JPH0470613B2 - - Google Patents
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- JPH0470613B2 JPH0470613B2 JP2416183A JP2416183A JPH0470613B2 JP H0470613 B2 JPH0470613 B2 JP H0470613B2 JP 2416183 A JP2416183 A JP 2416183A JP 2416183 A JP2416183 A JP 2416183A JP H0470613 B2 JPH0470613 B2 JP H0470613B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液晶パネルの端子部分のメタライズ法
に関するものである、配向処理と透明導電膜上へ
の選択メツキ前処理プロセスを組み合わせること
によつて端子部分のみにメツキしようとするもの
である。
に関するものである、配向処理と透明導電膜上へ
の選択メツキ前処理プロセスを組み合わせること
によつて端子部分のみにメツキしようとするもの
である。
近年液晶パネルの端子数の増加にともなつて、
安価でしかも信頼性の高い実装法が望まれてい
る。それには透明導電膜の端子部をメタライズし
フレキシブルテープを使つてハンダ付けする方法
が優れている。しかし従来透明導電膜上のメタラ
イズ法はスパツタリング、蒸着法等の真空法で基
板全面にCr−Au等を被覆し、フオトリングラフ
イーにより端子部分を除いて該金属被覆をエツチ
ング除去する方法をとつていたが真空法を使うた
めにコストが高い、フオト工程を通るため工数が
多く高コスト、又金等の貴金属のムダな消費が多
いといつた欠点を有し、液晶パネルコストを高価
なものにしていた。そこで本発明者は、無電解メ
ツキ法によりNi基合金を選択的に透明導電膜上
のみに形成し、端子部を除いてフオト法により
Ni基合金をエツチング除去する方法で大巾なコ
ストダウンができることを先に発明したが、本発
明はさらに簡易な方法により透明導電膜の端子部
のみに選択的にNi基合金を無電解メツキしよう
とするものである。すなわち無電解メツキプロセ
スの前処理工程と、液晶パネルの配向処理を組み
合わせることにより、端子部分のみにメツキがで
きることを見出し、本発明を生むに至つた。
安価でしかも信頼性の高い実装法が望まれてい
る。それには透明導電膜の端子部をメタライズし
フレキシブルテープを使つてハンダ付けする方法
が優れている。しかし従来透明導電膜上のメタラ
イズ法はスパツタリング、蒸着法等の真空法で基
板全面にCr−Au等を被覆し、フオトリングラフ
イーにより端子部分を除いて該金属被覆をエツチ
ング除去する方法をとつていたが真空法を使うた
めにコストが高い、フオト工程を通るため工数が
多く高コスト、又金等の貴金属のムダな消費が多
いといつた欠点を有し、液晶パネルコストを高価
なものにしていた。そこで本発明者は、無電解メ
ツキ法によりNi基合金を選択的に透明導電膜上
のみに形成し、端子部を除いてフオト法により
Ni基合金をエツチング除去する方法で大巾なコ
ストダウンができることを先に発明したが、本発
明はさらに簡易な方法により透明導電膜の端子部
のみに選択的にNi基合金を無電解メツキしよう
とするものである。すなわち無電解メツキプロセ
スの前処理工程と、液晶パネルの配向処理を組み
合わせることにより、端子部分のみにメツキがで
きることを見出し、本発明を生むに至つた。
本発明に用いられる液晶パネル基板としては、
ソーダガラス、パイレツクスガラス、石英ガラス
等の無機材料、フエノキシ樹脂、ポリエステル樹
脂、ポリエーテルサルフオン樹脂等の有機材料で
ある。このような基板上に酸化インジウム又はス
ズ等をドプしたITO、酸化スズ又はインジウム、
ハロゲン、アンチモン等をドープした透明導電膜
が、スパツタリング、蒸着法、CVD法等によつ
て被覆され後フオトリソグラフイーにより所定の
電極パターンにエツチングされる。
ソーダガラス、パイレツクスガラス、石英ガラス
等の無機材料、フエノキシ樹脂、ポリエステル樹
脂、ポリエーテルサルフオン樹脂等の有機材料で
ある。このような基板上に酸化インジウム又はス
ズ等をドプしたITO、酸化スズ又はインジウム、
ハロゲン、アンチモン等をドープした透明導電膜
が、スパツタリング、蒸着法、CVD法等によつ
て被覆され後フオトリソグラフイーにより所定の
電極パターンにエツチングされる。
次に透明導電膜上にのみ（ガラス上を除いて）
選択的にメツキ触媒を塗布する。選択的触媒塗布
は、HCl、ホウフツ酸、フツ酸等の酸にSn−Pd
コロイド又は錯体を溶解又は分解させた液に透明
導電膜付基板を浸漬することにより得られる。市
販されているものとしては、日立化成社製HS−
101Bである。ESCA分析の結果ガラス上にはSn
−Pd触媒は吸着していないことが確認できた。
次にメツキ促進剤に浸漬する工程に続く。この工
程はSn−Pdコロイド粒子のSnを溶解する工程で
あると言われているが、ホウフツ酸、NaOH、
KOH溶液等に浸漬することにより促進効果が得
られる。
選択的にメツキ触媒を塗布する。選択的触媒塗布
は、HCl、ホウフツ酸、フツ酸等の酸にSn−Pd
コロイド又は錯体を溶解又は分解させた液に透明
導電膜付基板を浸漬することにより得られる。市
販されているものとしては、日立化成社製HS−
101Bである。ESCA分析の結果ガラス上にはSn
−Pd触媒は吸着していないことが確認できた。
次にメツキ促進剤に浸漬する工程に続く。この工
程はSn−Pdコロイド粒子のSnを溶解する工程で
あると言われているが、ホウフツ酸、NaOH、
KOH溶液等に浸漬することにより促進効果が得
られる。
次に乾燥後、端子部を除いてパターン状に配向
剤が被覆される。被覆方法としてはマスク斜め蒸
着法、ポリイミド、ポリエーテルサルフオン、
BTレンジ等のオフセツト、凸版印刷法があげら
れる。この被膜の厚みは100Å〜5000Åが望まし
い。この配向剤は配向剤としての効果とメツキレ
ジストとしての働きをしなければならないことか
ら膜厚、材質等がおのずから決定される。あまり
薄いとピンホールが生じ配向性が劣るし、又メツ
キがピンホール内についてしまう。又厚すぎると
メツキレジストとしての効果は優れるが、配向剤
としては電圧ドロツプがおき駆動特性の劣化をも
たらす。望ましくは200〜2000Åである。このよ
うな材料をこのような方法で端子部を除くパター
ン状に形成した後、必要に応じて焼成させ被膜を
強化する。
剤が被覆される。被覆方法としてはマスク斜め蒸
着法、ポリイミド、ポリエーテルサルフオン、
BTレンジ等のオフセツト、凸版印刷法があげら
れる。この被膜の厚みは100Å〜5000Åが望まし
い。この配向剤は配向剤としての効果とメツキレ
ジストとしての働きをしなければならないことか
ら膜厚、材質等がおのずから決定される。あまり
薄いとピンホールが生じ配向性が劣るし、又メツ
キがピンホール内についてしまう。又厚すぎると
メツキレジストとしての効果は優れるが、配向剤
としては電圧ドロツプがおき駆動特性の劣化をも
たらす。望ましくは200〜2000Åである。このよ
うな材料をこのような方法で端子部を除くパター
ン状に形成した後、必要に応じて焼成させ被膜を
強化する。
次に無電解Ni基合金メツキ液に浸漬し端子部
分のみの透明導電膜上にメツキする。前工程で選
択的に透明導電膜上にのみメツキ触媒が塗布さ
れ、しかも端子部以外の透明導電膜は配向剤によ
つて被覆されているため、端子部のみにNi基合
金メツキがなされるわけである。ここで用いられ
るNi基合金メツキには、Ni−Ｐ，Ni−Ｂ，Ni−
Co−Ｐ，Ni−Cr−Ｐ，Ni−Fe−Ｐ，Ni−In−
Ｐ等があるが、Ni−Ｐメツキが密着性の点で優
れている。これらは必ずしも単独で使用する必要
はなく、例えば下地としてNi−Ｐ、上付けとし
てNi−Ｂというように組み合わせて使うことも
可能である。膜厚はハンダ付け性、すなわちハン
ダ食われ防止からして、1000Å以上10000Å以下
である。10000Å以上となると透明導電膜との密
着性が劣化する。望ましくは2000Å〜6000Åであ
る。メツキ後、メツキ被膜と透明導電膜との密着
性を向上させる目的で熱処理しても良い。100℃
以上500℃以下であり、高温となれば処理時間は
短かくしてすむ。200℃，15min，250℃，５〜
10min等が使用される。
分のみの透明導電膜上にメツキする。前工程で選
択的に透明導電膜上にのみメツキ触媒が塗布さ
れ、しかも端子部以外の透明導電膜は配向剤によ
つて被覆されているため、端子部のみにNi基合
金メツキがなされるわけである。ここで用いられ
るNi基合金メツキには、Ni−Ｐ，Ni−Ｂ，Ni−
Co−Ｐ，Ni−Cr−Ｐ，Ni−Fe−Ｐ，Ni−In−
Ｐ等があるが、Ni−Ｐメツキが密着性の点で優
れている。これらは必ずしも単独で使用する必要
はなく、例えば下地としてNi−Ｐ、上付けとし
てNi−Ｂというように組み合わせて使うことも
可能である。膜厚はハンダ付け性、すなわちハン
ダ食われ防止からして、1000Å以上10000Å以下
である。10000Å以上となると透明導電膜との密
着性が劣化する。望ましくは2000Å〜6000Åであ
る。メツキ後、メツキ被膜と透明導電膜との密着
性を向上させる目的で熱処理しても良い。100℃
以上500℃以下であり、高温となれば処理時間は
短かくしてすむ。200℃，15min，250℃，５〜
10min等が使用される。
次に前記有機配向剤の場合で水平配向が必要と
される場合にはラビング工程に入る。その後通常
の工程によつて液晶パネルが組み立てられる。液
晶注入、封止後、端子部には予備ハンダがされ
る。ハンダフローによる簡単に予備ハンダ可能で
ある。次に導体形成したポリイミド、ポリエステ
ル等のフレキシブルテープでハンダされた液晶パ
ネル端子を接続し実装する。この方法によれば50
〜100μｍピツチの端子をもつた液晶パネルの実
装が可能となり、ハイデユーテイ液晶パネル、
TFT，MIM等のアクテイブマトリクス液晶パネ
ル、さらには実装の信頼性を特に要求される自動
車用パネル等に適用できる。
される場合にはラビング工程に入る。その後通常
の工程によつて液晶パネルが組み立てられる。液
晶注入、封止後、端子部には予備ハンダがされ
る。ハンダフローによる簡単に予備ハンダ可能で
ある。次に導体形成したポリイミド、ポリエステ
ル等のフレキシブルテープでハンダされた液晶パ
ネル端子を接続し実装する。この方法によれば50
〜100μｍピツチの端子をもつた液晶パネルの実
装が可能となり、ハイデユーテイ液晶パネル、
TFT，MIM等のアクテイブマトリクス液晶パネ
ル、さらには実装の信頼性を特に要求される自動
車用パネル等に適用できる。
なおハンダの流れ性を向上させるため、及び抵
抗を下げる等の目的でNi基合金のトツプコート
として貴金属メツクを施すこともできる。貴金属
とはAu，Ag，Pt，Rh，Pd等であり、置換型無
電解メツキが可能でしかもメツキ中にNi基合金
を溶解してしまわないアルカリ浴が優れている。
例えば、日本エンゲルハルト社製Auメツキであ
るアトメツクスは有用である。貴金属の厚みは目
的からして50Å〜2000Åであり、望ましくは200
Å〜1000Åである。
抗を下げる等の目的でNi基合金のトツプコート
として貴金属メツクを施すこともできる。貴金属
とはAu，Ag，Pt，Rh，Pd等であり、置換型無
電解メツキが可能でしかもメツキ中にNi基合金
を溶解してしまわないアルカリ浴が優れている。
例えば、日本エンゲルハルト社製Auメツキであ
るアトメツクスは有用である。貴金属の厚みは目
的からして50Å〜2000Åであり、望ましくは200
Å〜1000Åである。
以下実施例により本発明を説明する。
実施例 １
パシベイシヨンを施したソーダガラス上に透明
導電膜であるITOを500ÅEB蒸着し、フオトリソ
グラフイーによりITOを、100μｍ端子ビツチを
もつようにエツチングパターニングした。レジス
ト剥離洗浄後、日立化成社製アクテイベイター
HS−101Bに１分間間浸漬し、水洗後メツキ促進
剤である1NNaOH中に２分間浸漬し、水洗乾燥
を行なつた。次に配向剤としてのポリイミドワニ
スをオフセツト印刷で端子部を除いて印刷した。
300℃で30分間焼成し、イミド環を形成させるよ
うに重合を行ない約300Åのポリイミド被膜を得
た。
導電膜であるITOを500ÅEB蒸着し、フオトリソ
グラフイーによりITOを、100μｍ端子ビツチを
もつようにエツチングパターニングした。レジス
ト剥離洗浄後、日立化成社製アクテイベイター
HS−101Bに１分間間浸漬し、水洗後メツキ促進
剤である1NNaOH中に２分間浸漬し、水洗乾燥
を行なつた。次に配向剤としてのポリイミドワニ
スをオフセツト印刷で端子部を除いて印刷した。
300℃で30分間焼成し、イミド環を形成させるよ
うに重合を行ない約300Åのポリイミド被膜を得
た。
次に無電解Ni−Ｐメツキ液であるカニゼン社
製Ｓ−680中で50℃、５分間メツキして約4000Å
のNi−Ｐ被膜を得た。Ni−Ｐ被膜はメツキ前後
処理工程によりITO上のみに触媒が選択的に塗布
されているため、及び端子部以外は配向剤兼メツ
キレジストとしてのポリイミドにより保護されい
るため、端子部のITO上のみに選択的に被覆され
た。次にNi−Ｐ被膜の密着性を向上させるため
250℃で15分間該基板を熱処理した。次に、綿布
により一定方向にラビングを行ない水平配向処理
を施した。このような基板を２枚用い上下基板と
して液晶パネルを組立て液晶封入、封止を行ない
完成パネルとした。次に低温ハンダバスに端子部
のみをフローさせて予備ハンダを行なつた。次
に、ポリイミドフレキシブルケーブルを用いて該
予備ハンダされた端子とハンダ付けを行なつた。
端子部のビール強度は120ｇ／mmで実用上何ら問
題のないピール強度を示した。本プロセスにより
必要な部分、すなわち端子部分のみに、何のフオ
ト工程も用いずにメタライズすることが可能とな
つた。これは今後増々増加する液晶高密度実装に
対して大巾なコストダウンと信頼性をもたらすこ
とにより工業的価値は非常に高い。
製Ｓ−680中で50℃、５分間メツキして約4000Å
のNi−Ｐ被膜を得た。Ni−Ｐ被膜はメツキ前後
処理工程によりITO上のみに触媒が選択的に塗布
されているため、及び端子部以外は配向剤兼メツ
キレジストとしてのポリイミドにより保護されい
るため、端子部のITO上のみに選択的に被覆され
た。次にNi−Ｐ被膜の密着性を向上させるため
250℃で15分間該基板を熱処理した。次に、綿布
により一定方向にラビングを行ない水平配向処理
を施した。このような基板を２枚用い上下基板と
して液晶パネルを組立て液晶封入、封止を行ない
完成パネルとした。次に低温ハンダバスに端子部
のみをフローさせて予備ハンダを行なつた。次
に、ポリイミドフレキシブルケーブルを用いて該
予備ハンダされた端子とハンダ付けを行なつた。
端子部のビール強度は120ｇ／mmで実用上何ら問
題のないピール強度を示した。本プロセスにより
必要な部分、すなわち端子部分のみに、何のフオ
ト工程も用いずにメタライズすることが可能とな
つた。これは今後増々増加する液晶高密度実装に
対して大巾なコストダウンと信頼性をもたらすこ
とにより工業的価値は非常に高い。
実施例 ２
実施例１において、液晶パネル完成後、液晶パ
ネルを日本エンゲルハルト社製アトメツクス無電
解Auメツキ液に浸漬して、端子部のNi−Ｐ被膜
上にのみ約300ÅぇのAuメツキを施した。実施例
１に比して、フラツタスなしでもハンダフローに
よる予備ハンダが可能であつた。
ネルを日本エンゲルハルト社製アトメツクス無電
解Auメツキ液に浸漬して、端子部のNi−Ｐ被膜
上にのみ約300ÅぇのAuメツキを施した。実施例
１に比して、フラツタスなしでもハンダフローに
よる予備ハンダが可能であつた。
実施例 ３
実施例１においてNi−Ｐメツキに続いて実施
例２のAuメツキを施した。同様に予備ハンダ時
のフラツクスは必要としなかつた。
例２のAuメツキを施した。同様に予備ハンダ時
のフラツクスは必要としなかつた。
実施例 ４
実施例１において、配向剤として垂直配向剤で
あるトリイソプロピルオキシモノステアリルチタ
ンを同様に端子部を除いて凸板印刷した。他は同
様にしてGHタイプ液晶パネルを作り、実装を行
なつた。100μピツチも何の問題もなく実装可能
であつた。
あるトリイソプロピルオキシモノステアリルチタ
ンを同様に端子部を除いて凸板印刷した。他は同
様にしてGHタイプ液晶パネルを作り、実装を行
なつた。100μピツチも何の問題もなく実装可能
であつた。
以上実施例により本発明を説明したが、本発明
により高密度パネルの実装コストが大幅にダウン
され、又信頼性もたかいことから工業的価値は大
なるものがある。本発明により得られた液晶パネ
ルは時計、電卓、テレビ、α−Ｎデイスプレイ等
に用いられる。
により高密度パネルの実装コストが大幅にダウン
され、又信頼性もたかいことから工業的価値は大
なるものがある。本発明により得られた液晶パネ
ルは時計、電卓、テレビ、α−Ｎデイスプレイ等
に用いられる。
なお、本発明は、液晶パネルへの適用として説
明したが、透明導電膜の端子を有するもの（例え
ば、電気泳動表示パネル、EL表示パネル等）に
も適用可能できる。
明したが、透明導電膜の端子を有するもの（例え
ば、電気泳動表示パネル、EL表示パネル等）に
も適用可能できる。
上述の如く、本発明によれば、端子部以外を配
向膜によりメツキレジストとして機能させて無電
解メツキするので、端子部に容易に無電解メツキ
被膜を形成することができる。さらに、この配向
膜はメツキレジストのみならず、配向膜としても
作用するため剥離する必要もない、したがつて、
製造工程が増加することなく、安定した量産製造
が実現できる。
向膜によりメツキレジストとして機能させて無電
解メツキするので、端子部に容易に無電解メツキ
被膜を形成することができる。さらに、この配向
膜はメツキレジストのみならず、配向膜としても
作用するため剥離する必要もない、したがつて、
製造工程が増加することなく、安定した量産製造
が実現できる。
Claims (1)
- １ 基板上に端子部および電極部がパターニング
形成された透明導電膜上にのみメツキ触媒を塗布
する工程と、該メツキ触媒が塗布された前記基板
をメツキ促進剤に浸漬する工程と、前記端子部を
除く前記基板上に配向膜を形成する工程と、該配
向膜が形成された基板を無電解Ni基合金メツキ
液に浸漬し前記端子部のみに無電解メツキする工
程とを少なくとも具備することを特徴とする液晶
パネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2416183A JPS59149326A (ja) | 1983-02-16 | 1983-02-16 | 液晶パネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2416183A JPS59149326A (ja) | 1983-02-16 | 1983-02-16 | 液晶パネルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59149326A JPS59149326A (ja) | 1984-08-27 |
| JPH0470613B2 true JPH0470613B2 (ja) | 1992-11-11 |
Family
ID=12130613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2416183A Granted JPS59149326A (ja) | 1983-02-16 | 1983-02-16 | 液晶パネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59149326A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0684546B2 (ja) * | 1984-10-26 | 1994-10-26 | 京セラ株式会社 | 電子部品 |
| JPS62238375A (ja) * | 1986-04-09 | 1987-10-19 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 携帯用時計ケースの製造方法 |
| JPH01116084A (ja) * | 1987-10-29 | 1989-05-09 | Seiko Instr & Electron Ltd | 透明導電膜パターンのめっき方法 |
| JPH01304427A (ja) * | 1988-06-02 | 1989-12-08 | Mitsubishi Electric Corp | 端子形成方法 |
| JPH03236477A (ja) * | 1990-02-13 | 1991-10-22 | Optrex Corp | 部分無電解めっき方法並びに電気光学装置及びその製造方法 |
| WO2004085705A1 (ja) * | 1993-03-25 | 2004-10-07 | Katsuhiro Takeuchi | 摺動材料 |
-
1983
- 1983-02-16 JP JP2416183A patent/JPS59149326A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59149326A (ja) | 1984-08-27 |
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