JP2814155B2 - Ｉｔｏ膜パターンの形成方法および液晶表示素子用基板の製造方法 - Google Patents
Ｉｔｏ膜パターンの形成方法および液晶表示素子用基板の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＴＯ（インジウム
チン オキサイド）膜パターンの形成方法およびＩＴＯ
電極微細パターンを形成した液晶表示素子用基板の製造
方法に関するものである。
チン オキサイド）膜パターンの形成方法およびＩＴＯ
電極微細パターンを形成した液晶表示素子用基板の製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶素子の高精細化，大画面化に
伴ない、ＩＴＯ膜単体の抵抗値が大きいことから、これ
を補うために、通常ＩＴＯの電極パターンに沿って金属
膜の配線パターンを形成することにより低抵抗化を実現
している。このような金属配線を伴った画素電極パター
ンの代表的な製造工程は、図４（Ａ）〜（Ｆ）に示す通
りである。
伴ない、ＩＴＯ膜単体の抵抗値が大きいことから、これ
を補うために、通常ＩＴＯの電極パターンに沿って金属
膜の配線パターンを形成することにより低抵抗化を実現
している。このような金属配線を伴った画素電極パター
ンの代表的な製造工程は、図４（Ａ）〜（Ｆ）に示す通
りである。
【０００３】すなわち、まず、ガラス基板３０４上にＩ
ＴＯ３０１を成膜（図４（Ａ）参照）した後、ＩＴＯ膜
上にフォトレジスト３０３を塗布し、画素電極群のパタ
ーンを露光し（図４（Ｂ）参照）、現像、エッチングの
フォトリソ工程によりＩＴＯの画素電極群のパターニン
グを行なう（図４（Ｃ）参照）。次に、ＩＴＯの画素電
極群の上に金属薄膜３０２を成膜し（図４（Ｄ）参
照）、その上にフォトレジスト３０３ａを塗布し、金属
配線パターンを露光し（図４（Ｅ）参照）、現像、エッ
チングのフォトリソ工程により金属配線のパターニング
を行なうことにより形成される（図４（Ｆ）参照）。
ＴＯ３０１を成膜（図４（Ａ）参照）した後、ＩＴＯ膜
上にフォトレジスト３０３を塗布し、画素電極群のパタ
ーンを露光し（図４（Ｂ）参照）、現像、エッチングの
フォトリソ工程によりＩＴＯの画素電極群のパターニン
グを行なう（図４（Ｃ）参照）。次に、ＩＴＯの画素電
極群の上に金属薄膜３０２を成膜し（図４（Ｄ）参
照）、その上にフォトレジスト３０３ａを塗布し、金属
配線パターンを露光し（図４（Ｅ）参照）、現像、エッ
チングのフォトリソ工程により金属配線のパターニング
を行なうことにより形成される（図４（Ｆ）参照）。
【０００４】従来、上記の液晶表示素子用基板の製造方
法において、基板上に成膜したＩＴＯ膜をエッチング
し、ＩＴＯ電極微細パターンを形成するために使用する
ＩＴＯのエッチング液としては、例えば塩酸・塩化第二
鉄混合溶液、塩酸・硝酸混合溶液などの塩酸系エッチン
グ液、または臭化水素酸、ヨウ化水素酸等のハロゲン化
水素酸系エッチング液が用いられてきた。
法において、基板上に成膜したＩＴＯ膜をエッチング
し、ＩＴＯ電極微細パターンを形成するために使用する
ＩＴＯのエッチング液としては、例えば塩酸・塩化第二
鉄混合溶液、塩酸・硝酸混合溶液などの塩酸系エッチン
グ液、または臭化水素酸、ヨウ化水素酸等のハロゲン化
水素酸系エッチング液が用いられてきた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＩＴＯ
のエッチング液として、上記の従来例で示した塩酸・塩
化第二鉄混合溶液または塩酸・硝酸混合溶液などの塩酸
系エッチング液を使用する場合には、次のような２つの
欠点があった。
のエッチング液として、上記の従来例で示した塩酸・塩
化第二鉄混合溶液または塩酸・硝酸混合溶液などの塩酸
系エッチング液を使用する場合には、次のような２つの
欠点があった。
【０００６】 ＩＴＯとフォトレジストの界面にエッ
チング液がしみ込み、ＩＴＯパターンにアンダーカット
が生じ易く、液晶表示素子の高精細化にともなうパター
ンの微細化に適さない。 カラーフィルターなどの有
機膜上にＩＴＯパターンを形成する場合において、上記
と同様の理由からパターンエッジが乱れたり、有機膜と
ＩＴＯの界面で剥離が生じ、パターン形成が困難であ
る。
チング液がしみ込み、ＩＴＯパターンにアンダーカット
が生じ易く、液晶表示素子の高精細化にともなうパター
ンの微細化に適さない。 カラーフィルターなどの有
機膜上にＩＴＯパターンを形成する場合において、上記
と同様の理由からパターンエッジが乱れたり、有機膜と
ＩＴＯの界面で剥離が生じ、パターン形成が困難であ
る。
【０００７】この様な欠点のある塩酸系エッチング液に
対し、臭化水素酸、ヨウ化水素酸等のハロゲン化水素酸
系エッチング液を用いた場合、ＩＴＯパターンのアンダ
ーカットが非常に小さく、微細化に適し、またカラーフ
ィルターなどの有機膜上のＩＴＯパターン形成も可能で
ある。さらに、ＩＴＯのエッチング液として臭化水素酸
またはヨウ化水素酸を用いる場合の長所として、金属配
線（電極補助線）を形成するMo又はMo合金をエッチング
することなく、ＩＴＯだけを選択的にエッチングでき
る。
対し、臭化水素酸、ヨウ化水素酸等のハロゲン化水素酸
系エッチング液を用いた場合、ＩＴＯパターンのアンダ
ーカットが非常に小さく、微細化に適し、またカラーフ
ィルターなどの有機膜上のＩＴＯパターン形成も可能で
ある。さらに、ＩＴＯのエッチング液として臭化水素酸
またはヨウ化水素酸を用いる場合の長所として、金属配
線（電極補助線）を形成するMo又はMo合金をエッチング
することなく、ＩＴＯだけを選択的にエッチングでき
る。
【０００８】したがってＩＴＯの抵抗を補うための電極
補助線を形成する場合、基板上にＩＴＯ，金属被膜（Ｍ
ｏ，Ｍｏ合金）の２層を一挙に成膜し、次に金属配線パ
ターン，ＩＴＯ電極パターンを順次パターニングするこ
とにより、同種の工程を２度経る作業工程の煩雑さを取
り除き、また工程間で発生するゴミの付着や基板の欠け
を極力減少させ、電極間ショートを低減することが可能
となる。
補助線を形成する場合、基板上にＩＴＯ，金属被膜（Ｍ
ｏ，Ｍｏ合金）の２層を一挙に成膜し、次に金属配線パ
ターン，ＩＴＯ電極パターンを順次パターニングするこ
とにより、同種の工程を２度経る作業工程の煩雑さを取
り除き、また工程間で発生するゴミの付着や基板の欠け
を極力減少させ、電極間ショートを低減することが可能
となる。
【０００９】この様な長所がある一方で、これらのハロ
ゲン化水素酸系エッチング液は、ＩＴＯの膜質、ＩＴＯ
と下地基板の界面状態により、エッチングレートが敏感
に影響を受けて変化するため、特に大面積微細加工（例
えば３００ｍｍ×３００ｍｍ以上、２０００×２０００
画素以上の液晶表示素子の加工）では、部分的なエッチ
ング残りが生じ易く、電極ショートの原因になってい
る。
ゲン化水素酸系エッチング液は、ＩＴＯの膜質、ＩＴＯ
と下地基板の界面状態により、エッチングレートが敏感
に影響を受けて変化するため、特に大面積微細加工（例
えば３００ｍｍ×３００ｍｍ以上、２０００×２０００
画素以上の液晶表示素子の加工）では、部分的なエッチ
ング残りが生じ易く、電極ショートの原因になってい
る。
【００１０】本発明は、上記従来例の問題点を解決する
ためになされたものであり、ＩＴＯのエッチング液とし
て、ヨウ化水素酸と塩化第二鉄水溶液の混合溶液を用い
ることにより、上記の臭化水素酸又はヨウ化水素酸等の
ハロゲン化水素酸系エッチング液の長所である、（１）
ＩＴＯのアンダーカットが小さい，（２）有機膜（カラ
ーフィルター、パッシベーション）上のＩＴＯパターニ
ングが可能，（３）Ｍｏ又はＭｏ合金との選択エッチン
グが可能である等の特性を保持しつつ、ＩＴＯ膜質やＩ
ＴＯ−下地基板の界面の状態に悪影響を与えることなく
均一なエッチングが可能で、電極間ショートを大巾に低
減できるＩＴＯ膜パターンの形成方法、および液晶表示
素子用基板の製造方法を提供することを目的とするもの
である。
ためになされたものであり、ＩＴＯのエッチング液とし
て、ヨウ化水素酸と塩化第二鉄水溶液の混合溶液を用い
ることにより、上記の臭化水素酸又はヨウ化水素酸等の
ハロゲン化水素酸系エッチング液の長所である、（１）
ＩＴＯのアンダーカットが小さい，（２）有機膜（カラ
ーフィルター、パッシベーション）上のＩＴＯパターニ
ングが可能，（３）Ｍｏ又はＭｏ合金との選択エッチン
グが可能である等の特性を保持しつつ、ＩＴＯ膜質やＩ
ＴＯ−下地基板の界面の状態に悪影響を与えることなく
均一なエッチングが可能で、電極間ショートを大巾に低
減できるＩＴＯ膜パターンの形成方法、および液晶表示
素子用基板の製造方法を提供することを目的とするもの
である。
【００１１】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、ＩＴＯ
膜及び該ＩＴＯ膜上にモリブデン膜又はモリブデン合金
膜のパターンを有する基板を、水中に溶質としてヨウ化
水素、塩化第二鉄を含有するエッチング液で処理し、該
ＩＴＯ膜を選択的にエッチングすることを特徴とするＩ
ＴＯ膜パターンの形成方法である。 また、本発明は、水
中に溶質としてヨウ化水素、塩化第二鉄を含有するエッ
チング液を用いて、基板上に成膜したＩＴＯ膜及び該Ｉ
ＴＯ膜上にモリブデン膜又はモリブデン合金膜のパター
ンがあるとき、該ＩＴＯ膜を選択的にエッチングし、Ｉ
ＴＯ電極微細パターンを形成することを特徴とする液晶
表示素子用基板の製造方法である。
膜及び該ＩＴＯ膜上にモリブデン膜又はモリブデン合金
膜のパターンを有する基板を、水中に溶質としてヨウ化
水素、塩化第二鉄を含有するエッチング液で処理し、該
ＩＴＯ膜を選択的にエッチングすることを特徴とするＩ
ＴＯ膜パターンの形成方法である。 また、本発明は、水
中に溶質としてヨウ化水素、塩化第二鉄を含有するエッ
チング液を用いて、基板上に成膜したＩＴＯ膜及び該Ｉ
ＴＯ膜上にモリブデン膜又はモリブデン合金膜のパター
ンがあるとき、該ＩＴＯ膜を選択的にエッチングし、Ｉ
ＴＯ電極微細パターンを形成することを特徴とする液晶
表示素子用基板の製造方法である。
【００１２】本発明で用いられる金属配線材料として
は、Ｍｏ、又はＭｏとＴａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｃｒ，Ａｌから
なる群のうち少なくとも１つの金属とからなるＭｏ合金
を用いることができる。金属配線となる金属膜の膜厚
は、通常５００〜５０００Å、好ましくは１０００〜３
０００Åとするのが望ましい。
は、Ｍｏ、又はＭｏとＴａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｃｒ，Ａｌから
なる群のうち少なくとも１つの金属とからなるＭｏ合金
を用いることができる。金属配線となる金属膜の膜厚
は、通常５００〜５０００Å、好ましくは１０００〜３
０００Åとするのが望ましい。
【００１３】また、透明電極となるＩＴＯ膜の膜厚は、
通常５００〜３０００Å、好ましくは７００〜２０００
Åとするのが望ましい。
通常５００〜３０００Å、好ましくは７００〜２０００
Åとするのが望ましい。
【００１４】本発明のエッチング液は、ヨウ化水素濃度
をＡ（ｗｔ％）、前記塩化第二鉄濃度をＢ（ｗｔ％）と
表すとき、Ａ，Ｂがそれぞれ１９≦Ａ≦５２（ｗｔ
％）、３≦Ｂ≦２１（ｗｔ％）を満たすのが好ましく、
より好ましくは２４≦Ａ≦４８（ｗｔ％）、６≦Ｂ≦１
８（ｗｔ％）を満たすのが望ましい。
をＡ（ｗｔ％）、前記塩化第二鉄濃度をＢ（ｗｔ％）と
表すとき、Ａ，Ｂがそれぞれ１９≦Ａ≦５２（ｗｔ
％）、３≦Ｂ≦２１（ｗｔ％）を満たすのが好ましく、
より好ましくは２４≦Ａ≦４８（ｗｔ％）、６≦Ｂ≦１
８（ｗｔ％）を満たすのが望ましい。
【００１５】本発明のエッチング液を作製するために、
例えばヨウ化水素酸（ＨＩ，４７〜５７ｗｔ％）と塩化
第二鉄水溶液（ＦｅＣｌ3 ，３５ｗｔ％）を混合して調
製する場合には、ヨウ化水素酸の容積をＶａ、塩化第二
鉄水溶液の容積をＶｂと表すとき、０．１≦Ｖｂ／Ｖａ
≦１．５とするのが好ましく、より好ましくは０．２≦
Ｖｂ／Ｖａ≦１．０とするのが望ましい。Ｖｂ／Ｖａ＞
１．５の範囲では、室温でヨウ素が沈澱し、実用上使用
できなくなる場合がある。Ｖｂ／Ｖａ＜０．１の範囲で
は、ＩＴＯ膜質や下地基板の影響を受け、エッチング特
性が変化しやすいことがある。
例えばヨウ化水素酸（ＨＩ，４７〜５７ｗｔ％）と塩化
第二鉄水溶液（ＦｅＣｌ3 ，３５ｗｔ％）を混合して調
製する場合には、ヨウ化水素酸の容積をＶａ、塩化第二
鉄水溶液の容積をＶｂと表すとき、０．１≦Ｖｂ／Ｖａ
≦１．５とするのが好ましく、より好ましくは０．２≦
Ｖｂ／Ｖａ≦１．０とするのが望ましい。Ｖｂ／Ｖａ＞
１．５の範囲では、室温でヨウ素が沈澱し、実用上使用
できなくなる場合がある。Ｖｂ／Ｖａ＜０．１の範囲で
は、ＩＴＯ膜質や下地基板の影響を受け、エッチング特
性が変化しやすいことがある。
【００１６】また、０．２≦Ｖｂ／Ｖａ≦１．０の範囲
では、電極間ショート率の大幅な低減が可能である。
では、電極間ショート率の大幅な低減が可能である。
【００１７】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。 実施例１ 図１（Ａ）〜（Ｇ）は本発明の液晶表示素子用基板の製
造方法の第一の実施例を示す工程図である。同図におい
て、先ず、ガラス基板１０４上にＩＴＯ１０１の薄膜を
２０００Åの厚さにスパッタリング法で成膜した後（図
１（Ａ）参照）、上記ＩＴＯ膜上にモリブデン１０２の
薄膜を３０００Åの厚さに同様のスパッタリング法で成
膜した（図１（Ｂ）参照）。
る。 実施例１ 図１（Ａ）〜（Ｇ）は本発明の液晶表示素子用基板の製
造方法の第一の実施例を示す工程図である。同図におい
て、先ず、ガラス基板１０４上にＩＴＯ１０１の薄膜を
２０００Åの厚さにスパッタリング法で成膜した後（図
１（Ａ）参照）、上記ＩＴＯ膜上にモリブデン１０２の
薄膜を３０００Åの厚さに同様のスパッタリング法で成
膜した（図１（Ｂ）参照）。
【００１８】次に、上記成膜済み基板にフォトレジスト
１０３を約１μｍの厚みに塗布し、金属配線パターンマ
スクによりこれを露光し（図１（Ｃ）参照）、更に現像
した後、燐酸−硝酸系エッチング液により室温で３０秒
間エッチングを行ない、モリブデン膜の金属配線パター
ンを形成した（図１（Ｄ）参照）。
１０３を約１μｍの厚みに塗布し、金属配線パターンマ
スクによりこれを露光し（図１（Ｃ）参照）、更に現像
した後、燐酸−硝酸系エッチング液により室温で３０秒
間エッチングを行ない、モリブデン膜の金属配線パター
ンを形成した（図１（Ｄ）参照）。
【００１９】次に、上記金属配線パターン形成済み基板
に再度フォトレジストを約１μｍの厚みに塗布し、これ
を画素電極パターンマスクによって露光した後、現像し
た（図１（Ｅ）参照）。現像後、ヨウ化水素酸（ＨＩ，
５７ｗｔ％）に対し塩化第二鉄水溶液（ＦｅＣｌ3 ，３
５ｗｔ％）を容積比で３０％含有する溶液１０５を、５
０℃の液温で１２０秒間エッチングを行なった後（図１
（Ｆ）参照）、レジストを剥離し、ＩＴＯ膜の画素電極
パターンを形成した（図１（Ｇ）参照）。
に再度フォトレジストを約１μｍの厚みに塗布し、これ
を画素電極パターンマスクによって露光した後、現像し
た（図１（Ｅ）参照）。現像後、ヨウ化水素酸（ＨＩ，
５７ｗｔ％）に対し塩化第二鉄水溶液（ＦｅＣｌ3 ，３
５ｗｔ％）を容積比で３０％含有する溶液１０５を、５
０℃の液温で１２０秒間エッチングを行なった後（図１
（Ｆ）参照）、レジストを剥離し、ＩＴＯ膜の画素電極
パターンを形成した（図１（Ｇ）参照）。
【００２０】このようにして形成されたパターンは、通
常の工程、すなわち、図４（Ａ）〜（Ｆ）に示す様に、
ＩＴＯ膜の成膜およびパターン形成、次にモリブデン膜
およびパターン形成からなる、成膜，フォトリソの２段
階の工程によるパターン形成と比較してほぼ同様のパタ
ーニング性が得られた。さらに、ＩＴＯ膜のエッチング
液として用いたヨウ化水素酸と塩化第二鉄水溶液の混合
溶液は、ヨウ化水素酸，臭化水素酸と同様にモブリデン
に対するエッチング選択性に優れているため、通常用い
られているエッチング液（塩酸−硝酸系または塩酸−塩
化第二鉄系エッチング液）によるモリブデン膜の腐食が
全く発生せず、極めて良好な金属配線のパターンが得ら
れた。
常の工程、すなわち、図４（Ａ）〜（Ｆ）に示す様に、
ＩＴＯ膜の成膜およびパターン形成、次にモリブデン膜
およびパターン形成からなる、成膜，フォトリソの２段
階の工程によるパターン形成と比較してほぼ同様のパタ
ーニング性が得られた。さらに、ＩＴＯ膜のエッチング
液として用いたヨウ化水素酸と塩化第二鉄水溶液の混合
溶液は、ヨウ化水素酸，臭化水素酸と同様にモブリデン
に対するエッチング選択性に優れているため、通常用い
られているエッチング液（塩酸−硝酸系または塩酸−塩
化第二鉄系エッチング液）によるモリブデン膜の腐食が
全く発生せず、極めて良好な金属配線のパターンが得ら
れた。
【００２１】次に、エッチング液として、上記実施例１
のヨウ化水素酸・塩化第二鉄混合溶液を使用した場合
と、ヨウ化水素酸，臭化水素酸，塩酸・塩化第二鉄混合
溶液を使用した場合の電極間ショート率を測定した結果
を表１に示した。なお、電極間ショート率は２００μｍ
巾、１０μｍスペース、長さ３００ｍｍのストライプパ
ターンを用いて、オートプローバーにより電気的に測定
した。
のヨウ化水素酸・塩化第二鉄混合溶液を使用した場合
と、ヨウ化水素酸，臭化水素酸，塩酸・塩化第二鉄混合
溶液を使用した場合の電極間ショート率を測定した結果
を表１に示した。なお、電極間ショート率は２００μｍ
巾、１０μｍスペース、長さ３００ｍｍのストライプパ
ターンを用いて、オートプローバーにより電気的に測定
した。
【００２２】
【表１】
【００２３】表１の結果から明らかな様に、ヨウ化水素
酸・塩化第二鉄混合溶液を用いることにより、ＩＴＯ膜
が均一にエッチング可能となり、電極間ショートの割合
を、低減することができた。
酸・塩化第二鉄混合溶液を用いることにより、ＩＴＯ膜
が均一にエッチング可能となり、電極間ショートの割合
を、低減することができた。
【００２４】実施例２ 図２（Ａ）〜（Ｆ）および図３（Ｇ）〜（Ｍ）は本発明
の液晶表示素子用基板の製造方法の第二の実施例を示す
工程図である。図２（Ａ）〜（Ｆ），図３（Ｇ）〜
（Ｍ）において、各記号はそれぞれ、２０４がガラス基
板、２０６が着色樹脂膜、２０６ａが２０６のうち光硬
化した部分、２０７がフォトマスク、２０８〜２１０が
それぞれ赤・緑・青のカラーフィルターパターン、２１
１が保護層を表している。
の液晶表示素子用基板の製造方法の第二の実施例を示す
工程図である。図２（Ａ）〜（Ｆ），図３（Ｇ）〜
（Ｍ）において、各記号はそれぞれ、２０４がガラス基
板、２０６が着色樹脂膜、２０６ａが２０６のうち光硬
化した部分、２０７がフォトマスク、２０８〜２１０が
それぞれ赤・緑・青のカラーフィルターパターン、２１
１が保護層を表している。
【００２５】本実施例の製造工程は、先ず、図２におい
て、ガラス基板２０４上に感光性ポリアミド着色樹脂
（ＰＡ−１０１２Ｒ、ＰＡ−１０１２Ｇ、ＰＡ−１０１
２Ｂ、宇部興産社製）の着色樹脂膜２０６を塗布し（図
２（Ａ）参照）、フォトリソ工程により約１．５μｍの
膜厚でカラーフィルターパターン２０６ａを形成するこ
とをくり返し、カラーフィルターパターン赤２０８、緑
２０９、青２１０を順次形成し、この上に感光性ポリア
ミド樹脂（ＰＡ−１０００Ｃ、宇部興産社製）の保護層
２１１を約２μｍの厚さに積層した（図２（Ａ）〜
（ｆ）参照）。
て、ガラス基板２０４上に感光性ポリアミド着色樹脂
（ＰＡ−１０１２Ｒ、ＰＡ−１０１２Ｇ、ＰＡ−１０１
２Ｂ、宇部興産社製）の着色樹脂膜２０６を塗布し（図
２（Ａ）参照）、フォトリソ工程により約１．５μｍの
膜厚でカラーフィルターパターン２０６ａを形成するこ
とをくり返し、カラーフィルターパターン赤２０８、緑
２０９、青２１０を順次形成し、この上に感光性ポリア
ミド樹脂（ＰＡ−１０００Ｃ、宇部興産社製）の保護層
２１１を約２μｍの厚さに積層した（図２（Ａ）〜
（ｆ）参照）。
【００２６】次に、図３において、上記カラーフィルタ
ーパターン形成済基板にＩＴＯ２０１を厚さ約１０００
Åにスパッタリング法により２５０℃の加熱温度で成膜
した（図３（Ｇ）参照）。
ーパターン形成済基板にＩＴＯ２０１を厚さ約１０００
Åにスパッタリング法により２５０℃の加熱温度で成膜
した（図３（Ｇ）参照）。
【００２７】このようにして得られたカラーフィルター
上のＩＴＯ膜を形成した基板にフォトレジスト２１２を
塗布し、所定の電極パターンマスクにて露光、現象した
後、ヨウ化水素酸・塩化第二鉄混合溶液５中で液温５０
℃にてエッチングを行なった（図３（Ｈ）〜（Ｋ）参
照）後、フォトレジスト２１２を剥離し、ＩＴＯ膜の画
素電極パターンを形成した（図３（Ｌ）〜（Ｍ）参
照）。
上のＩＴＯ膜を形成した基板にフォトレジスト２１２を
塗布し、所定の電極パターンマスクにて露光、現象した
後、ヨウ化水素酸・塩化第二鉄混合溶液５中で液温５０
℃にてエッチングを行なった（図３（Ｈ）〜（Ｋ）参
照）後、フォトレジスト２１２を剥離し、ＩＴＯ膜の画
素電極パターンを形成した（図３（Ｌ）〜（Ｍ）参
照）。
【００２８】エッチング液として、ヨウ化水素酸（Ｈ
Ｉ，４７ｗｔ％）の容積を１として、塩化第二鉄水溶液
（ＦｅＣｌ3 ，３５ｗｔ％）の容積を０，０．０５，
０．１，０．２，０．３，０．５，１．０の割合の混合
溶液を用いた。
Ｉ，４７ｗｔ％）の容積を１として、塩化第二鉄水溶液
（ＦｅＣｌ3 ，３５ｗｔ％）の容積を０，０．０５，
０．１，０．２，０．３，０．５，１．０の割合の混合
溶液を用いた。
【００２９】この様にして形成されたＩＴＯ電極のパタ
ーンは、いずれのエッチング液の場合も、エッチングに
よるパターンの細りや形状の不良を招くことなく良好な
パターンとして形成された。また、ＩＴＯ膜の下に、感
光性ポリアミドの着色樹脂で形成されたカラーフィルタ
ーパターンは、全くダメージを受けることがなかった。
ーンは、いずれのエッチング液の場合も、エッチングに
よるパターンの細りや形状の不良を招くことなく良好な
パターンとして形成された。また、ＩＴＯ膜の下に、感
光性ポリアミドの着色樹脂で形成されたカラーフィルタ
ーパターンは、全くダメージを受けることがなかった。
【００３０】表２に本実施例で使用した各エッチング液
と電極間ショートの割合を示した。
と電極間ショートの割合を示した。
【００３１】
【表２】
【００３２】表２の結果から明らかな様に、ヨウ化水素
酸１に対し塩化第二鉄水溶液の容積比を０．１以上とす
ることで、電極間ショート率を低減することができた。
さらに、塩化第二鉄水溶液の容積比を０．２以上にすれ
ば大巾な電極間ショート率の低減が可能となる。なお、
塩化第二鉄水溶液の容積比が１．５を越えると室温でヨ
ウ素が沈澱してしまうため実用上使用することができな
い。
酸１に対し塩化第二鉄水溶液の容積比を０．１以上とす
ることで、電極間ショート率を低減することができた。
さらに、塩化第二鉄水溶液の容積比を０．２以上にすれ
ば大巾な電極間ショート率の低減が可能となる。なお、
塩化第二鉄水溶液の容積比が１．５を越えると室温でヨ
ウ素が沈澱してしまうため実用上使用することができな
い。
【００３３】実施例３ 金属電極材料として、モリブデンのかわりにモリブデン
−タンタル合金を用いた以外は実施例１と同様に液晶表
示素子用基板を作製した。本実施例においても、実施例
１と同様にＩＴＯ膜の均一エッチング、電極間ショート
の低減を達成し、良好な液晶表示素子用基板を得ること
ができた。
−タンタル合金を用いた以外は実施例１と同様に液晶表
示素子用基板を作製した。本実施例においても、実施例
１と同様にＩＴＯ膜の均一エッチング、電極間ショート
の低減を達成し、良好な液晶表示素子用基板を得ること
ができた。
【００３４】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれ
ば、ヨウ化水素と塩化第二鉄を含有するエッチング液を
用いてＩＴＯ電極微細パターンを形成することにより、
カラーフィルター上のＩＴＯパターン形成、およびＩＴ
Ｏ膜質やＩＴＯ−下地基板の界面の状態に悪影響を与え
ることなく均一なエッチングが可能で、Ｍｏ，Ｍｏ合金
との選択エッチングが可能となるだけでなく、電極間シ
ョートを大巾に低減でき、液晶表示素子用基板の製造の
歩留りの大巾な向上が可能となった。
ば、ヨウ化水素と塩化第二鉄を含有するエッチング液を
用いてＩＴＯ電極微細パターンを形成することにより、
カラーフィルター上のＩＴＯパターン形成、およびＩＴ
Ｏ膜質やＩＴＯ−下地基板の界面の状態に悪影響を与え
ることなく均一なエッチングが可能で、Ｍｏ，Ｍｏ合金
との選択エッチングが可能となるだけでなく、電極間シ
ョートを大巾に低減でき、液晶表示素子用基板の製造の
歩留りの大巾な向上が可能となった。
【図１】本発明の液晶表示素子用基板の製造方法の第一
の実施例を示す工程図である。
の実施例を示す工程図である。
【図２】本発明の液晶表示素子用基板の製造方法の第二
の実施例の前半の部分を示す部分工程図である。
の実施例の前半の部分を示す部分工程図である。
【図３】本発明の液晶表示素子用基板の製造方法の第二
の実施例の後半の部分を示す部分工程図である。
の実施例の後半の部分を示す部分工程図である。
【図４】従来の液晶表示素子用基板の製造方法における
パターン形成方法を示す工程図である。
パターン形成方法を示す工程図である。
１０１，２０１，３０１ ＩＴＯ １０２ モリブデン ３０２ 金属薄膜 １０３，２１２，３０３ａ フォトレジスト １０４，２０４，３０４ ガラス基板 １０５ ヨウ化水素酸・塩化第二鉄混合溶液 ２０６ 着色樹脂膜 ２０７，２１３ フォトマスク ２０８，２０９，２１０ カラーフィルターパターン ２１１ 保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−301906（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−170581（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−145529（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G02F 1/1343 C23F 1/30 H01B 5/14 H01B 13/00 503 H05K 3/06
Claims (10)
- 【請求項１】 ＩＴＯ膜及び該ＩＴＯ膜上にモリブデン
膜又はモリブデン合金膜のパターンを有する基板を、水
中に溶質としてヨウ化水素、塩化第二鉄を含有するエッ
チング液で処理し、該ＩＴＯ膜を選択的にエッチングす
ることを特徴とするＩＴＯ膜パターンの形成方法。 - 【請求項２】 前記ヨウ化水素の濃度をＡ（ｗｔ％）、
前記塩化第二鉄の濃度をＢ（ｗｔ％）とするとき、Ａ，
Ｂがそれぞれ１９≦Ａ≦５２（ｗｔ％）、３≦Ｂ≦２１
（ｗｔ％）を満たす請求項１記載のＩＴＯ膜パターンの
形成方法。 - 【請求項３】 前記ヨウ化水素の濃度Ａ（ｗｔ％），前
記塩化第二鉄の濃度Ｂがそれぞれ２４≦Ａ≦４８（ｗｔ
％）、６≦Ｂ≦１８（ｗｔ％）を満たす請求項２記載の
ＩＴＯ膜パターンの形成方法。 - 【請求項４】 ヨウ化水素酸（ＨＩ，４７〜５７ｗｔ
％）と塩化第二鉄水溶液（ＦｅＣｌ３ ，３５ｗｔ％）
の容積比が、１：０．１〜１．５の範囲の混合溶液であ
る請求項１記載のＩＴＯ膜パターンの形成方法。 - 【請求項５】 ヨウ化水素酸（ＨＩ，４７〜５７ｗｔ
％）と塩化第二鉄水溶液（ＦｅＣｌ３ ，３５ｗｔ％）
の容積比が、１：０．２〜１：１の範囲の混合溶液であ
る請求項４記載のＩＴＯ膜パターンの形成方法。 - 【請求項６】 水中に溶質としてヨウ化水素、塩化第二
鉄を含有するエッチング液を用いて、基板上に成膜した
ＩＴＯ膜及び該ＩＴＯ膜上にモリブデン膜又はモリブデ
ン合金膜のパターンがあるとき、該ＩＴＯ膜を選択的に
エッチングし、ＩＴＯ電極微細パターンを形成すること
を特徴とする液晶表示素子用基板の製造方法。 - 【請求項７】 前記ヨウ化水素の濃度をＡ（ｗｔ％）、
前記塩化第二鉄の濃度をＢ（ｗｔ％）とするとき、Ａ，
Ｂがそれぞれ１９≦Ａ≦５２（ｗｔ％）、３≦Ｂ≦２１
（ｗｔ％）を満たす請求項６記載の液晶表示素子用基板
の製造方法。 - 【請求項８】 前記ヨウ化水素の濃度Ａ（ｗｔ％），前
記塩化第二鉄の濃度Ｂがそれぞれ２４≦Ａ≦４８（ｗｔ
％）、６≦Ｂ≦１８（ｗｔ％）を満たす請求項７記載の
液晶表示素子用基板の製造方法。 - 【請求項９】 ヨウ化水素酸（ＨＩ，４７〜５７ｗｔ
％）と塩化第二鉄水溶液（ＦｅＣｌ３ ，３５ｗｔ％）
の容積比が、１：０．１〜１．５の範囲の混合溶液であ
る請求項６記載の液晶表示素子用基板の製造方法。 - 【請求項１０】 ヨウ化水素酸（ＨＩ，４７〜５７ｗｔ
％）と塩化第二鉄水溶液（ＦｅＣｌ３ ，３５ｗｔ％）
の容積比が、１：０．２〜１：１の範囲の混合溶液であ
る請求項９記載の液晶表示素子用基板の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3218071A JP2814155B2 (ja) | 1990-08-13 | 1991-08-05 | Ｉｔｏ膜パターンの形成方法および液晶表示素子用基板の製造方法 |
| US07/743,020 US5296096A (en) | 1990-08-13 | 1991-08-09 | Etchant for production of electrode plate structure for liquid crystal display device |
| US08/047,835 US5340491A (en) | 1990-08-13 | 1993-04-16 | Etchant for production of electrode plate structure for liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21162690 | 1990-08-13 | ||
| JP2-211626 | 1990-08-13 | ||
| JP3218071A JP2814155B2 (ja) | 1990-08-13 | 1991-08-05 | Ｉｔｏ膜パターンの形成方法および液晶表示素子用基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH055899A JPH055899A (ja) | 1993-01-14 |
| JP2814155B2 true JP2814155B2 (ja) | 1998-10-22 |
Family
ID=26518754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3218071A Expired - Fee Related JP2814155B2 (ja) | 1990-08-13 | 1991-08-05 | Ｉｔｏ膜パターンの形成方法および液晶表示素子用基板の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5296096A (ja) |
| JP (1) | JP2814155B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP3044418B2 (ja) * | 1991-10-30 | 2000-05-22 | キヤノン株式会社 | 電極基板の製造方法 |
| KR950011951B1 (ko) * | 1992-12-04 | 1995-10-12 | 삼성전관주식회사 | Lcd 및 그 제조방법 |
| US5821622A (en) * | 1993-03-12 | 1998-10-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal display device |
| US5751391A (en) * | 1995-04-27 | 1998-05-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device with elongated projection height smaller than liquid crystal thickness and process for producing same |
| US5611941A (en) * | 1995-07-17 | 1997-03-18 | Rainbow Display Serivices | Method for forming a ferroelectric liquid crystal spatial light modulator utilizing a planarization process |
| EP0782039A3 (en) | 1995-12-27 | 1998-06-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Display device and process for producing same |
| KR100197131B1 (ko) * | 1996-05-22 | 1999-06-15 | 김영환 | 플라즈마 디스플레이 패널 및 그의 제조방법 |
| DE19710401C1 (de) * | 1997-03-13 | 1998-11-19 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung von Flüssigkristallzellen |
| JPH117035A (ja) | 1997-04-23 | 1999-01-12 | Sharp Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| GB2326012B (en) * | 1997-05-30 | 2002-02-27 | Samsung Electronics Co Ltd | Liquid crystal display |
| US6704083B1 (en) * | 1997-05-30 | 2004-03-09 | Samsung Electronics, Co., Ltd. | Liquid crystal display including polarizing plate having polarizing directions neither parallel nor perpendicular to average alignment direction of molecules |
| DE69841346D1 (de) | 1997-06-12 | 2010-01-14 | Sharp Kk | Anzeigevorrichtung mit vertikal ausgerichtetem Flüssigkristall |
| US6653216B1 (en) * | 1998-06-08 | 2003-11-25 | Casio Computer Co., Ltd. | Transparent electrode forming apparatus and method of fabricating active matrix substrate |
| JP3479023B2 (ja) * | 1999-05-18 | 2003-12-15 | シャープ株式会社 | 電気配線の製造方法および配線基板および表示装置および画像検出器 |
| JP3617458B2 (ja) * | 2000-02-18 | 2005-02-02 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置用基板、液晶装置及び電子機器 |
| US8307549B2 (en) * | 2001-11-20 | 2012-11-13 | Touchsensor Technologies, Llc | Method of making an electrical circuit |
| KR101154244B1 (ko) * | 2005-06-28 | 2012-06-18 | 주식회사 동진쎄미켐 | 알루미늄, 몰리브덴, 인듐-틴-옥사이드를 식각하기 위한 식각액 |
| KR20110087582A (ko) * | 2010-01-26 | 2011-08-03 | 삼성전자주식회사 | 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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