JPS59113169A - 液晶パネルの部分メツキ方法 - Google Patents
液晶パネルの部分メツキ方法Info
- Publication number
- JPS59113169A JPS59113169A JP22447482A JP22447482A JPS59113169A JP S59113169 A JPS59113169 A JP S59113169A JP 22447482 A JP22447482 A JP 22447482A JP 22447482 A JP22447482 A JP 22447482A JP S59113169 A JPS59113169 A JP S59113169A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- transparent electrode
- liquid crystal
- crystal panel
- lead terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
- H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明に液晶パネルの部分メッキ万沃に関するものであ
り、荷に配同剤ｔメッキマスキング剤として透明電極の
必要部分のみにメッキすることｔ時似としたものである
。
り、荷に配同剤ｔメッキマスキング剤として透明電極の
必要部分のみにメッキすることｔ時似としたものである
。
最低、液晶のダイナミックマージンの同上にともなって
電極パターンピッチが１００μ程度の液晶テレビ、コン
ピューター用α−Ｎパネル等が出現するに至っている。
電極パターンピッチが１００μ程度の液晶テレビ、コン
ピューター用α−Ｎパネル等が出現するに至っている。
従来ば液晶ノくネルと回路基板の接続方法として導電ゴ
ムｒ′改った方式、コネクタービンによる方式等がある
がこのようなピッチ間隔には適応できない。偏傾性が悪
いといった欠点２有していた。このような欠点を解決す
る方法として液晶パネルと回路基ａをポリイミド、ポリ
エステル等のフレキシブルテープで接続する方式が考え
られている、このフレキシブル方式においても従来のフ
ィルムの熱融着方式ではこのようなピッチ間隔にば感応
できなくて、フレキシブルテープの２８Ｘ部會パ洋ルの
透明電極と直微接続する方法が必要となってきている、
このためには透明電極ヶハンダメタライズする必要があ
る。ハンダメタライズに先立って透明電極上に密層の良
い金属で被覆しておく必要性がある。このような金属と
して従来ｒ、Ｋ Ｃｒ −Ａ ｕ等がスパッタ、蒸層等
で破覆さｎていたが、真空装置は被覆コストが画い、又
リードパターン状にエツチングしなければならない等の
欠点音響している。そこで本発明者は無電解Ｎ１基合金
等接合用金ｍ會透明電極の上に選択的にメッキしてこの
ような目的ｒ達することケ発明したが、災際に必要なリ
ード部のみにメッキすることはパネル完成体（液晶の入
った状態）でのみ可能であつｆｃ（Ｎｉ＆合金のエツチ
ング會行なわないこと？前提として）、、メッキされた
ニッケル基合金の透明電極への密層性′に胃めるために
は少なくとも１２０℃以上で数時間以上の熱処理全必要
とすること〃為ら、完成体ではパネルのエイジングが進
んでしまい実用的でない。そこで本発明者は透明電極上
のしかもリード部のみにＮ１基合金など接合合金ｔパネ
ルにダメージ２与えることなくメッキする方法として、
配向剤がメッキ用のマスキング剤と兼用して用いられる
こと？発見し本発明を生むに至った。しかるに不発明の
目的は透明電極のリード部のみにハンダメタライズの下
付けとして選択的にＮ１基合金’に’＃ｆ良く、安価に
得る方法ｒ得ることにある、 本発明に用いられる液晶パネル用基板としてはガラス、
プラスチック等であり、透明電極としてｒｓｅ化スズ系
、酸化インジウム系が′フオトプロセスケ用いてパター
