JPS60141874A - 無電解メツキ方法 - Google Patents
無電解メツキ方法Info
- Publication number
- JPS60141874A JPS60141874A JP25119683A JP25119683A JPS60141874A JP S60141874 A JPS60141874 A JP S60141874A JP 25119683 A JP25119683 A JP 25119683A JP 25119683 A JP25119683 A JP 25119683A JP S60141874 A JPS60141874 A JP S60141874A
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- JP
- Japan
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- electroless plating
- film
- plating
- etching
- substrate
- Prior art date
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- Granted
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
- C23C18/22—Roughening, e.g. by etching
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
- H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は酸化インジウムあるいは酢化スズからなる透明
導伝膜上に、密着よく無電解メッキ被膜を形成する方法
に関している。
導伝膜上に、密着よく無電解メッキ被膜を形成する方法
に関している。
透明導伝膜上に無電解メッキ被膜を形成する場合・次の
２つの前処理方法があった。
２つの前処理方法があった。
１）ＳｎＯｌ、溶液に浸漬するセンシタイジング、その
後、Ｐａ（１，溶液に浸漬するアクティベイティングの
前処理である０センシタイジングに於ては、基板上にス
ズの２価イオンを吸着させ、アクティベイティングに於
ては、スズの２価イオンとパラジウムの２価イオンを反
応させて、金属パラジウムを析出させる方法である。
後、Ｐａ（１，溶液に浸漬するアクティベイティングの
前処理である０センシタイジングに於ては、基板上にス
ズの２価イオンを吸着させ、アクティベイティングに於
ては、スズの２価イオンとパラジウムの２価イオンを反
応させて、金属パラジウムを析出させる方法である。
また、
−）としては、５ｎＯｆｆｉ２ とＰ ｄ ｃ Ｑ、の
６液を混合することによって調整される触媒液も開発実
用化されている◇このタイプの触媒液を使用すると、ガ
ラス、石英、水晶等にはまったく無電解メッキをするこ
とができないが、ガラス、石英、水晶等に金属酸化物被
膜（透明導伝膜はこの中の１種である）を形成すること
で、無電解メッキが可能となる現象を本発明者は以前に
発見している。
６液を混合することによって調整される触媒液も開発実
用化されている◇このタイプの触媒液を使用すると、ガ
ラス、石英、水晶等にはまったく無電解メッキをするこ
とができないが、ガラス、石英、水晶等に金属酸化物被
膜（透明導伝膜はこの中の１種である）を形成すること
で、無電解メッキが可能となる現象を本発明者は以前に
発見している。
これによって、ガラス、水晶９石英等上にパターンをも
った金属酸化物被膜を形成し、５ｎＯｆｉ、。
った金属酸化物被膜を形成し、５ｎＯｆｉ、。
ｐ ａ ａ Ｏ２の混合タイプの触媒液を使用すること
によって、ガラス、水晶９石英等への選択的な・金属酸
化物被膜層への無電解メッキが可能になった。
によって、ガラス、水晶９石英等への選択的な・金属酸
化物被膜層への無電解メッキが可能になった。
透明導伝膜上への無電解メッキは、液晶パネルの端子メ
