JP2999540B2 - 透明電極の形成方法 - Google Patents
透明電極の形成方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、各種表示装置に用いられる透明電極の形成
方法に関する。
方法に関する。
〔従来技術〕 通常、各種表示装置用の透明電極材には、光学的性質
及び抵抗値が低いことからITO（Indium Tin Oxide）が
広く使用されているが、その抵抗率は２〜５×10-4Ωcm
程度で、銅、アルミニウム等の金属より２桁も大きな値
である。
及び抵抗値が低いことからITO（Indium Tin Oxide）が
広く使用されているが、その抵抗率は２〜５×10-4Ωcm
程度で、銅、アルミニウム等の金属より２桁も大きな値
である。
一方、液晶表示装置においては表示容量の増加、パタ
ーンの微細化に伴って透明電極の低抵抗化が求められて
いる。
ーンの微細化に伴って透明電極の低抵抗化が求められて
いる。
例えば、duty1/400のSTN方式では10Ω／□以下が必要
である。しかし、ITO膜厚も2000〜5000Åと厚いものに
なってしまい、クラックや膜はがれが起こりやすくなっ
てしまう。
である。しかし、ITO膜厚も2000〜5000Åと厚いものに
なってしまい、クラックや膜はがれが起こりやすくなっ
てしまう。
前記のように、透明電極を厚くするほかに、透明電極
２の端に細い金属膜を重ね合わせて補助電極４を形成
し、低抵抗化する方法〔第１図（ａ）及び（ｂ）参照〕
もあるが、透明電極と補助電極の重ね合せが困難であ
り、電極表面の平面性も悪くなり、平坦化が必要とな
る。
２の端に細い金属膜を重ね合わせて補助電極４を形成
し、低抵抗化する方法〔第１図（ａ）及び（ｂ）参照〕
もあるが、透明電極と補助電極の重ね合せが困難であ
り、電極表面の平面性も悪くなり、平坦化が必要とな
る。
低抵抗化と平坦化のために、特開平２−27318号で
は、透明電極の低抵抗化を電極材料の膜厚を厚くするこ
とで、また基板表面を平坦化するために電極間にレジス
トを埋めることで、解決しようとしている。
は、透明電極の低抵抗化を電極材料の膜厚を厚くするこ
とで、また基板表面を平坦化するために電極間にレジス
トを埋めることで、解決しようとしている。
しかし、この方法では膜厚の厚みにも限度があり、抵
抗値を大きく低下させることはできない。
抗値を大きく低下させることはできない。
本発明の目的は、低抵抗化および平坦化が計れる透明
電極の形成方法を提供するにある。
電極の形成方法を提供するにある。
本発明は、透明基板上にパターン形成される透明電極
の形成方法において、 （ａ） 透明基板上に形成した透明電極の上にレジスト
をパターン形成する工程 （ｂ） 通常のエッチングに加えてサイドエッチングを
も発生させる工程 （ｃ） サイドエッチング部に補助電極を形成する工程 （ｄ） レジストを除去する工程 からなることを特徴とする透明電極の形成方法に関す
る。
の形成方法において、 （ａ） 透明基板上に形成した透明電極の上にレジスト
をパターン形成する工程 （ｂ） 通常のエッチングに加えてサイドエッチングを
も発生させる工程 （ｃ） サイドエッチング部に補助電極を形成する工程 （ｄ） レジストを除去する工程 からなることを特徴とする透明電極の形成方法に関す
る。
本発明におけるサイドエッチングとは、第２図に示す
ようにレジストパターン３と被エッチング材２との積層
体のうち、レジストパターン３の存在しない部分を通常
のエッチングで除去したのち、第２図（ｃ）や第３図に
示すように被エッチング材２のサイド部分をもエッチン
グすることを意味している。
ようにレジストパターン３と被エッチング材２との積層
体のうち、レジストパターン３の存在しない部分を通常
のエッチングで除去したのち、第２図（ｃ）や第３図に
示すように被エッチング材２のサイド部分をもエッチン
グすることを意味している。
以下、図面を参照しながら本発明を説明する。
第２図（ａ）〜（ｂ）は、本発明透明電極の形成方法
の工程を示す説明図である。なお、第３図は第２図
（ｃ）の一部分を示す拡大図、第４図は第２図（ｂ）の
一部分を示す拡大図、第５図は本発明の形成方法で作製
されたストライプ状透明電極の一例を示す平面図であ
る。
の工程を示す説明図である。なお、第３図は第２図
（ｃ）の一部分を示す拡大図、第４図は第２図（ｂ）の
一部分を示す拡大図、第５図は本発明の形成方法で作製
されたストライプ状透明電極の一例を示す平面図であ
る。
第２図（ａ）は、透明電極２となる電極材を基板１上
に形成した状態を示している。
に形成した状態を示している。
基板１は、従来より用いられているものであり、透明
電極２となる電極材としては、ITOの他にSnO2,ZnO2:Si,
ZnO2:Al,CdInO2,InO2等が使用できる。
電極２となる電極材としては、ITOの他にSnO2,ZnO2:Si,
ZnO2:Al,CdInO2,InO2等が使用できる。
前記した透明電極２となる電極材を基板１上に形成し
た後は、フォトレジストなどのレジスト３を、例えばス
トライプ状のパターンに形成する〔第２図（ｂ）〕。一
般に、フォトレジストと被エッチング膜の密着性を高め
エッチング時のサイドエッチを防ぐために、フォトレジ
スト現像後にポストベーク処理が行なわれるが、ここで
は、ポストベークを行なわない。
た後は、フォトレジストなどのレジスト３を、例えばス
トライプ状のパターンに形成する〔第２図（ｂ）〕。一
般に、フォトレジストと被エッチング膜の密着性を高め
エッチング時のサイドエッチを防ぐために、フォトレジ
スト現像後にポストベーク処理が行なわれるが、ここで
は、ポストベークを行なわない。
次にエッチング処理を施こす。この処理は透明電極の
通常のエッチングに加えて、電極材の巾、すなわち透明
電極２の巾がレジストパターンの巾より細くなるように
サイドエッチングを行なう。このエッチング後の状態、
すなわちサイドエッチング後の状態を第２図（ｃ）に、
その一部拡大図を第３図に示す。
通常のエッチングに加えて、電極材の巾、すなわち透明
電極２の巾がレジストパターンの巾より細くなるように
サイドエッチングを行なう。このエッチング後の状態、
すなわちサイドエッチング後の状態を第２図（ｃ）に、
その一部拡大図を第３図に示す。
第３図において、サイドエッチング部ΔＷは、開口率
を高くするために最大電極巾の10％となるように形成す
る。
を高くするために最大電極巾の10％となるように形成す
る。
前記エッチングおよびサイドエッチングには、ウェッ
トエッチング法など従来のエッチング法が利用できる。
トエッチング法など従来のエッチング法が利用できる。
前記サイドエッチング後、従来法に準じたポストベー
ク処理を施こし、しかる後、レジストを残したまま、電
解メッキを行い、サイドエッチングされた部分に補助電
極４を形成する〔第２図（ｄ）〕。前記ポストベーク処
理は、電解メッキ時のメッキ液が電極材２へしみ込むの
を防いでいる。
ク処理を施こし、しかる後、レジストを残したまま、電
解メッキを行い、サイドエッチングされた部分に補助電
極４を形成する〔第２図（ｄ）〕。前記ポストベーク処
理は、電解メッキ時のメッキ液が電極材２へしみ込むの
を防いでいる。
補助電極材としては、Au,Ni,Cu,Al等を使用すること
ができるが、ITOとAlのように直接接触させると反応を
起こすものもあり、補助電極材を２種以上、例えばCr/C
u/Cr/ITO,Cr/Ni/Cr/ITO等を用いてもよい。
ができるが、ITOとAlのように直接接触させると反応を
起こすものもあり、補助電極材を２種以上、例えばCr/C
u/Cr/ITO,Cr/Ni/Cr/ITO等を用いてもよい。
補助電極形成後、レジストを常法により除去すること
により、補助電極を両側に配した透明電極が形成される
〔第２図（ｅ）〕。第２図（ｅ）の一部拡大図を第４図
に示す。
により、補助電極を両側に配した透明電極が形成される
〔第２図（ｅ）〕。第２図（ｅ）の一部拡大図を第４図
に示す。
前記により形成された透明電極は、電極面が平坦であ
り、かつ両側に補助電極を配しているので低抵抗化され
ている。また、この透明電極を用いてSTN液晶セルを作
成しても何ら支障なく動作させることができる。
り、かつ両側に補助電極を配しているので低抵抗化され
ている。また、この透明電極を用いてSTN液晶セルを作
成しても何ら支障なく動作させることができる。
実施例１ 膜厚2000Å、ルート抵抗20Ω／□のITO膜付の基板
〔第１図（ａ）参照〕に巾100mμ、長さ250mmのストラ
イプ状のパターンをフォトレジストで形成した〔第２図
（ｂ）参照〕。その後第二塩化鉄と塩酸系のエッチャン
トでウエットエッチングを行った。このウェットエッチ
ング前にはポストベーク処理は施こさなかった。約２分
のエッチングによって片側約５μｍのサイドエッチング
が生じた〔第２図（ｃ）参照〕。
〔第１図（ａ）参照〕に巾100mμ、長さ250mmのストラ
イプ状のパターンをフォトレジストで形成した〔第２図
（ｂ）参照〕。その後第二塩化鉄と塩酸系のエッチャン
トでウエットエッチングを行った。このウェットエッチ
ング前にはポストベーク処理は施こさなかった。約２分
のエッチングによって片側約５μｍのサイドエッチング
が生じた〔第２図（ｃ）参照〕。
前記サイドエッチング後、130℃で30分間ベークを行
ったのち５×10-2mol/のNaAg（CN2）２水溶液中で３
分間銀メッキ（0.6mA/cm2）を行なった〔第２図（ｄ）
参照〕。
ったのち５×10-2mol/のNaAg（CN2）２水溶液中で３
分間銀メッキ（0.6mA/cm2）を行なった〔第２図（ｄ）
参照〕。
メッキ終了後レジストを剥離したところ、透明電極の
両側に透明電極と同じ厚さで、４μｍ幅のAg補助電極が
形成された〔第２図（ｅ）参照〕。
両側に透明電極と同じ厚さで、４μｍ幅のAg補助電極が
形成された〔第２図（ｅ）参照〕。
この透明電極は500Ω/lineであった。
比較例１ 2000Åの膜厚のITOで巾100μｍ、長さ250mmの電極を
従来法で形成した。この補助電極なしの透明電極は5kΩ
/lineであった。
従来法で形成した。この補助電極なしの透明電極は5kΩ
/lineであった。
実施例２ 実施例１と同様にして作成した巾330μｍ、長さ200mm
のストライプ状の電極を対抗電極としてツイスト角230
゜のSTN液晶セルを作成した。
のストライプ状の電極を対抗電極としてツイスト角230
゜のSTN液晶セルを作成した。
このSTN液晶セルは何らの問題もなく動作した。
本発明透明電極の形成方法によれば、従来のものに較
べ低抵抗化され、かつ平坦化された透明電極を作製する
ことができる。
べ低抵抗化され、かつ平坦化された透明電極を作製する
ことができる。
また、本発明の形成方法で作製された透明電極はSTN
液晶セルに用いても何ら不都合を生じることはないとい
う利点を有している。
液晶セルに用いても何ら不都合を生じることはないとい
う利点を有している。
第１図は、従来例の透明電極を示すものであって、
（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図であり、第２図（ａ）
〜（ｅ）は、本発明透明電極の形成方法の工程を示す説
明図、第３図は、第２図（ｃ）の一部拡大図、第４図
は、第２図（ｅ）の一部拡大図、第５図は、本発明透明
電極の形成方法で作製されたストライプ状透明電極の一
例を示す平面図である。 １……基板、２……透明電極 ３……レジスト、４……補助電極 ΔＷ……サイドエッチング部
（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図であり、第２図（ａ）
〜（ｅ）は、本発明透明電極の形成方法の工程を示す説
明図、第３図は、第２図（ｃ）の一部拡大図、第４図
は、第２図（ｅ）の一部拡大図、第５図は、本発明透明
電極の形成方法で作製されたストライプ状透明電極の一
例を示す平面図である。 １……基板、２……透明電極 ３……レジスト、４……補助電極 ΔＷ……サイドエッチング部
Claims (1)
- 【請求項１】透明基板上にパターン形成される透明電極
の形成方法において、 （ａ）透明基板上に形成した透明電極の上にレジストを
パターン形成する工程 （ｂ）通常のエッチングに加えてサイドエッチングをも
発生させる工程 （ｃ）サイドエッチング部に補助電極を形成する工程 （ｄ）レジストを除去する工程 からなることを特徴とする透明電極の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27566090A JP2999540B2 (ja) | 1990-10-15 | 1990-10-15 | 透明電極の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27566090A JP2999540B2 (ja) | 1990-10-15 | 1990-10-15 | 透明電極の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04149914A JPH04149914A (ja) | 1992-05-22 |
| JP2999540B2 true JP2999540B2 (ja) | 2000-01-17 |
Family
ID=17558567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27566090A Expired - Fee Related JP2999540B2 (ja) | 1990-10-15 | 1990-10-15 | 透明電極の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2999540B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4990966B2 (ja) * | 2006-04-13 | 2012-08-01 | コーロン インダストリーズ インク | 金属電極の製造方法 |
| KR100987782B1 (ko) * | 2006-04-28 | 2010-10-18 | 코오롱인더스트리 주식회사 | 금속 전극의 제조방법 |
-
1990
- 1990-10-15 JP JP27566090A patent/JP2999540B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04149914A (ja) | 1992-05-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |