JPS62273512A - 液晶パネルの製造方法 - Google Patents
液晶パネルの製造方法Info
- Publication number
- JPS62273512A JPS62273512A JP61116277A JP11627786A JPS62273512A JP S62273512 A JPS62273512 A JP S62273512A JP 61116277 A JP61116277 A JP 61116277A JP 11627786 A JP11627786 A JP 11627786A JP S62273512 A JPS62273512 A JP S62273512A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- film
- obtd
- plating
- liquid crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 14
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract 2
- RILZRCJGXSFXNE-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(trifluoromethoxy)phenyl]ethanol Chemical compound OCCC1=CC=C(OC(F)(F)F)C=C1 RILZRCJGXSFXNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910002855 Sn-Pd Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
（産業上の利用分野）
本発明はアクティブマトリクス方式の液晶Ａ’ネルの製
造方法。
造方法。
特にａ−８ｉＴＦＴの遮光膜の形成方法に関するもので
ある。
ある。
（従来の技術）
従来、ａ−８ｉＴＦＴアレイを用いたアクティブマトリ
クス方式の液晶パネルでは、ａ−８ｔ自身が光に敏感な
ため遮光膜を設けている（特開昭５６−１４０３２１参
照）。
クス方式の液晶パネルでは、ａ−８ｔ自身が光に敏感な
ため遮光膜を設けている（特開昭５６−１４０３２１参
照）。
このような遮光膜は、通常、ガラス基板の上にＴＰＴを
形成した後、液晶に対する／−？ツシベーション膜を被
せ、その上に金属を真空蒸着やスｄ’ツタし、フォトリ
ングラフィにより遮光膜としていた。
形成した後、液晶に対する／−？ツシベーション膜を被
せ、その上に金属を真空蒸着やスｄ’ツタし、フォトリ
ングラフィにより遮光膜としていた。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、真空蒸着やスパッタにより遮光膜を形成
すると、段差部分において、その膜厚が薄くなり、・光
がある程度、透過してしまい、結果的にａ−８ｉ ＴＦ
Ｔｃ６１Ｊ−り電流が増加し、液晶・ぐネルとしての表
示品位が低下していた。
すると、段差部分において、その膜厚が薄くなり、・光
がある程度、透過してしまい、結果的にａ−８ｉ ＴＦ
Ｔｃ６１Ｊ−り電流が増加し、液晶・ぐネルとしての表
示品位が低下していた。
本発明は、以上述べた真空蒸着やス・クソタにより作製
した遮光膜の段差における問題を除去し、表示品位のす
ぐれた液晶パネルの製造方法を提供する事にある。
した遮光膜の段差における問題を除去し、表示品位のす
ぐれた液晶パネルの製造方法を提供する事にある。
（問題を解決するための手段）
本発明はａ−８ｉ ＴＦＴを用いたアクティブマトリク
ス方式の液晶パネルにおいて、遮光膜を無電解メッキに
より形成する様にしたものである。
ス方式の液晶パネルにおいて、遮光膜を無電解メッキに
より形成する様にしたものである。
（作用）
遮光膜は平担部及び段差部共に均一な厚さで形成され、
段差部での洩れ光に基づくリーク電流を防ぐことが出来
る。
段差部での洩れ光に基づくリーク電流を防ぐことが出来
る。
（実施例）
先づ、第１図（、）の様にａ−３ｔ ＴＦＴアレイ２が
形成されたガラス基板１上にパッシベーション膜として
ＳｉＯｘ膜３をＣＶＤにより１．５μｍの厚さに形成す
る。
形成されたガラス基板１上にパッシベーション膜として
ＳｉＯｘ膜３をＣＶＤにより１．５μｍの厚さに形成す
る。
次にこの基板表面に５ｎ−Ｐｄを吸着させる。ここでは
日立化成社製ＭＳ−１０１Ｂに基板を浸漬する事により
行なった。次に５ｎ−Ｐｄコロイド粒子のＳｎを溶解す
る為にホウフッ酸、ＮａＯＨ１ＫＯＨなどのメッキ促進
剤に浸漬した。
日立化成社製ＭＳ−１０１Ｂに基板を浸漬する事により
行なった。次に５ｎ−Ｐｄコロイド粒子のＳｎを溶解す
る為にホウフッ酸、ＮａＯＨ１ＫＯＨなどのメッキ促進
剤に浸漬した。
以上の工程により基板全面にメッキ触媒となるＰｄが吸
着されている。そこで必要部分のみに無電解メッキを析
出させる為に、第１図（ｂ）の様にホトレゾスト５ （
ＡＺ−１４００−３１シップレイ社）を塗布し、ホトリ
ソグラフィーにより不要部分をマスクした。
着されている。そこで必要部分のみに無電解メッキを析
出させる為に、第１図（ｂ）の様にホトレゾスト５ （
ＡＺ−１４００−３１シップレイ社）を塗布し、ホトリ
ソグラフィーにより不要部分をマスクした。
次にＮｉ基合金メッキ液に浸漬し、ＴＰＴのチャンネル
部分上のみにメッキを約２０００Ｘ析出させ遮光膜４と
した。
部分上のみにメッキを約２０００Ｘ析出させ遮光膜４と
した。
ここで用いられるＮｉ基合金メッキとしては、Ｎｉ−Ｐ
ａＮ１−Ｂ ＋ Ｎ１−Ｃｒ−Ｐ ｔ Ｎ１−Ｆｅ−Ｐ
ｒ Ｎ１−Ｉ ｎ−Ｐ ｐ Ｎ１−Ｗ−Ｐ等があるが
、密着性やその後のプロセスから考えてＮ１−Ｐ 、
Ｎ１−Ｗ−Ｐが好適である。
ａＮ１−Ｂ ＋ Ｎ１−Ｃｒ−Ｐ ｔ Ｎ１−Ｆｅ−Ｐ
ｒ Ｎ１−Ｉ ｎ−Ｐ ｐ Ｎ１−Ｗ−Ｐ等があるが
、密着性やその後のプロセスから考えてＮ１−Ｐ 、
Ｎ１−Ｗ−Ｐが好適である。
次にアセトンによりホトレジストを除去した後（第１図
（Ｃ））、沸酸によりＴＦＴアレイ端子部上のＳｉＯｘ
膜３をエツチングした。（第１図（ｄ））このＴＦＴア
レイ基板と対向電極基板の両方に所望の表示方式（ＴＮ
、 ＧＨ等〕に応した配向処理を行い、スペーサーを
介して、シール剤により、貼り合わせた後、液晶を注入
、封口して液晶ｉ？ネルとした。
（Ｃ））、沸酸によりＴＦＴアレイ端子部上のＳｉＯｘ
膜３をエツチングした。（第１図（ｄ））このＴＦＴア
レイ基板と対向電極基板の両方に所望の表示方式（ＴＮ
、 ＧＨ等〕に応した配向処理を行い、スペーサーを
介して、シール剤により、貼り合わせた後、液晶を注入
、封口して液晶ｉ？ネルとした。
本実施例においては、無電解メッキを行うに当り、塩化
スズ、塩化パラジウムの二液による前処理も可能である
。
スズ、塩化パラジウムの二液による前処理も可能である
。
第２図は、第１図とは異なる方向からみた液晶パネルの
断面図であり、段差部の側壁においても、均一厚の遮光
膜が形成され、そこでの光６の透過を防ぐことが出来る
。
断面図であり、段差部の側壁においても、均一厚の遮光
膜が形成され、そこでの光６の透過を防ぐことが出来る
。
（発明の効果）
以上の様に本発明によれば、無電解メッキにより、形成
した遮光膜は、段差部分においても一様な厚みを有する
為、遮光性に優れる。したがって最終的に表示品位のす
ぐれた液晶パネルを得る事が出来る。
した遮光膜は、段差部分においても一様な厚みを有する
為、遮光性に優れる。したがって最終的に表示品位のす
ぐれた液晶パネルを得る事が出来る。
又、メッキを用いる事により、工程時間の短縮、コスト
の低下が計れる。
の低下が計れる。
第１図と第２図とは本発明の詳細な説明図である。
１・・・ガラス基板、２・＝ ａ−８ｔ ＦＥＴ％
３ ＝・ＳｉＯｘ膜、４・・・遮光膜。 特許出願人 沖電気工業株式会社 第１図
３ ＝・ＳｉＯｘ膜、４・・・遮光膜。 特許出願人 沖電気工業株式会社 第１図
Claims (1)
- ａ−ＳｉＦＥＴアレイのパシベーション膜を形成した後
、無電解メッキによって所定の金属遮光膜を形成するこ
とを特徴とした液晶パネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61116277A JPS62273512A (ja) | 1986-05-22 | 1986-05-22 | 液晶パネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61116277A JPS62273512A (ja) | 1986-05-22 | 1986-05-22 | 液晶パネルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62273512A true JPS62273512A (ja) | 1987-11-27 |
Family
ID=14683088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61116277A Pending JPS62273512A (ja) | 1986-05-22 | 1986-05-22 | 液晶パネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62273512A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63144390A (ja) * | 1986-12-08 | 1988-06-16 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 表示装置の製造方法 |
| JPH01270026A (ja) * | 1988-04-22 | 1989-10-27 | Seiko Epson Corp | 薄膜パターンの形成方法 |
| JPH02251801A (ja) * | 1989-03-24 | 1990-10-09 | Nippon Paint Co Ltd | 基板上の機能性パターンの間隙に金属メッキ層を形成する方法 |
-
1986
- 1986-05-22 JP JP61116277A patent/JPS62273512A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63144390A (ja) * | 1986-12-08 | 1988-06-16 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 表示装置の製造方法 |
| JPH01270026A (ja) * | 1988-04-22 | 1989-10-27 | Seiko Epson Corp | 薄膜パターンの形成方法 |
| JPH02251801A (ja) * | 1989-03-24 | 1990-10-09 | Nippon Paint Co Ltd | 基板上の機能性パターンの間隙に金属メッキ層を形成する方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6798032B2 (en) | Metal film pattern and manufacturing method thereof | |
| US20060091392A1 (en) | Electrically conductive structure, method of forming the same, an array substrate using the electrically conductive structure and a liquid crystal display panel including the electrically conductive structure | |
| KR20000035725A (ko) | 액정표시소자 및 그 제조방법 | |
| US7491593B2 (en) | TFT array substrate and photo-masking method for fabricating same | |
| US4666078A (en) | Electroless plated terminals of display panel | |
| JPH043121A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JP3480697B2 (ja) | Ｃｏｇ型液晶表示装置の製造方法 | |
| JPS62273512A (ja) | 液晶パネルの製造方法 | |
| EP0735402A1 (en) | Method of manufacturing a multicolor liquid-crystal display unit | |
| EP0112946B1 (en) | Hermetic electro-optic display cell | |
| CN108666265B (zh) | 一种薄膜晶体管基板及其制备方法 | |
| JP2003051463A (ja) | 金属配線の製造方法およびその方法を用いた金属配線基板 | |
| CA2343386A1 (en) | Method for assembling metal printed conductors as electrodes on a channel plate for ultrawide flat screens | |
| JPH04232922A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JP2003213436A (ja) | 金属膜パターンおよびその製造方法 | |
| JPH04220625A (ja) | アクティブマトリクス液晶表示装置の製造方法 | |
| JPH0470613B2 (ja) | ||
| JP2945727B2 (ja) | 無電解めっき被膜のパターニング方法及び液晶表示素子の製造方法 | |
| JP3047183B2 (ja) | 液晶装置の製造方法 | |
| JPH01169811A (ja) | 電極構造 | |
| JPH0230385B2 (ja) | Mudenkaimetsukiho | |
| JPH09325349A (ja) | 液晶表示パネルおよびその製造方法 | |
| KR900001587B1 (ko) | 수직 배향형 액정표시소자 제작방법 | |
| JPH0263014A (ja) | 光透過型液晶表示体 | |
| JPH08179338A (ja) | 液晶表示パネルのめっき方法 |