ッキ等に応用されている。第１図は、液晶パネルの正面
図と断面図である。３及び６′は透明導電膜であり、６
は、液晶パネルの端子部を示している。従来、液晶パネ
ルの端子部と液晶パネルの端子との接触は、導電ゴムを
用いて行われてきたが、液晶パネルの大容量化に伴い、
端子密度の増加、端子数の増加により、導電ゴムでは接
触不良が起りやすくな、ってきた。接触不良をなくすた
めに、端子部のメタライズを行い、液晶パネルとその駆
動回路のハンダ付けが必要とされてきた。６の端子部を
メタライズする場合、無電解メノギ法、スパッタ法、蒸
着法等の手段が検討されたが低コストという観点から、
無電解メッキ法が使われている。無電、解メソギで６の
端子部をメタライズする場合、１）の方法をとれば、２
の下基板全面に金属被膜が形成されるため、その後のバ
ターニングが必要である。Ｎ）の方法をとれば、液晶パ
ネルか完成１〜た後、選択的に３の端子部にメッキをつ
けることが可能である。透明導伝膜上無電解メッキを行
う場合、通常ｎ ）の方法が用いられる。
ッキ等に応用されている。第１図は、液晶パネルの正面
図と断面図である。３及び６′は透明導電膜であり、６
は、液晶パネルの端子部を示している。従来、液晶パネ
ルの端子部と液晶パネルの端子との接触は、導電ゴムを
用いて行われてきたが、液晶パネルの大容量化に伴い、
端子密度の増加、端子数の増加により、導電ゴムでは接
触不良が起りやすくな、ってきた。接触不良をなくすた
めに、端子部のメタライズを行い、液晶パネルとその駆
動回路のハンダ付けが必要とされてきた。６の端子部を
メタライズする場合、無電解メノギ法、スパッタ法、蒸
着法等の手段が検討されたが低コストという観点から、
無電解メッキ法が使われている。無電、解メソギで６の
端子部をメタライズする場合、１）の方法をとれば、２
の下基板全面に金属被膜が形成されるため、その後のバ
ターニングが必要である。Ｎ）の方法をとれば、液晶パ
ネルか完成１〜た後、選択的に３の端子部にメッキをつ
けることが可能である。透明導伝膜上無電解メッキを行
う場合、通常ｎ ）の方法が用いられる。
ここで、メタライズはパネル端子と、駆動回路との実装
を目的としているが、無電解メッキ被膜の密着強度のバ
ラツキが大きく、シばしば実装不良が起るのが現状であ
った。
を目的としているが、無電解メッキ被膜の密着強度のバ
ラツキが大きく、シばしば実装不良が起るのが現状であ
った。
本発明は、この無電解メッキ被膜と透明導伝膜との密着
強度のバラツキをなくすため、無電解メッキの前処理工
程の前に、透明導伝膜を還元エツチングする工程を入れ
たことを特徴としている。
強度のバラツキをなくすため、無電解メッキの前処理工
程の前に、透明導伝膜を還元エツチングする工程を入れ
たことを特徴としている。
この無電解メッキ工程の概要を述べる。
１）ガラス、セラミック、水晶等の基板にＯＶＤスパッ
タ、蒸着等によってＳｎＯ２，Ｉｎ２Ｏ３等の透明導伝
膜を形成する。
タ、蒸着等によってＳｎＯ２，Ｉｎ２Ｏ３等の透明導伝
膜を形成する。
２）この基板を、透明導伝膜の還元性のエツチング液の
中に浸漬する０還元性のエツチング液としては、Ｏｒ２
＋１０ｒａ＋のレドックス系エツチング液が適当である
。このレドックス系エツチング液は、たとえば を混合し、５０ｄの面積をもつカーボン電極を２本人れ
、１００ ｍＡ／ｃｔＡで連続電解を行って得た。
中に浸漬する０還元性のエツチング液としては、Ｏｒ２
＋１０ｒａ＋のレドックス系エツチング液が適当である
。このレドックス系エツチング液は、たとえば を混合し、５０ｄの面積をもつカーボン電極を２本人れ
、１００ ｍＡ／ｃｔＡで連続電解を行って得た。
ＨＯＱの濃度は９％以上が望ましい。これ以下であると
・エツチング液としての機能が非常に弱くなる。また、
Ｏｒ（！Ａ３の濃度が低い場合は、エツチング速度が遅
くなる０このため０．５ ｆ／１１．以上の濃度である
のが望ましい。
・エツチング液としての機能が非常に弱くなる。また、
Ｏｒ（！Ａ３の濃度が低い場合は、エツチング速度が遅
くなる０このため０．５ ｆ／１１．以上の濃度である
