JPH04109223A - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents
液晶表示素子の製造方法Info
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- JPH04109223A JPH04109223A JP22658590A JP22658590A JPH04109223A JP H04109223 A JPH04109223 A JP H04109223A JP 22658590 A JP22658590 A JP 22658590A JP 22658590 A JP22658590 A JP 22658590A JP H04109223 A JPH04109223 A JP H04109223A
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 41
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 39
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 56
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 56
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 30
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical group [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical group [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 15
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 13
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 3-azaniumyl-2-hydroxypropanoate Chemical compound NCC(O)C(O)=O BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229940071870 hydroiodic acid Drugs 0.000 claims description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 13
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 20
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 4
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- VXAPDXVBDZRZKP-UHFFFAOYSA-N nitric acid phosphoric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O.OP(O)(O)=O VXAPDXVBDZRZKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N phosphinic acid Chemical compound O[PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は液晶表示素子の製造方法に関し、特に液晶表示
素子における電極パターンの形成方法に関するものであ
る。
素子における電極パターンの形成方法に関するものであ
る。
［従来の技術］
従来より、酸化インジウム膜は、低抵抗で高い透過率を
示すことから、透明導電被膜として最適でもっともよく
用いられ、液晶表示素子の電極として欠かせないものと
なっている。
示すことから、透明導電被膜として最適でもっともよく
用いられ、液晶表示素子の電極として欠かせないものと
なっている。
しかしながら、近年、液晶素子の高精細および大画面化
に伴ない、酸化インジウム膜単体の抵抗値では対応でき
ず、通常酸化インジウムの電極パターンに沿って金属膜
の配線パターンを形成することにより低抵抗化を実現し
ている。このような金属配線を伴った画素電極パターン
は、例えば、第２図（ａ）〜（ｆ）に示すように、まず
ガラス基板４上に酸化インジウム１を成膜した後、酸化
インジウム膜上にフォトレジスト３を塗布し、画素電極
群のパターンを露光し、現像、エツチングのフォトリソ
工程により酸化インジウムの画素電極群のバターニング
を行なう。次に、酸化インジウムの画素電極群の上に金
属薄膜２ａを成膜し、その上にフォトレジスト３を塗布
し、金属配線パターンを露光し、現像、エツチングのフ
ォトリソ工程により金属配線のパターンのバターニング
を行なうことにより形成される。金属配線の材料として
は、一般には低抵抗でありかつ比較的安価なアルミニウ
ムやモリブデンなどが使用されている。
に伴ない、酸化インジウム膜単体の抵抗値では対応でき
ず、通常酸化インジウムの電極パターンに沿って金属膜
の配線パターンを形成することにより低抵抗化を実現し
ている。このような金属配線を伴った画素電極パターン
は、例えば、第２図（ａ）〜（ｆ）に示すように、まず
ガラス基板４上に酸化インジウム１を成膜した後、酸化
インジウム膜上にフォトレジスト３を塗布し、画素電極
群のパターンを露光し、現像、エツチングのフォトリソ
工程により酸化インジウムの画素電極群のバターニング
を行なう。次に、酸化インジウムの画素電極群の上に金
属薄膜２ａを成膜し、その上にフォトレジスト３を塗布
し、金属配線パターンを露光し、現像、エツチングのフ
ォトリソ工程により金属配線のパターンのバターニング
を行なうことにより形成される。金属配線の材料として
は、一般には低抵抗でありかつ比較的安価なアルミニウ
ムやモリブデンなどが使用されている。
［発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、上記従来例では、透明電極パターンの形
成時と金属配線パターンの形成時の２度に渡って、基板
上にゴミや異物が付着し、そのゴミや異物による電極の
隣接間ショートを発生する可能性があり、バターニング
工程の直行歩留りの低下を招いている。さらには、電極
の隣接間ショートを修復するためには多大の時間と労力
を要するため、パターニング工程で隣接間ショートを防
ぐ技術または手法を確立することが早急の課題となって
いる。
成時と金属配線パターンの形成時の２度に渡って、基板
上にゴミや異物が付着し、そのゴミや異物による電極の
隣接間ショートを発生する可能性があり、バターニング
工程の直行歩留りの低下を招いている。さらには、電極
の隣接間ショートを修復するためには多大の時間と労力
を要するため、パターニング工程で隣接間ショートを防
ぐ技術または手法を確立することが早急の課題となって
いる。
本発明は、上記の従来の問題点を解決するためになされ
たものであり、電極パターンの形成工程において、基板
上に（＝１着するゴミや異物による電極の隣接゛間ショ
ートの発生を防止し、パターニング工程の直行歩留りが
良好な液晶表示素子の製造方法を提供することを目的と
するものである。
たものであり、電極パターンの形成工程において、基板
上に（＝１着するゴミや異物による電極の隣接゛間ショ
ートの発生を防止し、パターニング工程の直行歩留りが
良好な液晶表示素子の製造方法を提供することを目的と
するものである。
［課題を解決するための手段］
即ち、本発明は、表面にストライプ状の電極群を形成し
た２枚の基板とその間に挟持された液晶層を有する液晶
表示素子の製造方法において、基板上に電極となる透明
導電被膜を成膜しバターニングして透明電極を形成した
後、前記透明電極上に金属配線用金属被膜を成膜し、そ
の上にフォトレジストを塗布した後、露光、現像、エツ
チング処理して前記透明電極と同じパターンを形成し、
次いで露光、現像処理してフォトレジストを残した金属
配線パターンを形成し、さらに透明電極形成時のエツチ
ング液にさらした後、金属配線パターン以外の金属被膜
のエツチングおよび残したフォトレジストの剥離を行う
ことにより電極パターンを形成することを特徴とする液
晶表示素子の製造方法である。
た２枚の基板とその間に挟持された液晶層を有する液晶
表示素子の製造方法において、基板上に電極となる透明
導電被膜を成膜しバターニングして透明電極を形成した
後、前記透明電極上に金属配線用金属被膜を成膜し、そ
の上にフォトレジストを塗布した後、露光、現像、エツ
チング処理して前記透明電極と同じパターンを形成し、
次いで露光、現像処理してフォトレジストを残した金属
配線パターンを形成し、さらに透明電極形成時のエツチ
ング液にさらした後、金属配線パターン以外の金属被膜
のエツチングおよび残したフォトレジストの剥離を行う
ことにより電極パターンを形成することを特徴とする液
晶表示素子の製造方法である。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明は、基板上に透明電極をバターニングして形成し
た後、金属配線用金属被膜を成膜し、その上にフォトレ
ジストを塗布した後、前記透明電極と同じパターンをエ
ツチングして形成し、次いで露光、現像処理して金属配
線パターンを形成した後、透明電極形成時のエツチング
液にさらした後、金属配線パターンをエツチングにより
形成することに特徴がある。
た後、金属配線用金属被膜を成膜し、その上にフォトレ
ジストを塗布した後、前記透明電極と同じパターンをエ
ツチングして形成し、次いで露光、現像処理して金属配
線パターンを形成した後、透明電極形成時のエツチング
液にさらした後、金属配線パターンをエツチングにより
形成することに特徴がある。
しかしながら、一般に金属配線パターンの形成に用いら
れている低抵抗の金属、例えばアルミニウムやモリブデ
ンは通常用いられている酸化インジウムのエツチング液
（例えば、塩酸−塩化第二鉄系、または塩酸−硝酸系）
と簡単に反応するため、本発明におけるプロセスでは通
常の酸化インジウムのエツチング液を使用することは不
可能である。
れている低抵抗の金属、例えばアルミニウムやモリブデ
ンは通常用いられている酸化インジウムのエツチング液
（例えば、塩酸−塩化第二鉄系、または塩酸−硝酸系）
と簡単に反応するため、本発明におけるプロセスでは通
常の酸化インジウムのエツチング液を使用することは不
可能である。
本発明においては、透明導電被膜には酸化インジウム膜
ム金属配線用金属被膜にはモリブデンを用いるのが好ま
しい。特に、金属被膜にモリブデンを使用し、また酸化
インジウム膜のエツチング液には金属配線パターンのモ
リブデンを侵すことがないヨウ化水素酸または臭化水素
酸を採用することが好ましい。
ム金属配線用金属被膜にはモリブデンを用いるのが好ま
しい。特に、金属被膜にモリブデンを使用し、また酸化
インジウム膜のエツチング液には金属配線パターンのモ
リブデンを侵すことがないヨウ化水素酸または臭化水素
酸を採用することが好ましい。
次に、図面に基づいて本発明を説明する。第１図（ａ）
〜（ｈ）は本発明の液晶表示素子の製造方法における透
明電極および金属配線パターンの形成方法を示す工程図
である。同第１図において、まず、ガラス基板４上に透
明電極膜の酸化インジウム１を成膜する（第１図（ａｌ
参照）。次に、その酸化インジウム膜上にフォトレジ
スト３を塗布し、画素電極パターンを露光し、現像、エ
ッチングのレジスト剥離のフォトリソ工程により酸化イ
ンジウムの画素電極パターンを形成する（第１図（ｂ）
、（ｃ）参照）。
〜（ｈ）は本発明の液晶表示素子の製造方法における透
明電極および金属配線パターンの形成方法を示す工程図
である。同第１図において、まず、ガラス基板４上に透
明電極膜の酸化インジウム１を成膜する（第１図（ａｌ
参照）。次に、その酸化インジウム膜上にフォトレジ
スト３を塗布し、画素電極パターンを露光し、現像、エ
ッチングのレジスト剥離のフォトリソ工程により酸化イ
ンジウムの画素電極パターンを形成する（第１図（ｂ）
、（ｃ）参照）。
次に、この酸化インジウムの画素電極パターンを形成し
たガラス基板４上にモリブデン２を成膜し、さらにこの
モリブデン月莫上にフォトレジスト３を塗布する（第１
図（ｄ）、（ｅ）参照）。このガラス基板４に再び前記
と同じ画素電極パターンを露光し、現像、エツチングを
行う（第１図（ｆ）参照）。次に、フォトレジストの剥
離を行うことなく今度は金属配線パターンの露光、現像
を進めた時点で、再び先の酸化インジウムの画素電極パ
ターンを形成時に用いたエツチング液にさらす（第１図
（ｇ） 参照）。最後にモリブデン金属製Ｉｆパターン
をエツチングし、フォトレジスト３ａを剥離することに
より金属配線パターンを形成する（第１図（ｈ）参照）
。
たガラス基板４上にモリブデン２を成膜し、さらにこの
モリブデン月莫上にフォトレジスト３を塗布する（第１
図（ｄ）、（ｅ）参照）。このガラス基板４に再び前記
と同じ画素電極パターンを露光し、現像、エツチングを
行う（第１図（ｆ）参照）。次に、フォトレジストの剥
離を行うことなく今度は金属配線パターンの露光、現像
を進めた時点で、再び先の酸化インジウムの画素電極パ
ターンを形成時に用いたエツチング液にさらす（第１図
（ｇ） 参照）。最後にモリブデン金属製Ｉｆパターン
をエツチングし、フォトレジスト３ａを剥離することに
より金属配線パターンを形成する（第１図（ｈ）参照）
。
本発明において、酸化インジウムの画素電極パターンの
形成時に用いられるヨウ化水素酸は、旧５５〜５８％の
原液、原液に対してリン酸１〜１０％を含有する混合液
、原液に対して亜リン酸１〜】０％を含有する混合液、
原液に対して次亜リン酸１〜５％を含有する混合液等が
好ましい。また、臭化水素酸は、ＨＢｒ ４５〜４７％
の原液か好ましい。
形成時に用いられるヨウ化水素酸は、旧５５〜５８％の
原液、原液に対してリン酸１〜１０％を含有する混合液
、原液に対して亜リン酸１〜】０％を含有する混合液、
原液に対して次亜リン酸１〜５％を含有する混合液等が
好ましい。また、臭化水素酸は、ＨＢｒ ４５〜４７％
の原液か好ましい。
また、金属配線用金属被膜のモリブデンのエツチング液
には、例えばリン酸−硝酸系等が好ましい。
には、例えばリン酸−硝酸系等が好ましい。
本発明の方法で透明電極および金属配線バタンを形成す
ることにより、パターニング工程で発生する電極の隣接
間ショートの発生は減少し、歩留りをほぼ１００％にす
ることかできる。
ることにより、パターニング工程で発生する電極の隣接
間ショートの発生は減少し、歩留りをほぼ１００％にす
ることかできる。
次に、本発明の液晶表示素子を製造する方法は、上記の
方法により透明電極および金属配線パターンを形成した
基板に配向処理を施し、該基板を２枚用いて通常のセル
組立工程及び液晶注入工程を経ることにより得ることか
できる。
方法により透明電極および金属配線パターンを形成した
基板に配向処理を施し、該基板を２枚用いて通常のセル
組立工程及び液晶注入工程を経ることにより得ることか
できる。
［作用］
本発明は、金属配線パターンにモリブデンを使用し、画
素電極パターンである酸化インジウムのエツチング液と
してヨウ化水素酸または臭化水素酸を使用することによ
り、基板上に透明電極をパターニングして形成した後、
金属配線用金属被膜を成膜し、その上にフォトレジスト
を塗布した後、前記透明電極と同じパターンをエツチン
グして形成し、次いで露光、現像処理してフォトレジス
トを残した金属配線パターンを形成し、その後に透明電
極形成時のエツチング液にさらした後、金属配線パター
ン以外の金属被膜のエツチングおよび残したフォトレジ
ストの剥離を行うことによって電極パターンを形成する
ことが可能となり、電極の隣接間ショートの発生を防止
することかでき、パターニング工程の直行歩留りをほぼ
１００％にすることが可能となる。
素電極パターンである酸化インジウムのエツチング液と
してヨウ化水素酸または臭化水素酸を使用することによ
り、基板上に透明電極をパターニングして形成した後、
金属配線用金属被膜を成膜し、その上にフォトレジスト
を塗布した後、前記透明電極と同じパターンをエツチン
グして形成し、次いで露光、現像処理してフォトレジス
トを残した金属配線パターンを形成し、その後に透明電
極形成時のエツチング液にさらした後、金属配線パター
ン以外の金属被膜のエツチングおよび残したフォトレジ
ストの剥離を行うことによって電極パターンを形成する
ことが可能となり、電極の隣接間ショートの発生を防止
することかでき、パターニング工程の直行歩留りをほぼ
１００％にすることが可能となる。
［実施例］
以下、実施例を示し本発明をさらに具体的に説明する。
実施例１
ガラス基板上に膜厚２０００人の酸化インジウム薄膜を
スパッタリング法で成膜した後、フォトレジストを約１
μｍの厚みに塗布し、画素電極パターンマスクによって
露光した後現像した。現像後、この基板を遮光、窒素雰
囲気下で３５℃の旧５８％の原液に対して次亜リン酸２
％を含有するヨウ化水素酸により８０秒間エツチングを
行なった後、レジストを剥離し、酸化インジウムの画素
電極パターンを形成した。
スパッタリング法で成膜した後、フォトレジストを約１
μｍの厚みに塗布し、画素電極パターンマスクによって
露光した後現像した。現像後、この基板を遮光、窒素雰
囲気下で３５℃の旧５８％の原液に対して次亜リン酸２
％を含有するヨウ化水素酸により８０秒間エツチングを
行なった後、レジストを剥離し、酸化インジウムの画素
電極パターンを形成した。
次に、この画素電極パターンが形成された基板に膜厚３
０００人のモリブデン膜をスパッタリング法で成膜した
後、フォトレジストを約１ ｐｍの厚みに塗布し、前記
画素電極パターンと同じパターンのフォトマスクを用い
て露光し、更に現像した後、リン酸−硝酸系エツチング
液により室温で３０秒間エツチングを行った。ここで、
フォトレジストの剥離を行うことな（今度は金属配線パ
ターンマスクにより金属配線パターンを露光、更に現像
し、フォトレジストを残した金属配線パターンを形成し
た。次いで、再び遮光、窒素雰囲気下で３５℃のＨＩ３
８％の原液に対して次亜リン酸２％を含有するヨウ化水
素酸により８０秒間エツチングを行なった後、リン酸−
硝酸系エツチング液により室温で３０秒間エツチングを
行ない、続いて、レジストを剥離して金属配線パターン
を形成した。
０００人のモリブデン膜をスパッタリング法で成膜した
後、フォトレジストを約１ ｐｍの厚みに塗布し、前記
画素電極パターンと同じパターンのフォトマスクを用い
て露光し、更に現像した後、リン酸−硝酸系エツチング
液により室温で３０秒間エツチングを行った。ここで、
フォトレジストの剥離を行うことな（今度は金属配線パ
ターンマスクにより金属配線パターンを露光、更に現像
し、フォトレジストを残した金属配線パターンを形成し
た。次いで、再び遮光、窒素雰囲気下で３５℃のＨＩ３
８％の原液に対して次亜リン酸２％を含有するヨウ化水
素酸により８０秒間エツチングを行なった後、リン酸−
硝酸系エツチング液により室温で３０秒間エツチングを
行ない、続いて、レジストを剥離して金属配線パターン
を形成した。
このようにして形成されたパターンは、通常の工程（第
２図）と比較して、はぼ同様のバターニング性を得るこ
とができた。さらに、酸化インジウム膜のエツチング液
として用いたヨウ化水素酸は、酸化インジウムの電極パ
ターンに対するアンダーカット量が極めて少ない上、モ
リブデンに対するエツチング選択性に優れているため、
極めて良好なパターン形状が保持できた。
２図）と比較して、はぼ同様のバターニング性を得るこ
とができた。さらに、酸化インジウム膜のエツチング液
として用いたヨウ化水素酸は、酸化インジウムの電極パ
ターンに対するアンダーカット量が極めて少ない上、モ
リブデンに対するエツチング選択性に優れているため、
極めて良好なパターン形状が保持できた。
また、このようにして形成されたパターンの電極間隣接
ショートを調べた結果、全く確認されず、本発明による
製造方法が電極の隣接間ショートの防止に極めて有効で
あることが判明した。
ショートを調べた結果、全く確認されず、本発明による
製造方法が電極の隣接間ショートの防止に極めて有効で
あることが判明した。
実施例２
ガラス基板上に膜厚２００Ｇ人の酸化インジウム薄膜を
スパッタリング伝で成膜した後、フォトレジストを約１
μｍの厚みに塗布し、画素電極パターンマスクによって
露光した後現像した。現像後、この基板を遮光、窒素雰
囲気下で３５°Ｃの４５％の臭化水素酸により １００
秒間エツチングを行なった後、レジストを剥離し、酸化
インジウムの画素電極パターンを形成した。
スパッタリング伝で成膜した後、フォトレジストを約１
μｍの厚みに塗布し、画素電極パターンマスクによって
露光した後現像した。現像後、この基板を遮光、窒素雰
囲気下で３５°Ｃの４５％の臭化水素酸により １００
秒間エツチングを行なった後、レジストを剥離し、酸化
インジウムの画素電極パターンを形成した。
次に、この画素電極パターンが形成された基板に膜厚３
０００人のモリブデンＩＩ莫をスパッタリング、；去で
成膜した後、フォトレジストを約１４．ｍの厚みに塗布
し、前記画素電極パターンと同じパターンのフォトマス
クを用いて露光し、更に現像した後、リン酸−硝酸系エ
ツチング液により室温で３０秒間エツチングを行った。
０００人のモリブデンＩＩ莫をスパッタリング、；去で
成膜した後、フォトレジストを約１４．ｍの厚みに塗布
し、前記画素電極パターンと同じパターンのフォトマス
クを用いて露光し、更に現像した後、リン酸−硝酸系エ
ツチング液により室温で３０秒間エツチングを行った。
ここで、フォトレジストの剥離を行うことなく今度は金
属配線パターンマスクにより金属配線パターンを露光、
更に現像し、フォトレジストを残した金属配線パターン
を形成した。次いで、再び遮光、窒素雰囲気下で３５°
Ｃの４５％の臭化水素酸により １．００秒間エツチン
グを行なった後、リン酸−硝酸系エツチング液により室
温で３０秒間エツチングを行ない、続いて、レジストを
剥離して金属配線パターンを形成した。
属配線パターンマスクにより金属配線パターンを露光、
更に現像し、フォトレジストを残した金属配線パターン
を形成した。次いで、再び遮光、窒素雰囲気下で３５°
Ｃの４５％の臭化水素酸により １．００秒間エツチン
グを行なった後、リン酸−硝酸系エツチング液により室
温で３０秒間エツチングを行ない、続いて、レジストを
剥離して金属配線パターンを形成した。
このようにして形成されたパターンは、通常の工程（第
２図）と比較して、はぼ同様のバターニング性を得るこ
とができた。さらに、酸化インジウム膜のエツチング液
として用いた臭化水素酸は、酸化インジウムの電極パタ
ーンに対するアンダーカット量が極めて少ない上、モリ
ブデンに対するエツチング選択性に優れているため、極
めて良好なパターン形状が保持できた。
２図）と比較して、はぼ同様のバターニング性を得るこ
とができた。さらに、酸化インジウム膜のエツチング液
として用いた臭化水素酸は、酸化インジウムの電極パタ
ーンに対するアンダーカット量が極めて少ない上、モリ
ブデンに対するエツチング選択性に優れているため、極
めて良好なパターン形状が保持できた。
また、このようにして形成されたパターンの電極間隣接
ショートを調べた結果、全く確認されず、本発明による
製造方法が電極の隣接間ショートの防止に極めて有効で
あることが判明した。
ショートを調べた結果、全く確認されず、本発明による
製造方法が電極の隣接間ショートの防止に極めて有効で
あることが判明した。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明の製造方法によれば、基板
上に透明電極をバターニングして形成した後、金属配線
用金属被膜を成膜し、その上にフォトレジストを塗布し
た後、前記透明電極と同じパターンをエツチングして形
成し、次いで露光、現像処理して金属配線パターンを形
成した後、透明電極形成時のエツチング液にさらした後
、金属配線パターンをエツチングすることにより、電極
の隣接間ショートの発生を防止し、バターニング工程の
直行歩留りを良好にすることが可能となった。
上に透明電極をバターニングして形成した後、金属配線
用金属被膜を成膜し、その上にフォトレジストを塗布し
た後、前記透明電極と同じパターンをエツチングして形
成し、次いで露光、現像処理して金属配線パターンを形
成した後、透明電極形成時のエツチング液にさらした後
、金属配線パターンをエツチングすることにより、電極
の隣接間ショートの発生を防止し、バターニング工程の
直行歩留りを良好にすることが可能となった。
第１図（ａ）〜（ｈ）は本発明の液晶表示素子の製造方
法における電極および金属配線パターンの形成方法を示
す工程図および第２図（ａ）〜（ｆ）は従来のパターン
形成方法を示す工程図である。 １・・・酸化インジウム ２・・・モリブデン２ａ・
・・金属薄膜 ３．３ａ・・・フォトレジスト ４・・・ガラス基板
法における電極および金属配線パターンの形成方法を示
す工程図および第２図（ａ）〜（ｆ）は従来のパターン
形成方法を示す工程図である。 １・・・酸化インジウム ２・・・モリブデン２ａ・
・・金属薄膜 ３．３ａ・・・フォトレジスト ４・・・ガラス基板
Claims (3)
- （１）表面にストライプ状の電極群を形成した２枚の基
板とその間に挟持された液晶層を有する液晶表示素子の
製造方法において、基板上に電極となる透明導電被膜を
成膜しパターニングして透明電極を形成した後、前記透
明電極上に金属配線用金属被膜を成膜し、その上にフォ
トレジストを塗布した後、露光、現像、エッチング処理
して前記透明電極と同じパターンを形成し、次いで露光
、現像処理してフォトレジストを残した金属配線パター
ンを形成し、さらに透明電極形成時のエッチング液にさ
らした後、金属配線パターン以外の金属被膜のエッチン
グおよび残したフォトレジストの剥離を行うことにより
電極パターンを形成することを特徴とする液晶表示素子
の製造方法。 - （２）前記透明導電被膜が酸化インジュウムであり、金
属被膜がモリブデンである請求項１記載の液晶表示素子
の製造方法。 - （３）前記透明導電被膜の電極パターン形成において、
エッチング液としてヨウ化水素酸または臭化水素酸を用
いる請求項１記載の液晶表示素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22658590A JPH04109223A (ja) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | 液晶表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22658590A JPH04109223A (ja) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | 液晶表示素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04109223A true JPH04109223A (ja) | 1992-04-10 |
Family
ID=16847484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22658590A Pending JPH04109223A (ja) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | 液晶表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04109223A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7538853B2 (en) | 2005-03-25 | 2009-05-26 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Limited | Exposure process and apparatus using glass photomasks |
-
1990
- 1990-08-30 JP JP22658590A patent/JPH04109223A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7538853B2 (en) | 2005-03-25 | 2009-05-26 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Limited | Exposure process and apparatus using glass photomasks |
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