JPH1062799A - 配線基板、該配線基板の製造方法、該配線基板を備えた液晶素子及び該液晶素子の製造方法 - Google Patents

配線基板、該配線基板の製造方法、該配線基板を備えた液晶素子及び該液晶素子の製造方法

Info

Publication number
JPH1062799A
JPH1062799A JP8220165A JP22016596A JPH1062799A JP H1062799 A JPH1062799 A JP H1062799A JP 8220165 A JP8220165 A JP 8220165A JP 22016596 A JP22016596 A JP 22016596A JP H1062799 A JPH1062799 A JP H1062799A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
liquid crystal
copper layer
substrate
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8220165A
Other languages
English (en)
Inventor
Atsumichi Ishikura
淳理 石倉
Makoto Kameyama
誠 亀山
Toshiaki Yoshikawa
俊明 吉川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP8220165A priority Critical patent/JPH1062799A/ja
Publication of JPH1062799A publication Critical patent/JPH1062799A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/14—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using spraying techniques to apply the conductive material, e.g. vapour evaporation
    • H05K3/16—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using spraying techniques to apply the conductive material, e.g. vapour evaporation by cathodic sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/388—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of a metallic or inorganic thin film adhesion layer

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板上に少なくとも銅層を有する１層以上か
らなる電極の製造時において、銅層表面が緑青に変質す
るのを防止する。 【解決手段】 ガラス基板２上に密着層であるモリブデ
ン層７と主導電層である銅層８をスパッタリング法で成
膜し、銅層８をＣｕＣｌ2 をＨ2 Ｏで５倍に希釈したエ
ッチング液でエッチングした後、モリブデン層７をＫ3
［Ｆｅ（ＣＮ）6］とＮａＯＨをＨ2 Ｏで溶かしたエッ
チング液でエッチングすることにより、銅層８をＣｕＯ
として不動態化し、銅層８の表面が緑青に変質するのを
防止する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に電極を形
成した配線基板、該配線基板の製造方法、該配線基板を
備えた液晶素子及び該液晶素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＴＮ（Twisted Nematic ）やＳＴＮ（Su
per Twisted Nematic ）型等の液晶素子では、従来よ
り、ガラス基板上に形成される透明電極にはＩＴＯ（In
dium TinOxide）などが一般に用いられている。
【０００３】上述した透明電極（ＩＴＯ）は抵抗が大き
いため、最近のように表示面積の大型化、高精細化に伴
い、印加される電圧波形の遅延が問題になってきた。特
に、強誘電性液晶を用いた液晶素子では基板ギャップ
（液晶層の厚さ）がより狭いため（例えば、１．０〜
２．０μｍ程度）、電圧波形の遅延が顕著であった。ま
た、抵抗低減のために透明電極の膜厚を厚く形成するこ
とも考えられるが、膜厚を厚くするとガラス基板への密
着性が悪くなり成膜にも長時間を要し、且つコストも高
くなる等の問題点があった。
【０００４】このため、従来では、アルミニウム等から
なる低抵抗の金属電極をガラス基板上に形成し、その上
にＩＴＯ等の透明電極を電気的に接するようにして形成
された配線基板を備えた液晶素子が一般的に用いられて
いたが、近年、液晶素子の高開口率化や高速応答性等の
要求によりさらに低抵抗の金属からなる金属電極が望ま
れている。
【０００５】このため、アルミニウムより電気抵抗の小
さい銅を金属電極として用いた液晶素子が提案されてい
る。しかしながら、銅はガラス基板との密着性が悪く、
また、酸化による腐食等の問題があり、そのままでは金
属電極として使用することは困難である。
【０００６】そこで、例えば図１０に示すように、ガラ
ス基板１００上に形成される金属電極１０１は、Ｍｏ，
Ｃｒ，Ｎｉ等やこれらの合金等のガラス基板１００と密
着性の良い金属からなる密着層１０２と、その上に銅か
らなる主導電層１０３を成膜した多層構造で構成されて
いる。
【０００７】上述した金属電極１０１の製造では、複数
の金属（Ｍｏ，Ｃｒ，Ｎｉ等やこれらの合金等のいずれ
かと銅）の膜をそれぞれスパッタリング法でガラス基板
上に形成した後、パターンニングをウエットエッチング
で行う場合、これらの金属を同時にエッチングできるエ
ッチング液でエッチングを行うか、各金属毎にエッチン
グ液を使い分けて多段エッチングを行う。そして、この
エッチング処理でガラス基板１００上に形成した密着層
１０２、主導電層１０３をケロシン・界面活性剤・水よ
りなる混合液で洗浄（一般にエマルション洗浄と呼称さ
れる）し、主導電層１０３上に残っているポジレジスト
（図示省略）を剥離することにより、多層構造の金属電
極１０１を備えた配線基板が得られる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した金
属配線１０１の製造時のエッチング工程終了後において
は、銅からなる主導電層１０３の上面はポジレジストで
被われているので、この時点では外気等に直接触れるこ
とはないが、主導電層１０３の側面はエッチングにより
むき出しになっているため、空気中の水分、二酸化炭素
との作用で主導電層１０３の側面にＣｕＣｏ3 ・Ｃｕ
（ＯＨ）2 やＣｕＳＯ4 ・３Ｃｕ（ＯＨ）2ができ、一
般的にいわれれている緑青ができ易く、この緑青は銅か
らなる主導電層１０３内部に進行する。
【０００９】そして、銅からなる主導電層１０３が緑青
化するとその部分の抵抗値が高くなることにより、この
金属電極１０１を備えた配線基板を有する液晶素子で
は、安定した画素が得られなくなり、また、金属電極を
抵抗の小さい銅で形成する意味がなくなるといった問題
が発生する。
【００１０】また、主導電層１０３の側面に生じる緑青
を、例えばＮａＯＨ溶液中で電圧をかけて陽極酸化する
方法、クロム酸又は重クロム酸塩溶液に浸し黒化処理す
る方法、硫化ナトリウム又は褐色イオウ溶液に浸して銅
表面に被膜を形成する方法等で防止することも可能であ
るが、陽極酸化する方法では装置が大がかりとなってコ
ストが高くなり、また、クロム酸等による黒化や、硫化
ナトリウム又は褐色イオウによる被膜処理では接触抵抗
の変化が問題となる。
【００１１】そこで、本発明は、容易に銅からなる金属
電極が緑青化するのを防止できるようにした配線基板、
該配線基板の製造方法、該配線基板を備えた液晶素子及
び該液晶素子の製造方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述事情に鑑
みなされたものであって、基板上に少なくとも銅層を有
する１層以上からなる電極を形成してなる配線基板にお
いて、前記銅層の表面がＫ3 ［Ｆｅ（ＣＮ）6 ］を含ん
だ溶液により不動態化されていることを特徴としてい
る。
【００１３】また、基板上に少なくとも銅層を有する１
層以上からなる電極を形成してなる配線基板の製造方法
において、前記基板上に銅層を成膜し、エッチングによ
り配線パターンニングした後、前記基板をＫ3 ［Ｆｅ
（ＣＮ）6 ］を含んだ溶液に浸して前記銅層を不動態化
することを特徴としている。
【００１４】また、基板上に少なくとも銅層を有する１
層以上からなる電極を形成してなる配線基板の製造方法
において、前記基板上に密着層であるＮｉ，Ｍｏ，Ｃ
ｒ，Ｗ，Ｔａ，Ａｌ，Ａｇ又はこれらの合金のいずれか
からなる薄膜層と、その上に主導電層である銅層を成膜
し、エッチングにより配線パターンニングした後、前記
基板をＫ3 ［Ｆｅ（ＣＮ）6 ］を含んだ溶液に浸して前
記銅層を不動態化することを特徴としている。
【００１５】また、基板上に少なくとも銅層を有する１
層以上からなる電極を形成してなる配線基板の製造方法
において、前記基板上に密着層であるＮｉ，Ｍｏ，Ｃ
ｒ，Ｗ，Ｔａ，Ａｌ，Ａｇ又はこれらの合金のいずれか
からなる薄膜層と、その上に主導電層である銅層を成膜
し、前記銅層をエッチングした後、前記薄膜層をＫ3
［Ｆｅ（ＣＮ）6 ］を含んだ溶液でエッチングして配線
パターンニングすることにより前記銅層を不動態化する
ことを特徴としている。
【００１６】また、互いに対向するように配置され電極
群を形成した一対の配線基板間に液晶を挟持してなる液
晶素子において、前記配線基板は、透明性基板上に少な
くとも銅層を有する１層以上からなる電極を有し、前記
銅層の表面がＫ3 ［Ｆｅ（ＣＮ）6 ］を含んだ溶液によ
り不動態化されていることを特徴としている。
【００１７】また、互いに対向するように配置され電極
群を形成した一対の配線基板間に液晶が挟持され、前記
配線基板が、透明性基板上に少なくとも銅層を有する１
層以上からなる電極を有している液晶素子の製造方法に
おいて、前記透明性基板上に銅層を成膜し、エッチング
により配線パターンニングした後、前記透明性基板をＫ
3 ［Ｆｅ（ＣＮ）6 ］を含んだ溶液に浸して前記銅層を
不動態化することを特徴としている。
【００１８】また、互いに対向するように配置され電極
群を形成した一対の配線基板間に液晶が挟持され、前記
配線基板が、透明性基板上に少なくとも銅層を有する１
層以上からなる電極を有している液晶素子の製造方法に
おいて、前記透明性基板上に密着層であるＮｉ，Ｍｏ，
Ｃｒ，Ｗ，Ｔａ，Ａｌ，Ａｇ又はこれらの合金のいずれ
かからなる薄膜層と、その上に主導電層である銅層を成
膜し、エッチングにより配線パターンニングした後、前
記透明性基板をＫ3 ［Ｆｅ（ＣＮ）6 ］を含んだ溶液に
浸して前記銅層を不動態化することを特徴としている。
【００１９】また、互いに対向するように配置され電極
群を形成した一対の配線基板間に液晶が挟持され、前記
配線基板が、透明性基板上に少なくとも銅層を有する１
層以上からなる電極を有している液晶素子の製造方法に
おいて、前記透明性基板上に密着層であるＮｉ，Ｍｏ，
Ｃｒ，Ｗ，Ｔａ，Ａｌ，Ａｇ又はこれらの合金のいずれ
かからなる薄膜層と、その上に主導電層である銅層を成
膜し、前記銅層をエッチングした後、前記薄膜層をＫ3
［Ｆｅ（ＣＮ）6 ］を含んだ溶液でエッチングすること
により配線パターニングして前記銅層を不動態化するこ
とを特徴としている。
【００２０】（作用）上述した銅の緑青は、空気中の水
分、二酸化炭素、又は二酸化硫黄、硫化水素の影響であ
るといわれており、水分、二酸化炭素との作用ではＣｕ
ＣＯ3 、Ｃｕ（ＯＨ）2 やＣｕＳＯ4 ・３Ｃｕ（ＯＨ）
2 ができ、二酸化硫黄、硫化水素との作用でＣｕＳＯ4
・３Ｃｕ（ＯＨ）2 ができ、これらが緑青の主成分であ
るといわれている。
【００２１】これに対し、銅はＫ3 ［Ｆｅ（ＣＮ）6 ］
と反応した場合に、ＣｕＯの不動態となり化学的に安定
する。そこで、本発明では、電極を構成する主導電層の
銅をＫ3 ［Ｆｅ（ＣＮ）6 ］を含んだ溶液で処理し、銅
表面全体を化学的に安定な状態とするものである。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の実
施の形態について説明する。
【００２３】（第１の実施の形態）図１は、本発明の第
１の実施の形態に係る配線基板の一例を示す概略断面図
である。図１に示す本発明の配線基板１において、２は
ガラス基板、３は所定の配線パターンに形成された金属
電極、４は金属電極３を埋め込んだＵＶ（紫外線）硬化
樹脂である。
【００２４】金属電極３は、図２に示すように、ガラス
基板２と密着するモリブデン（Ｍｏ）からなる密着層５
と、銅からなる主導電層６の多層膜構造で構成されてお
り、この金属電極３は、例えば幅８μｍでピッチ３２０
μｍのストライプ状にパターンニングされている。
【００２５】次に、上述した配線基板１の製造方法を、
図３、図４を参照して説明する。先ず、３００×３４０
ｍｍ、厚さ１．１ｍｍのガラス基板（例えば、旭硝子
（株）社製、無アルカリガラス）２の表面にスパッタリ
ング法により、金属電極を構成する密着層であるモリブ
デン層７を５００Å程度の厚みで成膜した後、その上に
主導電層である銅層８を２μｍ程度の厚みで成膜する
（図３（ａ）参照）。この時の成膜条件は、基板温度２
００℃、成膜圧力３ｍｔｏｒｒとした。
【００２６】次に、モリブデン層７、銅層８を成膜した
ガラス基板２上にポジレジスト（例えば、東京応化工業
（株）社製；商品名：ＯＦＰＲ−８００）９をスピンコ
ート法により２μｍの厚みで塗布し、配線パターンが描
かれているのフォトマスク１０を通して露光した後、こ
のポジレジスト９を現像、ポストベークしてエッチング
パターンを形成する（図３（ｂ），（ｃ）参照）。
【００２７】次に、銅層８を、ＣｕＣｌ2 をＨ2 Ｏで５
倍に希釈したエッチング溶液でエッチングした。この時
のエッチングはシャワー方式により、液温２５℃、エッ
チング時間１２０ｓｅｃとした。このエッチング処理で
は、銅層８をエッチングしたエッチング溶液（ＣｕＣｌ
2 をＨ2 Ｏで５倍に希釈した溶液）ではモリブデン層７
はエッチングされない。また、この時、銅層８の上面は
ポジレジスト９で保護されているが、側面はエッチング
により剥き出しになっているため、化学的に不安定な状
態にある（図３（ｄ）参照）。
【００２８】次に、密着層であるモリブデン層７を、３
００ｇのＫ3 ［Ｆｅ（ＣＮ）6 ］と５ｇのＮａＯＨを１
０００ｃｃのＨ2 Ｏに溶かしたエッチング溶液でエッチ
ングした（図３（ｅ）参照）。この時のエッチングはシ
ャワー方式により、液温２５℃、エッチング時間６０ｓ
ｅｃとした。このエッチング溶液（Ｋ3 ［Ｆｅ（ＣＮ）
6 ］と５ｇのＮａＯＨを１０００ｃｃのＨ2 Ｏに溶かし
た溶液）は、モリブデン層７はエッチングするが銅層８
はエッチングしなく、更に銅層８をＣｕＯとし不動態化
する。
【００２９】また、このエッチング処理の際に、モリブ
デン層７が溶解してから更にこの状態で１０ｓｅｃ間こ
のエッチング溶液中に浸しておくと、銅層８上のポジレ
ジスト９も完全に剥離し、ポジレジスト９に覆われてい
た銅層８の上面部分も不動態化され、更に、このポジレ
ジスト９を剥離する工程が省ける。また、このモリブデ
ン層７のエッチング時には銅層８が不動態となり、レジ
ストの役割をしている。
【００３０】そして、こうようにして形成された金属電
極３を温度６０℃、湿度９０％の雰囲気中に４００時間
放置した後、顕微鏡で観察した結果、銅層８の表面には
緑青は全く見られなかった。また、比較のため、上述し
たモリブデン層、銅層を同様にエッチング処理を行い、
モリブデン層が完全に溶解しているが、銅層上のレジス
トが完全に剥離されていない状態で、このレジストを剥
離液で完全に剥離した後（３分程度）、ＩＰＡや純水等
のリンス液で洗浄を行った。
【００３１】そして、こうようにして形成された比較用
の金属電極を温度６０℃、湿度９０％の雰囲気中に４０
０時間放置した後、顕微鏡で観察した結果、銅層の表面
に僅かながら緑青が確認された。これは、銅層の上面が
レジスト剥離液に浸されたり、ＩＰＡや純水等のリンス
液による洗浄によって緑青に変質したと考えられる。ま
た、上述した本発明の金属電極３の体積抵抗率を測定し
たところ２．７×１０- 6 Ωｃｍであり、上述した比較
用の金属電極の体積抵抗率は８．７×１０-6Ωｃｍであ
り約３．２倍上昇していた。
【００３２】次に、平滑板１１の表面上にＵＶ硬化樹脂
４をディスペンサー１２で所定量滴下し（図４（ａ）参
照）、ＵＶ硬化樹脂４が滴下された平滑板１１に対し
て、上述したガラス基板２の配線パターンされた金属電
極３側を接触させてＵＶ硬化樹脂４を挟む（図４（ｂ）
参照）。
【００３３】次に、平滑板１１とガラス基板２とでＵＶ
硬化樹脂４を挟んだ一体物をプレス機の上・下プレス板
１３ａ，１３ｂ内に入れて、プレス圧Ｐにより平滑板１
１とガラス基板２とを密着させる（図４（ｃ）参照）。
この時、ＵＶ硬化樹脂４を金属電極３の表面上から排除
するか、又は極薄く樹脂が残る程度になるように、平滑
板１１とガラス基板２とを強く、しかも基板全面に均一
に密着させるようにする。
【００３４】次に、このＵＶ硬化樹脂４を硬化させるた
めに、平滑板１１とガラス基板２の一体物を上・下プレ
ス板１３ａ，１３ｂ内から取り出し、ガラス基板２側か
らＵＶ光１４を照射してＵＶ硬化樹脂４を硬化させる
（図４（ｄ）参照）。次に、離型治具（図示省略）によ
り平滑板１１からガラス基板２を剥離することにより
（図４（ｅ）参照）、図１に示した金属電極３間にＵＶ
硬化樹脂４を埋め込んで平坦化した配線基板１を得た。
【００３５】このように、金属電極３の製造時における
エッチング工程において、主導電層である銅層８の下に
あるモリブデン層（密着層）７をＫ3 ［Ｆｅ（ＣＮ）
6 ］を含んだ溶液でエッチング処理することにより、銅
層８の表面（側面及び上面）が不動態化されて緑青に変
質することが抑制され、金属電極３の抵抗値が高くなる
ことを防止することができる。
【００３６】また、密着層であるモリブデン層７のエッ
チング液であるＫ3 ［Ｆｅ（ＣＮ）6 ］を含んだ溶液
は、ポジ型レジストを剥離する働きがあるため、銅層８
上のポジレジスト９を剥離する工程が省けるので、製造
時間の短縮とコストダウンを図ることができる。
【００３７】更に、金属電極３にモリブデン層からなる
密着層５を形成したことにより、ガラス基板２との密着
性の向上を図ることができる。
【００３８】また、上述した実施の形態では、金属電極
３の密着層５をモリブデン（Ｍｏ）で形成したが、Ｎ