のが望ましい。
この時のカリード反応は
ａｒ”＋＋ ６ −１１ Ｏｒｚ＋ ・・・（１）であ
る。また、エツチング反応は５ｎ０２を例にとれば、 ２Ｃｒ２＋ ４２０ｒ３＋＋２ｅ −（２１Ｓ ｎ ０
２ 千２ Ｈ＋４−２ ｔ →Ｓ ｎ Ｏ＋ Ｎ２０
・＝（３）ＳｎＯ＋２ＨＯＱ、→５ｎＯＲ２＋Ｈ２０−
（４）となると考えられる。
る。また、エツチング反応は５ｎ０２を例にとれば、 ２Ｃｒ２＋ ４２０ｒ３＋＋２ｅ −（２１Ｓ ｎ ０
２ 千２ Ｈ＋４−２ ｔ →Ｓ ｎ Ｏ＋ Ｎ２０
・＝（３）ＳｎＯ＋２ＨＯＱ、→５ｎＯＲ２＋Ｈ２０−
（４）となると考えられる。
（参考、金属表面処理技術
ｖｏＡ３４．ｈｂ６ １９８３ Ｐ２Ｓ５〜Ｆ２８９）
レドックス系エツチング液への基板の浸漬時間は、透明
導伝膜が３０Ｘ以上エツチングするのに必要な時間が望
ましい。浸漬時間が短いと、メッキ被膜密着強度の向上
がみられない。また、エツチング時間を長くしても、基
板上に３０ス以上の透明導伝膜が残ることが必要である
。
レドックス系エツチング液への基板の浸漬時間は、透明
導伝膜が３０Ｘ以上エツチングするのに必要な時間が望
ましい。浸漬時間が短いと、メッキ被膜密着強度の向上
がみられない。また、エツチング時間を長くしても、基
板上に３０ス以上の透明導伝膜が残ることが必要である
。
３） この基板を前述した１）あるいはｌ）の無電解メ
ッキの前処理を行い、無電解メッキ液の中に浸漬し、透
明導伝膜上に無電解メッキを形成する０ 無電解メッキ液としては、Ｎｉ −Ｐ 、 Ｎ１−Ｂ
。
ッキの前処理を行い、無電解メッキ液の中に浸漬し、透
明導伝膜上に無電解メッキを形成する０ 無電解メッキ液としては、Ｎｉ −Ｐ 、 Ｎ１−Ｂ
。
Ｏｕ、Ａｕ、Ａｆ等のメッキ浴があるが、最も密着強度
の大きいメッキ被膜はＮ１−Ｐメッキである。
の大きいメッキ被膜はＮ１−Ｐメッキである。
４） この無電解メッキを２００℃で１時間焼成し、幅
０．２１１のパターンを残してエツチングし、無電解メ
ッキ上にハンダコートし、第２図のように裏面に銅層と
ハンダ層がついたフレキシブル回路基板を熱圧着し、ハ
ンダ接合した。この７レキシプル基板を引きはがす時に
必要な力をここでは無電解メッキ被膜の密着強度とした
。
０．２１１のパターンを残してエツチングし、無電解メ
ッキ上にハンダコートし、第２図のように裏面に銅層と
ハンダ層がついたフレキシブル回路基板を熱圧着し、ハ
ンダ接合した。この７レキシプル基板を引きはがす時に
必要な力をここでは無電解メッキ被膜の密着強度とした
。
この密着強度は、Ｃｒ２＋／ｃｒ３＋のレドックス系子
ツチング液の中に浸漬１−ない場合と比較して、平均約
１，５倍の密着強度を示し、その密着強度のバラツキは
少くなった。
ツチング液の中に浸漬１−ない場合と比較して、平均約
１，５倍の密着強度を示し、その密着強度のバラツキは
少くなった。
実用的にはメッキ被膜の密着強度は液晶パネルの端子の
メタライズの場合、最低５０９７ｍが必要であり、本発
明の方法を用いれば常にこの値を得ることができる。
メタライズの場合、最低５０９７ｍが必要であり、本発
明の方法を用いれば常にこの値を得ることができる。
以下実施例により本発明を詳細に述べる。
〔実施例１〕
ソーダガラス上に、低温スパッタにより酸化インジウム
膜を４００χ形成した。
膜を４００χ形成した。
紫外線感光樹脂をスピンコード法により塗布し、マスク
露光、現像、塩酸によるエツチングで、パターンｍＯ，
２１ｍ、長さ２ｃｍの酸化インジウムのパターンを形成
した。
露光、現像、塩酸によるエツチングで、パターンｍＯ，
２１ｍ、長さ２ｃｍの酸化インジウムのパターンを形成
した。
この基板を、
の組成液中に表面積１００ｃ＋＋１のカーボン電極を２
本人れ５０ ｔｎＡ ／ ｄ ｍ ２で１時間連続電解
を行い、Ｏｒ” ／ Ｏｒ”十のレドックス系エンチン
グ液とし、１分間浸漬した。この時、酸化インジウム層
は７０Ｘエツチングされた。
本人れ５０ ｔｎＡ ／ ｄ ｍ ２で１時間連続電解
を行い、Ｏｒ” ／ Ｏｒ”十のレドックス系エンチン
グ液とし、１分間浸漬した。この時、酸化インジウム層
は７０Ｘエツチングされた。
この後、所定の方法で調整された、日立化成社製増感剤
Ｈ８１０１Ｂに１分間浸漬し、水洗後、ＩＮ−ＮαＯＨ
溶液に浸漬し、水洗後、所定の方法で調整されたカニゼ
ン社製無電解ニッケルーリンメッキ液Ｓ−６８０の５０
℃浴の中に５分間浸漬した。これによって、酸化インジ
ウム上に５０００χの無電解−ツケルーリン被膜が形成
された。水洗後、２００℃で１時間焼成した。この後、
ニッケル・リン被膜上にハンダバスにより１５μ常のハ
ンダ層を形成した。この基板とポリイミド上に銅層が形
成され、その上に１２μｍのハンダ層の形成されたフレ
キシブル回路基板を３００℃で熱圧着した。この方法で
つくられた４５コのサンプルの密着強度は第３図のよう
な分布を示した。
Ｈ８１０１Ｂに１分間浸漬し、水洗後、ＩＮ−ＮαＯＨ
溶液に浸漬し、水洗後、所定の方法で調整されたカニゼ
ン社製無電解ニッケルーリンメッキ液Ｓ−６８０の５０
℃浴の中に５分間浸漬した。これによって、酸化インジ
ウム上に５０００χの無電解−ツケルーリン被膜が形成
された。水洗後、２００℃で１時間焼成した。この後、
ニッケル・リン被膜上にハンダバスにより１５μ常のハ
ンダ層を形成した。この基板とポリイミド上に銅層が形
成され、その上に１２μｍのハンダ層の形成されたフレ
キシブル回路基板を３００℃で熱圧着した。この方法で
つくられた４５コのサンプルの密着強度は第３図のよう
な分布を示した。
これかられかるように、液晶パネルの端子上のメッキと
しては、メッキ被膜の密着強度は十分あることがわかる
。
しては、メッキ被膜の密着強度は十分あることがわかる
。
〔実施例−２〕
石英ガラス上に、スパッタにより酸化インジウム膜を５
００Ｘ形成した。
００Ｘ形成した。
実施例１と同様の方法で同一のパターンを形成した。こ
の基板を の組成液中に表面積１ｏｏａｌのカーボン電極を２本人
れ、１００ ｍＡ／ｄｔｎ２で１時間連続電解を行い、
Ｏｒ ｚ＋／ Ｇ ｒ ’＋のレドックス系エツチング
液とし！ＩＯ秒間浸漬した。この時・酸化インジウム層
は１００Ｘエツチングされた・この後実施例１と同様の
方法でニッケル・リンメッキを行い、２００℃１時間で
焼成後、実施例１と同様の密着試験を行い、同様の結果
を得た。
の基板を の組成液中に表面積１ｏｏａｌのカーボン電極を２本人
れ、１００ ｍＡ／ｄｔｎ２で１時間連続電解を行い、
Ｏｒ ｚ＋／ Ｇ ｒ ’＋のレドックス系エツチング
液とし！ＩＯ秒間浸漬した。この時・酸化インジウム層
は１００Ｘエツチングされた・この後実施例１と同様の
方法でニッケル・リンメッキを行い、２００℃１時間で
焼成後、実施例１と同様の密着試験を行い、同様の結果
を得た。
〔実施例３〕
パイレックスガラス上に、ＯＶＤにより酸化スズ層を３
００Ｘつけた。
００Ｘつけた。
この基板を
の組成液中に表面積１００−のカーボン電極を２本人れ
、１００ ｍＡ／ｄｔｎ２で１時間連続電解を行い、Ｃ
ｒ２＋１０ｒ３＋のレドックス系エツチング液とし１分
間浸漬した・この時酸化スズ層は８０χエツチングされ
た。
、１００ ｍＡ／ｄｔｎ２で１時間連続電解を行い、Ｃ
ｒ２＋１０ｒ３＋のレドックス系エツチング液とし１分
間浸漬した・この時酸化スズ層は８０χエツチングされ
た。
この後、実施例１と同様の方法でニッケル・リンメッキ
を行い、２００℃１時間焼成した。
を行い、２００℃１時間焼成した。
この後、実施例１と同様の方法でニッケルのバターニン
グを行った。ニッケルのエツチング液としては、 硝 酸 ５５部 の混合液を用いた。
グを行った。ニッケルのエツチング液としては、 硝 酸 ５５部 の混合液を用いた。
密着強度は、実施例１と同様の方法で測定し、同様の結
果を得た◇ 〔比較例１〕 酸化インジウムを実施例１と同様の方法で、パターニン
グを行い、Ｏｒ”＋１０ｒ３＋のレドックス系エツチン
グ液を通さずに、実施例１と同様の方法で無電解ニッケ
ルメッキを行った。
果を得た◇ 〔比較例１〕 酸化インジウムを実施例１と同様の方法で、パターニン
グを行い、Ｏｒ”＋１０ｒ３＋のレドックス系エツチン
