JP4673304B2 - 表示装置、表示装置の製造方法 - Google Patents
表示装置、表示装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4673304B2 JP4673304B2 JP2006519532A JP2006519532A JP4673304B2 JP 4673304 B2 JP4673304 B2 JP 4673304B2 JP 2006519532 A JP2006519532 A JP 2006519532A JP 2006519532 A JP2006519532 A JP 2006519532A JP 4673304 B2 JP4673304 B2 JP 4673304B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- display device
- light emitting
- emitting layer
- organic light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 72
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 67
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 15
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 40
- 239000010408 film Substances 0.000 description 38
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 34
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000011982 device technology Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
- G09F9/335—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes being organic light emitting diodes [OLED]
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Geometry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
また、本発明は、ITOを使用しないで微細な発光素子を有する有機EL表示装置を提供することを目的とする。
請求項2記載の発明は、前記各孔は有底に形成され、底面には、前記半導体基板の内部に形成され、導電性を有する不純物領域である共通電極が露出され、前記有機発光層の底面は前記共通電極に接触された請求項1記載の表示装置である。
請求項3記載の発明は、前記半導体基板の底面と前記各孔の底面との間の厚みが500nm以下にされ、前記有機発光層の発光光は、前記孔底面の前記半導体基板を透過して外部に放射される請求項2記載の表示装置である。
請求項4記載の発明は、前記不純物領域の導電型は、前記半導体基板とは反対の導電型である請求項2又は請求項3のいずれか1項記載の表示装置である。
請求項5記載の発明は、半導体基板と、前記半導体基板に形成された複数の孔と、前記各孔の底面にそれぞれ位置する共通電極と、前記各孔内にそれぞれ配置された有機発光層と、前記各有機発光層の表面に配置され、互いに電気的に分離された画素電極とを有し、前記共通電極と前記画素電極の間に電圧が印加され、前記有機発光層に電流が流れると前記有機発光層が発光するように構成された表示装置であって、前記共通電極は、前記半導体基板内に形成された不純物領域から成る表示装置である。
請求項6記載の発明は、前記半導体基板の底面と前記各孔の底面との間の厚みが200nm以上500nm以下にされ、前記有機発光層の発光光は、前記孔底面の前記半導体基板を透過して外部に放射される請求項5記載の表示装置である。
請求項7記載の発明は、前記半導体基板内には複数の接続トランジスタが形成され、前記各接続トランジスタは、第1、第2の主端子と、前記第1、第2の主端子間の導通を制御する制御端子とをそれぞれ有し、前記各画素電極は、異なる前記接続トランジスタの前記第1の主端子に接続された請求項5記載の表示装置である。
請求項8記載の発明は、前記半導体基板の底面と前記各孔の底面との間の厚みが200nm以上500nm以下にされ、前記有機発光層の発光光は、前記孔底面の前記半導体基板を透過して外部に放射される請求項7記載の表示装置である。
請求項9記載の発明は、前記半導体基板には、前記接続トランジスタとは異なるトランジスタを含む複数の電子素子が形成され、前記電子素子により、前記半導体基板には、前記各接続トランジスタの前記制御端子に接続された導通制御回路と前記第2の主端子に接続された電圧印加回路が形成され、前記導通制御回路と前記電圧印加回路によって前記複数の接続トランジスタのうちの所望のトランジスタを導通させ、該導通された接続トランジスタの前記第1の主端子に接続された前記有機発光層に電流を流し、前記有機発光層を発光させるように構成された請求項1乃至請求項4、請求項7、請求項8のいずれか1項記載の表示装置である。
請求項10記載の発明は、第1導電型の半導体基板の裏面に第2導電型の不純物を導入し、共通電極を形成する工程と、前記半導体基板の表面に複数の孔を形成し、前記各孔内に前記共通電極を露出させる工程と、前記孔内に有機発光層を形成する工程と、前記各有機発光層表面に画素電極を形成する工程とを有する表示装置の製造方法である。
請求項11記載の発明は、前記半導体基板内に第2導電型のチャネル領域を形成し、前記チャネル領域内に第1導電型で互いに分離された第1、第2の領域をそれぞれ形成し、接続トランジスタを形成する工程を有し、前記第1の領域を前記画素電極に接続する請求項10記載の表示装置の製造方法である。
孔底面には、不純物拡散によって抵抗率が低い拡散領域が配置される。それを共通電極とする。そして、各孔底面に存する共通電極の厚み、即ち、共通電極が半導体基板を構成する半導体結晶で構成される場合にはその部分の半導体結晶の厚みを、有機発光層の発光光が透過できる厚みにしておくと、発光光は共通電極を透過し、外部に放射される。
従って、有機発光層の面のうち、共通電極とは反対側の面から発光光を放射する必要が無くなるので、共通電極とは反対側の面には金属の電極を配置することができる。
また、本発明では、LSI作成に要求されるような高品質の半導体ウエハーを必要としないため、これまで廃棄もしくは再度原料としてリサイクルされていたLSI規格に合わない、例えば規格外のSiウエハーを使用することができる。
[図2]本発明の表示装置の製造工程を説明するための断面図(2)
[図3]本発明の表示装置の製造工程を説明するための断面図(3)
[図4]本発明の表示装置の製造工程を説明するための断面図(4)
[図5]本発明の表示装置の製造工程を説明するための断面図(5)
[図6]本発明の表示装置の製造工程を説明するための断面図(6)
[図7]本発明の表示装置の製造工程を説明するための断面図(7)
[図8]本発明の表示装置の製造工程を説明するための断面図(8)
[図9]本発明の表示装置の製造工程を説明するための断面図(9)
[図10]本発明の表示装置の製造工程を説明するための断面図(10)
[図11]本発明の表示装置の製造工程を説明するための断面図(11)
[図12]本発明の表示装置の製造工程を説明するための断面図(12)
[図13]本発明の表示装置の製造工程を説明するための断面図(13)
[図14]本発明の表示装置の製造工程を説明するための断面図(14)
[図15]本発明の表示装置の製造工程を説明するための断面図(15)
[図16]本発明の表示装置の製造工程を説明するための断面図(16)
[図17]本発明の表示装置の製造工程を説明するための断面図(17)
[図18]本発明の表示装置の半導体基板内での配置を説明するための平面図
[図19]本発明の表示装置を説明するための模式的な平面図
[図20]本発明の表示装置の画素を説明するための模式的な平面図
11……共通電極
20……孔
40……有機発光層
43……画素電極
102……表示装置
115……接続トランジスタ
各表示装置102は行列状に配置されており、各表示装置102の行と行の間と列と列の間には、それぞれスクライブライン103x、103yが配置されている。スクライブライン103x、103y上の半導体ウェハ101の表面は露出され、スクライブライン103x、103yの部分を切断すると、各表示装置102がそれぞれ分離されるようになっている。
この表示装置102は、最小の1ドットの表示単位に相当する画素110を複数個有している。各画素110は行列状に配置されており、各画素110の行と行の間と列と列の間には、それぞれ走査線112とデータ線111とが引き回されている。
接続トランジスタ115は、出力端子又は入力端子となる第1、第2の主端子と、前記第1、第2の主端子間の導通を制御する制御端子を有している。
ここでは接続トランジスタ115はnチャネルMOSFETであり、制御端子はゲート端子と呼ばれている。このゲート端子はデータ線111に接続されている。
また、第2の主端子はソース端子であり、該ソース端子は走査線112に接続されている。
次いで、図6に示すように、導電性薄膜14をパターニングし、少なくとも後述する孔20や開口16が形成される部分は除去する。他方、ソース領域32とドレイン領域33の間の位置の部分は残し、残った部分によってゲート電極34を構成させる。
各孔の側面の共通電極11よりも上で、半導体基板10の表面よりも下の部分では、半導体基板10の第1導電型の部分が露出されている。また、各孔20は一定距離だけ離間され、行列状に配置されている。
ここでは第1の有機薄膜35は共通電極11と接触しているが、第1の有機薄膜35と共通電極11の間に導電性を有するバッファ層を設け、第1の有機薄膜35と共通電極11が直接接触しないようにしてもよい。
ここでは有機発光層40は、有機発光層40の表面の高さが、第1の層間絶縁膜40の表面の高さと略一致するような厚みに形成されている。
この状態では、第1の層間絶縁膜15の表面と、有機発光層40の第3の有機薄膜37の表面と、プラグ18の上端も露出されており、その状態で図15に示すように、スパッタリング法等によって第一配線薄膜22を形成すると、プラグ18の上端、有機発光層40の表面、及びゲート電極34の表面等は第一配線薄膜22に接触する。この第一配線薄膜22、前述の金属膜17、及び後述する第二配線薄膜にはアルミニウム等の金属の薄膜を用いることができる。
ソース配線42は走査線112に接続され、ゲート配線はデータ線111に接続される。
第一配線薄膜22のパターニングの際、第一配線薄膜22によって走査線112も形成し、ソース配線42と接続しておく。
有機発光層40に電圧が印加されると、第1、第3の有機薄膜35、37内を正孔と電子がそれぞれ流れ、第2の有機薄膜36内で結合して第2の有機薄膜36が発光する。
従って、発光光は第1の有機薄膜35や共通電極11を透過し、外部に放射される。
Claims (11)
- 半導体基板と、
前記半導体基板に形成された複数の接続トランジスタと、
前記半導体基板に形成された複数の孔と、
前記各孔内にそれぞれ配置され、電流が流れると発光する有機発光層と、
前記各有機発光層の表面にそれぞれ配置された画素電極と、を有し、
前記各接続トランジスタは、第1、第2の主端子と、前記第1、第2の主端子間の導通を制御する制御端子とをそれぞれ有し、
前記各有機発光層上の画素電極は互いに電気的に分離され、
前記各画素電極は、異なる前記接続トランジスタの前記第1の主端子に接続された表示装置。 - 前記各孔は有底に形成され、底面には、前記半導体基板の内部に形成され、導電性を有する不純物領域である共通電極が露出され、前記有機発光層の底面は前記共通電極に接触された請求項1記載の表示装置。
- 前記半導体基板の底面と前記各孔の底面との間の厚みが500nm以下にされ、前記有機発光層の発光光は、前記孔底面の前記半導体基板を透過して外部に放射される請求項2記載の表示装置。
- 前記不純物領域の導電型は、前記半導体基板とは反対の導電型である請求項2又は請求項3のいずれか1項記載の表示装置。
- 半導体基板と、
前記半導体基板に形成された複数の孔と、
前記各孔の底面にそれぞれ位置する共通電極と、
前記各孔内にそれぞれ配置された有機発光層と、
前記各有機発光層の表面に配置され、互いに電気的に分離された画素電極とを有し、
前記共通電極と前記画素電極の間に電圧が印加され、前記有機発光層に電流が流れると前記有機発光層が発光するように構成された表示装置であって、
前記共通電極は、前記半導体基板内に形成された不純物領域から成る表示装置。 - 前記半導体基板の底面と前記各孔の底面との間の厚みが200nm以上500nm以下にされ、前記有機発光層の発光光は、前記孔底面の前記半導体基板を透過して外部に放射される請求項5記載の表示装置。
- 前記半導体基板内には複数の接続トランジスタが形成され、
前記各接続トランジスタは、第1、第2の主端子と、前記第1、第2の主端子間の導通を制御する制御端子とをそれぞれ有し、
前記各画素電極は、異なる前記接続トランジスタの前記第1の主端子に接続された請求項5記載の表示装置。 - 前記半導体基板の底面と前記各孔の底面との間の厚みが200nm以上500nm以下にされ、前記有機発光層の発光光は、前記孔底面の前記半導体基板を透過して外部に放射される請求項7記載の表示装置。
- 前記半導体基板には、前記接続トランジスタとは異なるトランジスタを含む複数の電子素子が形成され、
前記電子素子により、前記半導体基板には、前記各接続トランジスタの前記制御端子に接続された導通制御回路と前記第2の主端子に接続された電圧印加回路が形成され、
前記導通制御回路と前記電圧印加回路によって前記複数の接続トランジスタのうちの所望のトランジスタを導通させ、該導通された接続トランジスタの前記第1の主端子に接続された前記有機発光層に電流を流し、前記有機発光層を発光させるように構成された請求項1乃至請求項4、請求項7、請求項8のいずれか1項記載の表示装置。 - 第1導電型の半導体基板の裏面に第2導電型の不純物を導入し、共通電極を形成する工程と、
前記半導体基板の表面に複数の孔を形成し、前記各孔内に前記共通電極を露出させる工程と、
前記孔内に有機発光層を形成する工程と、
前記各有機発光層表面に画素電極を形成する工程とを有する表示装置の製造方法。 - 前記半導体基板内に第2導電型のチャネル領域を形成し、前記チャネル領域内に第1導電型で互いに分離された第1、第2の領域をそれぞれ形成し、接続トランジスタを形成する工程を有し、
前記第1の領域を前記画素電極に接続する請求項10記載の表示装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004143373 | 2004-05-13 | ||
JP2004143373 | 2004-05-13 | ||
PCT/JP2005/008594 WO2005111972A1 (ja) | 2004-05-13 | 2005-05-11 | 表示装置、表示装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2005111972A1 JPWO2005111972A1 (ja) | 2008-03-27 |
JP4673304B2 true JP4673304B2 (ja) | 2011-04-20 |
Family
ID=35394369
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006519532A Active JP4673304B2 (ja) | 2004-05-13 | 2005-05-11 | 表示装置、表示装置の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4673304B2 (ja) |
KR (1) | KR101071607B1 (ja) |
CN (1) | CN100466022C (ja) |
TW (1) | TW200605716A (ja) |
WO (1) | WO2005111972A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4673304B2 (ja) | 2004-05-13 | 2011-04-20 | 株式会社アルバック | 表示装置、表示装置の製造方法 |
DE102008049777A1 (de) * | 2008-05-23 | 2009-11-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Modul |
US8513655B2 (en) | 2009-12-22 | 2013-08-20 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Organic light emitting diode and manufacturing method thereof |
CN109390373B (zh) * | 2017-08-08 | 2020-09-29 | 上海视欧光电科技有限公司 | 封装结构及其封装方法 |
CN107680992B (zh) * | 2017-10-10 | 2020-03-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置及其制作方法、显示装置的修复方法 |
KR102523340B1 (ko) * | 2018-01-26 | 2023-04-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10308284A (ja) * | 1997-05-08 | 1998-11-17 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2001167877A (ja) * | 1999-09-30 | 2001-06-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 自発光装置 |
WO2001063975A1 (fr) * | 2000-02-25 | 2001-08-30 | Seiko Epson Corporation | Dispositif organique el et procede de fabrication |
JP2003123988A (ja) * | 2001-10-09 | 2003-04-25 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
JP2003270664A (ja) * | 2002-03-14 | 2003-09-25 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法 |
JP2004087358A (ja) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Rohm Co Ltd | 有機el表示装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3479023B2 (ja) * | 1999-05-18 | 2003-12-15 | シャープ株式会社 | 電気配線の製造方法および配線基板および表示装置および画像検出器 |
JP2001167887A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-06-22 | Canon Inc | 導電性液晶素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
GB2381658B (en) * | 2001-07-25 | 2004-03-03 | Lg Philips Lcd Co Ltd | Active matrix organic electroluminescent device simplifying a fabricating process and a fabricating method thereof |
KR100656490B1 (ko) * | 2001-11-26 | 2006-12-12 | 삼성에스디아이 주식회사 | 풀칼라 유기전계 발광표시소자 및 그의 제조방법 |
KR100435054B1 (ko) * | 2002-05-03 | 2004-06-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
JP4673304B2 (ja) | 2004-05-13 | 2011-04-20 | 株式会社アルバック | 表示装置、表示装置の製造方法 |
-
2005
- 2005-05-11 JP JP2006519532A patent/JP4673304B2/ja active Active
- 2005-05-11 CN CNB2005800012968A patent/CN100466022C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-05-11 WO PCT/JP2005/008594 patent/WO2005111972A1/ja active Application Filing
- 2005-05-11 KR KR1020067006458A patent/KR101071607B1/ko active IP Right Grant
- 2005-05-12 TW TW094115404A patent/TW200605716A/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10308284A (ja) * | 1997-05-08 | 1998-11-17 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2001167877A (ja) * | 1999-09-30 | 2001-06-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 自発光装置 |
WO2001063975A1 (fr) * | 2000-02-25 | 2001-08-30 | Seiko Epson Corporation | Dispositif organique el et procede de fabrication |
JP2003123988A (ja) * | 2001-10-09 | 2003-04-25 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
JP2003270664A (ja) * | 2002-03-14 | 2003-09-25 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法 |
JP2004087358A (ja) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Rohm Co Ltd | 有機el表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1898713A (zh) | 2007-01-17 |
CN100466022C (zh) | 2009-03-04 |
KR20070009967A (ko) | 2007-01-19 |
TWI373982B (ja) | 2012-10-01 |
JPWO2005111972A1 (ja) | 2008-03-27 |
WO2005111972A1 (ja) | 2005-11-24 |
KR101071607B1 (ko) | 2011-10-10 |
TW200605716A (en) | 2006-02-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100635042B1 (ko) | 전면전극을 구비한 평판표시장치 및 그의 제조방법 | |
TWI524514B (zh) | 有機發光顯示裝置之製造方法 | |
CN110366779B (zh) | 具有硅顶栅薄膜晶体管和半导体氧化物顶栅薄膜晶体管的显示器 | |
CN107086273B (zh) | 显示装置和显示装置制造方法 | |
US9478594B2 (en) | Organic electroluminescence display device and method of manufacturing organic electroluminescence display device | |
KR100839754B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
US20110127514A1 (en) | Display device and method for manufacturing display device | |
US20040183083A1 (en) | Flat panel display with anode electrode layer as power supply layer and fabrication method thereof | |
KR100696479B1 (ko) | 평판표시장치 및 그의 제조방법 | |
JP4673304B2 (ja) | 表示装置、表示装置の製造方法 | |
KR101407814B1 (ko) | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 | |
US20110127537A1 (en) | Display device and method for manufacturing display device | |
KR20140104263A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
KR100852252B1 (ko) | 표시장치 및 그 제조 방법 | |
KR100669715B1 (ko) | 유기전계 발광표시장치 및 그의 제조방법 | |
CN109285962B (zh) | 显示基板及制造方法、显示装置 | |
KR100698678B1 (ko) | 발광 표시장치 및 그의 제조방법 | |
US11094774B2 (en) | Organic light emitting diode display device | |
JP2012003088A (ja) | エレクトロルミネセンス表示装置 | |
JP5237600B2 (ja) | 表示装置およびその製造方法 | |
KR100846714B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
JP6818590B2 (ja) | 有機el表示装置、及び有機el表示装置の製造方法 | |
KR20230112760A (ko) | 표시 장치용 원장 기판 및 표시 장치 제조 방법 | |
JP2023166874A (ja) | 薄膜トランジスタ装置及びその製造方法 | |
KR20240030756A (ko) | 산화물 반도체를 포함하는 디스플레이 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080325 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20100409 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100409 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101116 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101215 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20101215 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110118 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110120 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4673304 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140128 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |