の転写フィルム、例えばＲ発光層のための転写フィルム５０に対して説明する。
【００７７】
光吸収層５２を備えたベースフィルム５１上に発光層形成物質であるＲカラーを１．０ｗｔ／Ｖ％の濃度のキシレン溶液を利用して２０００ｒｐｍの速度でスピンコーティングして８０ｎｍの厚さを有する転写層５３を形成して転写フィルム５０を製造する。続いて、Ｒ転写フィルム５０を正孔輸送層５９０ａがコーティングされた基板上に真空で固定した後ＩＲレーザー５５を利用して所望するパターンで転写してＲ発光層５９０ｂを形成する。これによって、正孔輸送層５９０ａとＲ発光層５９０ｂを備えた有機薄膜層５９０が形成される。
【００７８】
前記のような方法でＲ、Ｂカラーのための転写フィルムを製造して転写すればＲ、Ｇ、Ｂフルカラーのための有機薄膜層５９０が形成されて、前記有機薄膜層５９０は前記Ｒ、Ｇ、Ｂ有機発光層と正孔輸送層外に正孔注入層、電子注入層、電子輸送層をさらに含む場合もある。
【００７９】
最終的に有機薄膜層５９０をレーザー転写法を利用してパターニングした後Ｃａ／Ａｇを各々３０ｎｍ、２７０ｎｍの厚さで蒸着して陰極として上部電極５９５を形成する。以後封止方法によって封止してＡＭ ＯＬＥＤを製作する。前記したように製作された有機電界発光表示素子は有機薄膜層下部の絶縁膜の厚さを５００ｎｍ以下に形成することによって、開口部にレーザー転写法で転写されたＲ、Ｇ、Ｂ発光層が取れる不良は防止される。
【００８０】
本発明の実施例による有機電界発光表示素子の製造工程は、図３及び図５に示したような断面構造を有する素子に関して説明したが、図４及び図６に示したような断面構造を有する素子に対しても同一に適用されうる。図４に示した素子の場合には層間絶縁膜４４０上にソース／ドレイン電極４５４、４５５を形成して、前記層間絶縁膜４４０上に前記ドレイン電極４５５に連結される画素電極４７０を形成する。
【００８１】
続いて、ドレイン電極４５５と画素電極４７０を分離させるための保護膜の形成工程なしに直ちに層間絶縁膜４４０上に保護膜または平坦化膜のための絶縁膜４８０でアクリルを前記製造工程で説明したような方法で製造する。
【００８２】
図４に適用される工程は、図６に示した断面構造を有する素子にも同一に適用することができる。
【００８３】
図９は、図１に示した従来の有機電界発光表示素子において、レーザー転写法を利用してＲ、Ｇ、Ｂの有機薄膜層をパターニングする時、画素電極１７０のエッジ部分上に形成された絶縁膜１８０がその厚さが５００〜１０００ｎｍの範囲で形成されたり或いはそれ以上に形成される時あらわれる不良Ｆの形態を示している。すなわち、絶縁膜の境界部分で取れた不良や複数のピクセルの境界面にかけて取れる不良、エッジからピクセル内部にまで取れた不良、或いは境界面がきたならしく取れている不良などを示す。
【００８４】
図１０は、本発明の実施例による有機電界発光表示素子において、有機薄膜層のパターンを示す図面である。本発明の実施例のように画素電極のエッジ部分上に形成される絶縁膜をその厚さが５００ｎｍ以下望ましくは２００ｎｍ以下に形成した場合には図１０のように安定したカラーパターンを得ることができることが分かる。
【００８５】
本発明ではレーザー転写法によって有機ＥＬ層をパターニングする時熱と圧力によって転写フィルム上に存在する発光層形成物質を基板に転写するようになるが、５０ないし１００ｎｍの厚さを有する発光層形成物質を含む転写フィルムは開口部で絶縁膜と下部電極である透明電極間に段差が大きい場合には、例えば５００ｎｍ以上である場合には基板に密着されないで浮かんでいる状態になる。
【００８６】
このような状態でレーザー転写時加えられる熱と圧力によって開口部の絶縁膜と透明電極のエッジ部分で有機薄膜層が裂けるようになり、転写が不完全になって図９のような不良が発生することである。
【００８７】
したがって、本発明ではこのような不良を除去するために絶縁膜と下部電極間の段差が５００ｎｍ以下になるように絶縁膜の厚さを調節して図１０のように不良の発生を防止することである。
【００８８】
有機電界発光表示素子で、透明電極の上部に形成される絶縁膜は表面を平坦化するためのものであって、その上部に形成される上部電極である陰極との間に発生する場合もある寄生キャパシタンスを防止するために従来には１μｍ以上の厚さで形成したが、本発明では絶縁膜の厚さを５００ｎｍ以下に形成しても寄生キャパシタンス問題は発生しない。
【００８９】
【発明の効果】
以上で詳細に説明したような本発明によると、有機薄膜層下部に形成される絶縁膜を５００ｎｍ以下の厚さで形成することによって、レーザー転写法による有機薄膜層のパターニング時、開口部のエッジ部分すなわち、絶縁膜と透明電極間の境界で有機薄膜層のエッジ不良を防止でき、これにより画素電極のエッジ部分におけるカラーパターンのイメージ特性を向上させることができる利点がある。また、相対的に絶縁膜の厚さが薄くなるので、有機電界発光表示素子の特性を向上させることができる利点がある。
【００９０】
また、本発明はＰＭタイプの有機電界発光表示素子、各々のＲ、Ｇ、Ｂ発光層を採用するサブピクセル内に二個以上の薄膜トランジスタを備えるＡＭタイプの有機電界発光表示素子に適用可能なだけでなくレーザー転写法を利用するカラーパターン間に隔壁を備えた表示素子にすべて適用可能な利点がある。
【００９１】
前記では本発明の望ましい実施例を参照して説明したが、該技術分野の熟練した当業者は特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から外れない範囲内で本発明を多様に修正及び変更させることができることを理解できることである。
【図面の簡単な説明】
【図１】 従来の有機電界発光表示素子の断面構造図である。
【図２】 本発明の第１実施例によるＰＭタイプの有機電界発光表示素子の断面構造図である。
【図３】 本発明の第２実施例によるトップゲート薄膜トランジスタ有機電界発光表示素子の断面構造図である。
【図４】 本発明の第３実施例によるトップゲート薄膜トランジスタ有機電界発光表示素子の断面構造図である。
【図５】 本発明の第４実施例によるボトムゲート薄膜トランジスタ有機電界発光表示素子の断面構造図である。
【図６】 本発明の第５実施例によるボトムゲート薄膜トランジスタ有機電界発光表示素子の断面構造図である。
【図７Ａ】 本発明の実施例によるトップゲート薄膜トランジスタ有機電界発光表示素子の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図７Ｂ】 図７Ａの次の段階を示す工程断面図である。
【図７Ｃ】 図７Ｂの次の段階を示す工程断面図である。
【図７Ｄ】 図７Ｃの次の段階を示す工程断面図である。
【図８Ａ】 本発明の他の実施例によるボトムゲート薄膜トランジスタ有機電界発光表示素子の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図８Ｂ】 図８Ａの次の段階を示す工程断面図である。
【図８Ｃ】 図８Ｂの次の段階を示す工程断面図である。
【図８Ｄ】 図８Ｃの次の段階を示す工程断面図である。
【図９】 従来のレーザー転写法を利用して有機電界発光表示素子を製造する時、透明電極と絶縁層の境界で発生する有機薄膜層のエッジ不良を示す図面である。
【図１０】 本発明の実施例によるレーザー転写法を利用して有機電界発光表示素子を製造する時、エッジ不良なしに安定的に形成された有機薄膜層を示す図面である。
【符号の説明】
２００ 基板
２７０ 画素電極（下部膜）
２８０ 絶縁膜
２９０ 有機薄膜層
２９５ 上部電極
３００ 基板
３２４、３２５ ソース／ドレイン領域
３３０ ゲート絶縁膜
３３５ ゲート電極
３４０ 層間絶縁膜
３５４、３５５ ソース／ドレイン電極
３６０ 保護膜
３６５ ビアホール
３７０ 画素電極（下部電極）
３８０ 絶縁膜
３８５ 開口部
３９０ 有機薄膜層
３９５ 上部電極
４００ 基板
４２４、４２５ ソース／ドレイン領域
４３０ ゲート絶縁膜
４３５ ゲート電極
４４０ 層間絶縁膜
４４４、４４５ コンタクトホール
４５４、４５５ ソース／ドレイン電極
４７０ 画素電極
４８０ 絶縁膜
４８５ 開口部
４９０ 有機薄膜層
４９５ 上部電極
５００ 基板
５２４、５２５ ソース／ドレイン領域
５３５ ゲート電極
５４０ 層間絶縁膜
５４４、５４５ コンタクトホール
５５４、５５５ ソース／ドレイン電極
５６０ 保護膜
５６５ ビアホール
５７０ 画素電極
５８０ 絶縁膜
５８５ 開口部
５９０ 有機薄膜層
５９５ 上部電極
６００ 基板
６２４、６２５ ソース／ドレイン領域
６３５ ゲート電極
６４０ 層間絶縁膜
６４４、６４５ コンタクトホール
６５４、６５５ ソース／ドレイン電極
６７０ 画素電極
６８０ 絶縁膜
６８５ 開口部
６９０ 有機薄膜層
６９５ 上部電極
Claims (14)
- 基板上に下部電極を形成する段階と；前記下部電極を露出させるように前記基板上に絶縁膜を形成する段階と；前記露出された下部電極上に有機薄膜層を形成する段階を含んで、前記絶縁膜の厚さは５００ｎｍ以下であり、前記有機薄膜層がレーザー熱転写法によって形成され、前記絶縁膜は前記下部電極のエッジ部分を覆うように形成されることを特徴とする表示素子の製造方法。
- 前記絶縁膜の厚さは、２００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の表示素子の製造方法。
- 前記絶縁膜の厚さは、１０ないし５００ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の表示素子の製造方法。
- 前記絶縁膜の厚さは、１００ないし２００ｎｍであることを特徴とする請求項３に記載の表示素子の製造方法。
- 前記下部電極を形成する段階前に、前記基板上にソース／ドレイン電極を有した薄膜トランジスタを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の表示素子の製造方法。
- 前記下部電極は前記薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極中の一つと電気的に連結されることを特徴とする請求項２に記載の表示素子の製造方法。
- 前記絶縁膜の厚さは、２００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項６に記載の表示素子の製造方法。
- 前記絶縁膜の厚さは、１０ないし５００ｎｍであることを特徴とする請求項６に記載の表示素子の製造方法。
- 前記絶縁膜の厚さは、１００ないし２００ｎｍであることを特徴とする請求項８に記載の表示素子の製造方法。
- 前記絶縁膜は、エッジ部分が１５゜のテーパ角を有することを特徴とする請求項１に記載の表示素子の製造方法。
- 基板全面にかけて薄膜トランジスタを形成する段階と；前記薄膜トランジスタの全面にかけて保護膜を形成する段階と；前記保護膜の一部分にかけてアノード電極で画素電極を形成してドレイン領域の画素と連結する段階と；前記画素電極のエッジ部分と前記保護膜上に平坦化膜を形成して前記画素電極を露出させる段階と；前記平坦化膜上に有機電界発光層を形成する段階；及び前記平坦化膜及び前記有機電界発光層上にカソード電極層を形成する段階を含み、ここで前記平坦化膜は所定厚さで形成されて、有機電界発光層が全体長さにかけて均一に形成され、前記有機薄膜層がレーザー熱転写法によって形成され、前記平坦化膜は前記画素電極のエッジ部分を覆うように形成されることを特徴とする表示素子の製造方法。
- 前記平坦化膜の厚さが５００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１１に記載の表示素子の製造方法。
- 前記画素電極に対する前記平坦化膜の段差が１０ないし５００ｎｍであることを特徴とする請求項１２に記載の表示素子の製造方法。
- 前記画素電極に対する前記平坦化膜の段差が１００ないし２００ｎｍであることを特徴とする請求項１３に記載の表示素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020010073822A KR100656490B1 (ko) | 2001-11-26 | 2001-11-26 | 풀칼라 유기전계 발광표시소자 및 그의 제조방법 |
| KR2001-073822 | 2001-11-26 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007167959A Division JP2007280963A (ja) | 2001-11-26 | 2007-06-26 | フルカラー有機電界発光表示素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003168569A JP2003168569A (ja) | 2003-06-13 |
| JP4071606B2 true JP4071606B2 (ja) | 2008-04-02 |
Family
ID=37421614
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002338475A Expired - Lifetime JP4071606B2 (ja) | 2001-11-26 | 2002-11-21 | フルカラー有機電界発光表示素子の製造方法 |
| JP2007167959A Pending JP2007280963A (ja) | 2001-11-26 | 2007-06-26 | フルカラー有機電界発光表示素子 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007167959A Pending JP2007280963A (ja) | 2001-11-26 | 2007-06-26 | フルカラー有機電界発光表示素子 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US7009339B2 (ja) |
| EP (1) | EP1315209A3 (ja) |
| JP (2) | JP4071606B2 (ja) |
| KR (1) | KR100656490B1 (ja) |
| CN (1) | CN1279794C (ja) |
Families Citing this family (59)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100656490B1 (ko) * | 2001-11-26 | 2006-12-12 | 삼성에스디아이 주식회사 | 풀칼라 유기전계 발광표시소자 및 그의 제조방법 |
| US8153184B2 (en) * | 2001-11-26 | 2012-04-10 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic EL display device and method of manufacturing the same |
| KR100421720B1 (ko) * | 2001-12-13 | 2004-03-11 | 삼성 엔이씨 모바일 디스플레이 주식회사 | 전자 발광 소자와 그 제조방법 |
| GB2391686B (en) | 2002-07-31 | 2006-03-22 | Dainippon Printing Co Ltd | Electroluminescent display and process for producing the same |
| JP4170700B2 (ja) * | 2002-07-31 | 2008-10-22 | 大日本印刷株式会社 | エレクトロルミネッセンス表示装置および製造方法 |
| JP4251874B2 (ja) * | 2003-01-21 | 2009-04-08 | 三洋電機株式会社 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| US7275972B2 (en) * | 2003-08-22 | 2007-10-02 | 3M Innovative Properties Company | Method of making an electroluminescent device having a patterned emitter layer and non-patterned emitter layer |
| KR100741962B1 (ko) | 2003-11-26 | 2007-07-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 |
| KR100611156B1 (ko) * | 2003-11-29 | 2006-08-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레이저 전사용 도너 기판 및 그 기판을 사용하여 제조되는유기 전계 발광 소자 |
| KR100611159B1 (ko) * | 2003-11-29 | 2006-08-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계 발광표시장치 |
| JP4673304B2 (ja) * | 2004-05-13 | 2011-04-20 | 株式会社アルバック | 表示装置、表示装置の製造方法 |
| US8278818B2 (en) | 2004-06-04 | 2012-10-02 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Electroluminescent display device and method of fabricating the same |
| KR100659757B1 (ko) * | 2004-08-25 | 2006-12-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광소자 및 그의 제조방법 |
| JP2006086069A (ja) | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Three M Innovative Properties Co | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| KR20060026776A (ko) * | 2004-09-21 | 2006-03-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법 |
| KR100699998B1 (ko) | 2004-09-23 | 2007-03-26 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법 |
| DE602005003425T2 (de) | 2004-10-11 | 2008-10-02 | Samsung SDI Co., Ltd., Suwon | Organische elektrolumineszierende Vorrichtung und deren Herstellungsmethode |
| KR100685404B1 (ko) * | 2004-10-11 | 2007-02-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100700642B1 (ko) * | 2004-12-13 | 2007-03-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시소자 및 그 제조방법 |
| KR100685804B1 (ko) * | 2004-12-14 | 2007-02-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광소자 및 그의 제조방법 |
| KR100685811B1 (ko) | 2005-01-04 | 2007-02-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
| US8016629B2 (en) * | 2005-04-25 | 2011-09-13 | Showa Denko K.K. | Method of producing a display device |
| US7799509B2 (en) * | 2005-06-04 | 2010-09-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photosensitive resin composition, method of manufacturing a thin-film transistor substrate, and method of manufacturing a common electrode substrate using the same |
| KR101326595B1 (ko) * | 2005-06-04 | 2013-11-20 | 주식회사 동진쎄미켐 | 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 박막 트랜지스터 기판의 제조방법 및 공통 전극 기판의 제조방법 |
| KR100711876B1 (ko) * | 2005-07-05 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광표시장치 및 그 제조방법 |
| US8115206B2 (en) * | 2005-07-22 | 2012-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| WO2007013692A1 (en) * | 2005-07-29 | 2007-02-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Organic electroluminescence element, exposure device and image forming apparatus |
| KR100645534B1 (ko) * | 2005-08-12 | 2006-11-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레이저 열전사용 마스크 및 그를 이용한 유기 전계 발광소자의 제조방법 |
| KR100742370B1 (ko) * | 2005-11-28 | 2007-07-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치의 제조방법 |
| US7601567B2 (en) * | 2005-12-13 | 2009-10-13 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Method of preparing organic thin film transistor, organic thin film transistor, and organic light-emitting display device including the organic thin film transistor |
| JP4544168B2 (ja) * | 2006-02-01 | 2010-09-15 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
| KR100782465B1 (ko) * | 2006-05-18 | 2007-12-05 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레이저 열전사용 도너 기판 및 이를 이용한유기전계발광표시장치의 제조 방법 |
| JP4438782B2 (ja) * | 2006-08-23 | 2010-03-24 | ソニー株式会社 | 表示装置の製造方法および表示装置 |
| KR100770104B1 (ko) * | 2006-09-28 | 2007-10-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법과 이를 위한이송 장치 |
| KR100824881B1 (ko) * | 2006-11-10 | 2008-04-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR100824880B1 (ko) * | 2006-11-10 | 2008-04-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR100824902B1 (ko) | 2006-12-13 | 2008-04-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| JP4396864B2 (ja) | 2007-03-14 | 2010-01-13 | ソニー株式会社 | 表示装置およびその製造方法 |
| JP2008276211A (ja) * | 2007-04-05 | 2008-11-13 | Fujifilm Corp | 有機電界発光表示装置およびパターニング方法 |
| KR20090092051A (ko) | 2008-02-26 | 2009-08-31 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광소자 및 그의 제조방법 |
| EP2299784A4 (en) * | 2008-06-16 | 2012-05-30 | Toray Industries | CONTOUR MODELING METHOD, DEVICE MANUFACTURING METHOD USING THE CONTOUR MODELING METHOD, AND DEVICE |
| KR20100007266A (ko) * | 2008-07-11 | 2010-01-22 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| JP4912437B2 (ja) * | 2008-08-05 | 2012-04-11 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 有機発光表示装置 |
| JP2010257670A (ja) * | 2009-04-23 | 2010-11-11 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル及びその製造方法 |
| JP5515660B2 (ja) * | 2009-11-13 | 2014-06-11 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置用基板の製造方法 |
| KR101202352B1 (ko) | 2010-07-19 | 2012-11-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| WO2012111370A1 (ja) * | 2011-02-16 | 2012-08-23 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
| JP2014096568A (ja) * | 2012-10-10 | 2014-05-22 | Rohm Co Ltd | 有機ｅｌ装置 |
| KR20140107036A (ko) * | 2013-02-27 | 2014-09-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법, 그리고 도너 기판 |
| US8997187B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-03-31 | Airwatch Llc | Delegating authorization to applications on a client device in a networked environment |
| JP6217183B2 (ja) * | 2013-07-01 | 2017-10-25 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
| CN104576688B (zh) * | 2013-10-10 | 2018-11-09 | 精工爱普生株式会社 | 发光装置以及电子设备 |
| US20150129842A1 (en) * | 2013-11-13 | 2015-05-14 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd. | Method For Manufacturing Organic Electroluminescence Device And Organic Electroluminescence Device Manufactured With Same |
| CN103560211B (zh) * | 2013-11-13 | 2017-04-05 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 有机电致发光器件的制作方法及制作的有机电致发光器件 |
| CN105449127B (zh) | 2016-01-04 | 2018-04-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光二极管显示基板及其制作方法、显示装置 |
| KR20180021286A (ko) * | 2016-08-18 | 2018-03-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조방법 |
| CN107393828A (zh) * | 2017-07-12 | 2017-11-24 | 武汉华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管的制作方法及薄膜晶体管 |
| CN109656069A (zh) * | 2017-10-11 | 2019-04-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板的制作方法、阵列基板和显示装置 |
| TWI662730B (zh) * | 2018-03-09 | 2019-06-11 | 謙華科技股份有限公司 | 製備有機發光二極體之熱轉印膜及其製備方法 |
Family Cites Families (50)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5256506A (en) | 1990-10-04 | 1993-10-26 | Graphics Technology International Inc. | Ablation-transfer imaging/recording |
| JP2734464B2 (ja) * | 1990-02-28 | 1998-03-30 | 出光興産株式会社 | エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| US5220348A (en) | 1991-08-23 | 1993-06-15 | Eastman Kodak Company | Electronic drive circuit for multi-laser thermal printer |
| US5290418A (en) * | 1992-09-24 | 1994-03-01 | Applied Biosystems, Inc. | Viscous electrophoresis polymer medium and method |
| US5278023A (en) | 1992-11-16 | 1994-01-11 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Propellant-containing thermal transfer donor elements |
| ATE150748T1 (de) | 1993-01-21 | 1997-04-15 | Merrell Pharma Inc | Als mittel gegen mehrfach resistente tumorenverwendbare diarylalkylpiperidine |
| US5308737A (en) | 1993-03-18 | 1994-05-03 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Laser propulsion transfer using black metal coated substrates |
| US5521035A (en) | 1994-07-11 | 1996-05-28 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Methods for preparing color filter elements using laser induced transfer of colorants with associated liquid crystal display device |
| US6057067A (en) | 1994-07-11 | 2000-05-02 | 3M Innovative Properties Company | Method for preparing integral black matrix/color filter elements |
| US5684365A (en) | 1994-12-14 | 1997-11-04 | Eastman Kodak Company | TFT-el display panel using organic electroluminescent media |
| US5725989A (en) | 1996-04-15 | 1998-03-10 | Chang; Jeffrey C. | Laser addressable thermal transfer imaging element with an interlayer |
| US5998085A (en) | 1996-07-23 | 1999-12-07 | 3M Innovative Properties | Process for preparing high resolution emissive arrays and corresponding articles |
| KR100195175B1 (ko) | 1996-12-23 | 1999-06-15 | 손욱 | 유기전자발광소자 유기박막용 도너필름, 이를 이용한 유기전자발광소자의 제조방법 및 그 방법에 따라 제조된 유기전자발광소자 |
| TW441136B (en) * | 1997-01-28 | 2001-06-16 | Casio Computer Co Ltd | An electroluminescent display device and a driving method thereof |
| KR100209657B1 (ko) * | 1997-04-24 | 1999-07-15 | 구자홍 | 다색 전계 발광 디스플레이 어레이 패널 및 그 제조방법 |
| JP3633229B2 (ja) | 1997-09-01 | 2005-03-30 | セイコーエプソン株式会社 | 発光素子の製造方法および多色表示装置の製造方法 |
| US6592933B2 (en) * | 1997-10-15 | 2003-07-15 | Toray Industries, Inc. | Process for manufacturing organic electroluminescent device |
| JP3927323B2 (ja) | 1998-09-11 | 2007-06-06 | パイオニア株式会社 | 有機ｅｌフルカラーディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| JP2000113982A (ja) * | 1998-10-08 | 2000-04-21 | Sony Corp | 有機ｅｌディスプレイの製造方法 |
| TW439387B (en) * | 1998-12-01 | 2001-06-07 | Sanyo Electric Co | Display device |
| JP3691313B2 (ja) * | 1998-12-01 | 2005-09-07 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
| US6114088A (en) | 1999-01-15 | 2000-09-05 | 3M Innovative Properties Company | Thermal transfer element for forming multilayer devices |
| JP3670923B2 (ja) * | 1999-02-26 | 2005-07-13 | 三洋電機株式会社 | カラー有機ｅｌ表示装置 |
| US6366025B1 (en) * | 1999-02-26 | 2002-04-02 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Electroluminescence display apparatus |
| JP2000260570A (ja) * | 1999-03-11 | 2000-09-22 | Tdk Corp | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 |
| JP2000323276A (ja) * | 1999-05-14 | 2000-11-24 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ素子の製造方法、有機ｅｌ素子およびインク組成物 |
| JP4627822B2 (ja) * | 1999-06-23 | 2011-02-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| US6384427B1 (en) * | 1999-10-29 | 2002-05-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device |
| JP4727029B2 (ja) * | 1999-11-29 | 2011-07-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Ｅｌ表示装置、電気器具及びｅｌ表示装置用の半導体素子基板 |
| KR100334239B1 (ko) * | 1999-12-16 | 2002-05-02 | 오길록 | 유기물 전기발광 디스플레이 제조방법 |
| KR100340410B1 (ko) * | 1999-12-18 | 2002-06-12 | 이형도 | 이중장벽 양자우물구조를 갖는 유기발광소자 |
| KR20010062985A (ko) * | 1999-12-21 | 2001-07-09 | 오길록 | 유기물 전기발광소자 |
| US6284425B1 (en) | 1999-12-28 | 2001-09-04 | 3M Innovative Properties | Thermal transfer donor element having a heat management underlayer |
| US6228555B1 (en) | 1999-12-28 | 2001-05-08 | 3M Innovative Properties Company | Thermal mass transfer donor element |
| US7060153B2 (en) * | 2000-01-17 | 2006-06-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing the same |
| TWM244584U (en) * | 2000-01-17 | 2004-09-21 | Semiconductor Energy Lab | Display system and electrical appliance |
| TW521303B (en) * | 2000-02-28 | 2003-02-21 | Semiconductor Energy Lab | Electronic device |
| ITMI20000390A1 (it) | 2000-02-29 | 2001-08-29 | Cap It S R L | Dispositivo per l'alimentazione elettrica a basso voltaggio di termocoperte professionali atte a mantenere a temperatura controllata pneumat |
| TW484238B (en) * | 2000-03-27 | 2002-04-21 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and a method of manufacturing the same |
| JP4581187B2 (ja) * | 2000-06-13 | 2010-11-17 | ソニー株式会社 | 表示装置の製造方法 |
| JP4423767B2 (ja) * | 2000-08-22 | 2010-03-03 | ソニー株式会社 | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
| KR100342653B1 (ko) | 2000-08-24 | 2002-07-03 | 김순택 | 유기 전계발광소자의 제조 방법 |
| JP2002083691A (ja) * | 2000-09-06 | 2002-03-22 | Sharp Corp | アクティブマトリックス駆動型有機ｌｅｄ表示装置及びその製造方法 |
| US6924594B2 (en) | 2000-10-03 | 2005-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| TW535137B (en) * | 2000-11-09 | 2003-06-01 | Toshiba Corp | Self-illuminating display device |
| DE60133460D1 (de) | 2001-09-07 | 2008-05-15 | Raisio Staest Oy | Verfahren zur Isolierung von Sterinen und/oder Wachsalkoholen aus Talölprodukten |
| KR100656490B1 (ko) | 2001-11-26 | 2006-12-12 | 삼성에스디아이 주식회사 | 풀칼라 유기전계 발광표시소자 및 그의 제조방법 |
| US6872472B2 (en) * | 2002-02-15 | 2005-03-29 | Eastman Kodak Company | Providing an organic electroluminescent device having stacked electroluminescent units |
| KR100717334B1 (ko) | 2002-03-25 | 2007-05-15 | 엘지전자 주식회사 | 일렉트로루미네센스 표시소자의 구동방법 및 장치 |
| US6891136B2 (en) | 2002-06-18 | 2005-05-10 | Http-Hypothermia Therapy Ltd. | Electrical heating device |
-
2001
- 2001-11-26 KR KR1020010073822A patent/KR100656490B1/ko active IP Right Grant
-
2002
- 2002-06-13 US US10/167,420 patent/US7009339B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-11-20 EP EP02090385A patent/EP1315209A3/en not_active Ceased
- 2002-11-21 JP JP2002338475A patent/JP4071606B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2002-11-26 CN CNB021526109A patent/CN1279794C/zh not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-12-15 US US11/011,595 patent/US7705534B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-12-15 US US11/011,596 patent/US8142839B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-07-07 US US11/175,183 patent/US7696689B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2007
- 2007-06-26 JP JP2007167959A patent/JP2007280963A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2007280963A (ja) | 2007-10-25 |
| US20050100661A1 (en) | 2005-05-12 |
| EP1315209A3 (en) | 2007-05-02 |
| US8142839B2 (en) | 2012-03-27 |
| KR100656490B1 (ko) | 2006-12-12 |
| US7696689B2 (en) | 2010-04-13 |
| US20050264192A1 (en) | 2005-12-01 |
| EP1315209A2 (en) | 2003-05-28 |
| CN1279794C (zh) | 2006-10-11 |
| US7705534B2 (en) | 2010-04-27 |
| CN1423513A (zh) | 2003-06-11 |
| US20050156518A1 (en) | 2005-07-21 |
| US7009339B2 (en) | 2006-03-07 |
| KR20030042937A (ko) | 2003-06-02 |
| JP2003168569A (ja) | 2003-06-13 |
| US20030098645A1 (en) | 2003-05-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4071606B2 (ja) | フルカラー有機電界発光表示素子の製造方法 | |
| US7456811B2 (en) | Organic electro-luminescent display device and method of manufacturing the same | |
| US7825584B2 (en) | Organic light emitting display device and method for fabricating the same | |
| JP2004165067A (ja) | 有機電界発光パネル | |
| US7550766B2 (en) | Thin film transistor (TFT) and flat panel display including the TFT | |
| JP2006148097A (ja) | 有機発光素子及び前記有機発光素子の製造方法 | |
| US20050110021A1 (en) | Active matrix organic light emitting display (OLED) and method of fabrication | |
| JP2008047862A (ja) | 表示装置とその製造方法 | |
| US8710502B2 (en) | Thin film transistor and flat panel display device including the same | |
| US7696520B2 (en) | Organic thin film transistor, method of manufacturing the same, and organic light emitting display device having the same | |
| JP5217564B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
| JP2010287634A (ja) | トランジスタを有するトランジスタ基板及びトランジスタを有するトランジスタ基板の製造方法 | |
| KR100574089B1 (ko) | 풀칼라 유기전계 발광표시소자 및 그의 제조방법 | |
| JP4884452B2 (ja) | 有機電界発光パネルの製造方法 | |
| JP2010225780A (ja) | 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法 | |
| US8153184B2 (en) | Organic EL display device and method of manufacturing the same | |
| KR100625969B1 (ko) | 전자 발광 소자 | |
| KR100841374B1 (ko) | 유기전계 발광표시장치의 제조방법 | |
| JP2009245599A (ja) | 発光装置及び発光装置の製造方法 | |
| JP2006210156A (ja) | 有機ｅｌ装置の製造方法 | |
| JP2010287628A (ja) | トランジスタ基板及びトランジスタ基板の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060801 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20061030 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20061030 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20061106 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070201 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070403 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20070626 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070626 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20070801 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071218 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080117 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4071606 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110125 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110125 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110125 Year of fee payment: 3 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110125 Year of fee payment: 3 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110125 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110125 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120125 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130125 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130125 Year of fee payment: 5 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130125 Year of fee payment: 5 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |