JPS59149326A - 液晶パネルの製造方法 - Google Patents
液晶パネルの製造方法Info
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- JPS59149326A JPS59149326A JP2416183A JP2416183A JPS59149326A JP S59149326 A JPS59149326 A JP S59149326A JP 2416183 A JP2416183 A JP 2416183A JP 2416183 A JP2416183 A JP 2416183A JP S59149326 A JPS59149326 A JP S59149326A
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- JP
- Japan
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- plating
- liquid crystal
- conductive film
- transparent conductive
- terminal part
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液晶パネルの端子部分のメタライズ法に関する
ものであり、配向処理と透明導電膜上への選択メッキ前
処理プロセスを組み合わせることによって端子部分のみ
にメッキしようとするものである。
ものであり、配向処理と透明導電膜上への選択メッキ前
処理プロセスを組み合わせることによって端子部分のみ
にメッキしようとするものである。
近年液晶パネルの端子数の増加にともなって、安価でし
かも信頼性の高い実装法が望まれている。
かも信頼性の高い実装法が望まれている。
それには透明導電膜の端子部をメタライズしフレキシブ
ルテープを使ってハンダ付けする方法が優れている。し
かし従来透明導電膜上のメタライズ法はスパンタリング
、蒸着法等の真空法で基板全面にＯｒ −Ａ ｕ等を被
覆し、フォトリングラフイーにより端子部分を除いて該
金属被膜をエツチング除去する方法をとっていたが真空
法を使うためコストが高い、フォト工程を通るため工数
が多く高コスト、又金等の貴金属のムダな消費が多いと
いった欠点を有し、液晶パネルコストを高価なものにし
ていた。そこで本発明者は、無電解メッキ法によりＮ１
基合金を選択的に透明導電膜上のみに形成し、端子部を
除いてフォト法によりＮ１基合金をエツチング除去する
方法で大巾なコストダウンができることを先に発明した
が、本発明はさらに簡易な方法により透明導電膜の端子
部のみに選択的にＮ１基合金を無電解メッキしようとす
るものである・すなわ元勲電解メッキプロセスの前処理
工程と、液晶パネルの配向処理を組み合わせることによ
り、端子部分のみにメッキができることを見出し、本発
明を生むに至った。
ルテープを使ってハンダ付けする方法が優れている。し
かし従来透明導電膜上のメタライズ法はスパンタリング
、蒸着法等の真空法で基板全面にＯｒ −Ａ ｕ等を被
覆し、フォトリングラフイーにより端子部分を除いて該
金属被膜をエツチング除去する方法をとっていたが真空
法を使うためコストが高い、フォト工程を通るため工数
が多く高コスト、又金等の貴金属のムダな消費が多いと
いった欠点を有し、液晶パネルコストを高価なものにし
ていた。そこで本発明者は、無電解メッキ法によりＮ１
基合金を選択的に透明導電膜上のみに形成し、端子部を
除いてフォト法によりＮ１基合金をエツチング除去する
方法で大巾なコストダウンができることを先に発明した
が、本発明はさらに簡易な方法により透明導電膜の端子
部のみに選択的にＮ１基合金を無電解メッキしようとす
るものである・すなわ元勲電解メッキプロセスの前処理
工程と、液晶パネルの配向処理を組み合わせることによ
り、端子部分のみにメッキができることを見出し、本発
明を生むに至った。
本発明に用いられる液晶パネル基板としては、ソーダガ
ラス、パイレックスガラス、石英ガラス等の無機材料、
フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテルサル
７オン樹脂等の有機材料である。このような基板土建酸
化インジウム又はスズ等をドープした工ＴＯ，酸化スズ
又はインジウム、ハロゲン、アンチモン等をドープした
透明導電膜が・スパッタリング、蒸着法、ＣＶＤ法等に
よって被覆した後フォトリソグラフィーにより所定の電
極パターンにエツチングされる。
ラス、パイレックスガラス、石英ガラス等の無機材料、
フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテルサル
７オン樹脂等の有機材料である。このような基板土建酸
化インジウム又はスズ等をドープした工ＴＯ，酸化スズ
又はインジウム、ハロゲン、アンチモン等をドープした
透明導電膜が・スパッタリング、蒸着法、ＣＶＤ法等に
よって被覆した後フォトリソグラフィーにより所定の電
極パターンにエツチングされる。
次に透明導電膜上にのみ（ガラス上を除いて）選択的に
メッキ触媒を塗布する。選択的触媒塗布は・Ｈｃｔ、ホ
ウフッ酸、７ツ酸等の酸に５ｎ−ｐａミコロイドは錯体
を溶解又は分散させた液に透明導電膜付基板を浸漬する
ことにより得られる。
メッキ触媒を塗布する。選択的触媒塗布は・Ｈｃｔ、ホ
ウフッ酸、７ツ酸等の酸に５ｎ−ｐａミコロイドは錯体
を溶解又は分散させた液に透明導電膜付基板を浸漬する
ことにより得られる。
市販されているものとしては、日立化成社製Ｈ３−ＩＯ
ＩＢである。ＥＳＣ！Ａ分析の結果ガラス上にはＳ ｎ
−Ｐ ｄ触媒は吸着していないことが確認できた。次
にメッキ促進剤に浸漬する工程に続く。
ＩＢである。ＥＳＣ！Ａ分析の結果ガラス上にはＳ ｎ
−Ｐ ｄ触媒は吸着していないことが確認できた。次
にメッキ促進剤に浸漬する工程に続く。
この工程はＳ ｎ −Ｐ ｄコロイド粒子のＳｎを溶解
する工程であると言われているが、ホウフッ酸。
する工程であると言われているが、ホウフッ酸。
ＮａＯＨ、ＫＯＨ溶液等に浸漬することにより促進効果
が得られる。
が得られる。
次に乾燥後、端子部を除いてパターン状に配向剤が被覆
され、る。被覆方法とし７てはマスク斜め蒸着法、ポリ
イミド、ポリエーテルサルフオン、ＢＴレジン等のオフ
セット、凸版印刷により得られる。この被膜の厚みは１
００Ｘ〜５０００χが望ましい。この配向剤は配向剤と
しての効果とメツキレシストとしての働きをしなければ
ならないことがら膜厚、材質等がおのずから決定される
。あまり薄いとピンホールが生じ配向性が劣るし、又メ
ッキがピンホール内についてしまう。膜厚すぎるとメツ
キレシストとしての効果は優れるが、配向剤としては電
圧℃゛ロツプおき駆動特性の劣化をもたらす。望まルく
は２００〜２０ＧＯＫである。このような材料をこのよ
うな方法で端子部を除くパターン状に形成した後、必要
に応じて焼成させ被膜を強化する。
され、る。被覆方法とし７てはマスク斜め蒸着法、ポリ
イミド、ポリエーテルサルフオン、ＢＴレジン等のオフ
セット、凸版印刷により得られる。この被膜の厚みは１
００Ｘ〜５０００χが望ましい。この配向剤は配向剤と
しての効果とメツキレシストとしての働きをしなければ
ならないことがら膜厚、材質等がおのずから決定される
。あまり薄いとピンホールが生じ配向性が劣るし、又メ
ッキがピンホール内についてしまう。膜厚すぎるとメツ
キレシストとしての効果は優れるが、配向剤としては電
圧℃゛ロツプおき駆動特性の劣化をもたらす。望まルく
は２００〜２０ＧＯＫである。このような材料をこのよ
うな方法で端子部を除くパターン状に形成した後、必要
に応じて焼成させ被膜を強化する。
次に無電ｊＪ（Ｎｉ基合金メッキ液に浸漬し端子部分の
みの透明導電膜上にメッキする。前工程で選択的に透明
導電膜上にのみメッキ触媒が塗布され、しかも１芋部分
以外の透明導電膜は配向剤によって被覆されているため
、端子部のみにＮ１基合金メッキがされるわけであるＯ
ここで用いられるＮ１基合金メッキには、Ｎ１−Ｐ 、
Ｎ１−Ｂ 。
みの透明導電膜上にメッキする。前工程で選択的に透明
導電膜上にのみメッキ触媒が塗布され、しかも１芋部分
以外の透明導電膜は配向剤によって被覆されているため
、端子部のみにＮ１基合金メッキがされるわけであるＯ
ここで用いられるＮ１基合金メッキには、Ｎ１−Ｐ 、
Ｎ１−Ｂ 。
Ｎ ｉ −Ｃｏ −Ｐ 、 Ｎ ｉ −Ｏｒ −Ｐ 、
Ｎ ｉ −Ｆ ｅ −Ｐ、Ｎｉ−工２１−Ｐ等がある
が、Ｎ、ｉ −Ｐメッキが密着性の点で優れている０こ
れらは必ずしも単独で使用する必要はなく、例えば下地
としてＮ１−ｐ、上付けとしてＮ１−Ｂというように組
み合わせて使うことを可能である。膜厚は）１ンダ付は
性、すなわちハンダ食われ防止からして、１０００％以
上１ｏｏｏｏＸ以下である。１００００％以上となると
透明導電膜との密着性が劣化する。望ましくは２ Ｑ
００’Ｘ〜６ｏｏｏＸである。メッキ後、メッキ被膜と
透明導電膜との密着性を向上させる目的で熱処理しても
良い。１００℃以上５００℃以下であり、高温となれば
処理時間は短かくてずｔｒ。２００℃、１５ｓｔ、２５
０℃ ５〜１０ｍ等々が使用される０ 次に前記有機配向剤の場合で水平配向が必要とされる場
合にはラビング工程に入る。その後通常の工程によって
液晶パネルが組み立てられる。液晶注入、封止後、端子
部には予備ノ・ンダがされる０ハンダリフローにより簡
単に予備ノ・ンダ可能である。次に導体形成したポリイ
ミド、ポリエステル等のフレキシブルテープでノ１ンダ
された液晶ノぐネル端子を接続し実装する。この方法に
よれば５０〜１００μｍピッチの端子をもった液晶パネ
ルの実装が可能となり、ハイデユーティ液晶パネル、Ｔ
Ｔ Ｆ 、 、Ｍ工Ｍ等のアクティブマトリクス液晶
パネル、さらには実装の信頼性を特に要求される自動車
用パネル等に適用できる。
Ｎ ｉ −Ｆ ｅ −Ｐ、Ｎｉ−工２１−Ｐ等がある
が、Ｎ、ｉ −Ｐメッキが密着性の点で優れている０こ
れらは必ずしも単独で使用する必要はなく、例えば下地
としてＮ１−ｐ、上付けとしてＮ１−Ｂというように組
み合わせて使うことを可能である。膜厚は）１ンダ付は
性、すなわちハンダ食われ防止からして、１０００％以
上１ｏｏｏｏＸ以下である。１００００％以上となると
透明導電膜との密着性が劣化する。望ましくは２ Ｑ
００’Ｘ〜６ｏｏｏＸである。メッキ後、メッキ被膜と
透明導電膜との密着性を向上させる目的で熱処理しても
良い。１００℃以上５００℃以下であり、高温となれば
処理時間は短かくてずｔｒ。２００℃、１５ｓｔ、２５
０℃ ５〜１０ｍ等々が使用される０ 次に前記有機配向剤の場合で水平配向が必要とされる場
合にはラビング工程に入る。その後通常の工程によって
液晶パネルが組み立てられる。液晶注入、封止後、端子
部には予備ノ・ンダがされる０ハンダリフローにより簡
単に予備ノ・ンダ可能である。次に導体形成したポリイ
ミド、ポリエステル等のフレキシブルテープでノ１ンダ
された液晶ノぐネル端子を接続し実装する。この方法に
よれば５０〜１００μｍピッチの端子をもった液晶パネ
ルの実装が可能となり、ハイデユーティ液晶パネル、Ｔ
Ｔ Ｆ 、 、Ｍ工Ｍ等のアクティブマトリクス液晶
パネル、さらには実装の信頼性を特に要求される自動車
用パネル等に適用できる。
なおハンダの流れ性を向上させるため、及び抵抗を下げ
る等の目的でＮ１基合金のトップコートとして貴金属メ
ッキを施すこともできる。貴金属とはＡｕ’、Ａｇ 、
Ｐｔ 、Ｒｂ 、Ｐｄ等であり、置換型無電解メッキが
可能でしかもメッキ中にＮ１基合金を溶解してしまわな
いアルカリ浴が優れている。例えば日本エンゲルハルト
社製Ａｕメッキであるアトメック又は有用である≧貴金
属の厚みは目的からして５０大〜２０００χであり、望
ましくは２００χ〜１ｏ ｏ ｏ’ Ｘである。
る等の目的でＮ１基合金のトップコートとして貴金属メ
ッキを施すこともできる。貴金属とはＡｕ’、Ａｇ 、
Ｐｔ 、Ｒｂ 、Ｐｄ等であり、置換型無電解メッキが
可能でしかもメッキ中にＮ１基合金を溶解してしまわな
いアルカリ浴が優れている。例えば日本エンゲルハルト
社製Ａｕメッキであるアトメック又は有用である≧貴金
属の厚みは目的からして５０大〜２０００χであり、望
ましくは２００χ〜１ｏ ｏ ｏ’ Ｘである。
以下実施例により本発明を説明する。
実施例１
パシベイションを施したソーダガラス上に透明導電膜で
ある工Ｔｏを５００χＥ、Ｂ蒸着し、フォトリソグラフ
ィーにより工Ｔｏを、１００μｍ端子ピンチをもつよう
にエツチングパターニングした。レジストハク離洗浄後
、日立化成社製アクティベイターＨ８−１０１Ｂに１分
間浸漬し、水洗後メッキ促進剤である１ＮＮａＯＨ中に
２分間浸漬し、水洗後乾燥を行なった。次に配向剤とし
てのポリイミド被膜スをオフセット印刷で端子部を除い
て印刷した。６００℃で３０分間焼成し、イミド環を形
成させるように重金を行ない約６００Ｘのポリイミド被
膜を得た。
ある工Ｔｏを５００χＥ、Ｂ蒸着し、フォトリソグラフ
ィーにより工Ｔｏを、１００μｍ端子ピンチをもつよう
にエツチングパターニングした。レジストハク離洗浄後
、日立化成社製アクティベイターＨ８−１０１Ｂに１分
間浸漬し、水洗後メッキ促進剤である１ＮＮａＯＨ中に
２分間浸漬し、水洗後乾燥を行なった。次に配向剤とし
てのポリイミド被膜スをオフセット印刷で端子部を除い
て印刷した。６００℃で３０分間焼成し、イミド環を形
成させるように重金を行ない約６００Ｘのポリイミド被
膜を得た。
次に無電解Ｎ ｉ −Ｐメッキ液であるカニゼン社製Ｓ
−６８０中で５０℃、５分間メッキして約４０００χの
Ｎ ｉ −Ｐ被膜を得た。Ｎ１−Ｐ被膜はメッキ前処理
工程によりＩＴｏ上のみに触端が選択的に塗布されてい
るため、及び端子部以外は配向剤兼メソキレシストとし
てのポリイミドにより保護されているため、端子部の１
ＴＯ上のみに選択的に被覆された。次にＮ ｉ −Ｐ被
膜の密着性を向上させるため２５０℃で１５分間該基板
を熱処理した。次に、綿布により一定方向にラビングを
行ない水平配向処理を施した。このような基板を２枚用
い上下基板として液晶パネルを組立て液晶封入、封止を
行ない完成パネルとした。次に低温ハンダバスに端子部
のみをリフローさせて予備ハンダを行なった。次にポリ
イミドフレキシブルケーブルを用いて該予備ハンダされ
た端子とハンダ付けを行なった。端子部のビール強度は
１２０ｆ／謡で実用上何ら問題のないビール強度を示し
た。
−６８０中で５０℃、５分間メッキして約４０００χの
Ｎ ｉ −Ｐ被膜を得た。Ｎ１−Ｐ被膜はメッキ前処理
工程によりＩＴｏ上のみに触端が選択的に塗布されてい
るため、及び端子部以外は配向剤兼メソキレシストとし
てのポリイミドにより保護されているため、端子部の１
ＴＯ上のみに選択的に被覆された。次にＮ ｉ −Ｐ被
膜の密着性を向上させるため２５０℃で１５分間該基板
を熱処理した。次に、綿布により一定方向にラビングを
行ない水平配向処理を施した。このような基板を２枚用
い上下基板として液晶パネルを組立て液晶封入、封止を
行ない完成パネルとした。次に低温ハンダバスに端子部
のみをリフローさせて予備ハンダを行なった。次にポリ
イミドフレキシブルケーブルを用いて該予備ハンダされ
た端子とハンダ付けを行なった。端子部のビール強度は
１２０ｆ／謡で実用上何ら問題のないビール強度を示し
た。
本プロセスにより必要な部分、すなわち端子部分のみに
、何のフォト工程も用いずにメタライズすることが可能
となった。これは今後増々増加する液晶高密度実装に対
して大巾なコストダウンと信頼性をもたらすことになり
工業的価値は非常に高し）。
、何のフォト工程も用いずにメタライズすることが可能
となった。これは今後増々増加する液晶高密度実装に対
して大巾なコストダウンと信頼性をもたらすことになり
工業的価値は非常に高し）。
実施例２
実施例１において、液晶パえル完成後・液晶パネルを日
本エンゲルハルト社製アトメックス無電解Ａｕメッキ液
に浸漬して、端子部のＮ１−Ｐ被膜上にのみ約３００χ