ニングされ用いられる。このようなパターニングされた
透明電惨付き基板に、リード都欠除いて配向剤がパター
ン状に塗布される。
ムｒ′改った方式、コネクタービンによる方式等がある
がこのようなピッチ間隔には適応できない。偏傾性が悪
いといった欠点２有していた。このような欠点を解決す
る方法として液晶パネルと回路基ａをポリイミド、ポリ
エステル等のフレキシブルテープで接続する方式が考え
られている、このフレキシブル方式においても従来のフ
ィルムの熱融着方式ではこのようなピッチ間隔にば感応
できなくて、フレキシブルテープの２８Ｘ部會パ洋ルの
透明電極と直微接続する方法が必要となってきている、
このためには透明電極ヶハンダメタライズする必要があ
る。ハンダメタライズに先立って透明電極上に密層の良
い金属で被覆しておく必要性がある。このような金属と
して従来ｒ、Ｋ Ｃｒ −Ａ ｕ等がスパッタ、蒸層等
で破覆さｎていたが、真空装置は被覆コストが画い、又
リードパターン状にエツチングしなければならない等の
欠点音響している。そこで本発明者は無電解Ｎ１基合金
等接合用金ｍ會透明電極の上に選択的にメッキしてこの
ような目的ｒ達することケ発明したが、災際に必要なリ
ード部のみにメッキすることはパネル完成体（液晶の入
った状態）でのみ可能であつｆｃ（Ｎｉ＆合金のエツチ
ング會行なわないこと？前提として）、、メッキされた
ニッケル基合金の透明電極への密層性′に胃めるために
は少なくとも１２０℃以上で数時間以上の熱処理全必要
とすること〃為ら、完成体ではパネルのエイジングが進
んでしまい実用的でない。そこで本発明者は透明電極上
のしかもリード部のみにＮ１基合金など接合合金ｔパネ
ルにダメージ２与えることなくメッキする方法として、
配向剤がメッキ用のマスキング剤と兼用して用いられる
こと？発見し本発明を生むに至った。しかるに不発明の
目的は透明電極のリード部のみにハンダメタライズの下
付けとして選択的にＮ１基合金’に’＃ｆ良く、安価に
得る方法ｒ得ることにある、 本発明に用いられる液晶パネル用基板としてはガラス、
プラスチック等であり、透明電極としてｒｓｅ化スズ系
、酸化インジウム系が′フオトプロセスケ用いてパター
ニングされ用いられる。このようなパターニングされた
透明電惨付き基板に、リード都欠除いて配向剤がパター
ン状に塗布される。
この樵の配向剤としては、ポリイミド、ポリエーテルサ
ルフオン、エポキシ、ポリエステル寺の比較的耐熱性の
良い樹脂のモノマー又はオリゴマーをオフセット印刷、
タコ印刷、スクリーン印刷。
ルフオン、エポキシ、ポリエステル寺の比較的耐熱性の
良い樹脂のモノマー又はオリゴマーをオフセット印刷、
タコ印刷、スクリーン印刷。
凸版印刷寺の手段で被膜する。エポキシシラン。
アミノシラン、テトラアルキルケタネート等の金属アル
コキサイドの単独又は混合されたものが前記印刷に適す
る状態にアレンジされて用いることができる。塗布後熱
重合し配向膜を得るが、値合抜の膜厚としては５０入〜
１ｓｏｏＸが望筐しい。
コキサイドの単独又は混合されたものが前記印刷に適す
る状態にアレンジされて用いることができる。塗布後熱
重合し配向膜を得るが、値合抜の膜厚としては５０入〜
１ｓｏｏＸが望筐しい。
５０Ｘ以下ではピンホールが生じ依工程のメッキのレジ
ストとして十分にｍｖｈない。又１５００Ｘ以上になる
と液晶パネルの電気特注（ダイナミックマージン）が著
しく低下する。この工つな配向剤兼メツキレシストは従
来の液晶の配回性能の他にＮ１基合金の無電解メッキプ
ロセスに十分耐えるだけの耐醒注、耐アルカリ注ｒ具漏
しなければならない。Ｃのような点刀１らポリイミドは
浚れている。
ストとして十分にｍｖｈない。又１５００Ｘ以上になる
と液晶パネルの電気特注（ダイナミックマージン）が著
しく低下する。この工つな配向剤兼メツキレシストは従
来の液晶の配回性能の他にＮ１基合金の無電解メッキプ
