JP3479023B2 - 電気配線の製造方法および配線基板および表示装置および画像検出器 - Google Patents

電気配線の製造方法および配線基板および表示装置および画像検出器

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、フラットパネル
ディスプレイや二次元画像検出器の電子機器の電気回路
基板等に用いられる電気配線の製造方法に関し、さら
に、各種電子デバイスに適用できる配線基板、および、
液晶表示装置（ＬＣＤ），プラズマ表示装置（ＰＤ
Ｐ），エレクトロクロミック表示装置（ＥＣＤ）または
エレクトロルミネッセント表示装置（ＥＬＤ）等の表示
装置、および、光や放射線による画像検出器に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】従
来、液晶表示装置に代表されるフラットパネルディスプ
レイは、通常一対の基板の間に液晶，放電ガス等の表示
材料を挟んで保持し、この表示材料に電圧を印加する。
このとき、少なくとも一方の基板には、導電性材料から
なる電気配線を配列している。
【０００３】例えば、アクティブマトリクス駆動型ディ
スプレイの場合、表示材料を挟んで保持する一対の基板
のうちの一方の基板（アクティブマトリクス基板）上に
は、ゲート電極とデータ電極をマトリクス状に配設する
と共に、その交差部毎に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と
画素電極とを配設している。通常、このゲート電極やデ
ータ電極をＴａ，ＡｌまたはＭｏ等の金属材料で形成し
ており、スパッタ法等のドライ成膜法によって成膜して
いる。
【０００４】一方、光やＸ線のセンサーとして、上記ア
クティブマトリクス駆動型ディスプレイと同構造のアク
ティブマトリクス基板に光感知素子やＸ線感知素子を組
み合わせたフラットパネル型の二次元画像検出器が開発
されている。このような二次元画像検出器の詳細につい
ては、「Ｌ．ＳＪｅｒｏｍｉｎ，ｅｔａｌ．，“Ａｐｐ
ｌｉｃａｔｉｏｎｏｆａ‐ＳｉＡｃｔｉｖｅ‐Ｍａｔｒ
ｉｘＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙｉｎＸ‐ＲａｙＤｅｔｅｃｔ
ｏｒＰａｎｅｌ”，ＳＩＤ９７ＤＩＧＥＳＴ，ｐ．９１
―９４，１９９７」や、「特開平６−３４２０９８号公
報」等に記載されている。
【０００５】ところで、このようなフラットパネルディ
スプレイや二次元画像検出器において、大面積化，高精
細化を図ろうとした場合、駆動周波数が高くなるにした
がって、電気配線の抵抗や寄生容量が増大することか
ら、駆動信号の遅延が大きな問題となってくる。
【０００６】そこで、この駆動信号の遅延問題を解決す
るために、従来の配線材料であるＡｌ（バルク抵抗率
２．７μΩ・ｃｍ）、α−Ｔａ（バルク抵抗率１３．１
μΩ・ｃｍ）、Ｍｏ（バルク抵抗率５．８μΩ・ｃｍ）
の代わりに、より電気抵抗の低いＣｕ（バルク抵抗率
１．７μΩ・ｃｍ）を配線材料に用いる試みがなされて
いる。例えば、「ＬｏｗＲｅｓｉｓｔａｎｃｅＣｏｐｐ
ｅｒＡｄｄｒｅｓｓＬｉｎｅｆｏｒＴＦＴ―ＬＣＤ」
（ＪａｐａｎＤｉｓｐｌａｙ´８９ｐ．４９８‐５０
１）において、ゲート電極材料にＣｕを用いたＴＦＴ−
ＬＣＤ（液晶表示装置）の検討結果が開示されている。
この文献によれば、スパッタ法で成膜したＣｕ膜は下地
ガラス基板との密着性が悪いため、下地にＴａ等の金属
膜を介在させることにより密着性の向上を図る必要があ
ることが明記されている。
【０００７】しかしながら、上記下地にＴａ等の金属膜
を介在させた配線構造の場合、Ｃｕ膜とＴａ等の下地金
属膜に対して、個別のドライ成膜工程やエッチングプロ
セスが必要となり、プロセスが増加して、コストアップ
につながるといった問題を有する。
【０００８】そこで、特開平４−２３２９２２号公報に
おいて、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ―Ｔｉｎ―Ｏｘｉｄｅ：
錫添加酸化インジウム）等からなる透明電極を下地膜に
使用し、上記下地膜上にＣｕ等の金属膜をメッキ技術に
よって成膜する電気配線の製造方法が提案されている。
この技術によれば、メッキ金属は、ＩＴＯ膜上のみに選
択的に成膜することができるため、パターニングプロセ
スは透明電極のＩＴＯ膜だけでよく、Ｃｕ配線を大面積
でも高率よく成膜できる効果が明記されている。また、
ＩＴＯ膜と密着性のよいＮｉ等の金属膜をＩＴＯとＣｕ
の間に介在させる構造についても記載されている。
【０００９】一方、上記特開平４−２３２９２２号公報
に記載の電気配線の製造方法に限らず、アクティブマト
リクス基板のプロセスの短縮化、単純マトリクス型の液
晶表示装置等の透明電極の低抵抗化、ＩＴＯ膜上の半田
の濡れ性の向上といった種々の目的で、パターニングさ
れたＩＴＯ膜上にＮｉ，ＡｕまたはＣｕ等の金属膜をメ
ッキ技術で成膜する電気配線の製造方法が提案されてい
る（例えば、特開平２−８３５３３号公報、特開平２−
２２３９２４号公報、特開昭６２−２８８８８３号公
報、特開平１−９６３８３号公報参照）。
【００１０】しかしながら、上記下地にＩＴＯを用いた
電気配線の製造方法の場合、金属膜については真空成膜
装置を用いないメッキ技術によって成膜されているが、
金属膜の下地となるＩＴＯ膜については依然としてスパ
ッタ法や蒸着法の真空成膜装置によって成膜が行われる
ため、コストダウン効果が充分に得られず、大面積基板
に対して容易に対応できないという問題がある。
【００１１】そこで、この発明の目的は、真空成膜装置
を用いることなく、低コストで製造できると共に、大面
積基板に容易に対応できる電気配線の製造方法および配
線基板および表示装置および画像検出器を提供すること
にある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の電気配線の製造方法は、絶縁性基板上に
湿式成膜技術によって酸化膜を形成する酸化膜形成工程
と、上記酸化膜を所定の配線形状にパターニングするパ
ターニング工程と、上記パターニングされた酸化膜上に
湿式成膜技術によって選択的に金属膜を形成する金属膜
形成工程とを有することを特徴としている。
【００１３】上記請求項１の電気配線の製造方法によれ
ば、真空成膜装置を一切使用せずに金属膜と酸化膜とに
よって形成された積層構造の電気配線を得ることがで
き、従来の電気配線の製造方法に比べて充分なコストダ
ウン効果が得られる。また、湿式成膜技術は、真空成膜
技術に比べて大面積成膜が容易であることから、大面積
基板に対しても容易に対応できる。また、真空成膜装置
を一切使用せずに金属膜と酸化膜とによって形成された
積層構造の電気配線を得ることができるので、ガラス基
板のように耐真空性や耐熱性に優れたガラス基板以外に
も、有機材料からなる絶縁性基板（例えば高分子フィル
ム）等にも容易に電気配線を形成することが可能にな
る。さらに、真空系を用いないメリットを生かし、長い
フィルム基材を用いてロールツーロール方式で生産性よ
く電気配線を形成できる。
【００１４】また、上記金属膜形成工程で成膜される金
属膜を、上記パターニング工程により所定の配線形状に
パターニングされた酸化膜上のみに選択的に成膜するこ
とができる。したがって、酸化膜と金属膜とを絶縁性基
板の全面に成膜した後にその両者をパターニングする場
合に比べて、必要な部分にしか金属膜が成膜されないの
で、金属膜のパターニングが不要になり、金属膜材料の
無駄も発生しない。
【００１５】また、請求項２の電気配線の製造方法は、
請求項１の電気配線の製造方法において、上記酸化膜の
前駆体は感光性を有し、上記酸化膜を所定の形状にパタ
ーニングするパターニング工程は上記酸化膜の前駆体に
光を照射する工程を含むことを特徴としている。
【００１６】上記請求項２の電気配線の製造方法によれ
ば、上記酸化膜の成膜からパターニングまでの間に、レ
ジストの塗布や剥離工程を必要としないため、製造効率
を向上できる。
【００１７】また、請求項３の電気配線の製造方法は、
請求項１の電気配線の製造方法において、上記酸化膜形
成工程に用いられる湿式成膜技術はゾルゲル法であるこ
とを特徴としている。
【００１８】上記ゾルゲル法とは、湿式成膜技術の一種
であり、金属の有機化合物または無機化合物を溶液と
し、その溶液中で化合物の加水分解・重縮合反応を進ま
せて、ゾルをゲルとして固化し、ゲルの加熱によって酸
化物固体を作成する方法である。上記請求項３の電気配
線の製造方法によれば、上記ゾルゲル方法を用いること
によって、真空成膜装置を用いることなく、ガラス等の
絶縁性基板上にゾルゲル溶液を塗布して焼成するだけで
酸化膜を容易に成膜することができる。また、上記ゾル
ゲル法では、真空成膜装置によって成膜された酸化膜の
滑らかな表面に比べて、微細な孔が網目状に存在する多
孔質（ポーラス）な酸化膜を形成することが可能であ
る。したがって、ゾルゲル法によって得られた酸化膜上
に金属膜をメッキすると、酸化膜の微細な孔がアンカー
効果を発揮して、非常に密着性のよいメッキ膜を得るこ
とができる。これにより、従来困難であったＩＴＯ膜上
への無電解Ｃｕメッキも可能となる。
【００１９】また、請求項４の電気配線の製造方法は、
請求項１の電気配線の製造方法において、上記酸化膜形
成工程に用いられる湿式成膜技術は化学析出法または液
相析出法のいずれか一方であることを特徴としている。
【００２０】上記化学析出法は、水溶液中に絶縁性基板
を浸漬し、水溶中での酸化還元反応を用いて、絶縁性基
板上に酸化膜を析出する方法である。また、液相析出法
（ＬＰＤ法）は、金属フルオロ錯体やケイフッ化水素酸
の加水分解平衡反応を用いて、絶縁性基板上に酸化膜を
析出する方法である。上記請求項４の電気配線の製造方
法によれば、このような化学析出法または液相析出法を
用いることによって、真空成膜装置を用いることなく、
絶縁性基板を水溶液に浸漬するだけで酸化膜を容易に成
膜することができる。また、上記化学析出法によって得
られた酸化膜は、絶縁性基板上に付着させた金属触媒を
核に結晶粒が成長していくため、真空成膜装置によって
成膜された酸化膜に比べると表面の凹凸が激しい。した
がって、化学析出法によって得られた酸化膜上に金属膜
をメッキすれば、酸化膜の表面の凹凸がアンカー効果を
発揮して、非常に密着性のよいメッキ膜を得ることがで
きる。
【００２１】また、請求項５の電気配線の製造方法は、
請求項１の電気配線の製造方法において、上記金属膜形
成工程に用いられる湿式成膜技術は湿式メッキ法である
ことを特徴としている。
【００２２】上記請求項５の電気配線の製造方法によれ
ば、電気メッキと無電解メッキに大別される湿式メッキ
法のうちの電気メッキの場合は、金属イオンを溶解した
メッキ液に陽極となる金属と陰極（被メッキ電極）を配
置して、メッキ液に直流電流を流すことにより陰極表面
に金属膜が析出する。したがって、酸化膜形成工程で形
成する下地の酸化膜が導電性を有する場合は、その酸化
膜を陰極とすることにより、酸化膜上のみに金属膜を析
出させることが可能になる。一方、上記無電解メッキ
（還元メッキや置換メッキ等）の場合は、メッキ液に電
流を流さずに金属膜を析出させることが可能である。し
たがって、上記酸化膜形成工程で形成される下地の酸化
膜の導電性の有無を問わず、金属膜を析出させることが
可能になる。また、電気メッキに比べると電流密度分布
の影響を受けないので、大面積でも膜厚なメッキ膜を成
膜することが可能である。さらに、このときに酸化膜上
のみに選択的に触媒を付着させる処理を行うことによ
り、酸化膜上のみに選択的に金属膜を析出させることも
可能となる。このように、金属膜形成工程の湿式成膜技
術に湿式メッキ法を用いることにより、真空成膜装置を
用いずに金属膜を容易に成膜することができる。
【００２３】また、請求項６の電気配線の製造方法は、
請求項１乃至５のいずれか１つの電気配線の製造方法に
おいて、上記酸化膜がメッキ触媒を含有することを特徴
としている。
【００２４】上記請求項６の電気配線の製造方法によれ
ば、後の工程で酸化膜上に無電解メッキによって金属膜
を形成する場合に、メッキ触媒の付与工程を省くことが
可能になる。
【００２５】また、請求項７の電気配線の製造方法は、
請求項１乃至６のいずれか１つの電気配線の製造方法に
おいて、上記酸化膜が導電性酸化膜であることを特徴と
している。
【００２６】上記請求項７の電気配線の製造方法によれ
ば、上記酸化膜を導電性酸化膜とすることにより、その
導電性酸化膜上に電気メッキによる金属膜形成が可能に
なる。
【００２７】また、請求項８の電気配線の製造方法は、
請求項７の電気配線の製造方法において、上記導電性酸
化膜が透明性を有することを特徴としている。
【００２８】上記請求項８の電気配線の製造方法によれ
ば、上記酸化膜を透明性を有する導電性酸化膜とするこ
とにより、電気配線以外に例えば液晶表示装置や二次元
画像検出器の画素毎に設けられている透明電極も同じ透
明導電性酸化膜で形成することができ、プロセスの短縮
化ができる。
【００２９】また、請求項９の電気配線の製造方法は、
請求項７または８の電気配線の製造方法において、上記
導電性酸化膜は、電気配線およびその電気配線以外の用
途の膜であって、上記絶縁性基板上に同一工程により同
じ材料で形成されることを特徴としている。
【００３０】上記請求項９の電気配線の製造方法によれ
ば、液晶表示装置や二次元画像検出器のように、電気配
線の用途以外に透明導電膜（例えば画素毎に設けられて
いる透明電極）の成膜を必要とする場合、同一工程によ
り同じ材料で形成された透明導電性酸化膜を、上記電気
配線およびその電気配線以外の用途の膜に用いることが
でき、プロセスを短縮化できると共に、効率よく電気配
線を製造できる。
【００３１】また、請求項１０の電気配線の製造方法
は、請求項１乃至９のいずれか１つの電気配線の製造方
法において、上記金属膜は、ニッケル，銅および金のう
ちのいずれか１つからなる単層膜か、または、上記ニッ
ケル，銅および金のうちのいずれか１つからなる単層膜
を少なくとも１層含む多層膜であることを特徴としてい
る。
【００３２】上記請求項１０の電気配線の製造方法によ
れば、Ｎｉ膜は、酸化膜（ＩＴＯ等）上に密着性よく成
膜することができ、さらに酸化膜（ＩＴＯ等）上のみに
選択的に無電解メッキを行うこともできる。また、Ｃｕ
やＡｕは比抵抗が小さく、低抵抗な電気配線を実現する
ことができる。特に、酸化膜（ＩＴＯ膜）上にＮｉ膜を
成膜し、さらにそのＮｉ膜上にＣｕ，ＡｕまたはＣｕ／
Ａｕ等の膜を成膜すれば、密着性のよい低抵抗な電気配
線を実現することが可能になる。
【００３３】また、請求項１１の配線基板は、絶縁性基
板上に湿式成膜技術によって形成され、配線形状にパタ
ーニングされた酸化膜と、上記パターニングされた酸化
膜上に湿式成膜技術によって選択的に成膜された金属膜
とを有する積層構造の電気配線を備えたことを特徴とし
ている。
【００３４】上記請求項１１の配線基板によれば、真空
成膜装置を一切使用せずに金属膜と酸化膜とによって形
成された積層構造の電気配線を得ることができ、従来の
製造方法で形成された電気配線を用いる場合に比べて充
分なコストダウン効果が得られる。また、湿式成膜技術
は、真空成膜技術に比べて大面積成膜が容易であること
から、大面積基板に対しても容易に対応できる。また、
真空成膜装置を一切使用せずに金属膜と酸化膜とによっ
て形成された積層構造の電気配線を得ることができるた
め、ガラス基板のように耐真空性や耐熱性に優れたガラ
ス基板以外にも、有機材料からなる絶縁性基板（例えば
高分子フィルム）等にも容易に電気配線を形成すること
が可能になる。さらには、真空系を用いないメリットを
生かし、非常に長いフィルム基材を用いてロールツーロ
ール方式で生産性よく電気配線を形成できる。
【００３５】また、上記酸化膜と金属膜とを上記絶縁性
基板の全面に成膜した後にその両者を配線形状にパター
ニングする場合に比べて、必要な部分にしか金属膜が成
膜されないので、金属膜のパターニング工程が不要にな
り、金属膜材料の無駄も発生しない。
【００３６】また、請求項１２の電気配線は、請求項１
１の配線基板において、上記酸化膜の前駆体が感光性を
有することを特徴としている。
【００３７】上記請求項１２の電気配線によれば、上記
酸化膜の前駆体に光を照射して酸化膜を所定の形状にパ
ターニングすることが可能となり、酸化膜の成膜からパ
ターニングまでの間に、レジストの塗布や剥離工程を必
要としないため、製造効率を向上できる。
【００３８】また、請求項１３の配線基板は、請求項１
１または１２の配線基板において、上記酸化膜が多孔質
な膜であることを特徴としている。
【００３９】上記請求項１３の配線基板によれば、上記
多孔質（ポーラス）な酸化膜上に金属膜をメッキする
と、酸化膜の微細な孔がアンカー効果を発揮して、非常
に密着性のよいメッキ膜を得ることができる。これによ
り、従来困難であったＩＴＯ膜上への無電解Ｃｕメッキ
も可能となる。
【００４０】また、請求項１４の配線基板は、請求項１
１または１２の配線基板において、上記酸化膜が表面に
凹凸を有する膜であることを特徴としている。
【００４１】上記請求項１４の配線基板によれば、上記
酸化膜の表面の凹凸がアンカー効果を発揮して、酸化膜
上に非常に密着性のよいメッキ膜を形成することができ
る。
【００４２】また、請求項１５の配線基板は、請求項１
１乃至１４のいずれか１つの配線基板において、上記酸
化膜が導電性酸化膜であることを特徴としている。
【００４３】上記請求項１５の配線基板によれば、上記
酸化膜を導電性酸化膜とすることにより、導電性酸化膜
上に電気メッキによる金属膜形成が可能になる。
【００４４】また、請求項１６の配線基板は、請求項１
５の配線基板において、上記導電性酸化膜が透明性を有
することを特徴としている。
【００４５】上記請求項１６の配線基板によれば、上記
酸化膜を透明性を有する導電性酸化膜とすることによ
り、電気配線以外に例えば液晶表示装置や二次元画像検
出器の画素毎に設けられている透明電極も同じ透明導電
性酸化膜で形成することができ、プロセスの短縮化を実
現できる。
【００４６】また、請求項１７の配線基板は、請求項１
１乃至１６のいずれか１つの配線基板において、上記金
属膜は、ニッケル，銅または金のうちのいずれか１つの
単層膜か、または、上記ニッケル，銅または金のうちの
いずれか１つの単層膜を少なくとも１層含む多層膜であ
ることを特徴としている。
【００４７】上記請求項１７の配線基板によれば、Ｎｉ
膜は、酸化膜（ＩＴＯ膜等）上に密着性よく成膜するこ
とができ、さらに酸化膜（ＩＴＯ膜等）上のみに選択的
に無電解メッキを行うこともできる。また、ＣｕやＡｕ
は比抵抗が小さく、低抵抗な電気配線を実現することが
できる。特に、酸化膜（ＩＴＯ膜）上にＮｉ膜を成膜
し、さらにその上にＣｕ、Ａｕ、Ｃｕ／Ａｕ等の膜を成
膜すれば、密着性のよい低抵抗な電気配線を実現するこ
とが可能になる。
【００４８】また、請求項１８の表示装置は、請求項１
１乃至１７のいずれか１つの配線基板を用いたことを特
徴としている。
【００４９】上記請求項１８の表示装置によれば、真空
成膜装置を用いることなく、低コストで製造できると共
に、大面積基板に対応可能な表示装置を提供できる。
【００５０】また、請求項１９の画像検出器は、請求項
１１乃至１７のいずれか１つの配線基板を用いたことを
特徴としている。
【００５１】上記請求項１９の画像検出器によれば、真
空成膜装置を用いることなく、低コストで製造できると
共に、大面積基板に対応可能な画像検出器を提供でき
る。
【００５２】また、請求項２０の電気配線の製造方法
は、絶縁性基板上に触媒を付与する触媒付与工程と、上
記触媒が付与された絶縁性基板上に、水溶液中の化学析
出法によって酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、上記
酸化膜上に、湿式メッキ法によって金属膜を形成する金
属膜形成工程とを有することを特徴としている。
【００５３】また、請求項２１の電気配線の製造方法
は、請求項２０の電気配線の製造方法において、上記酸
化膜がＺｎＯからなることを特徴としている。
【００５４】また、請求項２２の電気配線の製造方法
は、請求項２０または２１の電気配線の製造方法におい
て、上記金属膜は、ニッケル，銅および金のうちのいず
れか１つの単層膜か、または、上記ニッケル，銅および
金のうちのいずれか１つの単層膜を少なくとも１層含む
多層膜であることを特徴としている。
【００５５】また、請求項２３の配線基板は、絶縁性基
板上に付与された触媒と、上記触媒が付与された絶縁性
基板上に、水溶液中の化学析出法によって形成された酸
化膜と、上記酸化膜上に、湿式メッキ法によって形成さ
れた金属膜を有する積層構造の電気配線を有することを
特徴としている。
【００５６】また、請求項２４の配線基板は、請求項２
３の配線基板において、上記酸化膜がＺｎＯからなるこ
とを特徴としている。
【００５７】また、請求項２５の配線基板は、請求項２
３または２４の配線基板において、上記金属膜は、ニッ
ケル，銅および金のうちのいずれか１つの単層膜か、ま
たは、上記ニッケル，銅および金のうちのいずれか１つ
の単層膜を少なくとも１層含む多層膜であることを特徴
としている。
【００５８】
【発明の実施の形態】以下、この発明の電気配線の製造
方法および配線基板および表示装置および画像検出器を
図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００５９】（第１実施形態） 図１はこの発明の第１実施形態の表示装置に用いられる
配線基板の断面図である。
【００６０】図１に示すように、絶縁性基板としてのガ
ラス基板１上にゲート配線２，ゲート電極３が形成され
ている。このゲート配線２，ゲート電極３は、スパッタ
法によって成膜される従来のＡｌ，ＴａおよびＭｏとい
った電気配線とは異なり、後述する電気配線の製造方法
により全て湿式成膜技術によって成膜された積層膜で構
成されている。さらにその上にはＳｉＮｘからなるゲー
ト絶縁膜４を形成している。そして、上記ゲート電極３
上に、ａ−Ｓｉ：Ｈからなるチャネル層６と、ｎ＋型の
ａ−Ｓｉ：Ｈからなるコンタクト層７と、Ａｌ（または
Ｔａ，Ｍｏ等）からなるソース電極８，ドレイン電極９
とで構成されたＴＦＴ部１５を形成している。また、画
素部には、透明電極５（または反射電極）を形成してい
る。さらに、ＴＦＴ部１５やバスライン部（ゲート配線
２およびソース配線（図示せず））の上に、ＳｉＮｘや
有機絶縁膜からなる絶縁保護膜１０を形成している。こ
のようなＴＦＴ等のアクティブ素子を備えた配線基板
は、一般にアクティブマトリクス基板と呼ばれる。
【００６１】また、図２は上記アクティブマトリクス基
板を用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置の構造
を示す斜視図である。図２に示すように、絶縁性基板２
１上に、マトリックス状に配列されたゲート電極２３，
ソース電極２４と、そのゲート電極２３，ソース電極２
４の交差部毎に配設された画素電極２５，ＴＦＴ２６を
設けると共に、対向基板３１に、カラーフルター３４
と、ブラックマトリクス３５と、共通電極３２とを設け
ている。そして、上記アクティブマトリクス型液晶表示
装置は、アクティブマトリクス基板２１と対向基板３１
との間に液晶３０を挟んだ構造をしている。このアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置において、画素電極２５
に、透明電極を用いれば透過型液晶表示装置、反射電極
を用いれば反射型液晶表示装置を実現することができ
る。
【００６２】次に、図１に示すゲート配線２，ゲート電
極３の製造方法について説明する。図３（ａ）〜（ｅ）
は上記ゲート配線２，ゲート電極３の製造方法を示す工
程図である。なお、図１のゲート配線２，ゲート電極３
では、ＩＴＯ膜１１，Ｎｉ膜１２，Ａｕ膜１３およびＣ
ｕ膜１４からなる積層膜のみを示している。
【００６３】［第１の工程］ まず、酸化膜形成工程としての第１の工程において、図
３（ａ）に示すように、ガラス等の絶縁性基板４１の表
面に、湿式成膜技術を用いて酸化膜薄膜４２を形成す
る。なお、この発明における絶縁性基板は、ガラス，セ
ラミックまたは表面に絶縁層を備えた半導体基板（また
は導体基板）等の無機基板や、ＰＥＴ（テレフタル酸ポ
リエチレン），ＡＢＳ（アクリロニトリル―ブタジエン
―スチレン共重合体）またはＰＣ（ポリカーボネート）
等の各種有機基板（またはフィルム）等を含む。
【００６４】この第１の工程における湿式成膜技術は、
スパッタ法やＣＶＤ法のような乾式成膜技術ではなく、
真空系を用いずに行なう成膜技術の総称であり、例えば
ゾルゲル法、水溶液中の化学析出法や液相析出法、酸化
物の微粒子を分散させた溶液や樹脂の塗布成膜、溶液の
ミストを用いたＣＭＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＭｉｓｔＤｅ
ｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、スプレー法等などを範囲に含
む。
【００６５】上記ゾルゲル法とは、金属の有機化合物ま
たは無機化合物を溶液とし、溶液中で化合物の加水分解
・重縮合反応を進ませて、ゾルをゲルとして固化し、ゲ
ルの加熱によって酸化物固体を作成する方法である。
【００６６】図４は金属アルコキシドを原料とするゾル
ゲル法による薄膜の作成手順を示している。なお、出発
原料としては、重縮合反応が可能な金属アルコキシドが
適しているが、金属アルコキシドと一緒であれば金属塩
や金属アセチルアセトナート錯体等も使用できる。ま
た、溶媒には、各種アルコールが使用されるのが一般的
である。まず、ステップＳ１で金属アルコキシドを溶媒
で希釈する。次に、ステップＳ２で水を加えて、加水分
解・重縮合反応を行わせて、ゾルを形成する。そして、
ステップＳ３でゾルを絶縁性基板に塗布し、ゲル膜を生
成する。このときの塗布法としては、ディッピング法、
スピンコーティング法、メニカスコーティング法等があ
る。その後、ゲル膜を乾燥した後、ステップＳ４で残留
有機物を除去するために４００℃程度の熱処理を行うこ
とにより、非晶質または結晶性薄膜を成膜する。通常、
乾燥後のゲル膜は、多孔体（キセロゲル）となり、微細
な孔が網目状に存在する膜となりやすい。また、ゾルゲ
ル溶液の組成や焼成条件を工夫することにより、微細な
孔が網目状に存在する多孔質（ポーラス）な膜から、空
孔の少ない緻密な膜まで任意に成膜することが可能であ
る。
【００６７】このようなゾルゲル法を用いれば、ガラス
等の絶縁性基板上にゾルゲル溶液を塗布して焼成するだ
けで酸化膜を形成することができるため、真空成膜装置
を用いずに成膜することができ、その酸化膜上に金属膜
を形成することにより配線基板を安価に製造できると共
に、大面積成膜にも容易に対応できる。
【００６８】なお、ゾルゲル法により成膜が可能な酸化
膜の種類や原理等の詳細については、「ゾル−ゲル法の
科学」（発行：アグネ承風社、著者：作花済夫）等に詳
しく記載されている。また、透明導電性酸化膜であるＩ
ＴＯ膜の成膜については、「ゾル・ゲル法によるＩＴＯ
薄膜の作製」（ＪｏｕｒｎａｌｏｆｔｈｅＣｅｒａｍｉ
ｃＳｏｃｉｅｔｙｏｆＪａｐａｎ，ｖｏｌ．１０２，Ｎ
０．２，ｐ．２００―２０５，１９９４）や、「特開平
８−２５３３１８号公報」等に成膜例が報告されてい
る。
【００６９】一方、化学析出法とは、水溶液中に絶縁性
基板を浸漬し、水溶中の酸化還元反応を用いて、絶縁性
基板上に酸化膜を析出する方法であり、陽極析出法や陰
極析出法がある。この化学析出法において酸化剤や還元
剤を用いることにより、無電解で絶縁性基板上に酸化膜
を析出させることが可能である。例えば、金属の硝酸塩
と還元剤（例えばジメチルアミンボラン（ＤＭＡＢ））
を共存させた水溶液中に、触媒が付着した絶縁性基板を
浸漬すると、還元剤から供給される電子により硝酸−亜
硝酸の還元反応が駆動され、その結果、金属酸化膜（ま
たは水酸化膜）が析出する。
【００７０】また、水溶液中で酸化膜を成膜する方法と
しては、他に液相析出法（ＬＰＤ法）がある。この液相
析出法は、金属フルオロ錯体やケイフッ化水素酸の加水
分解平衡反応を用いて、絶縁性基板上に酸化膜を析出す
る方法である。
【００７１】このような化学析出法を用いることによっ
て、ガラス基板を水溶液に浸漬するだけで酸化膜を形成
することができるため、真空成膜装置を用いることな
く、酸化膜を成膜することができ、後工程でその酸化膜
上に金属膜を形成することにより配線基板を安価に製造
できると共に、大面積成膜にも容易に対応できる。
【００７２】なお、透明導電性酸化膜であるＺｎＯの成
膜については、「ＴｒａｎｓｐａｒｅｔＺｉｎｃＯｘｉ
ｄｅＦｉｌｍｓＣｈｅｍｉｃａｌｌｙＰｒｅｐａｒｅｄ
ｆｒｏｍＡｑｕｅｏｕｓＳｏｌｕｔｉｏｎ」（Ｊ．Ｅｌ
ｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｖｏｌ．１４４，Ｎ
ｏ．１，Ｊａｎｕａｒｙ１９９７）や、「特開平９−２
７８４３７号公報」に記載されている。また、透明導電
性酸化膜であるＩｎ２Ｏ３の成膜については、「Ｐｒｅ
ｐａｒａｔｉｏｎｏｆＴｒａｎｓｐａｒｅｎｔＩｎｄｉ
ｕｍＯｘｉｄｅＦｉｌｍｓｆｒｏｍａＣｈｅｍｉｃａｌ
ｌｙＤｅｐｏｓｉｔｅｄＰｒｅｃｕｒｓｏｒ」（Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌａｎｄＳｏｌｉｄ‐Ｓｔａｔ
ｅＬｅｔｔｅｒｓ，ｖｏｌ．１，Ｎｏ．５，１９９８）
等に成膜例が記載されている。
【００７３】また、酸化物の微粒子を分散させた溶液や
樹脂の塗布成膜とは、透明導電酸化物などの超微粒子
（一次粒子径が０．０１〜０．１μｍ程度の粒子）を感
光性レジストなどのバインダーに分散させ、スピン塗布
などで基板上に成膜する方法である。本方法では、塗布
された膜をバインダーが熱分解しない程度の温度で焼成
することで、バインダー（すなわちレジスト樹脂）に収
縮などの体積変化をもたらす。この結果、分散していた
超微粒子が凝集し、互いに接触し合うため透明導電性酸
化膜としての性能が発現する仕組みになっている。
【００７４】なお、このような酸化物の超微粒子を分散
させた溶液や樹脂の塗布成膜については、「特開平１０
―２５５５５６号公報」等に記載されている。ところ
で、本方法で成膜される膜は、純粋な酸化膜ではなく、
バインダーと酸化物超微粒子の混在膜になるが、広義で
本明細書の酸化膜の定義に属するものとする。
【００７５】［第２の工程］ 次に、パターンニング工程としての第２の工程におい
て、図３（ｂ）に示すように、上記第１の工程で得られ
た酸化膜４２（図３（ａ）に示す）を配線形状にパター
ニングする。
【００７６】上記パターニングの方法としては、フォト
リソグラフィ等の技術によって酸化膜上に所定のパター
ンのレジストを形成し、ウェットエッチングやドライエ
ッチングにより不要な酸化膜を除去する方法が一般的で
ある。例えば、ＩＴＯ膜のエッチングには、ＨＢｒや塩
化第二鉄水溶液を用いることができる。また、ＳｎＯ２
のエッチングには、亜鉛触媒と塩酸とを用いることがで
きる。
【００７７】また、それ以外でも、第１の工程でゾルゲ
ル法によって酸化膜を形成する場合、酸化膜自身に感光
性を持たせておいて、レジストを用いずにパターニング
することも可能である。例えば、アセチルアセトン（Ａ
ｃＡｃ）やベンゾイルアセトン（ＢｚＡｃ）等のキレー
ト剤により化学修飾された金属アルコキシドを用いてゲ
ル膜を形すると、そのゲル膜は、紫外線照射によってゲ
ル膜の溶解度が大きく変化する。すなわち、紫外線が照
射されたゲル膜はキレート結合が切断され、アルカリ溶
液やアルコールに不溶化する。この原理を用いて、ゲル
膜を露光，現像した後、焼成を行うことにより酸化膜の
パターニングが簡便になる。また、化学修飾されていな
い通常のゲル膜に対してエキシマレーザーを照射して、
ゲル膜を分解しパターニングすることも可能である。
【００７８】また、その他の方法として、ゾルゲル溶液
と、感光性を有する樹脂を適度な割合でブレンドするこ
とで、ゾルゲル溶液に感光性を付与することが可能にな
る。例えば、ゾルゲル溶液に光重合性を有するモノマー
（例えばアクリル系モノマー）と重合開始剤をブレンド
した材料の前駆膜に紫外線を照射すると、モノマーが重
合し網目状の高分子（高分子ネットワーク）が形成さ
れ、その高分子ネットワークの隙間にゾルゲル溶液が存
在した状態になる。その後、現像処理を行うことで紫外
線が照射した重合部分の膜のみネガパターンとして残存
し、未照射部は未重合のモノマーと共にゾルゲル溶液も
現像液に溶解する。最後に５００℃程度の焼成を行い、
高分子ネットワークやゾルゲル溶液中の残留有機物を除
去することでゾルゲル酸化膜のパターンが完成する。こ
の場合、感光性樹脂としては市販のネガ型フォトレジス
ト等を使用することもできる。
【００７９】［第３の工程］ 次に、金属膜形成工程としての第３の工程において、図
３（ｂ）に示すように、上記第２の工程で得られた酸化
膜のパターン４２ａ（図３（ｂ）に示す）上に、湿式成
膜技術を用いてＮｉからなる金属膜４３を成膜する。こ
の第３の工程における湿式成膜技術は、スパッタ法やＣ
ＶＤ法のような金属の乾式成膜技術ではなく、真空系を
用いずに行う金属成膜技術、いわゆる湿式メッキ法のこ
とである。
【００８０】上記湿式メッキ法は、電気メッキと無電解
メッキに大別される。電気メッキの場合は、金属イオン
を溶解したメッキ液に陽極となる金属と陰極（被メッキ
電極）とを配置して、メッキ液に直流電流を流すことに
より陰極表面に金属膜が析出する。したがって、第１の
工程で形成する酸化膜が導電性を有する場合、酸化膜を
陰極とすることにより、酸化膜上のみに金属膜を析出さ
せることが可能になる。―方、無電解メッキ（還元メッ
キ，置換メッキ等）の場合は、メッキ液に電流を流さず
に金属膜を析出させることが可能である。したがって、
第１の工程で形成される酸化膜の導電性を問わずに金属
膜を析出させることが可能になる。さらに、このとき、
酸化膜上のみに触媒を付着させる処理を行うことによ
り、あるいは酸化膜内に予めＰｄなどのメッキ触媒を含
有させておくことにより酸化膜上のみに選択的に金属膜
を析出させることも可能となる。上記湿式メッキ法にお
いて、メッキ可能な金属としては、ニッケル，コバル
ト，スズ，金，銅，銀またはパラジウム等がある。ま
た、この第３の工程で成膜する金属膜は、単層でもよい
し、それぞれ役割の異なる金属膜の積層膜でもよい。例
えば、酸化膜に密着性のよいＮｉからなる金属膜４３上
に、無電解メッキにより低抵抗なＡｕからなる金属膜４
４を積層してもよいし（図３（ｄ））、さらにＡｕ膜４
４上に、電気メッキにより低抵抗で低コストなＣｕから
なる金属膜４５を積層してもよい（図３（ｅ））。
【００８１】このように、［第１の工程］，［第２の工
程］および［第３の工程］によって、真空成膜装置を一
切使用せずに金属膜と酸化膜とによって形成された積層
構造の電気配線が得られる。従来、ＩＴＯパターンの上
に金属膜を形成する場合、金属については、真空成膜装
置を用いないメッキ技術によって成膜されていたが、金
属膜の下地となるＩＴＯ膜については、依然としてスパ
ッタ法や蒸着法といった真空成膜装置によって成膜が行
われていた。したがって、コストダウン効果や大面積成
膜の容易性といったメリットが充分に得られていなかっ
た。これに対して、上記電気配線の製造方法では、真空
成膜装置を―切使用しないので、装置コストが安価であ
り、従来の電気配線の製造方法に比べて充分なコストダ
ウン効果が得られる。また、湿式成膜技術は、真空成膜
技術に比べて大面積成膜が容易であることから、大面積
基板に対しても容易に対応することが可能になる。さら
に、低温成膜が可能となることから、成膜に関わるエネ
ルギー消費量を削減することも可能となる。
【００８２】以下、上記［第１の工程］〜［第３の工
程］ついて、具体的な４通りの配線基板の製造方法
（１）〜（４）を夫々説明する。
【００８３】電気配線の製造方法（１） 先ず、第１の工程として、コーニング社製＃１７３７の
ガラス基板上に、ゾルゲル法によりＩＴＯ膜を成膜す
る。このとき、ゾルゲル溶液はアルコールで適当な粘性
に希釈し、スピンコートにより約０．２μｍの厚みで塗
布する。そして、１５０℃で乾燥させた後、４５０℃で
焼成を行うことにより約０．１μｍの厚みの多孔質のＩ
ＴＯ膜が完成する。
【００８４】次に、第２の工程として、ＩＴＯ膜のパタ
ーニングを行う。上記ＩＴＯ膜上にポジ型のフォトレジ
ストをスピンコートにより約１μｍの厚みで塗布した
後、８０℃でプリベークを行った後、フォトマスクを介
して紫外線露光を行う。その後、現像処理と、１２０℃
のポストベーク処理とを行うことにより、ＩＴＯ膜上に
配線形状の有するレジストパターンを形成する。このレ
ジストパターンが形成されたガラス基板をＨＢｒに浸漬
することにより、レジストに覆われていない領域のＩＴ
Ｏ膜をエッチングする。最後に、レジスト剥離液を用い
てレジストを除去することにより、配線形状のＩＴＯパ
ターンを形成する。
【００８５】さらに、第３の工程として、ＩＴＯ膜上に
無電解メッキによりＮｉ膜を成膜する。先ず、ＩＴＯパ
ターン付き絶縁性基板を、アルカリや有機溶剤を用いて
脱脂洗浄を行う。次に、必要に応じてフッ化物含有溶液
でＩＴＯ膜表面を僅かにエッチング粗化した後、塩化パ
ラジウム溶液に浸漬して活性化処理（アクティベーティ
ング処理）を行うことにより、ＩＴＯ膜上のみに無電解
メッキの触媒となるパラジウム触媒を析出させる。そし
て、次亜リン酸塩を還元剤とする無電解Ｎｉメッキ液を
用いてＮｉ膜を約０．３μｍの厚みで成膜する。これに
より、ＩＴＯパターン上のみに選択的にＮｉ膜を成膜す
る。
【００８６】なお、パラジウム触媒付与の方法として
は、ＰｄＣｌ２やＳｎＣｌ２からなる錯塩またはコロイ
ド溶液による触媒付与（キャタリスト）処理と、フッ化
物含有の酸性アクセレーターによる触媒活性（アクセレ
ーター）処理とにより、ＩＴＯ膜上のみに選択的にパラ
ジウム触媒を析出させる方法も可能である。
【００８７】また、ゾルゲル法によって得られる酸化膜
に予めＰｄなどの触媒を含有させたり、ＰｄＯを主成分
とする酸化膜を形成することにより、上述の触媒付与工
程を省くことも可能である。
【００８８】一般に、ゾルゲル法によって得られる酸化
膜は、空孔の少ない緻密な膜を成膜することが可能であ
るが、ゾルゲル溶液の組成や焼成条件を工夫することに
より、微細な孔が網目状に存在する多孔質（ポーラス）
な膜を得ることもできる。つまり、図５（ａ）に示すよ
うに、ガラス基板５１上にスパッタ法により成膜された
ＩＴＯ膜５２の滑らかな表面形状に比べて、図５（ｂ）
に示すように、絶縁性基板５３上にゾルゲル法により成
膜され、その内部に多くの気孔５５を有するＩＴＯ膜５
４を得ることが可能である。このように、意図的に多孔
質に成膜されたＩＴＯ膜５４の場合、無電解メッキ用の
パラジウム触媒が、ＩＴＯ膜５４の微細な孔の内部にも
析出し、この孔を埋めるようにＮｉが析出していく。し
たがって、ＩＴＯ膜５４の微細な孔がアンカー効果を発
揮して、スパッタ等の真空成膜で得られたＩＴＯ膜５４
上へのＮｉメッキに比べて、密着性のよいメッキ膜を得
ることができる。
【００８９】比較のため、スパッタ法で成膜されたＩＴ
Ｏ膜と、ゾルゲル法で成膜されたＩＴＯ膜の両者に対し
て、ＩＴＯ膜表面のエッチング粗化処理を行わず、同じ
条件でＮｉの無電解メッキを行い、クロスカット法によ
るピールテストを行って密着性の評価を行った。この結
果、スパッタ法で成膜されたＩＴＯ膜上にメッキされた
Ｎｉについては、一部膜ハガレ現象が見られたが、ゾル
ゲル法で成膜されたＩＴＯ膜上にメッキされたＮｉは全
く膜ハガレが生じなかった。
【００９０】このようにして得られた無電解Ｎｉメッキ
膜は、還元剤の影響でＮｉとＰの共析膜となるため、膜
の面抵抗が４〜５Ω／□と高く、電気配線の用途として
は限られたものとなる。そこで、Ｎｉ膜の低抵抗化を図
るために、必要に応じてＮｉ膜上にＡｕメッキを施す。
【００９１】このＡｕメッキは、Ｎｉ膜に対して無電解
置換メッキが可能なため、配線形状を有するＮｉ／ＩＴ
Ｏ膜上のみに選択的に成膜が可能であり、Ｎｉ膜の表面
から約０．０５μｍをＡｕに置換することにより、膜の
面抵抗を約０．５Ω／□に低減することが可能になる。
【００９２】さらに、低抵抗化が必要な場合は、Ａｕを
電気メッキで厚く成膜するか、または、Ａｕ膜上にＣｕ
等の低抵抗膜を金属電解（または無電解メッキ）で成膜
するとよい。ただし、Ａｕを厚くメッキするとコストア
ップにつながるので、Ｃｕメッキにより低抵抗化を図る
ことが望ましい。例えば、Ａｕ／Ｎｉ／ＩＴＯ膜上にＣ
ｕ電気メッキで約０．１５μｍ成膜すると、膜の面抵抗
は約０．１Ω／□まで低減し、大型高精細のフラットパ
ネルディスプレイ用電気配線としても充分に使用できる
ものとなる。
【００９３】このとき、電気配線の表面はＣｕが露出し
た構造になるが、Ｃｕの酸化を防ぐ場合には、さらにバ
リア金属を積層したり、酸素遮断膜をコートしたりし
て、次工程までＣｕを保護することも有用である。
【００９４】また、ＩＴＯ膜上に形成されるメッキ膜と
しては、上述に限らず、ニッケル，コバルト，スズ，
金，銅，銀またはパラジウム等の各種金属を使用しても
よく、それらを組み合わせて使用してもよい。
【００９５】電気配線の製造方法（２） 上記製造方法（１）の第１，第２の工程と同様に、ゾル
ゲル法によりＩＴＯ膜を形成し、エッチングによりＩＴ
Ｏ膜をパターン形成する。なお、酸化膜を成膜すると
き、ゾルゲル溶液の組成や焼成条件を工夫することによ
り、酸化膜中に微細な孔が網目状に存在する多孔質（ポ
ーラス）な膜に形成する。
【００９６】その後、第３の工程として、ＩＴＯ膜上に
金属膜を成膜する。具体的には、ＰｄＣｌ２やＳｎＣｌ
２からなる錯塩またはコロイド溶液による触媒付与（キ
ャタリスト）処理と、フッ化物含有の酸性アクセレータ
ーによる触媒活性（アクセレーター）処理とにより、Ｉ
ＴＯ膜上のみに選択的にパラジウム触媒を析出させる。
このとき、ＩＴＯ膜の微細な孔の内部にもパラジウム触
媒が析出する。
【００９７】その後、無電解メッキにより、ＩＴＯ膜上
にＣｕを０．２μｍの厚みで成膜する。従来、ＩＴＯ膜
上へのＣｕの無電解メッキは、密着性が非常に悪く、Ｃ
ｕ膜を形成するのは困難であった。しかし、この製造方
法（２）では、ゾルゲル法により成膜されたＩＴＯ膜の
微細な孔がアンカー効果を発揮するため、ＩＴＯ膜上へ
の直接Ｃｕメッキが可能となる。この原理を利用すれ
ば、Ｃｕに限らず、Ａｕ等の他の金属も直接ＩＴＯ膜上
に無電解メッキを施すことが可能になる。
【００９８】これにより、Ｃｕ／ＩＴＯ膜の面抵抗は約
０．１Ω／□となり、大型高精細のフラットパネルディ
スプレイ用電気配線としても充分に使用できるものとな
る。
【００９９】電気配線の製造方法（３） 先ず、第１の工程として、コーニング社製＃１７３７の
ガラス基板上に、ゾルゲル法によりＳｎＯ２膜を成膜す
る。このとき、ゾルゲル溶液に、アセチルアセトン（Ａ
ｃＡｃ）を配合し、アルコールで適当な粘性に希釈した
後、スピンコートにより約０．１μｍの厚みで塗布す
る。そして、約２００℃で乾燥させることにより、Ｓｎ
Ｏ２のキレート膜を形成する。
【０１００】次に、第２の工程として、ＳｎＯ２のキレ
ート膜をパターニングする。具体的には、ＳｎＯ２のキ
レート膜に、配線パターンが描かれたフォトマスクを介
して紫外線（λ＝３００ｎｍ）照射を行うことにより、
紫外線が照射された部分のみキレート結合を切断する。
その後、絶縁性基板をアルカリ水溶液に浸漬させると、
紫外線が照射されなかったキレート膜のみが溶解し、結
果としてＳｎＯ２のパターンが完成する。さらにその
後、約４００℃で焼成を行うことにより、ＳｎＯ２が緻
密化，低抵抗化し、ＳｎＯ２の配線パターンが完成す
る。
【０１０１】次に、第３の工程として、ＳｎＯ２膜上に
メッキにより金属膜を形成する。メッキ膜の成膜方法と
しては、上記製造方法（１），（２）と同様の方法が可
能であり、 ・Ｎｉ／ＳｎＯ２膜 ・Ａｕ／Ｎｉ／ＳｎＯ２膜 ・Ｃｕ／Ａｕ／Ｎｉ／ＳｎＯ２膜 ・Ｃｕ／Ｎｉ／ＳｎＯ２膜 ・Ｃｕ／ＳｎＯ２膜 等の構成が可能である。特に、ＣｕやＡｕを用いた膜の
構成を用いることによって、膜の面抵抗は約０．１Ω／
□となり、大型高精細のフラットパネルディスプレイ用
電気配線としても充分に使用できるものとなる。
【０１０２】また、上記電気配線の製造方法（３）で
は、ＳｎＯ２膜の成膜からパターニングまでの間に、レ
ジストの塗布や剥離工程を必要としないため、製造方法
（１）に比べて製造効率が向上する。
【０１０３】なお、キレート剤を用いて、感光性を付与
できるゾルゲル酸化膜としては、上記ＳｎＯ２膜以外に
もＩｎ２Ｏ３，ＩＴＯ，ＴｉＯ２，ＺｒＯ２およびＳｉ
Ｏ２等からなる各種酸化膜が成膜可能であり、また、こ
れらの酸化膜上に選択的に触媒を付着させることによ
り、酸化膜パターン上に選択的に各種金属膜をメッキ成
膜することが可能である。
【０１０４】電気配線の製造方法（４） 先ず、第１の工程として、コーニング社製＃１７３７の
ガラス基板上に、化学析出法によりＺｎＯ膜を成膜す
る。具体的に説明すれば、先ずガラス基板をアルカリ溶
液や有機溶剤を用いて脱脂洗浄し、センシタイザーおよ
びアクチベーター処理によりパラジウム触媒付与を行っ
た後、Ｚｎ（ＮＯ３）２とジメチルアミンボラン（ＤＭ
ＡＢ）を含有する浴温６０℃の水溶液に浸漬することに
より、ＺｎＯ膜を０．２μｍの厚みで成膜する（成膜プ
ロセスの詳細は特開平９−２７８４３７号公報を参
照）。
【０１０５】このとき、ＺｎＯ膜は、触媒であるパラジ
ウムを核として成長して成膜されるため、真空成膜装置
によって成膜された酸化膜に比べると、表面に激しい凹
凸が存在する。つまり、図５（ｃ）に示すように、絶縁
性基板５６上に化学析出法により成膜された表面が凹凸
のＺｎＯ膜５７を得ることが可能である。
【０１０６】次に、第２の工程として、ＺｎＯ膜をレジ
ストマスクを用いたエッチング処理により配線形状にパ
ターニングする。
【０１０７】次に、第３の工程として、ＺｎＯ膜上にメ
ッキにより金属膜を形成する。メッキ膜の成膜方法とし
ては、製造方法（１），（２）と同様の方法が可能であ
り、 ・Ｎｉ／ＺｎＯ膜 ・Ａｕ／Ｎｉ／ＺｎＯ膜 ・Ｃｕ／Ａｕ／Ｎｉ／ＺｎＯ膜 ・Ｃｕ／Ｎｉ／ＺｎＯ膜 ・Ｃｕ／ＺｎＯ膜 等の構成が可能である。特に、ＣｕやＡｕを用いた膜の
構成を用いれば、膜の面抵抗は約０．１Ω／□となり、
大型高精細のフラットパネルディスプレイ用電気配線と
しても充分に使用できるものとなる。
【０１０８】また、上記ＺｎＯ膜の代わりに化学析出法
によって得られたＩＴＯ膜を用いても同様のメッキ膜を
得ることが可能である。
【０１０９】また、上記ＺｎＯ膜やＩＴＯ膜のように化
学析出法によって得られた酸化膜の表面の凹凸がアンカ
ー効果を発揮して、非常に密着性のよいメッキ膜を得る
ことができる。
【０１１０】比較のため、スパッタ法で成膜されたＩＴ
Ｏ膜と、化学析出法で成膜されたＺｎＯ膜の両者に対し
て、ＩＴＯ膜表面のエッチング粗化処理を行わず、同じ
条件でＮｉの無電解メッキを行い、クロスカット法によ
るピールテストを行って密着性の評価を行った。この結
果、スパッタ法で成膜されたＩＴＯ膜上にメッキされた
Ｎｉについては、一部膜ハガレ現象が見られたが、化学
析出法で成膜されたＺｎＯ膜上にメッキされたＮｉは全
く膜ハガレが生じなかった。
【０１１１】なお、水溶液中で酸化膜を成膜する方法と
しては、上述の酸化還元反応を利用した化学析出法以外
にも、金属フルオロ錯体やケイフッ化水素酸の加水分解
平衡反応を用いた液相析出法等があり、ＳｉＯ２または
ＴｉＯ２等からなる各種酸化膜の成膜も可能である。
【０１１２】また、これらの酸化膜上に選択的に触媒を
付着させることにより、酸化膜パターン上に選択的に各
種金属膜をメッキ成膜することが可能である。
【０１１３】上記電気配線の製造方法（４）では、酸化
膜を水溶液中で析出しているため、１００℃以下の低温
で成膜することが可能である。また、その酸化膜上にメ
ッキ成膜する金属膜も１００℃以下の低温で成膜が可能
なため、密着性を向上させるための成膜後の補助的な焼
成を除けば、全て１００℃以下の低温プロセスにより電
気配線の形成が可能になる。したがって、ガラス基板に
限定されず、ＡＢＳ，ＰＣまたはＰＥＴ等の有機系基板
（またはフィルム）上にも容易に電気配線を形成するこ
とが可能になる。
【０１１４】上記電気配線の製造方法（１）〜（４）で
は、真空成膜装置を一切使用しないので、従来の電気配
線の製造方法に比べて充分なコストダウン効果が得られ
る。また、湿式成膜技術は、真空成膜技術に比べて大面
積成膜が容易であることから、大面積基板に対しても容
易に対応することが可能となる。さらには、真空系を用
いないメリットを生かし、非常に長いロール状に巻き付
けたフィルム基材を順次搬送しながら、ロールツーロー
ル方式で生産性よく電気配線を形成することも可能であ
る。
【０１１５】この発明の第１実施形態では、全て湿式成
膜技術よって得られた酸化膜上に、無電解メッキによっ
て金属膜を形成することにより電気配線を形成している
が、酸化膜として導電性酸化膜を用いると、無電解メッ
キに限らず、電気メッキでも、導電性酸化膜上にメッキ
膜を直接形成することも可能である。ただし、この場合
は、導電性酸化膜のシート抵抗にメッキ膜の膜厚分布が
影響されるので、それを考慮した基板サイズや用途に限
定される。
【０１１６】また、上記第１実施形態では、スパッタ法
や蒸着法といった真空成膜装置によって成膜された酸化
膜上に金属メッキを行うよりも、ゾルゲル法や化学析出
法で成膜された酸化膜上に金属メッキを行った方が、密
着性の優れた金属膜を形成できるため、信頼性の優れた
表示装置を実現することが可能になる。
【０１１７】（第２実施形態） 図６はこの発明の第２実施形態の表示装置に用いられる
配線基板の断面図であって、この配線基板は、第１実施
形態の電気配線の製造方法（１）〜（４）のいずれか１
つにより製造された電気配線をゲート配線に用いた液晶
表示装置用のアクティブマトリクス基板である。
【０１１８】図６に示すように、ガラス基板８１上にゲ
ート配線８２（ゲート電極８３）が形成されており、ス
パッタ法によって成膜される従来のＡｌ，ＴａまたはＭ
ｏといった電気配線の代わりに、電気配線の製造方法
（１）〜（４）を簡単に適用することが可能である（図
６では４層構造の積層膜で構成された電気配線のみを示
す）。さらにその上には、ＳｉＮｘからなるゲート絶縁
膜８４を形成している。そして、上記ゲート電極８３上
に、ａ−Ｓｉ：Ｈからなるチャネル層８５と、ｎ＋型の
ａ−Ｓｉ：Ｈからなるコンタクト層８６と、Ｍｏからな
るソース電極８７、ドレイン電極８８とで構成されたＴ
ＦＴ部８０を形成している。また、さらにそのＴＦＴ部
８０やバスライン部（ゲート配線８２およびソース配線
（図示せず））の上には、ＳｉＮｘからなる絶縁保護膜
１０１および有機層間絶縁膜１０３を形成し、さらに有
機層間絶縁膜１０３上の最表層部に、画素電極として透
明電極８９（または反射電極）を形成している。画素電
極である透明電極８９とドレイン電極８８は、絶縁保護
膜１０１および有機層間絶縁膜１０３に設けられたコン
タクトホール１０４を介して電気的に接続されている。
【０１１９】上記構成の配線基板は、第１実施形態の図
１に示す配線基板と同様の効果を有する。
【０１２０】（第３実施形態） 図７はこの発明の第３実施形態の表示装置に用いられる
配線基板の断面図であって、この配線基板は、第１実施
形態の電気配線の製造方法（１）〜（４）のいずれか１
つにより製造された電気配線をゲート配線に用いた液晶
表示装置用のアクティブマトリクス基板である。
【０１２１】図７に示すように、ガラス基板９１上にゲ
ート配線９２（ゲート電極９３）が形成されており、ス
パッタ法によって成膜される従来のＡｌ，ＴａまたはＭ
ｏといった電気配線の代わりに、電気配線の製造方法
（１）〜（４）を適用する（図７では４層構造の積層膜
で構成された電気配線のみを示す）。このとき、ゲート
配線９２の最下層となる酸化膜を、ＩＴＯ，ＳｎＯ２ま
たはＺｎＯ等からなる導電性酸化膜で形成し、さらにこ
の導電性酸化膜の形成と同時に画素電極９４を形成して
おく。さらにその上には、ＳｉＮｘからなるゲート絶縁
膜１００を形成する。そして、ゲート電極９３上に、ａ
−Ｓｉ：Ｈからなるチャネル層９６と、ｎ＋型のａ―Ｓ
ｉ：Ｈからなるコンタクト層９７と、Ｍｏ，Ｔａまたは
Ａｌ等の金属からなるソース電極９８，ドレイン電極９
９とで構成されたＴＦＴ部９０を形成している。そし
て、ＴＦＴ部９０やバスライン部（ゲート配線９２およ
びソース配線（図示せず））の上には、ＳｉＮｘや有機
絶縁膜からなる絶縁保護膜１０２を形成している。
【０１２２】このように、ゲート配線９２の最下層であ
る酸化膜として、ＩＴＯ，ＳｎＯ２またはＺｎＯ等から
なる透明性の優れた導電性酸化膜を用いると、液晶表示
装置のように、電気配線以外にも別途透明導電膜（例え
ば画素毎に設けられている透明電極）の成膜を必要とす
る場合、両者を同じ透明導電性酸化膜で形成することが
でき、プロセスの短縮（高効率化）を実現することがで
きる。
【０１２３】（第４実施形態） 図８はこの発明の第４実施形態の二次元画像検出器の平
面模式図を示している。図８に示すように、上記二次元
画像検出器は、ガラス基板１１０と、上記ガラス基板１
１０上に碁盤の目状に配列された画素電極１１１と、上
記画素電極１１１の行毎に設けられたゲート配線１１２
と、上記画素電極１１１の列毎に設けられたデータ電極
１１３と、上記データ電極１１３が入力端子に接続され
たアンプ１１４と、上記画素電極１１１に設けられ、上
記ゲート配線１１２にゲートが接続されたＴＦＴ１１５
と、上記画素電極１１１毎に設けられた蓄積容量１１６
とを備えている。
【０１２４】また、図９は図８で示した二次元画像検出
器の１画素当りの断面図である。この二次元画像検出器
は、アクティブマトリクス基板上にＸ線導電体と上部電
極が形成された構造を基本的に有している。図９に示す
ように、ガラス基板１２１上にゲート電極１２２を形成
している。このゲート配線１２２は、スパッタ法によっ
て成膜される従来のＡｌ，ＴａまたはＭｏといった電気
配線とは異なり、第１実施形態で説明した方法で全て湿
式成膜技術によって成膜されたＣｕ／Ａｕ／Ｎｉ／ＩＴ
Ｏの積層膜で構成している。さらにその上に、ＳｉＮｘ
からなるゲート絶縁膜１２４を形成している。そして、
上記ゲート電極１２２上に、ａ−Ｓｉ：Ｈからなるチャ
ネル層１２６と、ｎ＋型のａ−Ｓｉ：Ｈからなるコンタ
クト層１２７と、Ａｌ，ＴａまたはＭｏ等の金属からな
るソース電極１２８，ドレイン電極１２９とで構成され
たＴＦＴ部１２０を形成している。さらに、ＴＦＴ部１
２０やゲート配線，ソース配線（図示せず）を覆うよう
に樹脂製の絶縁層１３０）を形成した後、画素電極１２
８として透明電極や金属電極を形成している。上記画素
電極１２８とＴＦＴ部１２０のドレイン電極１２９と
を、絶縁層に設けられたビアホール（図示せず）によっ
て接続している。また、蓄積容量は、蓄積容量電極１２
３と画素電極１２８の間に介在するゲート絶縁膜１２４
によって構成されている。
【０１２５】このような構成のアクティブマトリクス基
板上に、Ｘ線導電層１３１と上部電極１３２とを形成す
ることにより二次元画像検出器が完成する。なお、Ｘ線
導電層１３１の材料としては、ａ−Ｓｅ，ＣｄＴｅ，Ｃ
ｄＺｎＴｅまたはＰｂＩ２等が使用できる。
【０１２６】上記構成の二次元画像検出器では、Ｘ線導
電層８１にＸ線が入射すると、Ｘ線導電層８１内で電子
−正孔対が発生し、この電荷が蓄積容量（蓄積容量電極
１２３，画素電極１２８およびゲート絶縁膜１２４で構
成）に蓄積される。この電荷を二次元状に配置されたＴ
ＦＴ部１２０（図８では１１５）で順次読み出していく
ことにより、Ｘ線の画像を得ることが可能になる。
【０１２７】このように、上記二次元画像検出器は、真
空成膜装置を一切使用せずに金属膜と酸化膜とによって
形成された積層構造の電気配線（ゲート配線）が得られ
る。したがって、第１〜第３実施形態と同様に、酸化膜
上に密着性の優れた金属膜を形成できるため、信頼性の
高い二次元画像検出器を実現することが可能になる。
【０１２８】また、この第４実施形態では、真空成膜装
置を一切使用しないので、装置コストが安価であり、従
来の電気配線の製造方法に比べて充分なコストダウン効
果が得られる。また、湿式成膜技術は、真空成膜技術に
比べて大面積成膜が容易であることから、大面積基板に
対しても容易に対応することが可能になる。特に、Ｘ線
の二次元画像を検出しようとした場合、原理上、Ｘ線像
を結像させることが困難なため、受像領域に略等しいサ
イズの二次元画像検出器が必要となることから、二次元
画像検出器自身の大面積化が要求されるので、この発明
は極めて有効なものとなる。さらに、この場合、低温成
膜が可能となることから、成膜に関わるエネルギー消費
量を削減することも可能となる。
【０１２９】さらに、Ｘ線導電層を画素毎に分離するよ
うにパターンニング形成してもよいし、Ｘ線導電層を各
種ダイオード構造とすることも可能である。また、Ｘ線
導電層の代わりに光導電層を用いれば、光に対する二次
元画像検出器を形成することも可能である。また、この
ような光に対する二次元画像検出器とＸ線−光変換層を
組み合わせて、Ｘ線用の二次元画像検出器を構成するこ
とも可能である。
【０１３０】なお、上記第１〜第４実施形態の図１，図
６，図７または図９に示す配線基板（アクティブマトリ
クス基板）の構造は単なる一例であり、ゲート配線だけ
でなくソース配線にも湿式成膜法を適用することが可能
である。また、ＴＦＴの構造も図１，図６，図７または
図９に示すＴＦＴ部１５，８０，９０，１２０に限定さ
れるわけではなく、スタガー構造，逆スタガー構造のど
ちらにも適用できる。また、ａ−Ｓｉを用いたＴＦＴだ
けでなく、ｐ−Ｓｉ，ＣｄＳｅ等からなる他の半導体膜
を用いたＴＦＴ構造を採用しても構わない。さらに、Ｔ
ＦＴ以外にもＭＩＭ（ＭｅｔａｌＩｎｓｕｌａｔｏｒＭ
ｅｔａｌ：メタル・インシュレータ・メタル），ＢＴＢ
（バックツーバックダイオード），ダイオードリング，
バリスタまたはプラズマスイッチング等を用いたアクテ
ィブマトリクス基板を表示装置や画像検出器に広く適用
することができる。また、上記電気配線の構造は、アク
ティブ素子を備えない配線基板にも適用することがで
き、その配線基板を用いて、パッシブマトリクス型の表
示装置を形成することも可能である。
【０１３１】また、上記第１〜第３実施形態では、配線
基板が用いられる液晶表示装置について説明したが、表
示装置はこれに限らず、表示媒体として液晶以外の光学
媒体を採用した表示装置、例えば、 ・プラズマ表示装置（ＰＤＰ） ・無機または有機のＥＬ表示装置 ・エレクトロクロミック表示装置 ・電気泳動表示装置 などの電気配線を必要とするあらゆる表示装置、とりわ
け低抵抗化，大面積化，コストダウン等が要求される表
示装置に広く適用できる。
【０１３２】また、この発明の電機配線の製造方法で
は、アクティブマトリクス駆動型やパッシブマトリクス
駆動型のフラットパネルディスプレイ全般や、その他フ
ラットパネル形状をした二次元画像検出器や、その他の
電気配線を具備するあらゆる電子機器に広く適用するこ
とが可能である。
【０１３３】また、この発明の配線基板（アクティブマ
トリクス基板）は、透過型液晶表示装置や反射型液晶表
示装置および二次元画像検出器等に使用することがで
き、中でも大面積であることが求められるディスプレイ
分野のように、電気配線の低抵抗化するためにＣｕを使
用する場合や、ドライ成膜に代わり湿式成膜により電気
配線を形成する場合に極めて有効である。
【０１３４】
【発明の効果】以上より明らかなように、請求項１の発
明の電気配線の製造方法によれば、絶縁性基板上に湿式
成膜技術によって酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、
上記酸化膜を所定の配線形状にパターニングするパター
ニング工程と、上記パターニングされた酸化膜上に湿式
成膜技術によって選択的に金属膜を形成する金属膜形成
工程とを有するので、真空成膜装置を一切使用せずに金
属膜と酸化膜とによって形成された積層構造の電気配線
を得ることができ、従来の製造方法に比べて充分なコス
トダウン効果が得られる。また、湿式成膜技術は、真空
成膜技術に比べて大面積成膜が容易であることから、大
面積基板に対しても容易に対応することができる。ま
た、真空成膜装置を一切使用せずに金属膜と酸化膜とに
よって形成された積層構造の電気配線を得ることができ
るため、耐真空性や耐熱性に優れたガラス基板以外に
も、有機材料からなる絶縁性基板（例えば高分子フィル
ム）等にも容易に電気配線を形成することが可能にな
る。さらに、真空系を用いないメリットを生かし、非常
に長いフィルム基材を用いてロールツーロール方式で生
産性よく電気配線を形成することもできる。
【０１３５】また、上記酸化膜形成工程と上記金属膜形
成工程との間のパターニング工程により、上記酸化膜を
所定の形状にパターニングするので、金属膜形成工程で
成膜される金属膜を、パターニングされた酸化膜上のみ
に選択的に成膜することができ、酸化膜と金属膜との両
者を全面成膜してから両者をパターニングする方法に比
べて、必要な部分にしか金属膜が成膜されないので、金
属膜のパターニングが不要になり、金属膜材料の無駄も
発生しない。
【０１３６】また、請求項２の発明の電気配線の製造方
法によれば、請求項１の電気配線の製造方法において、
上記酸化膜の前駆体は感光性を有し、上記酸化膜を所定
の形状にパターニングするパターニング工程は上記酸化
膜の前駆体に光を照射する工程を含むことによって、上
記酸化膜の成膜からパターニングまでの間に、レジスト
の塗布や剥離工程を必要としないため、製造効率を向上
できる。
【０１３７】また、請求項３の発明の電気配線の製造方
法によれば、請求項１の電気配線の製造方法において、
上記酸化膜形成工程に用いられる湿式成膜技術はゾルゲ
ル法であるので、真空成膜装置を用いることなく、ガラ
ス等の絶縁性基板上にゾルゲル溶液を塗布して焼成する
だけで酸化膜を容易に成膜することができる。また、上
記ゾルゲル法によって、微細な孔が網目状に存在する多
孔質（ポーラス）な酸化膜を形成して、その酸化膜上に
金属膜をメッキすることにより、酸化膜の微細な孔がア
ンカー効果を発揮して、非常に密着性のよいメッキ膜を
得ることができる。これにより、従来困難であったＩＴ
Ｏ膜上への無電解Ｃｕメッキも可能となる。
【０１３８】また、請求項４の発明の電気配線の製造方
法によれば、請求項１の電気配線の製造方法において、
上記酸化膜形成工程に用いられる湿式成膜技術は化学析
出法または液相析出法のいずれか一方であるので、真空
成膜装置を用いることなく、ガラス基板を水溶液に浸漬
するだけで酸化膜を容易に成膜することができる。ま
た、化学析出法によって得られた酸化膜は、絶縁性基板
上に付着させた金属触媒を核に結晶粒が成長していくた
め、真空成膜装置によって成膜された酸化膜に比べると
表面の凹凸が激しいので、その酸化膜上に金属膜をメッ
キすることにより、酸化膜の表面の凹凸がアンカー効果
を発揮して、非常に密着性のよいメッキ膜を得ることが
できる。
【０１３９】また、請求項５の発明の電気配線の製造方
法によれば、請求項１の電気配線の製造方法において、
上記金属膜形成工程に用いられる湿式成膜技術は湿式メ
ッキ法であるので、金属膜形成工程の湿式成膜技術に湿
式メッキ法を用いることにより、真空成膜装置を用いず
に金属膜を容易に成膜することができる。
【０１４０】また、請求項６の発明の電気配線の製造方
法によれば、請求項１乃至５のいずれか１つの電気配線
の製造方法において、上記酸化膜がメッキ触媒を含有し
ているので、後の工程で酸化膜上に無電解メッキによっ
て金属膜を形成する場合に、メッキ触媒の付与工程を省
くことが可能になる。
【０１４１】また、請求項７の発明の電気配線の製造方
法によれば、請求項１乃至６のいずれか１つの電気配線
の製造方法において、上記酸化膜が導電性酸化膜である
ので、導電性酸化膜上に電気メッキによる金属膜形成が
可能になる。
【０１４２】また、請求項８の発明の電気配線の製造方
法によれば、請求項７の電気配線の製造方法において、
上記導電性酸化膜が透明性を有することにより、電気配
線以外に例えば液晶表示装置の画素毎に設けられている
透明電極を同じ透明導電性酸化膜で形成することがで
き、プロセスの短縮化ができる。
【０１４３】また、請求項９の発明の電気配線の製造方
法によれば、請求項７または８の電気配線の製造方法に
おいて、電気配線以外の用途の透明導電膜（例えば液晶
表示装置の画素毎に設けられている透明電極）の成膜を
必要とする場合、同一工程により同じ材料で形成された
透明導電性酸化膜を、上記電気配線およびその電気配線
以外の用途の透明導電膜に用いることができ、プロセス
を短縮化でき、効率よく電気配線を製造できる。
【０１４４】また、請求項１０の発明の電気配線の製造
方法によれば、請求項１乃至９のいずれか１つの電気配
線の製造方法において、上記金属膜は、ニッケル，銅お
よび金のうちのいずれか１つからなる単層膜か、また
は、上記ニッケル，銅および金のうちのいずれか１つか
らなる単層膜を少なくとも１層含む多層膜であるので、
Ｎｉの単層膜の場合は、酸化膜（ＩＴＯ等）上に密着性
よく成膜することができ、さらに酸化膜（ＩＴＯ等）上
のみに選択的に無電解メッキを行うこともできると共
に、ＣｕやＡｕの単層膜の場合は比抵抗が小さく、低抵
抗な電気配線を実現することができる。特に、酸化膜
（ＩＴＯ膜）上にＮｉ膜を成膜し、さらにその上にＣ
ｕ，ＡｕまたはＣｕ／Ａｕ等の膜を成膜することによ
り、密着性のよい低抵抗な電気配線を実現することが可
能になる。
【０１４５】また、請求項１１の発明の配線基板によれ
ば、絶縁性基板上に湿式成膜技術によって形成され、配
線形状にパターニングされた酸化膜と、上記パターニン
グされた酸化膜上に湿式成膜技術によって選択的に成膜
された金属膜とを有する積層構造の電気配線を備えたの
で、真空成膜装置を一切使用せずに金属膜と酸化膜とに
よって形成された積層構造の電気配線を得ることがで
き、従来の製造方法で形成された電気配線を用いる場合
に比べて充分なコストダウン効果が得られる。また、湿
式成膜技術は、真空成膜技術に比べて大面積成膜が容易
であることから、大面積基板に対しても容易に対応する
ことが可能になる。また、真空成膜装置を一切使用せず
に金属膜と酸化膜の積層櫛造配線を形成するため、耐真
空性や耐熱性に優れたガラス基板以外にも、有機材料か
らなる絶縁性基板や高分子フィルム等にも容易に電気配
線を形成することが可能になる。さらには、真空系を用
いないメリットを生かし、非常に長いフィルム基材を用
いて、ロールツーロール方式で生産性よく電気配線を形
成することも可能である。
【０１４６】また、上記酸化膜が配線形状にパターニン
グされ、そのパターニングされた酸化膜上に上記金属膜
が選択的に成膜されているので、酸化膜と金属膜との両
者を全面成膜した後にその両者を配線形状にパターニン
グする方法に比べると、必要な部分にしか金属膜が成膜
されないから、金属膜のパターニング工程が不要にな
り、その上、金属膜材料の無駄も発生しない。
【０１４７】また、請求項１２の発明の電気配線の製造
方法によれば、請求項１１または請求項１３の配線基板
において、上記酸化膜の前駆体が感光性を有するので、
酸化膜の前駆体に光を照射して酸化膜を所定の形状にパ
ターニングでき、酸化膜の成膜からパターニングまでの
間に、レジストの塗布や剥離工程を必要としないため、
製造効率を向上できる。
【０１４８】また、請求項１３の発明の配線基板によれ
ば、請求項１１または１２の配線基板において、上記酸
化膜が多孔質な膜であるので、酸化膜上に金属膜をメッ
キすることにより、酸化膜の微細な孔がアンカー効果を
発揮して、非常に密着性のよいメッキ膜を得ることがで
き、従来困難であったＩＴＯ膜上への無電解Ｃｕメッキ
も可能となる。
【０１４９】また、請求項１４の発明の配線基板によれ
ば、請求項１１または１２の配線基板において、上記酸
化膜が表面に凹凸を有する膜であるので、酸化膜上に金
属膜をメッキすることにより、酸化膜の表面の凹凸がア
ンカー効果を発揮して、非常に密着性のよいメッキ膜を
得ることができる。
【０１５０】また、請求項１５の発明の配線基板によれ
ば、請求項１１乃至１４のいずれか１つの配線基板にお
いて、上記酸化膜が導電性酸化膜であるので、導電性酸
化膜上に電気メッキによる金属膜形成が可能になる。
【０１５１】また、請求項１６の発明の配線基板によれ
ば、請求項１５の配線基板において、上記導電性酸化膜
が透明性を有するので、液晶表示装置や二次元画像検出
器のように、電気配線以外に透明導電膜（例えば画素毎
に設けられている透明電極）の成膜を必要とする場合、
両者を同じ透明導電性酸化膜で形成することができ、プ
ロセスの短縮化を実現することができる。
【０１５２】また、請求項１７の発明の配線基板によれ
ば、請求項１１乃至１６のいずれか１つの配線基板にお
いて、上記金属膜は、ニッケル，銅または金のうちのい
ずれか１つの単層膜か、または、上記ニッケル，銅また
は金のうちのいずれか１つの単層膜を少なくとも１層含
む多層膜であるので、Ｎｉの単層膜の場合は、酸化膜
（ＩＴＯ膜等）上に密着性よく成膜することができ、さ
らに酸化膜（ＩＴＯ膜等）上のみに選択的に無電解メッ
キを行うこともできると共に、ＣｕやＡｕの単層膜の場
合は比抵抗が小さく、低抵抗な電気配線を実現すること
ができる。特に、酸化膜（ＩＴＯ膜）上にＮｉ膜を成膜
し、さらにその上にＣｕ，ＡｕまたはＣｕ／Ａｕ等の膜
を成膜すれば、密着性がよくかつ低抵抗な電気配線を実
現することが可能になる。
【０１５３】また、請求項１８の発明の表示装置によれ
ば、請求項１１乃至１７のいずれか１つの配線基板を用
いたので、真空成膜装置を用いることなく、低コストで
製造できると共に、大面積基板に対応可能な表示装置を
提供できる。
【０１５４】また、請求項１９の発明の画像検出器によ
れば、請求項１１乃至１７のいずれか１つの配線基板を
用いたので、真空成膜装置を用いることなく、低コスト
で製造できると共に、大面積基板に対応可能な画像検出
器を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１はこの発明の第１実施形態の表示装置に
用いる配線基板の断面図である。
【図２】 図２は上記配線基板をアクティブマトリクス
型液晶表示装置の構造を示す斜視図である。
【図３】 図３（ａ）〜（ｅ）１は図１に示す電気配線
の製造方法を示す図である。
【図４】 図４は金属アルコキシドを原料とするゾルゲ
ル法による薄膜の作成手順を示す図である。
【図５】 図５（ａ）〜（ｃ）は成膜方法の違いによる
酸化膜構造の断面図である。
【図６】 図６はこの発明の第２実施形態の表示装置に
用いる配線基板の断面図である。
【図７】 図７はこの発明の第３実施形態の表示装置に
用いる配線基板の断面図である。
【図８】 図８はこの発明の第４実施形態の二次元画像
検出器の平面摸式図である。
【図９】 図９は上記二次元画像検出器の１画素当りの
断面図である。
【符号の説明】
１…ガラス基板、２…ゲート配線、 ３…ゲート電極、４…ゲート絶縁膜、 ５…透明電極、６…チャネル層、 ７…コンタクト層、８…ソース電極、 ９…ドレイン電極、１０…絶縁保護膜、 １５…ＴＦＴ部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｂ 13/00 ５０３ Ｈ０１Ｂ 13/00 ５０３Ｄ Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｂ Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｇ０２Ｆ 1/136 ５００ (56)参考文献 特開 平８−144061（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−20487（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 28/00 C23C 18/31 G02F 1/1333 500 G02F 1/1368 H05K 3/46

Claims (25)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 絶縁性基板上に湿式成膜技術によって酸
    化膜を形成する酸化膜形成工程と、上記酸化膜を所定の配線形状にパターニングするパター
    ニング工程と、 上記パターニングされた酸化膜上に湿式成膜技術によっ
    て選択的に金属膜を形成する金属膜形成工程とを有する
    ことを特徴とする電気配線の製造方法。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の電気配線の製造方法に
    おいて、 上記酸化膜の前駆体は感光性を有し、上記酸化膜を所定
    の形状にパターニングするパターニング工程は上記酸化
    膜の前駆体に光を照射する工程を含むことを特徴とする
    電気配線の製造方法。
  3. 【請求項３】 請求項１に記載の電気配線の製造方法に
    おいて、 上記酸化膜形成工程に用いられる湿式成膜技術はゾルゲ
    ル法であることを特徴とする電気配線の製造方法。
  4. 【請求項４】 請求項１に記載の電気配線の製造方法に
    おいて、 上記酸化膜形成工程に用いられる湿式成膜技術は化学析
    出法または液相析出法のいずれか一方であることを特徴
    とする電気配線の製造方法。
  5. 【請求項５】 請求項１に記載の電気配線の製造方法に
    おいて、 上記金属膜形成工程に用いられる湿式成膜技術は湿式メ
    ッキ法であることを特徴とする電気配線の製造方法。
  6. 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれか１つに記載の
    電気配線の製造方法において、 上記酸化膜がメッキ触媒を含有することを特徴とする電
    気配線の製造方法。
  7. 【請求項７】 請求項１乃至６のいずれか１つに記載の
    電気配線の製造方法において、 上記酸化膜が導電性酸化膜であることを特徴とする電気
    配線の製造方法。
  8. 【請求項８】 請求項７に記載の電気配線の製造方法に
    おいて、 上記導電性酸化膜が透明性を有することを特徴とする電
    気配線の製造方法。
  9. 【請求項９】 請求項７または８に記載の電気配線の製
    造方法において、 上記導電性酸化膜は、電気配線およびその電気配線以外
    の用途の膜であって、上記絶縁性基板上に同一工程によ
    り同じ材料で形成されることを特徴とする電気配線の製
    造方法。
  10. 【請求項１０】 請求項１乃至９のいずれか１つに記載
    の電気配線の製造方法において、 上記金属膜は、ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ）および金
    （Ａｕ）のうちのいずれか１つからなる単層膜か、また
    は、上記ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ）および金（Ａ
    ｕ）のうちのいずれか１つからなる単層膜を少なくとも
    １層含む多層膜であることを特徴とする電気配線の製造
    方法。
  11. 【請求項１１】 絶縁性基板上に湿式成膜技術によって
    形成され、配線形状にパターニングされた酸化膜と、 上記パターニングされた酸化膜上に湿式成膜技術によっ
    て選択的に成膜された金属膜とを有する積層構造の電気
    配線を備えたことを特徴とする配線基板。
  12. 【請求項１２】 請求項１１に記載の配線基板におい
    て、 上記酸化膜の前駆体が感光性を有することを特徴とする
    配線基板。
  13. 【請求項１３】 請求項１１または１２に記載の配線基
    板において、 上記酸化膜が多孔質な膜であることを特徴とする配線基
    板。
  14. 【請求項１４】 請求項１１または１２に記載の配線基
    板において、 上記酸化膜が表面に凹凸を有する膜であることを特徴と
    する配線基板。
  15. 【請求項１５】 請求項１１乃至１４のいずれか１つに
    記載の配線基板において、 上記酸化膜が導電性酸化膜であることを特徴とする配線
    基板。
  16. 【請求項１６】 請求項１５に記載の配線基板におい
    て、 上記導電性酸化膜が透明性を有することを特徴とする配
    線基板。
  17. 【請求項１７】 請求項１１乃至１６のいずれか１つに
    記載の配線基板において、 上記金属膜は、ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ）または金
    （Ａｕ）のうちのいずれか１つの単層膜か、または、上
    記ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ）または金（Ａｕ）のう
    ちのいずれか１つの単層膜を少なくとも１層含む多層膜
    であることを特徴とする配線基板。
  18. 【請求項１８】 請求項１１乃至１７のいずれか１つに
    記載の配線基板を用いたことを特徴とする表示装置。
  19. 【請求項１９】 請求項１１乃至１７のいずれか１つに
    記載の配線基板を用いたことを特徴とする画像検出器。
  20. 【請求項２０】 絶縁性基板上に触媒を付与する触媒付
    与工程と、 上記触媒が付与された絶縁性基板上に、水溶液中の化学
    析出法によって酸化膜を形成す る酸化膜形成工程と、上記酸化膜上に、湿式メッキ法によって金属膜を形成す
    る金属膜形成工程とを有するこ とを特徴とする電気配線
    の製造方法。
  21. 【請求項２１】 請求項２０に記載の電気配線の製造方
    法において、 上記酸化膜がＺｎＯからなることを特徴とする電気配線
    の製造方法。
  22. 【請求項２２】 請求項２０または２１に記載の電気配
    線の製造方法において、 上記金属膜は、ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ）および金
    （Ａｕ）のうちのいずれか１つ の単層膜か、または、上
    記ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ）および金（Ａｕ）のう
    ちのいずれか１つの単層膜を少なくとも１層含む多層膜
    であることを特徴とする電気配線の製造方法。
  23. 【請求項２３】 絶縁性基板上に付与された触媒と、 上記触媒が付与された絶縁性基板上に、水溶液中の化学
    析出法によって形成された酸化 膜と、上記酸化膜上に、湿式メッキ法によって形成された金属
    膜を有する積層構造の電気配線 を有することを特徴とす
    る配線基板。
  24. 【請求項２４】 請求項２３に記載の配線基板におい
    て、 上記酸化膜がＺｎＯからなることを特徴とする配線基
    板。
  25. 【請求項２５】 請求項２３または２４に記載の配線基
    板において、 上記金属膜は、ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ）および金
    （Ａｕ）のうちのいずれか１つ の単層膜か、または、上
    記ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ）および金（Ａｕ）のう
    ちのいずれか１つの単層膜を少なくとも１層含む多層膜
    であることを特徴とする配線基板。
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