のＡｕメッキを施した・実施例１に比して、フラックス
なしでもハンダリフローによる予備ハンダが可能であっ
た。
本エンゲルハルト社製アトメックス無電解Ａｕメッキ液
に浸漬して、端子部のＮ１−Ｐ被膜上にのみ約３００χ
のＡｕメッキを施した・実施例１に比して、フラックス
なしでもハンダリフローによる予備ハンダが可能であっ
た。
実施例３
実施例１においてＮ ｉ −Ｐメッキに続いて実施例２
のＡｕメッキを施した。同様に予備ハンダ時のフラック
スは必要としなかった。
のＡｕメッキを施した。同様に予備ハンダ時のフラック
スは必要としなかった。
実施例４゜
実施例１において、配向剤とじて垂直配・向剤であるト
リイソプロピルオキシモノステアリルチタンを同様に端
子部を除いて凸版印刷した。他は同様にしてＧＨタイプ
液晶パネルを作り、実装を行なった。１００μピツチも
何の問題もなく実装可能であった。
リイソプロピルオキシモノステアリルチタンを同様に端
子部を除いて凸版印刷した。他は同様にしてＧＨタイプ
液晶パネルを作り、実装を行なった。１００μピツチも
何の問題もなく実装可能であった。
以上実施例により本発明を説明したが、本発明により高
密度パネルの実装コストが大巾にダウンされ、又信頼性
もたかいことから工業的価値は大なるものがある。本発
明により得られた液晶パネルは時計、電卓、テレビ、α
−Ｎディスプレイ等に用いられる。
密度パネルの実装コストが大巾にダウンされ、又信頼性
もたかいことから工業的価値は大なるものがある。本発
明により得られた液晶パネルは時計、電卓、テレビ、α
−Ｎディスプレイ等に用いられる。
なお、本発明は、液晶パネルへの適用として説明したが
、透明導電膜の端子を有するもの（例えば、電気泳動表
示パネル、ＥＬ表示パネル等）にも適用可能である。
、透明導電膜の端子を有するもの（例えば、電気泳動表
示パネル、ＥＬ表示パネル等）にも適用可能である。
以 上
手続補正書（自発）
５９５１５
昭和 年 月 日
特許庁長官殿
１、事件の表示
昭和５８年特許願第２４１６１ 号
２、発明の名称
液晶パネルの製造方法
３、補正をする者
事件との関係 出願人
４、代理人
〒１０４ 東京都中央区京橋２丁目６番２１号５、 補
正により増加する発明の数 特開昭５９−１４９３２６（４） 手続補正書（自発） １、 明Ｍｉ書 ６頁１５行目 「被覆した後」とめる葡、 「被覆さｎ後」に補正する。
正により増加する発明の数 特開昭５９−１４９３２６（４） 手続補正書（自発） １、 明Ｍｉ書 ６頁１５行目 「被覆した後」とめる葡、 「被覆さｎ後」に補正する。
２、 明細書 ４頁１６行目〜１４行目「凸版印刷によ
り得ら扛る。」とある？、「凸版印刷法があげられる。
り得ら扛る。」とある？、「凸版印刷法があげられる。
」に補正する。
６、 明細書 ５頁１８行目
「使うこと全可能である。」とある金、「使つととも可
能である。」に補正する。
能である。」に補正する。
４８ 明雅書 ６頁１２行目
「ハンダリフロー」とあるを、
「ハンダフロー」に補正する。
５、 明細書 ６頁１８行目
「ＴＴＦ、」とある金、
１−ＴｙＴ、Ｊに補正する。
６、 明細書 ７頁４行目
「Ｒｂ、Ｊとある葡、
「、ｕｈ、Ｊに補正する。
ｌ 明細書 ７頁８行目
「アトメック又は」とあるを、
「アトメックは」に、補正する。
ａ 明ｔＪｉ沓 ８頁３行目
「重金を行ない」とある全、
「重合を行ない」に補正する。
９ 明細書 ８頁８行目
「加端が」とあるを、
「触媒が」に補正する。
１０、明＋１ａ書 ８頁１８行目
「リフローさせて」とおるを、
「フローさせて」に補正する。
１１、明細書 ８頁８行目
「ハンダリフロー」とあるを、
「ハンダフロー」に補正する。
以 上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 液晶パネル°の端子部分をメタライズする方法にお
いて、パターニングされた透明導電膜付基板上の透明導
電膜上にのみメッキ触媒を塗布する工程、メッキ促進剤
に浸漬する工程、端子部を除いて配向剤を形成する工程
、Ｎ１基合金を無電解メッキする工程を含むことを特徴
とする液晶パネルの製造方法。 ２、特許請求の範囲第１項において、Ｎ１基合金メッキ
に続いて、貴金属メッキを施す工程を含むことを特徴と
する液晶パネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2416183A JPS59149326A (ja) | 1983-02-16 | 1983-02-16 | 液晶パネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2416183A JPS59149326A (ja) | 1983-02-16 | 1983-02-16 | 液晶パネルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59149326A true JPS59149326A (ja) | 1984-08-27 |
| JPH0470613B2 JPH0470613B2 (ja) | 1992-11-11 |
Family
ID=12130613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2416183A Granted JPS59149326A (ja) | 1983-02-16 | 1983-02-16 | 液晶パネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59149326A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61104085A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-22 | Kyocera Corp | 電子部品のメタライズ金属層の被覆構造 |
| JPS62238375A (ja) * | 1986-04-09 | 1987-10-19 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 携帯用時計ケースの製造方法 |
| JPH01116084A (ja) * | 1987-10-29 | 1989-05-09 | Seiko Instr & Electron Ltd | 透明導電膜パターンのめっき方法 |
| JPH01304427A (ja) * | 1988-06-02 | 1989-12-08 | Mitsubishi Electric Corp | 端子形成方法 |
| JPH03236477A (ja) * | 1990-02-13 | 1991-10-22 | Optrex Corp | 部分無電解めっき方法並びに電気光学装置及びその製造方法 |
| US5573390A (en) * | 1993-03-25 | 1996-11-12 | Surtec Kariya Co., Ltd. | Coated sliding material |
-
1983
- 1983-02-16 JP JP2416183A patent/JPS59149326A/ja active Granted
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH0568549B2 (ja) * | 1986-04-09 | 1993-09-29 | Seiko Instr & Electronics | |
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| Publication number | Publication date |
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| JPH0470613B2 (ja) | 1992-11-11 |
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