JP2001091656A

JP2001091656A - 二次元画像検出器

Info

Publication number: JP2001091656A
Application number: JP26930499A
Authority: JP
Inventors: Osamu Teranuma; 修寺沼; Yoshihiro Izumi; 良弘和泉
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1999-09-22
Filing date: 1999-09-22
Publication date: 2001-04-06

Abstract

(57)【要約】【課題】導電性接続材料を画素電極上、あるいは接続
電極上に選択的に配置する際、使用する導電性接続材料
を制限せず、簡単な処理工程で、且つ精度の優れたパタ
ーン形成が可能な二次元画像検出器を提供する。【解決手段】格子状に配置された画素電極３を有する
アクティブマトリクス基板１と、光導電層、および該光
導電層に接続されて上記画素電極３に対向する位置に配
置された接続電極４を有し、上記アクティブマトリクス
基板１と対向するように配置された対向基板２とが備え
られている。上記画素電極３と接続電極４とを電気的お
よび機械的に接続する導電性接続材５は、上記画素電極
３および接続電極４の少なくとも一方にジェッティング
処理により形成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線等の放射線、
あるいは可視光、赤外線等の光線により画像を検出する
ことができる二次元画像検出器に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、放射線により画像を検出する
二次元面像検出器として、Ｘ線を感知して電荷（電子−
正孔）を発生する半導体センサを二次元状に配置し、こ
れらのセンサにそれぞれ電気スイッチを設けて、各行毎
に電気スイッチを順次オンにして各列毎にセンサの電荷
を読み出すものが知られている。このような放射線二次
元画像検出器は、例えば、文献「D.L.Lee,et al., "A N
ew Digital Detector f-or Projection Radiography",
SPIE, 2432, pp.237-249,1995 」、「L.S.Jerom-in, et
al., "Application of a-Si Active-Matrix Technolog
y in a X-Ray De-tector Panel", SID 97 DIGEST, pp.9
1-94, 1997」、および「特開平６−３４２０９８号公
報」などに具体的な構造や原理が記載されている。

【０００３】以下、前記従来の放射線二次元画像検出器
の構成と原理について説明する。

【０００４】図７は、前記従来の放射線二次元画像検出
器の構造を模式的に示した説明図である。また、図８
は、図７の１画素あたりの構成を模式的に示した断面図
である。

【０００５】前記放射線二次元画像検出器は、図７およ
び図８に示すように、ガラス基板５１上にＸＹマトリク
ス状の電極配線（ゲート電極５２およびソース電極５
３）、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）５４、電荷蓄積容量
（Ｃｓ）５５などが形成されたアクティブマトリクス基
板を備えている。また、このアクティブマトリクス基板
上には、そのほぼ全面に、光導電膜５６、誘電体層５７
および上部電極５８が形成されている。

【０００６】前記電荷蓄積容量（Ｃｓ）５５は、電荷蓄
積容量電極（Ｃｓ電極）５９と、前記ＴＦＴ５４のドレ
イン電極に接続された画素電極６０とが、絶縁層６１を
介して対向している構成である。

【０００７】前記光導電膜５６には、Ｘ線などの放射線
が照射されることにより電荷（電子−正孔）が発生する
光導電性を有する半導体材料が用いられている。前記文
献によれば、該半導体材料には、暗抵抗が高く、Ｘ線照
射に対して良好な光導電特性を示すアモルファスセレニ
ウム（ａ−Ｓｅ）が用いられている。この光導電膜５６
は、真空蒸着法によって３００〜６００μｍの厚みで形
成されている。

【０００８】また、前記アクティブマトリクス基板は、
液晶表示装置を製造する過程で形成されるアクティブマ
トリクス基板を流用することが可能である。例えば、ア
クティブマトリクス型液晶表示装置（ＡＭＬＣＤ）に用
いられるアクティブマトリクス基板は、アモルファスシ
リコン（ａ−Ｓｉ）やポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）によっ
て形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や、ＸＹマト
リクス状に配置された電極、電荷蓄積容量（Ｃｓ）を備
えた構造になっている。したがって、液晶表示装置を製
造する過程で形成されるアクティブマトリクス基板は、
若干の設計変更を行うだけで、放射線二次元画像検出器
用のアクティブマトリクス基板として利用することが容
易である。

【０００９】次に、上記のような構造の放射線二次元画
像検出器の動作原理について説明する。

【００１０】前記ａ−Ｓｅ膜などの光導電膜５６に放射
線が照射されると、光導電膜５６内に電荷（電子−正
孔）が発生する。図７および図８に示すように、光導電
膜５６と電荷蓄積容量５５とは電気的に直列に接続され
た構造になっている。従って、上部電極５８と電荷蓄積
容量電極５９との間に電圧を印加しておくと、光導電膜
５６で発生した電荷（電子−正孔）がそれぞれ＋電極側
と−電極側に移動し、その結果、電荷蓄積容量５５に電
荷が蓄積される仕組みになっている。

【００１１】なお、光導電膜５６と電荷蓄積容量５５と
の間には、薄い絶縁層からなる電荷阻止層６２が形成さ
れており、該電荷阻止層６２が一方側からの電荷の注入
を阻止する阻止型フォトダイオードの役割を果たしてい
る。

【００１２】前記の作用で電荷蓄積容量５５に蓄積され
た電荷は、ゲート電極Ｇ₁，Ｇ₂，Ｇ₃，…，Ｇ_nの入
力信号によってＴＦＴ５４をオープン状態にすること
で、ソース電極Ｓ₁，Ｓ₂，Ｓ₃，…，Ｓ_nより外部に
取り出すことが可能である。電極配線（ゲート電極５２
およびソース電極５３）、ＴＦＴ５４、および電荷蓄積
容量５５などは、すべてＸＹマトリクス状に設けられて
いるため、ゲート電極Ｇ ₁，Ｇ₂，Ｇ₃，…，Ｇ_nに入
力する信号を線順次に走査することで、二次元的にＸ線
の画像情報を得ることが可能となる。

【００１３】なお、使用する光導電膜５６がＸ線などの
放射線に対する光導電性だけでなく可視光や赤外光に対
しても光導電性を示す場合、前記二次元画像検出器は、
可視光や赤外光により画像を検出する二次元画像検出器
としても作用する。

【００１４】ところで、前記従来の放射線二次元画像検
出器では、光導電膜５６としてａ−Ｓｅを用いている。
このａ−Ｓｅは、アモルファス材料特有の光電流の分散
型伝導特性を有していることから応答性が悪く、また、
Ｘ線に対する感度（Ｓ／Ｎ比）が十分でないため、長時
間Ｘ線を照射して電荷蓄積容量（Ｃｓ）５５を十分に充
電してからでないと情報を読み出すことができないとい
った欠点を持ち合わせている。

【００１５】また、Ｘ線照射時の漏れ電流が原因で生じ
る、電荷蓄積容量（Ｃｓ）５５への電荷の蓄積の防止、
およびリーク電流（暗電流）の低減や高電圧保護の目的
で、光導電膜５６と上部電極５８との間に誘電体層５７
が設けられている。しかし、この場合、この誘電体層５
７に残留する電荷を１フレーム毎に除去するシーケンス
を付加する必要がある。このため、前記放射線二次元画
像検出器は静止画の撮影にしか利用することができない
といった問題を有していた。

【００１６】これに対し、動画に対応した面像データを
得るためには、ａ−Ｓｅの代わりに、結晶（もしくは多
結晶）材料で、かつＸ線に対する感度（Ｓ／Ｎ比）の優
れた光導電性材料からなる光導電膜５６を利用する必要
がある。光導電膜５６の感度が向上すれば、短時間のＸ
線照射でも電荷蓄積容量（Ｃｓ）５５を十分に充電でき
るようになり、また、光導電膜５６に高電圧を印加する
必要がなくなるため、誘電体層５７自身が不要となる。

【００１７】このような、Ｘ線に対する感度が優れた光
導電性材料としては、ＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅなどが知
られている。一般に、Ｘ線の光電吸収は吸収物質の実効
原子番号の５乗に比例するため、例えば、Ｓｅの原子番
号が３４、ＣｄＴｅの実効原子番号が５０とすると、約
６．９倍の感度の向上が期待できる。ところが、前記放
射線二次元画像検出器の光導電膜５６として、ａ−Ｓｅ
の代わりにＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅを利用しようとする
と、以下のような問題が生じる。

【００１８】従来のａ−Ｓｅの場合、成膜方法としては
真空蒸着法を用いることができ、この時の成膜温度は常
温で可能なため、上述したアクティブマトリクス基板上
への成膜が容易であった。これに対して、ＣｄＴｅやＣ
ｄＺｎＴｅの場合は、ＭＢＥ（Morlecular Beam Epitax
y ）法やＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical VaporDe
position ）法による成膜法が知られている。特に大面
積基板への成膜を考慮するとＭＯＣＶＤ法が適した方法
と考えられる。

【００１９】しかしながら、ＭＯＣＶＤ法でＣｄＴｅや
ＣｄＺｎＴｅを成膜する場合、原料である有機カドミウ
ム（ＤＭＣｄ）の熱分解温度が約３００℃、有機テルル
（ＤＥＴｅやＤｉＰＴｅ）の熱分解温度が各々約４００
℃、約３５０℃であるため、成膜には約４００℃の高温
が要求される。

【００２０】一般に、アクティブマトリクス基板に形成
されているＴＦＴ素子は、半導体層としてａ−Ｓｉ膜や
ｐ−Ｓｉ膜を用いており、半導体特性を向上させるため
に３００〜３５０℃程度の温度で水素（Ｈ₂）を付加し
ながら成膜されている。このようにして形成されるＴＦ
Ｔ素子の耐熱温度は約３００℃であり、ＴＦＴ素子をこ
れ以上の高温に曝すとａ−Ｓｉ膜やｐ−Ｓｉ膜から水素
が抜け出し半導体特性が劣化してしまう。

【００２１】したがって、上述のアクティブマトリクス
基板上に、ＭＯＣＶＤ法を用いてＣｄＴｅやＣｄＺｎＴ
ｅを成膜することは、成膜温度の観点から事実上困難で
あった。

【００２２】上記のような問題を解決する手段として、
アクティブマトリクス基板と光導電層（光導電膜）を含
む対向基板とを各々独立に作成し、該アクティブマトリ
クス基板と対向基板とを接続するという手法が考えられ
る。これら両基板の接続に用いられる接続材料として
は、アクティブマトリクス基板側に設けられている画素
電極と、対向基板側に設けられている光導電層とを電気
的に接続し、且つ互いに隣接する画素間の絶縁性を保
ち、さらに上記両基板の機械的な接続、すなわち接着が
可能であるものが望ましい。

【００２３】以上のような接続材料が、異方導電性、す
なわち両基板に各々設けられた電極の接続方向のみに導
電性を有する場合は、該接続材料を両基板接続面全体に
配置することが可能である。このような異方導電性を有
する接続材料としては、接着剤中に導電粒子や導電柱等
の導電物質を混入あるいは配置したものが代表的であ
る。

【００２４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
異方導電性を有する接続材料は、混入された上記導電物
質が、電気的接続の対象である各基板に設けられた電極
間で圧迫されることで、その圧迫方向のみに導電性を発
現する性質のものである。従って、各基板に設けられる
電極は、両基板の接続面における他の部分よりも、ある
程度突出していなければならない。

【００２５】以上のような理由により、各基板に設けら
れる電極部分が、各基板の接続面において他の部分より
も突出していない場合や、逆に陥没している場合には、
上記のような異方導電性を有する接続材料を使用するこ
とは困難である。

【００２６】そこで、両基板の接続の際に、異方導電性
を有する接続材料の使用が困難である場合は、異方性を
有さない導電性接続材料を使用しなければならない。こ
の場合は、互いに隣接する画素間の絶縁性を確保するこ
とが必要となる。そのため、導電性接続材料を各画素毎
に独立させて配置させなければならない。このように、
導電性接続材料を各画素毎、すなわち各画素電極毎に選
択的に配置する方法としては、フォトリソグラフィ、ス
クリーン印刷等の技術手段がある。

【００２７】しかしながら、フォトリソグラフィ技術を
用いる場合、使用可能な導電性接続材料は感光性を有す
るものに制限されてしまう。また、スクリーン印刷技術
を用いる場合は、使用する導電性接続材料の粘性等の性
質を厳密に制御する必要がある上に、特に大面積の場合
に、形成されるパターンの印刷精度に限界がある。

【００２８】本発明は上記の問題点に鑑みてなされたも
ので、アクティブマトリクス基板側に設けられた画素電
極と、対向基板側に設けられた光導電層とが、異方性を
有さない導電性接続材料で電気的に接続された二次元画
像検出器において、上記導電性接続材料を上記画素電極
上、あるいは対向基板側の光導電層上に設けられた接続
電極上に選択的に配置する際に、使用する導電性接続材
料を制限せず、簡単な処理工程で、且つ精度の優れたパ
ターン形成が可能な二次元画像検出器を提供することを
課題とする。

【００２９】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明の二次元画像検出器は、格子状に複数設け
られた画素電極と、該画素電極にそれぞれ接続されてい
る複数のスイッチング素子とを含む画素配列層を有する
アクティブマトリクス基板と、光導電性を有する半導体
層、および該半導体層上における上記画素電極に対向す
る位置に配置された接続電極を有し、該接続電極が上記
アクティブマトリクス基板の画素配列層と対向するよう
に配置された対向基板と、上記画素電極上および接続電
極上の少なくとも一方にジェッティング処理により形成
された、上記アクティブマトリクス基板と対向基板とを
電気的および機械的に接続する導電性接続材とを備えた
ことを特徴としている。

【００３０】上記の構成によれば、Ｘ線などの放射線、
あるいは可視光や赤外線等の光線が照射されることによ
り電荷（電子−正孔）が発生する光導電性を有する半導
体層が対向基板側に予め設けられており、該対向基板
と、画素電極を備えたアクティブマトリクス基板とが、
導電性接続材により接続されている。よって、スイッチ
ング素子の耐熱温度に関係なく、Ｘ線などの放射線、あ
るいは可視光や赤外線等の光線に対して感度が優れてい
る材料を選択し、上記半導体層として用いることが可能
となる。

【００３１】また、上記導電性接続材は、アクティブマ
トリクス基板に設けられている画素電極と、対向基板に
設けられている接続電極との少なくともいずれか一方側
に配置形成されている。すなわち、該導電性接続材は、
アクティブマトリクス基板と対向基板との電気的接続に
寄与している。該導電性接続材はジェッティング処理に
よりパターン形成されるので、処理工程が簡単である
上、精度の優れたパターン形成を行うことが可能であ
る。従って、画素電極および接続電極間のみに、上記導
電性接続材を精度よく配置することができる。よって、
アクティブマトリクス基板および対向基板の電極間、す
なわち画素電極および接続電極間のみに限定した電気的
接続が可能であり、隣接画素間の電気的絶縁性を確実に
確保することができる。

【００３２】次に、上記ジェッティング処理について、
上記導電性接続材に例えばハンダを用いた場合を想定し
て説明する。ハンダのジェッティング処理とは、基本的
には、溶融したハンダを、ノズルにより、ターゲットで
あるパット上に射出する一連の操作を、射出位置を移動
させながら連続的に行う処理方法である。このようなジ
ェッティング処理には、例えば、エネルギー発生素子と
して、電気熱変換体を用いたバブルジェットタイプや、
圧電素子を用いたピエゾジェットタイプ等がある。

【００３３】これにより、高感度の二次元画像検出器に
おいて、アクティブマトリクス基板および対向基板の電
気的接続に用いられる導電性接続材を、アクティブマト
リクス基板の画素電極上、あるいは対向基板の接続電極
上に選択的に配置する際に、精度の優れたパターン形成
を、簡易且つ高精度で行い、隣接画素間の電気的絶縁性
を確実に確保することができる。

【００３４】さらに、上記の課題を解決するために、本
発明の二次元画像検出器は、上記画素電極および接続電
極において、少なくとも上記導電性接続材が接触する部
分の構成材料は、上記アクティブマトリクス基板におけ
る画素電極配置側の表層部、および上記対向基板におけ
る接続電極配置側の表層部のうち、上記導電性接続材が
選択的に配置されない部分の構成材料よりも、上記導電
性接続材との濡れ性が優れていることが好ましい。

【００３５】上記の構成によれば、導電性接続材をジェ
ッティング処理を用いて各画素電極あるいは接続電極上
にそれぞれ選択的に配置する際、該導電性接続材と接触
する部分の構成材料における該導電性接続材との濡れ性
が、該導電性接続材が選択的に配置されないアクティブ
マトリクス基板および上記対向基板の表層部の構成材料
よりも優れていることにより、上記導電性接続材を選択
的に配置する部分の周辺、すなわち該導電性接続材が選
択配置されない部分に、該導電性接続材が飛散すること
はなくなる。

【００３６】さらに、本構成は、例えば従来の液晶パネ
ルに使用されているアクティブマトリクス基板を、二次
元画像検出器として転用する際にも有効であると共に、
ジェッティング処理あるいは両基板接続時に多少の精度
誤差が生じた場合でも、隣接画素間の絶縁不良発生を抑
制することができる。

【００３７】これにより、導電性接続材を、選択配置部
分のみに精度良く配置して、上記両基板の電極間のみに
限定した電気的接続を高精度に実現することができるの
で、隣接画素間での絶縁不良を確実に抑制することがで
きる。

【００３８】さらに、上記の課題を解決するために、本
発明の二次元画像検出器は、上記アクティブマトリクス
基板における画素電極配置側の表層部、および上記対向
基板における接続電極側の表層部において、上記導電性
接続材が選択的に配置されない部分の構成材料は、上記
導電性接続材を弾く程度の濡れ性を有することが好まし
い。

【００３９】上記の構成によれば、導電性接続材を配置
しない部分の、導電性接続材との濡れ性は、該導電性接
続材を弾く程度である。すなわち、導電性接続材を選択
的に配置しない部分の材料には、該導電性接続材との濡
れ性が良好ではない材料が用いられている。従って、該
導電性接続材をジェッティング処理にて選択的に配置す
る際のパターニングによる位置ずれ、あるいはアクティ
ブマトリクス基板および対向基板の接続時の位置ずれが
生じた場合においても、濡れ性の悪い部分では該導電性
接続材が弾かれるため、該導電性接続材が選択的配置さ
れない部分にパターン形成されることはない。

【００４０】これにより、導電性接続材を、選択配置部
分のみにより精度良く配置して、上記両基板の電極間の
みに限定した電気的接続をさらに高精度に実現すること
ができるので、隣接画素間での絶縁不良をより確実に抑
制することができる。

【００４１】

【発明の実施の形態】〔実施の形態１〕本発明の第１の
実施の形態について図１ないし図５に基づいて説明すれ
ば、以下のとおりである。

【００４２】図１は、本実施の形態に係る二次元画像検
出器の構成を概略的に示す断面図であり、図２は、上記
二次元画像検出器における１画素あたりの拡大断面図で
ある。

【００４３】図１に示すように、本実施の形態に係る二
次元画像検出器は、アクティブマトリクス基板１に格子
状に設けられて、スイッチング素子である薄膜トランジ
スタ（以降、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）と称す
る）９に接続されている各画素電極３と、対向基板２に
設けられた各接続電極４との間に、ジェッティング処理
にて上記画素電極３上にパターン形成された導電性接続
材５が配置され、該導電性接続材５により、アクティブ
マトリクス基板１と対向基板２とが電気的および機械的
に接続されている。なお、上記ジェッティング処理につ
いての詳細な説明は後述する。また、２６はギャップ保
持材であり、２７はシール材である。

【００４４】次に、上記アクティブマトリクス基板１の
具体的な構成および製造工程について、図２に基づいて
説明する。

【００４５】まず、ガラス基板６上に、ＸＹマトリクス
状の電極配線（ゲート電極７とソース電極８）、ＴＦＴ
９、電荷蓄積容量電極（Ｃｓ電極）１０等が形成されて
いる。本実施の形態に係るアクティブマトリクス基板１
は、液晶表示装置を製造する過程で形成されるアクティ
ブマトリクス基板と同じプロセスで形成することが可能
である。まず、無アルカリガラス基板（例えばコーニン
グ社製＃７０５９や＃１７３７）からなるガラス基板６
上に、Ｔａ（タンタル）などの金属膜からなるゲート電
極７が形成される。該ゲート電極７は、Ｔａなどをスパ
ッタ蒸着で厚さ約３０００Åに成膜した後、所望の形状
にパターニングすることにより得られる。この際、同時
に電荷蓄積容量電極（Ｃｓ電極）１０も形成される。

【００４６】次に、ＳｉＮｘやＳｉＯｘからなる絶縁膜
１１を、ＣＶＤ（Chemical VaporDeposition）法で厚さ
約３５００Åに成膜して、形成する。この絶縁膜１１
は、前記ＴＦＴ９のゲート絶縁膜１１ａ、および電荷蓄
積容量（Ｃｓ）の電極（画素電極３および電荷蓄積容量
電極（Ｃｓ電極）１０）間の誘電層１１ｂとして作用す
る。なお、該絶縁膜１１としては、ＳｉＮｘやＳｉＯｘ
だけでなく、ゲート電極７および電荷蓄積容量電極（Ｃ
ｓ電極）１０を陽極酸化した陽極酸化膜を併用すること
もできる。

【００４７】次に、ＴＦＴ９のチャネル部となるａ−Ｓ
ｉ膜（ｉ層）１２と、該ａ−Ｓｉ膜（ｉ層）１２とソー
ス電極８およびドレイン電極１４とのコンタクトを図る
ａ−Ｓｉ膜（ｎ⁺層）１３とを、ＣＶＤ法で、厚さ各々
約１０００Å、約４００Åに成膜した後、所望の形状に
パターニングする。

【００４８】次に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からな
る画素電極３を形成する。画素電極３は、ＩＴＯ膜をス
パッタ蒸着で厚さ約１５００Åに成膜した後、所望の形
状にパターン形成することにより形成される。このと
き、上記ＩＴＯ膜により、ソース電極８およびドレイン
電極１４の下層として、下層ソース電極８ａおよび下層
ドレイン電極１４ａも、同時にパターン形成される。上
記画素電極３は、一辺が１２０μｍの正方形で、且つ１
５０μｍピッチで配置される。

【００４９】次に、ＴａやＡｌ等の金属膜からなる上層
ソース電極８ｂおよび上層ドレイン電極１４ｂを形成す
る。該上層ソース電極８ｂおよび上層ドレイン電極１４
ｂは、ＴａやＡｌ等の金属をスパッタ蒸着で厚さ約３０
００Åに成膜した後、所望の形状にパターニングするこ
とにより形成される。

【００５０】なお、本実施の形態では、画素電極３をＩ
ＴＯにより形成したが、ＴａやＡｌ（アルミニウム）等
の金属膜を用いてもよい。また、ドレイン電極１４と画
素電極３とを一膜状に形成しても構わない。

【００５１】その後、画素電極３の開口部となる領域以
外の部分を絶縁保護する目的で、絶縁保護膜１５を形成
する。この絶縁保護膜１５は、ＳｉＮｘやＳｉＯｘから
なる絶縁膜をＣＶＤ法で厚さ約３０００Åに成膜した
後、所望の形状にパターニングする、すなわち画素電極
３の開口部に相当する部分の絶縁膜が除去されることで
得られる。該開口部は、８０μｍφである。なお、この
絶縁保護膜１５には、無機材料からなる絶縁膜の他に、
アクリルやポリイミドなどの有機材料からなる絶縁膜を
使用することも可能である。

【００５２】本実施の形態に係る二次元画像検出器にお
けるアクティブマトリクス基板１は、以上のように形成
されている。

【００５３】さらに、アクティブマトリクス基板１に設
けられた画素電極３と、対向基板２に設けられた接続電
極４とを接続する導電性接続材５としては、ジェッティ
ング処理が可能であるという理由から、ハンダが採用さ
れている。一方、従来から液晶パネルのアクティブマト
リクス基板に用いられている画素電極には、一般的にＩ
ＴＯが用いられている。しかし、ＩＴＯはハンダとの濡
れ性が悪い。従って、本発明に係る二次元画像検出器の
アクティブマトリクス基板１に、従来の液晶パネル用の
アクティブマトリクス基板を、その製造方法をほとんど
変更することなくそのまま転用する場合、画素電極３お
よび接続電極４の表面それぞれに、部分的あるいは全
面、すなわちハンダパターンが選択的に形成される部分
にわたって、ハンダとの濡れ性の優れた材料からなる膜
を設ける必要がある。

【００５４】そこで、本実施の形態においては、画素電
極３の開口部、つまりＩＴＯ上に、ハンダとの濡れ性が
良好なＡｕ（金）電極パッド１７を形成し、該Ａｕ電極
パッド１７上に、導電性接続材５となるハンダパターン
を選択的に形成する構成を採用する。Ａｕ電極パッド１
７配置領域以外の部分、すなわち絶縁保護膜１５上はハ
ンダとの濡れ性が悪いので、ハンダのリフロー時に、ハ
ンダはＡｕ電極パッド１７上のみに配置される。

【００５５】次に、上記Ａｕ電極パッド１７として、Ａ
ｕを画素電極３開口部のＩＴＯ上のみに限定して成膜す
る方法について、具体的に説明する。

【００５６】Ａｕを選択的に成膜する方法としては、メ
ッキ処理が挙げられる。このメッキ処理には電気メッキ
法あるいは化学メッキ法があるが、メッキ膜の厚みの均
一性が要求される場合には、化学メッキ法の方が有利で
ある。以下に、ＩＴＯ電極上（画素電極３の開口部）
に、化学メッキ法を用いてＡｕを成膜する方法について
述べる。

【００５７】まず、ＩＴＯ上を、塩化第一スズ、塩化パ
ラジウム溶液等により活性化処理する。次に、Ｎｉ（ニ
ッケル）メッキ液を用いて、Ｎｉ膜１６を約３０００Å
厚に成膜する。さらに、Ｎｉ膜１６上に、置換型Ａｕメ
ッキ液を用いて、Ａｕ電極パッド１７となるＡｕ膜を約
３００Å厚に成膜する。Ｎｉ膜１６およびＡｕ膜をＩＴ
Ｏ上に選択的に形成する方法としては、Ｐｄ（パラジウ
ム）触媒の選択配置を利用した無電解選択メッキ技術を
用いるか、フォトレジストマスクを用いたＮｉの無電解
選択メッキ技術を用いるとよい。

【００５８】メッキ処理後、アクティブマトリクス基板
１を約２５０℃で１時間程度熱処理する。この熱処理に
より、ＩＴＯ、Ｎｉ、Ａｕの相互拡散が起こり、画素電
極３、Ｎｉ膜１６、およびＡｕ電極パッド１７の密着性
が向上する。

【００５９】以上の方法により、画素電極３の開口部の
みにＡｕ電極パッド１７を形成することができる。図３
は、以上のように形成されたＡｕ電極パッド１７の形状
を示している。

【００６０】なお、ハンダとの濡れ性が優れた金属材料
としては、Ａｕの他にもＮｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｃｕ、およ
びＡｇとＰｂとの合金等があり、何れもＡｕ電極パッド
１７に代わる電極パッドとしての採用が可能である。

【００６１】なお、ここでは、アクティブマトリクス基
板１のＴＦＴ素子として、ａ−Ｓｉを用いた逆スタガ構
造のＴＦＴ９を用いたが、これに限定されるものではな
く、ｐ−Ｓｉを用いても良いし、スタガ構造にしても良
い。また、前記アクティブマトリクス基板１は、液晶表
示装置を製造する過程で形成されるアクティブマトリク
ス基板と同じプロセスで形成が可能である。

【００６２】次に、本実施の形態に係る二次元画像検出
器における対向基板２の構成および製造工程について、
図２に基づき具体的に説明する。該対向基板２は、Ｘ線
や可視光に対して透過性を有する基板を支持基板として
いる。ここでは該支持基板として、厚みが０．７〜１．
１ｍｍのガラス基板１８を用いている。まず、該ガラス
基板１８の一方側の面のほぼ全面に、Ａｕ、ＩＴＯ等の
導電膜によって上部電極１９が形成されている。但し、
可視光による二次元画像検出器として用いる場合には、
該上部電極１９に、可視光に対して透明なＩＴＯ電極を
用いる必要がある。

【００６３】続いて、上記上部電極１９のほぼ全面に、
ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemi-cal Vapor Depositi
on）法を用いてＺｎＴｅ（テルル化亜鉛）多結晶膜２０
が約１μｍの厚みで形成され、引き続いてこのＺｎＴｅ
多結晶膜２０上に、同様にＭＯＣＶＤ法を用いてＣｄＴ
ｅやＣｄＺｎＴｅの多結晶膜からなる光導電層（光導電
性を有する半導体層）２１が約０．５ｍｍの厚みで形成
されている。ＭＯＣＶＤ法は大面積基板への成膜に適し
ており、原料である有機カドミウム（ジメチルカドミウ
ム〔ＤＭＣｄ〕）、有機テルル（ジエチルテルル〔ＤＥ
Ｔｅ〕やイソプロピルテルル〔ＤｉＰＴｅ〕）、有機亜
鉛（ジエチル亜鉛〔ＤＥＺｎ〕やイソプロピル亜鉛〔Ｄ
ｉＰＺｎ〕、ジメチル亜鉛〔ＤＭＺｎ〕）を用いて、４
００〜５００℃の温度での成膜が可能である。

【００６４】さらに、上記光導電層２１上に、該光導電
層２１と同様の成膜法を用いて、厚さ約１μｍのＣｄＳ
膜２２、厚さ約２０００ÅのＮｉ膜２３を順に成膜し、
さらに該Ｎｉ膜２３の上にＡｕ膜２４をスパッタ蒸着で
厚さ約２０００Åに成膜する。これら３層膜（ＣｄＳ膜
２２、Ｎｉ膜２３、およびＡｕ膜２４）は、成膜後、ア
クティブマトリクス基板１に設けられている画素電極３
に対向する形状にパターン形成される。これらＣｄＳ膜
２２、Ｎｉ膜２３、およびＡｕ膜２４が、対向基板２側
の接続電極４として機能する。

【００６５】上述したように、対向基板２の接続電極４
はハンダからなる導電性接続材５と接触させる必要があ
るので、ハンダとの濡れ性が良好な材料により形成され
なければならない。これに対して、接続電極４の表面
は、ハンダとの濡れ性に優れたＡｕにより形成されてい
るので、導電性接続材５との接触に問題は生じない。

【００６６】また、上記接続電極４のサイズは、一辺が
１００μｍの正方形であり、１５０μｍピッチで配列し
ている。

【００６７】なお、ＺｎＴｅ多結晶膜２０、ＣｄＴｅや
ＣｄＺｎＴｅの多結晶膜からなる光導電層２１、および
ＣｄＳ膜２２の成膜方法としては、上記ＭＯＣＶＤ法以
外にも、スクリーン印刷・焼成法、近接昇華法、電析
法、スプレー法といった他の方法を用いることも可能で
ある。

【００６８】最後に、ＳｉＯｘまたはＳｉＮｘをＣＶＤ
法で約３０００Å厚に成膜した後、パターニングによ
り、接続電極４の部分に８０μｍφの開口部が形成され
ることにより、絶縁保護膜２５が形成される。

【００６９】上記対向基板２に形成される電極構造は、
ＺｎＴｅ／ＣｄＴｅ／ＣｄＳのＰＩＮ接合構造からなる
阻止型フォトダイオードであるため、Ｘ線を照射しない
時の暗電流の低減に寄与している。なお、阻止型フォト
ダイオードの構造としては、上記ＰＩＮ構造に限らず、
ＭＩＳ構造、ヘテロ構造、ショットキー構造等のフォト
ダイオードであっても、同様の効果が得られる。これ
ら、上記ＰＩＮ構造以外の構造を採用する際には、それ
ぞれの接合方式に応じて、適当な半導体、誘電体層を設
けるとよい。

【００７０】また、本実施の形態においては、対向基板
２の支持基板としてガラスを用いているが、光導電層２
１自体を支持基板とすることも可能である。

【００７１】以上のように形成されたアクティブマトリ
クス基板１に設けられている画素電極３と、対向基板２
に設けられている接続電極４とを、ハンダからなる導電
性接続材５を用いて電気的および機械的に接続すること
により、両基板１、２を貼り合わせる。

【００７２】以下、アクティブマトリクス基板１と対向
基板２との貼り合わせ方法について、図４（ａ）ないし
（ｅ）に基づいて具体的に説明する。

【００７３】図４（ａ）に示すように、アクティブマ
トリクス基板１の画素電極３上のＡｕ電極パッド（図示
せず）上に、加熱された液状のハンダをジェッティング
処理にて配置する。導電性接続材５となるハンダのジェ
ッティング終了後、上記アクティブマトリクス基板１に
対して、２００℃でリフロー処理を施し、ジェッティン
グされたハンダパターン形状を安定化させる。なお、噴
射されたハンダは、画素電極３上で８０μｍφの半球パ
ターンとなり、形状は良好で、パターン径誤差±５μ
ｍ、配置誤差±５μｍ以内に抑えることができた。

【００７４】ここで、上述したハンダのジェッティング
の簡単なイメージを図５に示す。ジェッティングとは、
同図に示すように、基本的には、溶融したハンダ４１が
ノズル４２より、ターゲットであるパッド４３上に射出
される一連の操作を、射出位置を移動させながら連続的
に行うものである。使用可能なジェッティングの種類と
しては、エネルギー発生素子として電気熱変換体を用い
たバブルジェットタイプや、圧電素子を用いたピエゾジ
ェットタイプ等がある。

【００７５】本実施の形態において、導電性接続材５と
して用いられるハンダは共晶ハンダ（６３Ｐｂ／３７Ｓ
ｎ）である。該共晶ハンダを２００℃に加熱して溶融さ
せた状態で、ノズル４２よりターゲットであるパッド４
３上、すなわち本実施の形態においては画素電極３のＡ
ｕ電極パッド１７上へ噴出させる。噴出された上記共晶
ハンダは、濡れ性の良好なＡｕ電極パッド１７上で硬化
する。これにより、ハンダパターンが形成される。

【００７６】このとき、ジェッティングされた共晶ハン
ダは、上記アクティブマトリクス基板１上で急速に冷却
される。ジェッティング時のハンダの温度とアクティブ
マトリクス基板１の表面温度との差が大きい程、形成さ
れるハンダパターンの形状に歪みが生じやすくなる。ジ
ェッティングされたハンダパターンは後に加熱によりリ
フローされるため、ジェッティングの時点でパターン形
状にあまり留意する必要はない。しかし、ハンダパター
ンを可能な限り正確に配置するために、本実施の形態に
おいては、ジェッティング処理中のアクティブマトリク
ス基板１の表面温度を１００℃に保持している。

【００７７】図４（ｂ）に示すように、必要に応じ
て、アクティブマトリクス基板１の全面にギャップ保持
材２６を、また該アクティブマトリクス基板１の周辺部
にシール材２７を配置する。

【００７８】上記ギャプ保持材２６には、粒径３０μｍ
のプラスチックビーズが使用されている。しかし、上記
ギャプ保持材２６として、ガラスビーズ等の他の絶縁性
材料を用いても構わない。さらに、上記シール材２７に
は、エポキシ樹脂が使用されている。また、アクティブ
マトリクス基板１と対向基板２との接続時における減圧
プレス処理を効果的に行うために、上記シール材２７の
壁部分に貫通口（図示せず）を設けて、アクティブマト
リクス基板１と対向基板２との貼り合わせ面内部空間
が、外部雰囲気より密閉されないようにしている。

【００７９】図４（ｃ）に示すように、アクティブマ
トリクス基板１と対向基板２とを、画素電極３と接続電
極４との位置をそれぞれ対応させて、対向配置させる。

【００８０】図４（ｄ）に示すように、対向配置され
たアクティブマトリクス基板１と対向基板２とを、減圧
プレス装置２８を用いて加熱しながら減圧プレス処理を
施すことにより、画素電極３と接続電極４とを、ハンダ
からなる導電性接続材５を介して接続する。なお、本実
施の形態においては、減圧度は−３００Ｔｏｒｒ、加熱
温度は２００℃とし、５分間熱圧着を継続した。

【００８１】加熱により、画素電極５上にパターン形成
された導電性接続材５は、溶融状態となる。さらに減圧
プレス処理を施されることにより、溶融状態の上記導電
性接続材５は接続電極４と接触する。その際、アクティ
ブマトリクス基板１および対向基板２間のギャップは、
ギャップ保持材２６の粒径以下に押し込まれることはな
い。また、図２に示したように、上記両基板１、２の接
続面は、画素電極３の開口部および接続電極４の開口部
を除いて、ハンダとは濡れ性の悪いＳｉＯｘやＳｉＮｘ
等からなる絶縁保護膜１５、２５にて覆われているた
め、ハンダが、画素電極３および接続電極４の開口部以
外に配置されることはない。従って、互いに隣接する画
素間の絶縁不良が発生しにくい。

【００８２】図４（ｅ）に示すように、加熱されたア
クティブマトリクス基板１と対向基板２とを冷却してハ
ンダパターンを凝固させることにより、画素電極３と接
続電極４との接続状態を維持する。

【００８３】以上ないしで説明した、アクティブマ
トリクス基板１と対向基板２との貼り合わせ工程によ
り、二次元画像検出器の基本構造が形成される。

【００８４】本実施の形態に係る二次元画像検出器は、
上述したように、アクティブマトリクス基板１と対向基
板２との電気的接続、すなわち、画素電極３と接続電極
４とを接続するために形成されるハンダパターンが、ジ
ェッティング処理により形成されている。従って、簡単
な工程で精度の優れたパターン形成が可能であるため、
画素電極３と接続電極４との間に限定した電気的接続が
可能である。

【００８５】また、ハンダとは濡れ性の悪いＩＴＯで形
成された画素電極３の表面に、ハンダとは濡れ性の優れ
たＡｕ電極パッド１７が設けられているので、ハンダパ
ターンを画素電極３上に形成することが可能となる。さ
らに、上記Ａｕ電極パッド１７は、ＩＴＯからなる画素
電極３上において、ハンダパターンが形成される位置に
限定して選択形成されている。従って、ジェッティング
処理によるハンダパターン配置時の位置ずれ、およびア
クティブマトリクス基板１と対向基板２との位置ずれが
生じた場合であっても、ハンダは、ハンダとの濡れ性の
悪い絶縁保護膜１５、２５上で弾かれることから、隣接
画素間での絶縁不良発生を抑制することが可能である。

【００８６】なお、本実施の形態においては、導電性接
続材５としてハンダを用いたが、ハンダ以外にも、イン
ジウム等の金属材料を使用することも可能である。ま
た、エポキシ樹脂にカーボンなどの微粒子顔料を混入し
て導電性を付与した導電性接着剤も、ジェッティングに
よるパターン形成が可能であるため、使用することが可
能である。

【００８７】また、本実施の形態においては、アクティ
ブマトリクス基板１の画素電極３上にハンダパターンを
形成し、その後、該アクティブマトリクス基板１と対向
基板２とを接続したが、まず、ハンダパターンを対向基
板２の接続電極４上に形成してから、両基板１、２を互
いに接続しても構わない。また、上記画素基板３上と上
記接続電極４上との両方にハンダを形成してから、両基
板１、２を接続することも当然可能である。

【００８８】また、本実施の形態では、画素電極３を一
辺が１２０μｍの正方形とし、接続電極４を一辺が１０
０μｍの正方形としたが、もちろん各電極のサイズはこ
れらに限定されるものではない。

【００８９】また、本実施の形態では、画素電極３と接
続電極４とを、ハンダにより接着して電気的に接続する
ことにより、アクティブマトリクス基板１と対向基板２
との貼り合わせを行ったが、接着力が不十分な場合はこ
れを補強する手段を設けることが好ましい。具体的に
は、ハンダパターン間に生じる隙間に絶縁性の接着剤を
配置して、基板間の接続強度を補強する方法や、ハンダ
パターン間に生じる隙間空間の圧力を外力に対して低く
保つ手段を設け、圧力調整により基板間の接続強度を補
強する方法などがある。

【００９０】〔実施の形態２〕本発明の第２の実施の形
態について図６に基づいて説明すれば、以下のとおりで
ある。なお、説明の便宜上、前記した実施の形態１で説
明した構成と同様の構成については同一の参照番号を付
記し、その説明を省略する。

【００９１】前記した実施の形態１に係る二次元画像検
出器におけるアクティブマトリクス基板１は、従来の液
晶パネルに使用されているアクティブマトリクス基板と
ほぼ同じ構成のものを、ほぼ同じ製造工程で転用したた
め、ＩＴＯからなる画素電極３上に、導電性接続材５に
使用されるハンダと濡れ性の優れたＡｕ膜を、Ａｕ電極
パッド１７として、別途積層する必要があった。

【００９２】これに対して、本実施の形態に係る二次元
画像検出器においては、アクティブマトリクス基板にお
ける画素電極自体を、ハンダとの濡れ性の優れた金属膜
で形成する。

【００９３】図６は、本実施の形態に係る二次元画像検
出器における１画素あたりの構成を示す断面図である。
同図に示すように、本実施の形態におけるアクティブマ
トリクス基板２９は、実施の形態１に用いられているＩ
ＴＯからなる画素電極３の代わりに、Ｃｕ膜からなる画
素電極３０を用いている。さらに、前記画素電極３０
は、ドレイン電極３１と一膜状に形成されている。ま
た、ソース電極３２は、画素電極３０およびドレイン電
極３１と同一材料で形成されている。さらに、実施の形
態１に係る二次元画像検出器に形成されていたＮｉ膜１
６、およびＡｕ電極パッド１７は、本実施の形態におい
ては設けられていない。この他の構成は、実施の形態１
で示したアクティブマトリクス基板１と同様である。さ
らに、本実施の形態における二次元画像検出器において
は、実施の形態１で用いられた対向基板２が用いられて
いる。

【００９４】次に、本実施の形態に係る二次元画像検出
器の製造工程について説明する。なお、ソース電極３
２、画素電極３０、およびドレイン電極３１形成以前の
製造工程については、実施の形態１と同様である。

【００９５】上記ソース電極３２、画素電極３０、およ
びドレイン電極３１は、Ｃｕ膜をスパッタ蒸着で厚さ約
３０００Åに成膜した後、所望の形状にパターニングす
ることにより形成される。上述したように、画素電極３
０とドレイン電極３１とは一膜で形成される。その後、
画素電極３０の開口部となる領域以外の部分を絶縁保護
する目的で、実施の形態１と同様にＳｉＮｘやＳｉＯｘ
からなる絶縁保護膜１５をＣＶＤ法で厚さ約３０００Å
に形成し、パターニングにより上記画素電極３０上の部
分に８０μｍφの開口部を形成する。

【００９６】以降、対向基板２の製造工程、およびアク
ティブマトリクス基板２９と対向基板２との接続工程に
関しては、実施の形態１の場合と同じである。

【００９７】なお、本実施の形態では、画素電極３０
に、ハンダとの濡れ性の優れた材料としてＣｕを用いた
が、これに限らず、ハンダとの濡れ性に優れているＮｉ
やＡｕ等の金属であれば使用可能である。また、本実施
の形態では画素電極３０とドレイン電極３１とを一膜で
形成したが、各々単独で形成しても構わない。また、本
実施の形態ではソース電極３２、画素電極３０、および
ドレイン電極３１を同一の素材で形成したが、各々別材
料で形成しても構わない。

【００９８】以上のように、本実施の形態に係る二次元
画像検出器は、画素電極３０自体をハンダとの濡れ性の
優れたＣｕで形成しているため、前記した実施の形態１
の構成による効果に加えて、ジェッティング処理による
ハンダパターンの高精度配置を容易に実現することがで
きる。さらに、後の工程において、画素電極３０上にハ
ンダとの濡れ性の優れた金属材料を別途成膜する必要も
ないことから、製造工程の短縮も実現することができ
る。

【００９９】

【発明の効果】以上のように、本発明に係る二次元画像
検出器は、格子状に複数設けられた画素電極と、該画素
電極にそれぞれ接続されている複数のスイッチング素子
とを含む画素配列層を有するアクティブマトリクス基板
と、光導電性を有する半導体層、および該半導体層上に
おける上記画素電極に対向する位置に配置された接続電
極を有し、該接続電極が上記アクティブマトリクス基板
の画素配列層と対向するように配置された対向基板と、
上記画素電極上および接続電極上の少なくとも一方にジ
ェッティング処理により形成された、上記アクティブマ
トリクス基板と対向基板とを電気的および機械的に接続
する導電性接続材とを備えた構成である。

【０１００】それゆえ、スイッチング素子の耐熱温度に
関係なく、Ｘ線などの放射線、あるいは可視光や赤外線
等の光線に対して感度が優れている材料を選択し、上記
半導体層として用いることが可能となるともに、アクテ
ィブマトリクス基板と対向基板との電気的接続を行う導
電性接続材は、ジェッティング処理によりパターン形成
されるので、処理工程が簡単である上、精度の優れたパ
ターン形成を行うことが可能である。従って、画素電極
および接続電極間のみに、上記導電性接続材を精度よく
配置して、画素電極および接続電極間のみに限定した電
気的接続が可能である。これにより、導電性接続材を、
アクティブマトリクス基板の画素電極上、あるいは対向
基板の接続電極上に選択的に配置する際に、精度のすぐ
れたパターン形成を簡易且つ高精度で行い、隣接画素間
の電気的絶縁性を確実に確保することができるという効
果を奏する。

【０１０１】さらに、本発明に係る二次元画像検出器
は、上記画素電極および接続電極において、少なくとも
上記導電性接続材が接触する部分の構成材料は、上記ア
クティブマトリクス基板における画素電極配置側の表層
部、および上記対向基板における接続電極配置側の表層
部のうち、上記導電性接続材が選択的に配置されない部
分の構成材料よりも、上記導電性接続材との濡れ性が優
れている構成とすることが好ましい。

【０１０２】それゆえ、導電性接続材を選択的に配置す
る際に、該導電性接続材を選択的に配置する部分の周
辺、すなわち該導電性接続材が選択配置されない部分
に、該導電性接続材が飛散することはなくなる。さら
に、本構成は、例えば従来の液晶パネルに使用されてい
るアクティブマトリクス基板を、二次元画像検出器とし
て転用する際にも有効であると共に、ジェッティング処
理あるいは両基板接続時に多少の精度誤差が生じた場合
でも、隣接画素間の絶縁不良発生を抑制することができ
る。これにより、導電性接続材を、選択配置部分のみに
精度良く配置して、上記両基板の電極間のみに限定した
電気的接続を高精度に実現することができるので、隣接
画素間での絶縁不良を確実に抑制することができるとい
う効果を奏する。

【０１０３】さらに、本発明に係る二次元画像検出器
は、上記アクティブマトリクス基板における画素電極配
置側の表層部、および上記対向基板における接続電極側
の表層部において、上記導電性接続材が選択的に配置さ
れない部分の構成材料は、上記導電性接続材を弾く程度
の濡れ性を有する構成とすることが好ましい。

【０１０４】それゆえ、導電性接続材をジェッティング
処理にて選択的に配置する際のパターニングによる位置
ずれ、あるいはアクティブマトリクス基板および対向基
板の接続時の位置ずれが生じた場合においても、濡れ性
の悪い部分では該導電性接続材が弾かれるため、該導電
性接続材が選択的配置されない部分にパターン形成され
ることはない。これにより、導電性接続材を、選択配置
部分のみにより精度良く配置して、上記両基板の電極間
のみに限定した電気的接続をさらに高精度に実現するこ
とができるので、隣接画素間での絶縁不良をより確実に
抑制することができるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る二次元画像検
出器の基本構成を模式的に示す断面図である。

【図２】上記二次元画像検出器における１画素あたりの
構成を示す拡大断面図である。

【図３】上記二次元画像検出器を構成しているアクティ
ブマトリクス基板のＡｕ電極パッドの形状を示す平面図
である。

【図４】（ａ）ないし（ｅ）は、上記二次元画像検出器
における基板接続工程を概略的に示す工程図である。

【図５】ジェッティング処理を説明する説明図である。

【図６】本発明の第２の実施の形態に係る二次元画像検
出器の基本構成を示す断面図である。

【図７】従来の二次元画像検出器の構成を模式的に示す
斜視断面図である。

【図８】上記二次元画像検出器の１画素あたりの構成を
示す拡大断面図である。

【符号の説明】

１アクティブマトリクス基板２対向基板３画素電極４接続電極５導電性接続材９薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）（スイッチング素
子）２１光導電層（半導体層）２９アクティブマトリクス基板３０画素電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０４Ｎ 5/335 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１２Ｚ // Ｇ０２Ｆ 1/1368 Ｇ０２Ｆ 1/136 ５００Ｆターム(参考） 2G088 FF02 GG21 JJ05 JJ09 JJ31 JJ33 JJ37 2H092 GA37 GA38 GA39 JA26 JB66 KA07 LA02 LA05 MA11 NA25 4M118 AA10 BA05 BA14 BA19 CA05 CA06 CA07 CA15 CA32 CB05 CB14 EA01 FB09 FB13 FB16 FB20 GA10 HA20 HA24 5C024 AA01 AA06 AA11 CA31 FA01 FA19 GA00 GA04 5F110 BB09 CC05 CC07 DD02 EE04 EE34 EE44 FF02 FF03 FF29 GG15 GG44 HK04 HK32 HL07 NN02 NN23 NN24 NN27 NN35

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】格子状に複数設けられた画素電極と、該画
素電極にそれぞれ接続されている複数のスイッチング素
子とを含む画素配列層を有するアクティブマトリクス基
板と、光導電性を有する半導体層、および該半導体層上におけ
る上記画素電極に対向する位置に配置された接続電極を
有し、該接続電極が上記アクティブマトリクス基板の画
素配列層と対向するように配置された対向基板と、上記画素電極上および接続電極上の少なくとも一方にジ
ェッティング処理により形成された、上記アクティブマ
トリクス基板と対向基板とを電気的および機械的に接続
する導電性接続材とを備えたことを特徴とする二次元画
像検出器。
【請求項２】上記画素電極および接続電極において、少
なくとも上記導電性接続材が接触する部分の構成材料
は、上記アクティブマトリクス基板における画素電極配
置側の表層部、および上記対向基板における接続電極配
置側の表層部のうち、上記導電性接続材が選択的に配置
されない部分の構成材料よりも、上記導電性接続材との
濡れ性が優れていることを特徴とする請求項１に記載の
二次元画像検出器。
【請求項３】上記アクティブマトリクス基板における画
素電極配置側の表層部、および上記対向基板における接
続電極側の表層部において、上記導電性接続材が選択的
に配置されない部分の構成材料は、上記導電性接続材を
弾く程度の濡れ性を有することを特徴とする請求項２に
記載の二次元画像検出器。