JPH01116084A - 透明導電膜パターンのめっき方法 - Google Patents
透明導電膜パターンのめっき方法Info
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- JPH01116084A JPH01116084A JP27394587A JP27394587A JPH01116084A JP H01116084 A JPH01116084 A JP H01116084A JP 27394587 A JP27394587 A JP 27394587A JP 27394587 A JP27394587 A JP 27394587A JP H01116084 A JPH01116084 A JP H01116084A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
- C23C18/1607—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/32—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、パネル上でICその他の素子を実装する液晶
パネルなどの表示用パネルのようなガラス等の透明絶縁
基板上の透明導電膜上のめっき方法に関するものである
。
パネルなどの表示用パネルのようなガラス等の透明絶縁
基板上の透明導電膜上のめっき方法に関するものである
。
従来、表示パネルのような透明導電膜上のめっきは、ア
ルカリ性脱脂剤による脱脂洗浄〜弱アルカリ性キレート
剤等による活性化〜スズ・パラジウムコロイド触媒液等
による触媒付与〜強酸性溶液等による触媒活性工程を経
ることによって透明導電膜とガラス等の透明絶縁基板と
にめっき選択性を付与し、その後に無電解めっきする方
法がとられている。
ルカリ性脱脂剤による脱脂洗浄〜弱アルカリ性キレート
剤等による活性化〜スズ・パラジウムコロイド触媒液等
による触媒付与〜強酸性溶液等による触媒活性工程を経
ることによって透明導電膜とガラス等の透明絶縁基板と
にめっき選択性を付与し、その後に無電解めっきする方
法がとられている。
従来から行われている透明絶縁基板上透明導電膜へのめ
っき方法は以上のようなめっき工程を経ているが、透明
絶縁基板の材質(例えば硬質ガラス等)によって選択性
の劣っためっきがなされるという問題点を有していた。
っき方法は以上のようなめっき工程を経ているが、透明
絶縁基板の材質(例えば硬質ガラス等)によって選択性
の劣っためっきがなされるという問題点を有していた。
前記の選択性現出作用は、透明絶縁基板と透明導電膜に
付与されたスズ・パラジウムの触媒層を触媒活性工程の
強酸性溶液によってパラジウムを還元し、金属パラジウ
ムとして表面に付着させる。このとき、ガラス等透明絶
縁基板は強酸性溶液によって徐々に溶は出し、ガラス等
透明絶縁基板上に付着したパラジウムが除去されること
によって透明導電膜との触媒吸着に差をつけてめっきが
つきやすいようにしたものである。したがって、ガラス
等透明絶縁基板の材質が違えば、耐酸性に差を生じ、そ
れがめつき選択性に問題点を生じる結果となっている。
付与されたスズ・パラジウムの触媒層を触媒活性工程の
強酸性溶液によってパラジウムを還元し、金属パラジウ
ムとして表面に付着させる。このとき、ガラス等透明絶
縁基板は強酸性溶液によって徐々に溶は出し、ガラス等
透明絶縁基板上に付着したパラジウムが除去されること
によって透明導電膜との触媒吸着に差をつけてめっきが
つきやすいようにしたものである。したがって、ガラス
等透明絶縁基板の材質が違えば、耐酸性に差を生じ、そ
れがめつき選択性に問題点を生じる結果となっている。
本発明は、以上のような従来の問題点に鑑みてなされた
もので、ファン化合物を含有した無電解ニッケルめっき
液を用いてめっきすることによって、選択性不良を防止
することを目的としている。
もので、ファン化合物を含有した無電解ニッケルめっき
液を用いてめっきすることによって、選択性不良を防止
することを目的としている。
めっき液にファン化合物が含まれていれば5、めっきす
ると同時に透明導電膜にはめっきがなされるが、ガラス
等透明絶縁基板はソフトエッチされる作用を有しためっ
きができる。
ると同時に透明導電膜にはめっきがなされるが、ガラス
等透明絶縁基板はソフトエッチされる作用を有しためっ
きができる。
本発明の作用機構をさらに詳述すると以下の如くである
。被めっき物は、脱脂洗浄〜表面活性化〜触媒付与〜触
媒活性(アクセレーター液)を経ることによってガラス
等絶縁基板の表面がソフトエッチされ、凹凸状となる。
。被めっき物は、脱脂洗浄〜表面活性化〜触媒付与〜触
媒活性(アクセレーター液)を経ることによってガラス
等絶縁基板の表面がソフトエッチされ、凹凸状となる。
ここで選択性に問題が出るところは、エツチングされて
いない凸部でこれがそのままめっき工程に持ちこまれて
めっきされることになる0本発明ではこの状態をすみや
かに取り除く方法として、凸部頂点がめっきされてもめ
っき液中のフッソ化合物によって凸部断面(側面)から
エツチングしていくことによって、結局はガラス等絶縁
基板部にめっきがつかないようにしたものである。つま
り、ガラス等絶縁基板部分にめっきがついてもサイドエ
ッチ作用で取り除かれることによる選択性作用を有した
めっき方法である。
いない凸部でこれがそのままめっき工程に持ちこまれて
めっきされることになる0本発明ではこの状態をすみや
かに取り除く方法として、凸部頂点がめっきされてもめ
っき液中のフッソ化合物によって凸部断面(側面)から
エツチングしていくことによって、結局はガラス等絶縁
基板部にめっきがつかないようにしたものである。つま
り、ガラス等絶縁基板部分にめっきがついてもサイドエ
ッチ作用で取り除かれることによる選択性作用を有した
めっき方法である。
次に本発明による実施例を説明する。前処理工程は、従
来の工程と同様にアルカリ性脱脂剤による脱脂洗浄〜弱
アルカリ性キレート削等による活性化〜スズ・パラジウ
ムコロイド触媒等による触媒付与〜強酸性溶液等による
触媒活性工程を経た後にファン化合物無電解ニッケルめ
っき液にて透明導電膜上にめっきを施す、この時用いた
前処理液は、奥野製薬■製のITOクリーナ、ITO活
性化液、ITOソルト剤、ITOキャタリスト液、IT
Oアクセレーター液である。また、フッソ化合物含有無
電解めっき液の組成は、下記の如くである。
来の工程と同様にアルカリ性脱脂剤による脱脂洗浄〜弱
アルカリ性キレート削等による活性化〜スズ・パラジウ
ムコロイド触媒等による触媒付与〜強酸性溶液等による
触媒活性工程を経た後にファン化合物無電解ニッケルめ
っき液にて透明導電膜上にめっきを施す、この時用いた
前処理液は、奥野製薬■製のITOクリーナ、ITO活
性化液、ITOソルト剤、ITOキャタリスト液、IT
Oアクセレーター液である。また、フッソ化合物含有無
電解めっき液の組成は、下記の如くである。
+11 クエン酸ニッケル 25g/L(2)
次亜リン酸ソーダ 25 g / t。
次亜リン酸ソーダ 25 g / t。
(3) ピロリン酸ソーダ 50 g / L
(4)弗化アンモニウム(酸性)Log/L(5)
リン酸 10g/L上記めっき液を下
記条件にてめっきした。
(4)弗化アンモニウム(酸性)Log/L(5)
リン酸 10g/L上記めっき液を下
記条件にてめっきした。
(11P H−9〜10
(2) めっき温度 50〜60℃
〔発明の効果〕
本発明は、従来の前処理工程にファン化合物含有の無電
解ニッケルめっき液で、めっき選択性が出しにくいガラ
ス等透明絶縁基板上透明導電膜のめっきを容易にした。
解ニッケルめっき液で、めっき選択性が出しにくいガラ
ス等透明絶縁基板上透明導電膜のめっきを容易にした。
このように、本発明によるめっき方法は今までの処理方
法をすべて新規なものに替えることなく、めっき液のみ
ガラス等絶縁基板の材質に応じて替えれば容易にめっき
できることが可能になった0本発明は従来のガラス等透
明絶縁基板上の透明導電膜へのめっき方法に替わる新技
術であり、工業的価値は極めて大きいものである。
法をすべて新規なものに替えることなく、めっき液のみ
ガラス等絶縁基板の材質に応じて替えれば容易にめっき
できることが可能になった0本発明は従来のガラス等透
明絶縁基板上の透明導電膜へのめっき方法に替わる新技
術であり、工業的価値は極めて大きいものである。
以上
出願人 セイコー電子工業株式会社
Claims (1)
- ガラス上の透明導電膜パターンに触媒処理を施した後、
フッソ化合物を含有した無電解ニッケルめっき液でめっ
きしたことを特徴とした透明導電膜パターンのめっき方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27394587A JPH01116084A (ja) | 1987-10-29 | 1987-10-29 | 透明導電膜パターンのめっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27394587A JPH01116084A (ja) | 1987-10-29 | 1987-10-29 | 透明導電膜パターンのめっき方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01116084A true JPH01116084A (ja) | 1989-05-09 |
Family
ID=17534759
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27394587A Pending JPH01116084A (ja) | 1987-10-29 | 1987-10-29 | 透明導電膜パターンのめっき方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01116084A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59149326A (ja) * | 1983-02-16 | 1984-08-27 | Seiko Epson Corp | 液晶パネルの製造方法 |
-
1987
- 1987-10-29 JP JP27394587A patent/JPH01116084A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59149326A (ja) * | 1983-02-16 | 1984-08-27 | Seiko Epson Corp | 液晶パネルの製造方法 |
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