JP2945727B2 - 無電解めっき被膜のパターニング方法及び液晶表示素子の製造方法 - Google Patents
無電解めっき被膜のパターニング方法及び液晶表示素子の製造方法Info
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- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
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- H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は無電解めっき被膜のパターニング方法及びそ
の方法によって製造される液晶表示素子の製造方法に関
する。
の方法によって製造される液晶表示素子の製造方法に関
する。
［従来の技術］ 従来無電解めっき方法により基板上に選択的にめっき
層を形成する際は全面に無電解めっきを施し、その上に
めっき必要な部分を光レジスト剤等のマスク剤で被覆
し、めっき不要な部分はエッチングでめっきを除去する
ことにより行なうのが通常であった。
層を形成する際は全面に無電解めっきを施し、その上に
めっき必要な部分を光レジスト剤等のマスク剤で被覆
し、めっき不要な部分はエッチングでめっきを除去する
ことにより行なうのが通常であった。
具体的な例を液晶表示素子等の電気光学装置に使用す
る基板の例で説明する。
る基板の例で説明する。
液状表示セル等の基板には、電極として酸化インジウ
ムや酸化スズあるいは酸化インジウム錫（ITO）等を主
成分とする透明導電膜が用いられている。この透明導電
膜上に、しばしば半田付けを行なったり、ソケット類の
接続端子として用いる際の、強度の補強や抵抗値の低減
の目的で、該透明導電膜上のリード端子にあたる部分等
の所要部分に金属被膜を形成することが行なわれる。
ムや酸化スズあるいは酸化インジウム錫（ITO）等を主
成分とする透明導電膜が用いられている。この透明導電
膜上に、しばしば半田付けを行なったり、ソケット類の
接続端子として用いる際の、強度の補強や抵抗値の低減
の目的で、該透明導電膜上のリード端子にあたる部分等
の所要部分に金属被膜を形成することが行なわれる。
この金属被膜の形成方法として、Ni陽イオンの原料と
して硫酸ニッケル又は塩化ニッケルを含み、次亜リン酸
塩を還元剤として含むメッキ液にて無電解めっき法によ
り透明電極上にNa−Ｐめっき被膜を施す方法や、還元剤
として水素化ホウ素ナトリウムを含むめっき液を用い、
透明導電膜上にNi−Ｂめっき被膜を形成する方法が提案
されており、またこれらのめっきの上に更に金めっき等
の層を形成することも多い。
して硫酸ニッケル又は塩化ニッケルを含み、次亜リン酸
塩を還元剤として含むメッキ液にて無電解めっき法によ
り透明電極上にNa−Ｐめっき被膜を施す方法や、還元剤
として水素化ホウ素ナトリウムを含むめっき液を用い、
透明導電膜上にNi−Ｂめっき被膜を形成する方法が提案
されており、またこれらのめっきの上に更に金めっき等
の層を形成することも多い。
これらのめっきを施すときは従来法によれば、まず基
板の透明導電膜全体の上にNi−Ｐ等のめっき被膜を形成
し、本当にめっき被膜の必要なリード端子等にはレジス
ト被膜等のマスク剤をスクリーン印刷、フォトリソグラ
フィー等の方法で形成した後、その他のめっきの不要な
部分のめっきをエッチングにより取り除く。
板の透明導電膜全体の上にNi−Ｐ等のめっき被膜を形成
し、本当にめっき被膜の必要なリード端子等にはレジス
ト被膜等のマスク剤をスクリーン印刷、フォトリソグラ
フィー等の方法で形成した後、その他のめっきの不要な
部分のめっきをエッチングにより取り除く。
このような従来のめっき被膜のパターニング方法の代
表例を第２図を参照しながら説明する。
表例を第２図を参照しながら説明する。
１）まず基板１上にITO膜２を形成する。
２）無電解NiめっきによりITO全面にNiめっき３を施
す。
す。
３）次にNiめっき３の必要部分を残すためフォトリソグ
ラフィーを下記の手順で行なう。
ラフィーを下記の手順で行なう。
まずレジスト４を塗布する。
プリベーク後所定のパターンの露光をする。
現像をして、めっき不要部分のフォトレジストを除去
する。
する。
ポストベーク後エッチングをして、めっき不要部分の
めっき被膜を除去する。
めっき被膜を除去する。
残りのフォトレジスト４を剥離する。
これによりパターン化された無電解Niめっきが出来上
がる。
がる。
［発明が解決しようとする課題］ 従来の全面めっきを行なった後に必要部分を残してめ
っきを除去する方法は、めっき除去の際のマスク形成に
おけるピンホール発生によるめっきピンホール発生、工
程増加に伴うコストアップ等の欠点があった。
っきを除去する方法は、めっき除去の際のマスク形成に
おけるピンホール発生によるめっきピンホール発生、工
程増加に伴うコストアップ等の欠点があった。
さらにマスク印刷をスクリーン印刷で行なう場合、ス
クリーン印刷の境界部付近にピンホールが発生する等の
欠点があった。
クリーン印刷の境界部付近にピンホールが発生する等の
欠点があった。
またマスク印刷をフォトリソグラフィーで行なう場
合、Ni等の金属表面が酸化することによりマスクとの漏
れが悪くなり、欠陥が発生する問題点があった。
合、Ni等の金属表面が酸化することによりマスクとの漏
れが悪くなり、欠陥が発生する問題点があった。
［課題を解決するための手段］ 本発明は前記の問題点を解決すべくなされたものであ
り、基板上にパターン化された無電解めっき被膜を形成
する方法であって、パターン化された透明導電膜上のフ
ォトレジスト膜剥離前に、めっき必要部にUV照射し、め
っき必要部のフォトレジスト膜を除去し、基板全面を無
電解めっき溶液に浸漬し、前記パターン化された透明導
電膜上のフォトレジスト膜及びフォトレジスト膜を除去
した前記めっき必要部に無電解めっき被膜を施し、次い
で、めっき不要部の無電解めっき被膜をフォトレジスト
膜ごと剥離することを特徴とする無電解めっき被膜のパ
ターニング方法を提供する。
り、基板上にパターン化された無電解めっき被膜を形成
する方法であって、パターン化された透明導電膜上のフ
ォトレジスト膜剥離前に、めっき必要部にUV照射し、め
っき必要部のフォトレジスト膜を除去し、基板全面を無
電解めっき溶液に浸漬し、前記パターン化された透明導
電膜上のフォトレジスト膜及びフォトレジスト膜を除去
した前記めっき必要部に無電解めっき被膜を施し、次い
で、めっき不要部の無電解めっき被膜をフォトレジスト
膜ごと剥離することを特徴とする無電解めっき被膜のパ
ターニング方法を提供する。
また、少なくとも一方はパターン化された金属被膜を
有する透明導電膜が形成された基板である一対の基板間
に液晶層を挟持してなる液晶表示素子の製造方法におい
て、パターン化された透明導電膜上のフォトレジスト膜
剥離前に、めっきし、次いで、めっき不要部の無電解め
っき被膜をフォトレジスト膜ごと剥離することにより、
パターン化された金属被膜を有する透明導電膜が形成さ
れた基板を形成することを特徴とする液晶表示素子の製
造方法を提供する。
有する透明導電膜が形成された基板である一対の基板間
に液晶層を挟持してなる液晶表示素子の製造方法におい
て、パターン化された透明導電膜上のフォトレジスト膜
剥離前に、めっきし、次いで、めっき不要部の無電解め
っき被膜をフォトレジスト膜ごと剥離することにより、
パターン化された金属被膜を有する透明導電膜が形成さ
れた基板を形成することを特徴とする液晶表示素子の製
造方法を提供する。
本発明における無電解めっき被膜のパターニング方法
をITOからなる透明電極上にパターニングされたNiめっ
き被膜を形成する方法を例にとって、第１図を参照しな
がら説明する。
をITOからなる透明電極上にパターニングされたNiめっ
き被膜を形成する方法を例にとって、第１図を参照しな
がら説明する。
１）まず、ITO2の付いた基板１にレジスト４を塗布す
る。フォトプロセスによりITOをパターニングし、レジ
スト４がパターニングされたITO2のみを被覆している状
態にする。
る。フォトプロセスによりITOをパターニングし、レジ
スト４がパターニングされたITO2のみを被覆している状
態にする。
２）フォトマスク５を通してめっき必要部のレジスト
４にのみ選択的にUV照射する。
４にのみ選択的にUV照射する。
３）低濃度アルカリ等の現像液でレジストを選択剥離
してめっき必要部のレジスト４を部分的に除去する。
してめっき必要部のレジスト４を部分的に除去する。
４）次いで前処理として酸処理、増感処理、促進処理
を施し、ITO2上のレジストを有する部分及びそれを除去
しためっき必要部に無電解Niめっき３を施す。
を施し、ITO2上のレジストを有する部分及びそれを除去
しためっき必要部に無電解Niめっき３を施す。
５）その後レジスト上の不要めっきをレジストごと部
分的に現像により除去する。
分的に現像により除去する。
これによりパターン化された無電解めっきが出来上が
る。
る。
本発明による無電解めっき方法は、様々な応用、利用
が可能である。例えば、液晶表示素子等の電気光学素子
用の基板として用いるためには特に有用なめっき付基板
を得ることができる。
が可能である。例えば、液晶表示素子等の電気光学素子
用の基板として用いるためには特に有用なめっき付基板
を得ることができる。
かかる応用においては、通常、ガラス等の基板上に酸
化インジウム錫（ITO）等の透明導電膜からなるパター
ン化された電極が形成され、そのリード端子部に選択的
に導電体膜がめっきにより形成される。かかる導電体の
例としてNi−ＰめっきやNi−Ｐめっき上にNi−Ｂめっき
をさらに形成したもの、或いは、これらのめっき上に金
めっきを形成したもの等が挙げられる。金めっきについ
ては二層とすること、特に基板に近い方から置換型金め
っき、自己触媒型金めっきの二層とすると、簡単に1000
Å以上の金めっき被膜を得られるので好ましい。
化インジウム錫（ITO）等の透明導電膜からなるパター
ン化された電極が形成され、そのリード端子部に選択的
に導電体膜がめっきにより形成される。かかる導電体の
例としてNi−ＰめっきやNi−Ｐめっき上にNi−Ｂめっき
をさらに形成したもの、或いは、これらのめっき上に金
めっきを形成したもの等が挙げられる。金めっきについ
ては二層とすること、特に基板に近い方から置換型金め
っき、自己触媒型金めっきの二層とすると、簡単に1000
Å以上の金めっき被膜を得られるので好ましい。
以下、液晶表示素子の基板等の構成について説明す
る。
る。
液晶表示セルの構成は、基板の上に電極及びカラーフ
ィルターを形成し、更に配向膜を設けて配向膜面を相対
向させて、周辺部をシール材でシールし内側に液晶を封
入したものであり、通常は、セルの両側に偏光膜を配置
し、電極に電圧を印加する手段を設けて使用する。
ィルターを形成し、更に配向膜を設けて配向膜面を相対
向させて、周辺部をシール材でシールし内側に液晶を封
入したものであり、通常は、セルの両側に偏光膜を配置
し、電極に電圧を印加する手段を設けて使用する。
この基板としてはガラス、プラスチック等の透明基板
が使用でき、その表面には酸化インジウム錫（ITO）,Sn
O2等の透明電極が形成されている。もちろん、この透明
電極に低抵抗の金属リードを併設したり、絶縁膜等を形
成してあってもよい。カラーフィルターは、必要に応じ
て設けられ、電極の上に配置しても、電極の下に配置し
てもよい。
が使用でき、その表面には酸化インジウム錫（ITO）,Sn
O2等の透明電極が形成されている。もちろん、この透明
電極に低抵抗の金属リードを併設したり、絶縁膜等を形
成してあってもよい。カラーフィルターは、必要に応じ
て設けられ、電極の上に配置しても、電極の下に配置し
てもよい。
この電極付き基板の表面には、配向膜が形成される
が、この配向制御方法としてはポリイミド，ポリアミ
ド，ポリビニルアルコール等の有機高分子膜を印刷法や
スピンナー法で形成し、これをラビングする方法、斜め
蒸着法等公知の配向制御法が使用できる。
が、この配向制御方法としてはポリイミド，ポリアミ
ド，ポリビニルアルコール等の有機高分子膜を印刷法や
スピンナー法で形成し、これをラビングする方法、斜め
蒸着法等公知の配向制御法が使用できる。
また、この配向膜とセル内面の遮光膜又は電極との間
の絶縁性を向上させる為に、SiO2,TiO2等の絶縁膜を挟
持するようにしてもよい。
の絶縁性を向上させる為に、SiO2,TiO2等の絶縁膜を挟
持するようにしてもよい。
シール材は、通常のエポキシ樹脂，シリコン樹脂等の
シール材でよく、通常はその一部に開口部を形成してお
き、セル化して後、その開口部から液晶を注入し、その
開口部を封止すればよい。
シール材でよく、通常はその一部に開口部を形成してお
き、セル化して後、その開口部から液晶を注入し、その
開口部を封止すればよい。
その一対の偏光膜の偏光軸は、通常のネガ型表示の液
晶表示素子の場合と同様にほぼ平行に配置されてもよい
し、通常のポジ型表示の液晶表示素子の場合と同様にほ
ぼ直交するように配置されてもよい。
晶表示素子の場合と同様にほぼ平行に配置されてもよい
し、通常のポジ型表示の液晶表示素子の場合と同様にほ
ぼ直交するように配置されてもよい。
電極に電圧を印加する駆動手段としては、通常の液晶
表示装置に使用される駆動手段が使用でき、通常しき値
以上の交流電圧を供給できる駆動手段が用いられる。
表示装置に使用される駆動手段が使用でき、通常しき値
以上の交流電圧を供給できる駆動手段が用いられる。
このような駆動手段を液晶表示セルの基板上の電極に
導電接続する場合、電極のリード端子部にNi−P,Ni−B,
金等のめっきを施し強度補強や抵抗値の低減を行なう。
かかるめっきに本発明のめっき方法を適用することはき
わめて有効である。
導電接続する場合、電極のリード端子部にNi−P,Ni−B,
金等のめっきを施し強度補強や抵抗値の低減を行なう。
かかるめっきに本発明のめっき方法を適用することはき
わめて有効である。
本発明は本発明の効果を損しない範囲で、Niめっきに
限らず、種々の応用が可能なものである。
限らず、種々の応用が可能なものである。
［実施例］ 実施例１ ソーダガラス上にITOからなる透明導電膜を膜厚500Å
に形成した後、フォトプロセスにより所定のパターンを
持つレジスト剥離前のITO基板を得た。この基板のめっ
き必要部にのみ部分的にUV照射し、その後低濃度アルカ
リにより選択レジスト剥離をしてめっき必要部のレジス
トを部分的に除去する。この基板のレジストを有する部
分及びレジストを部分的に除去しためっき必要部に無電
解めっきを施すために前処理として酸処理、増感処理、
促進処理を施した。次に次亜リン酸塩を還元剤として含
むNi−Ｐめっき溶液80℃に約２分浸漬し、めっき必要部
に膜厚4500ÅのNi−Ｐ部分めっきをし、水洗後さらに水
素化ホウ素ナトリウムを還元剤として含むNi−Ｂめっき
溶液60℃に約３分浸漬し、めっき必要部に膜厚2500Åの
Ni−Ｂ部分めっきを施した。その後レジスト上の不要Ni
−Ｐめっき及びNi−Ｂめっきをレジストごと選択的に除
去し、ブラシ洗浄、通常洗浄を行なった。これにより変
色、ピンホールの発生や、付着強度、半田漏れ性の問題
のないめっき付基板が得られた。
に形成した後、フォトプロセスにより所定のパターンを
持つレジスト剥離前のITO基板を得た。この基板のめっ
き必要部にのみ部分的にUV照射し、その後低濃度アルカ
リにより選択レジスト剥離をしてめっき必要部のレジス
トを部分的に除去する。この基板のレジストを有する部
分及びレジストを部分的に除去しためっき必要部に無電
解めっきを施すために前処理として酸処理、増感処理、
促進処理を施した。次に次亜リン酸塩を還元剤として含
むNi−Ｐめっき溶液80℃に約２分浸漬し、めっき必要部
に膜厚4500ÅのNi−Ｐ部分めっきをし、水洗後さらに水
素化ホウ素ナトリウムを還元剤として含むNi−Ｂめっき
溶液60℃に約３分浸漬し、めっき必要部に膜厚2500Åの
Ni−Ｂ部分めっきを施した。その後レジスト上の不要Ni
−Ｐめっき及びNi−Ｂめっきをレジストごと選択的に除
去し、ブラシ洗浄、通常洗浄を行なった。これにより変
色、ピンホールの発生や、付着強度、半田漏れ性の問題
のないめっき付基板が得られた。
［発明の効果］ 本発明は無電解めっきの部分化の際に必要とされるマ
スク印刷をスクリーン印刷やフォトリソグラフィーで行
なわずにUV照射、レジストの選択剥離及びめっき不要部
の無電解めっき被膜をフォトレジスト膜ごと剥離するこ
とにより部分無電解めっきを行なうことでピンホール等
の欠陥が発生しない等の優れた効果を有し、また全体の
工程減によるコストダウンという効果も認められる。
スク印刷をスクリーン印刷やフォトリソグラフィーで行
なわずにUV照射、レジストの選択剥離及びめっき不要部
の無電解めっき被膜をフォトレジスト膜ごと剥離するこ
とにより部分無電解めっきを行なうことでピンホール等
の欠陥が発生しない等の優れた効果を有し、また全体の
工程減によるコストダウンという効果も認められる。
第１図は本発明の実施例を示す側面図であり、第２図は
従来法の例を示す側面図である。 図において、１はガラス基板、２はITO透明導電膜、３
は無電解Niめっき、４はレジスト、５はフォトマスクを
示している。
従来法の例を示す側面図である。 図において、１はガラス基板、２はITO透明導電膜、３
は無電解Niめっき、４はレジスト、５はフォトマスクを
示している。
Claims (2)
- 【請求項１】基板上にパターン化された無電解めっき被
膜を形成する方法であって、 パターン化された透明導電膜上のフォトレジスト膜剥離
前に、めっき必要部にUV照射し、めっき必要部のフォト
レジスト膜を除去し、 基板全面を無電解めっき溶液に浸漬し、 前記パターン化された透明導電膜上のフォトレジスト膜
及びフォトレジスト膜を除去した前記めっき必要部に無
電解めっき被膜を施し、 次いで、めっき不要部の無電解めっき被膜をフォトレジ
スト膜ごと剥離することを特徴とする無電解めっき被膜
のパターニング方法。 - 【請求項２】少なくとも一方はパターン化された金属被
膜を有する透明導電膜が形成された基板である一対の基
板間に液晶層を挟持してなる液晶表示素子の製造方法に
おいて、 パターン化された透明導電膜上のフォトレジスト膜剥離
前に、めっき必要部にUV照射し、めっき必要部のフォト
レジスト膜を除去し、 基板全面を無電解めっき溶液に浸漬し、 前記パターン化された透明導電膜上のフォトレジスト膜
及びフォトレジスト膜を除去した前記めっき必要部に無
電解めっき被膜を施し、 次いで、めっき不要部の無電解めっき被膜をフォトレジ
スト膜ごと剥離することにより、パターン化された金属
被膜を有する透明導電膜が形成された基板を形成するこ
とを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2207665A JP2945727B2 (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | 無電解めっき被膜のパターニング方法及び液晶表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2207665A JP2945727B2 (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | 無電解めっき被膜のパターニング方法及び液晶表示素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0493926A JPH0493926A (ja) | 1992-03-26 |
| JP2945727B2 true JP2945727B2 (ja) | 1999-09-06 |
Family
ID=16543530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2207665A Expired - Fee Related JP2945727B2 (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | 無電解めっき被膜のパターニング方法及び液晶表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2945727B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113795080A (zh) * | 2021-08-18 | 2021-12-14 | 景旺电子科技(珠海)有限公司 | 印刷电路板的表面处理方法及印刷电路板 |
| CN114235622B (zh) * | 2021-12-15 | 2024-07-16 | 生益电子股份有限公司 | 一种半固化片的剥离强度测试图形的制作方法及pcb |
-
1990
- 1990-08-07 JP JP2207665A patent/JP2945727B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0493926A (ja) | 1992-03-26 |
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