ｉ，Ｃｒ，Ｗ，Ｔａ，Ａｌ，Ａｇ又はこれらの合金のい
ずれかで形成してもよい。更に、金属電極３の銅からな
る主導電層３上にＮｉ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｗ，Ｔａ，Ａｌ，
Ａｇ又はこれらの合金のいずれかで保護層を形成しても
よい。
【００３９】（第２の実施の形態）本実施の形態では、
図５に示すようにガラス基板２上に形成される金属電極
３ａを、ガラス基板２と密着するニッケルからなる密着
層２０と、銅からなる主導電層２１と、主導電層２１表
面の酸化を防止するニッケルからなる保護層（酸化防止
層）２２の多層膜構造で構成した。この金属電極３ａ
は、例えば幅８μｍでピッチ３２０μｍのストライプ状
にパターンニングされている。
【００４０】この金属電極３ａの製造方法は、先ず、図
６（ａ）に示すように、ガラス基板２の表面にスパッタ
リング法により、密着層であるニッケル層２３を５００
Å程度の厚みで成膜した後、その上に主導電層である銅
層２４を２μｍの厚みで成膜し、更にその上に保護層で
あるニッケル層２５を５００Å程度の厚みで成膜した。
【００４１】この時のニッケル層２３，２５、銅層２４
の成膜条件は、基板温度２００℃、成膜圧力３ｍｔｏｒ
ｒとした。
【００４２】次に、ニッケル層２３、銅層２４、ニッケ
ル層２５を成膜したガラス基板２上にネガレジスト（例
えば、東京応化工業（株）社製；商品名：ＯＭＲ）２６
をスピンコート法により２μｍの厚みで塗布し、配線パ
ターンが描かれているフォトマスク２７を通して露光し
た後、このネガレジスト２６を現像、ポストベークして
エッチングパターンを形成する（図６（ｂ），（ｃ）参
照）。
【００４３】次に、このニッケル層２３、銅層２４、ニ
ッケル層２５を、Ｈ2 ＯＳＯ4 （２０％），ＨＮＯ3
（７０％），Ｈ2 Ｏの混合液からなるエッチング溶液で
エッチングした。この時のエッチングはシャワー方式に
より、液温２５℃、エッチング時間１８０ｓｅｃとし
た。
【００４４】この後、３００ｇのＫ3 ［Ｆｅ（ＣＮ）
6 ］と５ｇのＮａＯＨを１０００ｃｃのＨ2 Ｏで溶かし
た溶液中に１０ｓｅｃ間浸して銅層２４の側面を不動態
化した。この際、ポジ型レジストはこの溶液（Ｋ3 ［Ｆ
ｅ（ＣＮ）6 ］を含んだ溶液）で剥離するが、ネジ型レ
ジストは剥離されない。そこで、次に、ニッケル層２５
の上面のネガレジスト２６を剥離液で完全に剥離した後
（３分程度）、ＩＰＡや純水等のリンス液で洗浄を行っ
た。
【００４５】そして、この金属電極３ａを温度６０℃、
湿度９０％の雰囲気中に４００時間放置した後、顕微鏡
で観察した結果、銅層２４の表面には緑青は全く見られ
なかった。また、比較のため、上述したニッケル層、銅
層を同様にエッチング処理を行った後、Ｋ3 ［Ｆｅ（Ｃ
Ｎ）6 ］を含んだ溶液による不動態処理をしない状態
で、ニッケル層上のレジストを剥離液で完全に剥離した
後（３分程度）、ＩＰＡや純水等のリンス液で洗浄を行
った。
【００４６】そして、こうようにして形成された比較用
の金属電極を温度６０℃、湿度９０％の雰囲気中に４０
０時間放置した後、顕微鏡で観察した結果、銅層の表面
に僅かながら緑青が確認された。これは、銅層の側面が
レジスト剥離液に浸されたり、ＩＰＡや純水等のリンス
液による洗浄によって緑青に変質したと考えられる。ま
た、上述した本発明の金属電極３ａの体積抵抗率を測定
したところ３．１×１０- 6 Ωｃｍであり、比較用の金
属電極の体積抵抗率は８．０〜１２．０×１０-6Ωｃｍ
であり約２．６〜３．９倍上昇していた。
【００４７】次に、図４（ａ）〜（ｅ）に示した第１の
実施の形態と同様の方法で、図７に示すように、金属電
極３ａ間にＵＶ硬化樹脂４を埋め込んで平坦化した配線
基板１ａを得た。
【００４８】このように、金属電極３ａの製造時におけ
るエッチング工程後に、主導電層である銅層２４をＫ3
［Ｆｅ（ＣＮ）6 ］を含んだ溶液に浸すことにより、銅
層２４の表面（側面）が不動態化されて緑青に変質する
ことが抑制され、金属電極３ａの抵抗値が高くなること
を防止することができる。
【００４９】また、金属電極３ａにニッケルからなる密
着層２０を形成したことにより、ガラス基板２との密着
性の向上を図ることができ、更に、主導電層２１上にニ
ッケルからなる保護層２２を形成したことにより、銅か
らなる主導電層２１表面の酸化を防止することができ
る。
【００５０】また、上述した実施の形態では、金属電極
３ａの密着層２０と保護層２２をニッケル（Ｎｉ）で形
成したが、Ｍｏ，Ｃｒ，Ｗ，Ｔａ，Ａｌ，Ａｇ又はこれ
らの合金のいずれかで形成してもよい。
【００５１】図８は、上述した配線基板を備えた本発明
に係る液晶素子の一例を示す概略断面図である。
【００５２】この液晶素子３０は、偏光板３１ａ，３１
ｂの間に対向して配置された一対の配線基板３２ａ，３
２ｂを備えており、配線基板３２ａ，３２ｂは球状のス
ペーサビーズ３３により所定の基板ギャップ（例えば、
１．５μｍ）で保持され、この基板ギャップ間にカイラ
ルスメクチック液晶３４が挟持されている。
【００５３】配線基板３２ａ，３２ｂは、図１に示した
配線基板１と同様の構成からなり、ガラス基板３５ａ，
３５ｂ上には金属電極３６ａ，３６ｂがそれぞれ配線パ
ターンされ、金属電極３６ａ，３６ｂ間に充填した絶縁
層であるＵＶ硬化樹脂３７で平坦化されている。金属電
極３６ａ，３６ｂは、図１に示した配線基板１と同様、
ガラス基板２と密着するモリブデン（Ｍｏ）からなる密
着層３８ａと、銅からなる主導電層３９ａの多層膜構造
で構成されている。
【００５４】また、金属電極３６ａ，３６ｂとＵＶ硬化
樹脂３７の表面上には、金属電極３６ａ，３６ｂと電気
的に接するようにしてＩＴＯ（Indium Tin Oxide）から
なる透明電極４０ａ，４０ｂが形成され、更にその上に
配向膜４１ａ，４１ｂが形成されており、透明電極４０
ａ，４０ｂは金属電極３６ａ，３６ｂに合わせてストラ
イプ状にそれぞれ形成され、互いに９０°の角度で交差
したマトリックス電極が構成されている。
【００５５】次に、上述した液晶素子３０の製造方法
を、図９（ａ）〜（ｅ）を参照して説明する。
【００５６】上述したようなエッチング処理により銅か
らなる主導電層３９ａ，３９ｂとモリブデンからなる密
着層３８ａ，３８ｂを備えた金属電極３６ａ，３６ｂを
形成し、この金属電極３６ａ，３６ｂ間にＵＶ硬化樹脂
３７を埋め込むまでの工程は、図３、図４に示した配線
基板１の製造方法と同様であり、ここでは省略する。次
に、金属電極３６ａとＵＶ硬化樹脂３７上に透明電極を
構成するＩＴＯ（Indium Tin Oxide）層４２を、スパッ
タリング法により７００Å程度の厚みで形成する（図９
（ａ）参照）。
【００５７】次に、このＩＴＯ（Indium Tin Oxide）層
４２上にフォトレジスト４３をスピンコート法により２
μｍ程度の厚みで塗布し、配線パターンが描かれている
のフォトマスク４４を通して露光した後、フォトレジス
ト４３を現像、ポストベークしてエッチングパターンを
形成する（図９（ｂ），（ｃ）参照）。
【００５８】次に、このガラス基板３５ａをエッチング
液であるヨウ化水素酸に浸して、フォトレジスト４３で
覆われていない部分のＩＴＯ層４２をエッチングし、そ
の後フォトレジスト４３を剥離して透明電極４０ａを配
線パターンニングする（図９（ｄ）参照）。
【００５９】次に、透明電極４０ａ上にポリアミド酸
（例えば、日立化成（株）社製；商品名：ＬＱ１８０
０）をＮＭＰ／ｎＢＣ＝１／１液で１．５ｗｔ％に希釈
した溶液をスピンコートで２０００ｒｐｍ、２０ｓｅｃ
の条件で塗布し、その後２７０℃で約１時間加熱焼成処
理を施して、厚さ２００Å程度の配向膜４１ａを形成し
た（図９（ｅ）参照）。そして、この配向膜４１ａに対
してラビンブ処理を施した。尚、ガラス基板３５ｂ側の
透明電極４０ｂ、配向膜４１ｂも同様にして形成され
る。
【００６０】次に、一方のガラス基板３５ａ（又は３５
ｂ）の表面に球状のスペーサビーズ３３を配置して、他
方のガラス基板３５ｂ（又は３５ａ）の表面周縁にエポ
キシ樹脂等のシール材（図示省略）をフレキソ印刷法に
より塗布し、配向膜４１ａ，４１ｂのラビング方向が平
行、且つ同方向になるようにしてガラス基板３５ａ，３
５ｂを所定の基板ギャップ（例えば、１．５μｍ）で貼
り合わせ、このガラス基板３５ａ，３５ｂ間にカイラル
スメクチック液晶３４を注入することにより、図８に示
した液晶素子３０を得た。
【００６１】尚、上述した液晶素子３０の配線基板３２
ａ，３２ｂは、図１に示した第１の実施の形態に係る配
線基板と同様の構成であったが、第２の実施の形態に係
る配線基板と同様の構成からなる配線基板を用いてもよ
い。
【００６２】このように、本発明に係る液晶素子３０
は、金属電極３６ａ，３６ｂの製造時におけるエッチン
グ工程において、密着層３８ａ，３８ｂであるモリブデ
ン層をＫ3 ［Ｆｅ（ＣＮ）6 ］を含んだ溶液でエッチン
グ処理することにより、主導電層３９である銅層の表面
（側面及び上面）が不動態化されて緑青に変質すること
が抑制され、金属電極３の抵抗値が高くなることを防止
することができるので、電圧波形の遅延を抑制してカイ
ラルスメクチック液晶３４を安定して駆動することが可
能となり、表示品位の向上を図ることができる。
【００６３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る配線
基板は、基板上に銅層を有する１層以上からなる電極を
製造する時に、電極を構成する銅層をＫ3 ［Ｆｅ（Ｃ
Ｎ）6 ］を含んだ溶液によって不動態化することによ
り、容易に、且つ低コストでこの銅層表面が緑青に変質
することが抑制され、電極の抵抗値が高くなることを防
止することができる。
【００６４】また、本発明に係る配線基板を備えた液晶
素子は、透明性基板上に銅層を有する１層以上からなる
電極を製造する時に、電極を構成する銅層をＫ3 ［Ｆｅ
（ＣＮ）6 ］を含んだ溶液によって不動態化することに
より、容易に、且つ低コストでこの銅層表面が緑青に変
質することが抑制され、電極の抵抗値が高くなることを
防止することができるので、電圧波形の遅延を抑制して
液晶を安定して駆動することが可能となり、表示品位の
向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る配線基板を示
す概略断面図。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の金
属電極を示す拡大断面図。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製
造方法を説明するための図で、（ａ）はモリブデン層と
銅層の成膜工程を示す図、（ｂ）はポジレジストへの露
光工程を示す図、（ｃ）は金属電極のエッチングパター
ンの形成工程を示す図、（ｄ）は銅層のエッチング工程
を示す図、（ｅ）はモリブデン層のエッチング工程を示
す図。
【図４】本発明に係る配線基板の製造方法を説明するた
めの図で、（ａ）は平滑板にＵＶ硬化樹脂を滴下した状
態を示す図、（ｂ）は金属電極を形成した配線基板とＵ
Ｖ硬化樹脂が滴下された平滑板を接触させた状態を示す
図、（ｃ）はガラス基板の金属電極間にＵＶ硬化樹脂を
プレス圧力で埋め込んでいる状態を示す図、（ｄ）はＵ
Ｖ光でＵＶ硬化樹脂を硬化している状態を示す図、
（ｅ）は平滑板をＵＶ硬化樹脂内に埋め込んだ金属電極
上から剥した状態を示す図。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の金
属電極を示す拡大断面図。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製
造方法を説明するための図で、（ａ）はニッケル層と銅
層の成膜工程を示す図、（ｂ）はネガレジストへの露光
工程を示す図、（ｃ）は金属電極のエッチングパターン
の形成工程を示す図、（ｄ）はニッケル層と銅層のエッ
チング工程を示す図。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係る配線基板を示
す概略断面図。
【図８】本発明に係る配線基板を備えた液晶素子を示す
概略断面図。
【図９】本発明に係る液晶素子の製造工程を示す図で、
（ａ）は金属電極とＵＶ硬化樹脂上にＩＴＯ層を成膜す
る工程を示す図、（ｂ）はフォトレジストへの露光工程
を示す図、（ｃ）は透明電極のエッチングパターンの形
成工程を示す図、（ｄ）はエッチングされた透明電極を
示す図、（ｅ）は配向膜の形成工程を示す図。
【図１０】従来例に係る配線基板の金属電極を示す図。
【符号の説明】
１、１ａ、３２ａ，３２ｂ 配線基板 ２ ガラス基板（基板） ３５ａ，３５ｂ ガラス基板（透明性基板） ３、３ａ、３６ａ，３６ｂ 金属電極（電極） ４、３７ ＵＶ硬化樹脂（樹脂） ５、２０、３８ａ，３８ｂ 密着層 ６、２１、３９ａ，３９ｂ 主導電層 ２２ 保護層 ３４ カイラルスメクチック液晶（液晶） ４０ａ，４０ｂ 透明電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/34 ５０１ Ｈ０１Ｌ 21/88 Ｍ

Claims (35)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上に少なくとも銅層を有する１層以
    上からなる電極を形成してなる配線基板において、 前記銅層の表面がＫ3 ［Ｆｅ（ＣＮ）6 ］を含んだ溶液
    により不動態化されている、 ことを特徴とする配線基板。
  2. 【請求項２】 前記電極の前記基板と接する側に、Ｎ
    ｉ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｗ，Ｔａ，Ａｌ，Ａｇ又はこれらの合
    金のいずれかからなる密着層を形成した、 請求項１記載の配線基板。
  3. 【請求項３】 前記電極の前記基板と接する側に、Ｎ
    ｉ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｗ，Ｔａ，Ａｌ，Ａｇ又はこれらの合
    金のいずれかからなる密着層を形成し、前記電極の前記
    基板と反対側の表面に、Ｎｉ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｗ，Ｔａ，
    Ａｌ，Ａｇ又はこれらの合金のいずれかからなる保護層
    を形成した、 請求項１記載の配線基板。
  4. 【請求項４】 前記電極間に樹脂を埋め込んで平坦化さ
    れている、 請求項１、２又は３のいずれか１項記載の配線基板。
  5. 【請求項５】 前記樹脂は、紫外線の照射により硬化さ
    れるＵＶ硬化樹脂である、 請求項４記載の配線基板。
  6. 【請求項６】 前記基板はガラス基板である、 請求項１記載の配線基板。
  7. 【請求項７】 基板上に少なくとも銅層を有する１層以
    上からなる電極を形成してなる配線基板の製造方法にお
    いて、 前記基板上に銅層を成膜し、エッチングにより配線パタ
    ーンニングした後、前記基板をＫ3 ［Ｆｅ（ＣＮ）6 ］
    を含んだ溶液に浸して前記銅層を不動態化する、 ことを特徴とする配線基板の製造方法。
  8. 【請求項８】 基板上に少なくとも銅層を有する１層以
    上からなる電極を形成してなる配線基板の製造方法にお
    いて、 前記基板上に密着層であるＮｉ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｗ，Ｔ
    ａ，Ａｌ，Ａｇ又はこれらの合金のいずれかからなる薄
    膜層と、その上に主導電層である銅層を成膜し、エッチ
    ングにより配線パターンニングした後、前記基板をＫ3
    ［Ｆｅ（ＣＮ）6］を含んだ溶液に浸して前記銅層を不
    動態化する、 ことを特徴とする配線基板の製造方法。
  9. 【請求項９】 基板上に少なくとも銅層を有する１層以
    上からなる電極を形成してなる配線基板の製造方法にお
    いて、 前記基板上に密着層であるＮｉ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｗ，Ｔ
    ａ，Ａｌ，Ａｇ又はこれらの合金のいずれかからなる薄
    膜層と、その上に主導電層である銅層を成膜し、前記銅
    層をエッチングした後、前記薄膜層をＫ3 ［Ｆｅ（Ｃ
    Ｎ）6 ］を含んだ溶液でエッチングして配線パターンニ
    ングすることにより前記銅層を不動態化する、 ことを特徴とする配線基板の製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記銅層はスパッタリング法により成
    膜される、 請求項７記載の配線基板の製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記薄膜層と前記銅層はスパッタリン
    グ法により成膜される、 請求項８又は９記載の配線基板の製造方法。
  12. 【請求項１２】 前記電極の前記基板と反対側の表面
    に、Ｎｉ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｗ，Ｔａ，Ａｌ，Ａｇ又はこれ
    らの合金のいずれかからなる保護層を形成する、 請求項８又は９記載の配線基板の製造方法。
  13. 【請求項１３】 前記保護層は、スパッタリング法によ
    りＮｉ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｗ，Ｔａ，Ａｌ，Ａｇ又はこれら
    の合金のいずれかからなる薄膜層を成膜した後、エッチ
    ングして配線パターンニングされる、 請求項１２記載の配線基板の製造方法。
  14. 【請求項１４】 前記電極間に樹脂を埋め込んで平坦化
    する、 請求項７、８又は９のいずれか１項記載の配線基板の製
    造方法。
  15. 【請求項１５】 前記樹脂は、紫外線の照射により硬化
    されるＵＶ硬化樹脂である、 請求項１４項記載の配線基板の製造方法。
  16. 【請求項１６】 前記基板はガラス基板である、 請求項７、８又は９のいずれか１項記載の配線基板の製
    造方法。
  17. 【請求項１７】 互いに対向するように配置され電極群
    を形成した一対の配線基板間に液晶を挟持してなる液晶
    素子において、 前記配線基板は、透明性基板上に少なくとも銅層を有す
    る１層以上からなる電極を有し、前記銅層の表面がＫ3
    ［Ｆｅ（ＣＮ）6 ］を含んだ溶液により不動態化されて
    いる、 ことを特徴とする液晶素子。
  18. 【請求項１８】 前記電極の前記透明性基板と接する側
    に、Ｎｉ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｗ，Ｔａ，Ａｌ，Ａｇ又はこれ
    らの合金のいずれかからなる密着層を形成した、 請求項１７記載の液晶素子。
  19. 【請求項１９】 前記電極の前記透明性基板と反対側の
    表面に、Ｎｉ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｗ，Ｔａ，Ａｌ，Ａｇ又は
    これらの合金のいずれかからなる保護層を形成した、 請求項１７記載の液晶素子。
  20. 【請求項２０】 前記電極間に樹脂を埋め込んで平坦化
    されている、 請求項１７記載の液晶素子。
  21. 【請求項２１】 前記樹脂は、紫外線の照射により硬化
    されるＵＶ硬化樹脂である、 請求項１７記載の液晶素子。
  22. 【請求項２２】 前記電極上の少なくとも一部に電気的
    に接するようにして透明電極が形成され、更にその上に
    配向膜が形成されている、 請求項１７記載の液晶素子。
  23. 【請求項２３】 前記液晶はカイラルスメクチック液晶
    である、 請求項１７記載の液晶素子。
  24. 【請求項２４】 前記透明性基板はガラス基板である、 請求項１７記載の液晶素子。
  25. 【請求項２５】 互いに対向するように配置され電極群
    を形成した一対の配線基板間に液晶が挟持され、前記配
    線基板が、透明性基板上に少なくとも銅層を有する１層
    以上からなる電極を有している液晶素子の製造方法にお
    いて、 前記透明性基板上に銅層を成膜し、エッチングにより配
    線パターンニングした後、前記透明性基板をＫ3 ［Ｆｅ
    （ＣＮ）6 ］を含んだ溶液に浸して前記銅層を不動態化
    する、 ことを特徴とする液晶素子の製造方法。
  26. 【請求項２６】 互いに対向するように配置され電極群
    を形成した一対の配線基板間に液晶が挟持され、前記配
    線基板が、透明性基板上に少なくとも銅層を有する１層
    以上からなる電極を有している液晶素子の製造方法にお
    いて、 前記透明性基板上に密着層であるＮｉ，Ｍｏ，Ｃｒ，
    Ｗ，Ｔａ，Ａｌ，Ａｇ又はこれらの合金のいずれかから
    なる薄膜層と、その上に主導電層である銅層を成膜し、
    エッチングにより配線パターンニングした後、前記透明
    性基板をＫ3 ［Ｆｅ（ＣＮ）6 ］を含んだ溶液に浸して
    前記銅層を不動態化する、 ことを特徴とする液晶素子の製造方法。
  27. 【請求項２７】 互いに対向するように配置され電極群
    を形成した一対の配線基板間に液晶が挟持され、前記配
    線基板が、透明性基板上に少なくとも銅層を有する１層
    以上からなる電極を有している液晶素子の製造方法にお
    いて、 前記透明性基板上に密着層であるＮｉ，Ｍｏ，Ｃｒ，
    Ｗ，Ｔａ，Ａｌ，Ａｇ又はこれらの合金のいずれかから
    なる薄膜層と、その上に主導電層である銅層を成膜し、
    前記銅層をエッチングした後、前記薄膜層をＫ3 ［Ｆｅ
    （ＣＮ）6 ］を含んだ溶液でエッチングして配線パター
    ンニングすることにより前記銅層を不動態化する、 ことを特徴とする液晶素子の製造方法。
  28. 【請求項２８】 前記銅層はスパッタリング法により成
    膜される、 請求項２５記載の液晶素子の製造方法。
  29. 【請求項２９】 前記薄膜層と前記銅層はスパッタリン
    グ法により成膜される、 請求項２６又は２７記載の液晶素子の製造方法。
  30. 【請求項３０】 前記電極の前記透明性基板と反対側の
    表面に、Ｎｉ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｗ，Ｔａ，Ａｌ，Ａｇ又は
    これらの合金のいずれかからなる保護層を形成する、 請求項２６又は２７記載の液晶素子の製造方法。
  31. 【請求項３１】 前記電極間に樹脂を埋め込んで平坦化
    する、 請求項２５、２６又は２７のいずれか１項記載の液晶素
    子の製造方法。
  32. 【請求項３２】 前記樹脂は、紫外線の照射により硬化
    されるＵＶ硬化樹脂である、 請求項３１記載の液晶素子の製造方法。
  33. 【請求項３３】 前記電極上の少なくとも一部に電気的
    に接するようにして透明電極を形成し、更にその上に配
    向膜を形成する、 請求項２５、２６又は２７のいずれか１項記載の液晶素
    子の製造方法。
  34. 【請求項３４】 前記液晶はカイラルスメクチック液晶
    である、 請求項２５、２６又は２７のいずれか１項記載の液晶素
    子の製造方法。
  35. 【請求項３５】 前記透明性基板はガラス基板である、 請求項２５、２６又は２７のいずれか１項記載の液晶素
    子。
JP8220165A 1996-08-21 1996-08-21 配線基板、該配線基板の製造方法、該配線基板を備えた液晶素子及び該液晶素子の製造方法 Pending JPH1062799A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8220165A JPH1062799A (ja) 1996-08-21 1996-08-21 配線基板、該配線基板の製造方法、該配線基板を備えた液晶素子及び該液晶素子の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8220165A JPH1062799A (ja) 1996-08-21 1996-08-21 配線基板、該配線基板の製造方法、該配線基板を備えた液晶素子及び該液晶素子の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1062799A true JPH1062799A (ja) 1998-03-06

Family

ID=16746912

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8220165A Pending JPH1062799A (ja) 1996-08-21 1996-08-21 配線基板、該配線基板の製造方法、該配線基板を備えた液晶素子及び該液晶素子の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH1062799A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011024704A1 (ja) * 2009-08-28 2011-03-03 株式会社アルバック 配線層、半導体装置、液晶表示装置
WO2011024770A1 (ja) * 2009-08-26 2011-03-03 株式会社アルバック 半導体装置、半導体装置を有する液晶表示装置、半導体装置の製造方法
KR101066216B1 (ko) * 2008-02-18 2011-09-20 주식회사 엘지화학 금속 배선의 형성방법 및 이 방법에 사용되는 식각액조성물
US8186049B2 (en) 2008-05-23 2012-05-29 Unimicron Technology Corp. Method of making a circuit structure
CN114107991A (zh) * 2021-11-29 2022-03-01 清华大学 一种钼-铜双层膜材料蚀刻方法及腐蚀液
CN115734459A (zh) * 2022-11-07 2023-03-03 湖北通格微电路科技有限公司 玻璃基线路板及其制备方法

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101066216B1 (ko) * 2008-02-18 2011-09-20 주식회사 엘지화학 금속 배선의 형성방법 및 이 방법에 사용되는 식각액조성물
US8186049B2 (en) 2008-05-23 2012-05-29 Unimicron Technology Corp. Method of making a circuit structure
WO2011024770A1 (ja) * 2009-08-26 2011-03-03 株式会社アルバック 半導体装置、半導体装置を有する液晶表示装置、半導体装置の製造方法
JP4970622B2 (ja) * 2009-08-26 2012-07-11 株式会社アルバック 半導体装置、半導体装置を有する液晶表示装置、半導体装置の製造方法
KR101175085B1 (ko) 2009-08-26 2012-08-21 가부시키가이샤 알박 반도체 장치, 반도체 장치를 갖는 액정 표시 장치, 반도체 장치의 제조 방법
WO2011024704A1 (ja) * 2009-08-28 2011-03-03 株式会社アルバック 配線層、半導体装置、液晶表示装置
CN102484138A (zh) * 2009-08-28 2012-05-30 株式会社爱发科 布线层、半导体装置、液晶显示装置
JP4970621B2 (ja) * 2009-08-28 2012-07-11 株式会社アルバック 配線層、半導体装置、液晶表示装置
US8400594B2 (en) 2009-08-28 2013-03-19 Ulvac, Inc. Wiring layer, semiconductor device and liquid crystal display device
CN114107991A (zh) * 2021-11-29 2022-03-01 清华大学 一种钼-铜双层膜材料蚀刻方法及腐蚀液
CN115734459A (zh) * 2022-11-07 2023-03-03 湖北通格微电路科技有限公司 玻璃基线路板及其制备方法
CN115734459B (zh) * 2022-11-07 2024-03-12 湖北通格微电路科技有限公司 玻璃基线路板及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPWO2005045911A1 (ja) パターン形成方法、およびこれにより製造される電子回路、並びにこれを用いた電子機器
KR19990076545A (ko) 박막 트랜지스터의 제조방법 및 이것을 이용한 액정표시장치
JP2952075B2 (ja) 液晶素子の製造法
KR20070029812A (ko) 프린트 배선 기판, 그 제조 방법 및 반도체 장치
CN109254423B (zh) 一种铌酸锂电光器件厚膜导线电极的制作方法
US8017460B2 (en) Method of manufacturing flat panel display
KR20050042963A (ko) 액정표시장치 제조 방법
JP5865996B2 (ja) 導電パターン形成基板の製造方法
US20220132672A1 (en) Silver-based transparent conductive layers interfaced with copper traces and methods for forming the structures
JPH1062799A (ja) 配線基板、該配線基板の製造方法、該配線基板を備えた液晶素子及び該液晶素子の製造方法
JPH10133597A (ja) 配線基板、該配線基板の製造方法、該配線基板を備えた液晶素子及び該液晶素子の製造方法
JPH06148661A (ja) 表示装置用基板の製法
JP2005163070A (ja) エッチング液およびエッチング方法
US5501943A (en) Method of patterning an inorganic overcoat for a liquid crystal display electrode
US20070045647A1 (en) Display panel package
JPH10221702A (ja) 配線基板、配線基板の製造方法及び該配線基板を用いた液晶素子
JP2002353167A (ja) 金属配線基板及び金属配線基板の製造方法並びに反射型液晶表示装置用金属配線基板
JP3566459B2 (ja) 配線基板の製造方法
KR20120073988A (ko) 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 및 이에 사용되는 포토레지스트 조성물
JPH022519A (ja) 液晶表示素子の製造方法
JP2907318B2 (ja) 電極埋設基板及びその製造方法
JP2945727B2 (ja) 無電解めっき被膜のパターニング方法及び液晶表示素子の製造方法
JPH0659267A (ja) 表示装置用基板及びその製造方法
JPH10186389A (ja) 配線基板、配線基板の製造方法及び該配線基板を用いた液晶素子
JP2001091942A (ja) 液晶装置及び液晶装置の製造方法