JPH03236477A

JPH03236477A - 部分無電解めっき方法並びに電気光学装置及びその製造方法

Info

Publication number: JPH03236477A
Application number: JP2029568A
Authority: JP
Inventors: Koichi Oda; 小田　紘一; Motoo Okada; 岡田　元夫
Original assignee: Kyocera Display Corp
Current assignee: Kyocera Display Corp
Priority date: 1990-02-13
Filing date: 1990-02-13
Publication date: 1991-10-22

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】【産業上の利用分野］本発明は、無電解めっき方法及びその方法によって製造
されるめっき付基板、さらにそれらを応用した電気光学
装置及びその１！遣方法に関する。

［従来の技術］従来無電解めっき方法により基板上に選択的にめっき層
を形成する際は全面に無電解めっきを施し、その上にめ
っき必要な部分を光レジスト剤等のマスク剤で被覆し、
めっき不要な部分はエツチングでめっきを除去すること
により行なうのが通常であった。また、基板の一部分に
複層のめっきを施す場合は一層めについては上記の方法
にてめっき層を形成し、二層めについては一層めのめっ
き形成部分に選択的に二層めのめっき層が形成されるよ
うなめっきｌ夜を使用することによって行なわれていた
。

具体的な例を７夜晶表示素子等の電気光学装置に使用す
る基板の例で説明する。

成品表示セル等の基板には、電極として酸化インジウム
や酸化スズ等を主成分とする透明導電膜が用いられてい
る。この透明導電膜上に半田付けを行なったりソケット
類の接続端子として用いる際の、強度の補強や抵抗値の
低減等の目的で、該透明導電膜上のリード端子にあたる
部分等の所要部分に金属被膜を形成することがしばしば
行なわれる。

この金属被膜の形成方法として、Ｎｉ陽イオンの原料と
して硫酸ニッケル又は塩化ニッケルを含み、次亜リン酸
塩を還元剤として含むメツキ液にて無電解めっき法によ
り透明電極上にＮ１−Ｐめっき被膜を施す方法や、還元
剤として水素化ホウ素ナトリウムを含むめっき漬を用い
、透明導電膜上にＮ１−Ｂめっき被膜を形成する方法が
しばしば行なわれており、またこれらのめっきの上に更
に金めつき等の層を形成することも多い。

これらのめっきを施すときは従来法によれば、まず基板
の透明導電膜全体の上にＮ１−Ｐ等のめっき被膜を形成
し、本当にめっき被膜の必要なリード端子等にはレジス
ト被膜等のマスク剤を形成した後、その他のめっきの不
要な部分のめっきをエツチングにより取り除く。二層め
以降の金めつき等については、Ｎ１−Ｐ被膜等にのみ選
択的にめっき層が形成され、透明導電膜等にはめっき層
が形成されないような種類の無電解めっき液を使用して
めっき層を形成する。

その他、部分的に無電解めっきを施す方法としては、め
っきが不要な部分を５ｉ０２膜等の無機膜やポリイミド
等の有機膜で永久的にカバーしてしまう方法なども提案
されている。

［発明の解決しようとする課題］従来の全面めっきを行なった後に必要部分を残してめっ
きを除去する方法は、めっき除去の際のマスク形成にお
けるピンホール発生によるめっきピンホール発生、工程
増加に伴うコストアップ等の欠点があった。又、めっき
不要な部分について永久的に被膜で覆ってしまう方法に
ついては、その被膜をめっき後に除去しなくてはならな
い用途には使えず、また成品表示素子等において、めっ
き不要な部分について有機配向膜等で覆ってしまい必要
な部分にのみめっきを形成する場合は、逆に配向膜がめ
つき工程で汚染して、配向膜として不良を生ずることが
多い等の欠点があった。

また二層め以降のめっき被覆を形成する場合は、選択的
なめっき層形成がめつき液の適切な選択により、可能で
ある。しかし、めっき不要の部分の表面の材質が導電性
である場合、その部分とめっき形成部分との間で、めっ
き中に電池が形成され、めっきにピンホールが発生する
等の問題が生じていた。

［課題を解決するための手段］本発明は前述の問題点を解決すべくなされたものであり
、基板上に無電解めっきで金属層を部分的に形成する無
電解めっき方法において、あらかじめ、めっき不要な部
分を除去可能な被覆材料で覆い、基板を無電解めっき液
中に浸漬し、めっき層形成後に、該被覆材料を除去する
ことを特徴とする部分無電解めっき方法及び部分無電解
めっきを施す基板は、めっきが必要な部分の基板表面は
基板をめっき液中に浸漬した際、めっき層が形成される
材質からなり、かつめっきの不要な部分の基板表面は基
板をめっき液中に浸漬した際めっき層が形成されない導
電性の材質からなる部分を有することを特徴とする上記
の無電解めっき方法並びにそれらを用いためっき付基板
及び電気光学装置を提供するものである。

本発明では基板上へ無電解めっき法で部分的に金属層を
形成するのに、先ずめっき不要部分を被覆材料で覆う。

被覆材料としてはガラス板、テープ、光レジスト又はイ
ンク等が使用できる。即ち、被覆材料としては、めっき
液の種類によって、めっきが支障なく行なえるものを選
択すれば良いが、無電解めっき液中でめっき部分との間
に電位差を発生させない絶縁物が好ましい。又、被覆材
料は必ずしも基板と接着状態にある必要はなく、基板に
密着した状態でめっき工程の間保持されるものならば良
い。さらにめっき？夜の種類、めっきの条件に応じて、
耐熱性や、耐アルカリ性、耐酸性等を有することが好ま
しい。具体的には、置換型金めつき液による無電解金め
っきを行なうときは、１００℃程度の耐熱性、自己触媒
型金めつきｌ夜による無電解金めっきを行なうときには
ｐＨ１４程度以上の強アルカリ耐性を有することが望ま
しい。

被覆材料として、ガラス板を用いるなら、十分な平坦性
で基板に密着し、着脱も容易にし得るため好ましい。又
、光レジスト剤を用いれば、めっき不要部分へのめつき
液のまわり込みをほぼ完全に阻止でき、かつ、塗布方法
もシール印刷等で任意に行なえ、剥離もアルカリ溶液等
で容易なため好ましい。

本発明による無電解めっき方法は、様々な応用、利用が
可能である。例えば、液晶表示素子等の電気光学素子用
の基板として用いるに特に有用なめっき付基板を得るこ
とができる。

かかる応用においては、通常、ガラス等の基板上に酸化
インジウム錫（ＩｎｚＯｚ　　ＳｎＯ□）等の透明導電
膜からなるパターン化された電極が形成され、そのリー
ド端子部に選択的に導電体膜がめっきにより形成される
。かかる導電体の例としてＮ１−ＰめつきやＮ１−Ｐめ
つき上にＮ１−Ｂめっきをさらに形成したもの、或いは
、これらのめつき上に金めつきを形成したもの等が挙げ
られる。金めつきについては二層とすること、特に基板
に近い方から置換型金めっき、自己触媒型金めっきの二
層とすると、簡単に１０００Å以上の金めつき被覆を得
られるので好ましい。除去可能な被覆材料は、各めっき
ごとに被覆されて、とりはずされてもよいし、最初のめ
つき前に被覆したまま、最後のめっきまで除去しないで
おいてもよい。ガラス板を密着させる場合のように除去
が楽なものは、その都度除去した方が基板清浄度を上げ
る上で好ましい。また、光レジスト剤のように比較的除
去に時間のかかるものは、最初に被覆したまま、最後の
めっきまで除去しない方が工程が簡便で好ましい。

また、このような多層のめっきを施す場合は、１層めの
みは従来の如く全面めっきを施した後にフォトプロセス
等によりエツチングし、必要な部分のみめっきを残す処
理をし、さらに２層め以降は１層めのめっき部分にのみ
選択的にめっき層が形成されるようなめつきｌ夜を使用
するとともに、めっき不要部分を被覆材で覆うようにし
ても効果がある。このような場合２層め以降のめっきを
形成する前の基板は、めっきの必要な部分の基板表面は
基板をめっきｌ夜中に浸漬した際めっき層が形成される
導電性の材質からなり、かつ、めっきの不要な部分の基
板表面は基板をめっき７夜中に浸漬した際めっき層が形
成されない導電性の材質（（浅黒表示素子基板の場合は
Ｉ　Ｔｏ）からなる部分を有することになる。このため
、めっきの形成される導電性の材質と、めっきの形成さ
れない導電性の材質との間で、無電解めっき中に電池が
形成され、それが無電解めっきのピンホール等の不良に
つながることになる。本発明の方法によれば、めっきの
形成されない部分を被覆材で覆ってめっき形成をするの
で、電池の形成を防ぎ、従ってめっきのピンホール等を
防ぐことができる。

以下、液晶表示素子の基板等の構成について説明する。

液晶表示セルの構成は、基板の上に電極及びカラーフィ
ルターを形成し、更に配向膜を設けて配向膜面を相対向
させて、周辺部をシール材でシールし、内側に液晶を封
入したものであり、通常は、セルの両側に偏光膜を配置
し、電極に電圧を印加する手段を設けて使用する。

この基板としては、ガラス、プラスチック等の透明基板
が使用でき、その表面には酸化インイウム錫（Ｉ　Ｔ　
Ｏ）　、　ＳｎＯ２等の透明電極が形成されている。も
ちろん、この透明電極に低抵抗の金属リードを併設した
り、絶縁膜等を形成してあっても良い。カラーフィルタ
ーは、必要に応じて設けられ、電極の上に配置しても、
電極の下に配置しても良い。

この電極付き基板の表面には、配向膜が形成されている
が、この配向制御方法としては、ボッイミド、ポリアミ
ド、ポリビニルアルコール等の有機高分子膜を印刷法や
スピナー法で形成し、これをラビングする方法、斜め蒸
着法等公知の配向制御法が使用できる。

また、この配向膜とセル内面の遮光膜又は電極との間の
絶縁性を向上させる為に、５ｔｙ２゜ＴｉＣｈ等の絶縁
膜を挟持するようにしても良い。

シール材は、通常のエポキシ樹脂、シリコン樹脂等のシ
ール材でよく、通常はその一部に開口部を形成しておき
、セル化して後、その開口部から液晶を注入し、その開
口部を封止すれば良い。

その一対の偏光膜の偏光軸は、通常のネガ型表示のｌ浅
黒表示素子の場合と同様にほぼ平行に配置されてもよい
し、通常のポジ型表示の７浅黒表示素子の場合と同様に
ほぼ直交するように配置されても良い。

電極に電圧を印加する駆動手段としては、通常の液晶表
示装置に使用される駆動手段が使用でき、通常しきい値
以上の交流電圧を供給できる駆動手段が用いられる。

このような駆動手段を液晶表示セルの基板上の電極に導
電接続する場合、電極のリード端子部にＮ１−Ｐ　、　
Ｎｉ−８、金等のめっきを施し、強度補強や抵抗値の低
減を行なう。かかるめっきに本発明のめっき方法を適用
することはきわめて有効である。

［実施例］実施例１ソーダガラス上にＩＴＯからなる透明導電膜を膜厚５０
０人に形成した後、フォトプロセスにより所定のパター
ンのＩＴＯ基板を得た。この基板を前処理してアルカリ
洗浄、酸処理、増感処理、促進処理を施した。次にめっ
き不要な部分の上に光レジストインクをスクリーン印刷
して被覆し、８０℃、３０分で硬化し、次亜リン酸塩を
還元材として含むＮ１−Ｐめっき溶液８０℃に約２分浸
漬し、膜厚４５００人を得た。この様子を示す上面図が
第１図、側面図が第２図であり、１はめっき、２は基板
のめっき不要な部分の表面のＩＴＯ１３は光レジストイ
ンクによる被覆材である。さらに置換型のＡｕめっき溶
液９０℃に８０秒浸漬し、膜厚２００人を得た。水洗後
、水素化ホウ素塩を還元剤として含む自己触媒型のＡｕ
めっき溶液６０℃に６分浸漬し、膜厚１５００人を得た
。その後、０．５％のＮａＯＨ液で光レジストインクを
剥離し、ブラシ洗浄、通常洗浄を行なった。これにより
、変色、ピンホール、不めっき、付着強度、半田濡れ性
とも問題のないめっき付基板が得られた。

実施例２ソーダガラス上にＩＴＯからなる透明導電膜を膜厚５０
０Åに成形した後、フォトプロセスにより所定のパター
ンのＩＴＯ基板を得た。この基板を前処理してアルカリ
洗浄、酸処理、増感処理、促進処理を施した。次に次亜
リン酸塩を還元剤として含むＮ１−Ｐめっき溶液８０℃
に約２分浸漬し、Ｎ１−Ｐめっき膜厚４５００人を得た
。

その後、リン酸−硝酸溶液でめっき被膜を所定のパター
ンでエツチングし、第１図、第２図の様なパターンのＮ
１−Ｐめっき被膜を得た。次に実施例１と同様に、めっ
き不要部分をガラス板で覆い、置換型のＡｕめっき溶液
９０℃に８０秒浸漬し、膜厚２００人を得た。そしてガ
ラス板をはずし、ブラシ洗浄等の洗浄を実施した。さら
に同様にめっき不要部分をガラス板で覆い、水素化ホウ
素塩を還元剤として含む自己触媒型のＡｕめっき溶液６
０℃に６分浸漬し、膜厚１５００人を得た。ガラス板を
とりはずしてブラシ洗浄等の洗浄を実施した。めっき付
基板は実施例１と遜色ない良好なものであった。

実施例３ソーダガラス上にＩＴＯからなる透明導電膜を膜厚５０
０人に形成した後、フォトプロセスにより所定パターン
のＩＴＯ基板を得た。この基板を前処理してアルカリ洗
浄、酸処理、増感処理、促進処理を施した。次にめっき
不要な部分に光レジストインクでスクリーン印刷して被
覆し、８０℃、３０分で硬化し、次亜リン酸塩を還元剤
として含むＮ１−Ｐめっき溶液８０℃に約２分浸漬し、
膜厚４５００人を得た。水洗後、Ｎ１−Ｐ層と同様に水
素化ホウ素塩を還元剤として含むＮ１−Ｂめっき溶液５
０℃に約３分浸漬し、膜厚２５００人を得た。

さらに、水洗後、置換型のＡｕめっき溶液９０℃に８０
秒浸漬し、膜厚２００人を得た。水洗後、水素化ホウ素
塩を還元剤として含む自己触媒型のＡｕめっき溶液６０
℃に６分浸漬し、膜厚１５００人を得た。その後、０．
５％のＮａＯＨ液で光レジストインクを剥離し、ブラシ
洗浄、通常洗浄を行なった。得られためつき付基板は実
施例１と遜色のない優れたものであった。

実施例４ソーダガラス上にＩＴＯからなる透明導電膜を膜厚５０
０人に形成した後、フォトプロセスにより所定のパター
ンのＩＴＯ基板を得た。この基板を前処理してアルカリ
洗浄、酸処理、増感処理、促進処理を施した。次に次亜
リン酸塩を還元剤として含むＮ１−Ｐめつき溶液８０℃
に約２分浸漬し、膜厚４５００人を得た。その後、Ｎ１
−Ｐ層と同様に水素化ホウ素塩を還元剤として含むＮ１
−Ｂめっき溶液５０℃に約３分浸漬し、膜厚２５００人
を得、その後、リン酸−硝酸溶液で各めっき被膜を所定
のパターンでエツチングしてめっき層を得た。次に実施
例２と同様に、めつき不要部分をガラス板で覆い、置換
型のＡｕめっき溶７夜９０℃に８０秒浸漬し、膜厚２０
０人を得た。

そしてガラス板をはがし、ブラシ洗浄等の洗浄を実施し
た。さらに同様にめっき不要部分をガラス板で覆い、水
素化ホウ素塩を還元剤として含む自己触媒型のＡｕめっ
き溶ｇｖ、６０ｔに６分浸漬し、膜厚１５００人を得た
。ガラス板をとりはずして、ブラシ洗浄等の洗浄を実施
した。得られためっきは実施例２と遜色ない良好なもの
であった。

実施例５実施例１〜４で得られためつき何基板を使用して成品表
示装置を製造した。めっき層にピンホール等の不良が少
ないため、外部駆動回路との接続が良好なものが歩留り
良く得られた。

［発明の効果］本発明は無電解めっき時に、基板のめつき不要な部分を
着脱可能な被覆材で覆うことにより、簡単に部分的なめ
つき層を得ることができる。また、請求項６に係る発明
によれば、めつき部分が、めっき不要な部分との間で、
電池を形成することを防げるため、変色、ピンホール、
不めっき等の欠陥のないめっき層が得られる。

さらにこのようなめっき方法を、電気光学装置の基板と
外部駆動回路との間を導電接続するためのリード線部上
にＮ１−Ｐ等のめっきを施す際に用いれば、めっき不要
部分をめっき前にあらかじめ配向膜材料で覆ってしまう
必要がなくなり、めっきから生じる配向膜汚染を回避で
き、良好な電気光学装置が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例を示す上面図、第２図は側面図
である。図で、１はめっき、２はＩＴＯ１３は光レジス
ト剤、４は基板を示している。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）基板上に無電解めっきで金属層を部分的に形成す
る無電解めっき方法において、あらかじめ、めっき不要
な部分を除去可能な被覆材料で覆い、基板を無電解めっ
き液中に浸漬し、めっき層形成後に、該被覆材料を除去することを特
徴とする部分無電解めっき方法。
（２）被覆材料がガラス板であることを特徴とする請求
項１記載の部分無電解めっき方法。
（３）被覆材料が光レジストインクであることを特徴と
する請求項１記載の部分無電解めっき方法。
（４）めっきはニッケル−リンめっき及び金めっきであ
ることを特徴とする請求項１〜３いずれか１項記載の部
分無電解めっき方法。
（５）めっきはニッケル−リンめっき、ニッケル−ボロ
ンめっき及び金めっきであることを特徴とする請求項１
〜３いずれか１項記載の部分無電解めっき方法。
（６）部分無電解めっきを施す基板は、めっきが必要な
部分の基板表面は基板をめっき液中に浸漬した際めっき
層が形成される導電性の材質からなり、かつめっきの不
要な部分の基板表面は基板をめっき液中に浸漬した際め
っき層が形成されない導電性の材質からなる部分を有す
ることを特徴とする請求項１〜３いずれか１項記載の部
分無電解めっき方法。
（７）めっきが形成されない材質が酸化インジウム錫（
Ｉｎ＿２Ｏ＿３−ＳｎＯ＿２）であることを特徴とする
請求項６記載の部分無電解めっき方法。
（８）めっきが形成される材質がニッケル−リン合金で
あることを特徴とする請求項６又は７記載の部分無電解
めっき方法。
（９）めっきが金であることを特徴とする請求項６〜８
いずれか１項記載の無電解めっき方法。
（１０）めっきがニッケル−ボロン合金及び金であるこ
とを特徴とする請求項６〜８いずれか１項記載の部分無
電解めっき方法。
（１１）金が２層であり、基板側から１層めが置換型金
めっき液から形成され、２層めが自己触媒型金めっき液
から形成されることを特徴とする請求項４、５、９、１
０いずれか１項記載の部分無電解めっき方法。
（１２）ガラス基板上に請求項１〜１１いずれか１項記
載の部分無電解めっき方法で無電解めっきを施すことを
特徴とするめっき付ガラス基板の製造方法。
（１３）ガラス基板上に請求項１〜１１いずれか１項記
載の部分無電解めっき方法で無電解めっきを施してなる
ことを特徴とするめっき付ガラス基板。
（１４）電極が表面に形成された一対の基板間に電気光
学媒体を挟持するとともに、少なくとも一方の基板に設
けられたリード端子を介して駆動回路と導電接続されて
なる電気光学装置の製造方法において、該リード端子上
に請求項１〜１１いずれか１項記載の部分無電解めっき
方法により無電解めっきを施すことを特徴とする電気光
学装置の製造方法。
（１５）電極が表面に形成された基板間に電気光学媒体
を挟持するとともに、少なくとも一方の基板に設けられ
たリード端子を介して駆動回路と導電接続されてなる電
気光学装置において、該リード端子上に請求項１〜１１
いずれか１項記載の部分無電解めっき方法により無電解
めっきを施されてなることを特徴とする電気光学装置。