グ液を通さずに、実施例１と同様の方法で無電解ニッケ
ルメッキを行った。
２００℃で１時間焼成後、密着強度を測定したところ、
第４図のような密着強度の分布が得られた。密着強度が
６０１７ｗｂのものもあり、実用的強度がなかった。
第４図のような密着強度の分布が得られた。密着強度が
６０１７ｗｂのものもあり、実用的強度がなかった。
〔比較例２〕
酸化インジウムを実施例１と同様の方法でバターニング
を行い、Ｏｒ”＋ ／ Ｏｒ”十のレドックス系エツチ
ング液の代りに、 の混合溶液で、４０℃に加温した酸化インジウムのエツ
チング液で、酸化インジウム層を１ｏｏＸエツチングし
た。この後、実施例１と同様の方法でニッケル・リンメ
ッキを行い、２００℃で１時間焼成後実施例１と同様の
方法で密着強度を測定した。
を行い、Ｏｒ”＋ ／ Ｏｒ”十のレドックス系エツチ
ング液の代りに、 の混合溶液で、４０℃に加温した酸化インジウムのエツ
チング液で、酸化インジウム層を１ｏｏＸエツチングし
た。この後、実施例１と同様の方法でニッケル・リンメ
ッキを行い、２００℃で１時間焼成後実施例１と同様の
方法で密着強度を測定した。
その結果は、第５図のような密着強度の分布が得られ、
密着強度が５ ｏ ｆ ／ｓｓのものもあり、実用的な
強度はなかった。
密着強度が５ ｏ ｆ ／ｓｓのものもあり、実用的な
強度はなかった。
以上の実施例かられかるように、透明導伝膜と無電解メ
ッキ被膜の密着強度は、還元性エツチング液中で、透明
導伝膜の表面層をエツチングすることによって、大巾に
向上することがわかる。
ッキ被膜の密着強度は、還元性エツチング液中で、透明
導伝膜の表面層をエツチングすることによって、大巾に
向上することがわかる。
この発明により、透明導伝膜上に無電解メッキを行う際
、密着強度不足で実用化が困難であったもの、例えば、
液晶パネル端子のメタライズ等の 生ものが可能となっ
た。
、密着強度不足で実用化が困難であったもの、例えば、
液晶パネル端子のメタライズ等の 生ものが可能となっ
た。
第１図 液晶パネルの正面図、断面図
１：前面基板
２：背面基板
４：シール材
５：液晶組成物
第２図 メッキ被膜の密着性試験方法
６：ハンダコートされたメッキ被膜
７：フレキシブル回路基板
８：ハンダコートされた銅層
第３図 本発明のメッキ方法でつけられた、メッキ被膜
の密着性 第４図 従来のメッキ方法でつけられたメッキ被膜の密
着性 第５図 Ｏｒ２＋１０ｒａ＋のレドックス系エツチング
液の代りに、ＨＯｊ！、ＨＮＯ，混合エツチング液を用
いて酸化インジウムのエツチングを行った時のメッキ被
膜の密着性 ）争１ｒａｃ＜４ ’ｓｋ ’＋’ａｔ＜ｈ
の密着性 第４図 従来のメッキ方法でつけられたメッキ被膜の密
着性 第５図 Ｏｒ２＋１０ｒａ＋のレドックス系エツチング
液の代りに、ＨＯｊ！、ＨＮＯ，混合エツチング液を用
いて酸化インジウムのエツチングを行った時のメッキ被
膜の密着性 ）争１ｒａｃ＜４ ’ｓｋ ’＋’ａｔ＜ｈ
Claims (1)
- 酸化インジウムあるいは酸化スズからなる透明導伝膜上
に無電解メッキを行う場合、透明導伝膜が表面に形成さ
れた基板を、還元性のエツチング液の中に浸漬した後、
その基板に通常の無電解メッキの前処理を施し、無電解
メッキ液にその基板を浸漬することで、透明導伝膜上に
無電解メッキ層を形成することを特徴とする無電解メッ
キ方法０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25119683A JPS60141874A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 無電解メツキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25119683A JPS60141874A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 無電解メツキ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60141874A true JPS60141874A (ja) | 1985-07-26 |
| JPH0585637B2 JPH0585637B2 (ja) | 1993-12-08 |
Family
ID=17219108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25119683A Granted JPS60141874A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 無電解メツキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60141874A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0196384A (ja) * | 1987-10-08 | 1989-04-14 | Seiko Instr & Electron Ltd | 透明導電膜パターン上へのめっき方法 |
| JP2010155040A (ja) * | 2009-01-02 | 2010-07-15 | Suenori Yamashita | ゴルフのパッティング練習具 |
| JP2014031583A (ja) * | 2006-11-01 | 2014-02-20 | Bar-Ilan Univ | 集電体及び導電性配線としてのニッケル−コバルト合金、並びに透明導電性酸化物上へのこれらの堆積 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4949013A (ja) * | 1972-05-25 | 1974-05-13 | ||
| JPS5125226A (ja) * | 1974-08-25 | 1976-03-01 | Nippon Soken | Shototsukenchisochi |
| JPS5794563A (en) * | 1980-12-02 | 1982-06-12 | Seiko Epson Corp | Electroless plating method |
-
1983
- 1983-12-28 JP JP25119683A patent/JPS60141874A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4949013A (ja) * | 1972-05-25 | 1974-05-13 | ||
| JPS5125226A (ja) * | 1974-08-25 | 1976-03-01 | Nippon Soken | Shototsukenchisochi |
| JPS5794563A (en) * | 1980-12-02 | 1982-06-12 | Seiko Epson Corp | Electroless plating method |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0196384A (ja) * | 1987-10-08 | 1989-04-14 | Seiko Instr & Electron Ltd | 透明導電膜パターン上へのめっき方法 |
| JP2014031583A (ja) * | 2006-11-01 | 2014-02-20 | Bar-Ilan Univ | 集電体及び導電性配線としてのニッケル−コバルト合金、並びに透明導電性酸化物上へのこれらの堆積 |
| JP2010155040A (ja) * | 2009-01-02 | 2010-07-15 | Suenori Yamashita | ゴルフのパッティング練習具 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0585637B2 (ja) | 1993-12-08 |
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