ロセスに十分耐えるだけの耐醒注、耐アルカリ注ｒ具漏
しなければならない。Ｃのような点刀１らポリイミドは
浚れている。
このように配向剤がパターン状に塗布された基板は透明
′電極上にのみメッキされるよう前処理しｆＣ，後Ｎ１
基合金の無電解メッキ浴に入れられる。
′電極上にのみメッキされるよう前処理しｆＣ，後Ｎ１
基合金の無電解メッキ浴に入れられる。
Ｎ１基合金としてはＮ１−Ｐ、 Ｎ ｉ−Ｂ、 Ｎ１−
Ｃｏ−Ｐ。
Ｃｏ−Ｐ。
Ｎ１−Ｉｎ−Ｐ、 Ｎ１−Ｆｅ−Ｐ等々でありこれらは
単独に又は２層メッキとして用いられる。ガラス上の透
明電極の密着性の良さからしてＮ１−Ｐが一番優れてい
る。又膜厚μｍ０００Ｘ〜６０００Ｘが適する。６ｏｏ
ｏＸｙ越えると密着の低下ヶもたらす。基板上の透明電
極上のみへの選択付与方法としてＵＳｉＯｊｔセンシタ
イジング、 ＩＦｄＯｊ、アクティベイティング後、基
板１ｚ ＮａＯＨ，ＫＯＨ，ホウ７ツ化カリウム、Ｐａ
０ｊｆｆｉ等の水浴液に浸漬することにより得られる。
単独に又は２層メッキとして用いられる。ガラス上の透
明電極の密着性の良さからしてＮ１−Ｐが一番優れてい
る。又膜厚μｍ０００Ｘ〜６０００Ｘが適する。６ｏｏ
ｏＸｙ越えると密着の低下ヶもたらす。基板上の透明電
極上のみへの選択付与方法としてＵＳｉＯｊｔセンシタ
イジング、 ＩＦｄＯｊ、アクティベイティング後、基
板１ｚ ＮａＯＨ，ＫＯＨ，ホウ７ツ化カリウム、Ｐａ
０ｊｆｆｉ等の水浴液に浸漬することにより得られる。
このようにしてリード部のみに選択的にメッキさｔ’し
たＮｉ、４ｉ合金付基板は熱処理によって＠層性の向上
がほかられるｎ １２０℃〜４００℃が良いが、低温程
所費時間會必蒙とし１ｔＱ℃では数時間荀必要とする。
たＮｉ、４ｉ合金付基板は熱処理によって＠層性の向上
がほかられるｎ １２０℃〜４００℃が良いが、低温程
所費時間會必蒙とし１ｔＱ℃では数時間荀必要とする。
２５０℃では１０分〜３０分で ５−
ある。ｄＬＪＯ’ｃ以上ではＮ１基付金の再結晶により
体積変化が著しいので〃＼えって密層性の低下をもたら
す。
体積変化が著しいので〃＼えって密層性の低下をもたら
す。
このように督眉注勿同上させた配向削性きＩＪ−ド端子
メッキ基取は水平配量のだめのラビングが行なわれる。
メッキ基取は水平配量のだめのラビングが行なわれる。
通常綿布、サラン等で一尼万同にこすることにより水平
配量が得られる。このように配回処理された基板は虐定
の工程で組立てられ液晶パネルとなる。結果的にシール
の外側に形成されたリード部のＮ１基合金上に、ハンダ
ティップによりハンダメタライズされる。その佐フレキ
シブルテープの導路がこのようなハンダ部に直接接続さ
れることになる。
配量が得られる。このように配回処理された基板は虐定
の工程で組立てられ液晶パネルとなる。結果的にシール
の外側に形成されたリード部のＮ１基合金上に、ハンダ
ティップによりハンダメタライズされる。その佐フレキ
シブルテープの導路がこのようなハンダ部に直接接続さ
れることになる。
不発明の配向膜はラビングにより配向するものの他、斜
め焦眉によって形成してもよい。この場合、基板上のリ
ード端子部にレジストに塗布し、し〃≧るのち中央側に
８１０２等勿斜め蒸潰し、次に前記レジストを剥離して
刀≧ら、前述のように無′亀解メッキｋｍしてリード端
子上にメッキ物勿形成してもよい。あるいは、垂直配回
するものでもよｂ− く、ラビング、斜め蒸着には眠らないものである。
め焦眉によって形成してもよい。この場合、基板上のリ
ード端子部にレジストに塗布し、し〃≧るのち中央側に
８１０２等勿斜め蒸潰し、次に前記レジストを剥離して
刀≧ら、前述のように無′亀解メッキｋｍしてリード端
子上にメッキ物勿形成してもよい。あるいは、垂直配回
するものでもよｂ− く、ラビング、斜め蒸着には眠らないものである。
又、無電解メッキはＮ１基合金以外でもよい。
以下実施例に従って本発明を説明する。
実施例１
ソーダガラス基板上に約１ｏｏｏＸのＳｉｎ、バシベイ
ション？施し、次にＫＢ蒸盾により５モル係酸化スズ紫
ドープし′ｆｃ、酸化インジウム透明電極？約５００Ｘ
全而破覆した。次に所定のフォト工程により１０８μピ
ツチのリード電極ケ有するストライブ状電極にエツチン
グ形成した。次に第１図のごとくパターン状に東し＠製
ポリイミドフェスｆ ５００ 入の厚みにオフセット印
刷した後２５０℃で１時間焼成した。第１図において１
はガラス基板、２に透明電極である酸化インジウムであ
リリード部？示す。３ｒｒ、ポリイミド配向剤２示す。
ション？施し、次にＫＢ蒸盾により５モル係酸化スズ紫
ドープし′ｆｃ、酸化インジウム透明電極？約５００Ｘ
全而破覆した。次に所定のフォト工程により１０８μピ
ツチのリード電極ケ有するストライブ状電極にエツチン
グ形成した。次に第１図のごとくパターン状に東し＠製
ポリイミドフェスｆ ５００ 入の厚みにオフセット印
刷した後２５０℃で１時間焼成した。第１図において１
はガラス基板、２に透明電極である酸化インジウムであ
リリード部？示す。３ｒｒ、ポリイミド配向剤２示す。
次に１チＨＯ１中に５ｎＯＪ、τ１ ｆ ／ ｌ溶解し
た液中する。次に水洗浄＆、１ ｔ／ＩのＰｅＬＯ１２
に基板ヶ２分間浸漬してアクティペイティングする。水
洗後Ｉ Ｎ Ｎ２０Ｈ中に１分３０秒浸債し、 水洗後
Ｎ１−Ｐメッキ敢であるカニゼン社、７８６８０浴液（
１１５℃）に１０分間浸漬してａｏｏｏＡのＮ１−Ｐメ
ツキケ第１図のリード部２上にのみ施す。
た液中する。次に水洗浄＆、１ ｔ／ＩのＰｅＬＯ１２
に基板ヶ２分間浸漬してアクティペイティングする。水
洗後Ｉ Ｎ Ｎ２０Ｈ中に１分３０秒浸債し、 水洗後
Ｎ１−Ｐメッキ敢であるカニゼン社、７８６８０浴液（
１１５℃）に１０分間浸漬してａｏｏｏＡのＮ１−Ｐメ
ツキケ第１図のリード部２上にのみ施す。
このような工程２辿った基板ケ第２図に示す、図のよう
に３なる配向剤はメッキ用マスクとしての働き會し透明
電悼２のうちリード部のＡ部分のみにメッキがなされる
。次に第２図の基板を２５０℃で３０分熱処理する。冷
却侯すラシにて１定万同に基板上の全曲會ラビングする
ことにより水平配向性を付与する。次にこのような基板
？上下２枚用いて液晶パネル？第３図のごとく組立てる
。
に３なる配向剤はメッキ用マスクとしての働き會し透明
電悼２のうちリード部のＡ部分のみにメッキがなされる
。次に第２図の基板を２５０℃で３０分熱処理する。冷
却侯すラシにて１定万同に基板上の全曲會ラビングする
ことにより水平配向性を付与する。次にこのような基板
？上下２枚用いて液晶パネル？第３図のごとく組立てる
。
５はギヤツブ剤ケ含むシール材、６は液晶である。
次にパネル１１２０℃にいったん加温して〃＼らハンダ
バス中にリード部Ａｆｆｌｌのみｆイブしてハンダメタ
ライズする。次にフレキ／プルテープ２用いて、テープ
の４通都とリード部４上のハンダ部と２ハンダを溶かす
ことにより接続する。このようにしてパネルと回路基板
の実装が可能となる、このようにして表遺した液晶パネ
ルは実装の信頼性及び１００μピツチ以下の尚密度配線
にも十分対重６できる。又配向剤のメッキプロセスによ
るダメージが心配されたが、１１０℃５００ ｈｒ、
６０℃９０％５００ ｈｒの高温及び高温恒湿加速試験
においても何ら問題がおこらなかった。このプロセスは
液晶パネルの尚密度配線勿安価に製造できるプロセスで
ありその工業的価値は多大である。
バス中にリード部Ａｆｆｌｌのみｆイブしてハンダメタ
ライズする。次にフレキ／プルテープ２用いて、テープ
の４通都とリード部４上のハンダ部と２ハンダを溶かす
ことにより接続する。このようにしてパネルと回路基板
の実装が可能となる、このようにして表遺した液晶パネ
ルは実装の信頼性及び１００μピツチ以下の尚密度配線
にも十分対重６できる。又配向剤のメッキプロセスによ
るダメージが心配されたが、１１０℃５００ ｈｒ、
６０℃９０％５００ ｈｒの高温及び高温恒湿加速試験
においても何ら問題がおこらなかった。このプロセスは
液晶パネルの尚密度配線勿安価に製造できるプロセスで
ありその工業的価値は多大である。
実施例２
実施例１において配向剤３としてエポキシシラン５係、
テトラオクチルチタネート５％のブチルセルソルブ溶媒
でオフセット印刷するも同様の結果が得られた、 実施例５ 実施例１において６のコーティング及びパターニングに
フォト工程紫用いた。つまりＤＭＦに５％溶解したビス
マレイミドモノマー？基板１上の全曲に塗布し、口Ｖキ
ュアーによりマスク露光。
テトラオクチルチタネート５％のブチルセルソルブ溶媒
でオフセット印刷するも同様の結果が得られた、 実施例５ 実施例１において６のコーティング及びパターニングに
フォト工程紫用いた。つまりＤＭＦに５％溶解したビス
マレイミドモノマー？基板１上の全曲に塗布し、口Ｖキ
ュアーによりマスク露光。
現像全行ない３の形状にバターニングして配向剤とした
。このように光硬化型のポリイミド配向剤を用い同様の
プロセスで液晶パネルを組立てた。
。このように光硬化型のポリイミド配向剤を用い同様の
プロセスで液晶パネルを組立てた。
結果は実施例１と同様であった。
９ 一
実施例４
実施例１においてメッキ選択性付与剤としてＮａＯＨの
代わｐに、１０％のホウフッ化ナトリウム水浴ｇｔ用い
た。結果は同様であった。
代わｐに、１０％のホウフッ化ナトリウム水浴ｇｔ用い
た。結果は同様であった。
実施例５
実施例１においてメッキ恢の焼成として２００℃１ｈｒ
ｋ選んだ。結果に同様であった。
ｋ選んだ。結果に同様であった。
以上実施例に従って説明したが本発明の液晶パネル製造
及び実装に与える工業的価値は非常に太きい。このプロ
セスに液晶パネル以外にもＥＣ１ＫＬ、ＷＰより、プラ
ズマディスプレイ等にも応用可能なことに言う１でもな
い。このようにして使われた製品に、時計、電卓、コン
ピューター。
及び実装に与える工業的価値は非常に太きい。このプロ
セスに液晶パネル以外にもＥＣ１ＫＬ、ＷＰより、プラ
ズマディスプレイ等にも応用可能なことに言う１でもな
い。このようにして使われた製品に、時計、電卓、コン
ピューター。
自動車用等のディスプレイとして広く用いられる。
第１図・・・不発明の液晶パネルの電極リード部の拡大
図 第２図・・・同上 第３図・・・不発明により得られた液晶パネルの断一様
さ 面図 以 上 １１− １００μ
図 第２図・・・同上 第３図・・・不発明により得られた液晶パネルの断一様
さ 面図 以 上 １１− １００μ
Claims (1)
- 液晶パネルの透明電極付基板上のリード端子部以外に配
向剤？パターン状に形成し、この配向剤ｔメッキ用マス
クとしてリード端子となる透明電極上のみに選択的に部
分メッキすること’に′＃徴とする液晶パネルの部分メ
ッキ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22447482A JPS59113169A (ja) | 1982-12-21 | 1982-12-21 | 液晶パネルの部分メツキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22447482A JPS59113169A (ja) | 1982-12-21 | 1982-12-21 | 液晶パネルの部分メツキ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59113169A true JPS59113169A (ja) | 1984-06-29 |
Family
ID=16814357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22447482A Pending JPS59113169A (ja) | 1982-12-21 | 1982-12-21 | 液晶パネルの部分メツキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59113169A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03236477A (ja) * | 1990-02-13 | 1991-10-22 | Optrex Corp | 部分無電解めっき方法並びに電気光学装置及びその製造方法 |
-
1982
- 1982-12-21 JP JP22447482A patent/JPS59113169A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03236477A (ja) * | 1990-02-13 | 1991-10-22 | Optrex Corp | 部分無電解めっき方法並びに電気光学装置及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6664484B2 (en) | Components with releasable leads | |
| US5591480A (en) | Method for fabricating metallization patterns on an electronic substrate | |
| US4666078A (en) | Electroless plated terminals of display panel | |
| US4478690A (en) | Method of partially metallizing electrically conductive non-metallic patterns | |
| US4824693A (en) | Method for depositing a solderable metal layer by an electroless method | |
| JPS59113169A (ja) | 液晶パネルの部分メツキ方法 | |
| US7076868B2 (en) | Wiring circuit board having bumps and method of producing same | |
| JPH0283533A (ja) | 液晶表示装置及びそれに用いる電極基板 | |
| JPH0470613B2 (ja) | ||
| JPH04267597A (ja) | フレキシブルプリント配線板の製造方法 | |
| JPS60245781A (ja) | 透明導電膜パタ−ン上へのめつき方法 | |
| JP2562273B2 (ja) | 銅メッキファインピッチコネクタ部材の製造方法 | |
| JPH0158489B2 (ja) | ||
| JPS60245782A (ja) | 透明導電膜パタ−ン上へのめつき方法 | |
| JPH0470612B2 (ja) | ||
| JPH0437967B2 (ja) | ||
| JPS60141874A (ja) | 無電解メツキ方法 | |
| JP2001168147A (ja) | 電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法 | |
| JPH0656861B2 (ja) | 基板間接続子の製造法 | |
| JPH01169811A (ja) | 電極構造 | |
| JPH0372985B2 (ja) | ||
| JP2003156759A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPS61179487A (ja) | 液晶表示パネル | |
| JPS63190268A (ja) | フイルム状コネクタおよびその製造方法 | |
| JPH02250211A (ja) | 透明導電膜配線回路基板 |